CN100490203C - 压电元件和压电激励器和压电泵及喷墨式记录头 - Google Patents

压电元件和压电激励器和压电泵及喷墨式记录头 Download PDF

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Abstract

一种压电元件(10)包含：基板(1)；基板(1)上方形成的第1导电层(4)；在第1导电层(4)上方形成的、由具有钙钛矿结构的压电体构成的压电体层(5)；以及电连接在压电体层(5)上的第2导电层(6)，第1导电层(4)包含由在(001)优先取向的镍酸镧构成的导电性氧化层(42)，镍酸镧缺欠氧。由此，本发明提供一种能够得到良好的压电特性的压电元件。

Description

压电元件和压电激励器和压电泵及喷墨式记录头
技术领域
本发明涉及压电元件，压电激励器，压电泵，喷墨式记录头，喷墨打印机，表面弹性波元件，薄膜压电谐振器，频率滤波器，振荡器，电子电路以及电子仪器。
背景技术
作为可以高画质，高速打印的打印机，喷墨打印机是众所周知的。喷墨打印机包括具有容积可变的空腔(cavity)的喷墨式记录头，通过边扫描该记录头边从喷嘴中喷出墨滴，进行打印的。作为在这样的喷墨打印机所用的喷墨式记录头中的头激励器，以往，广泛使用以PZT(Pb(Zr，Ti)O3)为代表的压电体层的压电元件(例如，参照特开2001—223404号公报)。
另外，在具有压电体层的其他装置中，由于要求提高其特性，最好能提高具有良好的压电特性的压电体层。
专利文献1：特开2001～223404号公报。
发明内容
本发明的目的在于提供能够得到良好的压电特性的压电元件。另外，本发明的其他目的在于提供，使用上述压电元件的压电激励器，压电泵，喷墨式记录头，喷墨打印机，表面弹性波元件，薄膜压电谐振器，频率滤波器，振荡器，电子电路和电子仪器。
本发明涉及的压电元件包含：
基板；
在上述基板上方形成的第1导电层；
在上述第1导电层上方形成的、由具有钙钛矿结构的压电体构成的压电体层；以及
与上述压电体层电连接的第2导电层，
上述第1导电层包含由在(001)优先取向的镍酸镧构成的导电性氧化层，上述镍酸镧缺欠氧。
通过该压电元件，能够得到良好的压电特性。其理由如下。
该压电元件中，构成导电性氧化层的镍酸镧缺欠氧。并且，根据在导电性氧化层上方形成的压电体层的材质种类，通过适当地决定镍酸镧中氧的缺欠量，可以使构成导电性氧化层的镍酸镧的晶格常数接近构成压电体层的压电体的晶格常数。即，可以降低压电体层和导电性氧化层的晶格失配。其结果，可以降低施加到压电体层上的应力。由此，该压电元件可以具有，压电常数高、对外加的电压产生大的变形压电体层。即，通过该压电元件，能够得到良好的压电特性。
并且，在本发明中，所谓“具有钙钛矿结构的压电体”包含：具有钙钛矿结构的压电体，和具有层状钙钛矿结构的压电体。
另外，在本发明中，所谓“优先取向”包含100％结晶成为要求的取向(例如(001)取向)的情况，和大部分结晶在要求的取向上(例如90％以上)取向，剩余结晶在其他取向上(例如(111)取向)的情况。
另外，在本发明中，所谓特定的物体(以下，称为“A”)上方形成的其他特定物体(以下，称为“B”)包含在A上直接形成B和在A上通过A上的其他物体形成的B。另外，在本发明中，所谓在A上方形成B，包括在A上直接形成B的情况和在A上通过A上的其他物体形成B的情况。
在本发明涉及的压电元件中，
上述第1导电层包含1层以上由在(001)优先取向的镧系层状钙钛矿型化合物构成的缓冲层，
上述镧系层状钙钛矿型化合物可以包含La2NiO4，La3Ni2O7，La4Ni3O10和La2CuO4，以及这些中的至少2种构成的固溶体中的至少1种。
在本发明涉及的压电元件中，
上述第1导电层可以包含1层以上，由电阻率比上述镍酸镧低的导电材料构成的低电阻层。
在本发明涉及的压电元件中，
上述导电材料包含金属，该金属的氧化物，和该金属构成的合金中的至少1种，
上述金属可以是Pt，Ir，Ru，Ag，Au，Cu，Al和Ni中的至少1种。
在本发明涉及的压电元件中，
上述第1导电层可以包含：
上述低电阻层；在上述低电阻层上方形成的上述缓冲层；和
在上述缓冲层上方形成的上述导电性氧化层。
在本发明涉及的压电元件中，
上述导电性氧化层和上述压电体层，可以接触。
在本发明涉及的压电元件中，
上述压电体由通式ABO3表示，A可以包括Pb，
B可以包括Zr和Ti中的至少一种。
在本发明涉及的压电元件中，
上述B还可以包含Nb。
在本发明涉及的压电元件中，
上述压电体是菱形晶，或者，正方晶和菱形晶的混晶，并且在(001)优先取向。
本发明中的压电激励器，具有上述压电元件。
本发明涉及的压电泵，具有上述压电元件。
本发明涉及的喷墨式记录头，具有上述压电元件。
本发明涉及的喷墨打印机，具有上述喷墨式记录头。
本发明涉及的表面弹性波元件，具有上述压电元件。
本发明涉及的薄膜压电谐振器，具有上述压电元件。
本发明涉及的频率滤波器，具有上述表面弹性波元件和上述薄膜压电谐振器中的至少一种。
本发明涉及的振荡器，具有上述表面弹性波元件和上述薄膜压电谐振器中的至少一种。
本发明涉及的电子电路，具有上述频率滤波器和上述振荡器中的至少一种。
本发明涉及的电子仪器，具有上述压电泵和上述电子电路中的至少一种。
附图说明：
图1是模式的表示第1实施方式中的压电元件的剖面图。
图2是模式的表示第1实施方式中的压电元件变形例的一个例子的剖面图。
图3是模式的表示第1实施方式中的压电元件变形例的一个例子的剖面图。
图4是模式的表示第1实施方式中的压电元件变形例的一个例子的剖面图。
图5是模式的表示第1实施方式中的压电元件变形例的一个例子的剖面图。
图6是第2实施方式中的喷墨式记录头的概略构成图。
图7是第2实施方式中的喷墨式记录头的分解立体图。
图8是用于说明喷墨式记录头动作的图。
图9是用于说明喷墨式记录头动作的图。
图10是第3实施方式中的喷墨打印机的概略构成图。
图11是第4的实施方式中的压电泵的概略剖面图。
图12是第4的实施方式中的压电泵的概略剖面图。
图13是表示第5实施方式中的表面弹性波元件的侧剖面图。
图14是表示第6实施方式中的频率滤波器的立体图。
图15是表示第7实施方式中的振荡器的立体图。
图16是表示应用第7实施方式中的振荡器VCSO的一个例子的概略图。
图17是表示应用第7实施方式中的振荡器VCSO的一个例子的概略图。
图18是表示应用第7实施方式中的振荡器VCSO的一个例子的概略图。
图19是表示PLL电路基本构成的框图。
图20是表示第8实施方式中的电子电路构成的框图。
图21是表示第9实施方式中的薄膜压电谐振器的侧剖面图。
图22是表示第9实施方式中的薄膜压电谐振器的侧剖面图。
图中：1—基板，2—阻挡层，3—硬质层，4—第1导电层，5—压电体层，6—第2导电层，10—压电元件，11—基板，14—第1导电层，15—压电体层，16—第2导电层，17—保护层，18—基体，20—压电泵，21—基体，22—压电部，23—泵室，24—振动板，30—表面弹性波元件，40—低电阻层，41—缓冲层，42—导电性氧化层，46—第2导电性氧化层，47—第2低电阻层，50—喷墨式记录头，51—喷嘴板，52—墨室基板，54—压电部，55—弹性层，56—基体，57—头主体，58—墨滴，60—框体，61—基板，63振器，64—基体，66—配线，67—导线线，70—输入端子，71—相位比较器，72—低通滤波器，73—增幅器，80—送话部，81—发送信号处理电路，82—发送混合器，83—发送滤波器，84—发送电力增幅器，85—接受发送分波器，86—天线部，87—低杂音增幅器，88—接收滤波器，89—接收混合器，90—接收信号处理电路，91—受话部，92—频率合成器，93—控制电路，94—输入部，95—显示部，140—基体，141—IDT电极，142—IDT电极，143—吸音部，144—吸音部，145—高频信号源，150—基体，151—IDT电极，152—IDT电极，153—IDT电极，154—高频信号源，300—电子仪器，310—电子电路，511—喷嘴，521—墨室，522—侧壁，523—贮存室，524—供应孔，531—通孔，600—喷墨打印机，620—装置主体，621—送纸器，622—排出口，630—头部件，631—墨盒，632—字车，640—打印装置，641—字车(carriage)电动机，642—往复运动机构，643—字车导向轴，644—齿形带，650—供纸装置，651—供纸电动机，652—供纸辊，660—控制部，670—操作面板，700—第1薄膜压电谐振器，701—基板，702—通孔，703—弹性层，704—第1导电层，705—压电体层，706—第2导电层，708—配线，709—电极，710—衬垫，800—第2薄膜压电谐振器，801—基板，802—气隙，803—弹性层，804—第1导电层，805—压电体层，806—第2导电层
具体实施方式
以下，参照附图，对适合于本发明的实施方式进行说明。
1.第1实施方式
1—1.首先，对第1实施方式中的压电元件10进行说明。
图1是表示压电元件10的剖面图。压电元件10包含：基板1；在基板1上形成的阻挡层2；在阻挡层2上形成的硬质层3；在硬质层3上形成的第1导电层4；在第1导电层4上形成的压电体层5；以及在压电体层5上形成的第2导电层6。
作为基板1，可以使用例如(110)取向的硅基板等。作为阻挡层2，可以使用例如氧化硅层等。阻挡层2在例如，为了形成喷墨式记录头50(图9参照)的墨室521，在从背面侧蚀刻基板1的工序中，可以起到阻挡蚀刻的功能。另外，阻挡层2和硬质层3，在喷墨式记录头50中起到作为的弹性层55功能。硬质层3可以使用例如氧化钇稳定氧化锆，氧化铈，氧化锆等。
第1导电层4包含：低电阻层40；在低电阻层40上形成的缓冲层41；以及在缓冲层41上形成的导电性氧化层42。第1导电层4是用于向压电体层5外加电压的一个电极。第1导电层4可以形成例如，和压电体层5相同的平面形状。
低电阻层40，由电阻率比镍酸镧低的导电材料构成。该导电材料可以包含例如，金属，该金属的氧化物，和该金属构成的合金中的至少1种。其中，作为金属可以使用例如Pt，Ir，Ru，Ag，Au，Cu，Al和Ni中的至少1种。作为金属的氧化物，可以举出例如，IrO2，RuO2等。作为由金属构成的合金可以例举例如，Pt—Ir，Ir—Al，Ir—Ti，Pt—Ir—Al，Pt—Ir—Ti，Pt—Ir—Al—Ti等。在本实施方式中，该导电材料的结晶取向没有特别的限定，例如，可以在(111)上取向。低电阻层40的膜厚，可以为例如50nm～150nm程度。
缓冲层41可以由在(001)优先取向的镧系层状钙钛矿型化合物(以下，称为“La层状化合物”。)构成。La层状化合物可以包含例如，La2NiO4，La3Ni2O7，La4Ni3O10和La2CuO4，以及，由这些中的至少2种构成的固溶体中的至少1种。La层状化合物的A位置最好由被Pb置换。由此可以降低结晶温度。这在由溶胶凝缴法形成缓冲层41时，是特别有效的。被Pb置换的量，如果考虑缓冲层41的导电性，可以为例如，10at％以下。缓冲层41的膜厚最好为例如10nm～50nm程度。
导电性氧化层42和压电体层5接触。导电性氧化层42由镍酸镧构成的。构成导电性氧化层42的镍酸镧缺欠氧。即，此时的镍酸镧由化学式LaNiO3-x表示。x表示氧的缺欠量。镍酸镧随着氧缺欠量的增多(即，x变大)，晶格常数变大。例如，LaNiO3的晶格常数约为0.384nm，LaNiO2.5(x＝0.5)的晶格常数约为0.390nm，LaNiO2(x＝1)的晶格常数约为0.396nm。即，通过根据在导电性氧化层42上形成的压电体层5的材质的种类，适当地决定镍酸镧的氧缺欠量，可以使构成压电体层5的压电体的晶格常数，接近构成导电性氧化层42的镍酸镧的晶格常数。即，可以降低压电体层5和导电性氧化层42的晶格失配。其结果，可以降低施加到压电体层5上的应力。例如，压电体层5由锆酸钛酸铅(Pb(Zr，Ti)O3)构成时，氧的缺欠量x，如果考虑导电性氧化层42的导电性，最好为0<x≦1的范围。并且，锆酸钛酸铅(Pb(Zr，Ti)O3)的晶格常数约为0.4mm。
另外，构成导电性氧化层42的LaNiO3-x在(001)优先取向。并且，LaNiO3-x的面内方向的结晶取向是随机的。LaNiO3-x易于在(001)上自己取向。其中，LaNiO3-x的A位置最好被Pb置换。由此可以降低结晶温度。这在通过溶胶凝缴法形成导电性氧化层42时，是特别有效的。另外，通过A位置被Pb置换，可以导电性氧化物的晶格常数，更接近构成压电体层5的压电体的晶格常数。即，可以进一步降低导电性氧化层42和压电体层5的晶格失配。A位置被Pb置换的量，如果考虑导电性氧化层42的导电性，可以为例如，10at％以下。导电性氧化层42的膜厚可以为例如0nm～140nm程度。
压电体层5由具有钙钛矿结构的压电体构成。压电体层5与导电性氧化层42接触。构成压电体层5的压电体是菱形晶，或者正方晶和菱形晶的混晶，并且最好在(001)优先取向。由这样的压电体构成的压电体层5，具有高的压电常数。
该压电体可以用例如通式ABO3表示。其中，A可以包含Pb，B可以包含Zr和Ti中的至少一种。此外，B还可以包含V，Nb，和Ta中的至少一种。此时，该压电体可以包含Si和Ge中的至少一种。更具体的说，压电体可以包含例如，锆酸钛酸铅(Pb(Zr，Ti)O3)，铌酸锆酸钛酸铅(Pb(Zr，Ti，Nb)O3)，钛酸铅镧((Pb，La)TiO3)，锆酸钛酸铅镧((Pb，La)ZrTiO3)，镁铌酸钛酸铅(Pb(Mg，Nb)TiO3)，镁铌酸锆酸钛酸铅(Pb(Mg，Nb)(Zr，Ti)O3)，锌铌酸钛酸铅(Pb(Zn，Nb)TiO3)，钪铌酸钛酸铅(Pb(Sc，Nb)TiO3)，和，镍铌酸钛酸铅(Pb(Ni，Nb)TiO3)中的至少一种。铌酸锆酸钛酸铅(Pb(Zr，Ti，Nb)O3)，例如，锆酸钛酸铅(Pb(ZrxTiyO3(x+y＝1))的B位置的Zr的一部分由Nb置换，可以用Pb(Zrx-zNbzTiy)O3表示。其中，B位置的组成比最好为
0.4≦x≦0.6
0.6≧y≧0.4
0<z≦0.3。
x，y，z如果在上述范围内，x，y，z成为压电体层5的结晶结构的相界(MPB：Morphotropic Phase Boundary)中的值，或者，MPB附近中的值。所谓相界是菱形晶和正方晶相转变的边界。压电常数(d31)在相界附近取极大值。因此，如果x，y，z在上述范围内，可以很容易地控制压电体层5为菱形晶，或者，正方晶和菱形晶的混晶，表现出高的压电特性。
另外，压电体可以包含例如，(Ba1-xSrx)TiO3(0≦X≦0.3)，Bi4Ti3O12，SrBi2Ta2O9，LiNbO3，LiTaO3，和，KNbO3中的至少1种。另外，压电体层5的膜厚最好为例如400nm～5000nm程度。
第2导电层6包含：其他导电性氧化层(以下，称为“第2导电性氧化层”。)46；在第2导电性氧化层46上形成的其他低电阻层(以下，称为“第2低电阻层”。)47。第2导电层6是用于向压电体层5外加电压的另一个电极。通过第2导电层6包含第2导电性氧化层46和第2低电阻层47，可以使第2导电层6和第1导电层4，关于压电体层5大致对称。即，可以使压电元件10的对称性变好。并且，第2导电层6也可以由第2导电性氧化层46或者第2低电阻层47中任意一个构成。第2导电层6可以形成例如，与压电体层5相同的平面形状。
第2导电性氧化层46可以由例如，具有钙钛矿结构的导电性氧化物构成。该导电性氧化物可以包含例如，CaRuO3，SrRuO3，BaRuO3，SrVO3，(La，Sr)MnO3，(La，Sr)CrO3，(La，Sr)CoO3，和LaNiO3，以及，这些中的至少2种构成的固溶体中的至少1种。第2导电性氧化层46的膜厚可以为例如0nm～200nm程度。
第2低电阻层47可以由例如，电阻率比第2导电性氧化物低的导电材料构成。作为该导电材料，可以使用例如，构成上述低电阻层40的导电材料。第2低电阻层47的膜厚可以为例如0nm～200nm程度。
1—2.接着，参照图1，对本实施方式中的压电元件10的制造方法进行说明。
首先，作为基板1，准备(110)取向的硅基板。
接着，在基板1上形成阻挡层2。阻挡层2可以通过例如，热氧化法，CVD法等形成。
接着，在阻挡层2上形成硬质层3。硬质层3可以通过例如CVD法，溅射法，蒸镀法等形成。
接着，在硬质层3上形成低电阻层40。如上所述，在本实施方式中，由于构成低电阻层40的导电材料的结晶取向没有特别的限定，可以适当地选择低电阻层40的制造条件和制造方法。例如，低电阻层40可通过溅射法，真空蒸镀法等形成。另外，进行低电阻层40的形成时的温度可以为例如，室温～600℃程度。
接着，在低电阻层40上形成缓冲层41。缓冲层41可以通过例如溅射法，溶胶凝缴法，CVD法，激光烧蚀法，分子束外延法等形成。进行缓冲层41的形成时的温度可以为例如，250℃～300℃程度。
接着，在缓冲层41上形成由镍酸镧构成的导电性氧化层42。此时，例如，通过使用氧缺欠的靶，或者，调整成膜过程中的气氛等，可以调整镍酸镧的氧缺欠量。导电性氧化层42可以通过例如溅射法，溶胶凝缴法等形成。通过以上工序，形成第1导电层4。
接着，在导电性氧化层42上形成压电体层5。压电体层5可以通过例如溅射法，溶胶凝缴法等形成。
接着，在压电体层5上形成第2导电性氧化层46。第2导电性氧化层46可以通过例如溅射法，溶胶凝缴法等形成。
接着，在第2导电性氧化层46上形成第2低电阻层47。第2低电阻层47可以通过例如溅射法，真空蒸镀法等形成。通过以上工序，形成第2导电层6。
通过以上工序，可以制造本实施方式中的压电元件10。
1—3.通过本实施方式中的压电元件10，能够得到良好的压电特性。其理由如下。
本实施方式中的压电元件10具有由La层状化合物构成的缓冲层41。由于La层状化合物是层状结构，不依赖于构成衬底的低电阻层40的导电材料的结晶方位，能够容易在(001)优先取向。即，缓冲层41中几乎没有在例如，(111)，(110)等上取向的La层状化合物结晶混入。这样，通过La层状化合物结晶的大部分在(001)上取向，在缓冲层41上形成导电性氧化层42时，导电性氧化层42继承缓冲层41的结晶取向，可以在(001)优先取向。并且，在导电性氧化层42上形成压电体层5时，压电体层5继承导电性氧化层42的结晶取向，可以在(001)优先取向。由此，压电元件10可以具有压电常数更高，对外加的电压形成更大的变形的压电体层5。即，通过本实施方式中的压电元件10，能够得到更良好的压电特性。
另外，如上所述，构成导电性氧化层42的镍酸镧易于在(001)上自己取向。但是，例如，作为导电性氧化层42的衬底，不形成缓冲层41时，通过镍酸镧的制造条件和制造方法，有时在导电性氧化层42中混入(110)等取向的镍酸镧的结晶。与此相对，通过本实施方式中的压电元件10的制造方法，如上所述，由于由La层状化合物构成的缓冲层41作为衬底，形成导电性氧化层42，镍酸镧可以更可靠地在(001)上自己取向。由此，在由镍酸镧构成的导电性氧化层42上形成压电体层5时，构成压电体层5的结晶更多的，可以继承导电性氧化层42的结晶取向，在(001)上取向。
并且，在本实施方式中的压电元件10中，构成导电性氧化层42的镍酸镧缺欠氧。并且，根据在导电性氧化层42上形成的压电体层5的材质的种类，通过适当地决定镍酸镧的氧缺欠量，可以使构成导电性氧化层42的镍酸镧的晶格常数，接近构成压电体层5的压电体的晶格常数。即，可以降低压电体层5和导电性氧化层42的晶格失配。其结果，可以降低施加到压电体层5上的应力。由此，压电元件10可以具有压电常数高，对外加的电压产生大的变形的压电体层5。即，通过本实施方式中的压电元件10，能够得到良好的压电特性。
另外，在本实施方式中的压电元件10中，第1导电层4具有低电阻层40。低电阻层40由电阻率比镍酸镧低的导电材料构成。由此，将第1导电层4作为同样形状，比较例如第1导电层4没有低电阻层40时，第1导电层4有低电阻层40时的情况，第1导电层4具有低电阻层40(即，本实施方式的情况)的，第1导电层4整体的电阻小。因此，通过本实施方式中的压电元件10，能够得到良好的压电特性。
1—4.接着，参照附图，对本实施方式中的压电元件10的变形例进行说明。并且，对与上述图1所示的压电元件10不同点进行说明，省略对于相同点的说明。图2～图4是分别模式的表示压电元件10变形例的一个例子的剖面图。
例如，如图2所示，第1导电层4可以没有低电阻层40。即，第1导电层4可以由缓冲层41和导电性氧化层42构成。
另外，例如，如图2所示，第2导电层6可以只由第2低电阻层47构成。另外，例如，图中没有表示，第2导电层6可以只由第2导电性氧化层46构成。这些情况，第2导电层6和第1导电层4，可以关于压电体层5大致对称。
另外，例如，如图3所示，第1导电层4可以没有缓冲层41。即，第1导电层4可以由低电阻层40和导电性氧化层42构成。
另外，例如，如图4所示，第1导电层4可以没有低电阻层40和缓冲层41。即，第1导电层4只由导电性氧化层42构成。
另外，例如，如图5所示，第1导电层4可以由2层缓冲层41和被它们夹着的导电性氧化层42构成。
并且，上述变形例是一个例子，不局限于这些，例如，可以适当地更改各层的层叠顺序，层数等。
2.第2实施方式
2—1.接着，对具有第1实施方式中的压电元件10的喷墨式记录头的一个实施方式进行说明。图6是表示本实施方式中的喷墨式记录头的概略构成的侧剖面图，图7是该喷墨式记录头的分解立体图。并且，图7是与通常使用状态上下相反表示的。
喷墨式记录头(以下，称为“头”)50，图6所示，包含头主体57，和设置在头主体57上的压电部54。并且，图6所示的压电部54相当于图1所示的压电元件10中的第1导电层4，压电体层5，和第2导电层6。在本实施方式中的喷墨式记录头中，压电元件10，可以起到作为压电激励器的功能。所谓压电激励器是具有使某物体移动的功能的元件。
另外，图1所示的压电元件10中的阻挡层2和硬质层3相当于图6中弹性层55。基板1(参照图1)，成为构成头主体57主要部分的部件。
即，头50，如图7所示，包含喷嘴板51：墨室基板52：弹性层55：以及连接在弹性层55上的压电部(振动源)54，这些装置在基体56上来构成。并且，该头50构成按需型压电喷墨式头。
喷嘴板51是由例如不锈钢制轧制板等构成的，用于喷出墨滴的多个喷嘴511形成一列的部件。这些喷嘴511间的间距，根据打印精度适当地设定。
墨室基板52被固着(固定)在喷嘴板51上。墨室基板52是通过基板1(参照图1)形成的。墨室基板52是通过喷嘴板51，侧壁(隔壁)522，和弹性层55，划分形成多个空腔(墨室)521，贮存室523，供给口524的。贮存室523暂时贮存由墨盒631(参照图1)供给的墨水。通过供给口524，从贮存室523向各空腔521供给墨水。
空腔521，如图6和图7所示，对应各喷嘴511进行配设。空腔521，通过弹性层55的振动，变为各自容积可变。空腔521以通过该容积变化，喷出墨水的方式构成。
作为用于得到墨室基板52的母材，即基板1(参照图1)，可以使用(110)取向的硅单晶基板。该(110)取向的硅单晶基板，由于适用于异向性蚀刻法，可以容易且可靠地形成墨室基板52。
弹性层55配设在墨室基板52的喷嘴板51相反侧。并且在弹性层55的墨室基板52的相反侧设置多个压电部54。在弹性层55的规定位置，图7所示，贯通弹性层55厚度方向，形成通孔531。通过通孔531，从墨盒631向贮存室523供给墨水。
各压电部54以电连接在后面所述的压电元件驱动电路上，根据压电元件驱动电路的信号进行动作(振动，变形)的方式构成。即，各压电部54起到作为各自振动源(头激励器)的功能。弹性层55通过压电部54的振动(弯曲)而振动振动(弯曲)，起到瞬时提高空腔521内部压力的功能。
基体56由例如各种树脂材料，各种金属材料等形成。如图7所示，墨室基板52被固定，支撑在该基体56上。
2—2.接着，对本实施方式中的喷墨式记录头50的动作进行说明。本实施方式中的头50，在通过压电元件驱动电路，没有输出规定的喷出信号的状态，即，压电部54的第1导电层4和第2导电层6之间没有外加电压的状态，如图8所示，压电体层5上不产生变形。因此，弹性层55上也不产生变形，空腔521不产生容积变化。因此，墨滴不会从喷嘴511喷出。
另一方面，在通过压电元件驱动电路，输入规定的喷出信号的状态，即，压电部54的第1导电层4和第2导电层6之间外加电压的状态下，如图9所示，在压电体层5中其短轴方向(图9所示的箭头S的方向)上产生弯曲变形。由此，弹性层55弯曲，空腔521的容积产生变化。此时，空腔521内的压力瞬间增高，墨滴58从喷嘴511喷出。
即，如果外加电压，压电体层5的晶格在相对于面方向垂直的方向(图9所示的箭头d的方向)被拉长，同时在面方向上被压缩。在该状态下，对压电体层5而言，在面内变为拉伸应力f作用。因此，通过该拉伸应力f，使弹性层55偏转，使其变弯曲。在空腔521短轴方向上的压电体层5的位移量(绝对值)越来越大，弹性层55的弯曲量变大，可以更有效地喷出墨滴。
如果结束1次墨水喷出，压电元件驱动电路停止向第1导电层4和第2导电层6之间外加电压。由此，压电部54回复为如图8所示的原来的形状，空腔521的容积增大。并且，此时，从墨盒631向喷嘴511的压力(正方向的压力)作用在墨水上。因此，能防止空气从喷嘴511向空腔521进入，与墨水的喷出量平衡量的墨水从墨盒631经过贮存室523向空腔521供给。
这样，对于不想进行墨滴喷出位置的压电部54，通过压电元件驱动电路，通过依次输入喷出信号，可以打印任意(要求的)文字和图形等。
2—3.接着，对本实施方式中的喷墨式记录头50制造方法的一个例子进行说明。
首先，准备成为墨室基板52的母材，即(110)取向的硅单晶基板构成的基板1。接着，如图1所示，在基板1上依次形成阻挡层2，硬质层3，第1导电层4，压电体层5，和第2导电层6。
接着，使第2导电层6，压电体层5，和第1导电层4，如图8和图9所示，对应各自的空腔521制作图案，如图6所示，形成与空腔521数对应数量的压电部54。
接着，对成为墨室基板52的母材(基板1)制作图案，在对应压电部54的位置形成成为空腔521的凹部，另外，在规定位置形成成贮存室523和供给口524的凹部。
本实施方式中，作为母材(基板1)，由于使用(110)取向的硅基板，适合于使用高浓度碱水溶液的湿法蚀刻法(异向性蚀刻法)。在通过高浓度碱水溶液的湿法蚀刻时，如上所述阻挡层2可以起到蚀刻法阻挡层的功能。因此，更可以容易地进行墨室基板52的形成。
这样，通过蚀刻法去除母材(基板1)，直到在其厚度方向上露出弹性层55，形成墨室基板52。此时没有被蚀刻法的剩余的部分成为侧壁522。
接着，对准形成了多个喷嘴511的喷嘴板51，使各喷嘴511对应成为各空腔521的凹部，以这种状态连接。由此，形成多个空腔521，贮存室523和多个供给口524。喷嘴板51的连接可以使用例如通过粘接剂的接着法，和融着法等。接着，将墨室基板52安装在基体56上。
通过以上工序，可以制造本实施方式中的喷墨式记录头50。
2—4.通过本实施方式中的喷墨式记录头50，如上所述，成为压电部54的压电体层5的压电常数(d31)高，对外加的电压形成大的变形的元件。即，压电部54具有良好的压电特性。由此，弹性层55的弯曲量变大，可以更有效地喷出墨滴。其中，所谓有效意味着以更少的电压可以喷出相同量的墨滴。即，由于可以简化驱动电路，同时可以降低消耗电力，可以使喷嘴511的间距更高密度地形成。因此，高密度打印和高速打印成为可能。并且，由于空腔521的长轴长度可以变短，可以使头整体小型化。
3.第3实施方式
3—1.接着，对具有第2实施方式中的喷墨式记录头50的喷墨打印机的一个实施方式进行说明。图10是表示本实施方式中的喷墨打印机600的概略构成图。喷墨打印机600可以起到作为可以在纸等上打印的打印机功能。并且，在以下说明中，图10中上侧称为“上部”，下侧称为“下部”。
喷墨打印机600具有装置主体620，上部后方具有设置打印用纸P的送纸器621，下部前方具有排出打印用纸P的排出口622，上部面具有操作面板670。
在装置主体620内部主要设置，具有往复运动的头部件630的打印装置640，一张一张向打印装置640送入打印用纸P的供纸装置650，和控制打印装置640和供纸装置650的控制部660。
打印装置640包含头部件630；成为头部件630驱动源的字车电动机641；和接受字车电动机641的旋转，使头部件630往复运动的往复运动机构642。
头部件630具有：在其下部具有上述多个喷嘴511的喷墨式记录头50；向该喷墨式记录头50供给墨水的墨盒631；以及装载喷墨式记录头50和墨盒631的字车632。
往复运动机构642具有其两端被支撑在框架上(图中没有表示)的字车导向轴643，和与字车导向轴643平行延伸的齿形带644。字车632自由往复运动地支撑在字车导向轴643上的同时，被固定在齿形带644的一部分上。通过字车电动机641的动作，通过滑车，使齿形带644正反向移动，由字车导向轴643引导，头部件630往复运动。该往复运动时，由喷墨式记录头50喷出适当的墨水，进行对打印用纸P的打印。
给纸装置650具有成为其驱动源的给纸电动机651和由给纸电动机651的动作产生旋转的走纸辊652。走纸辊652由夹着打印用纸P的输送通道(打印用纸P)上下对着的从动辊652a和驱动辊652b构成，驱动辊652b连接在给纸电动机651上。
3—2.通过本实施方式中的喷墨打印机600，如上所述，由于具有可以高性能，喷嘴高密度化打印的喷墨式记录头50，高密度打印和高速打印成为可能。
并且，本发明的喷墨打印机600可以使用作为工业用的液滴喷出装置。此时，作为喷出的墨水(液状材料)，可以将各种功能性材料通过溶剂和分散剂调整为适当的粘度来使用。
4.第4的实施方式
4—1.接着，参照附图，对具有第1实施方式中的压电元件10的压电泵的一个实施方式进行说明。图11和图12是本实施方式中的压电泵20的概略剖面图。在本实施方式中的压电泵20中，压电元件可以起到压电激励器的功能。如图11和图12所示的压电部22是由图1所示的压电元件10中的第1导电层4，压电体层5，和第2导电层6构成的，图1所示的压电元件10中的阻挡层2和硬质层3，在图11和图12中，成为振动板24。另外，基板1(参照图1)，成为构成压电泵20的主要部分的基体21。压电泵20包含基体21，压电部22，泵室23，振动板24，吸入侧逆止阀26a和喷出侧逆止阀26b，和吸入口28a和喷出口28b。
4—2.接着，对上述压电泵的动作进行说明。
首先，如果向压电部22供给电压，电压就会外加到压电体层5(参照图1)的膜厚方向。并且，如图11所示，压电部22向泵室23扩大的方向(图11所示的箭头a的方向)弯曲。另外，与压电部22一起，振动板24也向泵室23扩大的方向弯曲。因此，泵室23内的压力变化，通过逆止阀26a，26b的作用，流体从吸入口28a流入泵室23内(图11所示的箭头b的方向)。
接着，如果停止向压电部22供给电压，就停止了向压电体层5(参照图1)的膜厚方向外加电压。并且，如图12所示，压电部22向使泵室23缩小的方向(图12所示的箭头a的方向)弯曲。另外，与压电部22一起，振动板24也向泵室23缩小方向弯曲。因此，泵室23内的压力变化，通过逆止阀26a，26b的作用，流体从喷出口28b向外部喷出(图12所示的箭头b的方向)。
压电泵20可以作为电子仪器，例如个人计算机用，最好是笔记本式个人计算机用的水冷模块使用。水冷模块具有包含使用上述压电泵20驱动冷却液的压电泵20和循环水路等。
4—3.通过本实施方式中的压电泵20，如上所述，由于压电部22的压电体层5具有良好的压电特性，可以有效地进行流体的吸入、喷出。因此，通过本实施方式中的压电泵20，可以具有大的喷出压力和喷出量。另外，压电泵20可以高速动作。并且，能够谋求压电泵20整体的小型化。
5.第5实施方式
5—1.接着，参照附图，对适用于本发明的第5实施方式中的表面弹性波元件的一个例子进行说明。作为本实施方式的一个例子的表面弹性波元件30，如图13所示，包含：基板11，第1导电层14，压电体层15，保护层17和第2导电层16。基板11，第1导电层14，压电体层15和保护层17构成基体18。
作为基板11，可以采用例如，(100)单晶硅基板。作为第1导电层14，可以由如图1所示的压电元件10中的第1导电层4构成。压电体层15可以由如图1所示的压电元件10中的压电体层5构成。保护层17可以由例如，氧化物或者氮化物等构成。保护层17还起到温度补偿层的功能。作为第2导电层16可以由如图1所示的压电元件10中的第2导电层6构成。第2导电层16是交叉指状型电极(Inter-Digital Transducer：以下，称为“IDT电极”)。第2导电层16如果从上部观察，具有例如图14和图15所示的IDT电极141，142，151，152，153那样的形状。并且，IDT电极上以可以再形成保护层。
5—2.通过本实施方式中的表面弹性波元件30，由于由在图1所示的压电元件10中的压电体层5构成的压电体层15具有良好的压电特性，表面弹性波元件30自身也变为高性能的元件。
6.第6实施方式
6—1.接着，参照附图，对适用于本发明的第6实施方式中的频率滤波器的一个例子进行说明。图17是模式的表示本实施方式的一个例子中的频率滤波器的图。
如图14所示，频率滤波器具有基体140。作为该基体140，可以采用图13所示的表面弹性波元件30的基体18。
在基体140的上面形成IDT电极141，142。另外，以夹着IDT电极141，142的方式，在基体140上面形成吸音部143，144。吸音部143，144是吸收在基体140表面传播的表面弹性波的部分。高频信号源145连接在基体140上形成的IDT电极141，信号线连接在IDT电极142上。
6—2.接着，对上述频率滤波器的动作进行说明。
在上述构成中，如果从高频信号源145输出高频信号，该高频信号外加到IDT电极141上，由此，在基体140上面产生表面弹性波。从IDT电极141向吸音部143侧传播的表面弹性波，在吸音部143被吸收，向IDT电极142侧传播的表面弹性波中，根据IDT电极142的间距，规定的特定频率或者特定范围的频率的表面弹性波被转换为电气信号，通过信号线，在端子146a，146b被取出。并且，上述特定频率或者特定范围频率以外的频率成分，大部分通过IDT电极142，在吸音部144被吸收。这样，供给具有本实施方式的频率滤波器的IDT电极141的电气信号中，能够只得到特定频率或者特定范围频率的表面弹性波(滤波)。
7.第7实施方式
7—1.接着，参照附图，对适用于本发明的第7实施方式中的振荡器的一个例子进行说明。图15是模式的表示作为本实施方式的一个例子的振荡器的图。
如图15所示，振荡器具有基体150。作为该基体150，与上述频率滤波器一样，可以使用图13所示的表面弹性波元件30的基体18。
在基体150上面，形成IDT电极151，并且，以夹着IDT电极151的方式，形成IDT电极152，153。高频信号源154连接在构成IDT电极151的一个梳齿状电极151a上，信号线连接在另一个梳齿状电极151b上。并且，IDT电极151，相当于外加电气信号用电极，IDT电极152，153相当于使由IDT电极151产生的表面弹性波的特定频率数成分或者特定范围频率成分共振的共振用电极。
7—2.接着，对上述振荡器的动作进行说明。
在上述构成中，如果由高频信号源154输出高频信号，该高频信号，外加到IDT电极151的一个梳齿状电极151a上，由此在基体150上面产生向IDT电极152侧传播的表面弹性波和向IDT电极153侧传播的表面弹性波。这些表面弹性波中的特定频率成分的表面弹性波，在IDT电极152和IDT电极153被反射，在IDT电极152和IDT电极153之间产生驻波。通过该特定频率成分的表面弹性波在IDT电极152，153反复反射，特定频率成分或者特定范围的频率成分共振，增大振幅。该特定频率成分或者特定范围频率成分的表面弹性波的一部分，从IDT电极151的另一个梳齿状电极151b取出，与IDT电极152和IDT电极153的共振频率相应频率(或者，具有某种程度范围的频率)的电气信号可以在端子155a和端子155b取出。
7—3.图16和图17是模式的表示将上述振荡器应用于VCSO(VoltageControlled SAW Oscillator：电压控制SAW振荡器)的一个例子的图，图16是侧面透视图，图17是上面透视图。
VCSO装配在金属制(Al或者不锈钢制)框体60内部构成的。IC(Integrated Circuit)62和振荡器63装配在基板61上。此时，IC62是根据从外部电路(图中没有表示)输入的电压值，控制外加给振荡器63的频率的振动电路。
振荡器63，在基体64上形成IDT电极65a～65c，其构成和图15所示的振荡器几乎一样。作为基体64，和上述图15所示的振荡器一样，可以使用图13所示的表面弹性波元件30的基体18。
在基板61上制作用于电连接IC62和振荡器63的配线66的图案。IC62和配线66，通过例如金线等导线67连接，振荡器63和配线66由金线等导线68连接。由此，IC62和振荡器63通过配线66电连接。
并且，VCSO可以将IC62和振荡器63层叠在同一基板形成。图18表示IC62和振荡器63层叠在同一基板61上的VCSO的概略图。
如图18所示，VCSO，对于IC62和振荡器63而言，共同拥有基板61来形成。作为基板61，可以使用例如图13所示的表面弹性波元件30的基板11。IC62和，振荡器63具有的电极65a，由图中没有表示的元件电气的连接。作为电极65a，可以使用例如图13所示的表面弹性波元件30的第2导电层16。作为构成IC62的晶体管，可以采用TFT(薄膜晶体管)。
图16～图18所示的VCSO可以作为例如，图19所示的PLL电路的VCO(Voltage Controlled Oscillator)使用。在这里，对PLL电路进行简单地说明。
图19是表示PLL电路基本构成的框图。PLL电路由相位比较器71，低通滤波器72，增幅器73和VCO74构成。相位比较器71是比较从输入端子70输入的信号的相位(或者频率)和从VCO74输出的信号的相位(或者频率)，根据此差，输出设定值的误差电压信号的元件。低通滤波器72是只让从相位比较器71输出的误差电压信号位置的低频成分通过的元件。增幅器73是放大从低通滤波器72输出信号的元件。VCO74是根据输入的电压值，使振动的频率在某个范围内连续变化的振动电路。
在这样的构成下，PLL电路以减少从输入端子70输入的相位(或者频率)和从VCO74输出的信号的相位(或者频率)之差的方式进行动作，使从VCO74输出的信号的频率与从输入端子70输入的信号的频率同步。如果从VCO74输出的信号的频率与从输入端子70输入的信号的频率同步，然后，去掉一定的相位差，与从输入端子70输入的信号一致，另外，输出顺应输入信号变化那样的信号。
8.第8实施方式
接着，参照附图，对适用于本发明的第8实施方式中的电子电路和电子仪器的一个例子进行说明。图20是表示作为本实施方式的一个例子的电子仪器300的电气构成的框图。电子仪器300是例如携带式电话机。
电子仪器300具有电子电路310，送话部80，受话部91，输入部94，显示部95和天线部86。电子电路310具有发送信号处理电路81，发送混合器82，发送滤波器83，发送电力增幅器84，接受发送分波器85，低杂音增幅器87，接收滤波器88，接收混合器89，接收信号处理电路90，频率合成器92和控制电路93。
在电子电路310中，作为发送滤波器83和接收滤波器88，可以使用如图14所示的频率滤波器。滤波的频率(通过的频率)，根据由发送混合器82输出的信号中的需要的频率，以及，根据接收混合器89中需要的频率，用发送滤波器83和接收滤波器88分别设定。另外，作为设置在频率合成器92内的PLL电路(参照图19)的VCO74，可以使用如图15所示的振荡器，或者如图16～图18所示的VCSO。
送话部80是由将例如声波信号转换位电气信号的麦克风等实现的部件。发送信号处理电路81，是对由送话部80输出的电气信号，实施例如D/A转换处理，调制处理等处理的电路。发送混合器82是使用由频率合成器92输出信号，混音由发送信号处理电路81输出的信号的部件。发送滤波器83是只让中间频率(以下，标明为“IF”)需要的频率信号通过，剪掉不需要的频率的信号的部件。由发送滤波器83输出的信号，通过转换电路(图中没有表示)被转换为RF信号。发送电力增幅器84是放大由发送滤波器83输出的RF信号的电力，向接受发送分波器85输出的部件。
接受发送分波器85是将由发送电力增幅器84输出的RF信号向天线部86，由天线部86以电波的形式发送的部件。另外，接受发送分波器85是分开由天线部86接收的接收信号，向低杂音增幅器87输出的部件。低杂音增幅器87是放大来自接受发送分波器85的接收信号的部件。由低杂音增幅器87输出的信号通过转换电路(图中没有表示)转换为IF。
接收滤波器88，只让通过转换电路(图中没有表示)转换后的IF的需要的频率的信号通过，剪掉不需要的频率信号的。接收混合器89使用由频率合成器92输出的信号，对由接收滤波器88输出的信号进行混音的部件。接收信号处理电路90是对由接收混合器89输出的信号，实施例如A/D转换处理，解调处理等处理的电路。受话部91是用例如将电气信号转换为声波的小型扬声器等实现的部件。
频率合成器92是生成向发送混合器82供给的信号，以及，向接收混合器89供给的信号的电路。频率合成器92具有PLL电路，分频由该PLL电路输出的信号，生成新的信号。控制电路93控制发送信号处理电路81，接收信号处理电路90，频率合成器92，输入部94，和显示部95。显示部95对例如携带式电话机的使用者显示机器状态。输入部94输入例如携带式电话机的使用者的指示。
并且，上述例子中，作为电子仪器，例举携带式电话机，作为电子电路，例举了设置再携带式电话机内的电子电路，作为其一个例子，进行了说明，但是本发明不局限于携带式电话机，适用于各种移动体通信仪器以及设置在其内部的电子电路。
此外，不仅是移动体通信仪器，也能够适用于在接收BS和CS广播的调谐器等的安置状态使用的通信仪器，以及设置在其内部的电子电路。并且，作为通信载体，不仅是使用在空中传播的电波的通信仪器，也能够适用于使用在同轴电缆中传播的高频信号或者在光缆中传播的光信号的HUB等电子仪器和设置在其内部的电子电路。
9.第9实施方式
接着，参照附图，对适用于本发明的第9实施方式中的薄膜压电谐振器的一个例子进行说明。
9—1.图21是模式的表示作为本实施方式一个例子的第1薄膜压电谐振器700的图。第1薄膜压电谐振器700是振动膜型薄膜压电谐振器。
第1薄膜压电谐振器700包含基板701，弹性层703，第1导电层704，压电体层705和第2导电层706。薄膜压电谐振器700中的基板701，弹性层703，第1导电层704，压电体层705和第2导电层706，分别相当于图1所示的压电元件10中的基板1，阻挡层2与硬质层3，第1导电层4，压电体层5以及第2导电层6。即，第1薄膜压电谐振器700具有图1所示的压电元件10。并且，弹性层703相当于阻挡层2和硬质层3。
在基板701上形成贯通基板701的通孔702。在第2导电层706上设置配线708。配线708通过在弹性层703上形成的电极709和衬垫710电连接。
9—2.通过本实施方式中的第1薄膜压电谐振器700，压电体层705的压电特性良好，因此，具有高的电气机械结合系数。由此，可以在高频领域使用薄膜压电谐振器700。另外，可以使薄膜压电谐振器700小型(薄型)化，并且，良好地动作。
9—3.图22是模式的表示作为本实施方式一个例子的第2薄膜压电谐振器800的图。第2薄膜压电谐振器800与图21所示的第1薄膜压电谐振器700主要的不同之处在于不形成通孔，在基板801和弹性层803之间形成气隙802。
第2薄膜压电谐振器80包含基板801，弹性层803，第1导电层804，压电体层805和第2导电层806。薄膜压电谐振器800中的基板801，弹性层803，第1导电层804，压电体层805和第2导电层806分别相当于图1所示的压电元件10中的基板1，阻挡层2与硬质层3，第1导电层4，压电体层5，以及第2导电层6。即，第2薄膜压电谐振器800具有图1所示的压电元件10。并且，弹性层803相当于阻挡层2和硬质层3。气隙802是在基板801和弹性层803之间形成的空间。
9—4.通过本实施方式中的第2薄膜压电谐振器800，压电体层805的压电特性良好，因此，具有高的电气机械结合系数。由此，可以在高频领域使用薄膜压电谐振器800。另外，可以使薄膜压电谐振器800小型(薄型)化，并且良好地动作。
9—5.本实施方式中的压电薄膜谐振器(例如，第1薄膜压电谐振器700和第2薄膜压电谐振器800)可以起到作为谐振器，频率滤波器，或者，振荡器的功能。并且，例如，在图20所示的电子电路310中，可以使用起到作为发送滤波器83和接收滤波器88，作为频率滤波器功能的本实施方式中的压电薄膜谐振器。另外，作为具有频率合成器92的振荡器，可以使用起到作为振荡器功能的本实施方式中的压电薄膜谐振器。
所述，对本发明的实施例进行了详细地说明，但是可以有很多实际上没有脱离本发明的新发明的内容和效果的变形，这对于本领域的技术人员能够容易理解的。因此，这样的变形例全都包含在本发明的范围内。例如，本发明中的压电元件，不仅适用于上述装置，可以适用于各种装置。例如，本发明中的压电元件，可以作为照相机(包括装载在携带式电话机或者PDA：Personal Digital Assistant等中的。)的光学变焦机构中的透镜驱动用的压电激励器使用。

Claims (20)

1、一种压电元件，其特征在于，包含：
基板；
在所述基板上方形成的第1导电层；
在所述第1导电层上形成，由具有钙钛矿结构的压电体构成的压电体层；
在所述压电体层上形成的第2导电层，
所述第1导电层包含：
在所述基板的上方形成的金属层；
在所述金属层上形成，含有在(001)优先取向的La2NiO4、La3Ni2O7、La4Ni3O10和La2CuO4中至少一种的缓冲层；
在所述缓冲层上形成，由在(001)优先取向并且缺欠氧的镍酸镧构成的导电性氧化层。
2、一种压电元件，其特征在于，包含：
基板；
在所述基板上方形成的第1导电层；
在所述第1导电层上形成，由具有钙钛矿结构的压电体构成的压电体层；
在所述压电体层上形成的第2导电层，
所述第1导电层包含：
在所述基板的上方形成的金属层；
在所述金属层上形成，含有在(001)优先取向的La2NiO4、La3Ni2O7、La4Ni3O10和La2CuO4中至少一种的缓冲层；
在所述缓冲层上形成，由在(001)优先取向并且由LaNiO3-x表示的镍酸镧构成的导电性氧化层，其中0<x≦1。
3、根据权利要求2所述的压电元件，其特征在于，x＝0.5或者x＝1。
4、根据权利要求1所述的压电元件，其特征在于，
缓冲层含有La2NiO4、La3Ni2O7、La4Ni3O10和La2CuO4中的至少两种。
5、根据权利要求2所述的压电元件，其特征在于，
缓冲层含有La2NiO4、La3Ni2O7、La4Ni3O10和La2CuO4中的至少两种。
6、根据权利要求1～5中任意一项所述的压电元件，其特征在于，所述金属层含有Pt、Ir、Ru、Ag、Au、Cu、Al和Ni中的至少1种。
7、根据权利要求1～5中任意一项所述的压电元件，其特征在于，所述导电性氧化层和所述压电体层接触。
8、根据权利要求1～5中任意一项所述的压电元件，其特征在于，所述压电体由通式ABO3表示，
A包含Pb，
B包含Zr和Ti中的至少一种。
9、根据权利要求8所述的压电元件，其特征在于，所述B还包含Nb。
10、根据权利要求1～5中任意一项所述的压电元件，其特征在于，所述压电体是菱形晶，或者，正方晶和菱形晶的混晶，并且在(001)优先取向。
11、一种压电激励器，其特征在于，具有权利要求1～5中任意一项所述的压电元件。
12、一种压电泵，其特征在于，具有权利要求1～5中任意一项所述的压电元件。
13、一种喷墨式记录头，其特征在于，具有权利要求1～5中任意一项所述的压电元件。
14、一种喷墨式打印机，其特征在于，具有权利要求13所述的喷墨式记录头。
15、一种表面弹性波元件，其特征在于，具有权利要求1～5中任意一项所述的压电元件。
16、一种薄膜压电谐振器，其特征在于，具有权利要求1～5中任意一项所述的压电元件。
17、一种频率滤波器，其特征在于，具有权利要求15所述的表面弹性波元件和权利要求16所述的薄膜压电谐振器中的至少一种。
18、一种振荡器，其特征在于，具有权利要求15所述的表面弹性波元件和权利要求16所述的薄膜压电谐振器中的至少一种。
19、一种电子电路，其特征在于，具有权利要求17所述的频率滤波器和权利要求18所述的振荡器中的至少一种。
20、一种电子仪器，其特征在于，具有权利要求12所述的压电泵和权利要求19所述的电子电路中的至少一种。
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