CN109633731B - 一种探测器及其制作方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种探测器及其制作方法，所述制作方法包括：提供一基板，所述基板包括像素区域，及位于所述像素区域外围的温度探测区域；于所述像素区域制作若干呈阵列排布的像素单元，于所述温度探测区域制作至少一个温度探测器；其中所述像素单元通过扫描线与驱动焊盘电连接，通过数据线与读出焊盘电连接；所述温度探测器通过读温线与所述驱动焊盘和所述读出焊盘中的至少一个电连接。通过本发明解决了现有X射线平板探测器因在读出电路中集成温度传感器时存在温度传感器数量少、只能精确探测局部问题，从而无法探测TFT面板温度的问题。

Description

一种探测器及其制作方法

技术领域

本发明涉及探测器领域，特别是涉及一种探测器及其制作方法。

背景技术

随着社会的发展和科学技术的进步，X射线平板探测器被广泛地应用到各个领域，如医学影像、工业探伤、安检等；特别是在医学影像领域，X射线平板探测器有着极其重要的地位。

X射线平板探测器由许多个像素单元集成起来，每个像素单元均包括一个光电二极管(PD：photodiode)以及一个薄膜晶体管(TFT)。在X射线平板探测器的工作过程中，温度对PD以及TFT均有影响：温度过高时，可能造成图像失校正以及某些功能的损坏，直接影响着图像的质量，故需要实时监测X射线平板探测器工作时段的内部温度。

现有X射线平板探测器一般会在X射线平板探测器内的读出电路中集成温度传感器，从而获取X射线平板探测器工作过程中的内部温度信息，以便实现温度失校正的预防以及避免温度过高造成功能失效等问题。但由于温度传感器的体积较大，为了减小X射线平板探测器的面积，故此种方案一般集成的温度传感器数量较少(如大多数情况下只有一个)，且只能精确探测局部温度，而无法反映整个探测器内部的温度，特别是TFT面板的温度，而TFT面板的温度是引起温度失校正的重要原因。

鉴于此，有必要设计一种新的探测器及其制作方法用以解决上述技术问题。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种探测器及其制作方法，用于解决现有X射线平板探测器因在读出电路中集成温度传感器时存在温度传感器数量少、只能精确探测局部问题，从而无法探测TFT面板温度的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种探测器的制作方法，所述制作方法包括：

提供一基板，所述基板包括像素区域，及位于所述像素区域外围的温度探测区域；

于所述像素区域制作若干呈阵列排布的像素单元，于所述温度探测区域制作至少一个温度探测器；

其中所述像素单元通过扫描线与驱动焊盘电连接，通过数据线与读出焊盘电连接；所述温度探测器通过读温线与所述驱动焊盘和所述读出焊盘中的至少一个电连接。

可选地，所述温度探测器与所述像素单元同时制作。

可选地，所述温度探测器包括金属导线和二极管中的至少一种。

可选地，在所述温度探测器与所述像素单元同时制作，并且所述温度探测器包括金属导线时，所述金属导线与所述像素单元中若干金属结构中的至少一个同时制作；在所述温度探测器与所述像素单元同时制作，并且所述温度探测器包括二极管时，所述二极管与所述像素单元中的光电二极管同时制作；在所述温度探测器与所述像素单元同时制作，并且所述温度探测器包括金属导线和二极管时，所述金属导线与所述像素单元中若干金属结构中的至少一个同时制作，所述二极管与所述像素单元中的光电二极管同时制作。

可选地，在所述温度探测器包括金属导线时，所述金属导线与所述像素单元中的栅极、源漏极和公共电极中的至少一个同时制作。

本发明还提供了一种探测器，所述探测器包括：

基板，包括像素区域及位于所述像素区域外围的温度探测区域；

若干呈阵列排布的像素单元，形成于所述像素区域内；

至少一个温度探测器，形成于所述温度探测区域内；

其中所述像素单元通过扫描线与驱动焊盘电连接，通过数据线与读出焊盘电连接；所述温度探测器通过读温线与所述驱动焊盘和所述读出焊盘中的至少一个电连接。

可选地，所述温度探测器与所述像素单元同时制作。

可选地，所述温度探测器包括金属导线和二极管中的至少一种。

可选地，在所述温度探测器与所述像素单元同时制作，并且所述温度探测器包括金属导线时，所述金属导线与所述像素单元中若干金属结构中的至少一个同时制作；在所述温度探测器与所述像素单元同时制作，并且所述温度探测器包括二极管时，所述二极管与所述像素单元中的光电二极管同时制作；在所述温度探测器与所述像素单元同时制作，并且所述温度探测器包括金属导线和二极管时，所述金属导线与所述像素单元中若干金属结构中的至少一个同时制作，所述二极管与所述像素单元中的光电二极管同时制作。

可选地，在所述温度探测器包括金属导线时，所述金属导线与所述像素单元中的栅极、源漏极和公共电极中的至少一个同时制作。

如上所述，本发明的一种探测器及其制作方法，具有以下有益效果：本发明利用金属和二极管对温度的响应特性，于TFT面板内的像素单元外围直接集成温度探测器，从而对X射线平板探测器工作过程的内部温度进行探测，特别是TFT面板的温度，不仅降低了硬件设计难度、结构和成本，还减小了温度探测器的面积、提高了温度探测的精度。而且本发明还通过制作像素单元的同时制作温度探测器，即利用制作像素单元的掩膜板同时制作温度探测器，以实现工艺兼容，不增加额外的工艺步骤。另外本发明所述温度探测器的设置位置比较灵活，其可根据实际需要在像素单元的外围进行局部设置或整体设置，以获取一处或多处温度信息，从而获取更精确的TFT面板温度分布及X射线平板探测器的内部温度分布。

附图说明

图1显示为本发明所述制作方法的流程图。

图2显示为本发明实施例一所述探测器的一种结构示意图。

图3显示为本发明实施例一所述探测器的另一种结构示意图。

图4显示为本发明实施例一所述探测器的第三种结构示意图。

图5至图13显示为图4所述探测器的各制作步骤的结构示意图，其中图13为图4沿AA方向的截面图。

图14显示为本发明实施例二所述探测器的一种结构示意图。

图15显示为本发明实施例二所述探测器的另一种结构示意图

图16显示为图15沿AA方向的截面图。

图17显示为本发明实施例三所述探测器的结构示意图。

图18显示为图17沿AA方向的截面图。

元件标号说明

100 基板

101 像素区域

102 温度探测区域

200 像素单元

201 栅极

202 第一绝缘层

203 有源区

204 漏极

205 源极

206 底电极

207 第二绝缘层

208 P型区

209 本征区

210 N型区

211 顶电极

212 第三绝缘层

213 过孔

214 公共电极

300 温度探测器

301 底电极

302 P型区

303 本征区

304 N型区

305 顶电极

400 驱动焊盘

500 读出焊盘

具体实施方式

以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。

请参阅图1至图18。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，遂图式中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。

实施例一

如图1所示，本实施例提供一种探测器的制作方法，所述制作方法包括：

提供一基板100，所述基板100包括像素区域101，及位于所述像素区域101外围的温度探测区域102；

于所述像素区域101制作若干呈阵列排布的像素单元200，于所述温度探测区域102制作至少一个温度探测器300；

其中所述像素单元200通过扫描线与驱动焊盘400电连接，通过数据线与读出焊盘500电连接；所述温度探测器300通过读温线与所述驱动焊盘400和所述读出焊盘500中的至少一个电连接。

需要注意的是，在本实施例中，所述扫描线与所述栅极同时制作，所述数据线与所述源漏极同时制作，所述读温线与所述温度探测器同时制作；当然，在其它实施例中，所述扫描线可不与所述栅极同时制作，所述数据线可不与所述源漏极同时制作，所述读温线可不与所述温度探测器同时制作，只要其能够起到电连接作用即可，本实施例并不对所述扫描线、所述数据线及所述读温线的制作步骤进行限制。而且本实施例所述像素单元200和所述温度探测器300共用所述驱动焊盘400及/或所述读出焊盘500，并且所述驱动焊盘400和所述读出焊盘500分别与X射线平板探测器的读出电路电连接，用以通过所述读出电路读出图像数据和温度数据；若读出数据时发生冲突，以所述像素单元200优先。

作为示例，所述基板100为现有任一种可以制作像素单元200的基板，如玻璃基板或塑料基板等；所述像素单元200为现有任一种像素单元结构，其具体结构和制作方法并不对本实施例进行限制。

作为示例，所述温度探测器300与所述像素单元200同时制作；当然，在其它实施例中，所述温度探测器300与所述像素单元200也可以不同时制作。

作为示例，所述温度探测器300包括金属导线和二极管中的至少一种；可选地，在本实施例，所述温度探测器300为金属导线。本实施例利用金属对温度的响应特性，即金属的电阻率随温度变化的特性，通过TFT面板内部温度使金属导线的电阻率发生变化，从而实现根据测量金属导线的电阻值来获取TFT面板的内部温度；可选地，所述金属导线的电阻率随温度变化呈单调递增；在本实施例中，所述金属导线的材质包括铜、铝、钛、钼、钕中的至少一种。需要注意的是，本实施例所述金属导线可根据实际需要进行位置设置，通过改变所述金属导线的设置位置，可获取不同位置的精确温度信息；也就是说，本实施例所述金属导线的位置是可调的，若其形成在局部位置，其获取的就是局部温度信息，若其形成在整个像素单元的外围，则其获取的就是TFT面板的温度信息。而且本实施例并不对所述金属导线的数量、长度和形状进行限制，在实际应用中，可根据实际需要探测的点位和精度需要设置所述金属导线的数量，根据实际空间大小和精度需要设置所述金属导线的长度和形状；其中所述金属导线的数量越多，模拟整个所述TFT面板的温度分布越精确；所述金属导线的长度越长，其探测的温度信息越精确；而为了确保探测温度信息的精度，需尽量将所述金属导线的主要电阻部分集中的待探测区域，故通常将所述金属导线的形状设置为曲折蜿蜒形(具体如图2至图4所示，其中图2为一条曲折蜿蜒形的金属导线，用于探测左侧局部区域；图3为6条曲折蜿蜒形的金属导线，用于探测左右各3个局部区域，图4为一条曲折蜿蜒形的金属导线，用于探测整个TFT面板的区域)。

具体的，在所述温度探测器300与所述像素单元200同时制作，并且所述温度探测器300包括金属导线时，所述金属导线与所述像素单元200中若干金属结构中的至少一个同时制作。需要注意的是，此处所说金属结构是指像素单元中通过金属层制作的任一结构。可选地，所述金属导线与所述像素单元200中的栅极、源漏极和公共电极中的至少一个同时制作；在本实施例中，所述金属导线的数量为1个，并且所述金属导线与所述像素单元200中的栅极同时制作。

下面以现有传统非晶硅X射线平板探测器为例，参阅图4至图13，对本实施例所述探测器的制作方法进行详细说明。

步骤一：如图5所示，于所述基板100上表面形成第一金属层，并通过第一掩膜板对所述第一金属层进行刻蚀，使得所述第一金属层于所述像素区域101形成栅极201及扫描线(图中未示出)，于所述温度探测器区域102形成金属导线及读温线(图中未示出)，所述金属导线作为所述温度探测器300；其中所述扫描线与所述栅极201电连接，所述读温线与所述金属导线电连接；

步骤二：如图6所示，于上一步骤所得结构上表面形成第一绝缘材料，并基于第二掩膜板对所述第一绝缘材料进行刻蚀，使得所述第一绝缘材料于所述像素区域101形成第一绝缘层202；

步骤三：如图7所示，于上一步骤所得结构上表面形成有源材料，并基于第三掩膜板对所述有源材料进行刻蚀，使得所述有源材料于所述栅极201上方形成有源区203；

步骤四：如图8所示，于上一步骤所得结构上表面形成第二金属层，并通过第四掩膜板对所述第二金属层进行刻蚀，使得所述第二金属层于所述像素区域101形成数据线(图中未示出)、漏极204、源极205和底电极206，所述漏极204和所述源极205位于所述有源区203上方；其中所述漏极204和所述源极205所在区域为开关管区域，所述底电极206所在区域为光电二极管区域，并且所述漏极204和所述数据线电连接，所述源极205和所述底电极206电连接；

步骤五：如图9所示，于上一步骤所得结构上表面形成第二绝缘材料，并基于第五掩膜板对所述第二绝缘材料进行刻蚀，使得所述第二绝缘材料于所述开关管区域形成第二绝缘层207；

步骤六：如图10所示，于上一步骤所得结构上表面由下至上依次形成P型非晶硅层、本征非晶硅层及N型非晶硅层，并基于第六掩膜板依次对所述N型非晶硅层、所述本征非晶硅层及所述P型非晶硅层进行刻蚀，使得所述P型非晶硅层于所述光电二极管区域形成P型区208，所述本征非晶硅层于所述光电二极管区域形成本征区209，所述N型非晶硅层于所述光电二极管区域形成N型区210，其中，所述P型区208、所述本征区209和所述N型区210构成PIN结；

步骤七：如图11所示，于上一步骤所得结构上表面形成第三金属层，并基于所述第七掩膜板对所述第三金属层进行刻蚀，使得所述第三金属层于所述光电二极管区域形成顶电极211；

步骤八：如图12所示，于上一步骤所得结构上表面形成第三绝缘材料，并基于所述第八掩膜板对所述第三绝缘材料进行刻蚀，使得所述第三绝缘材料于所述像素区域101形成第三绝缘层212，同时形成暴露出所述顶电极211的过孔213；

步骤九：如图13所示，于上述所得结构的上表面形成第四金属层，并通过所述第九掩膜板对所述第四金属层进行刻蚀，使得所述第四金属层于所述光电二极管区域上方形成填充所述过孔213的公共电极214，其中所述公共电极214和所述顶电极211电连接。

可见，在本实施例中，所述金属导线与所述栅极201同时制作；当然，在其它实施例中，所述金属导线还可与其它金属结构同时制作，如所述金属导线与所述金属导线与源漏极(即源极205和漏极204)同时制作，即所述金属导线形成于步骤四中；或所述金属导线与所述公共电极214同时制作，即所述金属导线形成于步骤九中；或所述金属导线分别与栅极201和源漏极(即源极205和漏极204)同时制作，即所述金属导线分别形成于步骤一和步骤四中；或所述金属导线分别与栅极201和公共电极214同时制作，即所述金属导线分别形成于步骤一和步骤九中；或所述金属导线分别与源漏极(即源极205和漏极204)和公共电极214同时制作，即所述金属导线分别形成于步骤四和步骤九中；或所述金属导线分别与栅极201、源漏极(即源极205和漏极204)和公共电极214共同制作，即所述金属导线分别形成于步骤一、步骤四和步骤九中。需要注意的是，在形成多个所述金属导线时，无论其形成在哪一步骤，只要多个所述金属导线平铺设在所述温度探测区域102表面，并且彼此之间不电连接即可实现其所在区域的温度探测；但若要将不同步骤形成的所述金属导线叠置设置，则需要在不同层的所述金属导线之间形成一绝缘层，以隔绝不同所述金属导线之间的电连接。

如图2至图4及图13所示，本实施例还提供一种探测器，所述探测器包括：

基板100，包括像素区域101及位于所述像素区域101外围的温度探测区域102；

若干呈阵列排布的像素单元200，形成于所述像素区域101内；

至少一个温度探测器300，形成于所述温度探测区域102内；

其中所述像素单元200通过扫描线与驱动焊盘400电连接，通过数据线与读出焊盘500电连接；所述温度探测器300通过读温线与所述驱动焊盘400和所述读出焊盘500中的至少一个电连接。

作为示例，所述温度探测器300与所述像素单元200同时制作；当然，在其它实施例中，所述温度探测器300与所述像素单元200也可以不同时制作。

作为示例，所述温度探测器300包括金属导线和二极管中的至少一种；在本实施例中，所述温度探测器300包括金属导线。

具体的，在所述温度探测器300与所述像素单元200同时制作，并且所述温度探测器300包括金属导线时，所述金属导线与所述像素单元中若干金属结构中的至少一个同时制作；需要注意的是，此处所说金属结构是指像素单元中通过金属层制作的任一结构。可选地，所述金属导线与所述像素单元200中的栅极、源漏极和公共电极中的至少一个同时制作；在本实施例中，所述金属导线与所述像素单元200中的栅极同时制作。

实施例二

如图14至图16所示，本实施例与实施例一的区别在于：本实施例所述温度探测器300为二极管；本实施例利用二极管导通电阻对温度的响应特性，即二极管的导通电阻随温度变化的特性，通过TFT面板内部温度使二极管的导通电阻发生变化，从而实现根据测量二极管导通电阻的电阻值来获取TFT面板的内部温度。需要注意的是，本实施例所述二极管可根据实际需要进行位置设置，通过改变所述二极管的设置位置，可获取不同位置的精确温度信息；也就是说，本实施例所述二极管的位置是可调的，若其形成在局部位置(如图15所示)，其获取的就是局部温度信息，若其形成在整个像素单元的外围(如图14所示)，则其获取的就是TFT面板的温度信息；而且本实施例并不对所述二极管的数量进行限制，在实际应用中，可根据实际需要探测的点位和精度需要设置所述二极管的数量，其中所述二极管的数量越多，模拟整个所述TFT面板的温度分布越精确。可选地，在本实施例中，所述二极管的数量为一个，并且所述二极管与所述像素单元200中的光电二极管同时制作。

下面以现有传统非晶硅X射线平板探测器为例，参阅图15和图16，对本实施例所述探测器的制作方法进行详细说明。

步骤一：如图16所示，于所述基板100上表面形成第一金属层，并通过第一掩膜板对所述第一金属层进行刻蚀，使得所述第一金属层于所述像素区域101形成栅极201及扫描线(图中未示出)；其中所述扫描线与所述栅极201电连接；

步骤二：如图16所示，于上一步骤所得结构上表面形成第一绝缘材料，并基于第二掩膜板对所述第一绝缘材料进行刻蚀，使得所述第一绝缘材料于所述像素区域101形成第一绝缘层202；

步骤三：如图16所示，于上一步骤所得结构上表面形成有源材料，并基于第三掩膜板对所述有源材料进行刻蚀，使得所述有源材料于所述栅极201上方形成有源区203；

步骤四：如图16所示，于上一步骤所得结构上表面形成第二金属层，并通过第四掩膜板对所述第二金属层进行刻蚀，使得所述第二金属层于所述像素区域101形成数据线(图中未示出)、漏极204、源极205和底电极206，于所述温度探测区域102形成增设底电极301和阴极端读温线(图中未示出)；其中所述漏极204和所述源极205位于所述有源区203上方，并且所述漏极204和所述源极205所在区域为开关管区域，所述底电极206所在区域为光电二极管区域，所述漏极204和所述数据线电连接，所述源极205和所述底电极206电连接，所述增设底电极301和所述阴极端读温线电连接；

步骤五：如图16所示，于上一步骤所得结构上表面形成第二绝缘材料，并基于第五掩膜板对所述第二绝缘材料进行刻蚀，使得所述第二绝缘材料于所述开关管区域形成第二绝缘层207；

步骤六：如图16所示，于上一步骤所得结构上表面由下至上依次形成P型非晶硅层、本征非晶硅层及N型非晶硅层，并基于第六掩膜板依次对所述N型非晶硅层、所述本征非晶硅层及所述P型非晶硅层进行刻蚀，使得所述P型非晶硅层于所述光电二极管区域形成P型区208，于所述温度探测区域102形成增设P型区302，所述本征非晶硅层于所述光电二极管区域形成本征区209，于所述温度探测区域102形成增设本征区303，所述N型非晶硅层于所述光电二极管区域形成N型区210，于所述温度探测区域102形成增设N型区304；其中，所述P型区208、所述本征区209和所述N型区210在所述光电二极管区域构成PIN结，所述增设P型区302、所述增设本征区303和所述增设N型区304在所述温度探测区域102构成PIN结；

步骤七：如图16所示，于上一步骤所得结构上表面形成第三金属层，并基于所述第七掩膜板对所述第三金属层进行刻蚀，使得所述第三金属层于所述光电二极管区域形成顶电极211，于所述温度探测区域102形成增设顶电极305和阳极端读温线(图中未示出)，其中所述增设顶电极305和所述阳极端读温线电连接；

步骤八：如图16所示，于上一步骤所得结构上表面形成第三绝缘材料，并基于所述第八掩膜板对所述第三绝缘材料进行刻蚀，使得所述第三绝缘材料于所述像素区域101形成第三绝缘层212，同时形成暴露出所述顶电极211的过孔213；

步骤九：如图16所示，于上述所得结构的上表面形成第四金属层，并通过所述第九掩膜板对所述第四金属层进行刻蚀，使得所述第四金属层于所述光电二极管区域上方形成填充所述过孔213的公共电极214，其中所述公共电极214和所述顶电极211电连接。

需要注意的是，在形成多个所述二极管时，只要多个所述二极管平铺设在所述温度探测区域102表面，并且彼此之间不电连接即可实现对其所在区域的温度探测。

如图14至图16所示，本实施例还提供一种探测器，所述探测器包括：

基板100，包括像素区域101及位于所述像素区域101外围的温度探测区域102；

若干呈阵列排布的像素单元200，形成于所述像素区域101内；

至少一个温度探测器300，形成于所述温度探测区域102内；

其中所述像素单元200通过扫描线与驱动焊盘400电连接，通过数据线与读出焊盘500电连接；所述温度探测器300通过读温线与所述驱动焊盘400和所述读出焊盘500中的至少一个电连接。

作为示例，所述温度探测器300与所述像素单元200同时制作；当然，在其它实施例中，所述温度探测器300与所述像素单元200也可以不同时制作。

作为示例，所述温度探测器300包括金属导线和二极管中的至少一种；在本实施例中，所述温度探测器300包括二极管。

具体的，在所述温度探测器300与所述像素单元200同时制作，并且所述温度探测器300包括二极管时，所述二极管与所述像素单元200中的光电二极管同时制作。

实施例三

如图17和图18所示，本实施例与实施例一和实施例二的区别在于：本实施例所述温度探测器300同时包括金属导线和二极管，其中所述金属导线与所述像素单元200中若干金属结构中的至少一个同时制作，所述二极管与所述像素单元200中的光电二极管同时制作；可选地，所述金属导线与所述像素单元中的栅极、源漏极和公共电极中的至少一个同时制作；在本实施例中，所述金属导线和所述二极管的数量均为一个，并且所述金属导线与栅极同时制作。

下面以现有传统非晶硅X射线平板探测器为例，参阅图17和图18，对本实施例所述探测器的制作方法进行详细说明。

步骤一：如图18所示，于所述基板100上表面形成第一金属层，并通过第一掩膜板对所述第一金属层进行刻蚀，使得所述第一金属层于所述像素区域101形成栅极201及扫描线(图中未示出)，于所述温度探测器区域102形成金属导线及与其对应的读温线(图中未示出)，所述金属导线作为所述温度探测器300；其中所述扫描线与所述栅极201电连接，所述读温线与所述金属导线电连接；

步骤二：如图18所示，于上一步骤所得结构上表面形成第一绝缘材料，并基于第二掩膜板对所述第一绝缘材料进行刻蚀，使得所述第一绝缘材料于所述像素区域101形成第一绝缘层202；

步骤三：如图18所示，于上一步骤所得结构上表面形成有源材料，并基于第三掩膜板对所述有源材料进行刻蚀，使得所述有源材料于所述栅极201上方形成有源区203；

步骤四：如图18所示，于上一步骤所得结构上表面形成第二金属层，并通过第四掩膜板对所述第二金属层进行刻蚀，使得所述第二金属层于所述像素区域101形成数据线(图中未示出)、漏极204、源极205和底电极206，于所述温度探测区域102形成增设底电极301和阴极端读温线(图中未示出)；其中所述漏极204和所述源极205位于所述有源区203上方，并且所述漏极204和所述源极205所在区域为开关管区域，所述底电极206所在区域为光电二极管区域，所述漏极204和所述数据线电连接，所述源极205和所述底电极206电连接，所述增设底电极301和所述阴极端读温线电连接；

步骤五：如图18所示，于上一步骤所得结构上表面形成第二绝缘材料，并基于第五掩膜板对所述第二绝缘材料进行刻蚀，使得所述第二绝缘材料于所述开关管区域形成第二绝缘层207；

步骤六：如图18所示，于上一步骤所得结构上表面由下至上依次形成P型非晶硅层、本征非晶硅层及N型非晶硅层，并基于第六掩膜板依次对所述N型非晶硅层、所述本征非晶硅层及所述P型非晶硅层进行刻蚀，使得所述P型非晶硅层于所述光电二极管区域形成P型区208，于所述温度探测区域102形成增设P型区302，所述本征非晶硅层于所述光电二极管区域形成本征区209，于所述温度探测区域102形成增设本征区303，所述N型非晶硅层于所述光电二极管区域形成N型区210，于所述温度探测区域102形成增设N型区304；其中，所述P型区208、所述本征区209和所述N型区210在所述光电二极管区域构成PIN结，所述增设P型区302、所述增设本征区303和所述增设N型区304在所述温度探测区域102构成PIN结；

步骤七：如图18所示，于上一步骤所得结构上表面形成第三金属层，并基于所述第七掩膜板对所述第三金属层进行刻蚀，使得所述第三金属层于所述光电二极管区域形成顶电极211，于所述温度探测区域102形成增设顶电极305和阳极端读温线(图中未示出)，其中所述增设顶电极305和所述阳极端读温线电连接；

步骤八：如图18所示，于上一步骤所得结构上表面形成第三绝缘材料，并基于所述第八掩膜板对所述第三绝缘材料进行刻蚀，使得所述第三绝缘材料于所述像素区域101形成第三绝缘层212，同时形成暴露出所述顶电极211的过孔213；

步骤九：如图18所示，于上述所得结构的上表面形成第四金属层，并通过所述第九掩膜板对所述第四金属层进行刻蚀，使得所述第四金属层于所述光电二极管区域上方形成填充所述过孔213的公共电极214，其中所述公共电极214和所述顶电极211电连接。

可见，在本实施例中，所述金属导线与所述栅极201同时制作；当然，在其它实施例中，所述金属导线还可与其它金属结构同时制作，如所述金属导线与源漏极(即源极205和漏极204)同时制作，即所述金属导线形成于步骤四中；或所述金属导线与所述公共电极214同时制作，即所述金属导线形成于步骤九中；或所述金属导线分别与栅极201和源漏极(即源极205和漏极204)同时制作，即所述金属导线分别形成于步骤一和步骤四中；或所述金属导线分别与栅极201和公共电极214同时制作，即所述金属导线分别形成于步骤一和步骤九中；或所述金属导线分别与源漏极(即源极205和漏极204)和公共电极214同时制作，即所述金属导线分别形成于步骤四和步骤九中；或所述金属导线分别与栅极201、源漏极(即源极205和漏极204)和公共电极214共同制作，即所述金属导线分别形成于步骤一、步骤四和步骤九中。需要注意的是，在形成多个所述金属导线时，无论其形成在哪一步骤中，只要多个所述金属导线平铺设在所述温度探测区域102表面，并且彼此之间不电连接即可实现其所在区域的温度探测；但若要将不同步骤形成的所述金属导线叠置设置，则需要在不同层的所述金属导线之间形成一绝缘层，以隔绝不同所述金属导线之间的电连接。而在形成多个所述二极管时，只要多个所述二极管平铺设在所述温度探测区域102表面，并且彼此之间不电连接即可实现对其所在区域的温度探测。

如图17和图18所示，本实施例还提供一种探测器，所述探测器包括：

基板100，包括像素区域101及位于所述像素区域101外围的温度探测区域102；

若干呈阵列排布的像素单元200，形成于所述像素区域101内；

至少一个温度探测器300，形成于所述温度探测区域102内；

其中所述像素单元200通过扫描线与驱动焊盘400电连接，通过数据线与读出焊盘500电连接；所述温度探测器300通过读温线与所述驱动焊盘400和所述读出焊盘500中的至少一个电连接。

作为示例，所述温度探测器300与所述像素单元200同时制作；当然，在其它实施例中，所述温度探测器300与所述像素单元200也可以不同时制作。

作为示例，所述温度探测器300包括金属导线和二极管中的至少一种；在本实施例中，所述温度探测器300同时包括金属导线和二极管。

具体的，在所述温度探测器300与所述像素单元200同时制作，并且所述温度探测器300包括金属导线和二极管时，所述金属导线与所述像素单元200中若干金属结构中的至少一个同时制作，所述二极管与所述像素单元200中的光电二极管同时制作；可选地，所述金属导线与所述像素单元中的栅极、源漏极和公共电极中的至少一个同时制作；在本实施例中，所述金属导线与所述栅极同时制作。

综上所述，本发明的一种探测器及其制作方法，本发明利用金属和二极管对温度的响应特性，于TFT面板内的像素单元外围直接集成温度探测器，从而对X射线平板探测器工作过程的内部温度进行探测，特别是TFT面板的温度，不仅降低了硬件设计难度、结构和成本，还减小了温度探测器的面积、提高了温度探测的精度。而且本发明还通过制作像素单元的同时制作温度探测器，即利用制作像素单元的掩膜板同时制作温度探测器，以实现工艺兼容，不增加额外的工艺步骤。另外本发明所述温度探测器的设置位置比较灵活，其可根据实际需要在像素单元的外围进行局部设置或整体设置，以获取一处或多处温度信息，从而获取更精确的TFT面板温度分布及X射线平板探测器的内部温度分布。所以，本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。

上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。

Claims (4)

1.一种探测器的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

提供一基板，所述基板包括像素区域，及位于所述像素区域外围的温度探测区域；

于所述像素区域制作若干呈阵列排布的像素单元，于所述温度探测区域制作至少一个温度探测器，所述温度探测器与所述像素单元同时制作，所述温度探测器包括金属导线和二极管中的至少一种；

在所述温度探测器包括金属导线时，所述金属导线与所述像素单元中若干金属结构中的至少一个同时制作；在所述温度探测器包括二极管时，所述二极管与所述像素单元中的光电二极管同时制作；在所述温度探测器包括金属导线和二极管时，所述金属导线与所述像素单元中若干金属结构中的至少一个同时制作，所述二极管与所述像素单元中的光电二极管同时制作；

其中，所述像素单元通过扫描线与驱动焊盘电连接，通过数据线与读出焊盘电连接；

所述温度探测器通过读温线与所述驱动焊盘和所述读出焊盘中的至少一个电连接。

2.根据权利要求1所述的探测器的制作方法，其特征在于，在所述温度探测器包括金属导线时，所述金属导线与所述像素单元中的栅极、源漏极和公共电极中的至少一个同时制作。

3.一种探测器，其特征在于，所述探测器包括：

基板，包括像素区域及位于所述像素区域外围的温度探测区域；

若干呈阵列排布的像素单元，形成于所述像素区域内；

至少一个温度探测器，形成于所述温度探测区域内，所述温度探测器与所述像素单元同时制作，所述温度探测器包括金属导线和二极管中的至少一种；在所述温度探测器包括金属导线时，所述金属导线与所述像素单元中若干金属结构中的至少一个同时制作；在所述温度探测器包括二极管时，所述二极管与所述像素单元中的光电二极管同时制作；在所述温度探测器包括金属导线和二极管时，所述金属导线与所述像素单元中若干金属结构中的至少一个同时制作，所述二极管与所述像素单元中的光电二极管同时制作；

其中，所述像素单元通过扫描线与驱动焊盘电连接，通过数据线与读出焊盘电连接；

所述温度探测器通过读温线与所述驱动焊盘和所述读出焊盘中的至少一个电连接。

4.根据权利要求3所述的探测器，其特征在于，在所述温度探测器包括金属导线时，所述金属导线与所述像素单元中的栅极、源漏极和公共电极中的至少一个同时制作。