JP2006098437A - 画素回路及び表示装置 - Google Patents
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 53
- 238000005070 sampling Methods 0.000 claims description 28
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 26
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 18
- 238000007667 floating Methods 0.000 abstract description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 13
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 4
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 4
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
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Abstract
【課題】表示画面の黒浮きを防止可能な画素回路を提供する。
【解決手段】ドライブトランジスタTr2は、保持容量Cs2が黒表示の映像信号に応じた入力電位を保持している時、リーク電流成分のみを含む出力電流Idを供給する。ドライブトランジスタTr2にバイパストランジスタTr7が接続している。バイパストランジスタTr7は、黒表示の時流れるリーク電流成分をバイパスして、ドライブトランジスタTr2から発光素子ELに供給される出力電流をゼロレベルに抑制する一方、発光素子ELのオン抵抗に比べて充分高い抵抗を有しており白表示時ドライブトランジスタTr2から発光素子ELに供給される出力電流Idのレベルに影響を及ぼさない。
【選択図】図6
【解決手段】ドライブトランジスタTr2は、保持容量Cs2が黒表示の映像信号に応じた入力電位を保持している時、リーク電流成分のみを含む出力電流Idを供給する。ドライブトランジスタTr2にバイパストランジスタTr7が接続している。バイパストランジスタTr7は、黒表示の時流れるリーク電流成分をバイパスして、ドライブトランジスタTr2から発光素子ELに供給される出力電流をゼロレベルに抑制する一方、発光素子ELのオン抵抗に比べて充分高い抵抗を有しており白表示時ドライブトランジスタTr2から発光素子ELに供給される出力電流Idのレベルに影響を及ぼさない。
【選択図】図6
Description
本発明は、画素ごとに配した発光素子を電流駆動する画素回路に関する。またこの画素回路がマトリクス状に配列された表示装置であって、特に各画素回路内に設けた絶縁ゲート型電界効果トランジスタによって、有機EL素子などの発光素子に通電する電流量を制御する、いわゆるアクティブマトリクス型の表示装置に関する。
従来の画素回路は、行状の走査線と列状の信号線とが交差する部分に配されている。走査線には外部のスキャナから選択パルスが供給される。信号線には黒表示から白表示までの輝度に応じた映像信号が外部のドライバから供給される。画素回路は、基本的にサンプリングトランジスタと、保持容量と、ドライブトランジスタと、有機EL素子などで代表される発光素子とで構成される。サンプリングトランジスタは、走査線から供給される選択パルスに応じて導通し、信号線から供給された映像信号をサンプリングする。保持容量は、サンプリングされた映像信号に応じた入力電位を保持する。ドライブトランジスタは、保持容量に保持された入力電位に応じて出力電流を供給する。発光素子はドライブトランジスタに接続しており、これから供給された出力電流に応じて黒表示から白表示までの所定の輝度で発光する。
かかる構成を有する画素回路を備えたアクティブマトリクス型の有機EL表示装置は、例えば以下の特許文献1ないし3に記載がある。
特開2003−255856
特開2003−271095
特開2004−133240
映像信号のレベルは、例えば0V〜5Vまで変化する。0Vのとき発光素子は発光せず、黒表示になる。5Vになると発光素子は最大輝度で発光し、白表示となる。映像信号のレベルが0V〜5Vの間に入るときは、そのレベルに応じた中間調表示となる。
保持容量はあらかじめドライブトランジスタの閾電圧を検出してこれを保持しておく。これは個々のドライブトランジスタの閾電圧のばらつきをキャンセルするためである。黒表示に対応した0Vの映像信号がサンプリングされたとき、保持容量には0Vの電位しか加わらないので、結局入力電位はドライブトランジスタの閾電圧と等しくなる。ゲートに加わる入力電位が閾電圧と同じであるならば、ドライブトランジスタは出力電流(ドレイン電流)を流さない。したがって発光素子には出力電流が流れず、表示装置は黒表示となる。
しかしながら、実際には画素回路を構成するトランジスタのリークなどにより、黒表示の場合でも保持容量に保持された入力電位がドライブトランジスタの閾電圧をわずかに上回る事態が生じる。この場合ドライブトランジスタはわずかではあるがリーク電流成分程度の(例えばnA程度)出力電流が流れる。これにより、発光素子は微弱ながら発光するので、完全な黒表示とならない。黒が完全に沈まないので表示が浮き上がった感じとなり、画質が損なわれる。以下本明細書では、この現象を「黒浮き」と呼ぶ。黒浮きがあると画面のコントラストが下がり画質を損なうので解決すべき課題となっている。
上述した従来の技術の課題に鑑み、本発明は黒浮きを防止可能な画素回路及び表示装置を提供することを目的とする。かかる目的を達成するために以下の手段を講じた。即ち、選択パルスを供給する行状の走査線と黒表示から白表示までの輝度に応じた映像信号を供給する列状の信号線とが交差する部分に配され、サンプリングトランジスタと、保持容量と、ドライブトランジスタと、発光素子とを含み、前記サンプリングトランジスタは、走査線から供給される選択パルスに応じて導通し該信号線から供給された映像信号をサンプリングし、前記保持容量は、該サンプリングされた映像信号に応じた入力電位を保持し、前記ドライブトランジスタは、該保持容量に保持された入力電位に応じて出力電流を供給し、前記発光素子は該ドライブトランジスタに接続しており、これから供給された出力電流に応じて黒表示から白表示までの所定の輝度で発光する画素回路において、前記ドライブトランジスタは、該保持容量が黒表示の映像信号に応じた入力電位を保持している時、リーク電流成分のみを含む出力電流を供給し、該ドライブトランジスタにバイパストランジスタが接続しており、前記バイパストランジスタは、黒表示の時流れる該リーク電流成分をバイパスして、該ドライブトランジスタから該発光素子に供給される出力電流をゼロレベルに抑制する一方、該発光素子のオン抵抗に比べて充分高い抵抗を有しており白表示時該ドライブトランジスタから該発光素子に供給される出力電流のレベルに影響を及ぼさない様にしたことを特徴とする。
一態様では、前記発光素子はアノード及びカソードを有する二端子型の発光素子であり、前記バイパストランジスタはチャネル領域、ソース領域及びドレイン領域を有する薄膜トランジスタであり、ソース領域及びドレイン領域が各々ソース配線及びドレイン配線により該発光素子の二端子に接続し、少なくとも該ソース領域とソース配線の間又は該ドレイン領域とドレイン配線との間が高抵抗になっている。他の態様では、該発光素子の発光をオンオフ制御するスイッチングトランジスタを含んでおり、前記スイッチングトランジスタは、別の走査線から供給される第1のゲートパルスに応じて該発光素子に対する出力電流の通電をオンする一方、前記バイパストランジスタはさらに別の走査線から供給される第1のゲートパルスと同相の第2のゲートパルスに応じてオンし該リーク電流成分をバイパスするとともに、該第2のゲートパルスの電圧は第1のゲートパルスの電圧に比べて低く設定されており、該バイパストランジスタのオン抵抗を高くする。好ましくは、該ドライブトランジスタの閾電圧を検出して該保持容量に保持する検出トランジスタを含んでおり、前記保持容量は該閾電圧に足し込むかたちで映像信号に応じた信号電位を上乗せし以って入力電位として保持し、前記ドライブトランジスタは黒表示時信号電位がゼロで閾電圧のみからなる入力電位に応じてリーク電流成分のみを含む出力電流を供給し、黒表示時前記検出トランジスタのリークにより該入力電位が上昇し、前記ドライブトランジスタは該入力電位の上昇により該リーク電流成分が生じる。
又本発明は、選択パルスを供給する行状の走査線と、黒表示から白表示までの輝度に応じた映像信号を供給する列状の信号線と、両者が交差する部分に配された行列状の画素とを含み、各画素は、サンプリングトランジスタと、保持容量と、ドライブトランジスタと、発光素子とを含み、前記サンプリングトランジスタは、走査線から供給される選択パルスに応じて導通し該信号線から供給された映像信号をサンプリングし、前記保持容量は、該サンプリングされた映像信号に応じた入力電位を保持し、前記ドライブトランジスタは、該保持容量に保持された入力電位に応じて出力電流を供給し、前記発光素子は該ドライブトランジスタに接続しており、これから供給された出力電流に応じて黒表示から白表示までの所定の輝度で発光する表示装置において、前記ドライブトランジスタは、該保持容量が黒表示の映像信号に応じた入力電位を保持している時、リーク電流成分のみを含む出力電流を供給し、該ドライブトランジスタにバイパストランジスタが接続しており、前記バイパストランジスタは、黒表示の時流れる該リーク電流成分をバイパスして、該ドライブトランジスタから該発光素子に供給される出力電流をゼロレベルに抑制する一方、該発光素子のオン抵抗に比べて充分高い抵抗を有しており白表示時該ドライブトランジスタから該発光素子に供給される出力電流のレベルに影響を及ぼさない様にしたことを特徴とする。
本発明によれば、発光素子と並列してバイパストランジスタを設けている。このバイパストランジスタは、黒表示のときドライブトランジスタから流れてくるリーク電流成分をバイパスしている。これにより、ドライブトランジスタから発光素子に供給される出力電流はゼロレベルに抑制され、発光しなくなる。これにより従来問題となっていた黒浮きを防ぐことができる。リーク電流成分はnA程度のオーダーである。このバイパストランジスタは、発光素子のオン抵抗に比べて充分高い抵抗を有している。したがって、白表示時ドライブトランジスタから発光素子に供給される出力電流に影響を及ぼすことがない。例えば白表示時の出力電流はμA程度であるが、この内バイパストランジスタが分流する分はほとんど無視できる程度である。この様に高抵抗のバイパストランジスタをドライブトランジスタに接続することで、リーク電流成分による黒浮きを除去することができる。白表示の輝度を保ったまま、黒表示の輝度を下げることができるので、高コントラストの有機EL表示装置を得ることができる。
以下図面を参照して本発明の実施の形態を詳細に説明する。まず最初に本発明の背景を明らかにするため、図1を参照してアクティブマトリクス表示装置の一般的な構成を参考例として説明する。図示するように、アクティブマトリクス型の表示装置は、主要部となる画素アレイ1と周辺の回路群とで構成されている。画素アレイ1は画素回路2を含んでいる。周辺の回路群は水平セレクタ3、ライトスキャナ4、第一ドライブスキャナ5、第二ドライブスキャナ6、補正用スキャナ7などを含んでいる。
画素アレイ1は行状の走査線WSと列状の信号線SLと両者の交差する部分にマトリクス状に配列した画素回路2とで構成されている。本例の場合、カラー表示を行うため、画素回路2はRGB三原色に分かれて設けてある。信号線SLは水平セレクタ3によって駆動される。走査線WSはライトスキャナ4によって走査される。なお、走査線WSと平行に別の走査線DS1,DS2,AZも配線されている。走査線DS1は第一ドライブスキャナ5によって走査される。走査線DS2は第二ドライブスキャナ6によって走査される。なお、走査線DS2はRGBに分かれて3本配されている。これに対し走査線DS1はRGB共通で1本配されている。残りの走査線AZは補正用スキャナ7によって走査される。
図2は、図1に示した画素回路2の基本的な構成を示す参考図である。本画素回路2は、サンプリングトランジスタTr1、ドライブトランジスタTr2、スイッチングトランジスタTr3、スイッチングトランジスタTr4、検出トランジスタTr5、スイッチングトランジスタTr6、一対の容量素子Cs1,Cs2及び発光素子ELとで構成されている。本参考例では各トランジスタTr1ないしTr6は全てNチャネル型のアモルファスシリコン薄膜トランジスタ(TFT)で構成されている。また発光素子ELは、例えば有機EL素子を用いることができる。
引き続き図2を参照して、画素回路2の構成を具体的に説明する。ドライブトランジスタTr2は入力ノードとなるゲートG、出力ノードとなるソースS及び電源ノードとなるドレインDとを備えている。出力ノード(S)には発光素子ELのアノードが接続している。発光素子ELのカソードは接地(GND)されている。本例では、発光素子ELはアノード及びカソードを備えた二端子形である。ドライブトランジスタTr2の電源側ノード(D)は、スイッチングトランジスタTr4を介して電源Vccに接続されている。このスイッチングトランジスタTr4のゲートは、走査線DS2に接続されている。
ドライブトランジスタTr2の入力ノード(G)には保持容量Cs2の一端が接続されている。この保持容量Cs2の他端は出力ノード(S)に接続するとともに、スイッチングトランジスタTr3を介して接地されている。スイッチングトランジスタTr3のゲートは走査線DS1に接続されている。さらに入力ノード(G)には結合容量Cs1を介してサンプリングトランジスタTr1が接続している。サンプリングトランジスタTr1のゲートは走査線WSに接続している。またサンプリングトランジスタTr1のソースは信号線SLに接続している。加えて結合容量Cs1とサンプリングトランジスタTr1の接続ノードは、スイッチングトランジスタTr6を介して接地されている。スイッチングトランジスタTr6のゲートは走査線AZに接続している。最後に、ドライブトランジスタTr2のゲートGとドレインDとの間に検出容量Tr5が接続されている。検出トランジスタTr5のゲートは走査線AZに接続している。
図3のタイミングチャートを参照して、図2に示した参考例にかかる画素回路の動作を詳細に説明する。図示のタイミングチャートは、タイミングT1で1フィールド(1f)がスタートし、タイミングT8で1フィールドが終わるように表してある。時間軸に沿って、走査線WS,AZ,DS1及びDS2にそれぞれ印加される制御パルスws、az、ds1及びds2の波形を表してある。また同じ時間軸に沿って、ドライブトランジスタTr2の入力ノード(G)及び出力ノード(S)の電位変化を表してある。なお図3のタイミングチャートは、白表示の映像信号が入力された場合である。
当該フィールドがスタートするタイミングT1の前のタイミングT0で、走査線WS,AZ,DS1がローレベルにある一方、走査線DS2がハイレベルにある。したがってスイッチングトランジスタTr4のみがオン状態で、残りのトランジスタTr1,Tr3,Tr5及びTr6はオフ状態となっている。この状態でドライブトランジスタTr2のドレインDはオン状態のスイッチングトランジスタTr4を介して電源Vccに接続される。ドライブトランジスタTr2はゲートGとソースSとの間に印加されるゲート電圧Vgsに応じて出力電流(ドレイン電流)Idを発光素子ELに供給する。これにより発光素子ELは所定の輝度で発光している。
タイミングT1となって当該フィールドがスタートすると、制御パルスazが立ち上がる。これにより検出トランジスタTr5とスイッチングトランジスタTr6がオンする。Tr6がオンすることで結合容量Cs1の一端が接地電位GNDに固定され、ドライブトランジスタTr2の閾電圧(Vth)の検出準備状態に入る。検出トランジスタTr5もオンするため、ドライブトランジスタTr2のゲートGとドレインDが直結する。このときスイッチングトランジスタTr4はまだオン状態に保たれているため、ドライブトランジスタTr2のゲート電位は急激に上昇する。これと連動してドライブトランジスタTr2のソース電位も急激に上昇する。
続いてタイミングT2になると、制御パルスds2がローレベルとなりスイッチングトランジスタTr4がオフする。これにより、ドライブトランジスタTr2は電源Vccから切り離され非発光状態になる。同時に制御パルスDS1が立ち上がるので、スイッチングトランジスタTr3がオンし、ドライブトランジスタTr2のソースS及び保持容量Cs2の一端が接地される。スイッチングトランジスタTr4がオフすることで、ドライブトランジスタTr2のゲート電位Gは低下していく。丁度ゲート電位Gとソース電位Sとの差Vgsが閾電圧Vthとなったところで、ドレイン電流Idは流れなくなる。この結果、ゲートGとソースSとの間に接続された保持容量Cs2にドライブトランジスタTr2の閾電圧Vthが保持される。
この後タイミングT3で制御パルスazが立ち下がり、検出トランジスタTr5がオフとなってVth検出動作が終了する。
続いてタイミングT4になると、選択パルスwsが立ち上がり、サンプリングトランジスタTr1がオンする。これにより信号線SLから供給された白表示の映像信号が結合容量Cs1を介して保持容量Cs2にカップリングされる。この結果、保持容量Cs2には先に書き込まれたVthに足し込むかたちで映像信号に対応した信号電圧Vinが書き込まれる。この結果、保持容量Cs2はドライブトランジスタTr2の入力ノード(G)に対して、入力電位Vin+Vthを供給することになる。入力電位には常に閾電圧Vthが足し込まれているので、例え画素ごとにドライブトランジスタの閾電圧がばらついていても、常にキャンセルすることができる。
この後映像信号のサンプリングに割り当てられた1水平期間(1H)が経過するタイミングT5で選択パルスwsが立ち下がり、サンプリングトランジスタTr1がオフする。
続いてタイミングT6に至ると、制御パルスDS1が立ち下がり、スイッチングトランジスタTr3がオフする。これにより、ドライブトランジスタTr2のソースS及び保持容量Cs2の一端が接地レベルから切り離され、発光動作の準備状態となる。
この後タイミングT7になると制御パルスds2が立ち上がり、スイッチングトランジスタTr4がオンする。この結果ドライブトランジスタTr2のドレインDが電源電位Vccに接続し、入力電位Vin+Vthに応じたドレイン電流Idが流れ、発光素子ELは最大レベルの信号電位Vinに応じて白レベルの輝度で発光する。タイミングT7では既にドライブトランジスタTr2のソースSが接地電位GNDから切り離されているので、発光素子ELに出力電流Idが流れると電圧降下によりアノード電位(したがってドライブトランジスタTr2のソース電位)が上昇する。このときブートストラップ動作でゲート電位もそのまま上昇するので、保持容量Cs2に保持された入力電位(ゲート電位Vgs)は一定に維持される。この結果ドライブトランジスタTr2は定電源として動作する。
最後にタイミングT8に至ると当該フィールドが完了するとともに次のフィールドに入る。
図4は、黒表示の場合のタイミングチャートである。理解を容易にするため、図3に示した白表示のタイミングチャートと対応する部分には対応する参照符号を用いてある。タイミングT3までは図3と同様である。すなわち、あらかじめドライブトランジスタTr2の閾電圧Vthを検出して、保持容量Cs2に保持してある。この後タイミングT4になると、選択パルスwsが立ち上がり、サンプリングトランジスタTr1がオンして信号線SLから映像信号をサンプリングする。この場合映像信号は黒レベルなので0Vである。したがって保持容量Cs2には正味の信号電圧は加わらず、ドライブトランジスタTr2に対する入力電位はVthのままである。この後タイミングT5で選択パルスwsが立ち下がりサンプリングトランジスタTr1がオフする。さらにタイミングT6で制御パルスds1が立ち下がり、スイッチングトランジスタTr3がオフする。
この後タイミングT7に至ると制御パルスds2が立ち上がり、スイッチングトランジスタTr4がオンして発光期間に入る。しかしながら、黒表示の場合入力電位はVthのままであり、ドライブトランジスタTr2は原理上ドレイン電流Idがゼロである。したがって発光素子ELには出力電流が流れないので、黒表示となる。
図5は同じく黒表示の場合のタイミングチャートであるが、ドライブトランジスタのゲート電位(G)及びソース電位(S)に加えてドレイン電位(D)も描いてある。タイミングT2で制御パルスds2が立ち下がった後は、制御パルスazがオンしておりVth補正動作を行っているので、ドレイン電位(D)もゲート電位(G)と等しくなっている。そのため、タイミングT3でVth補正動作が完了すると、ドレイン電位(D)はVthとなり、その後制御パルスds2が立ち上がるまでそのまま保持される。次にタイミングT7で制御パルスds2が立ち上がると、黒表示時にはドライブトランジスタTr2には理想的にはドレイン電流が流れないので、スイッチングトランジスタTr4にも電流は流れず、ドレイン電位(D)は電源電位Vccとなる。
しかしながら、タイミングT7〜タイミングT8の発光期間において、検出トランジスタTr5に注目すると、このトランジスタTr5は発光期間T7〜T8において制御パルスazがローレベルにあるので、オフ状態となっている。したがって検出トランジスタTr5のソース電位はドライブトランジスタTr2のゲート電位と等しくVth(例えば2V)に保たれている。しかし、検出トランジスタTr5のドレイン電圧は、ドライブトランジスタTr2のドレイン電位と同一であり、発光期間中はVcc(例えば15V)となる。ここで検出トランジスタTr5はVgsのマイナス電圧は大きくないものの、VdsはVcc(15V)−Vth(2V)=13Vの電圧差となり、非常に大きくなってしまう。この動作点では、検出トランジスタTr5のリーク電流が大きくなってしまう。このため、ドライブトランジスタTr2のゲートGに電荷がチャージされ、ゲート電圧VgsはVth(2V)よりも大きくなってしまい、例えばVgs=2.1Vとなる。これにより、本来黒表示であってもドライブトランジスタTr2にわずかながらドレイン電流Idが流れてしまい、黒浮きとなってしまう。この黒浮き現象は、動作電圧の大きいアモルファスシリコンTFTにて顕著に見られる。
図6は、本発明にかかる画素回路並びに表示装置を示す模式的な回路図である。図2に示した参考例の対応する部分には対応する参照符号を付して理解を容易にしている。異なる点は、バイパストランジスタTr7が追加されたことである。バイパストランジスタTr7のドレインはドライブトランジスタTr2のソースS及び発光素子ELのアノードに接続されている。バイパストランジスタTr7のソースは接地されている。ドライブトランジスタTr7のゲートは走査線DS2に接続されている。すなわちバイパストランジスタTr7はスイッチングトランジスタTr4と同相の制御パルスでオンオフ駆動される。
以下、本発明にかかる画素回路の特徴を説明する。図示するように、画素回路2は行状の走査線WSと列状の信号線SLとが交差する部分に配されている。走査線WSはライトスキャナ4に接続されており、選択パルスを画素回路2に供給する。信号線SLは水平セレクタ3に接続しており、黒表示から白表示までの輝度に応じた映像信号を画素回路2に供給する。この他画素回路2には走査線DS1,DS2及びAZも接続されている。画素回路2は基本的にサンプリングトランジスタTr1と保持容量Cs2とドライブトランジスタTr2と発光素子ELとを含んでいる。サンプリングトランジスタTr1は、走査線WSから供給される選択パルスwsに応じて導通し、信号線SLから供給された映像信号をサンプリングする。保持容量Cs2は、サンプリングされた映像信号に応じた入力電位Vinを保持する。ドライブトランジスタTr2は、保持容量Cs2に保持された入力電位に応じて出力電流(ドレイン電流)Idを供給する。発光素子ELはドライブトランジスタTr2に接続しており、これから供給された出力電流Idに応じて黒表示から白表示までの所定の輝度で発光する。
ドライブトランジスタTr2は、保持容量Cs2が黒表示の映像信号に応じた入力電位を保持している時、リーク電流成分のみを含む出力電流を供給する。このドライブトランジスタTr2にバイパストランジスタTr7が接続している。このバイパストランジスタTr7は、黒表示の時流れるリーク電流成分をバイパスして、ドライブトランジスタTr2から発光素子ELに供給される出力電流をゼロレベルに抑制する一方、発光素子ELのオン抵抗に比べて充分高い抵抗を有しており白表示時ドライブトランジスタTr2から発光素子ELに供給される出力電流Idのレベルに影響を及ぼさない。例えば黒表示時バイパストランジスタTr7によってバイパスされるリーク電流成分はnA程度のオーダーであるのに対し、白表示時発光素子ELに供給される出力電流はμAオーダーである。
発光素子ELはアノード及びカソードを有する二端子方の発光素子である。バイパストランジスタTr7は、チャネル領域、ソース領域及びドレイン領域を有する薄膜トランジスタ(TFT)であり、ソース領域及びドレイン領域が各々ソース配線及びドレイン配線により発光素子ELの二端子に接続している。バイパストランジスタTr7は、少なくともソース領域とソース配線の間またはドレイン領域とドレイン配線との間が高抵抗になっている。これにより、白表示時における発光輝度を維持できるようにしている。
本実施形態は検出トランジスタTr5を含んでおり、ドライブトランジスタTr2の閾電圧Vthを検出して保持容量Cs2に保持する。保持容量Cs2は閾電圧Vthに足し込むかたちで映像信号に応じた信号電位Vinを上乗せし、以って入力電位として保持する。ドライブトランジスタTr2は黒表示時信号電位Vinがゼロで閾電圧Vthのみからなる入力電位に応じてリーク電流成分のみを含む出力電流Idを供給する。黒表示時、検出トランジスタTr5のリークにより入力電位が上昇する。ドライブトランジスタTr2はこの入力電位の上昇によりリーク電流成分が生じてしまう。このリーク電流成分はバイパストランジスタTr7によってバイパスされ、発光素子ELには流れない。
図7は、図6に示した本発明にかかる画素回路の動作説明に供するタイミングチャートである。理解を容易にするため、図4に示した黒表示時における参考例のタイミングチャートと対応する部分には対応する参照符号を用いてある。基本的には、当該フィールドがスタートしてタイミングT1〜タイミングT7まで動作は同じである。タイミングT7に至ると制御パルスds2が立ち上がり、スイッチングトランジスタTr4と同時にバイパストランジスタTr7もオンする。前述したように、黒表示でも検出トランジスタTr5のゲートリークにより、ドライブトランジスタTr2に微少な電流が流れ、なんら対策を施さないと黒浮きが生じる。この点本発明では、黒浮きをもたらす微少電流がnA程度のオーダーであれば、バイパストランジスタTr7を介してリークする。これにより、発光素子ELのアノード電位はGNDもしくはこれよりも低いVssに保たれ、ELは非発光状態になる。よって検出トランジスタTr5のリーク電流があったとしても、黒浮きのない高コントラストのパネルを得ることができる。
図8は、図6に示した画素回路に含まれるトランジスタTrの一般的な構成を示す模式的な断面図である。図示するように、トランジスタTrはTFTであり、ガラスなどの基板11の上に形成されている。本例はボトムゲート型であり、ゲート配線12の上にゲート絶縁膜13を介して半導体薄膜14が形成されている。この半導体薄膜14は例えばアモルファスシリコン薄膜である。半導体薄膜14はゲート配線12の直上のチャネル領域とその両側のソース領域及びドレイン領域を備えている。半導体薄膜14の上にはストッパ膜15を介してドレイン配線17D及びソース配線17Sが形成されている。なお、ドレイン配線17Dと半導体薄膜14との間にはn+不純物層16Dが介在している。同様にソース配線17Sと半導体薄膜14との間にはn+不純物層16Sが介在している。図示のトランジスタTrは、サンプリングトランジスタTr1、ドライブトランジスタTr2、スイッチングトランジスタTr4、検出トランジスタTr5などに用いられる。
図9は、バイパストランジスタTr7の構成を表しており、(A)は平面図、(B)はB−B線に沿った横断面図、(C)はC−C線に沿った縦断面図である。理解を容易にするため、図8に示したTrと対応する部分には対応する参照番号を付してある。図示するように、ゲート配線12とソース配線17S及びドレイン配線17Dとの間に、アモルファスシリコンからなる半導体薄膜14とストッパ膜15とを介在させている。互いに隣接するソース配線17S及び17Dの下には、共通の半導体薄膜14やストッパ膜15のアイランドがある。この互いに隣接する配線17S,17D間が高抵抗のバイパストランジスタTr7となる。縦方向の断面図(C)を見ると、ソース配線17Sの下部にはストッパ膜15があるが、この配線17Sは下部に位置する半導体薄膜14の側面と導通している。この部分を接触部Zで表してある。これにより、配線17S,17Dは各々下部の半導体薄膜14と導通している。ここで横方向の断面図(B)を参照する。図示するように1本のゲート配線12の上に、半導体薄膜14がレイアウトされている。ここで、半導体薄膜14の端部にて各配線17S,17Dが導通しているので、この各々の電位がソース・ドレイン電位となり、ゲート配線12上の半導体薄膜14をチャネル領域としてトランジスタが形成される。このトランジスタはソース配線17S及びドレイン配線17Dの接触部Zにおけるコンタクト抵抗が高いため、オン電流も数nAのオーダーとなる。本発明は、このトランジスタをバイパストランジスタTr7に用いることができる。
ただし本発明はこれに限られるものではない。別の方式として、図9に示した配線抵抗の高いトランジスタの代わりに、図8に示した通常のトランジスタTrを用いることができる。この場合にはオン電流値がnAオーダーとなるように、ゲートをオンする電圧を小さくして、黒浮きを防止する事ができる。このゲートパルスの位相は制御パルスds2と同一とする。すなわち、発光素子ELの発光をオンオフ制御するスイッチングトランジスタTr4のゲートパルスと同相にする。前述したように、スイッチングトランジスタTr4は、走査線DS2から供給される第一のゲートパルスds2に応じて発光素子ELに対する出力電流Idの通電をオンする。これに対しバイパストランジスタは、走査線DS2とは別の走査線から供給される同相のゲートパルスに応じてオンし、リーク電流成分をバイパスして黒浮きを防止する。このときバイパストランジスタに印加されるゲートパルスの電圧はスイッチングトランジスタTr4に印加されるゲート電圧に比べて低く設定されており、バイパストランジスタのオン抵抗を高くしている。
図10は、本発明にかかる画素回路及び表示装置の他の実施形態を示す模式的な回路図である。理解を容易にするため、図2に示した先の実施形態と対応する部分には対応する参照番号を付してある。異なる点は、ドライブトランジスタTr2としてNチャネル型のTFTにかえてPチャネル型のTFTを使ったことである。これによりドライブトランジスタTr2はそのままで定電流源となり、ブートストラップ動作は不要となる。先の実施形態と同様に、黒浮きを防止するためのバイパストランジスタTr7が設けてある。
具体的には、ドライブトランジスタTr2のソースSが電源Vccに接続し、ドレインDがスイッチングトランジスタTr4を介して発光素子ELのアノードAに接続している。発光素子ELのカソードは接地電位GNDに接続している。バイパストランジスタTr7はアノードAと接地電位GNDとの間に接続されている。ドライブトランジスタTr2のゲートGとドレインDとの間に閾電圧検出抵抗Tr5が接続している。ドライブトランジスタTr2のゲートは保持容量Cs2を介してサンプリングトランジスタTr1に接続している。保持容量Cs2とサンプリングトランジスタTr1の接続ノードには、電位固定用のスイッチングトランジスタTr6が接続している。またこの接続ノードと電源電位Vccとの間に別の保持容量Cs1が接続している。
図11は、図10に示した実施形態の動作説明に供するタイミングチャートである。理解を容易にするため、図3に示した先の実施形態の白表示時におけるタイミングチャートと対応させた表記になっている。まずタイミングT1で制御パルスazが立ち上がり、検出トランジスタTr5及び電位固定用のスイッチングトランジスタTr6がオンする。これによりドライブトランジスタTr2のゲート電位(G)が急激に低下するとともに、発光素子ELのアノード電位(A)が急激に上昇する。
タイミングT2になると、制御パルスdsが立ち下がりスイッチングトランジスタTr4及びバイパストランジスタTr7がオフして非発光期間に入る。このときゲート電位(G)が上昇し、丁度Vccとの差がVthとなったところでドレイン電流Idが流れなくなる。したがってアノード電位(A)は接地電位GNDまで低下する。この様にして検出されたドライブトランジスタTr2の閾電圧Vthは保持容量Cs2に保持される。
この後タイミングT3で制御パルスazが立ち下がった後、タイミングT4で選択パルスwsが立ち上がる。これによりサンプリングトランジスタTr1がオンし、信号線SLから供給された映像信号に応じた信号電位Vinが保持容量Cs1にサンプリングされる。これにより、保持容量Cs2に保持された入力電位はVth+Vinとなり、これがドライブトランジスタTr2のゲート電位(G)として与えられる。
この後タイミングT7に至ると制御パルスdsが立ち上がりスイッチングトランジスタTr4がオンする。この結果入力電位Vth+Vinに応じたドレイン電流Idが発光素子ELに流れ、タイミングT8までの間発光期間となる。
図11のタイミングチャートから明らかなように、映像信号が黒レベルの場合、信号電位Vinはゼロとなり、ドライブトランジスタのゲート電位(G)は閾電圧Vthのみとなる。したがって、原理的には黒表示のときドレイン電流Idは流れず、発光素子ELは発光しない。しかしながら、検出トランジスタTr5のソース/ドレイン間に大きな電圧がかかるため、リークが生じドライブトランジスタTr2のゲート電位(G)がVthよりわずかに下回る。この分ドライブトランジスタTr2に微少な電流が流れ、発光素子ELをわずかでも発光させるので、黒浮きになってしまう。しかしながら本実施形態でも発光素子ELのアノードAにバイパストランジスタTr7が接続されているため、数nAオーダーのリーク電流はTr7を介してバイパスされ、発光素子ELは完全な黒表示状態となる。
1・・:・画素アレイ、2・・・画素回路、3・・・水平セレクタ、4・・・ライトスキャナ、5・・・第一ドライブスキャナ、6・・・第二ドライブスキャナ、7・・・補正用スキャナ、Tr1・・・サンプリングトランジスタ、Tr2・・・ドライブトランジスタ、Tr4・・・スイッチングトランジスタ、Tr5・・・検出トランジスタ、Tr7・・・バイパストランジスタ、EL・・・発光素子
Claims (5)
- 選択パルスを供給する行状の走査線と黒表示から白表示までの輝度に応じた映像信号を供給する列状の信号線とが交差する部分に配され、サンプリングトランジスタと、保持容量と、ドライブトランジスタと、発光素子とを含み、
前記サンプリングトランジスタは、走査線から供給される選択パルスに応じて導通し該信号線から供給された映像信号をサンプリングし、
前記保持容量は、該サンプリングされた映像信号に応じた入力電位を保持し、
前記ドライブトランジスタは、該保持容量に保持された入力電位に応じて出力電流を供給し、
前記発光素子は該ドライブトランジスタに接続しており、これから供給された出力電流に応じて黒表示から白表示までの所定の輝度で発光する画素回路において、
前記ドライブトランジスタは、該保持容量が黒表示の映像信号に応じた入力電位を保持している時、リーク電流成分のみを含む出力電流を供給し、
該ドライブトランジスタにバイパストランジスタが接続しており、前記バイパストランジスタは、黒表示の時流れる該リーク電流成分をバイパスして、該ドライブトランジスタから該発光素子に供給される出力電流をゼロレベルに抑制する一方、該発光素子のオン抵抗に比べて充分高い抵抗を有しており白表示時該ドライブトランジスタから該発光素子に供給される出力電流のレベルに影響を及ぼさない様にしたことを特徴とする画素回路。 - 前記発光素子はアノード及びカソードを有する二端子型の発光素子であり、前記バイパストランジスタはチャネル領域、ソース領域及びドレイン領域を有する薄膜トランジスタであり、ソース領域及びドレイン領域が各々ソース配線及びドレイン配線により該発光素子の二端子に接続し、少なくとも該ソース領域とソース配線の間又は該ドレイン領域とドレイン配線との間が高抵抗になっていることを特徴とする請求項1記載の画素回路。
- 該発光素子の発光をオンオフ制御するスイッチングトランジスタを含んでおり、前記スイッチングトランジスタは、別の走査線から供給される第1のゲートパルスに応じて該発光素子に対する出力電流の通電をオンする一方、前記バイパストランジスタはさらに別の走査線から供給される第1のゲートパルスと同相の第2のゲートパルスに応じてオンし該リーク電流成分をバイパスするとともに、該第2のゲートパルスの電圧は第1のゲートパルスの電圧に比べて低く設定されており、該バイパストランジスタのオン抵抗を高くしたことを特徴とする請求項1記載の画素回路。
- 該ドライブトランジスタの閾電圧を検出して該保持容量に保持する検出トランジスタを含んでおり、前記保持容量は該閾電圧に足し込むかたちで映像信号に応じた信号電位を上乗せし以って入力電位として保持し、前記ドライブトランジスタは黒表示時信号電位がゼロで閾電圧のみからなる入力電位に応じてリーク電流成分のみを含む出力電流を供給し、黒表示時前記検出トランジスタのリークにより該入力電位が上昇し、前記ドライブトランジスタは該入力電位の上昇により該リーク電流成分が生じることを特徴とする請求項1記載の画素回路。
- 選択パルスを供給する行状の走査線と、黒表示から白表示までの輝度に応じた映像信号を供給する列状の信号線と、両者が交差する部分に配された行列状の画素とを含み、
各画素は、サンプリングトランジスタと、保持容量と、ドライブトランジスタと、発光素子とを含み、
前記サンプリングトランジスタは、走査線から供給される選択パルスに応じて導通し該信号線から供給された映像信号をサンプリングし、
前記保持容量は、該サンプリングされた映像信号に応じた入力電位を保持し、
前記ドライブトランジスタは、該保持容量に保持された入力電位に応じて出力電流を供給し、
前記発光素子は該ドライブトランジスタに接続しており、これから供給された出力電流に応じて黒表示から白表示までの所定の輝度で発光する表示装置において、
前記ドライブトランジスタは、該保持容量が黒表示の映像信号に応じた入力電位を保持している時、リーク電流成分のみを含む出力電流を供給し、
該ドライブトランジスタにバイパストランジスタが接続しており、前記バイパストランジスタは、黒表示の時流れる該リーク電流成分をバイパスして、該ドライブトランジスタから該発光素子に供給される出力電流をゼロレベルに抑制する一方、該発光素子のオン抵抗に比べて充分高い抵抗を有しており白表示時該ドライブトランジスタから該発光素子に供給される出力電流のレベルに影響を及ぼさない様にしたことを特徴とする表示装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004280992A JP2006098437A (ja) | 2004-09-28 | 2004-09-28 | 画素回路及び表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004280992A JP2006098437A (ja) | 2004-09-28 | 2004-09-28 | 画素回路及び表示装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006098437A true JP2006098437A (ja) | 2006-04-13 |
Family
ID=36238363
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004280992A Pending JP2006098437A (ja) | 2004-09-28 | 2004-09-28 | 画素回路及び表示装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2006098437A (ja) |
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- 2004-09-28 JP JP2004280992A patent/JP2006098437A/ja active Pending
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