JP2006210503A - 収差調整方法、デバイス製造方法及び荷電粒子線露光装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】露光装置における荷電粒子線光学系の収差量を測定し、荷電粒子線光学系を構成する光学要素を制御する制御量を各々変化させ、収差測定ステップを実行させて収差量の変化量を求め、各々の制御量の収差敏感度を求め(ステップ1−6)、荷電粒子線光学系の収差量を所望の収差量にするために、荷電粒子線光学系の収差量と各々の制御量の収差敏感度とに基づいて、前記制御量を決定する(ステップ7−17)。
【選択図】 図11
Description
ポイントビーム型の電子ビーム露光装置では単一の電子ビーム100を用いて描画するためスループットが低いので、研究開発用にしか使用されていない。可変矩形ビーム型の電子ビーム露光装置では、ポイント型と比べるとスループットが1〜2桁高いが、基本的には単一の電子ビーム100を用いて描画するため0.1μm程度の微細なパターンが高集積度で詰まったパターンを露光する場合などではやはりスループットの点で問題が多い。
この問題点を解決する装置として、描画するパターンをステンシルマスクにパターン透過孔として形成し、ステンシルマスクを電子ビーム100で照明することにより、縮小電子光学系を介して描画するパターンを試料面に転写するステンシルマスク型の電子ビーム露光装置がある。また、複数の開口を有する基板を電子ビーム100で照明し、複数の開口からの複数の電子ビーム100を縮小電子光学系を介して試料面に照射し、その複数の電子ビーム100を偏向させて試料面を走査させるとともに、描画するパターンに応じて複数の電子ビーム100を個別にon/offしてパターンを描画するマルチ電子ビーム100型露光装置がある。双方とも一度に露光する面積すなわち露光面積が従来にくらべ広い為スループットがより改善できるという特徴がある。
さらに、本発明は、上記収差調整方法が適用され、高集積度の半導体デバイスを低コストに製造することができるデバイス製造方法を提供することを目的とする。
さらに、本発明は、上記収差調整方法が適用され、荷電粒子線光学系の有効領域での収差をバランスよく調整することできる荷電粒子線露光装置を提供することを目的とする。
さらに、本発明は、上記荷電粒子線露光装置により、高集積度の半導体デバイスを低コストに製造することができるデバイス製造方法を提供することを目的とする。
前記荷電粒子線光学系のN個の収差量を測定する収差測定ステップと、
前記荷電粒子線光学系を構成する光学要素を制御するM個の制御量を各々変化させ、前記収差測定ステップを実行させて前記N個の収差量の変化量を求め、前記M個の制御量の収差敏感度をそれぞれ求める収差敏感度取得ステップと、
前記N個の収差量を所望の収差量にするために、前記N個の収差量および前記M個の制御量の収差敏感度に基づいて、前記M個の制御量を決定する制御量決定ステップと、を備え、
前記Mは前記Nより小さいことを特徴とする。
さらに、本発明の第2の収差調整方法は、前記制御量決定ステップで決定された前記制御量を前記光学要素に設定後、再度、前記収差測定ステップを実行する収差確認ステップを有する。
さらに、本発明の第3の収差調整方法は、前記収差確認ステップで、各々の前記収差量が許容値を満たさない場合、再度、前記収差敏感度取得ステップ、前記制御量決定ステップおよび前記収差確認ステップを実行する。
さらに、本発明の第4の収差調整方法は、前記収差量は、ツェルニケ係数で示される。
さらに、本発明の第5の収差調整方法は、前記収差量は、各像高の位置ずれである。
さらに、本発明の第6の収差調整方法は、前記制御量決定ステップでは、
前記収差量をCi、所望の前記収差量をCTi、前記許容値をTiとして、調整後残差関数eiをei=(Ci−CTi)/Ti で定義し、
前記調整後残差関数ei,(i=1,・・・,n)の最大絶対値を最小化するために、
|ei|<T, (i=1,・・・,n)となるダミー変数Tを導入し、
前記ダミー変数Tを最小化する線形計画問題へ定式化して、前記収差敏感度に基づいて、前記光学要素を制御する前記制御量を決定する。
さらに、本発明のデバイス製造方法は、前記収差調整方法を用いてデバイスを製造する。
さらに、本発明の荷電粒子線露光装置は、荷電粒子線光学系を介して被露光基板を露光する荷電粒子線露光装置であって、
前記荷電粒子線光学系のN個の収差量を測定する収差測定手段と、
前記荷電粒子線光学系を構成する光学要素を制御するM個の制御量を各々変化させ、前記収差測定手段を用いて前記N個の収差量の変化量を求め、前記M個の制御量の収差敏感度をそれぞれ求める収差敏感度取得手段と、
前記N個の収差量を所望の収差量にするために、前記N個の収差量および前記M個の制御量の収差敏感度に基づいて、前記M個の制御量を決定する制御量決定手段と、を備え、前記Mは前記Nより小さいことを特徴とする。
さらに、本発明のデバイス製造方法は、前記荷電粒子線露光装置を用いて被露光基板を露光するステップと、露光された前記被露光基板を現像するステップとを備えることを特徴とする。
前記荷電粒子線光学系を構成する光学要素を制御するM個の制御量を各々変化させ、前記収差測定ステップを実行させて前記N個の収差量の変化量を求め、前記M個の制御量の収差敏感度をそれぞれ求める収差敏感度取得ステップと、
前記N個の収差量を所望の収差量にするために、前記N個の収差量および前記M個の制御量の収差敏感度に基づいて、前記M個の制御量を決定する制御量決定ステップと、を備え、前記Mは前記Nより小さいことを特徴とするため、
荷電粒子線光学系の有効領域での収差をバランスよく調整することが可能となる。
さらに、本発明の第2の収差調整方法によれば、前記制御量決定ステップで決定された前記制御量を前記光学要素に設定後、再度、前記収差測定ステップを実行する収差確認ステップを有するため、より確実に荷電粒子線光学系の有効領域での収差をバランスよく調整することが可能となる。
さらに、本発明の第3の収差調整方法によれば、前記収差確認ステップで、各々の前記収差量が許容値を満たさない場合、再度、前記収差敏感度取得ステップ、前記制御量決定ステップおよび前記収差確認ステップを実行するため、より確実に荷電粒子線光学系の有効領域での収差をバランスよく調整することが可能となる。
さらに、本発明の第4の収差調整方法によれば、前記収差量は、ツェルニケ係数で示されるため、収差量を容易に把握できる。
さらに、本発明の第5の収差調整方法によれば、前記収差量は、各像高の位置ずれであるため、収差量を容易に把握できる。
さらに、本発明の第6の収差調整方法によれば、
荷電粒子線光学系を構成する光学要素を制御する前記制御量を正確に決定できる。
さらに、本発明のデバイス製造方法によれば、従来は製造が難しかった高集積度の半導体デバイスを低コストに製造することができる。
さらに、本発明の荷電粒子線露光装置によれば、
荷電粒子線光学系の有効領域での収差をバランスよく調整することが可能となる。
さらに、本発明のデバイス製造方法によれば、従来は製造が難しかった高集積度の半導体デバイスを低コストに製造することができる。
本発明の実施例の露光装置における荷電粒子線光学系の収差調整方法が適用される荷電粒子線露光装置の一例として電子ビーム露光装置の例を示すが、電子ビームに限らずイオンビームを用いた露光装置にも同様に適用できる。
図1は本発明の実施例1の露光装置における荷電粒子線光学系の収差調整方法が適用される電子ビーム露光装置の要部概略図である。
図示されない電子銃で発生された電子ビームはクロスオーバ像である電子源1を形成する。この電子源1から放射される電子ビーム100は、ビーム整形光学系2、3を介して、電子源1の像SIを形成する。電子源1の像SIの大きさは、ビーム整形光学系2、3のレンズパワーをそれぞれ調整することにより変えることができる。像SIから放射される電子ビーム100は、コリメータレンズ4によって略平行の電子ビーム100となる。
アパーチャアレイAAは、開口96,96,96が2次元配列して形成され、プリアパーチャアレイPre−AAは、アパーチャアレイAAの開口96a,96b,96cより大きい開口95,95,95をアパーチャアレイAAと同一の2次元配列で形成したもので、電子ビーム照射によるアパーチャアレイAAの熱的損傷を低減する。レンズアレイ5は、同一の光学パワーを有する静電レンズ5a,5a,5aが2次元配列して形成され、偏向器アレイ6,7は、個別に駆動可能な静電の8極偏向器が2次元配列して形成される。ブランカーアレイ8は、個別に駆動可能な静電のブランカーが2次元配列して形成されたものである。コリメータレンズ4からの略平行な電子ビーム100は、アパーチャアレイAAによって複数の電子ビーム100に分割される。分割された電子ビーム100は、対応するレンズアレイ5の静電レンズ5a,5a,5aを介して、ブランカーアレイ8の対応するブランカー上に、電子源1の中間像1a,1a,1aを形成する。ここで、レンズアレイ5の各電子レンズ5a,5a,5aの瞳は、アパーチャアレイAA上の対応する開口となっている。
中間像1a,1a,1aの面の下流には、2段の対称磁気ダブレット・レンズD1、D2で構成された縮小投影系PLが設けられ、複数の中間像1a,1a,1aをウェハ9上に投影する。ここで、縮小投影系PLの瞳とアパーチャアレイAAの開口とは共役関係となっている。
偏向器アレイ6、7は、ブランカーアレイ8上に形成される電子源1の中間像1a,1a,1aの位置(光軸と直交する面内の位置)を個別に調整することができ、コリメータレンズ4の励磁や、光源像SI近傍に配置されたスティグメータSTGによって、電子源1の複数の中間像1a,1a,1aの位置を系統的に調整することができる。ブランカーアレイ8は、電子ビーム100を偏向することにより、ブランキングアパーチャBAによって遮断させ、ウェハ9への電子ビーム100の照射を制御できる。
下段のダブレット・レンズD2内には、複数の電子ビーム100を同時にX,Y方向の所望の位置に変位させるための偏向器10、複数の電子ビーム100の非点を同時に調整する静電型の8極子スティグメータであるスティグメータDS、及び複数の電子ビーム100のフォーカスを同時に調整するフォーカスコイルDFが配置されている。光軸調整用のアライナーとして、ビーム整形光学系3とコリメータレンズ4の間に第1のアライナーAL1が、ダブレット・レンズD1,D2との間に第2のアライナーAL2が配置される。XYステージ11はウェハ9を搭載し、光軸と直交するXY方向に移動可能なに構成される。XYステージ11の上にはウェハ9を固着するための静電チャック13と、電子ビーム100の位置を測定するために電子ビーム100入射側に開口パターンを有する半導体検出器12が配置される。
レンズ制御回路21は、ビーム整形光学系2、3、コリメータレンズ4、レンズアレイ5、対称磁気ダブレット・レンズD1、D2の各々の電子光学的パワー(焦点距離)を制御する回路である。ブランキング制御回路22は、ブランカーアレイ8を構成する複数のブランカーを個別に制御する回路である。偏向器制御回路23は主偏向器10を制御する回路である、収差補正制御回路24は、偏向器アレイ6,7、スティグメータDS、フォーカスコイルDFを制御して、発生する収差を調整する回路である。アライナー制御回路25は、光軸調整のためにアライナーAL1、AL2を制御する回路である。検出回路26は、半導体検出器12からの信号を処理する回路である。ステージ制御回路27は、XYステージ11の位置を検出する図示されないレーザ干渉計と共にXYステージ11を駆動制御する制御回路である。AA移動回路28は、アパーチャアレイAAの水平方向位置を切り替える回路である。主制御系29は、上記複数の制御回路を制御し、電子ビーム露光装置全体を管理する装置である。
主制御系29は、露光制御データに基づいて、ブランキング制御回路22と偏向器制御回路23に命じ、偏向器10によって、複数の電子ビーム100を偏向させると共に、ウェハ9に露光すべきピクセル101に応じてブランカーアレイ8のブランカーを個別にon/offさせる。
各電子ビーム100は、図3に示されるようにウェハ9上の対応する要素露光領域(EF)をラスタースキャン露光する。各電子ビーム100の要素露光領域(EF)は、2次元に隣接するように設定されているので、その結果、同時に露光される複数の要素露光領域(EF)で構成されるサブフィールド(SF)が露光される。次に、主制御系29は、サブフィールド1(SF1)を露光後、次のサブフィールド2(SF2)を露光する為に、偏向器10によって、複数の電子ビーム100を次のサブフィールド2(SF2)に偏向させる。
前記荷電粒子線光学系を構成する光学要素を制御するM個の制御量を各々変化させ、前記収差測定ステップを実行させて前記N個の収差量の変化量を求め、前記M個の制御量の収差敏感度をそれぞれ求める収差敏感度取得ステップと、
前記N個の収差量を所望の収差量にするために、前記N個の収差量および前記M個の制御量の収差敏感度に基づいて、前記M個の制御量を決定する制御量決定ステップと、を備え、前記Mは前記Nより小さいことを特徴とする。
さらに、露光装置における本発明の実施例1の荷電粒子線光学系の収差調整方法は、前記制御量決定ステップで決定された前記制御量を前記光学要素に設定後、再度、前記収差測定ステップを実行する収差確認ステップを有する。
さらに、露光装置における本発明の実施例1の荷電粒子線光学系の収差調整方法は、前記収差確認ステップで、各々の前記収差量が許容値を満たさない場合、再度、前記収差敏感度取得ステップ、前記制御量決定ステップおよび前記収差確認ステップを実行する。
さらに、露光装置における本発明の実施例1の荷電粒子線光学系の収差調整方法は、前記収差量は、ツェルニケ係数で示される。
さらに、露光装置における本発明の実施例1の荷電粒子線光学系の収差調整方法は、前記収差量は、各像高の位置ずれである。
さらに、露光装置における本発明の実施例1の荷電粒子線光学系の収差調整方法は、前記制御量決定ステップでは、
前記収差量をCi、所望の前記収差量をCTi、前記許容値をTiとして、調整後残差関数eiをei=(Ci−CTi)/Ti で定義し、
前記調整後残差関数ei,(i=1,・・・,n)の最大絶対値を最小化するために、
|ei|<T, (i=1,・・・,n)となるダミー変数Tを導入し、
前記ダミー変数Tを最小化する線形計画問題へ定式化して、前記収差敏感度に基づいて、前記光学要素を制御する前記制御量を決定する。
次に、本発明の実施例1の露光装置における荷電粒子線光学系の収差調整方法を構成する収差測定に関して図4を参照して説明する。
点Aを射出瞳94の中心点、点Fをガウス像点とし、点Fを通る光軸に直角の平面を像面93とし、この上にX、Y軸をとる。点Aを通る主光線92のこの交点をQ0(X0,Y0)とすれば、射出瞳94の面上の任意の点Pから出た光線91が像面93と交わる点をQとするとき、Q−Q0(δX、δY)が、この点PのQ0(像高)に対する幾何光学的収差とされる。
また、幾何光学的収差は、下記のように表される。
ここで、ツェルニケの多項式による表現について基本的な事項を説明する。
ツェルニケの多項式の表現では、座標系として極座標を用い、直交関数系としてツェルニケ円筒関数を用いる。ここで、ρは射出瞳の半径を1に規格した規格化瞳半径であり、θは極座標の動径角である。Cnは展開係数である。
以下、ツェルニケの円筒関数系Zn(ρ、θ)の内、第1項から第16項の円筒関数系Z1〜Z16と各項の収差内容を表1に示す。
図5に示される光学系は、説明のために図1の光学系を簡略化したもので、図1と同機能を有する構成要素は同符号で示される。
図示されない光学系からの略平行な電子ビームは、アパーチャアレイAAによって複数の電子ビーム100に分割される。分割された電子ビーム100は、縮小投影系PLの物体面99に中間像1a,1a,1aを形成する。そして、その中間像1a,1a,1aは、縮小投影系PLを介して、その像面98に投影される。このときアパーチャアレイAAの開口96a,96b,96cが射出瞳97に相当する。露光時のアパーチャアレイAAの開口96a,96b,96cが示される。収差測定の際は、上述したように、射出瞳97の面に特定の光線だけを通過させる開口を設けることが必要である。そこで、射出瞳97の面に相当する開口96b内のP0,P1,P2だけからの光線だけを通過する開口を設け、各光線の像面98上の位置Q0、Q1,Q2を測定し、δX1、δX2を測定すれば、収差が求められる。しかし、収差が小さいとQ0、Q1,Q2が分離して測定することが難しい。そこで、P1の代わりに、隣の射出瞳面である開口96aのP1に相当する位置P1’だけからの光線だけを通過させる開口を設ける。同様に、P2の代わりに、隣の射出瞳97の面である開口96cのP2に相当する位置P2’だけからの光線だけを通過させる開口を設ける。開口96a、96b、96cからの光線が同一像高の光線(すなわち、収差が等しい)とみなすと、位置P1’、 位置P2’からの光線の像面上の位置Q1’,Q2’を測定し、ガウス像点からの変位δX1、δX2を測定すれば、収差が小さくても、光線の像面上の位置Q1’,Q2’が分離できるため、収差が小さくても収差が測定できる。
アパーチャアレイAAの露光用開口パターンが図6(a)に示され、収差測定用開口パターンが図6(B)に示される。
図6(a)に示される露光用開口パターン90を5掛ける5の25ブロックに分割し、その中心の開口パターンに対応する図6(B)に示される収差測定用開口パターン89を、同じ開口にしている。25ブロックの内、9ブロックでは、露光用開口パターン90に対応する収差測定用パターン89を、露光用開口パターン90内の特定の光線だけ(射出瞳位置ξ、ηに対応する)を通過するような微小開口にしている。この9ブロックでは、同一ブロック内の光線を同一像高とみなして、図示されるようにブロック中心の像高を代表像高とする。そこで、上述のように収差を測定している。他のブロックは、ブロック中心の開口パターンに対応する収差測定用開口パターン89だけを有し、後述するようにディストーション測定のために通過する光線を設定している。ここで、ブロックは、言い換えれば、像高を意味することになる。
図1に示されるアパーチャアレイAAには、図6(a)に示される露光用開口パターン90と図6(B)に示される収差測定用開口パターン89が、図7(a)に示されるように隣接して形成される。
アパーチャアレイAAの真上には、図7(B)に示されるプリアパーチャアレイPre−AAが設けられ、その露光用開口パターン90は、前述したように、露光用の開口より大きい開口が、同じ配列で形成される。露光の時は、プリアパーチャアレイPre−AAの開口パターンの直下に露光用開口パターン90が配置されるようにアパーチャアレイAAの位置を移動させる。一方、収差測定の時は、プリアパーチャアレイPre−AAの開口パターンの直下に収差測定用開口パターン89が配置されるようにアパーチャアレイAAの位置を移動させる。
半導体検出器12は、複数の開口121a,121a,121aが形成された基板121と基板121の開口121a,121a,121aに対応した半導体デバイス122,122,122(PINフォト、アバランシェダイオード等)で構成される。
基板121の開口121a,121a,121aは、図6、図7に示される収差測定用開口パターン89の9ブロックの中心に位置する開口に対応して形成される。 開口121a,121a,121aの形状は、図示されるようにL字状に形成される。図示されない主偏向器により、電子ビーム100を走査し、開口121a,121a,121aを通過する電子ビーム100を半導体デバイス122,122,122で検出することにより、その信号と開口121a,121a,121aの位置とに基づいて、走査方向のビーム位置が検出できる。
露光装置の収差測定のために、図2に示される主制御系29は下記ステップ1ー11を実行する。
(ステップ1)主制御系29は、AA移動回路28に命じ、プリアパーチャアレイPre−AAの直下にアパーチャアレイAAの図6に示される収差測定用開口パターン89を位置させる。
(ステップ2)主制御系29は、ステージ制御回路27に命じ、半導体検出器12の9個の開口を、収差測定用開口パターン89の9ブロック(像高)の瞳位置(0,0)に対応する開口からの電子ビーム100が入射する位置に移動させる。
(ステップ3)主制御系29は、図10(a)に示される各像高の瞳位置(ξk、ηk)に対応した収差測定用開口を選択し、その収差測定用開口からの電子ビーム100だけを半導体検出器12に入射するようにブランキング制御回路27に命じる。
(ステップ4)主制御系29は、選択された測定用ビーム100を半導体検出器12上を走査させるように偏向器制御回路23に命じるとともに、検出回路26に半導体検出器12からの信号を記憶することを命じる。
(ステップ5)主制御系29は、予め取得した半導体検出器12の各開口位置と検出回路26に記憶された検出信号に基づいて、図10(B)に示される像高(Xi,Yj)、瞳位置(ξk、ηk)ごとの電子ビーム100の設計上の結像位置と実際の結像位置との変位(δXk、δYk)を算出し、記憶する。
(ステップ6)主制御系29は、9像高の全ての計測対象開口からビーム位置を検出した場合、ステップ7に進め、そうでない場合ステップ3に戻る。
(ステップ7)主制御系29は、その他の16像高における、瞳位置(0,0)のδXk、δYk を先の9像高と同様のステップで検出、算出し、記憶する
(ステップ8)主制御系29は、記憶されている像高(Xi,Yj)、瞳位置(ξk、ηk)ごとの(δXk、δYk)を読み込む。
(ステップ9)主制御系29は、各像高(Xi,Yj)の瞳位置(0、0)のδX、δYより、下記のような像高位置(X、Y)に関するディストーション関数を関数近似より求める。これは、各ブロックが同一像高とみなすものの、若干のディストーションの違いがあり、求められる収差に誤差をもたらすので、それを補正するために求める。
δX=F(X、Y)
δY=G(X、Y)
(ステップ10)ディストーション関数から、下式のように各像高の瞳位置(ξ、η)、δX、δYを補正し、δX’、δY’を求める。
δX’=δX−F(X,Y)
δY’=δY−G(X,Y)
ただし、(X,Y)は、各像高の瞳位置(ξ、η)の実際の像高位置を表す。
(ステップ11)各像高ごとの瞳位置(ξ、η)、δX’、δY’に基づいて、各像高のツェルニケ係数を求める。このツェルニケ係数Cnとツェルニケの円筒関数系Zn(ρ、θ)とを用いて最終的に波面収差W(ρ,θ)を求めることができる。
前述した収差測定法によって得られた収差量(ツェルニケ係数Cn)に基づいて、荷電粒子線光学系(縮小投影系PL)の収差調整方法について、説明する。
縮小投影系PLの収差調整手段として、縮小投影系を構成するレンズ、アライナーAL2、スティグメータDS、フォーカスコイルDFがあり、その制御量を調整することにより、収差を調整することができる。一方、本実施例において、収差量は、各像高に8個(C2〜C9)とすると、9像高あるので、72個ある。すなわち、制御量の数に比べ、調整したい収差量の方が多いので、この収差調整方法は一種の最適化問題となる。本実施例では、一つの制御量の変化に対する各収差の変化を線形と想定し、この最適化問題を線形計画問題として、扱って、制御量を決定している。
線形計画問題は、(2−1)式の目的関数と(2−2)式の条件式によって、表される。
このうち、目的関数は、制御変数の1次式で定義された関数で、最小化あるいは最大化したい関数である。また、条件式も制御変数の一次式で表された等式、あるいは不等式である。そして、n>Mである。
本実施形態では、実際の収差量Ci、所望の収差量CTi、許容誤差をTiとして、
調整後残差関数eiを(2−3)式のように定義する。
露光装置の収差調整のために、主制御系29は下記ステップを実行する。
(ステップ1)主制御系29は、AA移動回路28に命じ、プリアパーチャアレイPre−AAの直下にアパーチャアレイAAの収差測定用開口パターンを位置させる。
(ステップ2)主制御系29は、前述したように測定して、9像高の収差量(ツェルニケ係数C2〜C9)を算出し、記憶する。
(ステップ3)主制御系29は、1つの光学要素(対称磁気ダブレット・レンズD1、D2、スティグメータDS、フォーカスコイルDF、アライナーAL2によってのうち一つ)の制御量を対応する制御回路によって設定を変更する。
(ステップ4)主制御系29は、前述したように測定して、9像高の収差量(ツェルニケ係数C2〜C9)を算出し、記憶する。
(ステップ5)主制御系29は、ステップ4の収差量とステップ2の収差量の差分(収差敏感度)を記憶し、変更した制御量の設定を元に戻す。
(ステップ6)主制御系29は、設定を変更する光学要素があれば、ステップ3に戻り、なければステップ8に進む。
(ステップ7)主制御系29は、上記ステップを実行した結果、以下の表2に示される各制御の収差敏感度と目標値を有する。
(ステップ9)主制御系29は、前述したように測定して、9像高の収差量(ツェルニケ係数C2〜C9)を算出する。
(ステップ10)測定された9像高の収差量(ツェルニケ係数C2〜C9)が、許容値を満足しなければ、ステップ3に戻り、満足すれば次ステップに進む。
(ステップ11)主制御系29は、AA移動回路28に命じ、プリアパーチャアレイPre−AAの直下にアパーチャアレイAAの露光用開口パターンを位置させる。
(ステップ12)主制御系29は、25掛ける25もしくは、選択して9掛ける9のビームの位置を半導体検出器12によって測定する。
(ステップ13)主制御系29は、1つの光学要素(ビーム整形光学系2、3、コリメータレンズ4、スティグメータSTG、アライナーAL1、の内一つ)の制御量を対応する制御回路によって設定を変更する。これらの光学要素は、ビームの位置ずれ(歪曲)にしか、影響を与えない光学要素であって、これ以降のステップは、ビームの位置ずれ(歪曲)を高精度に調整するためのものある。その為、収差量(ツェルニケ係数C2〜C9)の調整のときのビームの位置ずれ(歪曲)調整を荒くしている。
(ステップ14)主制御系29は、ステップ12と同様に、25掛ける25もしくは、選択して9掛ける9のビームの位置を半導体検出器12によって測定する。
(ステップ15)主制御系29は、ステップ13の位置ずれ量とステップ12の位置ずれ量の差分(収差敏感度)を記憶し、変更した制御量の設定を元に戻す。
(ステップ16)主制御系29は、設定を変更する光学要素があれば、ステップ13に戻り、なければステップ17に進む。
(ステップ17)主制御系29は、線形計画法により、得られた収差敏感度(位置ずれのみ)に基づいて各光学要素の制御量を決定する。
(ステップ18)主制御系29は、決定された制御量を各光学要素に設定する。
(ステップ19)主制御系29は、ステップ12と同様に、25掛ける25もしくは、選択して9掛ける9のビームの位置を半導体検出器12によって測定する。
(ステップ20)主制御系29は、残存する位置ずれを、偏向器アレイによって調整する。
本発明の実施例の露光装置によるデバイス製造方法は、露光装置における荷電粒子線光学系の収差調整方法が適用される露光装置によりデバイスを製造するもので、この製造方法による微小デバイス(ICやLSI等の半導体チップ、液晶パネル、CCD、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等)の製造のフローが図12に示される。
ステップ1(回路設計)では半導体デバイスの回路設計を行なう。
ステップ2(露光制御データ作成)では設計した回路パターンに基づいて露光装置の露光制御データを作成する。
他方、ステップ3(ウェハ製造)ではシリコン等の材料を用いてウェハを製造する。
ステップ4(ウェハプロセス)は前工程と呼ばれ、上記用意した露光制御データが入力された露光装置とウェハを用いて、リソグラフィ技術によってウェハ上に実際の回路を形成する。
ステップ5(組み立て)は後工程と呼ばれ、ステップ4によって作製されたウェハを用いて半導体チップ化する工程で、アッセンブリ工程(ダイシング、ボンディング)、パッケージング工程(チップ封入)等の工程を含む。
ステップ6(検査)ではステップ5で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行なう。
こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これが出荷(ステップ7)される。
ステップ11(酸化)ではウェハの表面を酸化させる。
ステップ12(CVD)ではウェハ表面に絶縁膜を形成する。
ステップ13(電極形成)ではウェハ上に電極を蒸着によって形成する。
ステップ14(イオン打込み)ではウェハにイオンを打ち込む。
ステップ15(レジスト処理)ではウェハに感光剤を塗布する。
ステップ16(露光)では上記説明した露光装置によって回路パターンをウェハに焼付露光する。
ステップ17(現像)では露光したウェハを現像する。
ステップ18(エッチング)では現像したレジスト像以外の部分を削り取る。
ステップ19(レジスト剥離)ではエッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。
これらのステップを繰り返し行なうことによって、ウェハ上に多重に回路パターンが形成される。
本発明の実施例の露光装置によるデバイス製造方法によれば、従来は製造が難しかった高集積度の半導体デバイスを低コストに製造することができる。
Claims (9)
- 露光装置における荷電粒子線光学系の収差調整方法であって、
前記荷電粒子線光学系のN個の収差量を測定する収差測定ステップと、
前記荷電粒子線光学系を構成する光学要素を制御するM個の制御量を各々変化させ、前記収差測定ステップを実行させて前記N個の収差量の変化量を求め、前記M個の制御量の収差敏感度をそれぞれ求める収差敏感度取得ステップと、
前記N個の収差量を所望の収差量にするために、前記N個の収差量および前記M個の制御量の収差敏感度に基づいて、前記M個の制御量を決定する制御量決定ステップと、を備え、
前記Mは前記Nより小さいことを特徴とする収差調整方法。 - 前記制御量決定ステップで決定された前記制御量を前記光学要素に設定後、再度、前記収差測定ステップを実行する収差確認ステップを有する請求項1記載の収差調整方法。
- 前記収差確認ステップで、各々の前記収差量が許容値を満たさない場合、再度、前記収差敏感度取得ステップ、前記制御量決定ステップおよび前記収差確認ステップを実行する請求項2記載の収差調整方法。
- 前記収差量は、ツェルニケ係数で示される請求項1から3のいずれかに記載の収差調整方法。
- 前記収差量は、各像高の位置ずれである請求項1から3のいずれかに記載の収差調整方法。
- 前記制御量決定ステップでは、
前記収差量をCi、所望の前記収差量をCTi、前記許容値をTiとして、調整後残差関数eiを
ei=(Ci−CTi)/Ti で定義し、
前記調整後残差関数ei,(i=1,・・・,n)の最大絶対値を最小化するために、
|ei|<T, (i=1,・・・,n)となるダミー変数Tを導入し、
前記ダミー変数Tを最小化する線形計画問題へ定式化して、前記収差敏感度に基づいて、前記光学要素を制御する前記制御量を決定する請求項1から5のいずれかに記載の収差調整方法。 - 請求項1から6のいずれかに記載の収差調整方法を用いてデバイスを製造することを特徴とするデバイス製造方法。
- 荷電粒子線光学系を介して被露光基板を露光する荷電粒子線露光装置であって、
前記荷電粒子線光学系のN個の収差量を測定する収差測定手段と、
前記荷電粒子線光学系を構成する光学要素を制御するM個の制御量を各々変化させ、前記収差測定手段を用いて前記N個の収差量の変化量を求め、前記M個の制御量の収差敏感度をそれぞれ求める収差敏感度取得手段と、
前記N個の収差量を所望の収差量にするために、前記N個の収差量および前記M個の制御量の収差敏感度に基づいて、前記M個の制御量を決定する制御量決定手段と、を備え、
前記Mは前記Nより小さいことを特徴とする荷電粒子線露光装置。 - 請求項8記載の荷電粒子線露光装置を用いて被露光基板を露光するステップと、露光された前記被露光基板を現像するステップとを備えることを特徴とするデバイス製造方法。
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