JP2006186259A - 圧電素子、圧電アクチュエーター、圧電ポンプ、インクジェット式記録ヘッド、インクジェットプリンター、表面弾性波素子、薄膜圧電共振子、周波数フィルタ、発振器、電子回路、および電子機器 - Google Patents
圧電素子、圧電アクチュエーター、圧電ポンプ、インクジェット式記録ヘッド、インクジェットプリンター、表面弾性波素子、薄膜圧電共振子、周波数フィルタ、発振器、電子回路、および電子機器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006186259A JP2006186259A JP2004380989A JP2004380989A JP2006186259A JP 2006186259 A JP2006186259 A JP 2006186259A JP 2004380989 A JP2004380989 A JP 2004380989A JP 2004380989 A JP2004380989 A JP 2004380989A JP 2006186259 A JP2006186259 A JP 2006186259A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- piezoelectric
- layer
- piezoelectric element
- conductive
- conductive layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 38
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 title claims description 32
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 75
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 40
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 35
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 7
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 31
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 13
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 13
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 13
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 11
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N copper;5,10,15,20-tetraphenylporphyrin-22,24-diide Chemical compound [Cu+2].C1=CC(C(=C2C=CC([N-]2)=C(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(N=2)=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=C3[N-]2)C=2C=CC=CC=2)=NC1=C3C1=CC=CC=C1 RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 claims description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 11
- 239000002253 acid Substances 0.000 abstract 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 342
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 25
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 15
- 241000877463 Lanio Species 0.000 description 9
- 239000010408 film Substances 0.000 description 9
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 8
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 8
- 206010021143 Hypoxia Diseases 0.000 description 7
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 7
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 5
- 229910052451 lead zirconate titanate Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 4
- HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N lead zirconate titanate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Zr+4].[Pb+2] HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 2
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- 229910018575 Al—Ti Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910016062 BaRuO Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018921 CoO 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910013641 LiNbO 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002835 Pt–Ir Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004121 SrRuO Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003114 SrVO Inorganic materials 0.000 description 1
- BSLXDFGQRZUAAR-UHFFFAOYSA-N [Sc].[Pb] Chemical compound [Sc].[Pb] BSLXDFGQRZUAAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 1
- NKZSPGSOXYXWQA-UHFFFAOYSA-N dioxido(oxo)titanium;lead(2+) Chemical compound [Pb+2].[O-][Ti]([O-])=O NKZSPGSOXYXWQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 239000002612 dispersion medium Substances 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 1
- HEPLMSKRHVKCAQ-UHFFFAOYSA-N lead nickel Chemical compound [Ni].[Pb] HEPLMSKRHVKCAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JQJCSZOEVBFDKO-UHFFFAOYSA-N lead zinc Chemical compound [Zn].[Pb] JQJCSZOEVBFDKO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011344 liquid material Substances 0.000 description 1
- 239000008204 material by function Substances 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 1
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 238000007500 overflow downdraw method Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZBSCCQXBYNSKPV-UHFFFAOYSA-N oxolead;oxomagnesium;2,4,5-trioxa-1$l^{5},3$l^{5}-diniobabicyclo[1.1.1]pentane 1,3-dioxide Chemical compound [Mg]=O.[Pb]=O.[Pb]=O.[Pb]=O.O1[Nb]2(=O)O[Nb]1(=O)O2 ZBSCCQXBYNSKPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 241000894007 species Species 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 229910001233 yttria-stabilized zirconia Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/80—Constructional details
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/14—Structure thereof only for on-demand ink jet heads
- B41J2/14201—Structure of print heads with piezoelectric elements
- B41J2/14233—Structure of print heads with piezoelectric elements of film type, deformed by bending and disposed on a diaphragm
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/16—Production of nozzles
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F04—POSITIVE - DISPLACEMENT MACHINES FOR LIQUIDS; PUMPS FOR LIQUIDS OR ELASTIC FLUIDS
- F04B—POSITIVE-DISPLACEMENT MACHINES FOR LIQUIDS; PUMPS
- F04B43/00—Machines, pumps, or pumping installations having flexible working members
- F04B43/02—Machines, pumps, or pumping installations having flexible working members having plate-like flexible members, e.g. diaphragms
- F04B43/04—Pumps having electric drive
- F04B43/043—Micropumps
- F04B43/046—Micropumps with piezoelectric drive
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/80—Constructional details
- H10N30/87—Electrodes or interconnections, e.g. leads or terminals
- H10N30/877—Conductive materials
- H10N30/878—Conductive materials the principal material being non-metallic, e.g. oxide or carbon based
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/20—Piezoelectric or electrostrictive devices with electrical input and mechanical output, e.g. functioning as actuators or vibrators
- H10N30/204—Piezoelectric or electrostrictive devices with electrical input and mechanical output, e.g. functioning as actuators or vibrators using bending displacement, e.g. unimorph, bimorph or multimorph cantilever or membrane benders
- H10N30/2047—Membrane type
Abstract
【解決手段】 本発明に係る圧電素子10は,
基板1と、
基板1の上方に形成された第1導電層4と、
第1導電層4の上方に形成された、ペロブスカイト構造を有する圧電体からなる圧電体層5と、
圧電体層5に電気的に接続された第2導電層6と、を含み、
第1導電層4は、(001)に優先配向しているニッケル酸ランタンからなる導電性酸化層42を含み、
ニッケル酸ランタンは,酸素が欠損している。
【選択図】 図1
Description
基板と、
前記基板の上方に形成された第1導電層と、
前記第1導電層の上方に形成された、ペロブスカイト構造を有する圧電体からなる圧電体層と、
前記圧電体層に電気的に接続された第2導電層と、を含み、
前記第1導電層は、(001)に優先配向しているニッケル酸ランタンからなる導電性酸化層を含み、
前記ニッケル酸ランタンは、酸素が欠損している。
前記第1導電層は、(001)に優先配向しているランタン系層状ペロブスカイト化合物からなるバッファ層を1層以上含み、
前記ランタン系層状ペロブスカイト化合物は、La2NiO4、La3Ni2O7、La4Ni3O10、およびLa2CuO4、並びに、これらのうちの少なくとも2種からなる固溶体のうちの少なくとも1種を含むことができる。
前記第1導電層は、前記ニッケル酸ランタンに比べ比抵抗が低い導電材からなる低抵抗層を1層以上含むことができる。
前記導電材は、金属、該金属の酸化物、および該金属からなる合金のうちの少なくとも1種を含み、
前記金属は、Pt、Ir、Ru、Ag、Au、Cu、Al、およびNiのうちの少なくとも1種であることができる。
前記第1導電層は、
前記低抵抗層と、
前記低抵抗層の上方に形成された前記バッファ層と、
前記バッファ層の上方に形成された前記導電性酸化層と、を含むことができる。
前記導電性酸化層と前記圧電体層とは、接していることができる。
前記圧電体は、ABO3の一般式で示され、
Aは、Pbを含み、
Bは、ZrおよびTiのうちの少なくとも一方を含むことができる。
前記Bは、さらに、Nbを含むことができる。
前記圧電体は、菱面体晶、または、正方晶と菱面体晶との混晶であり、かつ(001)に優先配向していることができる。
1−1. まず、第1の実施形態に係る圧電素子10について説明する。
0<x≦1
の範囲とするのが好ましい。なお、ジルコニウム酸チタン酸鉛(Pb(Zr,Ti)O3)の格子定数は、約0.4nmである。
0.4≦x≦0.6
0.6≧y≧0.4
0<z≦0.3
であることが好ましい。x、y、zが上述の範囲内であれば、x、y、zは、圧電体層5の結晶構造の相境界(MPB:Morphotropic Phase Boundary)における値、または、MPB付近における値となる。相境界とは、菱面体晶と正方晶とが相転移する境界である。圧電定数(d31)は、相境界付近で極大値をとる。従って、x、y、zが上述の範囲内であれば、容易に圧電体層5を菱面体晶、または、正方晶と菱面体晶との混晶にコントロールすることができ、高い圧電特性を発現できる。
2−1. 次に、第1の実施形態に係る圧電素子10を有するインクジェット式記録ヘッドの一実施形態について説明する。図6は、本実施形態に係るインクジェット式記録ヘッドの概略構成を示す側断面図であり、図7は、このインクジェット式記録ヘッドの分解斜視図である。なお、図7は、通常使用される状態とは上下逆に示したものである。
3−1. 次に、第2の実施形態に係るインクジェット式記録ヘッド50を有するインクジェットプリンターの一実施形態について説明する。図10は、本実施形態に係るインクジェットプリンター600を示す概略構成図である。インクジェットプリンター600は、紙などに印刷可能なプリンターとして機能することができる。なお、以下の説明では、図10中の上側を「上部」、下側を「下部」と言う。
4−1. 次に、第1の実施形態に係る圧電素子10を有する圧電ポンプの一実施形態について図面を参照しながら説明する。図11および図12は、本実施形態に係る圧電ポンプ20の概略断面図である。本実施形態に係る圧電ポンプ20において、圧電素子は、圧電アクチュエーターとして機能することができる。図11および図12に示す圧電部22は、図1に示す圧電素子10における第1導電層4と、圧電体層5と、第2導電層6とからなるものであり、図1に示す圧電素子10におけるストッパ層2および硬質層3は、図11および図12において振動板24となっている。また、基板1(図1参照)は、圧電ポンプ20の要部を構成する基体21となっている。圧電ポンプ20は、基体21と、圧電部22と、ポンプ室23と、振動板24と、吸入側逆止弁26aと、吐出側逆止弁26bと、吸入口28aと、吐出口28bとを含む。
5−1. 次に、本発明を適用した第5の実施形態に係る表面弾性波素子の一例について、図面を参照しながら説明する。本実施形態の一例である表面弾性波素子30は、図13に示すように、基板11と、第1導電層14と、圧電体層15と、保護層17と、第2導電層16と、を含む。基板11、第1導電層14、圧電体層15、および保護層17は、基体18を構成する。
6−1. 次に、本発明を適用した第6の実施形態に係る周波数フィルタの一例について、図面を参照しながら説明する。図14は、本実施形態の一例である周波数フィルタを模式的に示す図である。
7−1. 次に、本発明を適用した第7の実施形態に係る発振器の一例について、図面を参照しながら説明する。図15は、本実施形態の一例である発振器を模式的に示す図である。
次に、本発明を適用した第8の実施形態に係る電子回路および電子機器の一例について、図面を参照しながら説明する。図20は、本実施形態の一例である電子機器300の電気的構成を示すブロック図である。電子機器300とは、例えば携帯電話機である。
次に、本発明を適用した第9の実施形態に係る薄膜圧電共振子の一例について、図面を参照しながら説明する。
Claims (19)
- 基板と、
前記基板の上方に形成された第1導電層と、
前記第1導電層の上方に形成された、ペロブスカイト構造を有する圧電体からなる圧電体層と、
前記圧電体層に電気的に接続された第2導電層と、を含み、
前記第1導電層は、(001)に優先配向しているニッケル酸ランタンからなる導電性酸化層を含み、
前記ニッケル酸ランタンは、酸素が欠損している、圧電素子。 - 請求項1において、
前記第1導電層は、(001)に優先配向しているランタン系層状ペロブスカイト化合物からなるバッファ層を1層以上含み、
前記ランタン系層状ペロブスカイト化合物は、La2NiO4、La3Ni2O7、La4Ni3O10、およびLa2CuO4、並びに、これらのうちの少なくとも2種からなる固溶体のうちの少なくとも1種を含む、圧電素子。 - 請求項1または2において、
前記第1導電層は、前記ニッケル酸ランタンに比べ比抵抗が低い導電材からなる低抵抗層を1層以上含む、圧電素子。 - 請求項3において、
前記導電材は、金属、該金属の酸化物、および該金属からなる合金のうちの少なくとも1種を含み、
前記金属は、Pt、Ir、Ru、Ag、Au、Cu、Al、およびNiのうちの少なくとも1種である、圧電素子。 - 請求項3または4において、
前記第1導電層は、
前記低抵抗層と、
前記低抵抗層の上方に形成された前記バッファ層と、
前記バッファ層の上方に形成された前記導電性酸化層と、を含む、圧電素子。 - 請求項1〜5のいずれかにおいて、
前記導電性酸化層と前記圧電体層とは、接している、圧電素子。 - 請求項1〜6のいずれかにおいて、
前記圧電体は、ABO3の一般式で示され、
Aは、Pbを含み、
Bは、ZrおよびTiのうちの少なくとも一方を含む、圧電素子。 - 請求項7において、
前記Bは、さらに、Nbを含む、圧電素子。 - 請求項1〜8のいずれかにおいて、
前記圧電体は、菱面体晶、または、正方晶と菱面体晶との混晶であり、かつ(001)に優先配向している、圧電素子。 - 請求項1〜9のいずれかに記載の圧電素子を有する、圧電アクチュエーター。
- 請求項1〜9のいずれかに記載の圧電素子を有する、圧電ポンプ。
- 請求項1〜9のいずれかに記載の圧電素子を有する、インクジェット式記録ヘッド。
- 請求項12に記載のインクジェット式記録ヘッドを有する、インクジェットプリンター。
- 請求項1〜9のいずれかに記載の圧電素子を有する、表面弾性波素子。
- 請求項1〜9のいずれかに記載の圧電素子を有する、薄膜圧電共振子。
- 請求項14に記載の表面弾性波素子および請求項15に記載の薄膜圧電共振子のうちの少なくとも一方を有する、周波数フィルタ。
- 請求項14に記載の表面弾性波素子および請求項15に記載の薄膜圧電共振子のうちの少なくとも一方を有する、発振器。
- 請求項16に記載の周波数フィルタおよび請求項17に記載の発振器のうちの少なくとも一方を有する、電子回路。
- 請求項11に記載の圧電ポンプおよび請求項18に記載の電子回路のうちの少なくとも一方を有する、電子機器。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004380989A JP4344942B2 (ja) | 2004-12-28 | 2004-12-28 | インクジェット式記録ヘッドおよび圧電アクチュエーター |
US11/304,938 US7291960B2 (en) | 2004-12-28 | 2005-12-15 | Piezoelectric device, piezoelectric actuator, piezoelectric pump, inkjet recording head, inkjet printer, surface acoustic wave device, thin-film piezoelectric resonator, frequency filter, oscillator, electronic circuit, and electronic instrument |
EP20080010218 EP1968125A3 (en) | 2004-12-28 | 2005-12-21 | Piezoelectric device, piezoelectric actuator, piezoelectric pump, inkjet recording head, inkjet printer, surface acoustic wave device, thin-film piezoelectric resonator, frequency filter, oscillator, electronic circuit, and electronic instrument |
EP20050028007 EP1677367A1 (en) | 2004-12-28 | 2005-12-21 | Piezoelectric device, piezoelectric actuator, piezoelectric pump, inkjet recording head, inkjet printer, surface acoustic wave device, thin-film piezoelectric resonator, frequency filter, oscillator, electronic circuit, and electronic instrument |
CNB2005101340745A CN100490203C (zh) | 2004-12-28 | 2005-12-23 | 压电元件和压电激励器和压电泵及喷墨式记录头 |
KR20050130156A KR20060076695A (ko) | 2004-12-28 | 2005-12-27 | 압전 소자, 압전 액츄에이터, 압전 펌프, 잉크젯식 기록헤드, 잉크젯 프린터, 표면 탄성파 소자, 박막 압전공진자, 주파수 필터, 발진기, 전자 회로 및 전자 기기 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004380989A JP4344942B2 (ja) | 2004-12-28 | 2004-12-28 | インクジェット式記録ヘッドおよび圧電アクチュエーター |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006186259A true JP2006186259A (ja) | 2006-07-13 |
JP4344942B2 JP4344942B2 (ja) | 2009-10-14 |
Family
ID=36106677
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004380989A Expired - Fee Related JP4344942B2 (ja) | 2004-12-28 | 2004-12-28 | インクジェット式記録ヘッドおよび圧電アクチュエーター |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7291960B2 (ja) |
EP (2) | EP1968125A3 (ja) |
JP (1) | JP4344942B2 (ja) |
KR (1) | KR20060076695A (ja) |
CN (1) | CN100490203C (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008094707A (ja) * | 2006-09-15 | 2008-04-24 | Fujifilm Corp | ペロブスカイト型酸化物とその製造方法、圧電体、圧電素子、液体吐出装置 |
JP2009255531A (ja) * | 2008-03-28 | 2009-11-05 | Seiko Epson Corp | 液体噴射ヘッド及び液体噴射装置並びにアクチュエータ |
US8322828B2 (en) | 2008-07-25 | 2012-12-04 | Seiko Epson Corporation | Liquid ejection head and liquid jet apparatus |
JP2017521718A (ja) * | 2014-07-18 | 2017-08-03 | ポライト アーエス | 可変の構造エレメントを有する調整可能なマイクロレンズ |
WO2022024529A1 (ja) * | 2020-07-28 | 2022-02-03 | 富士フイルム株式会社 | 圧電膜付き基板及び圧電素子 |
Families Citing this family (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4717344B2 (ja) * | 2003-12-10 | 2011-07-06 | キヤノン株式会社 | 誘電体薄膜素子、圧電アクチュエータおよび液体吐出ヘッド |
JP4431891B2 (ja) * | 2004-12-28 | 2010-03-17 | セイコーエプソン株式会社 | 圧電素子、圧電アクチュエーター、圧電ポンプ、インクジェット式記録ヘッド、インクジェットプリンター、表面弾性波素子、薄膜圧電共振子、周波数フィルタ、発振器、電子回路、および電子機器 |
DE602006014051D1 (de) * | 2005-04-28 | 2010-06-17 | Brother Ind Ltd | Verfahren zur Herstellung eines piezoelektrischen Aktors |
JP4596167B2 (ja) * | 2006-02-24 | 2010-12-08 | セイコーエプソン株式会社 | キャパシタの製造方法 |
JP4553143B2 (ja) * | 2006-02-24 | 2010-09-29 | セイコーエプソン株式会社 | 圧電アクチュエータの製造方法、インクジェット式記録ヘッド |
KR100844432B1 (ko) * | 2006-07-05 | 2008-07-08 | 한국과학기술연구원 | 압전 액츄에이터를 이용한 유체 제어 밸브 |
JP4405997B2 (ja) * | 2006-10-20 | 2010-01-27 | アルプス電気株式会社 | ダイヤフラムポンプ及びダイヤフラムポンプの薄型流路構造 |
JP2008258516A (ja) * | 2007-04-09 | 2008-10-23 | Funai Electric Co Ltd | 圧電素子及び結晶質セラミックスの成膜方法 |
US20080259134A1 (en) * | 2007-04-20 | 2008-10-23 | Hewlett-Packard Development Company Lp | Print head laminate |
KR100898974B1 (ko) * | 2007-06-18 | 2009-05-25 | 삼성전기주식회사 | 박막 커패시터, 적층구조물 및 그 제조방법 |
JP5061990B2 (ja) * | 2008-03-27 | 2012-10-31 | セイコーエプソン株式会社 | 液体噴射ヘッド及び液体噴射装置並びにアクチュエータ |
JP5314963B2 (ja) * | 2008-08-12 | 2013-10-16 | 富士フイルム株式会社 | 積層体、圧電素子、および液体吐出装置 |
JP5280789B2 (ja) * | 2008-09-30 | 2013-09-04 | 富士フイルム株式会社 | 鉛含有ペロブスカイト型酸化物膜およびその作製方法、鉛含有ペロブスカイト型酸化物膜を用いる圧電素子、ならびにこれを用いる液体吐出装置 |
CN102113145B (zh) * | 2009-01-20 | 2013-06-05 | 松下电器产业株式会社 | 压电体薄膜及其制造方法、喷墨头、使用喷墨头形成图像的方法、角速度传感器、使用角速度传感器测定角速度的方法、压电发电元件以及使用了压电发电元件的发电方法 |
JP5305027B2 (ja) * | 2009-07-16 | 2013-10-02 | セイコーエプソン株式会社 | 液体噴射ヘッド及び液体噴射装置並びに圧電素子 |
TWI466437B (zh) * | 2010-03-29 | 2014-12-21 | Kyocera Kinseki Corp | Piezoelectric vibrator |
DE102011078882A1 (de) * | 2011-07-08 | 2013-01-10 | Osram Ag | Erzeugung eines Gasstroms mittels Schwingungen |
JP5556966B2 (ja) | 2011-08-08 | 2014-07-23 | パナソニック株式会社 | 圧電体素子 |
US9689748B2 (en) | 2011-08-08 | 2017-06-27 | Panasonic Corporation | Infrared detection element |
US8866367B2 (en) | 2011-10-17 | 2014-10-21 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Thermally oxidized seed layers for the production of {001} textured electrodes and PZT devices and method of making |
US9761785B2 (en) | 2011-10-17 | 2017-09-12 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Stylo-epitaxial piezoelectric and ferroelectric devices and method of manufacturing |
JP2013118234A (ja) * | 2011-12-02 | 2013-06-13 | Taiyo Yuden Co Ltd | 圧電アクチュエータ及びその製造方法 |
US9136820B2 (en) | 2012-07-31 | 2015-09-15 | Tdk Corporation | Piezoelectric device |
US8994251B2 (en) * | 2012-08-03 | 2015-03-31 | Tdk Corporation | Piezoelectric device having first and second non-metal electroconductive intermediate films |
JP6052100B2 (ja) * | 2012-09-27 | 2016-12-27 | ミツミ電機株式会社 | 圧電アクチュエータ及び光走査装置 |
CN107925396B (zh) * | 2015-09-09 | 2021-06-18 | 株式会社村田制作所 | 弹性波装置 |
JPWO2021090729A1 (ja) * | 2019-11-08 | 2021-05-14 | ||
EP3920416A1 (en) * | 2020-06-02 | 2021-12-08 | Université de Franche-Comté | Layered solid element comprising a ferroelectric layer and method for manufacturing the same |
JP2023070575A (ja) * | 2021-11-09 | 2023-05-19 | 富士フイルム株式会社 | 圧電積層体、圧電素子及び圧電積層体の製造方法 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4421007A1 (de) | 1994-06-18 | 1995-12-21 | Philips Patentverwaltung | Elektronisches Bauteil und Verfahren zu seiner Herstellung |
JP4051654B2 (ja) | 2000-02-08 | 2008-02-27 | セイコーエプソン株式会社 | 圧電体素子、インクジェット式記録ヘッド及びこれらの製造方法並びにインクジェットプリンタ |
US6518609B1 (en) * | 2000-08-31 | 2003-02-11 | University Of Maryland | Niobium or vanadium substituted strontium titanate barrier intermediate a silicon underlayer and a functional metal oxide film |
US6663989B2 (en) | 2001-06-06 | 2003-12-16 | Max-Planck-Institut Fur Mikrostrukturphysik | Non c-axis oriented bismuth-layered perovskite ferroelectric structure epitaxially grown on buffered silicon |
JP2004066600A (ja) * | 2002-08-05 | 2004-03-04 | Seiko Epson Corp | 液体噴射ヘッド及び液体噴射装置 |
JP2004158717A (ja) | 2002-11-07 | 2004-06-03 | Fujitsu Ltd | 薄膜積層体、その薄膜積層体を用いた電子装置及びアクチュエータ、並びにアクチュエータの製造方法 |
GB0320405D0 (en) * | 2003-08-30 | 2003-10-01 | Qinetiq Ltd | Micro electromechanical system switch |
CN1544963A (zh) * | 2003-11-20 | 2004-11-10 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 锆钛酸铅铁电膜非对称平板光波导 |
US7193838B2 (en) * | 2003-12-23 | 2007-03-20 | Motorola, Inc. | Printed circuit dielectric foil and embedded capacitors |
CN100483700C (zh) * | 2005-06-27 | 2009-04-29 | 电子科技大学 | 导电氧化物电极材料制备方法 |
-
2004
- 2004-12-28 JP JP2004380989A patent/JP4344942B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2005
- 2005-12-15 US US11/304,938 patent/US7291960B2/en active Active
- 2005-12-21 EP EP20080010218 patent/EP1968125A3/en not_active Withdrawn
- 2005-12-21 EP EP20050028007 patent/EP1677367A1/en not_active Withdrawn
- 2005-12-23 CN CNB2005101340745A patent/CN100490203C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2005-12-27 KR KR20050130156A patent/KR20060076695A/ko active IP Right Grant
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008094707A (ja) * | 2006-09-15 | 2008-04-24 | Fujifilm Corp | ペロブスカイト型酸化物とその製造方法、圧電体、圧電素子、液体吐出装置 |
JP2009255531A (ja) * | 2008-03-28 | 2009-11-05 | Seiko Epson Corp | 液体噴射ヘッド及び液体噴射装置並びにアクチュエータ |
US8322828B2 (en) | 2008-07-25 | 2012-12-04 | Seiko Epson Corporation | Liquid ejection head and liquid jet apparatus |
JP2017521718A (ja) * | 2014-07-18 | 2017-08-03 | ポライト アーエス | 可変の構造エレメントを有する調整可能なマイクロレンズ |
US10473900B2 (en) | 2014-07-18 | 2019-11-12 | Polight Asa | Tunable microlens with a variable structure element |
WO2022024529A1 (ja) * | 2020-07-28 | 2022-02-03 | 富士フイルム株式会社 | 圧電膜付き基板及び圧電素子 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20060138906A1 (en) | 2006-06-29 |
CN100490203C (zh) | 2009-05-20 |
EP1677367A1 (en) | 2006-07-05 |
CN1805163A (zh) | 2006-07-19 |
EP1968125A3 (en) | 2009-01-21 |
EP1968125A2 (en) | 2008-09-10 |
US7291960B2 (en) | 2007-11-06 |
JP4344942B2 (ja) | 2009-10-14 |
KR20060076695A (ko) | 2006-07-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4431891B2 (ja) | 圧電素子、圧電アクチュエーター、圧電ポンプ、インクジェット式記録ヘッド、インクジェットプリンター、表面弾性波素子、薄膜圧電共振子、周波数フィルタ、発振器、電子回路、および電子機器 | |
JP4344942B2 (ja) | インクジェット式記録ヘッドおよび圧電アクチュエーター | |
JP4192794B2 (ja) | 圧電素子、圧電アクチュエーター、インクジェット式記録ヘッド、インクジェットプリンター、表面弾性波素子、周波数フィルタ、発振器、電子回路、薄膜圧電共振器、及び電子機器 | |
JP4165347B2 (ja) | 圧電素子の製造方法 | |
JP4224710B2 (ja) | 圧電素子、圧電アクチュエーター、圧電ポンプ、インクジェット式記録ヘッド、インクジェットプリンター、表面弾性波素子、周波数フィルタ、発振器、電子回路、薄膜圧電共振器、および電子機器 | |
US7287840B2 (en) | Piezoelectric element, piezoelectric actuator, ink jet recording head, ink jet printer, surface acoustic wave element, frequency filter, oscillator, electronic circuit, thin film piezoelectric resonator and electronic apparatus | |
JP4600650B2 (ja) | 圧電体膜、圧電素子、圧電アクチュエーター、圧電ポンプ、インクジェット式記録ヘッド、インクジェットプリンター、表面弾性波素子、薄膜圧電共振子、周波数フィルタ、発振器、電子回路、および電子機器 | |
US7291959B2 (en) | Piezoelectric element, piezoelectric actuator, ink jet recording head, ink jet printer, surface acoustic wave element, frequency filter, oscillator, electronic circuit, thin film piezoelectric resonator and electronic apparatus | |
JP2005150694A (ja) | 圧電体膜、圧電素子、圧電アクチュエーター、圧電ポンプ、インクジェット式記録ヘッド、インクジェットプリンター、表面弾性波素子、薄膜圧電共振子、周波数フィルタ、発振器、電子回路、および電子機器 | |
JP2006114562A (ja) | 圧電体膜、圧電素子、圧電アクチュエーター、圧電ポンプ、インクジェット式記録ヘッド、インクジェットプリンター、表面弾性波素子、薄膜圧電共振子、周波数フィルタ、発振器、電子回路、および電子機器 | |
JP2006086368A (ja) | 圧電素子、圧電アクチュエーター、圧電ポンプ、インクジェット式記録ヘッド、インクジェットプリンター、表面弾性波素子、周波数フィルタ、発振器、電子回路、薄膜圧電共振子、および電子機器 | |
JP4605349B2 (ja) | 圧電素子、圧電アクチュエーター、圧電ポンプ、インクジェット式記録ヘッド、インクジェットプリンター、表面弾性波素子、周波数フィルタ、発振器、電子回路、薄膜圧電共振器、および電子機器 | |
JP2006069837A (ja) | 圧電体層、圧電素子、圧電アクチュエーター、圧電ポンプ、インクジェット式記録ヘッド、インクジェットプリンター、表面弾性波素子、周波数フィルタ、発振器、電子回路、薄膜圧電共振子、および電子機器 | |
JP2005302933A (ja) | 圧電素子、圧電アクチュエーター、インクジェット式記録ヘッド、インクジェットプリンター、表面弾性波素子、周波数フィルタ、発振器、電子回路、薄膜圧電共振器、及び電子機器 | |
JP4605348B2 (ja) | 圧電素子、圧電アクチュエーター、圧電ポンプ、インクジェット式記録ヘッド、インクジェットプリンター、表面弾性波素子、周波数フィルタ、発振器、電子回路、薄膜圧電共振器、および電子機器 | |
JP4600647B2 (ja) | 圧電体膜、圧電素子、圧電アクチュエーター、圧電ポンプ、インクジェット式記録ヘッド、インクジェットプリンター、表面弾性波素子、周波数フィルタ、発振器、電子回路、薄膜圧電共振器、および電子機器 | |
JP2005166912A (ja) | 強誘電体薄膜の製造方法、強誘電体メモリ素子、圧電体素子、インクジェット式記録ヘッド、インクジェットプリンター、表面弾性波素子、周波数フィルタ、発振器、電子回路、及び電子機器 | |
JP2006253477A (ja) | 圧電素子およびその製造方法、合金膜、インクジェット式記録ヘッド、インクジェットプリンタ、並びに、圧電ポンプ | |
JP2005353756A (ja) | 圧電素子、圧電アクチュエーター、圧電ポンプ、インクジェット式記録ヘッド、インクジェットプリンター、表面弾性波素子、周波数フィルタ、発振器、電子回路、薄膜圧電共振器、および電子機器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090318 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090319 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090514 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090617 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090630 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4344942 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120724 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120724 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130724 Year of fee payment: 4 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |