JP2006146127A - 光導波路の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 下部クラッド層の表面に犠牲層を作製することで、犠牲層に平面視がテーパー角度の小さいV字型で側壁が表面に垂直でアスペクト比の大きな溝を形成する工程と、方向性のある堆積法で、等方性のある堆積が起こり得る堆積方法(ECR−CVD法)により溝にコア層を堆積することにより、溝の底面に自己形成的に形成される、V字の先端から幅が広がるつれ表面に垂直方向の厚みが増加する3次元的なテーパー形状のコア層を形成する工程と、犠牲層を取り除くことによりコア層をスポットサイズ変換器のコアに形成する工程を含む。これにより、スポットサイズ変換器のコアに鋭角で非常に滑らかな3次元的なテーパー面が作製されるので、光ファイバとの接続損が大幅に減少する。
【選択図】 図4
Description
(第1の実施形態)
図1は、Si基板上にスポットサイズ変換器を作製した本発明の一実施形態の製造工程
を示す。図1において最も左側の図は各工程における上面図であり、その右側のそれぞれの図はその上面図の切断線A、B,Cに沿う断面図である。
図4は、本発明の第2の実施形態における積層コアスポットサイズ変換器の製造方法を示す。図4において最も左側の図は各工程における上面図であり、その右側のそれぞれの図はその上面図の切断線A、B,C、Dに沿う断面図である。
上記では、本発明の好適な実施形態を例示して説明したが、本発明の実施形態は上記例示に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載の範囲内であれば、その構成部材等の置換、変更、追加、個数の増減、形状の設計変更等の各種変形は、全て本発明の実施形態に含まれる。例えば、上記の実施形態の説明では、犠牲層は、導波路側の面における犠牲層間の距離を1点に向かって連続的に減少させたものを図示したが、本発明はこれに限定されず、その距離を段階的に減少させてもよい。
12 犠牲層
13 コア(導波路)
13−1 スポットサイズ変換器部分のコア層(導波路)
13−2,13−3 後で除去されるコア層
14 レジスト
15 クラッド用ガラス(上部クラッド層)
21 基板
22 アンダークラッド(ガラス層)
23 第2コアとなるガラス層
24 犠牲層
25 第1コアとなるガラス層
25A 斜線で描画した部分
26 傾斜面
27 レジスト
28 レジストマスク
29 第1コア
30 第2コア
31 オーバークラッド
32 アレイ導波路光合分波器(AWG)
33 基板
34 ファイバアレイ
35 ファイバ
36 第1コア
37 第2コア
40 半導体レーザ(LD)
41 第1コア
42 第2コア
43 薄膜フィルタ(TFF)
44 半導体受光器(PD)
45 基板
46 アンダークラッド(ガラス層)
47 第2コアとなるガラス層
48 第1コアとなるガラス層
49 レジスト
50 光導波路
51 溝
Claims (7)
- 埋め込み型光導波路を作製する製造方法であって、
下部クラッド層の表面上でコアが形成される位置の両脇のそれぞれに所定の1点に向かって互いの距離を連続的に、もしくは段階的に減少させた犠牲層を作製する第1の工程と、
方向性のある堆積法で、等方性のある堆積が起こり得る堆積方法により、膜厚が自己形成的に変化したコア層を前記犠牲層で挟まれた溝部分に堆積する第2の工程と、
前記前記犠牲層を取り除く第3の工程と
を含むことを特徴とする光導波路の製造方法。 - 埋め込み型光導波路を作製する製造方法であって、
下部クラッド層の表面に犠牲層を作製することで、該犠牲層に平面視がテーパー角度の小さいV字型で側壁が前記表面に垂直で、その上面の開口の幅に比べてその深さが深いアスペクト比の大きな溝を形成する第1の工程と、
方向性のある堆積法で、等方性のある堆積が起こり得る堆積方法により、前記溝にコア層を堆積することにより、該コア層を堆積する際に前記溝の側面に堆積膜が付着して前記開口が狭くなることによって該溝の底面に自己形成的に形成される、V字の先端から幅が広がるつれ表面に垂直方向の厚みが増加する3次元的なテーパー形状のコア層を形成する第2の工程と
前記犠牲層を取り除くことにより、前記3次元的なテーパー形状のコア層をスポットサイズ変換器のコアに形成する第3の工程と
を含むことを特徴とする光導波路の製造方法。 - 前記第2の工程において、前記方向性のある堆積法で、等方性のある堆積が起こり得る堆積方法として、ECR−CVD法、またはスパッタ法を用いたことを特徴とする請求項1または2に記載の光導波路の製造方法。
- 前記第3の工程において、ウェットエッチングとフッ酸処理を用いたことを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の光導波路の製造方法。
- 前記第1の工程において、前記犠牲層の膜厚を、前記コア層の膜厚の50〜80%に設定したことを特徴とする請求項1ないし4のいずれかに記載の光導波路の製造方法。
- 前記犠牲層として有機材料を用いたことを特徴とする請求項5に記載の光導波路の製造方法。
- Si基板もしくは石英系ガラス材料基板上に形成され石英系ガラス材料により構成された埋め込み型光導波路を作製する製造方法であって、
作製する埋め込み型光導波路のコア位置の両脇の少なくとも2箇所に、導波路側の面における互いの距離を回路端に向かって連続的に、もしくは段階的に減少させた犠牲層を作製する第1の工程と、
次に、異方性のある堆積方法により、膜厚が自己形成的に変化したコア層を堆積する第2の工程と、
次に、前記コア層の内で前記犠牲層上に堆積されたコア層と該犠牲層を取り除く第3の工程と
を含むことを特徴とする光導波路の製造方法。
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- 2005-03-03 JP JP2005059488A patent/JP4313772B2/ja not_active Expired - Fee Related
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