JP2006137619A - 超電導バルク体 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】超電導バルク体1において、該超電導バルク体1の少なくとも表面の一部の臨界電流密度が、該超電導バルク体内部の臨界電流密度よりも大きい表面超電導領域2が設けられていることを特徴とする超電導バルク体である。表面超電導領域2は、(a)のように、超電導バルク体1の一つの表面全面に形成しても良いし、また、(b)のように、超電導バルク体1の一つの表面の一部に形成しても良い。あるいは、(c)のように、超電導バルク体1の2つの表面形成しても良い。
【選択図】図1
Description
本発明の効果を調べるために、図4に示したような試料を作製し、液体窒素中のI−V特性を測定し、臨界電流を比較した。
本発明の別の効果を調べるために、77Kでのマイクロ波表面抵抗の電力依存性を評価した。用いた試料は、図4中に図示していない中間層の有無を除くと、図4と同じ構造の3種類のものに対して比較した。
2 表面超電導領域
3 中間層
4 保護層
5 表面膜
6 基板(SrTiO、MgO)
Claims (17)
- 超電導バルク体において、該超電導バルク体の少なくとも表面の一部の領域における臨界電流密度が、該超電導バルク体内部の臨界電流密度よりも大きいことを特徴とする超電導バルク体。
- 前記超電導バルク体が酸化物超電導バルク体である請求項1に記載の超電導バルク体。
- 前記酸化物超電導バルク体が、単結晶状のREBa2Cu3Ox相(REはY又は希土類元素から選ばれた少なくとも1つの元素、6.0≦x≦7)中に、RE2BaCuO5相あるいはBa(Ce1−aMa)Oy相(MはZr、Hf、Sn等の金属元素、0<a<0.5、0≦b<0.5)が微細分散した酸化物超電導体である請求項1又は2に記載の超電導バルク体。
- 前記酸化物超電導バルク体の少なくとも表面の一部に形成された臨界電流密度が大きい領域における前記RE2BaCuO5相あるいはBa(Ce1−aMa)Oy相の大きさが、前記酸化物超電導バルク体内部のRE2BaCuO5相あるいはBa(Ce1−aMa)Oy相の大きさよりも小さい請求項3に記載の超電導バルク体。
- 前記超電導バルク体の少なくとも表面の一部に形成された臨界電流密度が大きい領域の厚さが、10μm以下である請求項1〜4のいずれか1項に記載の超電導バルク体。
- 前記超電導バルク体の少なくとも表面の一部に形成された臨界電流密度が大きい領域の臨界電流密度が、10万A/cm2以上である請求項1〜5のいずれか1項に記載の超電導バルク体。
- 前記超電導バルク体と、前記超電導バルク体の少なくとも表面の一部に形成された臨界電流密度が大きい領域との間に中間層を有する請求項1〜6のいずれか1項に記載の超電導バルク体。
- 前記超電導バルク体の少なくとも表面の一部に形成された臨界電流密度が大きい領域と前記中間層が多層化している請求項1〜7のいずれか1項に記載の超電導バルク体。
- 前記超電導バルク体の少なくとも表面の一部に形成された臨界電流密度が大きい領域の上に保護層を有する請求項1〜8のいずれか1項に記載の超電導バルク体。
- 超電導バルク体の少なくとも表面の一部に真空蒸着やスパッタリング等の成膜プロセスを施すことにより、該超電導バルク体表面上に表面膜を形成してなることを特徴とする超電導バルク体。
- 前記表面膜が超電導膜である請求項10に記載の超電導バルク体。
- 前記超電導バルク体と、前記超電導膜との間に中間層を有する請求項11に記載の超電導バルク体。
- 前記超電導膜と前記中間層が多層化している請求項12に記載の超電導バルク体。
- 超電導バルク体の少なくとも表面の一部にレーザ照射等による加熱・溶融後に再結晶成長させるプロセスを施すことにより、該超電導バルク材の表面超電導特性を改善してなることを特徴とする超電導バルク体。
- 超電導バルク体の少なくとも表面の一部にイオン注入プロセスを施すことにより、該超電導バルク材の表面超電導特性を改善してなることを特徴とする超電導バルク体。
- 前記超電導バルク体の表面に保護層を有する請求項9〜15のいずれか1項に記載の超電導バルク体。
- 請求項1〜16のいずれか1項に記載の超電導バルク体を用いた超電導装置。
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