JP2006086255A - 結晶半導体粒子の製造方法および光電変換装置ならびに光発電装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 高品質な結晶シリコン粒子を安定して作製でき、量産性や低コスト性に優れた光電変換装置や光発電装置を提供すること。
【解決手段】 上面に多数個の半導体粒子101を載置した台板102を加熱炉内に導入し、半導体粒子101を加熱して溶融させる工程と、この溶融した半導体粒子101を台板102側から上方に向けて固化させる工程とを、２回以上繰り返すことによって結晶半導体粒子101とする結晶半導体粒子の製造方法である。光電変換装置に用いる場合に変換効率特性に優れた高品質な結晶シリコン粒子101を製造することができる。
【選択図】 図１

Description

本発明は特に太陽電池のような光電変換装置ならびに光発電装置に用いる好適な結晶半導体粒子の製造方法およびその製造方法によって製造された結晶半導体粒子を用いた光電変換装置ならびに光発電装置に関するものである。

光電変換装置は、性能面での効率の良さ、資源の有限性への配慮、あるいは製造コストの低さ等といった市場ニーズを捉えて開発が進められている。今後の市場において有望な光電変換装置の一つとして、太陽電池として使用される、半導体粒子を用いた光電変換装置がある。

半導体粒子、例えばシリコン粒子を作製するための原料としては、単結晶シリコンを粉砕した結果として発生するシリコンの微小粒子や、流動床法で気相合成された高純度シリコン等が用いられている。これらの原料からシリコン粒子を作製するには、それら原料をサイズあるいは重量によって分別した後に、赤外線や高周波を用いて容器内で溶融し、その後に自由落下させる方法（例えば、特許文献１および特許文献２を参照。）や、同じく高周波プラズマを用いる方法（例えば、特許文献３を参照。）によって粒子化することが行なわれる。
国際公開第99／22048号パンフレット 米国特許第4188177号明細書 特開平５−78115号公報 米国特許第4430150号明細書

しかしながら、これらの方法で製造されたシリコン粒子は、そのほとんどが多結晶体である。多結晶体は、微小な結晶の集合体であるため、それら微小な結晶間に粒界が存在する。この粒界は、多結晶体を用いた半導体装置の電気特性を劣化させる。その理由は、粒界にはキャリアの再結合中心が集まっており、それによってキャリアの再結合が生ずることで少数キャリアのライフタイムが大幅に低減してしまうためである。

光電変換装置のように電気特性が少数キャリアの寿命の増大とともに大幅に向上する半導体装置の場合には、それに用いられるシリコン粒子中の粒界の存在は、電気特性を悪化させてしまい、特に大きな問題となる。逆に言えば、シリコン粒子を多結晶体から単結晶体にできれば、このシリコン粒子を光電変換素子に用いた光電変換装置の電気特性を著しく改善することができる。

また、多結晶体中の粒界は多結晶体のシリコン粒子の機械的強度を低下させることから、光電変換装置を製造する各工程の熱履歴や熱歪み、あるいは機械的な圧力等によってシリコン粒子が破壊されやすいという問題もあった。

従って、シリコン粒子を用いて光電変換装置を製造する場合には、粒界等が存在しない、結晶性に優れた多結晶体または単結晶体からなる結晶シリコン粒子を製造することが必要不可欠となる。

そのような結晶性に優れた単結晶体からなる結晶シリコン粒子を得る方法として、多結晶シリコンまたは無定形シリコンの表面上にシリコンの酸化膜等の珪素化合物被膜を形成し、その珪素化合物被膜の内側のシリコンを溶融した後に冷却して固化させて、結晶性に優れた多結晶体または単結晶体からなる結晶シリコン粒子を製造する方法が知られている（例えば、特許文献４を参照。）。

しかしながら、シリコン粒子を加熱してその表面に形成された珪素化合物被膜、具体的には酸化シリコン被膜の内側でシリコンを溶融させ、その後に凝固させた場合には、ＣＺ（チョクラルスキー）法やＦＺ（フローティング）法のような一般的なバルクのシリコン単結晶を育成する際の種結晶のような凝固起点がないため、一方向に凝固が起こらず多数核の発生による多結晶化が起こることが問題となる。この結晶シリコン粒子の多結晶化は上記のように様々な問題を生じ、その結晶シリコン粒子を光電変換素子に用いる光電変換装置の特性劣化を引き起こしてしまうという問題点がある。

また、結晶シリコン粒子の製造にあたって流動床法により気相合成された高純度シリコン等の多結晶体を原料に用いた場合には、多結晶シリコン中に含まれる出発原料や製造工程中からの混入を主原因とする鉄やニッケル等の金属不純物による汚染が問題となる。金属不純物はシリコン中では化学的な結合手を持たない格子間拡散をすることから、シリコン格子の隙間を縫って不純物原子が拡散する。そして、この拡散した金属不純物はシリコン内で深い準位を形成してキャリアの再結合中心として作用し、リーク電流の増加やライフタイムの低下原因となって光劣化を引き起こす。

すなわち、従来の結晶シリコン粒子の製造方法では所望の高品質な結晶シリコン粒子を作製することが困難であり、それによって得られた結晶シリコン粒子を用いて電気特性に優れた光電変換装置を作製するための製造方法としては不向きなものであるという問題点がある状況であった。

本発明はこのような従来技術の問題点に鑑みなされたものであり、その目的は半導体粒子を結晶半導体粒子とする結晶半導体粒子の製造方法であり、多結晶シリコンのような半導体粒子を安定して高効率に結晶化すると同時に高い結晶性を持った結晶シリコン粒子を低コストで製造することができる結晶半導体粒子の製造方法を提供することにある。また、本発明の目的は、その結晶半導体粒子の製造方法によって製造された結晶半導体粒子を用いた、電気特性に優れた良好な光電変換装置ならびに光発電装置を提供することにある。

本発明の結晶半導体粒子の製造方法は、上面に多数個の半導体粒子を載置した台板を加熱炉内に導入し、前記半導体粒子を加熱して溶融させる工程と、この溶融した半導体粒子を前記台板側から上方に向けて固化させる工程とを、２回以上繰り返すことによって結晶半導体粒子とすることを特徴とするものである。

また、本発明の結晶半導体粒子の製造方法は、上記構成において、前記固化させる工程の次にこの固化した半導体粒子の表面をエッチングして除去した後、前記溶融させる工程を行なうことを特徴とするものである。

本発明の光電変換装置は、導電性基板の一主面に、第１の導電型の結晶シリコン粒子が多数個、下部を前記導電性基板に接合され、隣接するもの同士の間に絶縁物質を介在させるとともに上部を前記絶縁物質から露出させて配置されて、これら結晶シリコン粒子に第２の導電型の半導体層および透光性導体層が順次設けられた光電変換装置であって、前記結晶シリコン粒子は、上記いずれかの本発明の結晶半導体粒子の製造方法によって製造されたものであることを特徴とするものである。

そして、本発明の光発電装置は、上記の本発明の光電変換装置を発電手段として用い、この発電手段の発電電力を負荷へ供給するように成したことを特徴とするものである。

本発明の結晶半導体粒子の製造方法によれば、上面に多数個の半導体粒子を載置した台板を加熱炉内に導入し、前記半導体粒子を加熱して溶融させる工程と、この溶融した半導体粒子を前記台板側から上方に向けて固化させる工程とを、２回以上繰り返すことによって結晶半導体粒子とすることから、半導体粒子を台板上に載置して溶融させることによって、その後に固化させて結晶化する際の凝固起点を半導体粒子と台板との接触部分に設定して、そこから半導体粒子の上方に向けて結晶化を進めさせることができるため、種結晶を用いなくとも結晶半導体粒子を一方向凝固させることが可能となり、結晶半導体粒子の結晶性を大幅に向上させることができる。また、半導体粒子を加熱して溶融させる工程と、この溶融した半導体粒子を台板側から上方に向けて固化させる工程とを、２回以上繰り返すことから、固化させる際に半導体材料に対する偏析係数が１よりも小さい不純物については固化の終端部に偏析させることができるので、その固化の終端部をエッチング等で除去することによって、不純物の含有量を低減させることができ、高品質の結晶半導体粒子を得ることができる。

また、本発明の結晶半導体粒子の製造方法によれば、固化させる工程の次にこの固化した半導体粒子の表面をエッチングして除去した後、溶融させる工程を行なうときには、固化の終端部に偏析させた不純物を、半導体粒子の表面をエッチングして除去することによって効率よく除去することができ、再び溶融させて固化させる工程を繰り返すことにより、その固化の終端部に残りの不純物を偏析させることができ、これを除去することによってより高品質の結晶半導体粒子を製造することができる。

例えば、半導体材料がシリコンの場合であれば、鉄やニッケル等の金属不純物はシリコンに対する偏析係数が１よりも小さいため、溶融させたシリコン粒子を固化させることによって固化の終端部に金属不純物を効果的に偏析させることができ、この終端部を除去することによって偏析した金属不純物を効率よく除去することができる。また、半導体粒子を固化させる工程の次にこの固化したシリコン粒子の表面をエッチングしてその固化の終端部を除去した後、再び溶融させて固化させる工程を繰り返すことにより、その固化の終端部に偏析させた残りの金属不純物が取り除かれるため、再溶融によって金属不純物の偏析効果による低減化をより効果的に行なうことができるので、金属不純物の含有量を大幅に低減することができる。その結果、金属不純物等の不純物濃度が大幅に低減化された高品質な結晶シリコン粒子を製造することができる。

本発明の光電変換装置によれば、導電性基板の一主面に、第１の導電型の結晶シリコン粒子が多数個、下部を前記導電性基板に接合され、隣接するもの同士の間に絶縁物質を介在させるとともに上部を前記絶縁物質から露出させて配置されて、これら結晶シリコン粒子に第２の導電型の半導体層および透光性導体層が順次設けられた光電変換装置であって、前記結晶シリコン粒子は、上記いずれかの構成の本発明の結晶半導体粒子の製造方法によって製造されたものであることから、本発明の結晶半導体粒子の製造方法によって電気特性に優れた高品質の結晶シリコン粒子を製造することができ、また、加熱炉での処理用石英基板を多段に積層し、かつ石英基板上にシリコン粒子を高密度に配置することにより、安価に量産性よく製造することもできるため、光電変換素子として使用する結晶シリコン粒子に用いるシリコン材料を効率的に利用できるので、光電変換装置の高効率化および信頼性の向上を図ることができる。

そして、本発明の光発電装置によれば、上記の本発明の光電変換装置を発電手段として用い、この発電手段の発電電力を負荷へ供給するように成したことによって、高効率で信頼性が高い本発明の光電変換装置によって発電能力が向上し、長期間にわたって安定に信頼性を確保することができる。

以上により、本発明の結晶半導体粒子の製造方法によれば、多数個の結晶半導体粒子を安定して効率よく結晶化することができると同時に高い結晶性を持った結晶半導体粒子を容易に量産することができるので、これを用いることにより、光電変換特性に優れた良好な光電変換装置およびそれを用いた光発電装置を提供することができる。

以下、本発明の結晶半導体粒子の製造方法について添付図面を参照しつつ詳細に説明する。

図１（ａ）〜（ｅ）はそれぞれ本発明の結晶半導体粒子の製造方法の実施の形態の一例における概略の様子を示す工程毎の断面図であり、図２（ａ）〜（ｆ）はそれぞれ本発明の結晶半導体粒子の製造方法の実施の形態の他の例における概略の様子を示す工程毎の断面図である。図１および図２において、101は半導体粒子または結晶半導体粒子、102は台板であり、103は固化起点（一方の極）を示している。また、図２における101ａは半導体粒子（結晶半導体粒子）101の表面のエッチング等により除去する表面部を示している。

以下の実施の形態の例では、半導体材料としてシリコンを用いた例について説明する。

まず、半導体材料として半導体グレードの結晶シリコンを用い、これを赤外線や高周波コイルを用いて容器内で溶融し、しかる後に溶融したシリコンを粒状の融液として自由落下させる溶融落下法等によって多結晶のシリコン粒子101を得る。

溶融落下法で作製された多結晶のシリコン粒子101には、所望の導電型および抵抗値にするために、通常はドーパントがドーピングされる。シリコンに対するドーパントとしては、ホウ素，アルミニウム，ガリウム，インジウム，リン，ヒ素，アンチモンがあるが、シリコンに対する偏析係数が大きい点やシリコン溶融時の蒸発係数が小さい点からは、ホウ素あるいはリンを用いることが望ましい。また、ドーパント濃度としては、シリコンの結晶材料に１×10^１４〜10^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３程度添加される。

この溶融落下法によってシリコン粒子101を得た時点では、シリコン粒子101の形状は、ほぼ球形状のものの他にも涙滴型や流線形型、あるいは複数個の粒子が連結した連結型等である。このままの多結晶のシリコン粒子101を用いて光電変換装置を作製した場合は、良好な光電変換特性を得られないものとなる。この原因は、この多結晶のシリコン粒子101中に通常含有されているＦｅ，Ｃｒ，Ｎｉ，Ｍｏ等の金属不純物による、および多結晶の結晶粒界におけるキャリアの再結合効果によるものである。これを改善するために、本発明の結晶半導体粒子の製造方法によって、温度制御した加熱炉の中で多結晶のシリコン粒子101を再溶融させ、その後、例えば酸素・窒素雰囲気下で降温して固化させることを２回以上繰り返すことにより作製される、不純物の含有量を非常に低く抑えた単結晶の結晶シリコン粒子101を用いる。

単結晶の結晶シリコン粒子101を作製するには、まず、図１（ａ）に示すように、多数個の多結晶のシリコン粒子101を台板102の上面に一層で並べて載置する。台板102上へのシリコン粒子101の載置は、一層で充填するのが望ましい。シリコン粒子101間にできるだけ隙間がないように充填するのが望ましいが、シリコン粒子101同士が接触していても構わない。また台板102は板状のものが望ましく、複数段に積み上げてもよい。台板102の材質は、シリコン粒子101との反応を抑えるために、石英ガラス，ムライト，酸化アルミニウム，炭化珪素，単結晶サファイヤ等が適するが、耐熱性，耐久性，耐薬品性に優れコストも安く、かつ扱い易いという点からは、石英ガラスが好適である。

また、台板102は、シリコン粒子101を溶融後に冷却し固化させて結晶化させるときの固化起点とするために用いる。このように台板102の上面に多数個のシリコン粒子101を載置することにより、それぞれのシリコン粒子101と台板102との接触部分に固化起点103を設定することができるため、この固化起点103を一方の極としてこの一方の極103から上方の対向する極に向けて固化（結晶化）方向を設定することができ、種結晶を用いることなく一方向に凝固させることが可能となり、サブグレイン等の発生を抑制して結晶シリコン粒子101の結晶性を大幅に向上させることができる。

シリコン粒子101を始めとする半導体粒子101の大きさは、通常はほぼ球状であることから、その粒径は直径1500μｍ以下が望ましく、その形状が球に近いことが望ましい。ただし、半導体粒子101の形状は球状に限られるものではなく、立方体状や直方体状やその他の不定形の形状であってもよい。半導体粒子101の大きさが1500μｍを超えて大きくなる場合には、シリコン粒子101ではその表面に形成される所定の珪素化合物被膜が相対的に薄くなることによって内側のシリコンの溶融時における半導体粒子101の形状を安定に保つことが難しくなり、またシリコンを完全に溶融させることも困難となって、溶融が不完全な場合にはサブグレインが生じ易くなるので望ましくない。他方、半導体粒子101の大きさが直径30μｍ未満と小さい場合には、シリコン粒子101では表面の珪素化合物被膜の厚みも薄くなるため溶融時に形状を維持することが困難となり、内側のシリコンの溶融時に隣接して配置されているシリコン粒子101同士が合体しやすくなるので望ましくない。従って、半導体粒子101の大きさは30μｍ〜1500μｍであることが望ましく、これによって半導体粒子101同士の合体を抑制し、また半導体粒子101の形状を安定に維持して、サブグレインの発生がない球形状で良質な結晶シリコン粒子101を安定して作製することができる。

次に、図１（ｂ）に示すように、シリコン粒子101を載置した台板102を加熱炉（図示せず）内に導入し、シリコン粒子101を加熱していくことにより、シリコン粒子101を溶融させる。加熱炉としては、半導体材料の種類に応じて種々のものが使用できるが、半導体材料としてシリコンを用いる場合であれば、セラミックスの焼成等に用いられる抵抗加熱型や誘導加熱型の雰囲気焼成炉あるいは半導体素子の製造工程で一般的に用いられる横型酸化炉等が適している。セラミックスの焼成等に用いられる抵抗加熱型の雰囲気焼成炉は、1500℃以上の昇温も比較的容易であり、結晶半導体粒子101の量産が可能な大型のものも比較的安価に入手できるので望ましい。

雰囲気焼成炉による加熱を行なう前には、シリコン粒子101の表面に付着した金属や異物等を除去するためにＲＣＡ法であらかじめ溶液洗浄をしておくことが望ましい。ＲＣＡ洗浄法とは、シリコンウェーハの標準的洗浄工程として半導体素子の製造工程で一般的に用いられている洗浄方法であり、３段の工程のうち１段目の工程において水酸化アンモニウムと過酸化水素との水溶液により酸化膜とシリコン表面とを除去し、２段目の工程においてフッ化水素水溶液により前段の工程で付いた酸化膜を除去し、３段目の工程において塩化水素と過酸化水素との水溶液により重金属等を除去して自然酸化膜を形成させるというものである。

また、加熱炉内における炉材や発熱体等からの汚染を防止するためには台板102上に載置したシリコン粒子101を覆うようなベルジャーを加熱炉内に設置することが望ましい。ベルジャーの材質は石英ガラス，ムライト，酸化アルミニウム，炭化珪素，単結晶サファイヤ等が適するが、耐熱性，耐久性，耐薬品性に優れコストも安く扱い易いという点からは、石英ガラスが好適である。

なお、シリコン粒子101の表面への有機物等の再付着汚染を防止するために、ベルジャー内は不活性ガス雰囲気で充分にガス置換されていることが望ましい。不活性ガスとしてはアルゴン，窒素，ヘリウム，水素が適するが、コストが低いという点や扱い易いという点からは、アルゴンあるいは窒素が好適である。

加熱炉内でシリコン粒子101を酸素ガスと窒素ガスとから成る反応性ガスを導入しながら加熱して、シリコンの融点より高い温度へ昇温していく過程で、シリコン粒子101の表面には珪素化合物被膜が形成される。

シリコン粒子101の表面に形成される珪素化合物被膜については、シリコンの酸化膜もしくは酸窒化膜が適するが、被膜の密度が高くて単位膜厚当りの強度が高く、汚染物や不純物等のシリコン粒子101の内部への拡散阻止力が大きいという点からは、シリコンの酸窒化膜が形成されることが好適である。

また、シリコン粒子101の表面にこの酸窒化膜を形成する際の反応性ガスによる加熱炉内の雰囲気は、酸素分圧および窒素分圧がそれぞれ１％以上であることが望ましい。雰囲気ガス中の酸素分圧あるいは窒素分圧が１％未満の場合は、内部を結晶化するシリコン粒子101の表面に形成される酸窒化膜の形成が不十分となって、珪素化合物被膜に亀裂が発生しやすくなり望ましくない。

なお、加熱炉内の雰囲気ガス中の各ガス分圧は、全ガス流量に対する各ガス流量で調整できる。雰囲気ガスは例えばガス供給手段からガスフィルタを通してベルジャー内に供給されるが、このガス供給手段にガスを供給する装置がガス圧力とガス濃度とを調整可能な機構を持つものであればよい。

加熱炉内に導入された半導体粒子101は、その半導体材料の融点以上に、シリコン粒子101であればシリコンの融点（1414℃）以上で、好ましくは1480℃以下の温度まで加熱される。この間にシリコン粒子101において表面の珪素化合物被膜の内側のシリコンが溶融する。このとき、シリコン粒子101の表面に形成された珪素化合物被膜によって、内側のシリコンを溶融させながらもシリコン粒子101の形状を維持することが可能である。ただし、半導体粒子101の形状を安定に維持するのが困難となるような温度、例えばシリコン粒子101の場合であれば1480℃を超える温度まで昇温させた場合には、内部のシリコンの溶融時にシリコン粒子101の形状を安定に保つことが難しくなり、隣接するシリコン粒子101との合体が生じやすくなり、また台板102と融着反応しやすくなるので望ましくない。

なお、シリコン粒子101の場合は、上記の粒径の範囲において、その表面に形成される珪素化合物被膜の厚みは１μｍ以上であることが望ましい。厚みが１μｍ未満と薄い場合には内部のシリコンの溶融時に表面の被膜が破れやすいので望ましくない。また、厚みが１μｍ以上で必要な強度を有する珪素化合物被膜であれば、内部のシリコンがその溶融時には表面張力で球形化しようとするのに対し、上記の温度領域であれば珪素化合物被膜は充分に変形可能であるため、内部を結晶化して得られる結晶シリコン粒子101を真球に近い形状とすることができる。一方、珪素化合物被膜の厚みが50μｍを超えて厚くなる場合には、珪素化合物被膜が上記の温度領域で変形しにくくなり、得られる結晶シリコン粒子101の形状が真球に近い形状になりにくいので望ましくない。従って、シリコン粒子101の場合は、上記の粒径の範囲（30μｍ〜1500μｍ）に対してその表面の珪素化合物被膜の厚みは１μｍ〜50μｍであることが好ましく、これによって、真球に近い良好な形状の結晶シリコン粒子101を安定して得ることができ、この結晶シリコン粒子101を光電変換素子に用いることによって変換効率に優れた光電変換装置を得ることができるようになる。

次に、図１（ｃ）に示すように、この溶融した半導体粒子101を、シリコン粒子101では珪素化合物被膜の内側の溶融したシリコンを固化させるために融点以下の約1400℃以下の温度まで降温させて固化させる。この際、融点以下の比較的高温の温度に維持して固化させる場合には、台板102上での接触部分を固化起点（一方の極）103として上方の対向する極へ向けて一方向に固化が進行するので、固化起点103の結晶性がそのまま半導体粒子101の全体に継承されて結晶が成長するため、得られる結晶シリコン粒子101が単結晶となり、結晶性を大幅に向上させることができる。

また、溶融した半導体粒子101を固化させる途中で半導体粒子101に対して熱アニール処理を、例えば結晶シリコン粒子101の場合であれば1000℃以上の一定温度にて30分間以上の熱アニール処理を行なうことが望ましい。この熱アニール処理を行なうことによって、固化時に発生した結晶半導体粒子101中の結晶中の歪みや表面の珪素化合物被膜と内側の結晶シリコンとの界面に発生した界面歪み等を緩和除去して良好な結晶性の結晶半導体粒子101とすることができる。

そして、本発明の結晶半導体粒子の製造方法においては、以上のような、上面に多数個の半導体粒子101を載置した台板102を加熱炉内に導入し、半導体粒子101を加熱して溶融させる工程と、この溶融した半導体粒子101を台板102側の固化起点（一方の極）103から上方の対向する極に向けて固化させる工程とを、図１（ａ）〜（ｅ）に示すように２回以上繰り返すことによって結晶半導体粒子101とすることが重要である。このように溶融させる工程と固化させる工程とを２回以上繰り返すことによって、１回目で半導体粒子101の固化起点103や中央部に残存していた低濃度の不純物をさらに固化の終端部（対向する極）に集積させることができるので、１回目よりも高濃度に不純物を含有した終端部をエッチング除去することにより、さらに純度の高い結晶半導体粒子101を得ることができる。

本発明の結晶半導体粒子の製造方法においては、半導体粒子101を加熱して溶融させる工程とこの溶融した半導体粒子101を固化させる工程とを２回以上繰り返すに当たっては、１回目の溶融・固化を終了した後で上記の熱アニール処理を行なう前に２回目の溶融・固化の工程を繰り返しても構わないし、１回目の溶融・固化を終了した後に引き続いて熱アニール処理を行ない、その後に室温程度まで降温させた後に再度加熱して２回目の溶融・固化の工程を繰り返しても構わない。なお、これは２回目以降繰り返す場合においても同様である。

図３は本発明の結晶半導体粒子の製造方法における熱処理の温度処理プログラムの例を模式的に示した線図である。図３において、横軸は時間（分）を、縦軸は温度（℃）を表わし、特性曲線（実線および点線）は結晶半導体粒子がどのような温度を経過するかを示したものである。実線は１回目の熱処理における温度変化を示していて、室温より徐々に加熱されて半導体材料の融点以上にまで加熱されることにより、半導体粒子101が溶融される。次いで、一定時間、融点以上に保持した後、ゆっくりと温度を降下させていくと、台板102と接触しているところが固化起点103となり、上方の他方の極に向けて徐々に結晶化が進行することで、単結晶になるとともに、不純物の偏析効果により溶融部での不純物が固体中の不純物よりも多く存在することになるため、終端部（対向する極）に向けて不純物が高濃度に分布することになる。その後、温度一定の熱アニール処理を経ることで、結晶の歪みを抑制した結晶半導体粒子101とすることができる。

また、本発明の結晶半導体粒子の製造方法においては、さらに点線で示す熱処理の繰り返し工程を追加することで、不純物濃度の勾配をさらに高めることができる。つまり、１回目の溶融・固化が終了した時点より再び加熱を始め、融点を超える温度まで再加熱し、再溶融・再固化することで不純物偏析度を高めることができるものである。

また、本発明の結晶半導体粒子の製造方法においては、以上のようにして得られた結晶半導体粒子101に対して、必要に応じて表面処理等を行なってもよい。例えば、結晶シリコン粒子101に対しては、良好な結晶性の高純度の結晶シリコン粒子101とするために、表面に形成された１μｍ以上の珪素化合物被膜をフッ酸でエッチング除去するとよい。またここで、結晶シリコン粒子101の結晶表面の不純物濃度の高い結晶表面歪層を除去するために、フッ硝酸により厚さ１μｍ以上にわたって結晶シリコン粒子101の表面に対してエッチング処理を行なうことが望ましい。

特に、図２に示すように、２回以上繰り返す溶融・固化の工程（ａ）〜（ｃ）および（ｅ），（ｆ）の固化させる工程（ｃ）と溶融させる工程（ｅ）との間に、（ｄ）においてこの固化した半導体粒子101の表面101ａをエッチングして除去し、その後に溶融させる工程（ｅ）を行なうことが好ましい。例えばシリコン粒子101の場合であれば、上記の熱アニール処理を行なってから室温まで降温させた後に、結晶シリコン粒子101の表面に形成された珪素化合物被膜をフッ酸でエッチング除去し、フッ硝酸で結晶シリコン粒子101の表面を数十μｍ程度エッチングしてから、再度加熱して溶融させる工程を繰り返すとよい。このように固化させる工程（ｃ）の次にこの固化した半導体粒子（結晶半導体粒子）101の表面101ａをエッチングして除去（ｄ）した後、溶融させる工程（ｅ）を行なうことによって、１回の溶融・固化工程で終端部（対向する極）に偏析している高濃度不純物を除去してしまうことができ、粒子内の不純物総量を低減させた半導体粒子101に対して再度溶融・固化を繰り返すことによって、不純物をさらに偏析させて、エッチング除去する終端部以外の半導体の純度をさらに高めることができる。

結晶半導体粒子101が結晶シリコン粒子101であり、光電変換装置に用いられる場合であれば、以上に加えて、結晶シリコン粒子101の表面に微細な凹凸を形成することも有効である。その方法としては、ガスエッチング、あるいは水酸化ナトリウムや水酸化カリウム等のアルカリ液エッチング等がある。このような表面の凹凸は、この結晶シリコン粒子101を光電変換素子に用いて光電変換装置を構成したときに、その表面の凹凸による光の乱反射によって入射光の利用効率を改善するように機能するものとなる。この表面の凹凸は大き過ぎても小さ過ぎても十分な効果が期待できず、表面の算術平均粗さＲａが0.01μｍ〜５μｍの粗面になるような凹凸とすることで、光電変換装置において光の乱反射により入射光の利用効率を良好に改善することができる。

本発明の結晶半導体粒子の製造方法によれば、以上のようにして良好な結晶性であり、かつ不要な不純物量が低減された結晶半導体粒子101を安定して製造することができる。

次に、本発明の光電変換装置の実施の形態の一例について、その断面図を図４に示す。図４において、406は結晶シリコン粒子、407は導電性基板、408は結晶シリコン粒子406と導電性基板407との接合層、409は絶縁物質、410は半導体層、411は透光性導体層、412は電極である。

本発明の結晶シリコン粒子406を用いた光電変換装置においては、導電性基板407の一主面、この例では上面に、第１の導電型例えばｐ型の結晶シリコン粒子406が多数個、その下部を例えば接合層408によって導電性基板407に接合され、結晶シリコン粒子406の隣接するもの同士の間に絶縁物質409を介在させるとともにそれら結晶シリコン粒子406の上部を絶縁物質409から露出させて配置されて、これら結晶シリコン粒子406に第２の導電型例えばｎ型の半導体層410および透光性導体層411が順次設けられた構成となっている。なお、電極412は、この光電変換装置を太陽電池として使用する際に、透光性導体層411の上に所定のパターン形状に被着形成されるものであり、例えばフィンガー電極およびバスバー電極である。

そして、本発明の光電変換装置においては、このような構成において、結晶シリコン粒子406は、上記のような本発明の結晶半導体粒子の製造方法によって製造されたものであることを特徴とするものである。

本発明の光電変換装置によれば、このように結晶シリコン粒子406が本発明の結晶半導体粒子の製造方法によって製造されたものであることから、不純物濃度が極めて低い高品質のシリコン材料を得ることができるので、高い光電変換効率を得るために重要な因子となる少数キャリア寿命を向上させることができ、光電変換装置の形成材料として好ましい結晶シリコン粒子406を得ることができる。

次に、この本発明の光電変換装置における結晶シリコン粒子406の製造方法については前述の結晶シリコン粒子101の製造方法と同様である。結晶シリコン粒子406の出発原料として用いるシリコン粒子101は、所望の抵抗値になるように第１の導電型のドーパントとしてｐ型の半導体不純物がドーピングされていることが望ましい。ｐ型ドーパントとしては前述のようにホウ素，アルミニウム，ガリウム等が望ましく、その添加量は１×10^１４〜１×10^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^２が望ましい。以上の本発明の結晶半導体粒子の製造方法によって製造された結晶シリコン粒子101（406）は、本発明の光電変換装置を作製するために使用される。そして、この光電変換装置を発電手段として用い、この発電手段からの発電電力を負荷に供給するように成した光発電装置とすることができる。

図４に示した例は、以上のようにして得られた結晶シリコン粒子406を用いて作製されたものである。この光電変換装置を得るには、まず、結晶シリコン粒子406の表面に形成された珪素化合物被膜をフッ酸でエッチング除去する。このとき除去される珪素化合物被膜の厚みは径方向で１μｍ以上である。さらに、珪素化合物被膜と結晶シリコン粒子406との界面歪みや結晶シリコン粒子406の表面に偏析されたｐ型ドーパントや酸素，炭素や金属等の不純物を除去するために、結晶シリコン粒子406の表面をフッ硝酸等でエッチング除去しても構わない。その際に除去される結晶シリコン粒子406の表面層の厚みは、径方向で100μｍ以下であることが望ましい。

次に、導電性基板407の上に結晶シリコン粒子406を多数個配置する。そして、これを還元雰囲気中にて全体的に加熱して生じた接合層408を介して結晶シリコン粒子406を導電性基板407に接合させる。なお、この接合層408は、例えばアルミニウムとシリコンとの合金である。

このとき、導電性基板407をその表面にアルミニウムを少なくとも含む金属基板にすることにより、低温で結晶シリコン粒子406を接合することができ、軽量かつ低価格の光電変換装置を提供することができる。また、導電性基板407の表面を粗面にすることにより、導電性基板407の表面まで到達する非受光領域の入射光の反射をランダムにすることができ、入射した光を斜めに反射させてモジュール表面へ再反射させることができ、これを結晶シリコン粒子406の光電変換部でさらに光電変換することにより、入射光を有効に利用することができる。

次に、接合された結晶シリコン粒子406の隣接するもの同士の間に介在するように、導電性基板407上に絶縁物質409を、これら結晶シリコン粒子406の上部、少なくとも天頂部を絶縁物質409から露出させて配置する。

ここで、隣接する結晶シリコン粒子406同士の間の絶縁物質409の表面形状を、結晶シリコン粒子406側が高くなっている凹形状をしているものとすることにより、絶縁物質409とこの上を被って付与される光電変換モジュールの封止樹脂との屈折率の差により、光電変換材料としての結晶シリコン粒子406の無い非受光領域における、結晶シリコン粒子406への入射光の乱反射を促進することができる。

次に、これら結晶シリコン粒子406の露出した上部に第２の導電型例えばｎ型の半導体層410および透光性導体層411を設ける。ｎ型の半導体層410は、アモルファスまたは多結晶の半導体層410を成膜することにより、あるいは熱拡散等により半導体層410を形成することにより設けられる。このとき、結晶シリコン粒子406はｐ型であるので、半導体層410であるシリコン層410はｎ型の半導体層410とする。さらに、そのシリコン層410の上に透光性導体層411を形成する。そして、太陽電池として所望の電力を取り出すために所定のパターン形状に銀ペースト等を塗布して、グリッド電極あるいはフィンガー電極およびバスバー電極等の電極412を形成する。このようにして、導電性基板407を一方の電極にし、電極412をもう一方の電極とすることにより、太陽電池としての光電変換装置が得られる。

なお、第２の導電型の半導体層410を形成するには、結晶シリコン粒子406の導電性基板407への接合に先立って、結晶シリコン粒子406の表面に工程コストの低い熱拡散法により形成してもよい。この場合は、例えば、第２の導電型のドーパントとして、Ｖ族のＰ，Ａｓ，Ｓｂや、III族のＢ，Ａｌ，Ｇａ等を用い、石英からなる拡散炉に結晶シリコン粒子406を収容し、ドーパントを導入しながら加熱して結晶シリコン粒子406の表面に第２の導電型の半導体層410を形成する。

以上のような本発明の光電変換装置によれば、２回以上溶融・固化工程を繰り返すことにより、不純物を偏析させる効果を高めることができるので、不純物の少ない高品質化された多数個の結晶シリコン粒子406を量産性よく製造でき、光電変換装置に使用するシリコン材料を効率的に利用できると同時に、高品質な粒状シリコン結晶406であることによって光電変換装置の高効率化および信頼性の向上を図ることができ、高効率で低コストの光電変換装置を提供することができる。

そして、本発明の光発電装置によれば、上記の本発明の光電変換装置を発電手段として用い、この発電手段の発電電力を負荷へ供給するように成したことによって、高効率で信頼性が高い本発明の光電変換装置によって発電能力が向上し、長期間にわたって安定に信頼性を確保することができる。

次に、本発明の結晶半導体粒子の製造方法およびこれによって製造した結晶シリコン粒子を用いた光電変換装置について具体例を作製工程に沿って説明する。

ホウ素濃度が0.6×10^１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３であり、粒径が約400μｍの結晶シリコン粒子101を石英ガラス製の台板102上に一層に多数個載置し、加熱炉であるアルゴン不活性ガス雰囲気で満たされた雰囲気焼成炉の内部に設置した石英ガラス製のベルジャー内に収容して酸素ガスと窒素ガスとの反応ガスをガス供給手段から導入しながら加熱し、シリコンの融点以上の1440℃まで加熱し２分間保持して表面のシリコン酸窒化被膜の内側のシリコンを溶融させた後、降温速度を毎分４℃とし冷却させながら、固化起点（一方の極）103から上方の他方の極に向かって固化させた。その後、さらに1300℃まで降温させてからアルゴン不活性ガスを導入しながら200分間の熱アニール処理を行なった。この熱アニール処理後に室温付近まで降温させた。

次に、この室温付近まで冷却された結晶シリコン粒子101に対して再度同じ工程を行ない、本発明の結晶半導体粒子の製造方法によって結晶シリコン粒子101を作製した。

このとき、結晶シリコン粒子101の表面にシリコンの酸窒化膜を形成する際の加熱炉内の酸素ガスおよび窒素ガスの全ガス流量に対する分圧はそれぞれ20％および80％とし、全ガス流量に対する酸素ガスおよび窒素ガスの流量で調整した。

回収した結晶シリコン粒子101の表面に形成されたシリコンの酸窒化被膜をフッ酸にて除去し、所定の厚さまでフッ硝酸で結晶シリコン粒子101の表面を深さ方向にエッチング除去した。

この結晶シリコン粒子101を石英製ボートに乗せて、900℃に制御された石英管の中に導入し、ＰＯＣｌ_３ガスを窒素でバブリングさせて石英管に送り込み、30分で結晶シリコン粒子101（406）の表面におよそ１μｍの厚さのｎ型の半導体層410を形成し、その後、フッ酸にて表面の酸窒化膜を除去した。

次に、導電性基板407として50ｍｍ×50ｍｍ×厚さ0.3ｍｍのアルミニウム基板を用い、この上面にこの結晶シリコン粒子406を最密充填に配置した後、アルミニウムとシリコンとの共晶温度である577℃を超える600℃で、５％の水素を含む窒素の還元雰囲気炉中で加熱して、多数個の結晶シリコン粒子406の下部を導電性基板407と接合させた。このとき、結晶シリコン粒子406が導電性基板407のアルミニウムと接触している部分ではアルミニウムとシリコンとの共晶から成る接合層408が形成されており、強い接着強度を呈していた。

さらに、この上から結晶シリコン粒子406同士の間にそれらの上部を露出させてポリイミド樹脂から成る絶縁物質409を塗布乾燥し、下部電極となる導電性基板407と、上部電極となる透光性導体層411とを電気的に絶縁分離するようにした。

この上に上部電極膜としての透光性導体層411を、スパッタリング法によって全面に約100ｎｍの厚みで形成した。

最後に、銀ペーストをディスペンサーでグリッド状にパターン形成して、フィンガー電極およびバスバー電極からなる電極412を形成した。なお、この銀ペーストのパターンは、大気中500℃で焼成を行なった。

このとき、まず本発明の実施例１としては、図１に示すように本発明の溶融・固化工程を２回繰り返したもので、温度プロファイルは図３の実線＋点線に示すプロファイルに従った時間・温度とした。すなわち、結晶シリコン粒子101を石英製の台板102上に載置し（図１（ａ））、アルゴン不活性ガス雰囲気の加熱炉に導入しながら加熱し、溶融温度を超える1440℃で２分間保持して溶融させた（図１（ｂ））。次に、毎分４℃の降温速度で固化させ、1300℃まで降温させた（図１（ｃ））後、再度昇温して1440℃で２分間保持して溶融させ（図１（ｄ））、固化させる（図１（ｅ））工程を繰り返した。その後、1300℃まで降温した後、アルゴン雰囲気で200分間の熱アニール処理を行なった。

また、本発明の実施例２としては、以上の実施例１と同様に溶融・固化を２回繰り返した後、引き続いて溶融（1440℃で２分間）・固化工程を繰り返し、熱アニール処理したものとし、溶融・固化工程を３回繰り返したものとした。

さらに、本発明の実施例３としては、石英製の台板102上に載置した結晶シリコン粒子101（図２（ａ））を溶融（1440℃で２分間）（図２（ｂ））・固化（図２（ｃ））し、熱アニール処理工程を行なった後、加熱炉から取り出して、フッ硝酸にて表面101ａを20μｍの厚さでエッチングした（図２（ｄ））。この結晶シリコン粒子101をさらに溶融（図２（ｅ））・固化（図２（ｆ））し、熱アニール処理を繰り返したものとした。

そして、比較例１としては、溶融させる工程→固化させる工程を１回のみ実施したものとした。

このようにして得られた本発明の光電変換装置の実施例１〜３および比較例１について、所定の強度および所定の波長の光を照射して、光電変換装置の電気特性を示す変換効率（単位：％）を測定した。その結果を表１に示す。

表１に示す通り、比較例として作製した、シリコン粒子を加熱して溶融させる工程と、この溶融した半導体粒子を固化させる工程とを１回行なって作製した結晶シリコン粒子で形成された光電変換装置（比較例１）に比較して、本発明の実施例で作製したシリコン粒子を加熱して溶融させる工程と、この溶融した半導体粒子を固化させる工程とを２回以上繰り返すことによって結晶半導体粒子を作製した場合（実施例１（２回）および実施例２（３回））、および固化させる工程の次にこの固化した半導体粒子の表面をエッチングして除去した後、再度溶融させる工程を行なうことによって結晶半導体粒子を作製した場合（実施例３）では、いずれも比較例１に比べて変換効率が高く良好な結果であった。

なお、本発明は以上の実施形態の例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変更を加えることは何ら差し支えない。例えば、半導体粒子を加熱して溶融させるのに加熱炉ではなく、台板の上面に載置した半導体粒子の上部から光エネルギーを照射することで溶融させる方式を用いてもよく、その場合には、雰囲気を真空雰囲気として溶融・固化工程を繰り返すことができるので、雰囲気ガスからの酸素等の結晶半導体粒子の内部への混入を抑制することができるものとなる。

本発明の結晶半導体粒子の製造方法の実施の形態の一例における概略の様子を示す工程毎の断面図である。 本発明の結晶半導体粒子の製造方法の実施の形態の他の例における概略の様子を示す工程毎の断面図である。 本発明の結晶半導体粒子の製造方法における熱処理の温度処理プログラムの例を模式的に示す線図である。 本発明の光電変換装置の実施の形態の一例を示す断面図である。

符号の説明

101・・・半導体粒子（シリコン粒子）、結晶半導体粒子（結晶シリコン粒子）
101ａ・・・表面
102・・・台板
406・・・結晶シリコン粒子
407・・・導電性基板
408・・・接合層
409・・・絶縁物質
410・・・半導体層
411・・・透光性導体層
412・・・電極

Claims (4)

1. 上面に多数個の半導体粒子を載置した台板を加熱炉内に導入し、前記半導体粒子を加熱して溶融させる工程と、この溶融した半導体粒子を前記台板側から上方に向けて固化させる工程とを、２回以上繰り返すことによって結晶半導体粒子とすることを特徴とする結晶半導体粒子の製造方法。
2. 前記固化させる工程の次にこの固化した半導体粒子の表面をエッチングして除去した後、前記溶融させる工程を行なうことを特徴とする請求項１記載の結晶半導体粒子の製造方法。
3. 導電性基板の一主面に、第１の導電型の結晶シリコン粒子が多数個、下部を前記導電性基板に接合され、隣接するもの同士の間に絶縁物質を介在させるとともに上部を前記絶縁物質から露出させて配置されて、これら結晶シリコン粒子に第２の導電型の半導体層および透光性導体層が順次設けられた光電変換装置であって、前記結晶シリコン粒子は、請求項１または請求項２記載の結晶半導体粒子の製造方法によって製造されたものであることを特徴とする光電変換装置。
4. 請求項３記載の光電変換装置を発電手段として用い、該発電手段の発電電力を負荷へ供給するように成した光発電装置。

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