JP2006093513A - 光学式変位測長器における受光装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】メインスケールに配置したピッチPの光学格子に対向し、n型基板20に形成した、フォトダイオードとして機能するpウェル10の上に、遮光部と金属配線開口部19とをピッチPで配置した、光学格子と同じパターン形状の金属配線12を形成する。さらに、pウェル10と金属配線12とのコンタクト部16を遮光部に設ける。
【選択図】図1
Description
図8は特許文献1に示した従来技術を示す図である。1はメインスケール、2は光源、3はコリメートレンズ、4は光学格子、4Aは光透過部、4Bは光不透過部、35は受光装置、36はp型層、37はn型基板である。Pはピッチである。
特許文献1に示した従来技術の光学式エンコーダ測長器は、メインスケール1と、メインスケール1に設けられた光透過部4Aと光不透過部4Bとの幅がそれぞれP/2である、ピッチPの光学格子4と、メインスケール1に平行光を照射するための光源2とコリメートレンズ3と、メインスケール1を透過した光を受光する受光装置35とから構成されている。
受光装置35は、n型基板上に複数のフォトダイオードを形成するように、幅がP/2であるp型層36と、幅がP/4である微細分離領域とを、ピッチ3P/4で複数配置して構成する。微細分離領域とは、p型層36同士が離間して配置する距離である。また、p型層36はメインスケールの変位方向と垂直な方向が長手方向とする細長いストライプパターン形状を有する。
ものである。
拡散層の表面に拡散層と同じ導電型であり不純物濃度の高い高濃度不純物層を設け、
受光素子は、高濃度不純物層および拡散層と半導体基板とのpn接合を有し、
拡散層の上部に予め定められた所定のピッチで配置する遮光手段を備え、
遮光手段で覆われている箇所で拡散層と遮光手段とをコンタクトすることを特徴とする。
拡散層の表面に拡散層と同じ導電型であり不純物濃度の高い高濃度不純物層を設け、
受光素子は、高濃度不純物層および拡散層と半導体基板とのpn接合を有し、
拡散層の上部に予め定められた所定のピッチの整数倍で配置する遮光手段を備え、
遮光手段で覆われている箇所で拡散層と遮光手段とをコンタクトすることを特徴とする。
複数の受光装置を細長いパターン形状の長手方向と垂直方向に配置するとともに、長手方向と平行方向に所定の距離をずらして配置して受光装置列を形成し、
受光装置列から位相の異なる信号を検出することを特徴とする。
ている複数箇所で、受光素子とのコンタクト部を設けて、受光素子からの信号を得る。つまり、従来技術のように、応答性を改善するために、受光部に金属配線とのコンタクト部を設けて受光面積を減らすことはない。
さらに、半導体製造プロセスを変更することなく受光素子を形成できるので、同一チップ内に信号処理回路等の複数の演算回路を搭載することが可能である。
以下の説明においては、メインスケールには光透過部と光不透過部との幅が、それぞれ、P/2である、ピッチPの光学格子が設けられているものとして説明する。
図1において、10は第2導電型の拡散層であるpウェル、11は高濃度不純物層であるp+層、12は金属配線、14は基板拡散層であるn+層、15は基板電極、16はコンタクト部、19は金属配線開口部である。図1には図示しないが、これらは第1導電型の半導体基板であるn型基板20に設けている。lyはpウェル10の幅、kyは金属配線12の幅、kxは金属配線開口部19の長さ、kyはlyより広い幅を示す。Pはメインスケールに設けた光学格子のピッチである。
n型基板20には、図示しない電源装置から基板電極15とn+層14とを介して電源電圧が印加されている。これは、n型基板20の電位を固定するためのものである。このn型基板20の表面にメインスケールの変位方向と平行な方向、すなわち、図1では左右の方向に細長いパターン形状のp−層であるpウェル10を形成する。ここで、p+層11およびpウェル10をアノードとし、n型基板20をカソードとするフォトダイオードを構成することができる。このフォトダイオードは、pn接合界面が入射光に応じて光電変換をする。なお、p+層11については後述する。
定スケールを一体化した受光装置を構成する。
つまり、図1のように、n型基板20にpウェル10をメインスケールの変位方向と平行な方向に長手方向とする細長いパターン形状とすることと、金属配線12で固定スケールのパターンを形成することとにより、金属配線12で遮光手段を兼ねることができ、固定スケールと受光素子とを一体化する受光装置が可能である。
受光装置と位置検出回路とアナログ回路調整回路とを同一のチップ内に配置する半導体装置製造プロセスで製作する。n型基板20にpウェル10とnウェル13とを形成する。フィールド酸化膜21を形成した後、pウェル10に同じ導電型の高濃度不純物層であるp+層11とnウェル13に基板拡散層であるn+層14を形成する。次に絶縁膜22を形成後にコンタクト部16を開口して、金属配線12を形成する。最後に保護膜24を形成する。
また、図2(b)に示すように、金属配線12を用いて遮光する領域に、pウェル10と金属配線12とのコンタクト部16を設けているので、コンタクト部16を設けるために、金属配線12の開口部の面積を減らす必要は無い。
また、図1では、pウェル10より小さくp+層11を形成するように記載したが、これは、双方の位置関係を見やすくするためである。図1のような平面から見てpウェル10とp+層11とは同じ大きさであってもかまわない。
さらにまた、n型基板20にはnウェル13を設ける場合を説明したが、これに限定はされず、nウェル13を設けなくてもかまわないことは言うまでもない。なお、その際に、n型基板20の不純物濃度の調整を行ってもよい。
次に、図1における受光装置を用いて位相のずれた出力信号を得る方法を以下に説明する。メインスケールの変位方向を求めるために、位相の異なる出力信号が少なくとも一つ必要である。また、メインスケールの変位方向と平行に、ピッチPで配置された受光素子列を用いて、さらに高分解能で変位量を検出する方法が知られている。図5にその一例を示す。
図5に示すように、8つの受光素子列331〜338が、メインスケールの変位方向L−Rと垂直に並んで配置されている。
1つの受光素子列中には、横方向(メインスケールの変位方向L―Rと平行な方向)に、受光素子330が複数個並んでいる。その受光素子の配列ピッチはメインスケールに配置した光学格子のピッチPと同じである。受光素子330の幅と非受光部329の幅とは、光学格子の光透過部の幅P/2と光不透過部の幅P/2と同じである。一方、縦方向(メインスケールの変位方向L―Rと垂直な方向)に並んで配置する隣の受光素子列とは横方向にf=P/8ずらせて配置している。各受光素子列からの検出信号を2値化するだけで、分解能fの変位量を検出することができる。
線開口部19とは、横方向に距離fだけずらして形成する。金属配線開口部19を横方向に距離fだけずらすことにより、pウェル10−1とpウェル10−2とから得られる信号は、f/P位相の異なる信号となる。図6に示す受光装置列は、図を見やすくするため、受光装置を列として2つしか図示していないが、ずらした位相量から求まるn=P/f個の受光装置を縦方向に配置する。各受光装置からの検出信号を2値化するだけで、分解能fの変位量を検出することができる。
n型基板20の表面に、メインスケールの変位方向と平行な方向、すなわち、図3では左右の方向に細長いパターン形状のp−層であるpウェル10を形成する。ここで、n型基板20とpウェル10とのpn接合界面が入射光に応じて光電変換をするフォトダイオードとして機能する。
さらに、金属配線12と遮光膜18とを重ねることによって、金属配線12あるいは遮光膜18のどちらかの最小加工寸法にピッチPが左右されることはない。したがって、これらの重なりを変えることによって、ピッチPを任意に選択することができる。
n型基板20にpウェル10と、pウェル10の表面には高濃度不純物層であるp+層11を形成する。次に絶縁膜22を形成後にコンタクト部16を開口して、幅Pの開口部をピッチ2Pで設けたパターンの金属配線12を形成する。次に層間絶縁膜23を介して、幅Pの開口部をピッチ2Pで設けたパターンの遮光膜18を、金属配線膜12の金属配線開口部19からP/2ずらして形成する。最後に保護膜24を形成する。
また、図3では、pウェル10より小さくp+層11を形成するように記載したが、これは図を見やすくするためであって、これも第1の実施の形態の場合と同様である。
次に、図3における受光装置を用いて位相のずれた出力信号を得る方法を以下に説明する。図5は、先に説明したとおり、幅P/2の受光素子がピッチPで配列する受光素子列
が図示されているが、ピッチ2Pで配列する場合においても、同様である。
開口部を距離fだけずらすことによりpウェル10−1とpウェル10−2とから得られる信号は、f/P位相の異なる信号となる。図9においては図を見やすくするため、受光装置を2つしか図示していないが、ずらした位相量から求まるn=P/f個の受光装置を配置する。各受光装置からの検出信号を2値化するだけで、分解能fの変位量を検出することができる。
11 p+層
12 金属配線
13 mウェル
14 n+層
15 基板電極
16 コンタクト部
18 遮光膜
19 金属配線開口部
20 n基板
21 フィールド酸化膜
22 絶縁膜
23 層間絶縁膜
24 保護膜
29 遮光膜開口部
Claims (5)
- 第1導電型の半導体基板と、
前記半導体基板に設け、細長いパターン形状を有する第2導電型の拡散層と、
前記拡散層と前記半導体基板とで形成するpn接合は、受光素子として機能する受光装置において、
前記拡散層の表面に前記拡散層と同じ導電型であり不純物濃度の高い高濃度不純物層を設け、
前記受光素子は、前記高濃度不純物層および前記拡散層と前記半導体基板とのpn接合を有し、
前記拡散層の上部に予め定められた所定のピッチで配置する遮光手段を備え、
前記遮光手段で覆われている箇所で前記拡散層と前記遮光手段とをコンタクトすることを特徴とする受光装置。 - 第1導電型の半導体基板と、
前記半導体基板に設け、細長いパターン形状を有する第2導電型の拡散層と、
前記拡散層と前記半導体基板とで形成するpn接合は、受光素子として機能する受光装置において、
前記拡散層の表面に前記拡散層と同じ導電型であり不純物濃度の高い高濃度不純物層を設け、
前記受光素子は、前記高濃度不純物層および前記拡散層と前記半導体基板とのpn接合を有し、
前記拡散層の上部に予め定められた所定のピッチの整数倍で配置する遮光手段を備え、
前記遮光手段で覆われている箇所で前記拡散層と前記遮光手段とをコンタクトすることを特徴とする受光装置。 - 前記遮光手段は、電極配線を形成する金属膜からなることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の受光装置。
- 前記遮光手段は、前記金属膜と、前記金属膜と層間絶縁膜とを挟んで形成する少なくとも1つの層の遮光膜とからなることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の受光装置。
- 前記受光装置を複数設け、
複数の前記受光装置を前記細長いパターン形状の長手方向と垂直方向に配置するとともに、前記長手方向と平行方向に所定の距離をずらして配置して受光装置列を形成し、
前記受光装置列から位相の異なる信号を検出することを特徴とする請求項1から4のいずれか1つに記載の受光装置。
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-
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- 2004-09-27 JP JP2004278939A patent/JP2006093513A/ja active Pending
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