JP2006093137A - イオン電流密度を向上させるアークチャンバを持つイオン注入装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】内部に一定空間を持つアークチャンバ100と、アークチャンバ100内の一側に位置して熱電子を放出するフィラメント102と、アークチャンバ100内の他側に位置して熱電子の消耗を防止するリペラ108と、アークチャンバ100内に磁場を提供する電磁石と、を備え、アークチャンバ100のボディ140の内壁145の形態が外側に脹らんでいることを特徴とするイオン注入装置。これにより、熱電子がボディで消耗されずに電子損失を減らして、アークチャンバから放出される陽イオンのイオン電流密度を大きく向上させる。
【選択図】図4A
Description
ここで、vは、熱電子の速度ベクトルを表す。
102…フィラメント、
103…電極、
104…ガス注入口、
106、140、150…ボディ、
108…リペラ、
110…電磁石、
112…抽出スリット、
130…磁気力線、
135…熱電子、
145…内壁。
Claims (14)
- 内部に一定空間を持つアークチャンバと、
前記アークチャンバ内の一側に位置して熱電子を放出するフィラメントと、
前記アークチャンバ内の他側に位置して前記熱電子の消耗を防止するリペラと、
前記アークチャンバ内に磁場を提供する電磁石と、を備え、
前記アークチャンバの少なくとも内壁の形態が外側に脹らんでいることを特徴とするイオン注入装置。 - 前記フィラメントからリペラ方向と垂直な方向の前記アークチャンバの前記内壁の形態は垂直になっていることを特徴とする請求項1に記載のイオン注入装置。
- 前記電磁石は、前記フィラメント及びリペラを備える前記アークチャンバの外部に設置されていることを特徴とする請求項1に記載のイオン注入装置。
- 内部に一定空間を持つアークチャンバと、
前記アークチャンバ内の一側に位置して熱電子を放出するフィラメントと、
前記アークチャンバ内の他側に位置して前記熱電子の消耗を防止するリペラと、
前記アークチャンバ内に磁場の磁気力線の分布を、外側に凸レンズ状の勾配を持つように提供する電磁石と、を備え、
前記アークチャンバの少なくとも内壁の形態が、前記フィラメントからリペラ方向に沿って前記凸レンズ状の勾配を持つ磁気力線と平行になっていることを特徴とするイオン注入装置。 - 前記フィラメントからリペラ方向と垂直な方向の前記アークチャンバの前記内壁の形態は垂直になっていることを特徴とする請求項4に記載のイオン注入装置。
- 前記電磁石は、前記フィラメント及びリペラを備える前記アークチャンバの外部に設置されていることを特徴とする請求項4に記載のイオン注入装置。
- 内部に一定空間を持つアークチャンバと、
前記アークチャンバ内の一側に位置して熱電子を放出するフィラメントと、
前記アークチャンバ内の他側に位置して、前記熱電子の消耗を防止するために設置されたリペラと、
前記フィラメント及びリペラが設置された前記アークチャンバの外部に設置されて、前記アークチャンバ内に磁場の磁気力線の分布を、外側に凸レンズ状の勾配を持つように提供する電磁石と、を備え、
前記アークチャンバの少なくとも内壁の曲率を、前記フィラメント及びリペラを貫通する凸レンズ状の最外郭磁気力線の勾配に合わせるように構成することを特徴とするイオン注入装置。 - 前記フィラメントからリペラ方向と垂直な方向の前記アークチャンバの前記内壁の形態は垂直になっていることを特徴とする請求項7に記載のイオン注入装置。
- 内部に一定空間を持つアークチャンバと、
前記アークチャンバ内の一側に位置して熱電子を放出するフィラメントと、
前記アークチャンバ内の他側に位置して前記熱電子の消耗を防止するために設置されたリペラと、
前記フィラメント及びリペラが設置された前記アークチャンバの外部に設置されて、前記アークチャンバ内に磁場の磁気力線の分布を、外側に凸レンズ状の勾配を持つように提供する電磁石と、を備え、
前記フィラメント部分で、リペラ方向に沿って、前記アークチャンバの少なくとも内壁の形態が脹らむように構成して、前記磁気力線がアークチャンバのボディと交差する領域で、前記アークチャンバのボディを通じた熱電子損失を減らすことを特徴とするイオン注入装置。 - 前記フィラメントからリペラ方向と垂直な方向の前記アークチャンバの前記内壁の形態は垂直になっていることを特徴とする請求項9に記載のイオン注入装置。
- 内部に一定空間を持つアークチャンバと、
前記アークチャンバ内の一側に位置して熱電子を放出するフィラメントと、
前記アークチャンバ内の他側に位置して前記熱電子の消耗を防止するために設置されたリペラと、
前記フィラメント及びリペラが設置された前記アークチャンバの外部に設置されて、前記アークチャンバ内に磁場の磁気力線の分布を、外側に凸レンズ状の勾配を持つように提供する電磁石と、
前記アークチャンバ内に位置し、前記フィラメント及びリペラを貫通する凸レンズ状の最外郭磁気力線の勾配に合わせて設置された前記アークチャンバのボディと同一材質の補形物と、を備えてなることを特徴とするイオン注入装置。 - 前記フィラメントからリペラ方向と垂直な方向の前記アークチャンバの前記内壁の形態は垂直になっていることを特徴とする請求項11に記載のイオン注入装置。
- 内部に一定空間を持つアークチャンバと、
前記アークチャンバ内の一側に位置して熱電子を放出するフィラメントと、
前記アークチャンバ内の他側に位置して前記熱電子の消耗を防止するために負電圧が印加されるリペラと、
前記フィラメント及びリペラが設置された前記アークチャンバの外部に設置されて、前記アークチャンバ内に磁場を提供する電磁石と、
前記アークチャンバの下側に位置して、前記アークチャンバに反応ガスを注入できるガス注入口と、
前記アークチャンバの上側に位置して、前記反応ガスのイオン化によるイオンを放出する抽出スリットと、を備え、
前記フィラメントから放出された熱電子が前記反応ガスをイオン化させるのに十分なエネルギーを得るように加速するために、前記アークチャンバのボディには正電圧を印加し、
前記フィラメントで、リペラ方向からフィラメント方向に沿って、前記アークチャンバの少なくとも内壁の形態が外側に脹らむように設計されて、前記磁場による磁気力線が前記アークチャンバのボディと交差する領域で、前記アークチャンバのボディを通じた熱電子の損失を減らすことを特徴とするイオン注入装置。 - 前記フィラメントからリペラ方向と垂直な方向の前記アークチャンバの前記内壁の形態は垂直になっていることを特徴とする請求項13に記載のイオン注入装置。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9659749B2 (en) | 2014-10-17 | 2017-05-23 | Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co., Ltd. | Beam extraction slit structure and ion source |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103887132B (zh) | 2012-12-20 | 2016-12-28 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 注入装置的离子源和离子注入方法 |
KR101977888B1 (ko) * | 2015-12-14 | 2019-05-13 | 주식회사 씨에이치솔루션 | 비구면의 챔버 내벽을 갖는 진공 챔버 |
KR101947426B1 (ko) * | 2015-12-14 | 2019-02-13 | 주식회사 씨에이치솔루션 | 실링부재를 구비한 진공 챔버와 이에 이용되는 실링 부재 |
KR101962896B1 (ko) * | 2015-12-14 | 2019-03-27 | 주식회사 씨에이치솔루션 | 보강부를 구비한 진공 챔버 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62112840U (ja) * | 1985-12-14 | 1987-07-18 | ||
JPS62112839U (ja) * | 1985-12-14 | 1987-07-18 | ||
JPS63128526A (ja) * | 1986-11-17 | 1988-06-01 | Shimadzu Corp | Pigイオン源 |
JP2001236897A (ja) * | 2000-02-25 | 2001-08-31 | Nissin Electric Co Ltd | イオン源およびその運転方法 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0419953A (ja) * | 1990-05-11 | 1992-01-23 | Fujitsu Ltd | イオンビーム照射装置及びイオンビーム源 |
US5523646A (en) * | 1994-08-17 | 1996-06-04 | Tucciarone; John F. | An arc chamber assembly for use in an ionization source |
JPH09161703A (ja) * | 1995-12-13 | 1997-06-20 | Hitachi Ltd | イオン生成装置およびそれを用いた半導体製造装置 |
JP3313966B2 (ja) | 1996-03-12 | 2002-08-12 | 株式会社日立製作所 | イオン注入装置 |
JPH10302658A (ja) | 1997-04-24 | 1998-11-13 | Kobe Steel Ltd | イオン源装置 |
JPH11195397A (ja) | 1998-01-05 | 1999-07-21 | Masanobu Nunogaki | 低エネルギー重イオン立体照射法 |
US6237527B1 (en) | 1999-08-06 | 2001-05-29 | Axcelis Technologies, Inc. | System for improving energy purity and implant consistency, and for minimizing charge accumulation of an implanted substrate |
KR100416662B1 (ko) | 2001-12-26 | 2004-01-31 | 동부전자 주식회사 | 이온주입설비의 아크 챔버 |
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62112840U (ja) * | 1985-12-14 | 1987-07-18 | ||
JPS62112839U (ja) * | 1985-12-14 | 1987-07-18 | ||
JPS63128526A (ja) * | 1986-11-17 | 1988-06-01 | Shimadzu Corp | Pigイオン源 |
JP2001236897A (ja) * | 2000-02-25 | 2001-08-31 | Nissin Electric Co Ltd | イオン源およびその運転方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9659749B2 (en) | 2014-10-17 | 2017-05-23 | Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co., Ltd. | Beam extraction slit structure and ion source |
Also Published As
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