JP2006181715A - 光学記録媒体 - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、記録層にキノフタロン化合物を色素として含有することを特徴とするヒートモード光学記録媒体、特に、青色レーザー光対応の光学記録媒体に関するものである。
近年、高密度での情報の記録保存/再生が可能なことから、レーザー光を用いた光学記録媒体、特に光ディスクについての開発が取り進められている。光ディスクの中でも最近注目を集めているものに、書き込み型コンパクトディスク(CD−R)がある。CD−Rは、通常、案内溝を有する円形のプラスチック基板上に、色素を主成分とする記録層、金属反射膜及び保護膜が順次積層された構造をしている。CD−Rへの情報の記録は、レーザー光を照射し、その照射エネルギーが記録層で吸収されることにより、レーザー光照射部分の記録層、反射層又は基板に分解、蒸発、溶解等の熱的変形を生じさせることにより行う方法(ヒートモード)や、レーザー光照射部分の記録層に含まれる色素の構造を可逆的に変化させる方法(フォトンモード)などにより行なわれる。また、記録された情報の再生は、レーザー光照射による変形・変化が起きている部分と起きていない部分の反射率の差を読み取ることにより行われる。従って、光学記録媒体の記録層はレーザー光のエネルギーを効率よく吸収する必要があり、記録層には一般的にレーザー光吸収色素が用いられている。
レーザー光吸収色素として有機色素を利用した光学記録媒体は、有機色素溶液を塗布するという簡単な方法で記録層を形成し得るため、安価な光学記録媒体として今後益々普及することが期待されている。
また、近年、記録の高密度化のため、記録に用いるレーザー光の波長を従来の半導体レーザーの発光波長である780nmを中心としたものから、405nm前後以下の青色光領域へと短波長化することが検討されつつある。
また、近年、記録の高密度化のため、記録に用いるレーザー光の波長を従来の半導体レーザーの発光波長である780nmを中心としたものから、405nm前後以下の青色光領域へと短波長化することが検討されつつある。
波長405nm前後の青色レーザー光により記録及び再生可能な色素としては、ポルフィリン化合物、シアニン化合物など未だ極少数しか見出されていない。シアニン化合物は、一般的に、耐光性が非常に低く、また、ポルフィリン化合物は、溶解性が不十分である上、記録層に単独で使用してもレーザー光記録ができないため、媒体の製造が煩雑になってしまう等の問題を有している(特許文献1及び2参照)。
特開平7−304256号公報
特開平7−304257号公報
本発明は上記実情に鑑みてなされたものであって、塗布溶媒への溶解性に優れ、塗布膜中で結晶化が起こりにくい色素を用いることにより、低エネルギーでレーザー書き込みが可能な青色レーザー光にも対応可能な高感度記録媒体を提供することを目的とする。
本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意検討した結果、以下の一般式[I]に示す構造を有する化合物が溶解性及び成膜性に優れ、かつこれを記録層に用いた光学記録媒体が、青色レーザー光で良好に記録できることを見出し、本発明を完成させた。
即ち、本発明の要旨は、記録層に下記一般式[1]で表される色素を含有することを特徴とするヒートモード光学記録媒体に存する。
即ち、本発明の要旨は、記録層に下記一般式[1]で表される色素を含有することを特徴とするヒートモード光学記録媒体に存する。
(式中、R1は、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数1〜20のアルキル基を表
し、R2〜R10は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、水酸基、ニトロ基又は
炭素数1〜20の有機基を表す。)
し、R2〜R10は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、水酸基、ニトロ基又は
炭素数1〜20の有機基を表す。)
本発明に係るヒートモード光学記録媒体は、成膜性、溶解性に優れている。これを記録層に用いれば、安価で成膜性に優れた高密度記録媒体が提供できる。
以下、本発明を具体的に説明するが、本発明は、以下の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨の範囲内で種々に変更して実施することができる。
本発明に係るヒートモード光学記録媒体は下記一般式[1]で表される色素を記録層中に含んでいる。
本発明に係るヒートモード光学記録媒体は下記一般式[1]で表される色素を記録層中に含んでいる。
式中、R1は、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数1〜20のアルキル基を表
し、R2〜R10は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、水酸基、ニトロ基又は
炭素数1〜20の有機基を表す。
本発明に係る光学記録媒体での情報の記録は、レーザー光照射により、記録層中の上記色素が分解して、“−C(O)−O−R”部分からガスが発生し気泡が生じることによる屈折率変化を利用して行う。従って、R1は、炭素数5以下の低分子量なものが好ましい
。また、R2〜R10は、上記色素の吸収波長を調整する役目および溶解性を増加させてい
る役目を果たしていることから、ハロゲン原子、嵩高い置換基が好ましい。
し、R2〜R10は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、水酸基、ニトロ基又は
炭素数1〜20の有機基を表す。
本発明に係る光学記録媒体での情報の記録は、レーザー光照射により、記録層中の上記色素が分解して、“−C(O)−O−R”部分からガスが発生し気泡が生じることによる屈折率変化を利用して行う。従って、R1は、炭素数5以下の低分子量なものが好ましい
。また、R2〜R10は、上記色素の吸収波長を調整する役目および溶解性を増加させてい
る役目を果たしていることから、ハロゲン原子、嵩高い置換基が好ましい。
R1の炭素数1〜20のアルキル基は、鎖状で環状でもよく、鎖状アルキル基は直鎖状
でも分岐状でもよい。具体的には、メチル基、エチル基、n−プロピル基、iso−プロピル基、シクロプロピル基、n−ブチル基、iso−ブチル基、tert−ブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などが挙げられ、このうち、炭素数5以下の置換基が
分解時に常温で気体である為好ましく、分解時に常温で気体であり、嵩高いために溶解性
が向上するiso−プロピル基、iso−ブチル基、tert−ブチル基が更に好ましい。
でも分岐状でもよい。具体的には、メチル基、エチル基、n−プロピル基、iso−プロピル基、シクロプロピル基、n−ブチル基、iso−ブチル基、tert−ブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などが挙げられ、このうち、炭素数5以下の置換基が
分解時に常温で気体である為好ましく、分解時に常温で気体であり、嵩高いために溶解性
が向上するiso−プロピル基、iso−ブチル基、tert−ブチル基が更に好ましい。
R1のアルキル基が有するハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、
ヨウ素原子などが挙げられ、このうち、沸点を降下させる理由でフッ素原子が好ましい。また、R1のアルキル基が有するハロゲン原子の数は置換前のアルキル基が有する水素原
子の半分程度までが好ましい。
R2〜R10のハロゲン原子としては、R1のアルキル基が有するハロゲン原子と同様のものが挙げられ、このうち、溶解性の向上のために嵩高い塩素原子から沃素原子が好ましく、安定性の面から臭素原子が更に好ましい。
ヨウ素原子などが挙げられ、このうち、沸点を降下させる理由でフッ素原子が好ましい。また、R1のアルキル基が有するハロゲン原子の数は置換前のアルキル基が有する水素原
子の半分程度までが好ましい。
R2〜R10のハロゲン原子としては、R1のアルキル基が有するハロゲン原子と同様のものが挙げられ、このうち、溶解性の向上のために嵩高い塩素原子から沃素原子が好ましく、安定性の面から臭素原子が更に好ましい。
R2〜R10の炭素数1〜20の有機基としては、アルキル基、アルケニル基、アルキニ
ル基、芳香環基、複素環基、アルデヒド基、アルキルオキシ基、(ヘテロ)アリールオキシ基、カルボアミノ基、エステル基、アミノカルボニル基、アミノ基、アルキルチオ基、(ヘテロ)アリールチオ基などが挙げられる。このうち、アルキル基、カルボアミノ基、アミノカルボニル基、エステル基が好ましく、アミノカルボニル基、エステル基が更に好ましい。
ル基、芳香環基、複素環基、アルデヒド基、アルキルオキシ基、(ヘテロ)アリールオキシ基、カルボアミノ基、エステル基、アミノカルボニル基、アミノ基、アルキルチオ基、(ヘテロ)アリールチオ基などが挙げられる。このうち、アルキル基、カルボアミノ基、アミノカルボニル基、エステル基が好ましく、アミノカルボニル基、エステル基が更に好ましい。
R2〜R10のアルキル基としては、R1の有するアルキル基と同様のものが挙げられ、このうち、分岐アルキル基が好ましく、iso−プロピル基、iso−ブチル基、tert−ブチル基が更に好ましい。
R2〜R10のアルケニル基は、鎖状で環状でもよく、鎖状アルキル基は直鎖状でも分岐
状でもよい。具体的には、2−メチル−1−プロペニル基、3−メチル−2−ブテニル基、3−メチル−2−オクテニル基、シクロペンテニル基、シクロヘキセニル基、ビシクロ[2.2.2]オクト−2−エン−2−イル基などが挙げられ、このうち、2−メチル−1−プロペニル基、3−メチル−2−ブテニル基が好ましく、2−メチル−1−プロペニル基が更に好ましい。
R2〜R10のアルケニル基は、鎖状で環状でもよく、鎖状アルキル基は直鎖状でも分岐
状でもよい。具体的には、2−メチル−1−プロペニル基、3−メチル−2−ブテニル基、3−メチル−2−オクテニル基、シクロペンテニル基、シクロヘキセニル基、ビシクロ[2.2.2]オクト−2−エン−2−イル基などが挙げられ、このうち、2−メチル−1−プロペニル基、3−メチル−2−ブテニル基が好ましく、2−メチル−1−プロペニル基が更に好ましい。
R2〜R10のアルキニル基は、鎖状で環状でもよく、鎖状アルキル基は直鎖状でも分岐
状でもよい。具体的には、2−ブチン−3−イル基、3−メチル−1−ブチン−3−イル基、シクロヘプチン−3−イル基などが挙げられ、このうち、2−ブチン−3−イル基、3−メチル−1−ブチン−3−イル基が好ましく、2−ブチン−3−イル基が更に好ましい。
状でもよい。具体的には、2−ブチン−3−イル基、3−メチル−1−ブチン−3−イル基、シクロヘプチン−3−イル基などが挙げられ、このうち、2−ブチン−3−イル基、3−メチル−1−ブチン−3−イル基が好ましく、2−ブチン−3−イル基が更に好ましい。
R2〜R10の芳香環基は、芳香族性を有する環、すなわち(4n+2)π電子系(nは
自然数)を有する環であればよい。芳香環基の骨格構造は、通常、5または6員環の、単環または2〜3縮合環である。芳香環の骨格構造の具体例としては、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ナフタセン環、ペリレン環、アズレン環、フェロセン環等の芳香族炭化水素環が挙げられ、このうち、ベンゼン環、ナフタレン環が好ましく、ベンゼン環が更に好ましい。
自然数)を有する環であればよい。芳香環基の骨格構造は、通常、5または6員環の、単環または2〜3縮合環である。芳香環の骨格構造の具体例としては、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ナフタセン環、ペリレン環、アズレン環、フェロセン環等の芳香族炭化水素環が挙げられ、このうち、ベンゼン環、ナフタレン環が好ましく、ベンゼン環が更に好ましい。
R2〜R10の複素環基を構成するヘテロ原子は、通常、O、S、Se、N、P、Sなど
であり、好ましくは、O、S、Nである。芳香族複素環がヘテロ原子を2個以上含む場合、複数のヘテロ原子は同一であっても異なっていてもよい。また、複素環は、芳香族性を有していても有していなくてもよい。具体的には、ピリジン環、ピラジン環、フラン環、チオフェン環、ピロール環、ベンゾチオフェン環、ベンゾピロール環、イミダゾール環、オキサジアゾール環、キノリン環、イソキノリン環、キノキサリン環、ベンゾフラン環、カルバゾール環、チアゾール環、ジベンゾチオフェン環等の芳香族複素環、ピロリジン環、ピペリジン環、イミダゾリジン環、ピペラジン環、モルホリン環、キヌクリジン環芳香族性を有しない複素環が挙げられる。このうち、キヌクリジン環、モルホリン環が好まし
く、モルホリン環が更に好ましい。
であり、好ましくは、O、S、Nである。芳香族複素環がヘテロ原子を2個以上含む場合、複数のヘテロ原子は同一であっても異なっていてもよい。また、複素環は、芳香族性を有していても有していなくてもよい。具体的には、ピリジン環、ピラジン環、フラン環、チオフェン環、ピロール環、ベンゾチオフェン環、ベンゾピロール環、イミダゾール環、オキサジアゾール環、キノリン環、イソキノリン環、キノキサリン環、ベンゾフラン環、カルバゾール環、チアゾール環、ジベンゾチオフェン環等の芳香族複素環、ピロリジン環、ピペリジン環、イミダゾリジン環、ピペラジン環、モルホリン環、キヌクリジン環芳香族性を有しない複素環が挙げられる。このうち、キヌクリジン環、モルホリン環が好まし
く、モルホリン環が更に好ましい。
R2〜R10のアルキルオキシ基は、具体的には、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオ
キシ基、ヘキシルオキシ基などが挙げられ、このうち、メトキシ基、エトキシ基が好ましく、メトキシ基が更に好ましい。
(ヘテロ)アリールオキシ基とは、アリールオキシ基とヘテロアリールオキシ基の総称であり、R2〜R10のアリールオキシ基としては、具体的には、フェノキシ基、ナフチル
オキシ基、2−チエニルオキシ基、2−フリルオキシ基、2−キノリルオキシ基、2−オキサジアゾリルオキシ基、5-テトラゾリル基などが挙げられ、このうち、フェノキシ基
、チエニルオキシ基が好ましく、フェノキシ基が更に好ましい。
キシ基、ヘキシルオキシ基などが挙げられ、このうち、メトキシ基、エトキシ基が好ましく、メトキシ基が更に好ましい。
(ヘテロ)アリールオキシ基とは、アリールオキシ基とヘテロアリールオキシ基の総称であり、R2〜R10のアリールオキシ基としては、具体的には、フェノキシ基、ナフチル
オキシ基、2−チエニルオキシ基、2−フリルオキシ基、2−キノリルオキシ基、2−オキサジアゾリルオキシ基、5-テトラゾリル基などが挙げられ、このうち、フェノキシ基
、チエニルオキシ基が好ましく、フェノキシ基が更に好ましい。
R2〜R10のカルボアミノ基は、具体的には、アセチルアミノ基、エチルカルボアミノ
基、プロピルカルボアミノ基、ベンジルアミノ基が挙げられ、このうち、アセチルアミノ、エチルアミノが好ましく、アセチルアミノ基が更に好ましい。
R2〜R10のエステル基は、具体的には、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル
基、ブトキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基などが挙げられ、このうち、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基が好ましく、メトキシカルボニル基が更に好ましい。
基、プロピルカルボアミノ基、ベンジルアミノ基が挙げられ、このうち、アセチルアミノ、エチルアミノが好ましく、アセチルアミノ基が更に好ましい。
R2〜R10のエステル基は、具体的には、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル
基、ブトキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基などが挙げられ、このうち、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基が好ましく、メトキシカルボニル基が更に好ましい。
R2〜R10のアミノカルボニル基は、具体的には、カルバモイル、メチルアミノカルボ
ニル基、ジメチルアミノカルボニル基、エチルアミノカルボニル基、ジエチルアミノカルボニル基、メチルフェニルアミノカルボニル基、ジフェニルアミノカルボニル基などが挙げられ、このうち、メチルアミノカルボニル基、ジメチルアミノカルボニル基、エチルアミノカルボニル基、ジエチルアミノカルボニル基が好ましく、ジメチルアミノカルボニル基、ジエチルアミノカルボニル基が更に好ましい。
ニル基、ジメチルアミノカルボニル基、エチルアミノカルボニル基、ジエチルアミノカルボニル基、メチルフェニルアミノカルボニル基、ジフェニルアミノカルボニル基などが挙げられ、このうち、メチルアミノカルボニル基、ジメチルアミノカルボニル基、エチルアミノカルボニル基、ジエチルアミノカルボニル基が好ましく、ジメチルアミノカルボニル基、ジエチルアミノカルボニル基が更に好ましい。
R2〜R10のアミノ基は、モノアルキルアミノ基、モノアリールアミノ基、モノヘテロ
アリールアミノ基(以下、モノアリールアミノ基とモノヘテロアリールアミノ基をまとめてモノ(ヘテロ)アリールアミノ基と略記することがある)、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基、ジヘテロアリールアミノ基(以下、ジアリールアミノ基とジヘテロアリールアミノ基をまとめてジ(ヘテロ)アリールアミノ基と略記することがある。)、アルキルアリールアミノ基、アルキルヘテロアリールアミノ基(以下、アルキルアリールアミノ基、アルキルヘテロアリールアミノ基をまとめてアルキル(ヘテロ)アリールアミノ基と略記することがある。)等の置換アミノ基等が挙げられる。好ましくは、ジアルキルアミノ基、ジ(ヘテロ)アリールアミノ基アルキル(ヘテロ)アリールアミノ基、特に好ましくは、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基が好ましい。
アリールアミノ基(以下、モノアリールアミノ基とモノヘテロアリールアミノ基をまとめてモノ(ヘテロ)アリールアミノ基と略記することがある)、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基、ジヘテロアリールアミノ基(以下、ジアリールアミノ基とジヘテロアリールアミノ基をまとめてジ(ヘテロ)アリールアミノ基と略記することがある。)、アルキルアリールアミノ基、アルキルヘテロアリールアミノ基(以下、アルキルアリールアミノ基、アルキルヘテロアリールアミノ基をまとめてアルキル(ヘテロ)アリールアミノ基と略記することがある。)等の置換アミノ基等が挙げられる。好ましくは、ジアルキルアミノ基、ジ(ヘテロ)アリールアミノ基アルキル(ヘテロ)アリールアミノ基、特に好ましくは、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基が好ましい。
モノアルキルアミノ基としては、メチルアミノ基、エチルアミノ基、イソプロピルアミノ基、ブチルアミノ基などのアルキル基の炭素数が通常1〜20、好ましくは2〜10のもの等が挙げられる。
モノ(ヘテロ)アリールアミノ基としては、フェニルアミノ基、ナフチルアミノ基、トリルアミノ基、2−チエニルアミノ基、2−フリルアミノ基などの(ヘテロ)アリール基の炭素数が通常6〜30のもの等が挙げられる。
モノ(ヘテロ)アリールアミノ基としては、フェニルアミノ基、ナフチルアミノ基、トリルアミノ基、2−チエニルアミノ基、2−フリルアミノ基などの(ヘテロ)アリール基の炭素数が通常6〜30のもの等が挙げられる。
ジアルキルアミノ基としては、ジメチルアミノ基、メチルエチルアミノ基、ジイソプロピルアミノ基、ジブチルアミノ基などのアルキル基の炭素数が通常1〜20、好ましくは2〜10のもの等が挙げられる。
ジ(ヘテロ)アリールアミノ基としては、ジフェニルアミノ基、ジナフチルアミノ基、ナフチルフェニルアミノ基、ジトリルアミノ基、ジ(2−チエニル)アミノ基、ジ(2−フリル)アミノ基、フェニル(2−チエニル)アミノ基などの(ヘテロ)アリール基の炭
素数が通常6〜30のもの等が挙げられる。
ジ(ヘテロ)アリールアミノ基としては、ジフェニルアミノ基、ジナフチルアミノ基、ナフチルフェニルアミノ基、ジトリルアミノ基、ジ(2−チエニル)アミノ基、ジ(2−フリル)アミノ基、フェニル(2−チエニル)アミノ基などの(ヘテロ)アリール基の炭
素数が通常6〜30のもの等が挙げられる。
アルキル(ヘテロ)アリールアミノ基としては、メチル基、エチル基、イソプロピル基などのアルキル基の炭素数が1〜10、(ヘテロ)アリール基の炭素数が4〜10のもの等が挙げられる。
R2〜R10のアルキルチオ基は、具体的には、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピル
チオ基、オクチルチオ基などが挙げられ、このうち、メチルチオ基、エチルチオ基が好ましく、メチルチオ基が更に好ましい。
R2〜R10のアルキルチオ基は、具体的には、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピル
チオ基、オクチルチオ基などが挙げられ、このうち、メチルチオ基、エチルチオ基が好ましく、メチルチオ基が更に好ましい。
R2〜R10のアリールチオ基は、具体的には、フェニルチオ基、ナフチルチオ基、チエ
ニルチオ基、フリルチオ基が挙げられ、このうち、フェニルチオ基、チエニルチオ基、フリルチオ基が好ましく、フェニルチオ基が更に好ましい。
また、R2〜R10のうち、隣接する官能基同士が結合して環状構造を形成していてもよ
い。例えば、フェノキサチン、フェノキサジン、フェノチアジンなどの隣接する基同士が結合している構造が挙げられる。(ここで、図中のベンゼン環は、上述の一般式[1]中のベンゼン環を示す。)
ニルチオ基、フリルチオ基が挙げられ、このうち、フェニルチオ基、チエニルチオ基、フリルチオ基が好ましく、フェニルチオ基が更に好ましい。
また、R2〜R10のうち、隣接する官能基同士が結合して環状構造を形成していてもよ
い。例えば、フェノキサチン、フェノキサジン、フェノチアジンなどの隣接する基同士が結合している構造が挙げられる。(ここで、図中のベンゼン環は、上述の一般式[1]中のベンゼン環を示す。)
上述の一般式[1]で表わされる化合物の具体例を以下に例示する。
上述の一般式[1]で表わされる化合物は、単独で用いても、2種以上を併用してもよい。
上述の一般式[1]で表わされる構造を有する化合物は、例えば、以下の方法で合成することができる。以下に合成方法の好ましい一例を説明する。
例えば上述の一般式[1]においてR1=tert-ブチル、R2〜R10=Hの場合について説明する。
上述の一般式[1]で表わされる構造を有する化合物は、例えば、以下の方法で合成することができる。以下に合成方法の好ましい一例を説明する。
例えば上述の一般式[1]においてR1=tert-ブチル、R2〜R10=Hの場合について説明する。
水素化ナトリウム等の強塩基1molと以下の一般式[2]で示されるキノフタロン化合物1molを強塩基に安定な有機溶媒中で10分〜1時間撹拌後、以下の一般式[3]で示されるピロカルボン酸エステルを加え、室温から100℃で1時間から24時間撹拌する。反応液を水に注ぎ、水と混和しない有機溶媒にて抽出し、乾燥剤で乾燥させ、溶媒を減圧下で留去させる。残渣を、再結晶、カラムクロマトグラフィー等の精製方法にて精製し、上述の一般式[1]で表される化合物を単離することができる。
(式中、R2〜R10は、上述の一般式(1)と同義)
(式中、R1は上述の一般式(1)と同義)
このようにして得られる光学記録媒体用色素の分解温度は、常圧で、通常は150〜4
00℃の範囲であり、置換基の選択により上限を300℃、下限を200℃とすることも容易である。従って、これを用いる光学記録媒体は小さいエネルギーでレーザー書き込みが可能であり、かつ下記に車内等に放置しても色素が分解して記録が消失する恐れがないと考えられる。
このようにして得られる光学記録媒体用色素の分解温度は、常圧で、通常は150〜4
00℃の範囲であり、置換基の選択により上限を300℃、下限を200℃とすることも容易である。従って、これを用いる光学記録媒体は小さいエネルギーでレーザー書き込みが可能であり、かつ下記に車内等に放置しても色素が分解して記録が消失する恐れがないと考えられる。
また、記録層の形成が容易な点からして、上述の色素を用いて本発明に係る光学記録媒体の記録層を形成する際は、溶媒、特に、テトラフルオロプロパノール、メチルシクロヘキサン、ジクロロメタンのように光学記録媒体の記録層の製膜に用いる溶媒に対する溶解性が良好なものを用いるのが好ましい。溶解性が良好であるとは、室温(通常、15〜30℃)で、溶媒1000cm3に対して、10g以上溶解する(目視で沈殿が無い)ことをいう。
本発明に光記録媒体用の記録層の形成は、真空蒸着法、スパッタリング法、ドクターブレード法、キャスト法、スピンコート法、浸漬法等の一般に行われている薄膜形成法で行うことができる。量産性、コスト面からスピンコート法が好ましい。スピンコート法により記録層を製膜する場合、回転数は500〜5000rpmが好ましく、スピンコート後、必要に応じて、加熱又は溶媒蒸気にさらす等の処理を行ってもよい。記録層の膜厚は、特に限定されないが、通常100Å〜5μm、好ましくは700Å〜3μmである。
記録層は製膜性を向上させるためにバインダーを含有していてもよい。バインダーとしては、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、ケトン樹脂、ニトロセルロース、酢酸セルロース、ポリビニルブチラール、ポリカーボネート等既知のものが用いられる。記録層に占めるバインダーの割合が高すぎると記録感度が著しく低下するので、バインダーを用いる場合、一般式[1]で表わされる色素が記録層に占める割合は、通常10重量%以上、好ましくは50重量%以上、特に好ましくは90重量%以上となるようにすべきである。
また、記録層は、安定性や耐光性向上のための一重項酸素クエンチャーや記録感度向上剤などを含有していてもよい。
一重項酸素クエンチャーとしては、アセチルアセトナート、ビスフェニルジチオール、サリチルアルデヒドオキシム、ビスジチオ−α−ジケトン等と遷移金属とのキレート化合物などが挙げられる。
一重項酸素クエンチャーとしては、アセチルアセトナート、ビスフェニルジチオール、サリチルアルデヒドオキシム、ビスジチオ−α−ジケトン等と遷移金属とのキレート化合物などが挙げられる。
記録感度向上剤としては、遷移金属等の金属が原子、イオン、クラスター等の形で化合物に含まれる金属系化合物等が挙げられ、例えばエチレンジアミン系錯体、アゾメチン系錯体、フェニルヒドロキシアミン系錯体、フェナントロリン系錯体、ジヒドロキシアゾベンゼン系錯体、ジオキシム系錯体、ニトロソアミノフェノール系錯体、ピリジルトリアジン系錯体、アセチルアセトナート系錯体、メタロセン系錯体のような有機金属化合物などが挙げられる。金属原子の種類は特に限定されないが、遷移金属が好ましい。
記録層は、本発明の効果を損なわない範囲で一般式[1]で表わされる色素以外の色素を含有していても良い。一般式[1]で表わされる色素以外の色素としては、記録用のレーザー光波長域に吸収を有し、照射されたレーザー光のエネルギーを吸収して、照射部分の記録層、反射層又は基板に、分解、蒸発、溶解等の熱的変形を伴うピットを形成させるものが好ましい。また、CD−R向けの770〜830nmの範囲から選ばれた波長の近赤外レーザー光やDVD−R向けの620〜690nmの範囲から選ばれた赤色レーザー光での記録に適する色素を併用して、複数の波長域のレーザー光での記録に対応する光学記録材料とすることもできる。このような色素としては、具体的には、含金属アゾ系色素、フタロシアニン系色素、ナフタロシアニン系色素、シアニン系色素、アゾ系色素、スクアリリウム系色素、含金属インドアニリン系色素、トリアリールメタン系色素、メロシアニン系色素、アズレニウム系色素、ナフトキノン系色素、アントラキノン系色素、インドフェノール系色素、キサンテン系色素、オキサジン系色素、ピリリウム系色素等が挙げられる。
記録層をドクターブレード法、キャスト法、スピンコート法、浸漬法等により形成する場合には通常、一般式[1]で表わされる色素、バインダー、一重項酸素クエンチャー、記録感度向上剤及び他の色素等を溶媒に溶解させ、塗布液を作成する。溶媒としては、基板を侵さない溶媒であれば、特に限定されないが、ジアセトンアルコール、3−ヒドロキシ−3−メチル−2−ブタノン等のケトンアルコール系溶媒、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ等のセロソルブ系溶媒、n−ヘキサン、n−オクタン等の鎖状炭化水素系溶媒、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、ジメチルシクロヘキサン、n−ブチルシクロヘキサン、t−ブチルシクロヘキサン、シクロオクタン等の脂環式炭化水素系溶媒、ジイソプロピルエーテル、ジブチルエーテル等のエーテル系溶媒、テトラフルオロプロパノール、オクタフルオロペンタノール、ヘキサフルオロブタノール等のパーフルオロアルキルアルコール系溶媒、乳酸メチル、乳酸エチル、イソ酪酸メチル等のヒドロキシエステル系溶媒等が挙げられる。
光学記録媒体の基板としては、ガラスや種々のプラスチックなど、使用するレーザー光に対して透明なものが好ましく用いられる。プラスチックとしては、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹脂、ニトロセルロース、ポリエステル樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリスチレン樹脂、エポキシ樹脂等が挙げられるが、生産性、コスト、耐吸湿性などの点からポリカーボネート樹脂を射出成形するのが好ましい。
通常、基板上には、必要に応じて更に、反射層、保護層、下引き層などの記録層以外の層が設けられ、光学記録媒体として使用される。反射層としては、金、銀、アルミニウム又はそれらの合金のような金属からなるもの等が挙げられるが、550nm以下の波長のレーザー光に対する反射率から、金やアルミニウムより、銀の方が好ましい。金属反射層は、蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法などによって記録層上に製膜される。ここで、金属反射層と記録層との間に層間の密着力を向上させるため、又は、反射率を高める等の目的で中間層を設けてもよい。反射層の上に形成する保護層の材料としては、例えば、紫外線硬化型樹脂組成物などが挙げられる。
更に、接着層を介して2枚の光学記録媒体を貼りあわせ、両面記録型光学記録媒体としてもよいし、記録層を基板の両面に設けてもよいし、片面に設けてもよい。
上述のようにして得られた光学記録媒体への情報の記録は、通常、記録層に0.4〜0.6μm程度に集束したレーザー光を照射することにより行う。記録層がレーザー光のエネルギーを吸収すると、レーザー光照射部分では、分解、発熱、溶融等の熱的変形が起こる。記録された情報の再生は、レーザー光による上記熱的変形が起きている部分と起きていない部分の反射率の差を読み取ることにより行う。
上述のようにして得られた光学記録媒体への情報の記録は、通常、記録層に0.4〜0.6μm程度に集束したレーザー光を照射することにより行う。記録層がレーザー光のエネルギーを吸収すると、レーザー光照射部分では、分解、発熱、溶融等の熱的変形が起こる。記録された情報の再生は、レーザー光による上記熱的変形が起きている部分と起きていない部分の反射率の差を読み取ることにより行う。
高密度記録のためには、使用するレーザー光の波長が短いほど好ましく、特に、波長350nm〜530nmのレーザー光が好ましい。かかるレーザー光の代表例としては、例えば、中心波長405nm、410nmなどの青色レーザー光、中心波長515nmの青緑色の高出力半導体レーザー光が挙げられる。これら以外にも(a)基本発振波長が740〜960nmの連続発振可能な半導体レーザー光、又は(b)半導体レーザー光によって励起されかつ基本発振波長が740〜960nmの連続発振可能な固体レーザー光のいずれかを、第二高調波発生素子(SHG)により波長変換することによって得られる光なども挙げられる。
上記のSHGとしては、反射対称性を欠くピエゾ素子であればいかなるものでもよいが、KDP、ADP、BNN、KN、LBO、化合物半導体などが好ましい。第二高調波の具体例としては、基本発振波長が860nmの半導体レーザーの場合は、その倍波の波長430nm、また半導体レーザー励起の固体レーザーの場合は、CrドープしたLiSrAlF6結晶(基本発振波長860nm)からの倍波の波長430nmなどが挙げられる。
本発明に係る光学記録媒体の吸光特性は、記録層に用いる一般式[1]で表される色素の有する共役系の長さなどの電子状態等に依存する。光学記録材料として好ましい吸光特性、特に、λmaxは、記録に用いるレーザー光の種類に依存して異なる。開発が進められ
つつある350〜530nmを中心波長とする青色レーザー光に対応させるためには、λmaxが405±70nmの領域にある化合物が好ましい。
つつある350〜530nmを中心波長とする青色レーザー光に対応させるためには、λmaxが405±70nmの領域にある化合物が好ましい。
以下に実施例を挙げて本発明をより具体的に説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の実施例に限定されるものではない。
(実施例1)
<化合物−1の合成>
水素化ナトリウム(60%ディスパージョン)(83mg)をテトラヒドロフラン(10mL)に懸濁させ、2−(3−ヒドロキシ−6−イソプロピルキノリン−2−イル)−1,3−ジオキソ−インダン−5−カルボン酸ジブチルアミド(1.0g)のテトラヒドロフラン(10mL)溶液を滴下した。滴下終了後30分間撹拌し、ピロカルボン酸tert−ブチルエステル(450mg)を滴下した。反応混合物を60℃で6時間撹拌し、水にあけ、塩化メチレンで抽出した。有機層を硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を減圧下に留去し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し化合物−1(470mg、収率39%)を得た。同定は核磁気共鳴スペクトル(NMR)及び質量分析により行った。
得られた化合物のクロロホルム中(濃度11mg/L)の吸収スペクトルは456nm(ε=32200)であった。
(実施例1)
<化合物−1の合成>
水素化ナトリウム(60%ディスパージョン)(83mg)をテトラヒドロフラン(10mL)に懸濁させ、2−(3−ヒドロキシ−6−イソプロピルキノリン−2−イル)−1,3−ジオキソ−インダン−5−カルボン酸ジブチルアミド(1.0g)のテトラヒドロフラン(10mL)溶液を滴下した。滴下終了後30分間撹拌し、ピロカルボン酸tert−ブチルエステル(450mg)を滴下した。反応混合物を60℃で6時間撹拌し、水にあけ、塩化メチレンで抽出した。有機層を硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を減圧下に留去し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し化合物−1(470mg、収率39%)を得た。同定は核磁気共鳴スペクトル(NMR)及び質量分析により行った。
得られた化合物のクロロホルム中(濃度11mg/L)の吸収スペクトルは456nm(ε=32200)であった。
<光学記録媒体の作製>
得られた化合物−1をテトラフルオロプロパノールに1重量%となるように溶解した後、濾過し、塗布液とした。この塗布液を厚さ6mmのポリカーボネート板上に、スピンコート法により塗布した後、100℃で30分間乾燥して、厚さ50nmの記録層を作成した。記録層はアモルファス状であった。
得られた光学記録媒体に中心波長405nmの半導体レーザー光を照射したところ、良好な記録ピットの形成が確認された。
得られた化合物−1をテトラフルオロプロパノールに1重量%となるように溶解した後、濾過し、塗布液とした。この塗布液を厚さ6mmのポリカーボネート板上に、スピンコート法により塗布した後、100℃で30分間乾燥して、厚さ50nmの記録層を作成した。記録層はアモルファス状であった。
得られた光学記録媒体に中心波長405nmの半導体レーザー光を照射したところ、良好な記録ピットの形成が確認された。
(実施例2)
<化合物−2の合成>
水素化ナトリウム(60%)(240mg)をテトラヒドロフランに懸濁させ、2−(4−ブロモ−3−ヒドロキシキノリン−2−イル)−1,3−ジオキソ−インダン−5−カルボン酸ジプロピルアミド(2g)のDMF(20mL)溶液を滴下した。滴下終了後30分間撹拌し、ピロカルボン酸tert−ブチルエステル(1.7g、8.08mmolを滴下した。反応混合物を60℃で6時間撹拌し、水にあけ、塩化メチレンで抽出した。有機層を硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を減圧下に留去し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し化合物−2(320mg、収率13%)を得た。同定は核磁気共鳴スペクトル(NMR)及び質量分析により行った。
得られた化合物のクロロホルム中(濃度11mg/L)の吸収スペクトルは450nm(ε=64900)であった。
<化合物−2の合成>
水素化ナトリウム(60%)(240mg)をテトラヒドロフランに懸濁させ、2−(4−ブロモ−3−ヒドロキシキノリン−2−イル)−1,3−ジオキソ−インダン−5−カルボン酸ジプロピルアミド(2g)のDMF(20mL)溶液を滴下した。滴下終了後30分間撹拌し、ピロカルボン酸tert−ブチルエステル(1.7g、8.08mmolを滴下した。反応混合物を60℃で6時間撹拌し、水にあけ、塩化メチレンで抽出した。有機層を硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を減圧下に留去し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し化合物−2(320mg、収率13%)を得た。同定は核磁気共鳴スペクトル(NMR)及び質量分析により行った。
得られた化合物のクロロホルム中(濃度11mg/L)の吸収スペクトルは450nm(ε=64900)であった。
実施例1と同様に光学記録媒体を作製したところ、中心波長405nmの半導体レーザー光照射で良好な記録ピットの形成が確認された。
Claims (3)
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JP2004374385A JP2006181715A (ja) | 2004-12-24 | 2004-12-24 | 光学記録媒体 |
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JP2004374385A JP2006181715A (ja) | 2004-12-24 | 2004-12-24 | 光学記録媒体 |
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