JP2006156627A - 半導体レーザ装置 - Google Patents

半導体レーザ装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2006156627A
JP2006156627A JP2004343593A JP2004343593A JP2006156627A JP 2006156627 A JP2006156627 A JP 2006156627A JP 2004343593 A JP2004343593 A JP 2004343593A JP 2004343593 A JP2004343593 A JP 2004343593A JP 2006156627 A JP2006156627 A JP 2006156627A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor light
light emitting
emitting element
emitting device
output
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2004343593A
Other languages
English (en)
Inventor
Masaki Omori
雅樹 大森
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nichia Chemical Industries Ltd
Original Assignee
Nichia Chemical Industries Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nichia Chemical Industries Ltd filed Critical Nichia Chemical Industries Ltd
Priority to JP2004343593A priority Critical patent/JP2006156627A/ja
Publication of JP2006156627A publication Critical patent/JP2006156627A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

【課題】 有機物などの不純物から半導体レーザを保護する構成の半導体発光装置の提供。
【解決手段】 半導体レーザ装置1は、サブマウント2に、通常使用されるLD4とダミーLD14が交互に実装されている。7はLD4とダミーLD14の出力光を平行光に変換するためのコリメータレンズ、8はコリメータレンズ7の平行光を集光する集光レンズである。ダミーLD14は、パッケージ内の有機物を吸着し、LD4に有機物が付着しないようにする。
【選択図】 図1

Description

本発明は、有機物などの不純物から半導体レーザのような半導体発光素子を保護し、出力特性の低下を防止する構成の半導体発光装置に関するものである。
半導体レーザ(以下LDと略記する)を、ケース型のパッケージやステム型(キャップ型)のパッケージに封止する際に、カバーやガラス板などの部材を固定するために、エポキシ樹脂などの接着剤が用いられる場合がある。また、LDとリード端子との導電接続に半田を用いる場合がある。このように、LDパッケージ製造工程で接着剤や半田の使用や、LDを封止する際に雰囲気中の炭化水素化合物などの浮遊物質がそのままパッケージ内に混入してしまう、などにより有機ガスを含む不純物がLDの周辺に存在することになる。
400nm近傍、もしくはそれ以下の波長帯の発散光は、有機物を引きつけLD端面に付着し、時にはフロントコーティングの反射率を変化させて前後比の変化や、場合によっては出力低下や出力断が発生する。このため、気密封止する際には、LDの端面に付着する可能性がある有機物を極力取り除く条件で実施する必要がある。
しかしながら、このような有機物除去のためのプロセス制御は、可視もしくは赤外における真空ベーキングでの水分除去工程レベルの洗浄では十分に対応することができず、有機物を集中的に取り除く洗浄工程(クリーニング)の導入が必要となる。このようなクリーニングを実施するためには設備投資にコストがかかり、煩雑な処理を要するという問題がある。このため、特許文献1では、パッケージ内にゼオライトのような有機ガス吸着部材を配置して、LDの出力特性の低下を防止している。
特開平7−147457号公報
特許文献1に記載の技術では、パッケージ内における有機ガスなどの不純物の除去が不十分で、LDの出力特性の低下を防止することは困難であるという問題があった。
本発明は上記のような問題に鑑み、有機物などの不純物からLDのような半導体発光素子を保護し、出力特性の低下を防止する構成の半導体発光装置の提供を目的とする。
(1)上記目的を達成するために、本発明の第1の実施形態にかかる半導体発光装置は、出力光を外部に照射する第1の半導体発光素子と、第2の半導体発光素子と、少なくとも前記第1の半導体発光素子を封止する封止部材とを備え、前記第2の半導体発光素子は有機物の吸着作用のみを有することを特徴とする。この発明は、図1、図10、図12、図13に示された実施形態が対応する。(1)の発明の構成で、第1の半導体発光素子は、図1、図10、図12の図示番号4の半導体発光素子、図13の図示番号54の半導体発光素子が該当する。第2の半導体発光素子は、図1、図10、図12の図示番号14の半導体発光素子、図13の図示番号60の半導体発光素子が該当する。この構成によれば、第2の半導体発光素子により封止部材の内部に存在する有機物が吸着されて、第1の半導体発光素子における出力特性の低下を防止することができる。すなわち、ダミー半導体発光素子として機能する第2の半導体発光素子は、外部に出力光を照射する作用ではなく、単に封止部材の内部などに存在する有機物を吸着する作用のみを有している。したがって、ダミー半導体発光素子に前記有機物が付着しても、半導体発光装置としての発光効率が低下することはない。
(2)また、本発明の半導体発光装置は、前記第1の半導体発光素子と第2の半導体発光素子をそれぞれ複数設けたことを特徴とする。図1、図10に示されているように、第1の半導体発光素子4と第2の半導体発光素子14はそれぞれ複数設けられている。このように、第1の半導体発光素子を複数設けることにより、所定の光量が得られる。また、第2の半導体発光素子を複数設けることにより、封止部材内などに存在する有機物の吸着作用が高められ、有機物を効果的に除去することができる。
(3)本発明の第2の実施形態にかかる半導体発光装置は、出力光を外部に照射する第1の半導体発光素子と、第2の半導体発光素子と、少なくとも前記第1の半導体発光素子を封止する封止部材とを備え、前記第1の半導体発光素子が駆動されているときの前記第2の半導体発光素子の電流が閾値電流以下であることを特徴とする。この発明は、図1〜図5に記載された実施形態が対応する。この構成によれば、第2の半導体発光素子は有機物の吸着作用を有し、または微弱な出力光を射出するので、第1の半導体発光素子による出力光の光路や光量に影響を与えない。
(4)また、本発明の半導体発光装置は、前記第1の半導体発光素子と第2の半導体発光素子を、交互に駆動、停止させることを特徴とする。この発明は、図2、図3に記載された実施形態が対応する。この構成によれば、第1の半導体発光素子の駆動により封止部材内に析出された有機物を、第2の半導体発光素子の駆動により吸着させているので、有機物の除去効果が向上する。
(5)また、本発明の半導体発光装置は、前記第1の半導体発光素子と第2の半導体発光素子の駆動、停止を、計時手段によるカウント値により所定の間隔で繰り返し行うことを特徴とする。この発明は、図2、図3に記載された実施形態が対応する。この構成によれば、第1の半導体発光素子と第2の半導体発光素子の駆動、停止を、タイマーのような計時手段によるカウント値により所定の間隔で繰り返し行うので、定期的に封止部材内の有機物を第2の半導体発光素子に吸着させることができる。
(6)また、本発明の半導体発光装置は、前記封止部材をケースで覆い、当該封止部材に形成した出射口となる開口部近傍に前記有機物の吸着作用のみを有する第2の半導体発光素子を複数設けたことを特徴とする。この発明は、図1、図10に示された構成において、出射口となる開口部近傍に複数設けられている図示番号14の半導体発光素子が該当する。この構成によれば、開口部に設けたガラス窓に有機物が付着することを防止し、所定の光出力が得られる。
(7)また、本発明の半導体発光装置は、前記第2の半導体発光素子を、前記封止部材内および前記封止部材と前記ケース間に設けたことを特徴とする。この発明は、図1、図10に示された構成において、パッケージ10内に設けられている図示番号14の半導体発光素子、およびパッケージ10とケース11間に配置されている図示番号14の半導体発光素子が該当する。この構成によれば、パッケージの外部の有機物も第2の半導体発光素子で吸着するので、第1の半導体発光素子の出力特性の低下を防止することができる。
(8)本発明の第3の実施形態にかかる半導体発光装置は、前記第2の半導体発光素子における出力光の出射方向が、前記第1の半導体発光素子の出力光の出射方向とは異なる方向に形成されることを特徴とする。この発明は、図13に示された構成において、図示番号54の第1の半導体発光素子、および図示番号60の第2の半導体発光素子が該当する。なお、この構成は図示を省略しているが、図13のようなキャップ型のパッケージに限定されず、図1、図4に示されたようなケース型のパッケージを有する半導体発光装置にも適用される。この構成によれば、第2の半導体発光素子における出力光の出射方向が、第1の半導体発光素子の出力光の出射方向とは異なる方向に形成されているので、第1の半導体発光素子の出力光に対する光学的な妨害が発生しない。
(9)本発明の第4の実施形態にかかる半導体発光装置は、出力光を外部に照射する複数の半導体発光素子と、前記各半導体発光素子を封止する封止部材と、前記各半導体発光素子の駆動を制御する制御部とを備え、前記制御部は、各半導体発光素子の所定光量を記憶する記憶手段と、各半導体発光素子の光量を検出する検出手段と、前記記憶手段に記憶されている各半導体発光素子の所定光量および前記検出手段で検出された半導体発光素子の光量を比較する比較手段を有し、当初駆動されている半導体発光素子に前記封止部材の内部に存在する有機物が付着して前記検出された光量が前記所定値よりも低下したときに、異なる半導体発光素子の駆動に切り替えることを特徴とする。
(9)の発明は、図4、図5、および図6、図7の実施形態が対応する。(9)の構成において、複数の半導体発光素子は、図4の図示番号4、15の半導体発光素子(LD)、図6のLD1〜LD3が該当する。記憶手段は、図5の図示番号34、図7の図示番号44のE2PROMが、検出手段は図4の図示番号9、図6のサブマウント2a〜2cに実装されているPDが、比較手段は図5の図示番号33、図7の図示番号43のMCUが、それぞれ該当する。(9)の発明によれば、有機物で汚染されて光量が低下した半導体発光素子を、予備の半導体発光素子に切り替えているので、寿命の長い半導体発光装置が得られる。
(10)また、本発明の半導体発光装置は、前記複数の半導体発光素子を単一のモジュールに構成したことを特徴とする。(10)の発明は、図1、図4に記載のサブマウント2に単一のモジュールとして実装されている構成が対応する。このように、複数の半導体発光素子を単一のモジュールに構成しているので、コンパクトな構成とすることができ、また、寿命の長い半導体発光装置とすることができる。
(11)また、本発明の半導体発光装置は、前記半導体発光素子は複数個ずつの集合で、複数のブロックに区分して配置されることを特徴とする。(11)の発明は、図6に示されたブロック1〜ブロック3が対応する。このように、複数のブロックに区分して半導体発光素子を配置しているので、半導体発光素子が故障の際の対応などの制御が簡略に行える。
(12)また、本発明の半導体発光装置は、前記各ブロックに、前記各半導体発光素子と対応させて前記光量を検出する検出手段を配置したことを特徴とする。(12)の発明の構成は、図6に示されたPD1A〜PD1C、PD2A〜PD2C、PD3A〜PD3Cが対応する。この構成によれば、各半導体発光素子の光量を精度良く検出し、予備半導体発光素子への切り替えを円滑に行うことができる。
(13)また、本発明の半導体発光装置は、前記各半導体発光素子の出力光出射側にレンズアレイを配置したことを特徴とする。(13)の発明の構成は、図6に示したコリメータレンズアレイ7aが該当する。この構成によれば、非常にコンパクトな構成とすることができ、半導体発光装置の製造時間が短縮できる。
(14)また、本発明の半導体発光装置は、前記当初駆動される半導体発光素子と、切り替えて駆動される半導体発光素子がそれぞれ前記複数のブロックから同数選択されることを特徴とする。(14)の発明の構成は、図7に示されたPD1A〜PD1C、PD2A〜PD2C、PD3A〜PD3Cで検出された光量(モニター電流)で、図8の特性図で示される半導体発光素子を制御する構成が対応する。この構成によれば、各ブロックで同数の半導体発光素子を選択して駆動させるので、どのブロックを選択しても均等な光量が得られる。
(15)また、本発明の半導体発光装置は、前記封止部材の内部に、有機物を吸収する光触媒を設けたことを特徴とする。(15)の発明は、図10〜図13に記載の実施形態が対応する。このように、有機物を吸収する半導体発光素子と共に光触媒を設けているので、異なる有機物の除去手段が複数設けられることになり、有機物の除去をより効果的に行うことができる。
(16)また、本発明の半導体発光装置は、前記封止部材は、ケース型のパッケージであることを特徴とする。(16)の発明は、図10〜図12に記載の実施形態が対応する。このように、(16)の発明によれば、ケース型のパッケージで構成した半導体発光装置において、有機物による半導体発光素子の出力特性の低下を防止することができる。
(17)また、本発明の半導体発光装置は、前記封止部材はキャップ型のパッケージであることを特徴とする。(17)の発明は、図13に記載の実施形態が対応する。このように、(17)の発明によれば、キャップ型のパッケージで構成した半導体発光装置において、有機物による半導体発光素子の出力特性の低下を防止することができる。
(18)また、本発明の半導体発光装置は、前記半導体発光素子が窒化物半導体レーザであることを特徴とする。窒化物半導体レーザは、400nm近傍、もしくはそれ以下の波長帯の発散光を出力し、有機物を引きつける作用が大きいので、ダミー半導体発光素子として用いた場合に効果的に有機物を除去できる。また、当初使用の半導体発光素子から予備の半導体発光素子に切り替えた場合に、予備の半導体発光素子の寿命を延長することができる。
本発明の半導体発光装置は、有機物などの不純物から半導体レーザのような半導体発光素子を保護し、出力特性の低下を防止することができる。
以下、図に基づいて本発明の実施形態について説明する。図1は、本発明の第1の実施形態にかかる構成を示す概略の平面図である。図1において、半導体レーザ装置1は、サブマウント2に、通常使用されるLD4(第1の半導体発光素子)とダミーLD(第2の半導体発光素子)14が交互に実装されている。図1の例では、LD4とダミーLD14の出力光の出射方向は、同じ方向に形成されている。7は、LD4とダミーLD14の出力光を平行光に変換するためのコリメータレンズ、8はコリメータレンズ7の平行光を集光する集光レンズである。なお、第1の半導体発光素子、第2の半導体発光素子は、LDには限定されない。例えば、LEDなどのように発光素子レーザ以外の半導体発光素子を用いることも可能である。
10はパッケージ(封止部材)で、前記サブマウント2に実装されるLD4とダミーLD14、コリメータレンズ7、集光レンズ8を封止する。なお、パッケージ10は、LD4とダミーLD14の一部を封止するものであり、少なくとも第1の半導体発光素子を封止する封止部材として機能する。パッケージ10には、LD4による出射口となる開口部10aが形成されており、この開口部10aには図示を省略したガラス封止窓が設けられている。また、開口部10aの外側には、フェルール12を配置する。集光レンズ8で集光されたLD4とダミーLD14の出力光をフェルール12に導入し、光ファイバ13によりケース11の外部に放射する。開口部10aの周辺にもダミーLD14を配置する。
ここで、LD4およびダミーLD14は、前記400nm近傍、もしくはそれ以下の波長帯の発散光を出力する。このため、ダミーLD14を駆動して出力光を出射させることにより、パッケージ内の有機物をダミーLD14に吸引させる。前記開口部10aに設けられたガラス封止窓のパッケージ内側部分は光密度が高くなり、僅かな残存有機物でも影響を受けやすく、有機物がガラス封止窓に付着すると光出力が低下する。しかしながら、図1の構成では、開口部10aのパッケージ内側部分にダミーLD14を複数配置しており、当該ダミーLD14が有機物を吸着して、ガラス封止窓に有機物が付着することを防止している。このため、所定の光出力を得ることができる。
このように、ダミーLD14に有機物が吸着するので、LD4は出力特性を低下させることなく動作させることができる。ダミー半導体発光素子14として機能する第2の半導体発光素子は、外部に出力光を照射する作用ではなく、単に封止部材の内部に存在する有機物を積極的に吸着する作用のみを有している。したがって、ダミー半導体発光素子に前記有機物が付着しても、半導体発光装置としての発光効率が低下することはない。
図1の例は、サブマウント2に交互にLD4とダミーLD14を配置した集積化の構成とした場合である。このLD4とダミーLD14の配置は、個々のLDチップ精密実装でも、またLDバー交互発光となる配置でもいずれでも良い。フェルール12の設置位置もパワー密度が高くなり、有機物の影響を受けやすくなる。そこで、フェルール12の設置位置の周辺にダミーLDを予め設置しておくことにより、フェルール12に対しても同様の保護効果が得られる。図1において、LD4とダミーLD14を集積化した配置ではなく、1個のLDを平面実装する場合も同様に適用することができる。
図2は、LD4とダミーLD14の動作タイミングの一例を示すタイミングチャートである。(a)はタイマーのカウント特性、(b)はLD4の動作特性、(c)はダミーLD14の動作特性を示している。時刻tuでタイマーのカウント特性がHレベルとなり、LD4が駆動される。時刻tvでタイマーのカウント特性がLレベルとなり、LD4の動作が停止する。同時にダミーLD14が駆動される。時刻twでタイマーのカウント特性がHレベルとなり、ダミーLD14が停止してLD4が動作する。
以下、LD4とダミーLD14が交互に駆動、停止を繰り返す。図2の例では、先行してLD4を動作させ、パッケージ容器内などに存在する有機物を析出させる。その後、ダミーLD14を駆動させることにより、析出された有機物をダミーLD14に吸着させる。所定時間ダミーLD14を駆動させてパッケージ内の有機物を消失させてから、再度LD4を動作させてパッケージ内に有機物を析出させる。この有機物をダミーLD14に吸着させる。このような動作を繰り返すことにより、パッケージ内の有機物は次第に少量となり、LD4の出力特性を低下させる要因を除去することができる。なお、ダミーLDの駆動電流を閾値以下として、有機物の吸着作用のみを有する構成、または微弱光を出力させる構成とすることができる。
図3は、LD4とダミーLD14とを駆動する例を示す回路図である。図3において、LD駆動回路20には、タイマー機能を有するMCU(Micro Control Unit)21、NOT素子22、LD4を駆動するLD駆動IC23、ダミーLD14を駆動するLD駆動IC24が設けられている。MCU21の出力信号は、5VのHレベルと0VのLレベルが交互に出力される。したがって、MCU21の出力レベルが0Vの場合には、LD駆動IC23にはHレベルの出力が与えられ、LD駆動IC24にはLレベルの出力が与えられる。
すなわち、図3の例は図2とは逆の論理信号がLD4とダミーLD14に印加される。このように、LD4とダミーLD14の駆動、停止を、計時手段(タイマー)によるカウント値により所定の間隔で繰り返し行う。この構成によれば、所定のインタバルで繰り返しLD4とダミーLD14の駆動、停止を行うので、定期的に封止部材内の有機物の吸着を行うことができる。
図4は、本発明の第2の実施形態を示す平面図である。図1と同じところには同一の符号を付しており、詳細な説明は省略する。図4の例では、半導体レーザ装置1aには、LDの出力光の光量を検出するフォトダイオード(PD)9を設けている。また、15は予備的に使用されるLDであり、有機物吸着作用を有していても良い。すなわち、LD1系統のLD4の光量が所定値まで低下すると(寿命に達すると)、LD2系統のLD15に切り替えて出力光を外部に照射する。したがって、LD15も外部に出力光を照射する機能を有するLDである。なお、LDの出力光の光量を検出する手段は、フォトダイオード(PD)以外の素子、例えばフォトトランジスタを用いることも可能である。
図5は、図4に記載の半導体レーザ装置1aの駆動回路30を示す回路図である。図3におけるタイマー機能を有するMCU21が、図5ではデータ比較の機能を有するMCU33に置き換えられている。図5において、PD9の検出信号はI/V(電流/電圧)アンプ31、A/D変換器32を通してMCU33に入力される。E2PROM34には、PD9の初期値(所定光量の値)が格納されており、MCU33で、前記PD9の検出データと比較される。
この際に比較されるPD9の検出値が、所定の規格値よりも低下した場合には、MCU33はLD4が寿命に達したものと判断する。この場合には、MCU33はLD4を停止し、LD15を駆動するような論理信号を出力する。なお、PD9は、図4においてLD出力光の光量を相対評価できるパッケージ内、またはパッケージ外の任意の位置に設置する。
図6は、本発明の第3の実施形態にかかる半導体レーザ装置1bの概略の平面図である。図6に示した実施形態においては、パッケージ10内に3分割されたサブマウント2a、2b、2cを配置する。各サブマウントには、LD1、LD2、LD3の3個のLDを実装する。また、各LDに対応して光量検出用のPDを実装する。このように、図6の例は、LDおよびPDを実装したサブマウント2a、2b、2cを、ブロック1、2、3として配置するものである。図6は、複数のブロックに区分して各ブロックにLDを分散して配置している。このため、あるブロックのLDが故障した場合には、他のブロックのLDを駆動することにより対応することもできる。
7aは、各LDに対応して配置されたコリメータレンズアレイ、8は集光レンズである。前記図1、図4で説明したコリメータレンズ7を、図6に示したようなコリメータレンズアレイとして構成することもできる。このように、コリメータレンズアレイを各LDに対応させて配置することにより、非常にコンパクトな構成とすることができ、半導体発光装置の製造時間が短縮できる。図6においては、各ブロックのLD1をダミーLDとしての機能をもたせており、最初に点灯させることにより有機物洗浄効果が得られる。また、ダミーLDとして機能させる各ブロックのLD1を光路上に配置することにより、光源としての機能を兼用させることができる。
図7は、図6の構成のLD装置1bを駆動する駆動回路の例を示す回路図である。図7において、ブロックAは、図6における各ブロックのLD1の集合でLDは47で示される。ブロックBは、図6における各ブロックのLD2の集合でLDは48で示される。また、ブロックCは、図6における各ブロックのLD3の集合でLDは49で示される。
また、LDの光量を検出するPDの表示は、図6の表示と同じである。例えば、ブロックAのPD1A〜3Aは、図6の各サブマウント2a〜2cに実装されているLD1に対応する。すなわち、ブロックAのPD1Aは、図7の図示番号47におけるLD1Aの光量を検出する。このように、図6はサブマウント2a〜2cに対応してブロック1〜3に区分している。また、図7は、各サブマウント2a〜2cに実装されているLD1〜LD3毎にブロックA〜Cを区分している。なお、各PDの検出光量に対応した電流信号(モニター電流)をIm1A〜Im1Cで標記しているが、この点については図8の特性図で説明する。
図7は、APC(Automatic Power Contorol)を行うための回路構成である。各PDの検出信号はI/V(電流/電圧)アンプ41、A/D変換器42を通してMCU43に入力される。E2PROM44には、PDの検出光量に対応したモニター電流の初期値が格納されている。MCU43は、前記E2PROM44に格納されているモニター電流の初期値と、各PDにより検出されたモニター電流とを比較して、モニター電流が一定となるようにLD出力を制御する。
MCU43の出力信号は、D/A変換器45、駆動IC46を通り、47〜49に記載の各LDに与えられる。各LDの出力光の一部は、前記のようにPDで検出されてMCU43に帰還される。なお、MCU43は、LDの光量が所定値よりも低下しているかどうかを判定し、寿命がきたLDについては駆動を停止し、他のLDに切り替えて動作させる。このようなMCU43の制御は、例えば最初にLD1の集合である図示番号47のLDを駆動し、この集合のLDが寿命と判断すれば、次にLD2の集合である図示番号48のLDを駆動する。このように、図7の例では、当初駆動されるLDと、切り替えて駆動されるLDがそれぞれ複数のブロックから同数選択される。このような構成としているので、どのブロックを選択しても均等な光量が得られる。
図8は、図7の回路図によるLDの制御の例を示す特性図である。図8の横軸には時間T、縦軸にはLDの出力Pを設定している。特性のBは一定出力の開始時刻、Eは一定出力の終了時刻を示している。LD1は一定出力Pa、LD2は一定出力Pb、LD3は一定出力Pcで駆動されるものとする。ここで、Pa、Pb,Pcは同一の出力とする。時刻ta〜tb間では、PDのモニター電流はIm1*(*は、A、B、Cのいずれか、すなわち、図7図示番号47のLD1A〜LD1Cのいずれかの特性)である。
時刻tbでLD1は寿命に到達したものとMCU43で判断され、LD2を立ち上げると共にLD1は出力を除々に低下させる。時刻tb〜tc間は、前記Im1*とIm2*(図7図示番号48のLD2A〜LD2Cのいずれかの特性)の和が一定になるようにLD1とLD2の出力が制御される。時刻tc〜td間では、PDのモニター電流はIm2*である。この際のLD2の出力はPbとなる。
時刻tdでLD2は寿命に到達したものとMCU43で判断され、LD3を立ち上げると共にLD2は出力を除々に低下させる。時刻td〜te間は、前記Im2*とIm3*(図7図示番号49のLD3A〜LD3Cのいずれかの特性)の和が一定になるようにLD2とLD3の出力が制御される。時刻te〜tf間では、PDのモニター電流はIm3*である。この際のLD3の出力はPcとなる。
図9は、図6〜図8に示した実施形態において、LDの使用順序の例を示す説明図である。図9の例では、図8の特性図に示したように寿命に達したLDを順次取り替えて駆動するものである。ここでは、LD1、LD2、LD3の順序で駆動している。なお、図8の例では、各グループのLD1〜LD3の出力をPa〜Pcと同じ値に設定しているが、各グループのLD1〜LD3の出力を異なる値に設定することも可能である。
図1〜図10の例は、ダミーLDまたは予備LDを設け、LDの駆動で有機物の吸着効果を得るものである。本発明においては、このようなLDの駆動による有機物の吸着作用に加えて有機物吸収物質を併用することにより、さらに効果的にパッケージ内の有機物を除去することができる。図10、図11は、このような有機物吸収物質を設ける例を示す平面図である。図10、図11において、図1、図4と同じところには同一の符号を付している。
図10の例においては、パッケージ10の側面に、有機物吸収物質、例えば酸化チタン(TiO2)のような物質からなる光触媒層3a、3bを塗布するものである。このような光触媒作用を有する物質は、紫外線により励起し有機物を二酸化炭素と水に分解する。したがって、GaNのような材料を用いたLDを動作させて、パッケージ内に紫外光を照射させることによりパッケージ容器からの有機物の析出と除去を効果的に行うことができる。
図11の例では、パッケージ10の底面に光触媒層3cを形成するものである。光触媒層は、パッケージ内のLDの光路と重ならない部分、例えばパッケージの側面や底面または蓋の部分に形成される。この際に、図10、図11に示されているように平面に部分的に形成しても良いが、有機物の吸収効果を高めるためには、平面の全面に光触媒層を形成しても良い。
図12は、本発明の異なる実施形態を示す概略の分解斜視図である。図12において、半導体レーザ装置1cは、パッケージ10内の図示を省略した基板上にLD4、ダミーLD14、立ち上げミラー5を実装する。6は蓋となるガラス板で、パッケージ10の枠体に接着されてLD4、ダミーLD14を封止する。LD4、ダミーLD14の出力光は、立ち上げミラー5で光軸方向が変更され、ガラス板6から外部に照射される。パッケージ10の側面には全面に光触媒層3dが形成されている。また、ガラス板6の内面には、LD4、ダミーLD14の出力光の光路を除いて光触媒層3eが形成されている。図10〜図12の例では、ケース型のパッケージで構成した半導体発光装置において、有機物によるLDの出力特性の低下を防止することができる。
図13は、本発明の異なる実施形態を示す概略の縦断側面図である。図13において、51はステムのフランジ、52はステムのブロック、53はキャップ、55はキャップ53に接着されるカバーガラス、54はLD、56は封止ガラス、57、58はリード端子、59はワイヤ、60はダミーLD、3fは光触媒層である。キャップ53はステムのフランジ51に溶接により固定される。ダミーLD60を動作させて出力光を光触媒層3fに照射して光励起させる。
図13の例では、キャップ53でLD54を封止する構成のキャップ型半導体レーザ装置1dにおいて、有機物吸着作用を有するダミーLD60と、光触媒層3fを設けるものである。ダミーLD60は、図1に示したように複数個設けても良い。また、光触媒層3fは、ダミーLD60の出力光のみならず、LD60の動作により光励起させても良い。図13の例は、キャップ型のパッケージで構成した半導体発光装置において、有機物によるLDの出力特性の低下を防止することができる。
第1の半導体発光素子と第2の半導体発光素子における出力光の出射方向を異なる方向に設定する構成は、図13のようなキャップ型のパッケージに限定されず、図1、図4に示されたようなケース型のパッケージを有する半導体発光装置にも適用される。このような構成とすることにより、有機物の吸着作用を有する第2の半導体発光素子における出力光は、第1の半導体発光素子の出力光に対する光学的な妨害を発生しない。
本発明の光源のLDとしては、例えば窒化物半導体レーザを用いることができる。この場合には、窒化物半導体レーザは、400nm近傍、もしくはそれ以下の波長帯の発散光を出力し、有機物を引きつける作用が大きいので、ダミーLDとして用いた場合に効果的に有機物を除去できる。また、当初使用のLDから予備のLDに切り替えた場合に、予備のLDの寿命を延長することができる。
また、発光層に、
InXAlYGa1-X-YN(0≦X≦1、0≦Y≦1、X+Y≦1)
を用いた窒化物系半導体発光素子を光源に用いることもできる。
以上説明したように、本発明によれば、有機物などの不純物から半導体レーザのような半導体発光素子を保護する構成の、半導体発光装置を提供することができる。
本発明の実施形態を示す平面図である。 本発明の実施形態を示すタイミングチャートである。 本発明の実施形態を示す回路図である。 本発明の他の実施形態を示す平面図である。 本発明の他の実施形態を示す回路図である。 本発明の他の実施形態を示す平面図である。 本発明の他の実施形態を示す回路図である。 本発明の実施形態を示す特性図である。 本発明の実施形態を示す説明図である。 本発明の他の実施形態を示す平面図である。 本発明の他の実施形態を示す平面図である。 本発明の他の実施形態を示す分解斜視図である。 発明の他の実施形態を示す縦断側面図である。
符号の説明
1、1a〜1d・・・半導体レーザ装置、2・・・サブマウント、3a〜3f・・・光触媒層、4、54・・・半導体レーザ(LD)、5・・・ミラー、6・・・ガラス板、7・・・コリメータレンズ、7a・・・コリメータレンズアレイ、8・・・集光レンズ、9・・・フォトダイオード(PD)、10・・・パッケージ、11・・・ケース、12・・・フェルール、13・・・光ファイバ、14、60・・・ダミーLD、15・・・予備LD、20、30、40・・・LD駆動回路、21、33、43・・・MCU、51・・・ステムのフランジ、52・・・ステムのブロック、53・・・キャップ

Claims (18)

  1. 出力光を外部に照射する第1の半導体発光素子と、第2の半導体発光素子と、少なくとも前記第1の半導体発光素子を封止する封止部材とを備え、前記第2の半導体発光素子は有機物の吸着作用のみを有することを特徴とする、半導体発光装置。
  2. 前記第1の半導体発光素子と第2の半導体発光素子をそれぞれ複数設けたことを特徴とする、請求項1に記載の半導体発光装置。
  3. 出力光を外部に照射する第1の半導体発光素子と、第2の半導体発光素子と、少なくとも前記第1の半導体発光素子を封止する封止部材とを備え、前記第1の半導体発光素子が駆動されているときの前記第2の半導体発光素子の電流が閾値電流以下であることを特徴とする、半導体発光装置。
  4. 前記第1の半導体発光素子と第2の半導体発光素子を、交互に駆動、停止させることを特徴とする、請求項1ないし請求項3のいずれかに記載の半導体発光装置。
  5. 前記第1の半導体発光素子と第2の半導体発光素子の駆動、停止を、計時手段によるカウント値により所定の間隔で繰り返し行うことを特徴とする、請求項1ないし請求項4のいずれかに記載の半導体発光装置。
  6. 前記封止部材をケースで覆い、当該封止部材に形成した出射口となる開口部近傍に前記第2の半導体発光素子を複数設けたことを特徴とする、請求項1ないし請求項5のいずれかに記載の半導体発光装置。
  7. 前記第2の半導体発光素子を、前記封止部材内および前記封止部材と前記ケース間に設けたことを特徴とする、請求項6に記載の半導体発光装置。
  8. 出力光を外部に照射する第1の半導体発光素子と、第2の半導体発光素子と、少なくとも前記第1の半導体発光素子を封止する封止部材とを備え、前記第2の半導体発光素子における出力光の出射方向が、前記第1の半導体発光素子の出力光の出射方向とは異なる方向に形成されることを特徴とする、半導体発光装置。
  9. 出力光を外部に照射する複数の半導体発光素子と、前記各半導体発光素子を封止する封止部材と、前記各半導体発光素子の駆動を制御する制御部とを備え、前記制御部は、各半導体発光素子の所定光量を記憶する記憶手段と、各半導体発光素子の光量を検出する検出手段と、前記記憶手段に記憶されている各半導体発光素子の所定光量および前記検出手段で検出された半導体発光素子の光量を比較する比較手段を有し、当初駆動されている半導体発光素子に前記封止部材の内部に存在する有機物が付着して前記検出された光量が前記所定値よりも低下したときに、異なる半導体発光素子の駆動に切り替えることを特徴とする、半導体発光装置。
  10. 前記複数の半導体発光素子を単一のモジュールに構成したことを特徴とする、請求項1ないし請求項9のいずれかに記載の半導体発光装置。
  11. 前記半導体発光素子は複数個ずつの集合で、複数のブロックに区分して配置されることを特徴とする、請求項9に記載の半導体発光装置。
  12. 前記各ブロックに、前記各半導体発光素子と対応させて前記光量を検出する検出手段を配置したことを特徴とする、請求項11に記載の半導体発光装置。
  13. 前記各半導体発光素子の出力光出射側にレンズアレイを配置したことを特徴とする、請求項9ないし12のいずれかに記載の半導体発光装置。
  14. 前記当初駆動される半導体発光素子と、切り替えて駆動される半導体発光素子がそれぞれ前記複数のブロックから同数選択されることを特徴とする、請求項11ないし請求項13のいずれかに記載の半導体発光装置。
  15. 前記封止部材の内部に、有機物を吸収する光触媒を設けたことを特徴とする、請求項1ないし14のいずれかに記載の半導体発光装置。
  16. 前記封止部材は、ケース型のパッケージであることを特徴とする、請求項15に記載の半導体発光装置。
  17. 前記封止部材はキャップ型のパッケージであることを特徴とする、請求項15に記載の半導体発光装置。
  18. 前記半導体発光素子が窒化物半導体レーザであることを特徴とする、請求項1ないし請求項17のいずれかに記載の半導体発光装置。


JP2004343593A 2004-11-29 2004-11-29 半導体レーザ装置 Pending JP2006156627A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004343593A JP2006156627A (ja) 2004-11-29 2004-11-29 半導体レーザ装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004343593A JP2006156627A (ja) 2004-11-29 2004-11-29 半導体レーザ装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2006156627A true JP2006156627A (ja) 2006-06-15

Family

ID=36634534

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004343593A Pending JP2006156627A (ja) 2004-11-29 2004-11-29 半導体レーザ装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2006156627A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014017337A (ja) * 2012-07-06 2014-01-30 Sharp Corp 灯具、車両用前照灯、および半導体レーザアレイ
DE102014106159A1 (de) * 2014-05-02 2015-11-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterlaserbauteil

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1041552A (ja) * 1996-07-17 1998-02-13 Seiwa Denki Kk Ledランプ及びled表示装置
JP2003098394A (ja) * 2001-09-20 2003-04-03 Hitachi Cable Ltd 光通信デバイスの製造方法
JP2003243761A (ja) * 2002-02-19 2003-08-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体パッケージ
JP2004128058A (ja) * 2002-09-30 2004-04-22 Fuji Photo Film Co Ltd レーザ装置
JP2004179595A (ja) * 2002-11-29 2004-06-24 Hitachi Printing Solutions Ltd 光記録装置
JP2004235535A (ja) * 2003-01-31 2004-08-19 Fuji Photo Film Co Ltd 半導体レーザ装置
JP2004253987A (ja) * 2003-02-19 2004-09-09 Ricoh Co Ltd 光送信機
JP2005175458A (ja) * 2003-11-20 2005-06-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光源、光ピックアップ装置、および電子機器

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1041552A (ja) * 1996-07-17 1998-02-13 Seiwa Denki Kk Ledランプ及びled表示装置
JP2003098394A (ja) * 2001-09-20 2003-04-03 Hitachi Cable Ltd 光通信デバイスの製造方法
JP2003243761A (ja) * 2002-02-19 2003-08-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体パッケージ
JP2004128058A (ja) * 2002-09-30 2004-04-22 Fuji Photo Film Co Ltd レーザ装置
JP2004179595A (ja) * 2002-11-29 2004-06-24 Hitachi Printing Solutions Ltd 光記録装置
JP2004235535A (ja) * 2003-01-31 2004-08-19 Fuji Photo Film Co Ltd 半導体レーザ装置
JP2004253987A (ja) * 2003-02-19 2004-09-09 Ricoh Co Ltd 光送信機
JP2005175458A (ja) * 2003-11-20 2005-06-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光源、光ピックアップ装置、および電子機器

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014017337A (ja) * 2012-07-06 2014-01-30 Sharp Corp 灯具、車両用前照灯、および半導体レーザアレイ
DE102014106159A1 (de) * 2014-05-02 2015-11-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterlaserbauteil

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7822090B2 (en) Semiconductor device
JP5591305B2 (ja) 紫外線発光モジュール及び紫外線照射装置
KR101238981B1 (ko) 광선방출 반도체 몸체를 포함한 모듈
CN101325310B (zh) 发光装置及其制造方法
EP2574982B1 (en) Phosphor device, illumination apparatus and projector apparatus
KR20150038667A (ko) 광전자 반도체 컴포넌트
JP2013084810A (ja) 発光装置
JP2013084984A (ja) 半導体レーザ装置
JP2006286866A (ja) レーザモジュール
EP2897167A1 (en) Semiconductor light-emitting device
JP2009146938A (ja) 発光装置およびこれを利用した照明装置、表示装置
US11565007B2 (en) Sterilization module
US7238076B2 (en) Method of assembling light-emitting apparatus
JP2004014820A (ja) レーザモジュール
JP2006156627A (ja) 半導体レーザ装置
US9748215B2 (en) Light emitting device
KR100622934B1 (ko) 레이저장치
US11612964B2 (en) Laser apparatus and laser machining method
JP2018084753A (ja) 光源装置、照明装置及びプロジェクター
JP4557133B2 (ja) 半導体光学装置
US20130307015A1 (en) Optoelectronic Semiconductor Device
JP2005175458A (ja) 光源、光ピックアップ装置、および電子機器
WO2011096512A1 (ja) 半導体発光装置、半導体発光装置の製造方法および光装置
JP5277902B2 (ja) 波長変換レーザ装置
JP2006286869A (ja) ファイバーモジュール光源

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20070718

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100609

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20100622

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100806

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20110126