JP2006154789A5 - - Google Patents

Claims (13)

1. 複数の画素を含む画素部と複数のメモリセルを含むメモリセル部を有し、
   前記複数の画素はそれぞれ、発光素子を有し、
   前記複数のメモリセルはそれぞれ、記憶素子を有し、
   前記発光素子と前記記憶素子はそれぞれ、第１の導電層、前記第１の導電層に接する有機化合物層、および前記有機化合物層に接する第２の導電層を有し、
   前記画素部と前記メモリセル部は同一の基板上に設けられていることを特徴とする表示装置。
2. 請求項１において、
   前記複数の画素はそれぞれ、第１のトランジスタを有し、
   前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記発光素子の前記第１の導電層または前記第２の導電層に電気的に接続されていることを特徴とする表示装置。
3. 請求項１において、
   前記複数の画素はそれぞれ、第１のトランジスタを有し、
   前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記発光素子が含む前記第１の導電層または前記第２の導電層に電気的に接続され、
   前記複数のメモリセルはそれぞれ、第２のトランジスタを有し、
   前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記記憶素子が含む前記第１の導電層または前記第２の導電層に電気的に接続されていることを特徴とする表示装置。
4. 請求項３において、
   前記画素部と前記メモリセル部に電気的に接続された駆動回路部を有し、
   前記駆動回路部は、前記メモリセル部に重なるように設けられていることを特徴とする表示装置。
5. 複数の画素を含む画素部と複数のメモリセルを含むメモリセル部を有し、
   前記複数の画素はそれぞれ、液晶素子とトランジスタを有し、
   前記複数のメモリセルはそれぞれ、記憶素子を有し、
   前記記憶素子は、第１の導電層、前記第１の導電層に接する有機化合物層、および前記有機化合物層に接する第２の導電層を有し、
   前記画素部と前記メモリセル部は同一の基板上に設けられていることを特徴とする表示装置。
6. 請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、前記記憶素子は、光学的作用により導電性が変化する素子であることを特徴とする表示装置。
7. 請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、前記記憶素子は、光学的作用により抵抗値が変化する素子であることを特徴とする表示装置。
8. 請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、前記記憶素子は、電気的作用により抵抗値が変化する素子であることを特徴とする表示装置。
9. 請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、前記記憶素子は、電気的作用により前記第１の導電層と前記第２の導電層の距離が変化する素子であることを特徴とする表示装置。
10. 請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、前記有機化合物層は、光酸発生剤がドーピングされた共役高分子材料、電子輸送材料、ホール輸送材料またはキャリア輸送性材料からなることを特徴とする表示装置。
11. 請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、前記有機化合物層の厚さは、５ｎｍ〜６０ｎｍであることを特徴とする表示装置。
12. 請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、前記発光素子が含む前記有機化合物層と、前記記憶素子が含む前記有機化合物層は、互いに異なる材料からなることを特徴とする表示装置。
13. 請求項１乃至請求項１２のいずれか一項に記載の表示装置を用いることを特徴とする電子機器。