JP2006186330A5 - - Google Patents

Claims (12)

1. 基板上に第１の絶縁膜を形成し、前記第１の絶縁膜にレーザ光を照射して、前記第１の絶縁膜中に複数の空孔を形成して、多孔質の絶縁膜を形成することを特徴とする絶縁膜の作製方法。
2. 請求項１において、前記複数の空孔の径は、１ｎｍ以上２０００ｎｍ以下であることを特徴とする絶縁膜の作製方法。
3. 請求項１又は請求項２において、前記第１の絶縁膜は、前記レーザ光を透過する材料で形成することを特徴とする絶縁膜の作製方法。
4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一において、前記レーザ光は、パルス幅が１０ ^−１５ 秒台で発振する超短光パルスレーザから出力されることを特徴とする絶縁膜の作製方法。
5. 基板上に第１の導電膜を形成し、前記第１の導電膜を覆う第１の絶縁膜を形成し、前記第１の絶縁膜に第１のレーザ光を照射して、前記第１の絶縁膜中に複数の空孔を形成して多孔質の絶縁膜を形成した後、前記多孔質の絶縁膜の一部をエッチングして前記第１の導電膜を露出すると共にコンタクトホールを形成し、前記コンタクトホールに液滴吐出法により導電性粒子を有する液状物質を吐出し、前記導電性粒子を有する液状物質の一部に第２のレーザ光を照射して前記導電性粒子で形成される第２の導電膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
6. 基板上に第１の導電膜を形成し、前記第１の導電膜を覆う第１の絶縁膜を形成し、前記第１の絶縁膜の一部をエッチングして前記第１の導電膜を露出すると共にコンタクトホールを形成した後、前記第１の絶縁膜に第１のレーザ光を照射して、前記第１の絶縁膜中に複数の空孔を形成して多孔質の絶縁膜を形成した後、前記コンタクトホールに液滴吐出法により導電性粒子を有する液状物質を吐出し、前記導電性粒子を有する液状物質の一部に第２のレーザ光を照射して前記導電性粒子で形成される第２の導電膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
7. 請求項６において、前記多孔質の絶縁膜を形成した後、前記コンタクトホールの側壁に第３の導電膜を形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
8. 請求項７において、前記第３の導電膜は、前記コンタクトホールの側壁に露出した空孔の一部を覆うバリア膜であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
9. 請求項５乃至請求項８のいずれか一において、前記複数の空孔の径は、１ｎｍ以上２０００ｎｍ以下であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
10. 請求項５乃至請求項９のいずれか一において、前記第１の絶縁膜は、前記レーザ光を透過する材料で形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
11. 請求項５乃至請求項１０のいずれか一において、前記第２の導電膜は、前記導電性粒子が不規則に重なり合うことによって導電性を呈することを特徴とする半導体装置の作製方法。
12. 請求項５乃至請求項１１のいずれか一において、前記レーザ光は、パルス幅が１０ ^−１５ 秒台で発振する超短光パルスレーザから出力されることを特徴とする半導体装置の作製方法。