JP2006165126A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006165126A JP2006165126A JP2004351862A JP2004351862A JP2006165126A JP 2006165126 A JP2006165126 A JP 2006165126A JP 2004351862 A JP2004351862 A JP 2004351862A JP 2004351862 A JP2004351862 A JP 2004351862A JP 2006165126 A JP2006165126 A JP 2006165126A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- upper electrode
- ferroelectric
- semiconductor device
- manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Images
Landscapes
- Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
【課題】 ダミーパターンの形成に伴う動作の不具合を抑制することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板1の上方に下部電極膜9を形成した後、下部電極膜9上に強誘電体膜10を形成する。次に、強誘電体膜10上に上部電極膜11を形成する。次いで、上部電極膜11をパターニングする。その後、強誘電体膜10をパターニングする。続いて、下部電極膜9をパターニングする。そして、上部電極膜11をパターニングする工程において、実際に使用される強誘電体キャパシタの上部電極11aをセルアレイ領域31内に形成すると共に、上部電極11aと同一の大きさの擬似上部電極を周辺回路領域32内に形成する。
【選択図】 図2C
【解決手段】 半導体基板1の上方に下部電極膜9を形成した後、下部電極膜9上に強誘電体膜10を形成する。次に、強誘電体膜10上に上部電極膜11を形成する。次いで、上部電極膜11をパターニングする。その後、強誘電体膜10をパターニングする。続いて、下部電極膜9をパターニングする。そして、上部電極膜11をパターニングする工程において、実際に使用される強誘電体キャパシタの上部電極11aをセルアレイ領域31内に形成すると共に、上部電極11aと同一の大きさの擬似上部電極を周辺回路領域32内に形成する。
【選択図】 図2C
Description
本発明は、強誘電体キャパシタを備えた半導体装置の製造方法に関する。
従来、半導体装置の製造に当たっては、パターンの占有面積をウェハ内で均一化するために、動作に必要なメインパターンだけでなく、動作に影響を与えないダミーパターンを形成することがある。このような占有面積の均一化は、例えば化学機械的研磨(CMP)等の後の工程を考慮したものである。そして、強誘電体メモリにおいても、ダミーパターンの形成が行われており、特許文献1には、強誘電体キャパシタの外周部にダミーパターンを形成することが記載されている。
また、強誘電体キャパシタの形成に当たっては、例えば上部電極膜のエッチング時にデポ物がレジストパターンの側部に付着して、エッチングフェンスが形成される。このため、意図的にレジストパターンを後退させることにより、エッチングフェンスを除去するようにしている。
しかしながら、従来の方法で、強誘電体キャパシタの周囲にダミーパターンを形成した場合には、完成した強誘電体メモリが正常に動作しないことがある。
本発明は、ダミーパターンの形成に伴う動作の不具合を抑制することができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
本願発明者は、上述のような問題点の原因を究明すべく鋭意検討を重ねた結果、メインパターンを形成する際のエッチングフェンスを除去できていても、ダミーパターンにエッチングフェンスが残存していることを見出した。従来、ダミーパターンの平面形状は、慣習的に用いられてきたものとされており、強誘電体キャパシタの上部電極については、例えば一辺の長さが1.0μmの正方形とされている。その一方で、強誘電体キャパシタの平面形状は、高密度化に伴って微細なものに変化してきており、メインパターンにおける上部電極の平面形状をダミーパターンのそれよりも小さなものとすることもある。かかる場合、ダミーパターンにおいて多くのエッチングフェンスが発生するため、メインパターンのエッチングフェンスを除去した時点でレジストパターンの後退を停止すると、ダミーパターンではエッチングフェンスが残存した状態となる。これに対し、ダミーパターンのエッチングフェンスを完全に除去しようとすると、過剰なエッチングによりメインパターンにダメージが生じる。
そして、上述のようにエッチングフェンスが残存していると、その後の洗浄工程等において、エッチングフェンスが崩落したり、飛散したりして、強誘電体キャパシタ間に入り込むこともある。この結果、リークが発生したりして強誘電体メモリが正常に動作しなくなってしまうのである。
そして、本願発明者は、このような見解に基づいて鋭意検討を更に重ねた結果、以下に示す発明の諸態様に想到した。
本発明に係る半導体装置の製造方法では、半導体基板の上方に下部電極膜を形成した後、前記下部電極膜上に強誘電体膜を形成する。次に、前記強誘電体膜上に上部電極膜を形成する。次いで、前記上部電極膜をパターニングする。その後、前記強誘電体膜をパターニングする。続いて、前記下部電極膜をパターニングする。そして、前記上部電極膜をパターニングする工程において、実際に使用される強誘電体キャパシタの上部電極を形成すると共に、前記上部電極と同一の大きさの擬似上部電極を形成する。
本発明によれば、擬似上部電極を上部電極と同一の大きさとしているため、擬似上部電極を形成する際に発生するエッチングフェンスの量が上部電極を形成する際のそれと同程度となる。このため、過剰なエッチングを行わずとも、エッチングフェンスを確実に除去することができる。従って、エッチングフェンスの崩落等に伴う不具合を抑制することができる。
以下、本発明の実施形態について、添付の図面を参照して具体的に説明する。図1は、本発明の実施形態に係る方法によって製造する強誘電体メモリ(半導体装置)のメモリセルアレイの構成を示す回路図である。
このメモリセルアレイには、一の方向に延びる複数本のビット線103、並びにビット線103が延びる方向に対して垂直な方向に延びる複数本のワード線104及びプレート線105が設けられている。また、これらのビット線103、ワード線104及びプレート線105が構成する格子と整合するようにして、複数個の本実施形態に係る強誘電体メモリのメモリセルがアレイ状に配置されている。各メモリセルには、強誘電体キャパシタ101及びMOSトランジスタ102が設けられている。
MOSトランジスタ102のゲートはワード線104に接続されている。また、MOSトランジスタ102の一方のソース・ドレインはビット線103に接続され、他方のソース・ドレインは強誘電体キャパシタ101の一方の電極に接続されている。そして、強誘電体キャパシタ101の他方の電極がプレート線105に接続されている。なお、各ワード線104及びプレート線105は、それらが延びる方向と同一の方向に並ぶ複数個のMOSトランジスタ102により共有されている。同様に、各ビット線103は、それが延びる方向と同一の方向に並ぶ複数個のMOSトランジスタ102により共有されている。ワード線104及びプレート線105が延びる方向、ビット線103が延びる方向は、夫々行方向、列方向とよばれることがある。
このように構成された強誘電体メモリのメモリセルアレイでは、強誘電体キャパシタ1に設けられた強誘電体膜の分極状態に応じて、データが記憶される。
次に、本発明の実施形態について説明する。図2A乃至図2Fは、本発明の実施形態に係る強誘電体メモリ(半導体装置)の製造方法を工程順に示す断面図である。
本実施形態においては、先ず、図2Aに示すように、Si基板等の半導体基板1の表面に、素子活性領域を区画する素子分離絶縁膜2を、例えばロコス(LOCOS:Local Oxidation of Silicon)法により形成する。次に、素子分離絶縁膜2により区画された素子活性領域内に、ゲート絶縁膜3、ゲート電極4、シリサイド層5、サイドウォール6、並びに低濃度拡散層21及び高濃度拡散層22からなるソース・ドレイン拡散層を備えたトランジスタ(MOSFET)を形成する。このトランジスタは、図1中のMOSトランジスタ102に相当する。ゲート絶縁膜3としては、例えば、熱酸化により、厚さが100nm程度のSiO2膜を形成する。次いで、全面に、シリコン酸窒化膜7を、MOSFETを覆うようにして形成し、更に全面にシリコン酸化膜8aを形成する。シリコン酸窒化膜7は、シリコン酸化膜8aを形成する際のゲート絶縁膜3等の水素劣化を防止するために形成されている。シリコン酸化膜8aとしては、例えば、CVD法により、厚さが700nm程度のTEOS(tetraethylorthosilicate)膜を形成する。
その後、N2雰囲気中で、650℃、30分間のアニール処理を行うことにより、シリコン酸化膜8aの脱ガスを行う。次に、シリコン酸化膜8a上に、下部電極密着層として、例えば、スパッタ法により、厚さが20nm程度のAl2O3膜8bを形成する。Al2O3膜8b上に下部電極膜9を形成する。下部電極膜9としては、例えば、スパッタ法により、厚さが150nm程度のPt膜を形成する。
次に、同じく図2Aに示すように、下部電極膜9上に強誘電体膜10をアモルファス状態で形成する。強誘電体膜10としては、例えば、PLZT((Pb,La)(Zr,Ti)O3)ターゲットを用い、RFスパッタ法により、厚さが100nm乃至200nm程度のPLZT膜を形成する。次いで、Ar及びO2を含有する雰囲気中で650℃以下での熱処理(RTA:Rapid Thermal Annealing)を行い、更に、酸素雰囲気中で750℃でのRTAを行う。この結果、強誘電体膜10が完全に結晶化すると共に、下部電極膜9を構成するPt膜が緻密化し、下部電極膜9と強誘電体膜10との界面近傍におけるPtとOとの相互拡散が抑制される。
その後、同じく図2Aに示すように、強誘電体膜10上に上部電極膜11を形成する。上部電極膜11の形成に当たっては、例えば、スパッタ法により、厚さが200nm乃至300nm程度の酸化イリジウム膜を形成する。
続いて、図2Bに示すように、上部電極膜11上に上部電極形成用のレジストパターン12を形成する。このとき、図3に示すように、強誘電体メモリのセルアレイ領域31だけでなく、周辺回路領域32にも、同一サイズ及び同一形状のレジストパターン12を形成する。また、レジストパターン12の密度は、セルアレイ領域31及び周辺回路領域32のいずれにおいても実質的に一定とすることが好ましい。
次に、図2Cに示すように、レジストパターン12をマスクとして、上部電極膜11のパターニングを行うことにより、上部電極11aを形成する。このパターニングの結果、レジストパターン12の側部にエッチングフェンス13が発生する。
次いで、図2Dに示すように、更にエッチングを行うことにより、レジストパターン12を後退させる。この結果、エッチングフェンス13が除去される。本実施形態では、レジストパターン12の形状及びサイズが、セルアレイ領域31及び周辺回路領域32において均一となっているため、セルアレイ領域31内のエッチングフェンス13を除去する条件でレジストパターン12を後退させれば、周辺回路領域32内のエッチングフェンス13も同時に除去される。
その後、図2Eに示すように、レジストパターン12を除去する。続いて、図2Fに示すように、強誘電体膜10及び下部電極膜9のパターニングを行うことにより、容量絶縁膜10a及び下部電極9aを形成する。この際、上部電極の形成時と同様に、周辺回路領域32にも、セルアレイ領域31内のものと同一サイズ及び同一形状のレジストパターンを形成し、ダミーパターンを形成することが好ましい。下部電極9a、容量絶縁膜10a及び上部電極11aを備えた強誘電体キャパシタは、図1中の強誘電体キャパシタ101に相当する。そして、層間絶縁膜及び配線等を形成して強誘電体メモリを完成させる。
このような本実施形態によれば、上述のように、セルアレイ領域31内のエッチングフェンス13を除去する条件でレジストパターン12を後退させることにより、周辺回路領域32内のエッチングフェンス13も同時に除去することができる。このため、セルアレイ領域31内の強誘電体キャパシタにダメージを与えることなく、ウェハ全体のエッチングフェンス13が除去される。従って、エッチングフェンス13を起因とするリーク等を防止することができ、特性の劣化を抑制して高い歩留りを得ることができる。
なお、レジストパターン12等の形状は正方形に限定されるものではなく、長方形等としてもよい。また、ダミーパターンを周辺回路領域32内だけでなく、ダイシングライン上にも形成することが好ましい。
また、上記特許文献1には、キャパシタの周囲にダミーパターンを設けることが記載されているが、メインパターンを考慮してその大きさ及び形状を決定することに関しては、何らの記載もない。
以下、本発明の諸態様を付記としてまとめて記載する。
(付記1)
半導体基板の上方に下部電極膜を形成する工程と、
前記下部電極膜上に強誘電体膜を形成する工程と、
前記強誘電体膜上に上部電極膜を形成する工程と、
前記上部電極膜をパターニングする工程と、
前記強誘電体膜をパターニングする工程と、
前記下部電極膜をパターニングする工程と、
を有し、
前記上部電極膜をパターニングする工程において、
実際に使用される強誘電体キャパシタの上部電極を形成すると共に、前記上部電極と同一の大きさの擬似上部電極を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
半導体基板の上方に下部電極膜を形成する工程と、
前記下部電極膜上に強誘電体膜を形成する工程と、
前記強誘電体膜上に上部電極膜を形成する工程と、
前記上部電極膜をパターニングする工程と、
前記強誘電体膜をパターニングする工程と、
前記下部電極膜をパターニングする工程と、
を有し、
前記上部電極膜をパターニングする工程において、
実際に使用される強誘電体キャパシタの上部電極を形成すると共に、前記上部電極と同一の大きさの擬似上部電極を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
(付記2)
前記強誘電体キャパシタを強誘電体メモリのメモリセル用として形成することを特徴とする付記1に記載の半導体装置の製造方法。
前記強誘電体キャパシタを強誘電体メモリのメモリセル用として形成することを特徴とする付記1に記載の半導体装置の製造方法。
(付記3)
前記擬似上部電極の形状を前記上部電極の形状と同一にすることを特徴とする付記1又は2に記載の半導体装置の製造方法。
前記擬似上部電極の形状を前記上部電極の形状と同一にすることを特徴とする付記1又は2に記載の半導体装置の製造方法。
(付記4)
前記上部電極及び擬似上部電極の密度を前記半導体基板の外周内で実質的に一定とすることを特徴とする付記1乃至3のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
前記上部電極及び擬似上部電極の密度を前記半導体基板の外周内で実質的に一定とすることを特徴とする付記1乃至3のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
(付記5)
前記擬似上部電極をダイシングライン上にも形成することを特徴とする付記1乃至4のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
前記擬似上部電極をダイシングライン上にも形成することを特徴とする付記1乃至4のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
(付記6)
前記強誘電体膜をパターニングする工程において、
実際に使用される強誘電体キャパシタの容量絶縁膜を形成すると共に、前記容量絶縁膜と同一の大きさの擬似容量絶縁膜を形成することを特徴とする付記1乃至5のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
前記強誘電体膜をパターニングする工程において、
実際に使用される強誘電体キャパシタの容量絶縁膜を形成すると共に、前記容量絶縁膜と同一の大きさの擬似容量絶縁膜を形成することを特徴とする付記1乃至5のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
(付記7)
前記擬似容量絶縁膜をダイシングライン上にも形成することを特徴とする付記6に記載の半導体装置の製造方法。
前記擬似容量絶縁膜をダイシングライン上にも形成することを特徴とする付記6に記載の半導体装置の製造方法。
(付記8)
前記下部電極膜をパターニングする工程において、
実際に使用される強誘電体キャパシタの下部電極を形成すると共に、前記下部電極と同一の大きさの擬似下部電極を形成することを特徴とする付記1乃至7のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
前記下部電極膜をパターニングする工程において、
実際に使用される強誘電体キャパシタの下部電極を形成すると共に、前記下部電極と同一の大きさの擬似下部電極を形成することを特徴とする付記1乃至7のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
(付記9)
前記擬似下部電極をダイシングライン上にも形成することを特徴とする付記8に記載の半導体装置の製造方法。
前記擬似下部電極をダイシングライン上にも形成することを特徴とする付記8に記載の半導体装置の製造方法。
1:半導体基板
3:ゲート絶縁膜
4:ゲート電極
9:下部電極膜
9a:下部電極
10:強誘電体膜
10a:容量絶縁膜
11:上部電極膜
11a:上部電極
12:レジストパターン
13:エッチングフェンス
31:セルアレイ領域
32:周辺回路領域
101:強誘電体キャパシタ
102:MOSトランジスタ
103:ビット線
104:ワード線
105:プレート線
3:ゲート絶縁膜
4:ゲート電極
9:下部電極膜
9a:下部電極
10:強誘電体膜
10a:容量絶縁膜
11:上部電極膜
11a:上部電極
12:レジストパターン
13:エッチングフェンス
31:セルアレイ領域
32:周辺回路領域
101:強誘電体キャパシタ
102:MOSトランジスタ
103:ビット線
104:ワード線
105:プレート線
Claims (5)
- 半導体基板の上方に下部電極膜を形成する工程と、
前記下部電極膜上に強誘電体膜を形成する工程と、
前記強誘電体膜上に上部電極膜を形成する工程と、
前記上部電極膜をパターニングする工程と、
前記強誘電体膜をパターニングする工程と、
前記下部電極膜をパターニングする工程と、
を有し、
前記上部電極膜をパターニングする工程において、
実際に使用される強誘電体キャパシタの上部電極を形成すると共に、前記上部電極と同一の大きさの擬似上部電極を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記強誘電体キャパシタを強誘電体メモリのメモリセル用として形成することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記擬似上部電極の形状を前記上部電極の形状と同一にすることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記上部電極及び擬似上部電極の密度を前記半導体基板の外周内で実質的に一定とすることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記擬似上部電極をダイシングライン上にも形成することを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004351862A JP2006165126A (ja) | 2004-12-03 | 2004-12-03 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004351862A JP2006165126A (ja) | 2004-12-03 | 2004-12-03 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006165126A true JP2006165126A (ja) | 2006-06-22 |
Family
ID=36666812
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004351862A Withdrawn JP2006165126A (ja) | 2004-12-03 | 2004-12-03 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2006165126A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11101275B2 (en) | 2015-12-18 | 2021-08-24 | Rohm Co., Ltd. | Ferroelectric memory array surrounded by ferroelectric dummy capacitors |
-
2004
- 2004-12-03 JP JP2004351862A patent/JP2006165126A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11101275B2 (en) | 2015-12-18 | 2021-08-24 | Rohm Co., Ltd. | Ferroelectric memory array surrounded by ferroelectric dummy capacitors |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4316358B2 (ja) | 半導体記憶装置及びその製造方法 | |
US6642564B2 (en) | Semiconductor memory and method for fabricating the same | |
US20070184595A1 (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
JP4422644B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP4838613B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
US8367541B2 (en) | Semiconductor device suitable for a ferroelectric memory and manufacturing method of the same | |
US7652377B2 (en) | Semiconductor device and manufacturing method of the same | |
JP4371005B2 (ja) | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 | |
JP4580284B2 (ja) | 強誘電体素子の製造方法 | |
JP3166746B2 (ja) | キャパシタ及びその製造方法 | |
JP2002305289A (ja) | 半導体集積回路装置およびその製造方法 | |
TWI653712B (zh) | 半導體結構及其製造方法 | |
KR101037476B1 (ko) | 반도체 소자 및 그 제조 방법 | |
KR20070003338A (ko) | 반도체 소자 | |
US20100244271A1 (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
KR100699206B1 (ko) | 강유전성 메모리 셀 제조방법 | |
JP4968063B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP5190198B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
US10985262B2 (en) | Semiconductor structure and manufacturing method thereof | |
JP2006165126A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2010192631A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
US7776622B2 (en) | Method for fabricating semiconductor devices | |
JPH1197647A (ja) | 容量及びその製造方法 | |
JP4787152B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP2004095915A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20080205 |