JP2006190880A - 基板およびその製造方法と、前記基板を用いた回路基板およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 特に、ピッチ幅を狭小化しても各導電層（配線）間の沿面距離を従来に比べて長くでき、耐マイグレーション性に優れるとともに、基材上に形成される各絶縁樹脂層の突出寸法を、簡単に変えることが出来る基板およびその製造方法と、前記基板を用いた回路基板およびその製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】 回路基板は、基材１０上に、間隔（ピッチ幅）Ｐ２を空けて設けられた絶縁樹脂層１１と、各絶縁樹脂層１１上に設けられた導電層１３と、を有して構成される。このため、ピッチ幅Ｐ２を狭小化しても各導電層１３間の沿面距離Ｌ２を従来に比べて長くでき、耐マイグレーション性に優れる基板を形成できる。しかも各絶縁樹脂層１１の突出寸法Ｈ２を自由に変えることが出来る。
【選択図】 図１

Description

本発明は、例えば微細な配線パターンを有する回路基板等に係り、特に、ピッチ幅を狭小化しても各導電層（配線）間の沿面距離を従来に比べて長くでき、耐マイグレーション性に優れるとともに、基材上に形成される絶縁樹脂層の突出寸法を、簡単に変えることが可能な基板およびその製造方法と、前記基板を用いた回路基板およびその製造方法に関する。

図１３ないし図１５は従来における回路基板の製造方法を示す一工程図である。各工程図は、製造工程中の回路基板を膜厚方向と平行な方向から切断した部分断面図である。

図１３に示す符号１は、絶縁性フィルム等の基材であり、前記基材１上に、メッキ下地層２を蒸着法やスパッタ法などで形成した後、前記メッキ下地層２上にレジスト層３を塗布する。前記レジスト層３に、露光現像により配線パターンと同形状の抜きパターン３ａを形成した後、図１４工程で、前記抜きパターン３ａ内に銀などの導電層４をメッキ形成する。そして前記レジスト層３を溶解させて除去し、前記導電層４の下以外の位置にある前記メッキ下地層２をエッチング法等で除去する。

図１５に示すように各導電層（配線）４間の沿面距離Ｌ１は、実質的に各導電層４間のピッチ幅Ｐ１と一致している。ここで「導電層間の沿面距離」とは、向かい合う導電層４の一方の導電層４の下面の対向縁部４ａから、前記基材１の上面１ａに沿って他方の導電層４の下面の対向縁部４ｂまでの距離（最小距離）で示される。一方、「ピッチ幅」とは向かい合う導電層４を真上から見たときの導電層４間の間隔、すなわち前記導電層４間に介在する前記基材１の上面１ａの直線長さ（最小長さ）で示される。

図１５に示す回路基板では、配線パターンの微細化により前記ピッチ幅Ｐ１を狭くすると、前記導電層４間の沿面距離Ｌ１も前記ピッチ幅Ｐ１とほぼ同じ長さにて小さくなる。このため、例えば前記導電層４が銀等、マイグレーションを起こしやすい材質であるとき、狭ピッチ化によって配線間の絶縁不良が生じやすくなるといった問題が発生した。

下記の特許文献１には、図１３ないし図１５で説明した従来の回路基板と異なる工程で形成された回路基板が開示されている。
特開２０００−２１６５０５号公報

特許文献１に掲載された図１等を参照すると、特許文献１では、絶縁基材の表面に凹凸部を設け、凸部上にスパッタ法等で下地導電層を形成し、前記下地導電層上に導電体層をメッキ形成している。特許文献１における効果の一つは、各導電体層間の沿面距離を離すことが出来る点であると記載されている。

しかし特許文献１では、表面に凹凸部を有する絶縁基材を、金型を用いて成形するものであり、前記金型の成形が非常に煩雑な作業となっている。また、例えば特許文献１に掲載された図５等に金型の成形方法が開示されており、この手法では、ブロック状の金型を切削加工等によって三次元的立体形状に形成し、その後、レジスト層の形成、前記レジスト層にレーザ光を当ててレジスト層の部分除去、レジスト層の除去部にメッキ層を形成、レジスト層の除去といった工程から前記金型を形成しているが、三次元的立体形状の表面に前記レジスト層を塗布すると、場所によってレジスト層の膜厚が異なり乱反射等が起こって前記レジスト層を所定の形状にてパターン形成できないと考えられるし、また特許文献１の手法では、例えば凹溝の深さ寸法を場所によって変えたい場合、そのような成形を行なうことは出来ないか、あるいは出来たとしても非常に難しく、凹溝の深さ寸法を自由に簡単に変えることが出来ないと考えられる。

また前記絶縁基材を前記金型にて形成した後、前記絶縁基板表面の凸部上にスパッタ法等で下地導電層を形成する。特許文献１ではこのとき、前記凹部内に下地導電層がつかないように、わざわざ絶縁基板を傾けて前記下地導電層をスパッタ成膜するといった手法を用いており、前記下地導電層の形成が非常に煩雑である。しかも前記凹部の間隔等によっては、下地絶縁層が前記凹部内にスパッタ形成される可能性を否定できず、前記凹部内に下地絶縁層が形成されてしまうと、前記凹部内にも導電体層がメッキ形成されてしまうため、特許文献１の手法では回路基板の歩留りを適切に向上させることが出来ないと考えられる。

そこで本発明は上記従来の課題を解決するためのものであり、特に、ピッチ幅を狭小化しても各導電層（配線）間の沿面距離を従来に比べて長くでき、耐マイグレーション性に優れるとともに、基材上に形成される絶縁樹脂層の突出寸法を、簡単に変えることが出来る基板およびその製造方法と、前記基板を用いた回路基板およびその製造方法を提供することを目的としている。

本発明における基板は、基材と、前記基材上に互いに間隔を空けて設けられた絶縁樹脂層と、各絶縁樹脂層上に設けられた導電層と、を有して成ることを特徴とするものである。

本発明では、基材上に、導電層の高さ位置を上方へ持上げる持上げ層としての絶縁樹脂層を形成している。このため、ピッチ幅を狭小化しても各導電層間の沿面距離を従来に比べて長くでき、耐マイグレーション性に優れる基板を形成できる。しかも各絶縁樹脂層の突出寸法を自由に変えやすく、これによって例えば、各々の絶縁樹脂層の突出寸法を変えたり、あるいは、異なる場所ごとに絶縁樹脂層の突出寸法を異ならせることが簡単且つ確実に行なえる。

本発明では、前記導電層はメッキで形成されており、前記導電層と前記絶縁樹脂層との間にメッキ下地層が形成されていることが好ましい。このとき、前記メッキ下地層は、導電性高分子であることが好ましい。これによって前記導電層を適切にメッキ形成することが出来る。

また本発明では、前記メッキ下地層は光の透過が可能な膜厚で形成されていることが好ましい。

また本発明では、前記絶縁樹脂層はイミド基、エステル基、あるいはカーボネート結合を主鎖中に含む樹脂と、感光剤とを有して構成され、前記基材上に形成された絶縁樹脂層のパターンは露光現像によって形成されたものであることが好ましい。これによって、前記絶縁樹脂層のパターンを簡単に且つ高精度に形成できる。
なお前記絶縁樹脂層は、感光性ポリイミドあるいはその誘導体であることが好ましい。

また本発明における回路基板は、上記のいずれかに記載された基板の前記導電層が配線部材として用いられることを特徴とするものである。本発明では前記導電層（配線）のピッチ幅を狭小化しても各導電層間の沿面距離を従来に比べて長くでき、耐マイグレーション性に優れる回路基板を形成できる。しかも各絶縁樹脂層の高さを自由に変えやすく、これによって例えば、各々の絶縁樹脂層の突出寸法を変えたり、あるいは、異なる場所ごとに絶縁樹脂層の突出寸法を異ならせることが簡単且つ確実に行なえる。

本発明における基板の製造方法は、以下の工程を有することを特徴とするものである。
（ａ） 基材上に、感光剤が添加された絶縁樹脂を塗布し、さらに前記絶縁樹脂層上にメッキ下地層を形成する工程と、
（ｂ） 前記絶縁樹脂層の所定部位を、前記メッキ下地層を介して、露光し、露光された前記絶縁樹脂層とともに露光された前記絶縁樹脂層上のメッキ下地層を除去する工程と、
（ｃ） 前記基材上に間隔を空けて残された前記メッキ下地層上に導電層をメッキ形成する工程。

本発明では容易に且つ確実に、基材上に間隔を空けて絶縁樹脂層を形成できるとともに、各絶縁樹脂層上に導電層を形成出来る。また前記（ｂ）工程の露光現像の際の露光量を場所によって変えれば、例えば場所ごとに、違った突出寸法の絶縁樹脂層を容易に且つ簡単に形成できる。

本発明では、上記（ａ）工程のように、基材上に、感光剤が添加された絶縁樹脂を塗布し、上記（ｂ）工程で、露光された前記絶縁樹脂層とともに露光された前記絶縁樹脂層上のメッキ下地層を一緒に除去するため、前記絶縁樹脂層及びメッキ下地層のパターン形成を同一工程にて行なうことができ、従来に比べて前記基板の製造が非常に容易化する。

しかも前記メッキ下地層は、前記（ｂ）工程により残された絶縁樹脂層上のみ残されるから、前記（ｃ）工程で導電層どうしを確実に離してメッキ形成できる。

本発明では、前記（ａ）工程にて、前記メッキ下地層を、（ｂ）工程の露光の際の光を透過出来る膜厚で形成することが好ましい。このとき前記（ａ）工程にて、前記メッキ下地層を導電性高分子で形成することが好ましい。前記（ｂ）工程にて、前記メッキ下地層を介して前記絶縁樹脂層を露光現像する必要性があることから、前記メッキ下地層を、露光の際の光を透過出来る膜厚で形成することが重要である。

また本発明では、前記（ｃ）工程時、前記導電層を電解メッキ法あるいは無電解メッキ法にてメッキ形成することが好ましい。

または本発明における基板の製造方法は、以下の工程を有することを特徴とするものである。
（ｄ） 基材上に、感光剤が添加された絶縁樹脂を塗布し、さらに前記絶縁樹脂層上の所定部位上に、導電層を印刷形成する工程と、
（ｅ） 前記導電層に覆われていない前記絶縁樹脂層を露光現像し、露光現像された前記絶縁樹脂層を除去する工程。

上記の（ｅ）工程では、印刷形成された導電層をマスクにして、前記導電層に覆われていない前記絶縁樹脂層を露光現像にて除去することで、容易に且つ確実に、基材上に間隔を空けて絶縁樹脂層を形成できるとともに、各絶縁樹脂層上に導電層を形成出来る。上記の工程では、メッキ下地層の形成が不必要であるから製造工程を簡略化できる。

本発明では、前記（ａ）工程、あるいは（ｄ）工程時、前記絶縁樹脂層には、イミド基、エステル基、あるいはカーボネート結合を主鎖中に含む樹脂を用いることが好ましい。

また本発明における回路基板の製造方法は、上記のいずれかによって形成された基板の前記導電層を配線部材として用いることを特徴とするものである。

本発明では、基材上に、導電層の高さ位置を上方へ持上げる持上げ層としての絶縁樹脂層を形成する。このため、ピッチ幅を狭小化しても各導電層間の沿面距離を従来に比べて長くでき、耐マイグレーション性に優れる基板を形成できる。しかも各絶縁樹脂層の突出寸法を自由に変えやすく、これによって例えば、各々の絶縁樹脂層の突出寸法を変えたり、あるいは、異なる場所ごとに絶縁樹脂層の突出寸法を異ならせることが簡単且つ確実に行なえる。

図１ないし図３は、本発明の実施形態を示す回路基板の部分断面図である。
図１に示す符号１０は基材である。前記基材は、ガラスエポキシや樹脂フィルムである。前記樹脂フィルムとしてはポリイミドフィルム等を選択できる。

前記基材１０上には、絶縁樹脂層１１が所定のパターンにて形成されている。図１に示すように、前記絶縁樹脂層１１と隣り合う絶縁樹脂層１１間に間隔（ピッチ幅）Ｐ２が空けられている。なお図１では全ての絶縁樹脂層１１間が等ピッチで図示されているが、前記絶縁樹脂層１１間のピッチ幅は各々、必要な値に設定される。

前記絶縁樹脂層１１は、例えば、感光性ポリイミドである。感光性ポリイミドとは、ポリイミドに感光剤が添加されたものである。感光剤には、例えば、ジアゾナフトキノン化合物が選択される。

前記絶縁樹脂層１１は永久膜として用いられる。例えば、フォトレジストなどはメッキ層等をメッキ形成した後、除去されるが、前記絶縁樹脂層１１は製品として残存することから、感光性のほかに、耐熱性、耐久性、機械的強度等が求められる。前記感光性ポリイミドは、感光性のほかに耐熱性、耐久性、機械的強度等の性能が良好である。

前記絶縁樹脂層１１は、感光性ポリイミド以外でも、例えば、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）等の感光性ポリイミド誘導体等、イミド基を主鎖中に有するもの、あるいは、エステル基やカーボネート結合を主鎖中に含む感光性樹脂であってもよい。エステル基を主鎖中に含有する樹脂としては、ポリアリール、カーボネート結合を主鎖中に含有する樹脂としては、ポリカーボネート等を選択できる。

図１に示すように前記絶縁樹脂層１１は、前記基材１０の平坦な表面１０ａから高さ寸法（突出寸法）Ｈ１で形成される。前記高さ寸法Ｈ１は３μｍ〜２０μｍの範囲内である。後述するように基材１０上に形成される前記絶縁樹脂層１１のパターンは前記絶縁樹脂層１１に前記感光性ポリイミド等を用い、前記絶縁樹脂層１１を露光現像したことによって形成されたものである。

図１に示すように各絶縁樹脂層１１の上面１１ａにはメッキ下地層１２が形成されている。前記メッキ下地層１２の膜厚Ｈ２は０．５μｍ〜５μｍの範囲内である。前記メッキ下地層１２は、光の透過が可能な膜厚で形成されていることが必要である。例えば前記メッキ下地層１２を、１μｍ程度の膜厚のポリピロール（導電性高分子）で形成することが好ましい。上記のように前記メッキ下地層１２の膜厚Ｈ２を薄く形成すれば、光の透過率は向上するが、光の透過率は前記メッキ下地層１２の材質にも左右されることから、材質も適切に選択することが好ましい。光の透過が可能な材質として、上記したポリピロール等の導電性高分子や、透明導電膜等を挙げることが出来る。

図１に示すように各メッキ下地層１２の上面１２ａには、配線部材としての導電層１３がメッキ形成されている。前記導電層１３は銀や銅等の導電性材料で形成されている。

図１に示す実施形態では、前記基材１０上に、間隔（ピッチ幅）Ｐ２を空けて絶縁樹脂層１１が形成され、各絶縁樹脂層１１上にメッキ下地層１２を介して導電層１３が形成されているから、配線の微細パターン化によって前記導電層１３間のピッチ幅Ｐ２を狭く形成しても、前記導電層１３間の沿面距離Ｌ２を長く形成することが出来る。ここで「ピッチ幅」とは、前記導電層１３を真上から見たときの前記導電層１３間の間隔、すなわち図１に示すように、前記導電層１３間の基材表面１０ａの直線距離（最小距離）で示される。一方、「導電層間の沿面距離」とは、向かい合う、一方の導電層１３の下面の対向縁部１３ａから前記メッキ下地層１２の側面、絶縁樹脂層１１の側面、基材表面１０ａに沿って、もう一方の導電層１３の下面の対向縁部１３ｂまでの距離（最小距離）で示される。なお図１では、ピッチ幅Ｐ２と導電層１３間の沿面距離Ｌ２を異なる位置で評価しているが、前記定義を図面上で明確に示したいためにそのように表しただけで、ピッチ幅Ｐ２と導電層１３間の沿面距離Ｌ２の評価は同じ導電層１３間で行なわれる。

図１に示すように、前記導電層１３間の沿面距離Ｌ２は、図１５の従来例よりも、前記絶縁樹脂層１１の高さＨ２×２だけ、長くなる（本発明も従来例も前記メッキ下地層１２の膜厚Ｈ２が同じであると仮定。なお前記メッキ下地層１２は非常に薄い膜厚であるため無視するか、あるいは前記メッキ下地層１２の下面の対向縁部間の沿面距離で評価してもよい）。

よって本発明では、従来に比べて狭ピッチ化にしても、導電層１３間の沿面距離Ｌ２を長く形成でき、耐マイグレーション性に優れた回路基板を提供できる。

また図１に示す実施形態では、前記基材１０上に形成された絶縁樹脂層１１が全て同じ高さ寸法（突出寸法）Ｈ１で形成されているが、例えば図３のように、前記絶縁樹脂層１１の高さ寸法（突出寸法）を場所によって変えることも簡単に出来る。

図３では、図示左側の３つの絶縁樹脂層１１の下方部１１ｂ間が、前記絶縁樹脂層１１と同じ材質の連結部１５によって繋がっている。図３に示す絶縁樹脂層１１の形状は、製造工程中における露光量を変えることで簡単に且つ確実に形成できる。前記連結部１５で繋がっている位置での前記絶縁樹脂層１１の突出寸法（前記連結部１５の上面からの高さ寸法）Ｈ３は、前記連結部１５で繋がっていない位置での前記絶縁樹脂層１１の突出寸法（基材１０の表面１０ａからの高さ寸法）Ｈ１に比べて小さくなる。

このため図３では、連結部１５で繋がった絶縁樹脂層１１上の導電層１３間の沿面距離はＬ３になり、前記連結部１５が形成されていない位置での導電層１３間の沿面距離Ｌ２よりも短くなるが、少なくとも前記導電層１３間の沿面距離Ｌ３は、従来（図１５）に比べて長くできるし、また、導電層１３間のピッチ幅が広がる箇所に限定して、図３のように絶縁樹脂層１１の突出寸法Ｈ３を小さくし、各絶縁樹脂層１１間を連結部１５で繋ぐことで、前記絶縁樹脂層１１の基材１０に対する密着性、機械的強度等を向上させることも出来る。

このように本発明では、適宜、前記絶縁樹脂層１１の突出寸法を簡単且つ確実に変更できる。図３のように、一つの基材１０上の異なる場所どうしで、絶縁樹脂層１１の突出寸法を異なるように調整することも出来るし、各絶縁樹脂層１１の突出寸法をそれぞれ変えることもできるし、全ての絶縁樹脂層１１の突出寸法は同じであるが、露光量を小さくして全ての絶縁樹脂層１１間を連結部１５でつなぎ、前記導電層１３間の沿面距離Ｌ３をマイグレーションを抑制できる程度に前記絶縁樹脂層１１の突出寸法を調整するとともに、前記絶縁樹脂層１１の基材１０に対する密着性、機械的強度等を向上させることも出来る。

図２に示す実施形態では、前記基材１０上に、絶縁樹脂層１１が間隔（ピッチ幅）を空けて形成され、前記絶縁樹脂層１１上に導電層１６が形成されている。図２に示す実施形態では図１や図３のようにメッキ下地層１２が形成されていない。図２では、前記導電層１６はスクリーン印刷等にて印刷形成されたものである。前記絶縁樹脂層１１は、図１と同様に露光現像によって形成されたものである。図１と図２とでは製造方法が後述するように異なっている。なお図２に示す導電層１６は、図１や図３の導電層１３と異なり、導電性フィラー（銀フィラー等）とバインダー樹脂（フェノール樹脂等の熱硬化性樹脂）が混在した塗膜である。

図２に示す実施形態でも、前記導電層１６は前記絶縁樹脂層１１によって基材１０の表面１０ａから上方に持ち上げられるため、前記導電層１６間の沿面距離Ｌ４は、ピッチ幅Ｐ３よりも長くなり、前記沿面距離Ｌ４を図１５の従来例における導電層間の沿面距離Ｌ１よりも長く形成できる。

図１ないし図３では、全て前記基材１０と前記絶縁樹脂層１１とを異なる材質で形成しているが、同じ材質であってもよい。かかる場合、前記基材１０と絶縁樹脂層１１を一体形成できる。しかし、前記基材１０と前記絶縁樹脂層１１を異なる材質で別個に形成するほうが好ましい。基材１０を絶縁樹脂層１１と異なる材質（露光されない材質）で形成することで、前記絶縁樹脂層１１を露光現像するとき、一緒に前記基材１０も露光現像されることがなく、前記基材１０の機械的強度等を適切に保つことが出来る。

図４ないし図６は図１に示す回路基板の製造方法を示す一工程図である。各図は、製造工程中における回路基板の部分断面図である。

図４に示す工程では、樹脂フィルムあるいはガラスエポキシ等によって形成された基材１０上の全面に、絶縁樹脂層１１を形成する。前記絶縁樹脂層１１は、イミド基、エステル基、あるいはカーボネート結合を主鎖中に含む樹脂に、感光剤が添加されたものである。前記樹脂には、例えば、ポリイミド樹脂や、ポリエーテルイミド樹脂、ポリアリール、ポリカーボネート等を選択できる。前記感光剤には、例えばジアゾナフトキノン化合物を選択できる。

前記絶縁樹脂層１１をスピンコート法等によって塗布した後、所定の温度で加熱処理（プリベーク処理）を行なう。次に、前記絶縁樹脂層１１上にメッキ下地層１２を形成する。前記メッキ下地層１２を、ポリピロール等の導電性高分子で形成することが好ましい。前記メッキ下地層１２を、気相重合によって形成する。あるいは前記メッキ下地層１２を、透明導電膜等で形成してもよい。かかる場合、前記メッキ下地層１２をスパッタ法や蒸着法を用いて形成する。前記絶縁樹脂層１１の膜厚Ｈ１を３μｍ〜２０μｍの範囲内で、前記メッキ下地層１２の膜厚Ｈ２を０．５μｍ〜５μｍの範囲内で形成する。

次に図５に示す工程では、前記基材１０の上方にマスク２０を対向させる。前記マスク２０には、配線パターンとは逆パターンとなる抜きパターン２０ａが形成されている。そして前記抜きパターン２０ａを通して光を照射し、前記抜きパターン２０ａと高さ方向にて対向する位置にある前記絶縁樹脂層（クロス線で示す）１１ｃを露光する。

前記絶縁樹脂層１１上には前記メッキ下地層１２が存在する。このため前記メッキ下地層１２を介して、前記絶縁樹脂層１１ｃを露光しないといけない。よって、前記メッキ下地層１２は、光を透過出来るように薄い膜厚で形成されていないといけない。上記したように前記メッキ下地層１２をポリピロールでしかも膜厚Ｈ２を０．５μｍ〜５μｍ（好ましくは３μｍ以下）の範囲内で形成することで、光は前記メッキ下地層１２を透過して前記絶縁樹脂層１１にまで辿り着き、前記マスク２０に覆われていない前記絶縁樹脂層１１ｃが適切に露光される。上記のように前記メッキ下地層１２の膜厚Ｈ２を薄く形成すれば、光の透過率は向上するが、光の透過率は前記メッキ下地層１２の材質にも左右されることから、材質も適切に選択することが好ましい。光の透過が可能な材質として、上記したポリピロール等の導電性高分子や、透明導電膜等を挙げることが出来る。

次に、露光された前記絶縁樹脂層１１ｃを、例えばアミンを含む反応性現像液により溶解させる。現像液に例えばエタノールアミンを含有する。このとき、メッキ下地層１２は非常に薄い膜厚であるため、露光された前記絶縁樹脂層１１ｃを除去したとき、露光された前記絶縁樹脂層１１ｃ上にある前記メッキ下地層１２も一緒に除去される（図６）。

図６のように前記基材１０上には、間隔（ピッチ幅）Ｐ２を空けて絶縁樹脂層１１とメッキ下地層１２が残される。図６の状態から前記メッキ下地層１２上に図１に示す導電層１３を電解メッキ法によってメッキ形成する。

例えば前記導電層１３を無電解メッキ法で形成したい場合は、図４工程で、触媒となる材質（Ｐｄ等）を含む前記メッキ下地層１２を形成する。このとき前記メッキ下地層１２をスパッタ法や蒸着法等で形成するが、上記したように、前記メッキ下地層１２を少なくとも図５の露光の際の光を透過できる膜厚で形成することが必要である。

また、図３で説明したように、基材１０上の異なる場所ごとに、絶縁樹脂層１１の突出寸法を変えたい場合は、マスク２０の抜きパターン２０ａからの露光量を場所ごとに変えればよい。露光量が小さいほど、絶縁樹脂層１１間に絶縁樹脂が残って連結部１５となり（図３）、前記絶縁樹脂層１１の突出寸法を小さく出来る。

図７ないし図９は、図２に示す回路基板の製造方法を示す一工程図である。なお各図は、製造工程中における回路基板の部分断面図である。

図７に示す工程では、基材１０上の全面に絶縁樹脂層１１を形成する。前記絶縁樹脂層１１の材質は図４で説明したものと同じである。

図８に示す工程では、前記絶縁樹脂層１１上にスクリーン印刷法にて、配線パターンと同パターンの前記導電層１６を印刷形成し、その後、焼成する。焼成前、前記導電層１６には、導電フィラー（銀フィラー等）、バインダー樹脂（フェノール樹脂等の熱硬化性樹脂）、及び溶剤等が含まれているが、焼成することで前記溶剤は蒸発し、焼成後、前記導電層１６には、主として導電フィラーとバインダー樹脂とが残される。

図９に示す工程では、前記導電層１６をマスクにして、前記導電層１６に覆われていない前記絶縁樹脂層１１を露光現像して除去する。現像液等は図５，図６で説明したものと同様である。

図７ないし図９に示す工程を経ることで図２に示す回路基板を形成することが出来る。
図１０ないし図１２は、図４ないし図６及び、図７ないし図９とは異なる手法にて回路基板を製造するための一工程図であり、図１０ないし図１２の各図は製造工程中における回路基板の部分断面図である。

図１０では、図４や図７で説明した絶縁樹脂層１１と同じ材質のシート状等で形成された基材３０上に、メッキ下地層１２を形成する。メッキ下地層１２の材質は図４で説明したものと同じ材質を使用する。

次に、図５の工程と同様に、マスク２０に形成された抜きパターン２０ａから光を前記基材３０に向けて照射し、前記メッキ下地層１２を介して前記基材３０の表面層３０ａ（図１１に示すクロス線）を部分的に露光し、現像液にて露光された表面層３０ａを除去する。このとき、表面層３０ａ上に存在する前記メッキ下地層１２も除去される（図１２）。
そして図１２の工程後、前記メッキ下地層１２上に導電層１３をメッキ形成する。

図１０ないし図１２の回路基板の製造方法では、図１１の工程時、露光量を調整して露光される表面層３０ａの深さ寸法を適切に制御することが重要である。

上記した回路基板の製造方法では、容易に且つ確実に、基材１０上に間隔（ピッチ幅）を空けて絶縁樹脂層１１を形成できるとともに、各絶縁樹脂層１１上に導電層１３を形成出来る。

そして前記導電層１３を前記基材１０上から突出する絶縁樹脂層１１上に形成するので、ピッチ幅を狭小化しても前記導電層１３間の沿面距離（図１に示す沿面距離Ｌ２を参照）を従来よりも長く形成でき、耐マイグレーション性に優れた回路基板を製造できる。

本発明では、特に、図５工程等で、基材１０上に、感光剤が添加された絶縁樹脂を塗布し、露光された前記絶縁樹脂層１１とともに露光された前記絶縁樹脂層１１上のメッキ下地層１２を一緒に除去するため、前記絶縁樹脂層１１及びメッキ下地層１２のパターン形成を同一工程にて行なうことができ、従来に比べて前記基板の製造が非常に容易化する。

しかも前記メッキ下地層１２は、図６等に示すように、残された絶縁樹脂層１１上のみ残されるから、導電層１３が前記絶縁樹脂層１１間等、不要な位置にメッキされることなく、前記導電層１３どうしを確実に離してメッキ形成できる。

また、図３で説明したように、絶縁樹脂層１１の突出寸法を変えたい場合は、マスク２０の抜きパターン２０ａからの露光量を変えるだけでよいので、簡単に、前記絶縁樹脂層１１の突出寸法を制御することが出来る。

本発明では、図１ないし図３に示す基板をフレキシブルプリント基板等の回路基板として説明したが、特に基材上に導電層を有し、前記導電層の超微細加工が必要な基板であれば回路基板以外の基板にも本発明を適用できる。

ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）を、Ｎ−メチルピロリドン（以下、ＮＭＰという）に溶解し（溶液濃度で、ＮＭＰを５０ｗｔ％（ＰＥＩ：ＮＭＰ＝１：１）溶解）、感光剤であるジアゾナフトキノン（ＤＮＱ）化合物を、ポリマーに対して３０ｗｔ％混合し、ポリイミドフィルム（基材）上に塗布し、その後、プリベークを行ない、前記ポリイミドフイルム上に絶縁樹脂層を形成した。

次に前記フィルムを酸化鉄溶液に浸漬させた後、ピロールを充填したデシケータ内に１時間放置し、前記絶縁樹脂層上に、ポリピロールを気相重合により形成した。さらに図５で説明したのと同様にマスクを用いて、所定箇所の前記絶縁樹脂層を、高圧水銀灯を用いて露光した（露光量は、２０００ｍＪ／ｃｍ^２）。その後、エタノールアミン／ＮＭＰ／水を４：１：１（重量比）とした混合液を用いて、超音波処理下で４０℃〜４５℃で反応現像させ、図６に示す形態の基板を得た。その後、導電層（銀）をメッキ形成し、図１に示す形態の回路基板を得た（実施例）。

比較例として図１５と同形状の回路基板を形成した。このとき前記比較例の回路基板の基材、導電層を実施例と同じ材質で形成した。実施例の回路基板と比較例の回路基板を共にひっくり返して、導電層を下方向に向かせた状態で、マイグレーション試験を行なった。マイグレーション試験は、温度：４０℃、湿度：９０〜９５％の環境下で、３０ｖの電圧を導電層間にかけて、導電層間がショートするまで行なった。

その結果、実施例の回路基板は、比較例の回路基板に比べてマイグレーション時間が５〜１０倍に延びることがわかった。

本発明の第１実施形態を示す回路基板の部分断面図、 本発明の第２実施形態を示す回路基板の部分断面図、 本発明の第３実施形態を示す回路基板の部分断面図、 図１に示す回路基板の製造方法を示す一工程図（部分断面図）、 図４の次に行なわれる一工程図（部分断面図）、 図５の次に行なわれる一工程図（部分断面図）、 図２に示す回路基板の製造方法を示す一工程図（部分断面図）、 図７の次に行なわれる一工程図（部分断面図）、 図８の次に行なわれる一工程図（部分断面図）、 回路基板の別の形態の製造方法を示す一工程図（部分断面図）、 図１０の次に行なわれる一工程図（部分断面図）、 図１１の次に行なわれる一工程図（部分断面図）、 従来における回路基板の製造方法を示す一工程図（部分断面図）、 図１３の次に行なわれる一工程図（部分断面図）、 図１４の次に行なわれる一工程図（部分断面図）、

符号の説明

１０、３０ 基材
１１ 絶縁樹脂層
１２ メッキ下地層
１３、１６ 導電層
１５ 連結部
２０ マスク

Claims (14)

1. 基材と、前記基材上に互いに間隔を空けて設けられた絶縁樹脂層と、各絶縁樹脂層上に設けられた導電層と、を有して成ることを特徴とする基板。
2. 前記導電層はメッキで形成されており、前記導電層と前記絶縁樹脂層との間にメッキ下地層が形成されている請求項１記載の基板。
3. 前記メッキ下地層は、導電性高分子である請求項２記載の基板。
4. 前記メッキ下地層は光の透過が可能な膜厚で形成されている請求項２または３に記載の基板。
5. 前記絶縁樹脂層はイミド基、エステル基、あるいはカーボネート結合を主鎖中に含む樹脂と、感光剤とを有して構成され、前記基材上に形成された絶縁樹脂層のパターンは露光現像によって形成されたものである請求項１ないし４のいずれかに記載の基板。
6. 前記絶縁樹脂層は、感光性ポリイミドあるいはその誘導体である請求項５記載の基板。
7. 請求項１ないし６のいずれかに記載された基板の前記導電層が配線部材として用いられることを特徴とする回路基板。
8. 以下の工程を有することを特徴とする基板の製造方法。
   （ａ） 基材上に、感光剤が添加された絶縁樹脂を塗布し、さらに前記絶縁樹脂層上にメッキ下地層を形成する工程と、
   （ｂ） 前記絶縁樹脂層の所定部位を、前記メッキ下地層を介して、露光し、露光された前記絶縁樹脂層とともに露光された前記絶縁樹脂層上のメッキ下地層を除去する工程と、
   （ｃ） 前記基材上に間隔を空けて残された前記メッキ下地層上に導電層をメッキ形成する工程。
9. 前記（ａ）工程にて、前記メッキ下地層を、（ｂ）工程の露光の際の光を透過出来る膜厚で形成する請求項８記載の基板の製造方法。
10. 前記（ａ）工程にて、前記メッキ下地層を導電性高分子で形成する請求項８または９に記載の基板の製造方法。
11. 前記（ｃ）工程時、前記導電層を電解メッキ法あるいは無電解メッキ法にてメッキ形成する請求項８ないし１０のいずれかに記載の基板の製造方法。
12. 以下の工程を有することを特徴とする基板の製造方法。
    （ｄ） 基材上に、感光剤が添加された絶縁樹脂を塗布し、さらに前記絶縁樹脂層上の所定部位上に、導電層を印刷形成する工程と、
    （ｅ） 前記導電層に覆われていない前記絶縁樹脂層を露光し、露光された前記絶縁樹脂層を除去する工程。
13. 前記（ａ）工程、あるいは（ｄ）工程時、前記絶縁樹脂層には、イミド基、エステル基、あるいはカーボネート結合を主鎖中に含む樹脂を用いる請求項８ないし１２のいずれかに記載の基板の製造方法。
14. 請求項８ないし１３のいずれかによって形成された基板の前記導電層を配線部材として用いることを特徴とする回路基板の製造方法。

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