JP2006080312A - Light emitting device and its manufacturing method - Google Patents
Light emitting device and its manufacturing method Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006080312A JP2006080312A JP2004262906A JP2004262906A JP2006080312A JP 2006080312 A JP2006080312 A JP 2006080312A JP 2004262906 A JP2004262906 A JP 2004262906A JP 2004262906 A JP2004262906 A JP 2004262906A JP 2006080312 A JP2006080312 A JP 2006080312A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- emitting device
- sealing member
- light
- glass
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48257—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a die pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
Description
本発明は、発光装置およびその製造方法に関し、特に、封止材に起因する熱膨張および高温度によるダメージの発生を防止し、また、十分な光反射が得られる発光装置およびその製造方法に関する。 The present invention relates to a light-emitting device and a method for manufacturing the same, and more particularly to a light-emitting device that prevents thermal expansion caused by a sealing material and damage due to a high temperature and that provides sufficient light reflection, and a method for manufacturing the same.
従来の発光装置として、封止部材にエポキシ樹脂を充填したものが知られている(例えば、特許文献1参照。)。この発光装置について、図を示して以下に説明する。 As a conventional light emitting device, a sealing member in which an epoxy resin is filled is known (see, for example, Patent Document 1). This light emitting device will be described below with reference to the drawings.
図15は、従来の発光装置を示す断面図である。この発光装置100は、凹部101Aを有した樹脂部101と、樹脂部101にインサート成形されたリード102,103と、凹部101Aの底面に露出するリード102上に、銀(Ag)ペーストなどの接着剤104を介してマウントされた発光素子105と、この発光素子105の2つの電極(図示せず)とリード102,103とを接続する金(Au)などによるボンディングワイヤ106,107と、蛍光体108を含有して凹部101A内に充填された封止体109と、凹部101Aの内面に形成された反射膜110とを備えている。
FIG. 15 is a cross-sectional view showing a conventional light emitting device. The light emitting device 100 includes a resin portion 101 having a recess 101A, leads 102 and 103 insert-molded in the resin portion 101, and a lead 102 exposed on the bottom surface of the recess 101A, such as an adhesive such as silver (Ag) paste. A light emitting element 105 mounted via an agent 104,
リード102,103は、リードフレームから所定部分を切断して形成され、それぞれの一端は近接対向するように配置され、それぞれの他端は互いに反対方向に延在し、樹脂部101から外部へ引き出されている。 The leads 102 and 103 are formed by cutting a predetermined portion from the lead frame, each one end is disposed so as to be close to each other, each other end extends in the opposite direction, and is pulled out from the resin portion 101 to the outside. It is.
凹部101Aは、下側に向って内径が小さくなる傾斜面を有する略楕円形あるいは円形を成している。反射膜110は、アルミニウム等を用いて、凹部101Aの傾斜面の全域に形成されている。
The recess 101A has a substantially elliptical shape or a circular shape having an inclined surface whose inner diameter decreases toward the lower side. The
発光素子105は、例えば、有機金属気相成長法(MOCVD:Metal Organic Chemical Vapor Deposition)や分子線エピタキシャル成長法(MBE:Molecular Beam Exitaxy)等の結晶成長法を用いて、基板上に窒化物半導体からなる発光層を有する積層構造を形成したものである。 The light emitting element 105 is formed from a nitride semiconductor on a substrate using a crystal growth method such as metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) or molecular beam exit growth (MBE). A laminated structure having a light emitting layer is formed.
封止体109は、その材料にシリコーン樹脂を用いている。これにより、発光ピーク波長が400nm未満の短波長光に対しても十分な耐久性を得ることができる。 The sealing body 109 uses a silicone resin as its material. Thereby, sufficient durability can be obtained even for short wavelength light having an emission peak wavelength of less than 400 nm.
蛍光体108は、1種類または数種類を用いることができる。例えば、複数を用いる場合、赤色に発光する蛍光体、緑色に発光する蛍光体、青色に発光する蛍光体の3種の組み合わせがある。蛍光体110によって波長変換が行え、例えば、蛍光体110を赤色蛍光体、緑色蛍光体、および青色蛍光体を含むようにした場合、発光素子105から放出された紫外光などの光が、蛍光体108によって波長変換され、これらによる2次光が発光素子105による1次光に混合され、発光装置100の発光光として取り出される。
One type or several types of phosphors 108 can be used. For example, when a plurality of phosphors are used, there are three combinations of phosphors that emit red light, phosphors that emit green light, and phosphors that emit blue light. Wavelength conversion can be performed by the
上記した発光装置100によれば、封止体109に蛍光体110を含有させたことにより、蛍光体110は発光素子105による1次光を吸収して可視光を放出するので、発光素子105の発光波長が変化しても色調が変化しない発光装置100を得ることができる。
According to the light emitting device 100 described above, since the
また、封止体にエポキシ樹脂を用い、樹脂部に白色樹脂を用い、発光素子からの光を散乱および反射させる構成の発光装置も知られている。
しかし、従来の発光装置によると、封止体109にシリコーン樹脂を用いた場合、耐候性、耐光性、機械的耐久性等には優れるが、熱膨張を生じるために封止時にボンディングワイヤ106,107に変形を生じさせやすい。熱膨張の小さい材料にガラスがあるが、ガラスは粘度が高いため、加工温度を高くせざるをえず、発光素子にダメージを与えるおそれがある。また、封止体109にエポキシ樹脂を用いた場合、発光素子による光や熱で黄色に変化し、発光素子発する光を吸収し、発光装置の発光出力が低下する。
However, according to the conventional light emitting device, when a silicone resin is used for the sealing body 109, it is excellent in weather resistance, light resistance, mechanical durability, etc., but because of thermal expansion, the
更に、凹部101A内の反射膜110は、アルミニウムにした場合には、光を金属吸収するために高い反射効率が得られず、また、銀にした場合には、劣化時に黒化して反射効率を低下させる。
Further, when the
また、樹脂部に白色樹脂を用いた場合、集光性が得られず、十分な光の取り出し効率を得ることができない。 Moreover, when white resin is used for the resin part, light condensing performance cannot be obtained, and sufficient light extraction efficiency cannot be obtained.
従って、本発明の目的は、封止材に起因する熱膨張および高温度によるダメージの発生を防止し、また、十分な光反射が得られる発光装置およびその製造方法を提供することにある。 Accordingly, an object of the present invention is to provide a light emitting device that prevents thermal expansion and damage due to high temperature caused by a sealing material, and provides sufficient light reflection, and a method for manufacturing the same.
本発明は、上記目的を達成するため、発光素子と、前記発光素子をマウントするとともに電力の供給を行う電力供給部と、前記発光素子を封止する無機封止材料とを有し、前記無機封止材料は、前記発光素子の中心軸に対し、側面方向に、外側に向かって広がるテーパ面形状を有することを特徴とする発光装置を提供する。 In order to achieve the above object, the present invention includes a light emitting element, a power supply unit that mounts the light emitting element and supplies power, and an inorganic sealing material that seals the light emitting element. The sealing material has a tapered surface shape that spreads outward in the lateral direction with respect to the central axis of the light emitting element.
また、本発明は、上記目的を達成するため、表面実装型の複数の発光素子を絶縁性の基板上に所定間隔にマウントする第1の工程と、前記複数の発光素子を覆うようにして一様な厚みにガラス封止部材を形成する第2の工程と、前記複数の発光素子のそれぞれの周囲にテーパ面が形成されるように前記基板および前記ガラス封止部材を切断する第3の工程を含むことを特徴とする発光装置の製造方法を提供する。 In order to achieve the above object, the present invention provides a first step of mounting a plurality of surface-mounted light emitting elements on an insulating substrate at predetermined intervals, and covering the plurality of light emitting elements. A second step of forming the glass sealing member in such a thickness, and a third step of cutting the substrate and the glass sealing member so that a tapered surface is formed around each of the plurality of light emitting elements. The manufacturing method of the light-emitting device characterized by including this is provided.
本発明の発光装置によれば、発光素子を無機封止部材によって封止し、その外面にテーパ面を設けたことにより、樹脂材を封止に用いた場合に生じていた熱膨張や高温度によるダメージの発生が防止され、光出力の低下を防止できるとともに、良好な集光特性を得ることができる。 According to the light-emitting device of the present invention, the light-emitting element is sealed with an inorganic sealing member, and the outer surface thereof is provided with a tapered surface. The occurrence of damage due to is prevented, the light output can be prevented from being lowered, and good light collecting characteristics can be obtained.
また、本発明の発光装置の製造方法によれば、ガラス封止部材を形成した後、発光素子のそれぞれの周囲にテーパ面を形成するように基板およびガラス封止部材を切断することにより、量産性および生産性を向上させることができる。また、光反射性材料等を用いることなく光反射性の良好な光反射面を簡単に形成することができる。 Further, according to the method for manufacturing a light emitting device of the present invention, after forming the glass sealing member, the substrate and the glass sealing member are cut so as to form a tapered surface around each of the light emitting elements. And productivity can be improved. In addition, a light reflecting surface with good light reflectivity can be easily formed without using a light reflecting material or the like.
[第1の実施の形態]
(発光装置の構成)
図1は、本発明の第1の実施の形態に係る発光装置の構成を示し、同図中、(a)は平面図、(b)は(a)のA−A線の断面図である。
[First Embodiment]
(Configuration of light emitting device)
1A and 1B show a configuration of a light-emitting device according to a first embodiment of the present invention, in which FIG. 1A is a plan view and FIG. 1B is a cross-sectional view taken along line AA in FIG. .
この発光装置1は、上面パッド11a,11bおよび下面パッド11c,11dが形成されたセラミック(ガラス含有Al2O3)基板11と、このセラミック基板11に形成されるとともにCuによるビアポスト(via post)15が埋め込まれたスルーホール12a,12bと、スルーホール12a,12bに接続された上面パッド11a,11b上にバンプ13a,13bを介してマウントおよび接続された発光素子13と、発光素子13およびセラミック基板11の上面の露出部を覆うようにして逆三角形に封止されたガラス封止部材14とを備える。
The light-emitting
セラミック基板11は、ガラス含有Al2O3の他に、Al2O3、AlN等の材料を用いることができる。
The
スルーホール12aは、上面パッド11aと下面パッド11cを接続するように形成されており、同様に、スルーホール12bは、上面パッド11bと下面パッド11dを接続するように形成されている。
The through
発光素子13は、フリップチップ型であり、マウント面には上面パッド11a,11bに接続される図示せぬ一対の電極が設けられている。
The
ガラス封止部材14は、低融点ガラスとしてのリン酸系ガラス(熱膨張率11.4×10−6/℃、Tg390℃、n=1.59)によって形成されており、その側面には、上方に向って横方向の断面積が大きくなるテーパ面14aが形成されている。これにより、ガラス封止部材14は逆ピラミッド形の外形を成している。この形状は、製造方法において説明するように、ダイシング加工により作製されている。
The
図2〜図7は、本発明の第1の実施の形態に係る発光装置の製造方法の各工程を示す。ここでは、第1の実施の形態の発光装置1の製造方法について説明する。
2-7 shows each process of the manufacturing method of the light-emitting device based on the 1st Embodiment of this invention. Here, a method for manufacturing the
(発光装置1の製造方法)
図2は、製造工程の第1段階におけるウエハー状のセラミック基板の断面図を示す。この工程では、セラミック基板11の上面および下面には、図示せぬ配線パターンが予め形成されている。この配線パターンに接続されるようにして、スルーホール12a,12bを一定間隔に形成する。
(Method for manufacturing light-emitting device 1)
FIG. 2 shows a cross-sectional view of the wafer-like ceramic substrate in the first stage of the manufacturing process. In this step, wiring patterns (not shown) are formed in advance on the upper and lower surfaces of the
図3は、図2に続く工程を示す断面図である。図2で形成したスルーホール12a,12bのそれぞれの内部にビアポスト15の埋め込みを行う。更に、スルーホール12a,12bの上下面に接続させて、配線パターン上に上面パッド11a,11bおよび下面パッド11c,11dを形成する。
FIG. 3 is a cross-sectional view showing a step following FIG. Via
図4は、図3に続く工程を示す断面図である。この工程では、予めバンプ13a,13bを形成済みの発光素子13を用意する。この発光素子13は、バンプ13a,13bの形成面を下にし、更に極性を合わせた状態で、上面パッド11a,11b上にマウントされる。なお、セラミック基板11と発光素子13との間に熱膨張率の小なるフィラーを充填しても良い。
FIG. 4 is a cross-sectional view showing a step following FIG. In this step, the
図5は、図4に続く工程を示す断面図である。この工程では、リン酸系ガラスによるガラス封止部材14を加圧プレスにより熱圧着する。この厚みは、ガラス封止部材14の上面のサイズに対応して決められる。
FIG. 5 is a cross-sectional view showing a step that follows FIG. In this step, the
図6は、図5に続く工程を示す断面図である。この工程では、隣接する発光素子13との中間位置で、逆V字形のテーパブレード20によりセラミック基板11およびガラス封止部材14のダイシングを行う。このテーパブレード20を回転させながら、刃先がガラス封止部材14の上面に達してガラス封止部材14が切断されるまで図6の上方向に移動させる。そして、刃先を90°回転させて先の切断方向と直交する方向にセラミック基板11およびガラス封止部材14のダイシングを行うことにより、ガラス封止部材14の4辺にテーパ面14aが形成される。テーパブレード20によるダイシングが終了すると、発光素子13の相互間が分離され、図7に示すように、同一仕様の複数の発光装置1が完成する。
FIG. 6 is a cross-sectional view showing a step following FIG. In this step, the
(第1の実施の形態の効果)
第1の実施の形態によれば、下記の効果を奏する。
(Effects of the first embodiment)
According to the first embodiment, the following effects are obtained.
(1)低融点ガラスを用い、高粘度状態でホットプレス加工を行うことで、結晶成長温度に対し充分に低い加工が可能になる。 (1) By using a low-melting glass and hot pressing in a high viscosity state, processing sufficiently lower than the crystal growth temperature is possible.
(2)セラミック基板11とガラス封止部材14とが酸化物を介した化学結合に基づいて接着することにより強固な封着強度が得られる。そのため、接合面積が小さい小形パッケージであっても具現化できる。
(2) A strong sealing strength can be obtained by bonding the
(3)封止ガラスとセラミック基板11とは熱膨張率が同等であるため、高温で接着された後、常温あるいは低温状態としても剥離、クラック等の接着不良が生じにくい。しかも、ガラスは引っ張り応力にはクラックが生じないが、圧縮応力にはクラックは生じにくく、封止ガラスはセラミック基板11に対しやや熱膨張率が小さいものとしてある。発明者の確認では、−40℃←→100℃の液相冷熱衝激試験1000サイクルでも剥離、クラックは生じていない。また、5mm×5mmサイズのガラス片のセラミック基板11への接合基礎確認として、ガラス、セラミック基板11とも種々の熱膨張率の組み合わせで実験を行ったところ、熱膨張率が高い方の部材に対する低い方の部材の熱膨張率の比が0.85以上ではクラックを生じることなく接合が行えることを確認した。部材の剛性やサイズ等にも依存するが、熱膨張率が同等というのは、この程度の範囲を示す。
(3) Since the sealing glass and the
(4)フリップチップ接合によりワイヤを不要できるので、高粘度状態での加工に対しても電極の不具合を生じない。封止加工時の低融点ガラスの粘度は108から109ポアズと硬く、熱硬化処理前のエポキシ樹脂が5ポアズ程度の液状であることと比較して物性が大きく異なるため、素子表面の電極とリード等の給電部材とをワイヤで電気的に接続するフェイスアップ型の発光素子を封止する場合、ガラス封止加工時にワイヤの潰れや変形を生じることがあるが、このような問題を生じない。また、素子表面の電極を金(Au)等のバンプを介してリード等の給電部材にフリップチップ接合するフリップチップ型の発光素子13を封止する場合、ガラスの粘度に基づいて発光素子13に給電部材方向への圧力が付加され、そのことによるバンプの潰れやバンプ間での短絡が生じるが、これも防ぐことができる。
(4) Since a wire can be dispensed with by flip-chip bonding, there is no problem with electrodes even when processing in a high viscosity state. Since the viscosity of the low melting point glass at the time of sealing is as hard as 10 8 to 10 9 poise and the physical properties are significantly different from that of the epoxy resin before the thermosetting treatment is about 5 poise, the electrode on the surface of the element When sealing a face-up type light emitting element that electrically connects a power supply member such as a lead with a wire, the wire may be crushed or deformed during the glass sealing process. Absent. Further, when the flip chip type
(5)低融点ガラスとセラミック基板11とを平行にセットし、高粘度状態でホットプレス加工することで、低融点ガラスがセラミック基板11の表面に平行移動して密着し、GaN系発光素子13を封止するためにボイドが生じない。
(5) The low-melting glass and the
(6)セラミック基板11の配線用回路パターン4はビアホール3Aにて裏面に引き出されるため、ガラスが不必要な箇所へ入り込むことや、電気端子が覆われること等への特別な対策をとることなく板状の低融点ガラスを複数デバイスに対して一括封止加工するだけで、ダイサーカットに基づいて複数の発光装置1を容易に量産することができる。なお、低融点ガラスは高粘度状態で加工されるため、樹脂のように充分な対策をとる必要はなくビアホールによらなくても外部端子が裏面に引き出されていれば充分に量産対応可能である。
(6) Since the
(7)GaN系発光素子13をフリップ実装とすることで、ガラス封止を具現化するにあたっての問題点を克服するとともに0.5mm角といった超小型の発光装置1を具現化できるという効果もある。これは、ワイヤのボンディングスペースが不要で、かつ、ガラス封止部材14とセラミック基板11とは同等の熱膨張率部材が選択されるとともに、化学結合に基づく強固な接合によって、わずかなスペースでの接着でも界面剥離が生じないことによる。
(7) The flip-mounting of the GaN-based
(8)無機材料としての低融点ガラスからなるガラス封止部材14で発光素子13を封止することにより、光劣化に対する耐久性と防湿性を付与でき、発光素子13の発光に伴って生じる熱を速やかに外部放散させることができる。特に、GaN系の発光素子13では、発光出力低下要因は、主として封止部の劣化によるものであることから、ガラス封止とすることで極めて出力劣化の小なる発光装置1が得られる。また、ガラス封止材料においては、樹脂封止材料より屈折率の大なるものを選択することも可能となるので、外部放射効率の向上に有効である。
(8) By sealing the
(9)セラミック基板11上の発光素子13を低融点ガラスからなるガラス封止部材14により封止したため、樹脂材を封止に用いた場合に生じていた不具合を解消できるため、光出力の低下を防止することができる。
(9) Since the
(10)ガラス封止部材14の側面にテーパ面14aが設けられていることにより、このテーパ面14aでの全反射に基づいて、ガラス封止部材14から光取り出しを図ることができ、光取り出し効率が向上し、良好な集光特性を得ることができる。
(10) Since the tapered
(11)外枠(図15、凹部101A)が不要となるので、コンパクトなサイズのデバイスとできる。 (11) Since the outer frame (FIG. 15, concave portion 101A) is not required, a device having a compact size can be obtained.
(12)ガラス封止部材14のテーパ面14aの角度は、テーパブレード20の刃先の角度で調整できるため、切断時の角度設定等の面倒な作業が不要となり、光の出射角の変更が容易に行え、客先の要求や製品バリエーションの増加等に対し、容易に対応することができる。
(12) Since the angle of the
(13)1枚のウエハー状のセラミック基板11上に複数の発光素子13を設けた後、全ての発光素子13を覆うようにガラス封止部材14を形成し、テーパブレード20によりテーパ面を有した個々の発光装置1に分離することにより、ガラス封止部材14の全反射に基づく光取り出し構造を有する発光装置1を容易に形成できるとともに、量産性および生産性を向上させることができる。
(13) After providing a plurality of
なお、第1の実施の形態において、低融点ガラスにリン酸系ガラスを用いた発光装置1を説明したが、ガラス封止部材14は他のガラス材料であっても良い。このようなガラス材料として、例えば、珪酸系ガラス(熱膨張率:6.5×10−6/℃、転移点Tg:500℃)がある。この珪酸系ガラスを用いた場合にはAl2O3基板(熱膨張率:7.0×10−6/℃)を用いることが好ましい。
In addition, in 1st Embodiment, although the light-emitting
また、ダイシング時の凹凸が問題になる場合には、ガラス封止部材14と同等の屈折率を有する透明樹脂コートをダイシング面に施すことにより、改善することができる。
Moreover, when the unevenness | corrugation at the time of dicing becomes a problem, it can improve by giving the transparent resin coat which has a refractive index equivalent to the
[第2の実施の形態]
図8は、本発明の第2の実施の形態に係る発光装置の構成を示し、同図中、(a)は平面図、(b)は(a)のB−B線の断面図である。
[Second Embodiment]
FIG. 8 shows a configuration of a light emitting device according to a second embodiment of the present invention, in which (a) is a plan view and (b) is a sectional view taken along line BB in (a). .
(発光装置1の構成)
本実施の形態の発光装置1は、第1の実施の形態において、ガラス封止部材14の周辺を垂直にカットし、ガラス封止部材14の外形を小さくしたものであり、他の構成は第1の実施の形態と同様である。
(Configuration of light-emitting device 1)
The
図9〜図11は、本発明の第2の実施の形態に係る発光装置の製造方法を示す。ここでは、第2の実施の形態の発光装置1を製造する場合について説明する。
9 to 11 show a method for manufacturing a light-emitting device according to the second embodiment of the present invention. Here, the case where the light-emitting
(発光装置1の製造方法)
まず、第1の実施の形態の図2〜図5に示したようにして、ガラス封止部材14を形成するまでの工程を完了させる。次に、図9に示すように、刃幅が広く、かつ所望のテーパ角度に合わせた刃先角度θを有する第1のテーパブレード21を用い、この第1のテーパブレード21を回転させながらガラス封止部材14の所定の高さまで上昇させ、ガラス封止部材14の途中までダイシングし、テーパ面14aを形成する。
(Method for manufacturing light-emitting device 1)
First, as shown in FIGS. 2 to 5 of the first embodiment, the steps until the
次に、図10に示すように、テーパブレードを第1のテーパブレード21よりも刃幅の狭い第2のテーパブレード22に交換する。第2のテーパブレード22の刃幅Wbは、発光装置1が完成後のガラス封止部材14の幅WmになるようなWbに設定する。なお、第2のテーパブレード22の刃先角度は、テーパ面14aとは無関係であるので、任意に設けることができる。
Next, as shown in FIG. 10, the taper blade is replaced with a
この第2のテーパブレード22の中心を第1のテーパブレード21の中心に合致させ、その状態のまま第2のテーパブレード22を回転させながら上昇させ、ガラス封止部材14のダイシングを行う。第2のテーパブレード22の胴部がガラス封止部材14を突き抜けると、図11に示すように、第2の実施の形態に示した図8の発光装置1が完成する。
The center of the
(第2の実施の形態の効果)
第2の実施の形態によれば、テーパ面14aの上部の上部の所定部分がカットされたことにより、第1の実施の形態により得られる効果に加え、発光装置1の小型化が可能となる。
(Effect of the second embodiment)
According to the second embodiment, a predetermined portion of the upper portion of the tapered
なお、第2の実施の形態において、ガラス封止部材14の外面にガラス封止部材14の屈折率よりも低屈折率の透明膜をコートすることができる。これにより、ガラス封止部材14のテーパ面14aに汚れ等が付着しても反射率が低下しないものとすることができ、従って、発光素子13からの光の取り出し効率を安定させることができる。
In the second embodiment, a transparent film having a lower refractive index than the refractive index of the
なお、図4のようにセラミック基板11に発光素子13をマウントする。そして、これらを分離し、ガラスモールド型にセットし、図9のような状態としても良い。つまり、上面平坦面形成用ガラスモールド上金型と、下面テーパ面形成用ガラスモールド下金型によって光学面形成しても良い。そしてこの後、図10に示すように分離することで、同様の形状を得ることができる。
In addition, the
[第3の実施の形態]
図12は、本発明の第3の実施の形態に係る発光装置を示し、同図中、(a)は平面図、(b)は(a)のC−C線の断面図である。
[Third Embodiment]
12A and 12B show a light emitting device according to a third embodiment of the present invention, in which FIG. 12A is a plan view and FIG. 12B is a cross-sectional view taken along line CC in FIG.
(発光装置1の構成)
本実施の形態の発光装置1は、図8に示した第2の実施の形態において、セラミック基板11の側面およびガラス封止部材14の側面を取り囲むように白色の樹脂材による白色樹脂部30を設けたものであり、他の構成は第2の実施の形態と同様である。
(Configuration of light-emitting device 1)
In the
白色樹脂部30は、ガラス封止部材14の屈折率nが1.7とすれば、1.4程度の屈折率の樹脂材を用いる。白色樹脂部30は、少なくともガラス封止部材14の側面に設けられていればよく、また、その厚みは、ガラス封止部材14との境界面で全反射が得られさえすればよく、必要以上の厚みを有する必要はない。
If the refractive index n of the
(第3の実施の形態の効果)
第3の実施の形態によれば、白色樹脂部30を設けたことにより、ガラス封止部材14の側面に反射膜を設けたのと同等の機能を得ることができ、しかも、アルミニウム反射膜のような金属反射吸収や、銀反射膜のような黒化が生じないため、発光装置1の発光出力の低下を防止することができる。その他の効果は、第2の実施の形態と同様である。
(Effect of the third embodiment)
According to the third embodiment, by providing the
なお、第3の実施の形態において、白色樹脂部30に代えて、例えば、ガラス封止部材14の側面に屈折率n=1.4の透明樹脂コートを施し、この透明樹脂コートの表面に屈折率nが1.5の白色樹脂コートを設ける構成にしてもよい。これにより、n=1.4のコートによる全反射効果を一部得ることができるとともに、周囲の塵や埃の影響を受け易い環境で用いた場合でも、特性の変化を生じ難くすることができ、白色樹脂部30の厚さを無視できるものとしてコンパクト化を図ることができる。
In the third embodiment, instead of the
また、白色樹脂コートに限らず、発光波長に対し反射率が高いものであれば、他の色であっても良く、セラミックコートを施しても良い。 In addition to the white resin coat, other colors may be used as long as the reflectance is high with respect to the emission wavelength, and a ceramic coat may be applied.
[第4の実施の形態]
図13は、本発明の第4の実施の形態に係る発光装置を示し、同図中、(a)は平面図、(b)は(a)のD−D線の断面図である。
[Fourth Embodiment]
13A and 13B show a light emitting device according to a fourth embodiment of the present invention, in which FIG. 13A is a plan view and FIG. 13B is a sectional view taken along line DD in FIG.
(発光装置1の構成)
本実施の形態の発光装置1は、図12に示した第3の実施の形態において、ガラス封止部材14の上面に透明なガラスまたは樹脂に蛍光体31を含有させた板材32を設けたものであり、その他の構成は第3の実施の形態と同様である。
(Configuration of light-emitting device 1)
In the
蛍光体31は、YAG蛍光体、珪酸塩蛍光体、或いは、これらを所定の割合で混合したもの等を用いることができる。 As the phosphor 31, a YAG phosphor, a silicate phosphor, or a mixture of these at a predetermined ratio can be used.
(第4の実施の形態の効果)
第4の実施の形態によれば、蛍光体31を含有した板材32をガラス封止部材14の上面に設けたことにより、発光素子13からの光に対する波長変換が可能になるため、自由度の高いスペクトル特性を得ることができる。その他の効果は、第3の実施の形態と同様である。
(Effect of the fourth embodiment)
According to the fourth embodiment, since the
なお、第4の実施の形態において、蛍光体31を含有する板材32に代えて、或いは板材32に重ねて紫外線をカットするフィルタを用いてもよい。また、板材32を設けず、ガラス封止部材14に蛍光体を含有させた構成であってもよい。
In the fourth embodiment, a filter that cuts ultraviolet rays may be used instead of the
[第5の実施の形態]
図14は、本発明の第5の実施の形態に係る発光装置を示し、同図中、(a)は平面図、(b)は(a)のE−E線の断面図である。
[Fifth Embodiment]
14A and 14B show a light emitting device according to a fifth embodiment of the present invention, in which FIG. 14A is a plan view and FIG. 14B is a sectional view taken along line EE of FIG.
(発光装置1の構成)
本実施の形態の発光装置1は、図12に示した第3の実施の形態において、複数の発光素子13A〜13Iをマウントするとともに、これらの接続状況に合わせてパッドの増設および配置の変更を行ってマルチ発光型にしたものである。セラミック基板11は、図示しない層内配線パターンによって複数の発光素子13A〜13Iを電気的に接続している。他の構成は第5の実施の形態と同様である。
(Configuration of light-emitting device 1)
The
発光素子13A〜13Iは、同一色であっても、R(赤),G(緑),B(青)の組み合わせであってもよい。また、ここでは、発光素子を9個としているが、任意の個数にすることができる。また、発光素子13A〜13Iを個々に駆動する構成にすることも、3個の発光素子を直列したものを3つ並列に接続する回路構成や、9個の発光素子を直列接続する回路構成にすることも可能である。 The light emitting elements 13A to 13I may be the same color or a combination of R (red), G (green), and B (blue). Here, although nine light emitting elements are used, any number can be used. In addition, a configuration in which the light emitting elements 13A to 13I are individually driven may be a circuit configuration in which three light emitting elements in series are connected in parallel, or a circuit configuration in which nine light emitting elements are connected in series. It is also possible to do.
(第5の実施の形態の効果)
第5の実施の形態によれば、ガラス封止部材14のサイズを大きくするのみで、任意の数の発光素子をマウントすることができ、容易に発光出力を増大することができるので、発光装置1の大出力化が可能になる。また、発光色の異なる複数の発光素子を組み合わせることにより、容易に混色の発光色や白色光を得ることができる。
(Effect of 5th Embodiment)
According to the fifth embodiment, it is possible to mount an arbitrary number of light emitting elements simply by increasing the size of the
[他の実施の形態]
なお、本発明は、上記各実施の形態に限定されず、その要旨を変更しない範囲内で種々な変形が可能である。例えば、第4の実施の形態以外の実施の形態において、蛍光体31を含有した板材32を設け、或いは、ガラス封止部材14に蛍光体31を含有させることができる。また、第5の実施の形態に示したマルチ発光型の構成は、第1,第2および第4の実施の形態に対しても適用可能である。
[Other embodiments]
The present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications can be made without departing from the scope of the invention. For example, in embodiments other than the fourth embodiment, a
電力供給部を回路パターンが形成されたセラミック基板11として説明したが、金属リードを用いても良い。リードが突出する分コンパクト性が劣るが、樹脂封止と比較して硬質のガラスを用いている分、コンパクトなものとしても、リードの保持に必要な強度を保つことができる。
Although the power supply unit has been described as the
また、LED素子2の封止材料をガラスとして説明したが、用途によってはガラスの一部が結晶化して白濁したものであっても良く、化学的に安定な無機材料で電力受供給部との良好な接合ができるものであれば、ガラス状態の材料に限るものではない。 Moreover, although the sealing material of LED element 2 was demonstrated as glass, depending on a use, a part of glass may crystallize and become cloudy, and it is a chemically stable inorganic material. The material is not limited to a glassy material as long as good bonding can be achieved.
1…発光装置 11…セラミック基板 11a…上面パッド、11b…上面パッド 11c…下面パッド 11d…下面パッド、12a…スルーホール 12b…スルーホール 13…発光素子、13a…バンプ 13b…バンプ 13A〜13I…発光素子、14…ガラス封止部材 14a…テーパ面 15…ビアポスト、20…テーパブレード 21…第1のテーパブレード、22…第2のテーパブレード 30…白色樹脂部 31…蛍光体、32…板材 100…発光装置 101A凹部 101…樹脂部、102…リード 103…リード 104…接着剤 105…発光素子、106…ボンディングワイヤ 107…ボンディングワイヤ、108…蛍光体 109…封止体 110…反射膜 110…蛍光体
DESCRIPTION OF
Claims (14)
前記発光素子をマウントするとともに電力の供給を行う電力供給部と、
前記発光素子を封止する無機封止材料とを有し、
前記無機封止材料は、前記発光素子の中心軸に対し、側面方向に、外側に向かって広がるテーパ面形状を有することを特徴とする発光装置。 A light emitting element;
A power supply unit that mounts the light emitting element and supplies power;
An inorganic sealing material for sealing the light emitting element,
The light-emitting device, wherein the inorganic sealing material has a tapered surface shape that extends outward in a side surface direction with respect to a central axis of the light-emitting element.
前記複数の発光素子を覆うようにして一様な厚みにガラス封止部材を形成する第2の工程と、
前記複数の発光素子のそれぞれの周囲にテーパ面が形成されるように前記基板および前記ガラス封止部材を切断する第3の工程を含むことを特徴とする発光装置の製造方法。 A first step of mounting a plurality of surface-mounted light emitting elements on an insulating substrate at a predetermined interval;
A second step of forming a glass sealing member in a uniform thickness so as to cover the plurality of light emitting elements;
The manufacturing method of the light-emitting device characterized by including the 3rd process of cut | disconnecting the said board | substrate and the said glass sealing member so that a taper surface may be formed in each circumference | surroundings of these light emitting elements.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004262906A JP4590994B2 (en) | 2004-09-09 | 2004-09-09 | Light emitting device and manufacturing method thereof |
US11/220,903 US7842526B2 (en) | 2004-09-09 | 2005-09-08 | Light emitting device and method of producing same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004262906A JP4590994B2 (en) | 2004-09-09 | 2004-09-09 | Light emitting device and manufacturing method thereof |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006080312A true JP2006080312A (en) | 2006-03-23 |
JP2006080312A5 JP2006080312A5 (en) | 2008-08-21 |
JP4590994B2 JP4590994B2 (en) | 2010-12-01 |
Family
ID=36159522
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004262906A Expired - Fee Related JP4590994B2 (en) | 2004-09-09 | 2004-09-09 | Light emitting device and manufacturing method thereof |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4590994B2 (en) |
Cited By (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008277592A (en) * | 2007-04-28 | 2008-11-13 | Nichia Corp | Nitride semiconductor light emitting element, light emitting device having the same and method of manufacturing nitride semiconductor light emitting element |
JP2009130205A (en) * | 2007-11-26 | 2009-06-11 | Toyoda Gosei Co Ltd | Light-emitting device, substrate device, and method of manufacturing light-emitting device |
KR100904178B1 (en) | 2007-07-27 | 2009-06-23 | 삼성전기주식회사 | Illuminator |
JP2009164567A (en) * | 2007-12-13 | 2009-07-23 | Panasonic Electric Works Co Ltd | Light emitting device |
JP2009535798A (en) * | 2006-04-25 | 2009-10-01 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | Embedded LED |
JP2010510659A (en) * | 2006-11-15 | 2010-04-02 | ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア | Light emitting diode with textured phosphor conversion layer |
JP2011222751A (en) * | 2010-04-09 | 2011-11-04 | Nippon Electric Glass Co Ltd | Wavelength conversion member and semiconductor light-emitting element device having and using the wavelength conversion member |
JP2011529628A (en) * | 2008-07-29 | 2011-12-08 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | Optoelectronic semiconductor elements |
JP2012009794A (en) * | 2010-06-28 | 2012-01-12 | Panasonic Corp | Light emitting device, back light unit, liquid crystal display, and illumination device |
JP2012033823A (en) * | 2010-08-02 | 2012-02-16 | Stanley Electric Co Ltd | Light emitting device and method for manufacturing the same |
JP2012069975A (en) * | 2011-11-07 | 2012-04-05 | Kyocera Corp | Light emitting device and lighting system |
KR101299563B1 (en) * | 2012-08-24 | 2013-08-23 | 주식회사 씨티랩 | Method of manufacutruing semiconductor device structure |
JP2013235847A (en) * | 2006-07-10 | 2013-11-21 | Toshiba Lighting & Technology Corp | Illuminating device |
JP2014011415A (en) * | 2012-07-03 | 2014-01-20 | Mitsubishi Electric Corp | Light emitting device, lighting device, and display device |
JP2014082300A (en) * | 2012-10-16 | 2014-05-08 | Erumu:Kk | Light-emitting device |
JP2015138839A (en) * | 2014-01-21 | 2015-07-30 | 豊田合成株式会社 | Light emitting device and manufacturing method of the same |
JP2017050366A (en) * | 2015-08-31 | 2017-03-09 | 日亜化学工業株式会社 | Composite substrate, light emitting device, and manufacturing method for light emitting device |
JP2020053617A (en) * | 2018-09-28 | 2020-04-02 | 日亜化学工業株式会社 | Light-emitting device |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017079311A (en) | 2015-10-22 | 2017-04-27 | 豊田合成株式会社 | Manufacturing method for light-emitting device |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5373888U (en) * | 1976-11-19 | 1978-06-20 | ||
JPH118414A (en) * | 1997-06-18 | 1999-01-12 | Sony Corp | Semiconductor device and semiconductor light-emitting device |
JPH11177129A (en) * | 1997-12-16 | 1999-07-02 | Rohm Co Ltd | Chip type led, led lamp and led display |
JP2002368286A (en) * | 2001-06-11 | 2002-12-20 | Citizen Electronics Co Ltd | Light-emitting diode and method of manufacturing the same |
JP2003101077A (en) * | 2001-09-25 | 2003-04-04 | Pentax Corp | Light-emitting diode |
JP2004207367A (en) * | 2002-12-24 | 2004-07-22 | Toyoda Gosei Co Ltd | Light emitting diode and light emitting diode arrangement plate |
-
2004
- 2004-09-09 JP JP2004262906A patent/JP4590994B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5373888U (en) * | 1976-11-19 | 1978-06-20 | ||
JPH118414A (en) * | 1997-06-18 | 1999-01-12 | Sony Corp | Semiconductor device and semiconductor light-emitting device |
JPH11177129A (en) * | 1997-12-16 | 1999-07-02 | Rohm Co Ltd | Chip type led, led lamp and led display |
JP2002368286A (en) * | 2001-06-11 | 2002-12-20 | Citizen Electronics Co Ltd | Light-emitting diode and method of manufacturing the same |
JP2003101077A (en) * | 2001-09-25 | 2003-04-04 | Pentax Corp | Light-emitting diode |
JP2004207367A (en) * | 2002-12-24 | 2004-07-22 | Toyoda Gosei Co Ltd | Light emitting diode and light emitting diode arrangement plate |
Cited By (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009535798A (en) * | 2006-04-25 | 2009-10-01 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | Embedded LED |
JP2013235847A (en) * | 2006-07-10 | 2013-11-21 | Toshiba Lighting & Technology Corp | Illuminating device |
JP2010510659A (en) * | 2006-11-15 | 2010-04-02 | ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア | Light emitting diode with textured phosphor conversion layer |
JP2008277592A (en) * | 2007-04-28 | 2008-11-13 | Nichia Corp | Nitride semiconductor light emitting element, light emitting device having the same and method of manufacturing nitride semiconductor light emitting element |
KR100904178B1 (en) | 2007-07-27 | 2009-06-23 | 삼성전기주식회사 | Illuminator |
JP2009130205A (en) * | 2007-11-26 | 2009-06-11 | Toyoda Gosei Co Ltd | Light-emitting device, substrate device, and method of manufacturing light-emitting device |
JP2009164567A (en) * | 2007-12-13 | 2009-07-23 | Panasonic Electric Works Co Ltd | Light emitting device |
US9831394B2 (en) | 2008-07-29 | 2017-11-28 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic semiconductor component |
US9099622B2 (en) | 2008-07-29 | 2015-08-04 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic semiconductor component |
US10580941B2 (en) | 2008-07-29 | 2020-03-03 | Osram Oled Gmbh | Optoelectronic semiconductor component |
JP2011529628A (en) * | 2008-07-29 | 2011-12-08 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | Optoelectronic semiconductor elements |
JP2011222751A (en) * | 2010-04-09 | 2011-11-04 | Nippon Electric Glass Co Ltd | Wavelength conversion member and semiconductor light-emitting element device having and using the wavelength conversion member |
JP2012009794A (en) * | 2010-06-28 | 2012-01-12 | Panasonic Corp | Light emitting device, back light unit, liquid crystal display, and illumination device |
JP2012033823A (en) * | 2010-08-02 | 2012-02-16 | Stanley Electric Co Ltd | Light emitting device and method for manufacturing the same |
JP2012069975A (en) * | 2011-11-07 | 2012-04-05 | Kyocera Corp | Light emitting device and lighting system |
JP2014011415A (en) * | 2012-07-03 | 2014-01-20 | Mitsubishi Electric Corp | Light emitting device, lighting device, and display device |
KR101299563B1 (en) * | 2012-08-24 | 2013-08-23 | 주식회사 씨티랩 | Method of manufacutruing semiconductor device structure |
JP2014082300A (en) * | 2012-10-16 | 2014-05-08 | Erumu:Kk | Light-emitting device |
JP2015138839A (en) * | 2014-01-21 | 2015-07-30 | 豊田合成株式会社 | Light emitting device and manufacturing method of the same |
JP2017050366A (en) * | 2015-08-31 | 2017-03-09 | 日亜化学工業株式会社 | Composite substrate, light emitting device, and manufacturing method for light emitting device |
US10566504B2 (en) | 2015-08-31 | 2020-02-18 | Nichia Corporation | Composite board, light-emitting device, and manufacturing method of light-emitting device |
US11011682B2 (en) | 2015-08-31 | 2021-05-18 | Nichia Corporation | Composite board, light-emitting device, and manufacturing method of light-emitting device |
JP2020053617A (en) * | 2018-09-28 | 2020-04-02 | 日亜化学工業株式会社 | Light-emitting device |
JP7054005B2 (en) | 2018-09-28 | 2022-04-13 | 日亜化学工業株式会社 | Light emitting device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4590994B2 (en) | 2010-12-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4590994B2 (en) | Light emitting device and manufacturing method thereof | |
EP2596948B1 (en) | Method of making a semiconductor device | |
US7842526B2 (en) | Light emitting device and method of producing same | |
US8294160B2 (en) | Light emitting device including a sealing portion, and method of making the same | |
JP4961887B2 (en) | Solid state device | |
JP4529319B2 (en) | Semiconductor chip and manufacturing method thereof | |
US8490431B2 (en) | Optical device and method for making the same | |
JP4492378B2 (en) | Light emitting device and manufacturing method thereof | |
CN100511732C (en) | Light emitting device | |
TWI479677B (en) | Light emitting diode package structure | |
US10461227B2 (en) | Method for manufacturing light emitting device, and light emitting device | |
WO2013137356A1 (en) | Semiconductor light emitting device and method for manufacturing same | |
TWI720972B (en) | Chip package structure and method of manufacturing the same | |
US20030010986A1 (en) | Light emitting semiconductor device with a surface-mounted and flip-chip package structure | |
US20090050926A1 (en) | Light emitting device | |
US20080284310A1 (en) | Light emitting device, light source and method of making the device | |
WO2013168802A1 (en) | Led module | |
JP2006108640A (en) | Light emitting device | |
CN103339749A (en) | Wafer-level light emitting diode package and method for manufacturing thereof | |
JP2012069645A (en) | Semiconductor light-emitting device and manufacturing method therefor | |
JP2012079776A (en) | Semiconductor light-emitting device and method of manufacturing the same | |
JP4637160B2 (en) | Method for manufacturing solid element device | |
US20150200336A1 (en) | Wafer level contact pad standoffs with integrated reflector | |
JP5407116B2 (en) | Light emitting device | |
JP2004165308A (en) | Light emitting device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20061122 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080704 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090401 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090414 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20090603 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090615 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090630 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090723 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100817 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100830 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130924 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4590994 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |