JP2006131985A - プラズマ反応チャンバーおよび基板処理システム - Google Patents

Abstract

【課題】 少なくとも二つの真空チャンバーを多重配列して一体化し，少なくとも二つの被処理基板を並列で処理するプラズマ反応チャンバーを提供する。
【解決手段】 二つの真空チャンバー３０，３２とこれらの真空チャンバーを連結する二つの内部連結通路１６，１８を有するチャンバーハウジング１０と，二つの真空チャンバーと二つの内部連結通路を通して形成される放電経路４７で誘導起電力を伝逹するようにチャンバーハウジングの内部に設置される少なくとも一つのマグネチックコアー４０，４２と，マグネチックコアーが電源供給源に繋がれ放電経路にプラズマを励起するための起電力を供給する巻線コイル４１，４３を具備し，チャンバーハウジングに設置され真空チャンバーにガスを入出力するガス入力ポート２０，ガス出力ポート２５とを包含する。かかる構成により，単位面積当たりの生産性を向上することができる。
【選択図】 図４

Description

本発明は，プラズマ反応チャンバー（ｐｌａｓｍａ ｒｅａｃｔｉｏｎ ｃｈａｍｂｅｒ）に関するもので，具体的には一体化になって多重に配列された少なくとも二つの真空チャンバーを具備して同時に少なくとも二つの被処理基板を並列で処理するプラズマ反応チャンバーに関する。特にプラズマ反応チャンバーの内側にマグネチックコアーを内蔵させて二つ以上の真空チャンバーにプラズマを同時に発生する構造を有するプラズマ反応チャンバーおよびこのプラズマ反応チャンバーを備えた基板処理システムに関する。

従来から，他の産業分野と同様に，半導体集積回路装置や液晶表示装置を製造するための半導体産業でも生産性を高めるためにさまざまな努力が続いている。そして，生産性を高めるためには基本的に生産設備の増加や向上が必要である。しかし，単純に生産設備を増加するだけでは工程設備の増設費用だけではなくクリーンルームの空間設備費用も増加するようになり高費用が発生するという問題点がある。特に，半導体製造工程では単位面積当たりの生産性が最終製品の価格に影響を及ぼす重要な要因の一つとして作用する。したがって，単位面積当たりの生産性を高めるために生産設備の構成を効果的に配置しなければならない。

クラスタシステムは，一つの搬送チャンバー（ｔｒａｎｓｆｅｒ ｃｈａｍｂｅｒ）と，その周辺に多数の処理チャンバー（ｐｒｏｃｅｓｓ ｃｈａｍｂｅｒ）を装着する。クラスタシステムは，複数の処理を一貫して遂行することによって，生産性向上には効果的だと知られている。単位面積当たりの生産性を高めるためにプラズマ反応チャンバーを積層させて構成し，底面積を最小化しようとする基板処理システムも提供されている。

このように，単位面積当たりの生産性を高めるために多数個のプラズマ反応チャンバーを積層させて構成したり或いはクラスタタイプを並列に配するシステムが，従来から提案されている。

しかしながら，夫々のプラズマ反応チャンバーは，相変らず夫々独立された構成を持っているので，従来のプラズマ反応チャンバーをシステムに用いると，システム全体の設備構成を減少させる効果及び設備に対して費用を低く抑える效果は高いとはいえない。

そこで，本発明は，このような問題に鑑みてなされたもので，その目的とするところは，プラズマ反応チャンバーを二つ以上垂直または水平に並列配置することで，各構成の共通的な部分，例えば，ユーティリティーラインなどを共通に構成することにより，空間面積の縮小と共に設備構成の減少効果及び設備対費用効果などを得ることができるプラズマ反応チャンバーおよびこのプラズマ反応チャンバーを備えた基板処理システムを提供することにある。

上記課題の少なくとも一つを解決するために，本発明のある観点によれば，複数の真空チャンバーと上記複数の真空チャンバーを相互連結する複数の内部連結通路とを有するチャンバーハウジングと，上記複数の真空チャンバーと上記複数の内部連結通路とを通して，連続して形成される放電経路に誘導起電力を伝逹するように，上記チャンバーハウジングの内部に設置される１または２以上のマグネチックコアーと，上記１または２以上のマグネチックコアーに巻線され，電源供給源に繋がれることにより，上記放電経路にプラズマを励起するための起電力を供給する巻線コイルと，上記チャンバーハウジングに設置され，上記複数の真空チャンバーにガスを入力するガス入力ポートと，上記チャンバーハウジングに設置され，上記複数の真空チャンバーからガスを出力するガス出力ポートと，を備えるプラズマ反応チャンバーが提供される。

この場合，上記１または２以上のマグネチックコアーは，上記複数の真空チャンバーの内側面に設置される環状構造を有していてもよい。

また，上記１または２以上のマグネチックコアーは，環状構造を有し，上記複数の内部連結通路の内側面に設置されていてもよい。

また，上記プラズマ反応チャンバーは，さらに，上記放電経路側の上記１または２以上のマグネチックコアーの面を覆うように設置される誘電体板を備えていてもよい。

また，上記複数の真空チャンバーは，垂直に積層された構造，または，水平に並列配列された構造を有していてもよい。

また，上記複数の真空チャンバーは，被処理基板が置かれるサセプターと，上記サセプターの上部に設置されるバッフル平板と，を有していてもよい。

また，上記複数の真空チャンバーの各真空チャンバーは，被処理基板をローディング／アンロディングするためのスリットバルブをそれぞれ有していてもよい。

また，上記１または２以上のマグネチックコアーに巻線された上記巻線コイルは，電源供給源に直列／並列／直並列混合のいずれかにより繋がれていてもよい。

また，上記複数の真空チャンバーは，上記複数の真空チャンバーの内部壁面のうちの上面および下面にて設置される第一平板双極電極と，上記内部壁面のうちの側面にて設置される第二平板双極電極と，
上記第一平板双極電極に第一周波数の電源を供給する第一電源供給源と，上記第二平板双極電極に第二周波数の電源を供給する第二電源供給源と，上記第一電源供給源の第一周波数の位相差及び／または電圧レベルの少なくともいずれかを制御し，上記第二電源供給源の第二周波数の位相差及び／または電圧レベルの少なくともいずれかを制御する位相／電圧制御部と，を有していてもよい。

また，上記ガス入力ポートは，
上記チャンバーハウジングの外側に設けられるように構成されたガス入口と，上記チャンバーハウジングの内側にガスが排気されるように形成された複数の排気ホールと，を含むガス入力ポートハウジングと，
上記ガス入口と上記排気ホールとの間を横切って，ガス入力ポートハウジングを区切るように上記ガス入力ポートハウジングの内部に設置され，複数のホールが形成され，上記ガス入口を通して入力されたガスを均等に分配して排気ホールに出力する１又は２以上のガス分配隔板を有していてもよい。

また，上記ガス入力ポートハウジングは，上記並列に設けられた複数のガス入口を含んで構成されていてもよい。

また，上記ガス出力ポートは，上記チャンバーハウジングの内側にて上記チャンバーハウジング内のガスを吸入する複数の吸入ホールと，上記チャンバーハウジングの外側に設けられるように構成されたガス出口と，を含むガス出力ポートハウジングと，上記複数の吸入ホールと上記ガス出口との間を横切って，上記ガス出力ポートハウジングを区切るように上記ガス出力ポートハウジングの内部に設置され，複数のホールが形成され，上記複数の吸入ホールを通して入力されたガスを均等に分配してガス出口に出力する１または２以上のガス分配隔板と，を有していてもよい。

また，上記ガス出力ポートハウジングは，上記並列に設けられた複数のガス出口を含んで構成されていてもよい。

また，上記チャンバーハウジングは，上記ガス入力ポートまたは上記ガス出力ポートの少なくともいずれかを複数備えることにより，多重のガス入力構造または多重のガス出力構造を有していてもよい。

本発明の他の観点によれば，被処理基板の積載したカセットが置かれる１または２以上のロードポートと，上記１または２以上のロードポートに繋がれ，基板移送のための移送ロボットを有する移送チャンバーと，上記移送チャンバーに繋がれた，基板冷却のためのクーリングステージと，上記移送チャンバーに繋がれ，マグネチックコアーが内蔵されたプラズマ反応チャンバーと，を備える基板処理システムであって，上記プラズマ反応チャンバーは，複数の真空チャンバーと上記複数の真空チャンバーを相互連結する複数の内部連結通路とを有するチャンバーハウジングと，上記複数の真空チャンバーと上記複数の内部連結通路とを通して，連続して形成される放電経路に誘導起電力を伝逹するように，上記チャンバーハウジングの内部に設置される１または２以上のマグネチックコアーと，上記１または２以上のマグネチックコアーに巻線され，電源供給源に繋がれることにより，上記放電経路にプラズマを励起するための起電力を供給する巻線コイルと，上記チャンバーハウジングに設置され，上記複数の真空チャンバーにガスを入力するガス入力ポートと，上記チャンバーハウジングに設置され，上記複数の真空チャンバーからガスを出力するガス出力ポートと，を有する基板処理システムが提供される。

上述したように，本発明のプラズマ反応チャンバーによれば，少なくとも二つの真空チャンバーを多重配列されるように一体化し共通的な構成を共有するようにして，少なくとも二つの被処理基板を並列で処理することができ，しかも単位面積当たりの生産性を向上させることができる。

以下に添付図面を参照しながら，本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお，本明細書及び図面において，実質的に同一の機能構成を有する構成要素については，同一の符号を付することにより重複説明を省略する。

図１及び図２は本発明の好ましい実施形態によるプラズマ反応チャンバー１００の前面と後面を示す斜視図である。図に示したように，本実施形態に係るプラズマ反応チャンバー１００は，内部に二つの真空チャンバーが上下に積層された構造を有するチャンバーハウジング１０を有する。チャンバーハウジング１０の前面には，被処理基板を内部真空チャンバーにローディング／アンロディングするための二つのスリットバルブ１２，１４が上下に配置されている。スリットバルブ１２，１４の間にはガス入力ポート２０が設置されていて，チャンバーハウジング１０の後面には，ガス出力ポート２０が設置される。

図３はプラズマ反応チャンバー１００の内部の主要構造を示す図面で，図４及び図５は図３のＡ−Ａ線及びＢ−Ｂ線断面図である。図に示したように，チャンバーハウジング１０の内部には二つの真空チャンバー（上部真空チャンバー３０，下部真空チャンバー３２）が上下にて積層された構造に形成されている。上部真空チャンバー３０と下部真空チャンバー３２には夫々被処理基板５５，５７が置かれるサセプター５４，５６が底面に設置され，複数のホールが形成されたバッフル平板（ｂａｆｆｌｅ ｐｌａｔｅ）５０，５２が上部に設置される。

上部真空チャンバー３０と下部真空チャンバー３２は二つの内部連結通路１６，１８によって相互に繋がれる。内部連結通路１６，１８はチャンバーハウジング１０の前面方向と後面方向に夫々形成される。このように，二つの真空チャンバー（上部真空チャンバー３０，下部真空チャンバー３２）と二つの内部連結通路１６，１８からなる連続された放電経路４７がチャンバーハウジング１０の内部に形成される。

チャンバーハウジング１０の内部には連続された放電経路４７に誘導起電力を伝逹するように二つのマグネチックコアー４０，４２が上部真空チャンバー３０と下部真空チャンバー３２の内部側面に内蔵されるように設置される。そして放電経路４７に向けるマグネチックコアー４０，４２の面を覆うように誘電体板４４，４５が設置される。夫々のマグネチックコアー４０，４２には，夫々巻線コイル４１，４３が巻線され，巻線コイル４１，４３は直列でＲＦ電源を供給する電源供給源６０に繋がれる。巻線コイル４１，４３に電源が供給されれば放電経路４７にプラズマを励起するための起電力が供給されプラズマ放電が行われる。

なお，マグネチックコアー４０，４２に巻線された巻線コイル４１，４３は，電源供給源に直列，または，並列，または，直列と並列との混合のいずれかで繋がれていればよい。

マグネチックコアー４０，４２の設置位置は，図６のごとく内部連結通路１６，１８上に位置されるように変形実施することができる。または上部真空チャンバー３０と下部真空チャンバー３２そして内部連結通路１６，１８に全部マグネチックコアーを皆設置する変形も可能である。本実施形態では二つの真空チャンバー（上部真空チャンバー３０，下部真空チャンバー３２）が垂直に積層された構造だけを図示したが水平に並列配することも可能である。そして二つの真空チャンバーが放電経路を共有する構造を拡大して三段以上に構成することも可能である。マグネチックコアー４０，４２に巻線される多数の巻線コイル４１，４３は電源供給源６０に直列／並列／直並列混合のいずれかの連結方式を使うことができる。

図７及び図８はガス入力ポートの構造を示す斜視図及び断面図である。図に示したように，ガス入力ポート２０はチャンバーハウジング１０の外側に設けられるように構成されたガス入口２２と，チャンバーハウジング１０の内側にガスが排気されるように形成された複数の排気ホール２３とを有するガス入力ポートハウジング２１で構成される。ガス入力ポートハウジング２１の内部は中空状に構成され，ガス入口２２と複数の排気ホール２３の間を横切って区切るように多数のガス分配隔板２４が並列で設置される。ガス分配隔板２４には，複数のホールが形成されていて，ガス入口２２を通して入力されたガスを均等に分配して，複数の排気ホール２３に出力する。

図９及び図１０はガス入力ポートの入口を二重構造に変形した例を示す斜視図及び断面図である。図に示したように，ガス入力ポート２０’は二つ以上のガス入口２２−１，２２−２が並列に具備されるように変形実施することができる。

図１１及び図１２はガス出力ポートの構造を示す斜視図及び断面図である。図に示したように，ガス出力ポート２５はチャンバーハウジング１０の内側に複数の吸入ホール２８が形成されチャンバーハウジング１０の外側にガス出口２７が設けられたガス出力ポートハウジング２６で構成される。ガス出力ポートハウジング２６は中空状で構成され，吸入ホール２８とガス出口２７の間を横切って区切るように多数のガス分配隔板２９が並列で設置される。ガス分配隔板２９には，複数のホールが形成されていて，多数の吸入ホール２８を通してガスが均等に吸入され，均等に配分されてガス出口２７から出力される。ガス出力ポート２５は前述したガス入力ポート２０と同様に，二つ以上のガス出口が並列に具備されるように変形実施することができる。

以上のようなガス入力ポート２０とガス出力ポート２５は複数個がチャンバーハウジング１０に適切に配置されて設置されることができる。例えば，図１３及び図１４のごとく，チャンバーハウジング１０の前面に二つのガス入力ポート２０−１，２０−２を上下並列に設置することができる。ここで，上部に設置されたガス入力ポート２０−１は上部バッフル平板５０の上方に位置されるようにし，下部に設置されたガス入力ポート２０−２は下部バップル平板５２の上方に位置されるようにする。そしてガス出力ポート２５は前述した実施形態と同じくチャンバーハウジング１０の後面の中間領域に位置されるようにする。

ガス入力ポート２０とガス出力ポート２５はチャンバーハウジング１０の後面に設置されることができる。図１５及び図１６に示したように，チャンバーハウジング１０の後面上部にガス入力ポート２０をそして下部にガス出力ポート２５を夫々設置することができる。ここで，ガス入力ポート２０は，上部バッフル平板５０の上方に位置するように設置され，ガス出力ポート２５は，下部サセプター５６より低く位置するように設置される。

図１７は上下真空チャンバーの内側上／下面と左／右面に平板双極電極を設置した例を示す断面図である。図に示したように，本発明の一実施形態にかかるプラズマ反応チャンバー１００は，内部の上部真空チャンバー３０および下部真空チャンバー３２に夫々二つの平板双極電極７０，７１，７２，７３，７４，７５，７６，７７が具備される。第一平板双極電極７０，７１，７４，７５は，上部真空チャンバー３０および下部真空チャンバー３２の内部壁面の上下部（内部壁面のうちの上面および下面）に設置され，第二平板双極電極７２，７３，７６，７７は上部真空チャンバー３０および下部真空チャンバー３２の両側壁面（内部壁面のうちの側面）に設置される。それで第一及び第二平板双極電極７０，７１，７２，７３，７４，７５，７６，７７は相互垂直に交差される位置を持つようになる。ここで，第一平板双極電極の下部電極板７１，７５はサセプターを利用して構成することができる。

上部真空チャンバー３０および下部真空チャンバー３２に夫々設置される第一平板双極電極７０，７１，７４，７５は第一電源供給源６２に並列に繋がれ，第二平板双極電極７２，７３，７６，７７は第二電源供給源６４に並列に繋がれる。第一電源供給源６２は第一周波数の電源を第一平板双極電極７０，７１，７４，７５に供給し，第二電源供給源６４は第二周波数の電源を第二平板双極電極７２，７３，７６，７７に供給する。

第一電源供給源６２と第二電源供給源６４は位相／電圧制御部６６に繋がれ，位相／電圧制御部６６により，第一及び第二周波数の位相及び／または電圧レベルが制御される。位相／電圧制御部６６が，第一及び第二周波数の位相及び／または電圧レベルを制御することにより，上部真空チャンバー３０および下部真空チャンバー３２に発生されたプラズマイオン粒子の被処理基板５５，５７への入射角が制御される。

以上のような本発明にかかる一実施形態のプラズマ反応チャンバー１００は，半導体回路を製造するためのウエハー基板であったり，液晶ディスプレーを製造するための硝子基板などの被処理基板５５，５７をプラズマ処理するためのものである。ここでプラズマ処理は半導体回路を製造するためのウエハー基板の処理や液晶ディスプレーを製造するための硝子基板の処理としては，例えば，エッチング処理や化学的気相蒸着（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）処理などがある。

続いて，本発明にかかる一実施形態のプラズマ反応チャンバー１００を利用した基板処理システムを説明する。添付した図１８は本実施形態のプラズマ反応チャンバー１００を採用した基板処理システムの一例を示す図面で，図１９はプラズマ反応チャンバー１００を並列に配置して構成した基板処理システムの平面図である。図１８に示したように，基板処理システムは基板移送のための移送ロボット９０を持つ移送チャンバー８４を具備する。移送チャンバー８４には被処理基板が積載したカセット８２が置かれる少なくとも一つのロードポート８０と基板冷却のためのクーリングステージ８６が繋がれる。そしてプラズマ反応チャンバー１００が移送チャンバー８４に繋がれる。プラズマ反応チャンバー１００の詳細な構成は前述したので省略する。

プラズマ反応チャンバー１００は，二つの真空チャンバーが垂直に積層された構造を有しているし，移送チャンバー８４の方向に二つのスリットバルブ１２，１４が開設されている。移送チャンバー８４に具備される移送ロボット９０はプラズマ反応チャンバー１００のスリットバルブ１２，１４を通して被処理基板をローディング／アンロディングするためのロボットアームが上下二重構造で構成される。そしてクーリングステージ８６もここに相応しく上下二段で構成されている。

添付した図１９には二つのプラズマ反応チャンバー１００−１，１００−２を左右に並列配置した例を示す。夫々のプラズマ反応チャンバー１００−１，１００−２は二つの真空チャンバーが垂直に積層された構造を有する。移送チャンバー８４の左右には二段構造のクーリングステージ８６−１，８６−２が夫々繋がれている。したがって，最大四枚の被処理基板を同時に処理することができる。

以上，添付図面を参照しながら本発明の好ましい実施形態に係るマグネチックコアーが内蔵されたプラズマ反応チャンバー１００の構成及び動作について説明したが，本発明は係る例に限定されず，当業者であれば，特許請求の範囲に記載された範疇内において，各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり，それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。

換言すれば，本発明の実施例は色々の形態で変形されることができるし，本発明の範囲が以下で詳述する実施例によって限定されることに解釈されてはいけない。本実施形態は通常の知識を持つ当業者に本発明をより明確に説明するために提供されるものである。したがって，図面での各要素の形象などはより明確な説明を強調するために誇張されている。

本発明は，少なくとも二つの真空チャンバーを多重配列されるように一体化し共通的な構成を共有するようにして，少なくとも二つの被処理基板を並列で処理することができ，しかも単位面積当たりの生産性を向上させるプラズマ反応チャンバーおよびそのプラズマ反応チャンバーを備えた基板処理システムに適用可能である。

本発明の一実施形態に係るプラズマ反応チャンバーの前面と後面を示す斜視図である。 本発明の一実施形態に係るプラズマ反応チャンバーの前面と後面を示す斜視図である。 プラズマ反応チャンバー内部の主要構造図である。 図３のＡ−Ａ線断面図である。 図３のＢ−Ｂ線断面図である。 プラズマ反応チャンバーの内部連結通路内側にマグネチックコアーを設置した例を示す断面図である。 ガス入力ポートの構造を示す斜視図である。 ガス入力ポートの構造を示す断面図である。 ガス入力ポートの入口を二重構造に変形した例を示す斜視図である。 ガス入力ポートの入口を二重構造に変形した例を示す断面図である。 ガス出力ポートの構造を示す斜視図である。 ガス出力ポートの構造を示す断面図である。 チャンバーハウジングの前面に上下二重でガス入力ポートを構成した例を示す斜視図である。 チャンバーハウジングの前面に上下二重でガス入力ポートを構成した例を示す断面図である。 チャンバーハウジングの後面に，上部にガス入力ポートを下部にガス出力ポートを構成した例を示す斜視図である。 チャンバーハウジングの後面に，上部にガス入力ポートを下部にガス出力ポートを構成した例を示す断面図である。 上下真空チャンバーの内側上・下面と左・右面に平板双極電極を設置した例を示す断面図である。 本発明のプラズマ反応チャンバーを採用した基板処理システムの一例を示す図面である。 プラズマ反応チャンバーを並列に配置して構成した基板処理システムの平面図である。

符号の説明

１０ チャンバーハウジング
１２，１４ スリットバルブ
１６，１８ 内部連結通路
２０ ガス入力ポート
２５ ガス出力ポート
２１，２６ ポートハウジング
２２，２７ ガス入口／出口
２３ 排気ホール
２８ 吸入ホール
２４，２９ ガス分配隔板
３０ 上部真空チャンバー
３２ 下部真空チャンバー
４０，４２ マグネチックコアー
４１，４３ 巻線コイル
４４，４５ 誘電体板
５０，５２ バッフル平板
５４，５６ サセプター
５５，５７ 被処理基板
６０，６２，６４ 電源供給源
６６ 位相／電圧制御部
７０〜７７ 平板電極

Claims (15)

1. 複数の真空チャンバーと上記複数の真空チャンバーを相互連結する複数の内部連結通路とを有するチャンバーハウジングと；
   上記複数の真空チャンバーと上記複数の内部連結通路とを通して，連続して形成される放電経路に誘導起電力を伝逹するように，上記チャンバーハウジングの内部に設置される１または２以上のマグネチックコアーと；
   上記１または２以上のマグネチックコアーに巻線され，電源供給源に繋がれることにより，上記放電経路にプラズマを励起するための起電力を供給する巻線コイルと；
   上記チャンバーハウジングに設置され，上記複数の真空チャンバーにガスを入力するガス入力ポートと；
   上記チャンバーハウジングに設置され，上記複数の真空チャンバーからガスを出力するガス出力ポートと；を備えるプラズマ反応チャンバー。
2. 上記１または２以上のマグネチックコアーは，
   上記複数の真空チャンバーの内側面に設置される環状構造を有する請求項１に記載のプラズマ反応チャンバー。
3. 上記１または２以上のマグネチックコアーは，
   環状構造を有し，上記複数の内部連結通路の内側面に設置される請求項１または請求項２のいずれかに記載のプラズマ反応チャンバー。
4. 上記プラズマ反応チャンバーは，さらに，
   上記放電経路に向かう上記１または２以上のマグネチックコアーの面を覆うように設置される誘電体板を備える請求項１，２または請求項３のいずれか一項に記載のプラズマ反応チャンバー。
5. 上記複数の真空チャンバーは，
   垂直に積層された構造，または，水平に並列配列された構造を有する請求項１，２，３または請求項４のいずれか一項に記載のプラズマ反応チャンバー。
6. 上記複数の真空チャンバーは，
   被処理基板が置かれるサセプターと，
   上記サセプターの上部に設置されるバッフル平板と，を有する請求項１，２，３，４または請求項５のいずれか一項に記載のプラズマ反応チャンバー。
7. 上記複数の真空チャンバーの各真空チャンバーは，
   被処理基板をローディング／アンロディングするためのスリットバルブをそれぞれ有する請求項１，２，３，４，５または請求項６のいずれか一項に記載のプラズマ反応チャンバー。
8. 上記１または２以上のマグネチックコアーに巻線された上記巻線コイルは，
   電源供給源に直列または並列または直並列混合のいずれかにより繋がれる請求項１，２，３，４，５，６または請求項７のいずれか一項に記載のプラズマ反応チャンバー。
9. 上記複数の真空チャンバーは，
   上記複数の真空チャンバーの内部壁面のうちの上面および下面にて設置される第一平板双極電極と，
   上記内部壁面のうちの側面にて設置される第二平板双極電極と，
   上記第一平板双極電極に第一周波数の電源を供給する第一電源供給源と，
   上記第二平板双極電極に第二周波数の電源を供給する第二電源供給源と，
   上記第一電源供給源の第一周波数の位相差及び／または電圧レベルの少なくともいずれかを制御し，上記第二電源供給源の第二周波数の位相差及び／または電圧レベルの少なくともいずれかを制御する位相／電圧制御部と，を有する請求項１，２，３，４，５，６，７または請求項８のいずれか一項に記載のプラズマ反応チャンバー。
10. 上記ガス入力ポートは，
    上記チャンバーハウジングの外側に設けられるように構成されたガス入口と，上記チャンバーハウジングの内側にガスが排気されるように形成された複数の排気ホールと，を含むガス入力ポートハウジングと，
    上記ガス入口と上記複数の排気ホールとの間を横切って，上記ガス入力ポートハウジングを区切るように上記ガス入力ポートハウジングの内部に設置され，複数のホールが形成され，上記ガス入口を通して入力されたガスを均等に分配して排気ホールに出力する１又は２以上のガス分配隔板を有する請求項１，２，３，４，５，６，７，８または請求項９のいずれか一項に記載のプラズマ反応チャンバー。
11. 上記ガス入力ポートハウジングは，
    上記並列に設けられた複数のガス入口を含む請求項１０に記載のプラズマ反応チャンバー。
12. 上記ガス出力ポートは，
    上記チャンバーハウジングの内側にて上記チャンバーハウジング内のガスを吸入する複数の吸入ホールと，上記チャンバーハウジングの外側に設けられるように構成されたガス出口と，を含むガス出力ポートハウジングと，
    上記複数の吸入ホールと上記ガス出口との間を横切って，上記ガス出力ポートハウジングを区切るように上記ガス出力ポートハウジングの内部に設置され，複数のホールが形成され，上記複数の吸入ホールを通して入力されたガスを均等に分配してガス出口に出力する１または２以上のガス分配隔板と，を有する請求項請求項１，２，３，４，５，６，７，８，９，１０または請求項１１のいずれか一項に記載のプラズマ反応チャンバー。
13. 上記ガス出力ポートハウジングは，
    上記並列に設けられた複数のガス出口を含む請求項１２に記載のプラズマ反応チャンバー。
14. 上記チャンバーハウジングは，
    上記ガス入力ポートまたは上記ガス出力ポートの少なくともいずれかを複数備えることにより，多重のガス入力構造または多重のガス出力構造を有する請求項１，２，３，４，５，６，７，８，９，１０，１１，１２または請求項１３のいずれか一項に記載のプラズマ反応チャンバー。
15. 被処理基板の積載したカセットが置かれる１または２以上のロードポートと；
    上記１または２以上のロードポートに繋がれ，基板移送のための移送ロボットを有する移送チャンバーと；
    上記移送チャンバーに繋がれた，基板冷却のためのクーリングステージと；
    上記移送チャンバーに繋がれ，マグネチックコアーが内蔵されたプラズマ反応チャンバーと；を備える基板処理システムであって，
    上記プラズマ反応チャンバーは，
    複数の真空チャンバーと上記複数の真空チャンバーを相互連結する複数の内部連結通路とを有するチャンバーハウジングと，
    上記複数の真空チャンバーと上記複数の内部連結通路とを通して，連続して形成される放電経路に誘導起電力を伝逹するように，上記チャンバーハウジングの内部に設置される１または２以上のマグネチックコアーと，
    上記１または２以上のマグネチックコアーに巻線され，電源供給源に繋がれることにより，上記放電経路にプラズマを励起するための起電力を供給する巻線コイルと，
    上記チャンバーハウジングに設置され，上記複数の真空チャンバーにガスを入力するガス入力ポートと，
    上記チャンバーハウジングに設置され，上記複数の真空チャンバーからガスを出力するガス出力ポートと，を有する基板処理システム。

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