JP2012009794A - Light emitting device, back light unit, liquid crystal display, and illumination device - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a light emitting device which can improve a light extraction efficiency and suppresses unevenness of color and unevenness of luminance due to re-excitation.SOLUTION: The light emitting device includes a substrate 10, an LED chip 21 mounted on the substrate 10, a light wavelength converter, a fluorescent substance containing resin 22 covering the LED chip 21, a light guidance member placed in the vicinity of the LED chip 21. The light guidance member is covered with a white resin 30 which does not contain a light wavelength converter.

Description

本発明は、発光装置、バックライトユニット、液晶表示装置及び照明装置に関し、特に、半導体発光素子を用いた発光装置等に関する。   The present invention relates to a light emitting device, a backlight unit, a liquid crystal display device, and an illumination device, and more particularly to a light emitting device using a semiconductor light emitting element.

近年、発光ダイオード(LED:Light Emitting Diode)等の半導体発光素子は、高効率で省スペースな光源として、液晶テレビ等の液晶表示装置におけるバックライト光源、又は、照明装置における照明用光源等として広く利用されている。   2. Description of the Related Art In recent years, semiconductor light emitting devices such as light emitting diodes (LEDs) have been widely used as high-efficiency and space-saving light sources as backlight light sources in liquid crystal display devices such as liquid crystal televisions or illumination light sources in illumination devices. It's being used.

バックライト光源や照明用光源におけるLEDは、発光装置(発光モジュール)として構成されている。この発光装置は、基板上に配置されたLEDが樹脂によって封止されて構成される。例えば、エッジライト型のバックライトユニットでは、複数個のLEDが基板上に一次元的に配列されて構成される発光装置が用いられる。   The LED in the backlight light source or the illumination light source is configured as a light emitting device (light emitting module). This light-emitting device is configured by sealing an LED disposed on a substrate with a resin. For example, in an edge light type backlight unit, a light-emitting device configured by one-dimensionally arranging a plurality of LEDs on a substrate is used.

このような発光装置は白色光源として利用されることが多く、例えば特許文献1には、青色LEDを用いて黄色蛍光体を励起することにより白色光を発光する発光装置が開示されている。   Such a light-emitting device is often used as a white light source. For example, Patent Document 1 discloses a light-emitting device that emits white light by exciting a yellow phosphor using a blue LED.

特開2007−142152号公報JP 2007-142152 A

ところで、近年、基板上にLEDを用いた発光装置を実装し、直管蛍光ランプ、バックライトのような従来の光源に代替するLED光源の開発が検討されている。   By the way, in recent years, development of an LED light source that mounts a light emitting device using an LED on a substrate and substitutes for a conventional light source such as a straight tube fluorescent lamp or a backlight has been studied.

このような光源に搭載する発光装置におけるLEDとしては、表面実装型(SMD:Surface Mount Device)やCOB型(Chip On Borad)等がある。   As an LED in a light emitting device mounted on such a light source, there are a surface mount type (SMD), a COB type (Chip On Board), and the like.

SMD型の発光装置は、樹脂等で成型されたキャビティの中にLEDチップを実装し、当該キャビティ内を蛍光体含有樹脂によって封入したパッケージ型の発光装置である。   The SMD type light emitting device is a package type light emitting device in which an LED chip is mounted in a cavity formed of resin or the like, and the inside of the cavity is sealed with a phosphor-containing resin.

一方、COB型の発光装置は、基板上にLEDそのもの(ベアチップ)を直接実装するものであり、ベアチップと基板上の配線パターンとをワイヤボンディングし、ベアチップを蛍光体含有樹脂によって封止したものである。   On the other hand, a COB type light emitting device is a device in which an LED itself (bare chip) is directly mounted on a substrate, the bare chip and a wiring pattern on the substrate are wire-bonded, and the bare chip is sealed with a phosphor-containing resin. is there.

SMD型と比べてCOB型の発光装置はコスト面および光率に優れることから、COB型の発光装置を採用した代替光源の開発を望む声が高い。   Compared to the SMD type, the COB type light emitting device is superior in cost and light rate, and there is a high demand for the development of an alternative light source employing the COB type light emitting device.

このCOB型の発光装置の一例について、図14A〜14Cを用いて説明する。図14Aは、COB型の発光装置の一例の外観斜視図であり、図14Bは、図14Aに示す発光装置の一例における一部拡大平面図であり、図14Cは、図14BのX−X’線に沿って切断した発光装置の一例における一部拡大断面図である。   An example of this COB type light emitting device will be described with reference to FIGS. 14A is an external perspective view of an example of a COB type light emitting device, FIG. 14B is a partially enlarged plan view of the example of the light emitting device shown in FIG. 14A, and FIG. 14C is an XX ′ line in FIG. 14B. It is a partially expanded sectional view in an example of the light-emitting device cut | disconnected along the line.

図14Aに示すように、発光装置700は、基板710と、基板710上に直線状に設けられた複数の発光部720とを備える。また、図14B及び図14Cに示すように、発光装置700における発光部720は、基板710上に実装された複数のLEDチップ721と、各LEDチップ721を封止するためのドーム状の蛍光体含有樹脂722(蛍光体層)とからなる。さらに、発光装置700は、基板710にパターン形成された金属配線740と、金属配線740とLEDチップ721の電極とを接続するワイヤ760とを備える。   As shown in FIG. 14A, the light emitting device 700 includes a substrate 710 and a plurality of light emitting units 720 provided linearly on the substrate 710. 14B and 14C, the light emitting unit 720 in the light emitting device 700 includes a plurality of LED chips 721 mounted on a substrate 710, and a dome-shaped phosphor for sealing each LED chip 721. Containing resin 722 (phosphor layer). Furthermore, the light emitting device 700 includes a metal wiring 740 patterned on the substrate 710 and a wire 760 that connects the metal wiring 740 and the electrode of the LED chip 721.

蛍光体含有樹脂722には、所定の蛍光体粒子が分散されており、当該蛍光体粒子によってLEDチップ721の発光光が色変換され、発光装置から所望の色の光が放出される。例えば、LEDチップ721として青色光を発光する青色LEDチップを用い、蛍光体粒子として黄色蛍光体粒子を用いることにより、黄色蛍光体粒子は青色LEDチップの青色光によって励起されて黄色光を放出し、当該黄色光と青色LEDチップの青色光とによって白色光が放出される。   Predetermined phosphor particles are dispersed in the phosphor-containing resin 722, and the emitted light of the LED chip 721 is color-converted by the phosphor particles, and light of a desired color is emitted from the light emitting device. For example, by using a blue LED chip that emits blue light as the LED chip 721 and using yellow phosphor particles as the phosphor particles, the yellow phosphor particles are excited by the blue light of the blue LED chip and emit yellow light. The white light is emitted by the yellow light and the blue light of the blue LED chip.

しかしながら、図14A〜図14Cに示す発光装置700では、異なる2つの発光部720において、一方の発光部720から放出した白色光が他方の発光部720に入射する場合がある。この場合、他方の発光部720に入射した一方の発光部720の白色光が、他方の発光部720における蛍光体含有樹脂722の蛍光体粒子によって再び励起してしまう。例えば、蛍光体粒子が黄色蛍光体粒子の場合は、他方の発光部720に入射した白色光は黄色光に再励起してしまう。   However, in the light emitting device 700 illustrated in FIGS. 14A to 14C, white light emitted from one light emitting unit 720 may be incident on the other light emitting unit 720 in two different light emitting units 720. In this case, the white light of one light emitting unit 720 incident on the other light emitting unit 720 is excited again by the phosphor particles of the phosphor-containing resin 722 in the other light emitting unit 720. For example, when the phosphor particles are yellow phosphor particles, white light incident on the other light emitting unit 720 is re-excited to yellow light.

また、一般的にLEDチップ721は静電気に弱いことから、図14Bに示すように、発光装置700の基板710にはツェナーダイオード等の静電保護素子750が実装されている。静電保護素子750は樹脂で封止されており、静電保護素子750を封止するための樹脂としてはLEDチップ721を封止する蛍光体含有樹脂722と同じものが用いられる。この場合、静電保護素子750を封止する蛍光体含有樹脂722にも発光部720からの白色光が入射し、当該入射した白色光が、静電保護素子750における蛍光体含有樹脂722の蛍光体粒子によって再励起されるという問題がある。   Further, since the LED chip 721 is generally vulnerable to static electricity, an electrostatic protection element 750 such as a Zener diode is mounted on the substrate 710 of the light emitting device 700 as shown in FIG. 14B. The electrostatic protection element 750 is sealed with a resin, and the same resin as the phosphor-containing resin 722 that seals the LED chip 721 is used as the resin for sealing the electrostatic protection element 750. In this case, white light from the light emitting unit 720 is also incident on the phosphor-containing resin 722 that seals the electrostatic protection element 750, and the incident white light is the fluorescence of the phosphor-containing resin 722 in the electrostatic protection element 750. There is a problem of being re-excited by body particles.

このように発光装置700内において再励起が生じると、発光装置700から前面(光取り出し面)に放射される光量が減損し、光取り出し効率が低下してしまうという問題がある。また、再励起が生じると、色度ずれが生じて色ムラや輝度ムラが発生するという問題もある。   When reexcitation occurs in the light emitting device 700 as described above, there is a problem in that the amount of light emitted from the light emitting device 700 to the front surface (light extraction surface) is reduced and the light extraction efficiency is reduced. Further, when re-excitation occurs, there is a problem that chromaticity shift occurs and color unevenness and brightness unevenness occur.

さらに、静電保護素子750はシリコン等で構成されているので、光吸収率が比較的高く、発光部720からの光に対する反射率が低い。また、発光部720から放出した白色光が、LEDチップ721近傍の金属配線740等で光取り出し面以外に反射することもある。さらに、蛍光体含有樹脂722による光損失を低減すべく蛍光体含有樹脂722を縮小化することによってワイヤ760が蛍光体含有樹脂722から露出する場合があるが、この場合、発光部720から放出した白色光が露出するワイヤによって反射してしまう。このような非発光部における光吸収や光反射によっても光損失が生じ、光取り出し効率が低下するという問題がある。   Further, since the electrostatic protection element 750 is made of silicon or the like, the light absorption rate is relatively high, and the reflectance with respect to the light from the light emitting unit 720 is low. In addition, white light emitted from the light emitting unit 720 may be reflected by the metal wiring 740 in the vicinity of the LED chip 721 or the like other than the light extraction surface. Furthermore, there is a case where the wire 760 is exposed from the phosphor-containing resin 722 by reducing the phosphor-containing resin 722 to reduce the light loss due to the phosphor-containing resin 722. In this case, the wire 760 is emitted from the light emitting unit 720. White light is reflected by the exposed wire. There is also a problem that light loss occurs due to light absorption and light reflection in such a non-light emitting portion, and the light extraction efficiency decreases.

本発明は、このような問題を解決するためになされたものであり、光取り出し効率を向上させることができ、また、再励起による色ムラや輝度ムラを抑制することができる発光装置等を提供することを目的とする。   The present invention has been made to solve such problems, and provides a light emitting device that can improve light extraction efficiency and can suppress color unevenness and brightness unevenness due to re-excitation. The purpose is to do.

上記課題を解決するために、本発明に係る発光装置の一態様は、基板と、前記基板に実装された半導体発光素子と、光波長変換体を含み、前記半導体発光素子を被覆する第1封止部材と、前記半導体発光素子の近傍に配置された光誘導部材とを備え、前記光誘導部材は、光波長変換体を含まない樹脂からなる第2封止部材によって覆われるものである。   In order to solve the above problems, an aspect of the light emitting device according to the present invention includes a substrate, a semiconductor light emitting element mounted on the substrate, a light wavelength converter, and a first envelope that covers the semiconductor light emitting element. A stop member and a light guide member disposed in the vicinity of the semiconductor light emitting element are provided, and the light guide member is covered with a second sealing member made of a resin not including a light wavelength converter.

このように、半導体発光素子近傍の光誘導部材が光波長変換体を含まない第2封止部材によって覆われているので、光誘導部材による半導体発光素子の発光の光損失等を抑制することができる。   As described above, since the light guiding member in the vicinity of the semiconductor light emitting element is covered with the second sealing member that does not include the light wavelength conversion body, it is possible to suppress light loss of light emission of the semiconductor light emitting element by the light guiding member. it can.

さらに、本発明に係る発光装置の一態様において、前記半導体発光素子は、直線状に複数個実装されており、前記第2封止部材は、少なくとも隣り合う前記半導体発光素子の間に形成されることが好ましい。   Furthermore, in one aspect of the light emitting device according to the present invention, a plurality of the semiconductor light emitting elements are mounted in a straight line, and the second sealing member is formed at least between the adjacent semiconductor light emitting elements. It is preferable.

このように、隣り合う半導体発光素子の間に光波長変換体を含まない第2封止部材が形成されているので、隣り合う発光部において、一方の発光部の光が他方の発光部に入射することによって生じる再励起の発生を抑制することができる。これにより、再励起による光損失を低減することができるので、光取り出し効率を向上させることができるとともに、色度ずれを抑制することができるので、色ムラや輝度ムラの発生を低減することができる。   Thus, since the 2nd sealing member which does not contain an optical wavelength converter between the adjacent semiconductor light emitting elements is formed, the light of one light emission part injects into the other light emission part in an adjacent light emission part It is possible to suppress the occurrence of re-excitation caused by this. As a result, light loss due to re-excitation can be reduced, so that light extraction efficiency can be improved and chromaticity deviation can be suppressed, so that occurrence of color unevenness and brightness unevenness can be reduced. it can.

さらに、本発明に係る発光装置の一態様において、前記光誘導部材は、前記基板上に形成された金属配線である、又は、前記半導体発光素子と前記金属配線とを接続するワイヤであることが好ましい。   Furthermore, in one aspect of the light emitting device according to the present invention, the light guiding member is a metal wiring formed on the substrate, or a wire connecting the semiconductor light emitting element and the metal wiring. preferable.

これにより、金属配線やワイヤの反射による光損失を低減することができる。
さらに、本発明に係る発光装置の一態様において、前記第2封止部材は、白色粒子を含有する白色樹脂であることが好ましい。
Thereby, the optical loss by reflection of a metal wiring or a wire can be reduced.
Furthermore, in one embodiment of the light emitting device according to the present invention, it is preferable that the second sealing member is a white resin containing white particles.

これにより、第2封止部材が反射機能を有するので、第2封止部材によって半導体発光素子からの光を反射させることができる。従って、隣り合う発光部において、一方の発光部の光が他方の発光部に入射することによって生じる再励起の発生を抑制することができる。   Thereby, since the 2nd sealing member has a reflective function, the light from a semiconductor light emitting element can be reflected by the 2nd sealing member. Therefore, in the adjacent light emitting units, it is possible to suppress the occurrence of re-excitation caused by the light of one light emitting unit entering the other light emitting unit.

さらに、本発明に係る発光装置の一態様において、前記第2封止部材に、反射部材が形成されることが好ましい。   Furthermore, in one aspect of the light emitting device according to the present invention, it is preferable that a reflective member is formed on the second sealing member.

これにより、第2封止部材に形成された反射部材によって、半導体発光素子からの光を反射させることができる。従って、隣り合う発光部において、一方の発光部の光が他方の発光部に入射することによって生じる再励起の発生を抑制することができる。   Thereby, the light from the semiconductor light emitting element can be reflected by the reflecting member formed on the second sealing member. Therefore, in the adjacent light emitting units, it is possible to suppress the occurrence of re-excitation caused by the light of one light emitting unit entering the other light emitting unit.

さらに、本発明に係る発光装置の一態様において、前記第2封止部材は、透明樹脂からなることが好ましい。   Furthermore, in one aspect of the light emitting device according to the present invention, the second sealing member is preferably made of a transparent resin.

これにより、第2封止部材を透明樹脂で構成することができる。
さらに、本発明に係る発光装置の一態様において、前記第1封止部材が、前記第2封止部材の少なくとも一部を覆うようにして形成されることが好ましい。
Thereby, a 2nd sealing member can be comprised with transparent resin.
Furthermore, in one aspect of the light emitting device according to the present invention, it is preferable that the first sealing member is formed so as to cover at least a part of the second sealing member.

これにより、半導体発光素子からの光を、第1封止部材から出射する前に第2封止部材によって反射させることができる。従って、隣り合う発光部において、一方の発光部の光が他方の発光部に入射することによって生じる再励起の発生を一層抑制することができる。   Thereby, the light from the semiconductor light emitting element can be reflected by the second sealing member before being emitted from the first sealing member. Therefore, in the adjacent light emitting units, it is possible to further suppress the occurrence of re-excitation caused by the light of one light emitting unit entering the other light emitting unit.

さらに、本発明に係る発光装置の一態様において、前記第1封止部材の屈折率をn1とし、前記第2封止部材の屈折率をn2とすると、n1>n2であることが好ましい。   Furthermore, in one embodiment of the light emitting device according to the present invention, it is preferable that n1> n2 where n1 is a refractive index of the first sealing member and n2 is a refractive index of the second sealing member.

これにより、半導体発光素子からの光を、第1封止部材と第2封止部材との界面において全反射させることができる。   Thereby, the light from the semiconductor light emitting element can be totally reflected at the interface between the first sealing member and the second sealing member.

さらに、本発明に係る発光装置の一態様において、前記第1封止部材の下部の幅をW1とし、前記第2封止部材の下部の幅をW2とすると、0.04≦W2/W1≦40であることが好ましい。   Furthermore, in one aspect of the light emitting device according to the present invention, if the width of the lower portion of the first sealing member is W1 and the width of the lower portion of the second sealing member is W2, 0.04 ≦ W2 / W1 ≦ 40 is preferred.

これにより、第2封止部材によって光誘導部材を覆う面積を大きくすることができるので、光誘導部材による半導体発光素子の発光の光損失を一層低減することができる。   Thereby, since the area which covers a light guide member by the 2nd sealing member can be enlarged, the light loss of light emission of the semiconductor light-emitting device by a light guide member can be reduced further.

さらに、本発明に係る発光装置の一態様において、前記光誘導部材は、前記基板に実装された、前記半導体発光素子を静電保護するための静電保護素子であることが好ましい。   Furthermore, in one aspect of the light emitting device according to the present invention, it is preferable that the light guide member is an electrostatic protection element mounted on the substrate for electrostatic protection of the semiconductor light emitting element.

これにより、静電保護素子が光波長変換体を含まない第2封止部材によって覆われているので、静電保護素子による半導体発光素子の発光の光損失を低減することができる。従って、光取り出し効率を向上させることができる。また、静電保護素子を蛍光体含有樹脂で覆った場合は発光部からの光が入射して再励起が生じるが、本態様では静電保護素子を覆う第2封止部材には波長変換体が含まれていないので、このような再励起は生じない。   Thereby, since the electrostatic protection element is covered with the 2nd sealing member which does not contain a light wavelength converter, the light loss of light emission of the semiconductor light emitting element by an electrostatic protection element can be reduced. Therefore, the light extraction efficiency can be improved. In addition, when the electrostatic protection element is covered with the phosphor-containing resin, light from the light emitting portion is incident and re-excitation occurs. In this aspect, the second sealing member that covers the electrostatic protection element has a wavelength converter. Such re-excitation does not occur.

さらに、本発明に係る発光装置の一態様において、前記第2封止部材は、白色粒子を含有する白色樹脂であることが好ましい。   Furthermore, in one embodiment of the light emitting device according to the present invention, it is preferable that the second sealing member is a white resin containing white particles.

これにより、第2封止部材が反射機能を有するので、第2封止部材によって半導体発光素子からの光を反射させることができる。従って、発光部からの光が静電保護素子に入射することを防止することができる。   Thereby, since the 2nd sealing member has a reflective function, the light from a semiconductor light emitting element can be reflected by the 2nd sealing member. Therefore, it is possible to prevent light from the light emitting unit from entering the electrostatic protection element.

さらに、本発明に係る発光装置の一態様において、前記第2封止部材に、反射部材が形成されることが好ましい。   Furthermore, in one aspect of the light emitting device according to the present invention, it is preferable that a reflective member is formed on the second sealing member.

これにより、第2封止部材に形成された反射部材によって、半導体発光素子からの光を反射させることができる。従って、発光部からの光が静電保護素子に入射することを防止することができる。   Thereby, the light from the semiconductor light emitting element can be reflected by the reflecting member formed on the second sealing member. Therefore, it is possible to prevent light from the light emitting unit from entering the electrostatic protection element.

さらに、本発明に係る発光装置の一態様において、前記第2封止部材は、透明樹脂からなることが好ましい。   Furthermore, in one aspect of the light emitting device according to the present invention, the second sealing member is preferably made of a transparent resin.

これにより、第2封止部材を透明樹脂で構成することができる。
さらに、本発明に係る発光装置の一態様において、前記半導体発光素子と前記第2封止部材との距離が、20mm以下であることが好ましい。
Thereby, a 2nd sealing member can be comprised with transparent resin.
Furthermore, in one embodiment of the light emitting device according to the present invention, it is preferable that a distance between the semiconductor light emitting element and the second sealing member is 20 mm or less.

これにより、半導体発光素子の発光の光損失を第2封止部材によって効果的に抑制することができる。   Thereby, the optical loss of light emission of the semiconductor light emitting element can be effectively suppressed by the second sealing member.

さらに、本発明に係る発光装置の一態様において、前記第1封止部材が、ドーム状であることが好ましい。   Furthermore, in one embodiment of the light emitting device according to the present invention, it is preferable that the first sealing member has a dome shape.

これにより、光配向性の高い発光部を構成することができる。
また、本発明に係る発光装置の一態様は、基板と、前記基板に実装された複数の半導体発光素子と、光波長変換体を含み、前記半導体発光素子をドーム状に被覆する第1封止部材と、隣り合う前記半導体発光素子の間に形成され、反射性粒子を含有する樹脂と、を備えるものである。
Thereby, a light emission part with high photo-alignment property can be comprised.
Moreover, one aspect of the light emitting device according to the present invention includes a substrate, a plurality of semiconductor light emitting elements mounted on the substrate, and a light wavelength converter, and a first sealing that covers the semiconductor light emitting element in a dome shape. A member and a resin formed between adjacent semiconductor light emitting elements and containing reflective particles are provided.

これにより、隣り合う半導体発光素子間に反射性粒子を含有する樹脂が形成されているので、基板上の異なる第1封止部材(発光部)において、一方の発光部から放出された光は当該一方の発光部近傍における反射性粒子を含有する樹脂によって反射されるので、当該一方の発光部から放出された光が他方の発光部に入射することを抑制することができる。   Thereby, since the resin containing reflective particles is formed between the adjacent semiconductor light emitting elements, the light emitted from one of the light emitting portions is different in the different first sealing member (light emitting portion) on the substrate. Since it is reflected by the resin containing the reflective particles in the vicinity of one light emitting portion, it is possible to suppress the light emitted from the one light emitting portion from entering the other light emitting portion.

さらに、本発明に係る発光装置の一態様において、前記基板は、長尺状であり、前記基板の長辺の長さをL1とし、前記基板の短辺の長さをL2としたときに、10≦L1/L2であることが好ましい。   Furthermore, in one aspect of the light emitting device according to the present invention, the substrate is elongated, and when the length of the long side of the substrate is L1, and the length of the short side of the substrate is L2, It is preferable that 10 ≦ L1 / L2.

これにより、アスペクト比が大きい長尺状の発光装置とすることができる。
また、本発明に係るバックライトユニットの一態様は、上記本発明に係る発光装置の一態様の少なくともいずれか1つを備えるものである。
Thereby, it can be set as the elongate light-emitting device with a large aspect-ratio.
Moreover, the one aspect | mode of the backlight unit which concerns on this invention is provided with at least any one of the one aspect | mode of the said light-emitting device which concerns on this invention.

また、本発明に係る液晶表示装置の一態様は、上記本発明に係るバックライトの一態様と、前記バックライトユニットから照射される光の光路上に配置された液晶パネルと、を備えるものである。   An aspect of the liquid crystal display device according to the present invention includes the aspect of the backlight according to the present invention and a liquid crystal panel disposed on the optical path of the light emitted from the backlight unit. is there.

また、本発明に係る照明装置の一態様は、上記本発明に係る発光装置の一態様の少なくともいずれか1つを備えるものである。   Moreover, the one aspect | mode of the illuminating device which concerns on this invention is equipped with at least any one of the one aspect | mode of the light-emitting device which concerns on the said invention.

本発明に係る発光装置によれば、光取り出し効率を向上させることができ、また、再励起による色ムラや輝度ムラを抑制することができる。   According to the light emitting device of the present invention, light extraction efficiency can be improved, and color unevenness and luminance unevenness due to re-excitation can be suppressed.

本発明の第1の実施形態に係る発光装置の外観斜視図である。1 is an external perspective view of a light emitting device according to a first embodiment of the present invention. 本発明の第1の実施形態に係る発光装置の平面図である。1 is a plan view of a light emitting device according to a first embodiment of the present invention. 本発明の第1の実施形態に係る発光装置の断面図(図1BのX−X’線断面図)である。It is sectional drawing (X-X 'sectional view taken on the line of FIG. 1B) of the light-emitting device which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1の実施形態に係る発光装置の一部拡大断面図(図1Cの領域Zの拡大図)である。It is a partial expanded sectional view (enlarged view of the area | region Z of FIG. 1C) of the light-emitting device which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1の実施形態に係る発光装置の一部拡大断面図(図1BのY−Y’線断面図)である。FIG. 3 is a partially enlarged cross-sectional view (a cross-sectional view taken along line Y-Y ′ in FIG. 1B) of the light-emitting device according to the first embodiment of the present invention. 本発明の第2の実施形態に係る発光装置の一部拡大断面図である。It is a partial expanded sectional view of the light-emitting device which concerns on the 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第1及び第2の実施形態に係る発光装置並びに比較例1及び比較例2に係る発光装置における色度と光束との関係を示す図である。It is a figure which shows the relationship between the chromaticity and the light beam in the light-emitting device which concerns on the 1st and 2nd embodiment of this invention, and the light-emitting device which concerns on the comparative example 1 and the comparative example 2. FIG. 比較例2に係る発光装置の一部拡大断面図である。6 is a partially enlarged cross-sectional view of a light emitting device according to Comparative Example 2. FIG. 本発明の第3の実施形態に係る発光装置の一部拡大断面図である。It is a partial expanded sectional view of the light-emitting device which concerns on the 3rd Embodiment of this invention. 本発明の第1及び第3の実施形態に係る発光装置並びに比較例1に係る発光装置における色度と光束との関係を示す図である。It is a figure which shows the relationship between the chromaticity in the light-emitting device which concerns on the 1st and 3rd embodiment of this invention, and the light-emitting device which concerns on the comparative example 1, and a light beam. 本発明の第4の実施形態に係るバックライトユニットの分解斜視図である。It is a disassembled perspective view of the backlight unit which concerns on the 4th Embodiment of this invention. 本発明の第5の実施形態に係る液晶表示装置の断面図である。It is sectional drawing of the liquid crystal display device which concerns on the 5th Embodiment of this invention. 本発明の第6の実施形態に係る照明装置の断面図である。It is sectional drawing of the illuminating device which concerns on the 6th Embodiment of this invention. 本発明の変形例1に係る発光装置の発光部周辺における一部拡大断面図である。It is a partially expanded sectional view in the periphery of the light emission part of the light-emitting device which concerns on the modification 1 of this invention. 本発明の変形例1に係る発光装置の静電保護素子周辺における一部拡大断面図である。It is a partially expanded sectional view in the periphery of the electrostatic protection element of the light-emitting device which concerns on the modification 1 of this invention. 本発明の変形例2に係る発光装置の平面図である。It is a top view of the light-emitting device which concerns on the modification 2 of this invention. 本発明の変形例2に係る発光装置の断面図(図11AのX−X’線断面図)である。It is sectional drawing (X-X 'line sectional drawing of FIG. 11A) of the light-emitting device which concerns on the modification 2 of this invention. 本発明の変形例3に係る発光装置の平面図である。It is a top view of the light-emitting device which concerns on the modification 3 of this invention. 本発明の変形例3に係る発光装置の断面図(図12AのX−X’線断面図)である。It is sectional drawing (X-X 'line sectional drawing of FIG. 12A) of the light-emitting device which concerns on the modification 3 of this invention. 本発明の変形例4に係る発光装置の平面図である。It is a top view of the light-emitting device which concerns on the modification 4 of this invention. 本発明の変形例4に係る発光装置の断面図(図13AのX−X’線断面図)である。It is sectional drawing (X-X 'line sectional drawing of FIG. 13A) of the light-emitting device which concerns on the modification 4 of this invention. 発光装置の一例(比較例1)を示す外観斜視図である。It is an external appearance perspective view which shows an example (comparative example 1) of a light-emitting device. 発光装置の一例(比較例1)を示す平面図である。It is a top view which shows an example (comparative example 1) of a light-emitting device. 発光装置の一例(比較例1)を示す断面図(図14BのX−X’線断面図)である。It is sectional drawing (X-X 'line sectional drawing of FIG. 14B) which shows an example (comparative example 1) of a light-emitting device.

以下、本発明の実施形態に係る発光装置、バックライトユニット、液晶表示装置及び照明装置について、図面を参照しながら説明する。但し、本実施形態において例示される構成の寸法、材質、形状、それらの相対配置などは、本発明が適用される装置の構成や各種条件により適宜変更されるものであり、本発明はそれらの例示に限定されるものではない。また、各図において、寸法等は厳密に一致しない。   Hereinafter, a light emitting device, a backlight unit, a liquid crystal display device, and an illumination device according to embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. However, the dimensions, materials, shapes, relative arrangements, and the like of the configurations exemplified in the present embodiment are appropriately changed depending on the configuration of the apparatus to which the present invention is applied and various conditions. It is not limited to the illustration. In each figure, dimensions and the like do not exactly match.

(第1の実施形態)
まず、本発明の第1の実施形態に係る発光装置100について、図1A〜図1Cを参照して説明する。図1Aは、本発明の第1の実施形態に係る発光装置の概観斜視図である。図1Bは、図1Aに示す本発明の第1の実施形態に係る発光装置の平面図である。図1Cは、図1Bに示すX−X’線に沿って切断した本発明の第1の実施形態に係る発光装置の断面図である。
(First embodiment)
First, a light emitting device 100 according to a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1A to 1C. FIG. 1A is a schematic perspective view of a light emitting device according to a first embodiment of the present invention. FIG. 1B is a plan view of the light emitting device according to the first embodiment of the present invention shown in FIG. 1A. FIG. 1C is a cross-sectional view of the light-emitting device according to the first embodiment of the present invention cut along the line XX ′ shown in FIG. 1B.

図1Aに示すように、本発明の第1の実施形態に係る発光装置100は、長尺状の矩形形状である基板10と、当該基板10上に島状に設けられた複数の発光部20とを備える。複数の発光部20は、基板10の長手方向に沿って、一列の直線状(一次元的に)に設けられている。また、隣り合う発光部20の間の非発光部には、白色樹脂30(第2封止部材)が設けられており、基板10の長手方向に沿って発光部20と白色樹脂30とが交互に配列されている。   As shown in FIG. 1A, a light emitting device 100 according to the first embodiment of the present invention includes a long rectangular substrate 10 and a plurality of light emitting units 20 provided on the substrate 10 in an island shape. With. The plurality of light emitting units 20 are provided in a row of straight lines (one-dimensionally) along the longitudinal direction of the substrate 10. Further, a white resin 30 (second sealing member) is provided in a non-light emitting portion between adjacent light emitting portions 20, and the light emitting portions 20 and the white resin 30 are alternately arranged along the longitudinal direction of the substrate 10. Is arranged.

基板10は、その長手方向の長さ(長辺の長さ)をL1とし、短手方向の長さ(短辺の長さ)をL2としたときに、10≦L1/L2≦であって、矩形状の細長い基板である。本実施形態で示す発光装置100は、例えば、基板10の長辺の長さは360mmであって、5mmの間隔で70個程度のLEDチップ21が基板10上に実装されている。ここで、例えば、L1は100mm以上とされ、L2は20mm以下とされる。   When the length in the longitudinal direction (long side length) is L1, and the length in the short side direction (short side length) is L2, the substrate 10 satisfies 10 ≦ L1 / L2 ≦. A rectangular elongated substrate. In the light emitting device 100 shown in the present embodiment, for example, the length of the long side of the substrate 10 is 360 mm, and about 70 LED chips 21 are mounted on the substrate 10 at intervals of 5 mm. Here, for example, L1 is 100 mm or more, and L2 is 20 mm or less.

図1B及び図1Cに示すように、本発明の第1の実施形態に係る発光装置100における発光部20は、基板10の一方の面に直接実装されたLEDチップ21(半導体発光素子)と、LEDチップ21を被覆する蛍光体含有樹脂22(第1封止部材)とからなる。本実施形態において、蛍光体含有樹脂22は、上に凸の略半球状のドーム形状である。従って、ドーム形状の発光部20が基板10上に直線状に配列されている。   As shown in FIGS. 1B and 1C, the light emitting unit 20 in the light emitting device 100 according to the first embodiment of the present invention includes an LED chip 21 (semiconductor light emitting element) directly mounted on one surface of the substrate 10, and It consists of phosphor-containing resin 22 (first sealing member) that covers LED chip 21. In the present embodiment, the phosphor-containing resin 22 has a substantially hemispherical dome shape that is convex upward. Accordingly, the dome-shaped light emitting portions 20 are linearly arranged on the substrate 10.

また、発光装置100における非発光部は、発光部20以外の領域であって、当該非発光部には、金属配線40及び静電保護素子50等が存在する。金属配線40は、基板10上に形成された絶縁膜11上において、複数のLEDチップ21を直列接続できるようにパターン形成された配線パターンである。また、図示しないが、静電保護素子50と複数のLEDチップ21とを並列接続する金属配線も基板10上にパターン形成されている。静電保護素子50は、LEDチップ21を静電保護するために基板10上に1つ又は複数個実装されるものである。静電保護素子50としては、例えば、ツェナーダイオードが用いられる。   Further, the non-light-emitting portion in the light-emitting device 100 is a region other than the light-emitting portion 20, and the metal wiring 40, the electrostatic protection element 50, and the like exist in the non-light-emitting portion. The metal wiring 40 is a wiring pattern formed on the insulating film 11 formed on the substrate 10 so that a plurality of LED chips 21 can be connected in series. Although not shown, a metal wiring for connecting the electrostatic protection element 50 and the plurality of LED chips 21 in parallel is also formed on the substrate 10 in a pattern. One or a plurality of electrostatic protection elements 50 are mounted on the substrate 10 to electrostatically protect the LED chip 21. As the electrostatic protection element 50, for example, a Zener diode is used.

金属配線40とLEDチップ21とはワイヤ60によって電気的に接続されており、これにより、複数のLEDチップ21が直列接続される。本実施形態では、ワイヤ60は蛍光体含有樹脂22の中に埋め込まれているが、光取り出し効率向上のために蛍光体含有樹脂22を縮小化する場合は、ワイヤ60の一部が蛍光体含有樹脂22から露出する場合もある。この場合、露出するワイヤ60の一部は非発光部に存在することになる。   The metal wiring 40 and the LED chip 21 are electrically connected by a wire 60, and thereby the plurality of LED chips 21 are connected in series. In the present embodiment, the wire 60 is embedded in the phosphor-containing resin 22, but when the phosphor-containing resin 22 is reduced in order to improve the light extraction efficiency, a part of the wire 60 contains the phosphor. In some cases, the resin 22 may be exposed. In this case, a part of the exposed wire 60 exists in the non-light emitting portion.

なお、図示しないが、基板10には、金属配線40に電力を供給するための電源端子が設けられており、外部電源から電源端子に電力が供給されることにより、金属配線40及びワイヤ60を介してLEDチップ21に給電される。これにより、LEDチップ21の活性層が発光し、所望の光が放出される。   Although not shown in the figure, the substrate 10 is provided with a power supply terminal for supplying power to the metal wiring 40. When power is supplied from an external power supply to the power supply terminal, the metal wiring 40 and the wire 60 are connected. Power is supplied to the LED chip 21 via the power supply. Thereby, the active layer of the LED chip 21 emits light, and desired light is emitted.

これら非発光部に存在する金属配線40、静電保護素子50又はワイヤ60等は、光誘導部材である。本実施形態において、光誘導部材とは、発光部からの光を、反射させたり光の進行方向を変えたり波長変換したり吸収したりする部材であって、LEDチップ21の近傍における非発光部にも形成されている。ここで、LEDチップ21の近傍とは、LEDチップ21からの距離が、20mm以下の距離の範囲である。   The metal wiring 40, the electrostatic protection element 50, the wire 60, and the like existing in these non-light emitting portions are light guiding members. In the present embodiment, the light guiding member is a member that reflects, changes the traveling direction of light, converts the wavelength, or absorbs light from the light emitting portion, and is a non-light emitting portion in the vicinity of the LED chip 21. Also formed. Here, the vicinity of the LED chip 21 is a distance range in which the distance from the LED chip 21 is 20 mm or less.

上述のとおり、本実施形態では、隣り合う発光部20の間等の非発光部に白色樹脂30が形成されている。また、発光部20の近傍における光誘導部材は、白色樹脂30によって被覆されている。白色樹脂30は、シリコーン樹脂に白色微粒子が含有されたものである。なお、白色樹脂30には、蛍光体含有樹脂22に含有されるような光を励起するための蛍光体微粒子は含まれていない。また、図1B及び図1Cに示すように、白色樹脂30は、基板長手方向の断面形状が上に凸の略半球状であって、基板短手方向に直線状に延びて構成されるシリンドリカル形状である。   As described above, in the present embodiment, the white resin 30 is formed in a non-light emitting portion such as between adjacent light emitting portions 20. The light guiding member in the vicinity of the light emitting unit 20 is covered with the white resin 30. The white resin 30 is a silicone resin containing white fine particles. The white resin 30 does not include phosphor fine particles for exciting light as contained in the phosphor-containing resin 22. As shown in FIGS. 1B and 1C, the white resin 30 has a substantially hemispherical shape in which the cross-sectional shape in the longitudinal direction of the substrate is convex upward and extends linearly in the lateral direction of the substrate. It is.

次に、本実施形態に係る発光装置100について、図2A及び図2Bを用いて、さらに詳述する。図2Aは、図1Cの破線で囲まれる領域Zの拡大図であって、本発明の第1の実施形態に係る発光装置の一部拡大断面図である。また、図2Bは、図1BのY−Y’線に沿って切断した本発明の第1の実施形態に係る発光装置の静電保護素子における一部拡大断面図である。   Next, the light emitting device 100 according to the present embodiment will be described in more detail with reference to FIGS. 2A and 2B. 2A is an enlarged view of a region Z surrounded by a broken line in FIG. 1C, and is a partially enlarged cross-sectional view of the light emitting device according to the first embodiment of the present invention. FIG. 2B is a partially enlarged cross-sectional view of the electrostatic protection element of the light emitting device according to the first embodiment of the present invention cut along the line Y-Y ′ of FIG. 1B.

図2Aに示すように、本実施形態に係る発光装置100は、LEDチップ21(ベアチップ)そのものが直接基板10上に実装されたCOB構造の発光装置である。   As shown in FIG. 2A, the light emitting device 100 according to this embodiment is a light emitting device having a COB structure in which the LED chip 21 (bare chip) itself is directly mounted on the substrate 10.

LEDチップ21は、基板10上であって金属配線40の端部に実装されている。LEDチップ21は、本発明に係る半導体発光素子であって、本実施形態では、単色の可視光を発するベアチップである。LEDチップ21は、金属配線40上に形成されたダイアタッチ材70(ダイボンド材)によってダイボンディングされている。   The LED chip 21 is mounted on the end portion of the metal wiring 40 on the substrate 10. The LED chip 21 is a semiconductor light emitting element according to the present invention, and in this embodiment, is a bare chip that emits monochromatic visible light. The LED chip 21 is die-bonded by a die attach material 70 (die bond material) formed on the metal wiring 40.

本実施形態において、LEDチップ21は、青色光を発光する青色LEDチップが用いられる。青色LEDチップとしては、例えば、InGaN系の材料によって構成された、中心波長が450nm〜470nmの窒化ガリウム系の半導体発光素子を用いることができる。なお、本実施形態におけるLEDチップ21は、全方位、つまり側方、上方及び下方に向けて光を発するチップであり、例えば、側方に全光量の20%、上方に全光量の60%、下方に全光量の20%の光を発する。   In the present embodiment, the LED chip 21 is a blue LED chip that emits blue light. As the blue LED chip, for example, a gallium nitride based semiconductor light emitting element made of an InGaN based material and having a center wavelength of 450 nm to 470 nm can be used. The LED chip 21 in the present embodiment is a chip that emits light in all directions, that is, sideward, upward, and downward. For example, 20% of the total amount of light is emitted laterally, and 60% of the total amount of light is upward. It emits 20% of the total amount of light downward.

また、本実施形態におけるLEDチップ21のp側電極21a及びn側電極21bは、いずれもLEDチップ21の上側に形成されている。p側電極21a及びn側電極21bは、金属配線40とワイヤボンディングによってワイヤ60と電気的に接続されている。ワイヤ60は、例えば、金ワイヤを用いることができる。   Further, the p-side electrode 21 a and the n-side electrode 21 b of the LED chip 21 in this embodiment are both formed on the upper side of the LED chip 21. The p-side electrode 21a and the n-side electrode 21b are electrically connected to the wire 60 by wire bonding with the metal wiring 40. As the wire 60, for example, a gold wire can be used.

蛍光体含有樹脂22は、複数のLEDチップ21のそれぞれに対応して当該LEDチップ21を被覆するようにして形成されるものである。各発光部20における蛍光体含有樹脂22は、対応するLEDチップ21を覆うように基板10上に島状で独立に分離されて形成されている。蛍光体含有樹脂22は、内部に入射した光の波長を変換して外部に出射する波長変換層の一例である。また、波長変換層は、光の波長を変換するための光波長変換体を備えるものであり、本実施形態において、波長変換層である蛍光体含有樹脂22は、光波長変換体として蛍光体を備える。従って、本実施形態における蛍光体含有樹脂22は、LEDチップ21の光を励起する蛍光体微粒子を含む蛍光体層である。本実施形態では、蛍光体微粒子として黄色蛍光体微粒子が用いられており、これをシリコーン樹脂に分散させることによって蛍光体含有樹脂22が構成されている。黄色蛍光体粒子としては、YAG(イットリウム・アルミニウム・ガーネット)系蛍光体材料を用いることができる。   The phosphor-containing resin 22 is formed so as to cover the LED chip 21 corresponding to each of the plurality of LED chips 21. The phosphor-containing resin 22 in each light emitting unit 20 is formed separately on the substrate 10 in an island shape so as to cover the corresponding LED chip 21. The phosphor-containing resin 22 is an example of a wavelength conversion layer that converts the wavelength of light incident on the inside and emits the light to the outside. The wavelength conversion layer includes an optical wavelength converter for converting the wavelength of light. In the present embodiment, the phosphor-containing resin 22 that is the wavelength conversion layer uses a phosphor as the optical wavelength converter. Prepare. Therefore, the phosphor-containing resin 22 in the present embodiment is a phosphor layer containing phosphor fine particles that excite the light of the LED chip 21. In the present embodiment, yellow phosphor fine particles are used as the phosphor fine particles, and the phosphor-containing resin 22 is configured by dispersing this in a silicone resin. As the yellow phosphor particles, YAG (yttrium / aluminum / garnet) phosphor materials can be used.

なお、LEDチップ21を被覆するための封止部材(波長変換層)としては、樹脂に限定されるものではない。例えば、チップ封止用として知られている、ガラスのような透明性部材を用いて封止部材を構成し、当該封止部材によってLEDチップ21を封止しても構わない。   In addition, as a sealing member (wavelength conversion layer) for coat | covering LED chip 21, it is not limited to resin. For example, the sealing member may be configured using a transparent member such as glass, which is known for chip sealing, and the LED chip 21 may be sealed with the sealing member.

また、蛍光体含有樹脂22は、上に凸の略半球状のドーム形状である。このように蛍光体含有樹脂22をドーム形状とすることにより、LEDチップ21から放射する光を規制することがないので、90度という高い光配向性を実現することができる。このように略半球状のドーム形状の場合には、光配向性の向上という観点からは、蛍光体含有樹脂22の最外周における曲率半径R(mm)は、0.2[1/mm]≦1/R≦2.0[1/mm]の関係を満たすことが好ましい。本実施形態において、曲率半径Rは、LEDチップ21が実装される基板10の短手方向の断面で定義される値をいう。ただし、本発明では、蛍光体含有樹脂22の形状は特に限定されず、最外周の形状が放物線状でもよい。なお、SMD型の場合は、蛍光体含有樹脂(蛍光体層)の表面が平面状なので、光配向性はそれほど高くなく、例えば、80度程度である。   The phosphor-containing resin 22 has a substantially hemispherical dome shape that is convex upward. By making the phosphor-containing resin 22 into a dome shape in this way, light emitted from the LED chip 21 is not restricted, and thus a high optical orientation of 90 degrees can be realized. Thus, in the case of a substantially hemispherical dome shape, the radius of curvature R (mm) at the outermost periphery of the phosphor-containing resin 22 is 0.2 [1 / mm] ≦ from the viewpoint of improving the photoalignment property. It is preferable that the relationship 1 / R ≦ 2.0 [1 / mm] is satisfied. In the present embodiment, the curvature radius R refers to a value defined by a cross section in the short direction of the substrate 10 on which the LED chip 21 is mounted. However, in the present invention, the shape of the phosphor-containing resin 22 is not particularly limited, and the outermost shape may be a parabolic shape. In the case of the SMD type, since the surface of the phosphor-containing resin (phosphor layer) is planar, the photo-alignment property is not so high, for example, about 80 degrees.

このように、本実施形態における蛍光体含有樹脂22は、LEDチップ21からの光を波長変換するとともに、LEDチップ21を封止するものである。なお、蛍光体含有樹脂22は、チクソ性の高い材料で構成することが好ましく、これにより、表面張力を利用してポッティングによって容易にドーム形状の蛍光体含有樹脂22を形成することができる。   As described above, the phosphor-containing resin 22 in the present embodiment converts the wavelength of light from the LED chip 21 and seals the LED chip 21. The phosphor-containing resin 22 is preferably made of a highly thixotropic material, whereby the dome-shaped phosphor-containing resin 22 can be easily formed by potting using surface tension.

以上のとおり、本実施形態に係る発光装置100の発光部20は、青色LEDチップからなるLEDチップ21と黄色蛍光体粒子が含有された蛍光体含有樹脂22とからなるので、黄色蛍光体粒子は青色LEDチップの青色光によって励起されて黄色光を放出する。これにより、発光部20からは、励起された黄色光と青色LEDチップの青色光とによって白色光が放出される。   As described above, the light emitting unit 20 of the light emitting device 100 according to the present embodiment includes the LED chip 21 made of a blue LED chip and the phosphor-containing resin 22 containing yellow phosphor particles. It is excited by the blue light of the blue LED chip to emit yellow light. Thereby, white light is emitted from the light emitting unit 20 by the excited yellow light and the blue light of the blue LED chip.

そして、図2Aに示すように、基板10の長手方向における発光部20の両側には、白色樹脂30a、30bが形成されている。本実施形態において、白色樹脂30a、30bは、金属配線40上であってレジスト80の上に形成されている。すなわち、光誘導部材である金属配線40は、白色樹脂30a、30bによって覆われている。   And as shown to FIG. 2A, white resin 30a, 30b is formed in the both sides of the light emission part 20 in the longitudinal direction of the board | substrate 10. As shown in FIG. In the present embodiment, the white resins 30 a and 30 b are formed on the metal wiring 40 and on the resist 80. That is, the metal wiring 40 which is a light guide member is covered with the white resins 30a and 30b.

白色樹脂30a、30bは、白色光を反射する反射性粒子を含有する樹脂からなり、本実施形態では、上述のとおり、シリコーン樹脂等に白色微粒子が含有されたものである。白色微粒子としては、酸化チタン、酸化ジルコニア、酸化アルミニウム又は酸化亜鉛等の酸化金属微粒子を用いることができる。これにより、白色樹脂30a、30bに到達する発光部20からの光は、白色樹脂30a、30bによって反射される。なお、白色樹脂30a、30bは、チクソ性の高い材料で構成することが好ましく、これにより、ポッティングによって容易にドーム形状の白色樹脂30a、30bを形成することができる。   The white resins 30a and 30b are made of a resin containing reflective particles that reflect white light. In the present embodiment, as described above, white fine particles are contained in a silicone resin or the like. As the white fine particles, metal oxide fine particles such as titanium oxide, zirconia oxide, aluminum oxide or zinc oxide can be used. Thereby, the light from the light emitting unit 20 that reaches the white resins 30a and 30b is reflected by the white resins 30a and 30b. The white resins 30a and 30b are preferably made of a highly thixotropic material, whereby the dome-shaped white resins 30a and 30b can be easily formed by potting.

また、本実施形態において、蛍光体含有樹脂22(発光部)の高さをh1とし、白色樹脂30a(30b)の高さをh2とすると、0.05≦h2/h1≦50とすることが好ましい。これにより、LEDチップ21から出射した光が白色樹脂30a、30bによって十分に遮蔽されるため、結果として、LEDチップ21に近接して配置されるワイヤ60などに起因する再励起が抑制される。ただし、h1/h2が0.05未満であって、小さければ小さいほど、白色樹脂30での遮蔽効果が得られなくなり、再励起を抑制することが困難になる。一方、h1/h2の値が50を超えると、白色樹脂30によって発光部20が分離されてしまうので、基板長手方向に配置された線状光源においては、連続的に発光部20が繋がってみえるような発光一様の光源を得ることが難しくなる。   Further, in the present embodiment, if the height of the phosphor-containing resin 22 (light emitting portion) is h1, and the height of the white resin 30a (30b) is h2, 0.05 ≦ h2 / h1 ≦ 50 may be satisfied. preferable. Thereby, since the light radiate | emitted from LED chip 21 is fully shielded by white resin 30a, 30b, the re-excitation resulting from the wire 60 etc. which are arrange | positioned in proximity to LED chip 21 as a result is suppressed. However, as h1 / h2 is less than 0.05 and is smaller, the shielding effect with the white resin 30 cannot be obtained, and it becomes difficult to suppress reexcitation. On the other hand, if the value of h1 / h2 exceeds 50, the light emitting unit 20 is separated by the white resin 30. Therefore, in the linear light source arranged in the longitudinal direction of the substrate, the light emitting unit 20 seems to be continuously connected. It becomes difficult to obtain a light source with uniform light emission.

なお、本実施形態において、基板10としては、アルミニウム基板からなるメタルベース基板を用いた。また、絶縁膜11としては、ポリイミド等の有機材料からなる絶縁膜を用いた。レジスト80は、光を上面(光取り出し面)側に反射するために基板10上に形成されており、白色の樹脂で構成される。金属配線40は、薄膜の銅(Cu)からなり、その表面はメッキ処理が施されている。本実施形態において、金属配線40の表面には、銀(Ag)又は金(Au)からなるメッキ41が被覆されている。   In the present embodiment, a metal base substrate made of an aluminum substrate is used as the substrate 10. As the insulating film 11, an insulating film made of an organic material such as polyimide was used. The resist 80 is formed on the substrate 10 in order to reflect light to the upper surface (light extraction surface) side, and is made of white resin. The metal wiring 40 is made of thin film copper (Cu), and the surface thereof is plated. In the present embodiment, the surface of the metal wiring 40 is covered with a plating 41 made of silver (Ag) or gold (Au).

次に、図2Bに示すように、静電保護素子50は、基板10上の金属配線40上にダイボンディングによって実装されている。静電保護素子50は、白色樹脂51によって覆われている。本実施形態では、静電保護素子50を被覆する白色樹脂51は、発光部20の間に形成される白色樹脂30(30a、30b)と同じものを用いた。これにより、発光部20間の白色樹脂30の形成と静電保護素子50を被覆する白色樹脂51とを同じ製造工程で形成することができる。なお、その他、非発光部に白色樹脂を形成する場合は、これと同じ工程で形成することができる。   Next, as shown in FIG. 2B, the electrostatic protection element 50 is mounted on the metal wiring 40 on the substrate 10 by die bonding. The electrostatic protection element 50 is covered with a white resin 51. In the present embodiment, the white resin 51 that covers the electrostatic protection element 50 is the same as the white resin 30 (30a, 30b) formed between the light emitting units 20. Thereby, formation of the white resin 30 between the light emission parts 20 and the white resin 51 which coat | covers the electrostatic protection element 50 can be formed in the same manufacturing process. In addition, when forming white resin in a non-light-emitting part, it can form in the same process as this.

以上、本発明の第1実施形態に係る発光装置100によれば、隣り合う発光部20の間に白色樹脂30(30a、30b)が形成されている。これにより、基板10上の異なる2つの発光部において、一方の発光部20から放出された白色光は当該一方の発光部20近傍の白色樹脂30によって反射されるので、当該一方の発光部20から放出された白色光が他方の発光部20に入射することを抑制することができる。   As described above, according to the light emitting device 100 according to the first embodiment of the present invention, the white resin 30 (30a, 30b) is formed between the adjacent light emitting units 20. Thereby, in two different light emitting units on the substrate 10, the white light emitted from one light emitting unit 20 is reflected by the white resin 30 in the vicinity of the one light emitting unit 20, and thus from the one light emitting unit 20. It can suppress that the emitted white light injects into the other light emission part 20. FIG.

従って、一方の発光部20の光が他方の発光部20に入射することによって生じる再励起の発生を抑制することができる。この結果、再励起による光損失を低減することができるので、光取り出し効率を向上することができる。さらに、再励起の発生を抑制することにより、色度ずれを抑制することができるので、色ムラや輝度ムラの発生を低減することができる。   Therefore, it is possible to suppress the occurrence of re-excitation caused by the light from one light emitting unit 20 entering the other light emitting unit 20. As a result, light loss due to re-excitation can be reduced, so that light extraction efficiency can be improved. Furthermore, since the chromaticity shift can be suppressed by suppressing the occurrence of re-excitation, the occurrence of color unevenness and brightness unevenness can be reduced.

また、白色樹脂30は、発光部20近傍の金属配線40及び静電保護素子50等の光誘導部材を覆っているので、発光部20から放出された白色光が光誘導部材によって光取り出し面以外に反射したり当該光誘導部材によって吸収されたりすることを抑制することができる。   Further, since the white resin 30 covers the light guide member such as the metal wiring 40 and the electrostatic protection element 50 in the vicinity of the light emitting unit 20, the white light emitted from the light emitting unit 20 is other than the light extraction surface by the light guide member. Or being absorbed by the light guiding member.

従って、光誘導部材による光損失を低減することができるので、光取り出し効率を一層向上することができる。   Therefore, the light loss due to the light guiding member can be reduced, so that the light extraction efficiency can be further improved.

なお、本実施形態において、発光部20と白色樹脂30との距離は、20mm以下とすることが好ましい。これにより、一方の発光部20から他方の発光部20に向かう光を、白色樹脂30によって効率よく反射することができる。従って、他方の発光部20に入射する一方の発光部20の光をさらに抑制することができる。   In the present embodiment, the distance between the light emitting unit 20 and the white resin 30 is preferably 20 mm or less. Thereby, the light traveling from one light emitting unit 20 toward the other light emitting unit 20 can be efficiently reflected by the white resin 30. Therefore, it is possible to further suppress the light of one light emitting unit 20 that is incident on the other light emitting unit 20.

(第2の実施形態)
次に、本発明の第2の実施形態に係る発光装置200について、図3を用いて説明する。図3は、本発明の第2の実施形態に係る発光装置の一部拡大断面図である。
(Second Embodiment)
Next, a light emitting device 200 according to a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 3 is a partially enlarged cross-sectional view of a light emitting device according to the second embodiment of the present invention.

本発明の第2の実施形態に係る発光装置200は、本発明の第1の実施形態に係る発光装置100と基本的な構成は同じであり、図3は、図2Aに対応する。図3において、図2Aに示す構成要素と同じ構成要素については、同じ符号を付しており、その詳しい説明は省略する。   The light emitting device 200 according to the second embodiment of the present invention has the same basic configuration as the light emitting device 100 according to the first embodiment of the present invention, and FIG. 3 corresponds to FIG. 2A. In FIG. 3, the same components as those shown in FIG. 2A are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.

図3に示す本発明の第2の実施形態に係る発光装置200が、図2Aに示す本発明の第1の実施形態に係る発光装置100と異なる点は、白色樹脂と蛍光体含有樹脂の構成である。   The light emitting device 200 according to the second embodiment of the present invention shown in FIG. 3 is different from the light emitting device 100 according to the first embodiment of the present invention shown in FIG. 2A in the configuration of white resin and phosphor-containing resin. It is.

図3に示すように、本発明の第2の実施形態に係る発光装置200における白色樹脂230は、本発明の第1の実施形態に係る発光装置100における白色樹脂30と比べて、LEDチップ21に近付けて形成されており、蛍光体含有樹脂222は、白色樹脂230の一部を被覆するようにして形成されている。このように、本実施形態では、蛍光体含有樹脂222が、白色樹脂230のLEDチップ21側の側面を被覆するように形成されている。   As shown in FIG. 3, the white resin 230 in the light emitting device 200 according to the second embodiment of the present invention is compared with the white resin 30 in the light emitting device 100 according to the first embodiment of the present invention. The phosphor-containing resin 222 is formed so as to cover a part of the white resin 230. Thus, in this embodiment, the phosphor-containing resin 222 is formed so as to cover the side surface of the white resin 230 on the LED chip 21 side.

この構成により、発光部220におけるLEDチップ21から放出される光は、蛍光体含有樹脂222から出射する前に白色樹脂230によって反射される。   With this configuration, the light emitted from the LED chip 21 in the light emitting unit 220 is reflected by the white resin 230 before being emitted from the phosphor-containing resin 222.

なお、蛍光体含有樹脂222と白色樹脂230との境界を構成する曲面は、LEDチップ21からの光を全反射するとともに、その反射光が基板10の上面側(光取り出し面側)に進行するような形状であることが好ましい。また、蛍光体含有樹脂222の屈折率をn1とし、白色樹脂230の屈折率をn2とすると、n1>n2であることが好ましい。これにより、LEDチップ21からの光を、蛍光体含有樹脂222と白色樹脂230との界面において容易に全反射させることができる。なお、屈折率n1は、より大きいことが好ましく、一方、屈折率n2は、より小さいことが好ましい。   The curved surface forming the boundary between the phosphor-containing resin 222 and the white resin 230 totally reflects the light from the LED chip 21 and the reflected light travels to the upper surface side (light extraction surface side) of the substrate 10. Such a shape is preferable. Further, when the refractive index of the phosphor-containing resin 222 is n1, and the refractive index of the white resin 230 is n2, it is preferable that n1> n2. Thereby, the light from the LED chip 21 can be easily totally reflected at the interface between the phosphor-containing resin 222 and the white resin 230. The refractive index n1 is preferably larger, while the refractive index n2 is preferably smaller.

以上、本発明の第2実施形態に係る発光装置200によれば、LEDチップ21からの光を、蛍光体含有樹脂222から出射する前に白色樹脂230によって反射させることができる。これにより、異なる2つの発光部220において、一方の発光部220から放出された白色光が他方の発光部220に入射することをさらに抑制することができるので、第1の実施形態と比べて、再励起の発生を一層抑制することができる。従って、光取り出し効率を一層向上させることができるとともに、色ムラや輝度ムラをさらに抑制することができる。   As described above, according to the light emitting device 200 according to the second embodiment of the present invention, the light from the LED chip 21 can be reflected by the white resin 230 before being emitted from the phosphor-containing resin 222. Thereby, in two different light emitting units 220, it is possible to further suppress the white light emitted from one light emitting unit 220 from entering the other light emitting unit 220, so compared with the first embodiment, The occurrence of reexcitation can be further suppressed. Therefore, the light extraction efficiency can be further improved, and color unevenness and brightness unevenness can be further suppressed.

また、白色樹脂230における蛍光体含有樹脂222との接触面によって、LEDチップ21の光を効率良く反射させることができるので、これによっても光取り出し効率を一層向上させることができる。この点について、図4A及び図4Bを用いて説明する。図4Aは、本発明の第1及び第2の実施形態に係る発光装置並びに比較例1及び比較例2に係る発光装置における色度と光束との関係を示す図である。図4Bは、比較例2に係る発光装置の一部拡大断面図である。   Moreover, since the light of the LED chip 21 can be efficiently reflected by the contact surface of the white resin 230 with the phosphor-containing resin 222, the light extraction efficiency can be further improved. This point will be described with reference to FIGS. 4A and 4B. FIG. 4A is a diagram illustrating a relationship between chromaticity and light flux in the light emitting devices according to the first and second embodiments of the present invention and the light emitting devices according to Comparative Example 1 and Comparative Example 2. 4B is a partially enlarged cross-sectional view of the light emitting device according to Comparative Example 2. FIG.

図4Aにおいて、「◆」は、図14A〜図14Cに示す比較例1に係る発光装置700のデータ(比較例1)を示している。また、「■」は、本発明の第1の実施形態に係る発光装置100のデータ(本発明1)を示している。また、「*」は、図4Bに示す比較例2に係る発光装置800のデータ(比較例2)を示している。また、「●」は、本発明の第2の実施形態に係る発光装置200のデータ(本発明2)を示している。なお、図4Aにおいて、横軸は、色度座標xを表しており、縦軸は、光束(lm)を表している。   In FIG. 4A, “♦” indicates data (Comparative Example 1) of the light emitting device 700 according to Comparative Example 1 shown in FIGS. 14A to 14C. Further, “■” indicates data (present invention 1) of the light emitting device 100 according to the first embodiment of the present invention. Further, “*” indicates data (Comparative Example 2) of the light emitting device 800 according to Comparative Example 2 illustrated in FIG. 4B. Further, “●” indicates data (present invention 2) of the light emitting device 200 according to the second embodiment of the present invention. In FIG. 4A, the horizontal axis represents the chromaticity coordinate x, and the vertical axis represents the luminous flux (lm).

ここで、図4Bに示す比較例2に係る発光装置800は、SMD型の発光装置であって、樹脂成型されたキャビティの中に実装された1つのLEDチップ821と当該キャビティ内に充填された蛍光体含有樹脂822とからなるパッケージ型の発光モジュール830が、金属配線840上の半田801によって基板810上に実装されたものである。   Here, the light emitting device 800 according to Comparative Example 2 shown in FIG. 4B is an SMD type light emitting device, and is filled with one LED chip 821 mounted in a resin-molded cavity and the cavity. A package type light emitting module 830 made of a phosphor-containing resin 822 is mounted on a substrate 810 with solder 801 on a metal wiring 840.

図4Aに示すように、本発明1及び本発明2は、比較例1及び比較例2と比べて光束が向上していることが分かる。このように、本発明の第1及び第2の実施形態に係る発光装置100、200により、光取り出し効率の高い発光装置を実現することができる。   As shown in FIG. 4A, it can be seen that the present invention 1 and the present invention 2 are improved in luminous flux as compared with the first and second comparative examples. As described above, the light emitting devices 100 and 200 according to the first and second embodiments of the present invention can realize a light emitting device with high light extraction efficiency.

(第3の実施形態)
次に、本発明の第3の実施形態に係る発光装置300について、図5を用いて説明する。図5は、本発明の第3の実施形態に係る発光装置の一部拡大断面図である。
(Third embodiment)
Next, a light emitting device 300 according to a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 5 is a partially enlarged cross-sectional view of a light emitting device according to the third embodiment of the present invention.

本発明の第3の実施形態に係る発光装置300は、本発明の第1の実施形態に係る発光装置と基本的な構成は同じであり、図5は、図2Aに対応する。図5において、図2Aに示す構成要素と同じ構成要素については、同じ符号を付しており、その詳しい説明は省略する。   The light emitting device 300 according to the third embodiment of the present invention has the same basic configuration as the light emitting device according to the first embodiment of the present invention, and FIG. 5 corresponds to FIG. 2A. In FIG. 5, the same components as those shown in FIG. 2A are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.

図5に示す本発明の第3の実施形態に係る発光装置300が、図2Aに示す本発明の第1の実施形態に係る発光装置200と異なる点は、白色樹脂の構成である。   The light emitting device 300 according to the third embodiment of the present invention shown in FIG. 5 is different from the light emitting device 200 according to the first embodiment of the present invention shown in FIG. 2A in the configuration of white resin.

図5に示すように、本発明の第3の実施形態に係る発光装置300における白色樹脂330は、本発明の第1の実施形態に係る発光装置100における白色樹脂30と比べて、基板長手方向の長さを長くして幅広形状にしている。   As shown in FIG. 5, the white resin 330 in the light emitting device 300 according to the third embodiment of the present invention is longer than the white resin 30 in the light emitting device 100 according to the first embodiment of the present invention. The length of the is increased to a wide shape.

ここで、蛍光体含有樹脂22の下部における基板長手方向の長さ(幅)をW1(蛍光体含有樹脂の最大幅)とし、白色樹脂330の下部(レジストとの境界部分)における基板長手方向の長さ(幅)をW2(白色樹脂の最大幅)とすると、0.04≦W2/W1≦40としている。   Here, the length (width) in the longitudinal direction of the substrate in the lower part of the phosphor-containing resin 22 is W1 (maximum width of the phosphor-containing resin), and the length in the longitudinal direction of the substrate in the lower part of the white resin 330 (the boundary portion with the resist). When the length (width) is W2 (the maximum width of the white resin), 0.04 ≦ W2 / W1 ≦ 40.

この構成により、白色樹脂によって金属配線40等の光誘導部材が覆われる面積を大きくすることができるので、発光部20から放出された白色光が光誘導部材によって光取り出し面以外に反射したり当該光誘導部材によって吸収されたりすることを抑制することができる。従って、第1の実施形態と比べて、光誘導部材による光損失をさらに低減することができるので、光取り出し効率を一層向上することができる。   With this configuration, since the area where the light guide member such as the metal wiring 40 is covered with the white resin can be increased, the white light emitted from the light emitting unit 20 is reflected by the light guide member other than the light extraction surface. Absorption by the light guide member can be suppressed. Therefore, as compared with the first embodiment, the light loss due to the light guiding member can be further reduced, so that the light extraction efficiency can be further improved.

この点について、図6を用いて説明する。図6は、本発明の第1及び第3の実施形態に係る発光装置並びに比較例1に係る発光装置における色度と光束との関係を示す図である。   This point will be described with reference to FIG. FIG. 6 is a diagram illustrating a relationship between chromaticity and light flux in the light emitting devices according to the first and third embodiments of the present invention and the light emitting device according to Comparative Example 1.

図6において、「◆」は、図14A〜図14Cの比較例1に係る発光装置700のデータ(比較例1)を示している。また、「■」は、本発明の第1の実施形態に係る発光装置100のデータ(本発明1)を示している。また、「▲」は、本発明の第3の実施形態に係る発光装置300のデータ(本発明3)を示している。なお、図6において、横軸は、色度座標xを表しており、縦軸は、光束(lm)を表している。   In FIG. 6, “♦” indicates data (Comparative Example 1) of the light emitting device 700 according to Comparative Example 1 of FIGS. 14A to 14C. Further, “■” indicates data (present invention 1) of the light emitting device 100 according to the first embodiment of the present invention. Further, “▲” indicates data (present invention 3) of the light emitting device 300 according to the third embodiment of the present invention. In FIG. 6, the horizontal axis represents the chromaticity coordinate x, and the vertical axis represents the luminous flux (lm).

図6に示すように、本発明3は、本発明1及び比較例1と比べて光束が向上していることが分かる。このように、本発明の第3の実施形態に係る発光装置300によれば、さらに光取り出し効率の高い発光装置を実現することができる。   As shown in FIG. 6, it can be seen that the light beam of the present invention 3 is improved as compared with the first invention and the first comparative example. Thus, according to the light emitting device 300 according to the third embodiment of the present invention, a light emitting device with higher light extraction efficiency can be realized.

また、図6に示すように、本発明3では、青色化を実現できていることも分かる。これにより、色ムラや輝度ムラのない発光装置を実現することができる。   Further, as shown in FIG. 6, it can be seen that in the third aspect of the present invention, blue can be realized. As a result, a light emitting device free from color unevenness and brightness unevenness can be realized.

(第4の実施形態)
以下、本発明の第1〜第3の実施形態に係る発光装置の適用例について、第4〜第6の実施形態に基づいて説明する。
(Fourth embodiment)
Hereinafter, application examples of the light emitting devices according to the first to third embodiments of the present invention will be described based on the fourth to sixth embodiments.

まず、本発明の第1〜第3の実施形態に係る発光装置を、液晶表示装置用のバックライトユニットに適用した例について、図7を用いて説明する。図7は、本発明の第4の実施形態に係るバックライトユニットの分解斜視図である。   First, an example in which the light emitting device according to the first to third embodiments of the present invention is applied to a backlight unit for a liquid crystal display device will be described with reference to FIG. FIG. 7 is an exploded perspective view of a backlight unit according to the fourth embodiment of the present invention.

図7に示すように、本発明の第4の実施形態に係るバックライトユニット400は、光源を導光板の側方に配置したエッジライト型のバックライトユニットであって、筐体410、反射シート420、導光板430、発光装置440、光学シート群450及び前面枠460を備える。   As shown in FIG. 7, a backlight unit 400 according to the fourth embodiment of the present invention is an edge light type backlight unit in which a light source is arranged on the side of a light guide plate, and includes a housing 410, a reflection sheet. 420, a light guide plate 430, a light emitting device 440, an optical sheet group 450, and a front frame 460.

筐体410は、偏平な箱型であり、ステンレス等からなる鋼板をプレス加工して形成される。筐体410は底面に開口411を有し、筐体410の開口部周縁にはフランジ部412が形成されている。フランジ部412には、前面枠460を締結するためのネジ孔413が形成されている。   The housing 410 has a flat box shape and is formed by pressing a steel plate made of stainless steel or the like. The housing 410 has an opening 411 on the bottom surface, and a flange portion 412 is formed on the periphery of the opening of the housing 410. A screw hole 413 for fastening the front frame 460 is formed in the flange portion 412.

反射シート420は、例えばポリエチレンテレフタレート(PET)からなるシートであり、発光装置からの白色光を反射させながら当該白色光を導光板430内に進行させる。   The reflection sheet 420 is a sheet made of, for example, polyethylene terephthalate (PET), and propagates the white light into the light guide plate 430 while reflecting the white light from the light emitting device.

導光板430は、例えばポリカーボネート(PC)やアクリルからなるシートであり、その光射出面(前面)に対向する反射シート420側の主面(後面)に、導光板430に入射した光を拡散させて光射出面から射出させるための採光要素であるドットパターンが印刷されている。採光要素としては、導光板430の後面に印刷及び成形等によって形成された光散乱構造体等の光散乱要素及びプリズム形状、又は導光板430の内部に形成された光散乱要素等が用いられる。   The light guide plate 430 is a sheet made of, for example, polycarbonate (PC) or acrylic, and diffuses light incident on the light guide plate 430 on the main surface (rear surface) on the reflective sheet 420 side facing the light emission surface (front surface). A dot pattern, which is a daylighting element for emitting light from the light emission surface, is printed. As the daylighting element, a light scattering element such as a light scattering structure formed on the rear surface of the light guide plate 430 by printing, molding, or the like and a prism shape, a light scattering element formed inside the light guide plate 430, or the like is used.

光学シート群450は、同じサイズ及び同じ平面形状(矩形状)の拡散シート451、プリズムシート452及び偏光シート453から構成される。拡散シート451は、例えばPETからなるフィルム及びPCからなるフィルム等である。プリズムシート452は、例えばポリエステルからなるシートであり、片面にアクリル樹脂で規則的なプリズムパターンが形成される。偏光シート453は、例えばポリエチレンナフタレートからなるフィルムが用いられる。   The optical sheet group 450 includes a diffusion sheet 451, a prism sheet 452, and a polarizing sheet 453 having the same size and the same planar shape (rectangular shape). The diffusion sheet 451 is, for example, a film made of PET, a film made of PC, or the like. The prism sheet 452 is a sheet made of polyester, for example, and a regular prism pattern is formed on one side with an acrylic resin. As the polarizing sheet 453, for example, a film made of polyethylene naphthalate is used.

前面枠460は、ネジ461を筐体410のネジ孔413に螺合させることで筐体410のフランジ部412に固定される。前面枠460は、筐体410とともに導光板430及び光学シート群450を狭持する。   Front frame 460 is fixed to flange portion 412 of housing 410 by screwing screw 461 into screw hole 413 of housing 410. The front frame 460 holds the light guide plate 430 and the optical sheet group 450 together with the housing 410.

発光装置440は、上述した本発明の第1〜第3の実施形態に係る発光装置である。本実施形態では、4つの発光装置が用いられ、それぞれヒートシンク470に設けられている。ヒートシンク470に設けられた発光装置440は、光放射面が導光板430の側面に対向するように配置される。   The light emitting device 440 is a light emitting device according to the first to third embodiments of the present invention described above. In the present embodiment, four light emitting devices are used, and each is provided on the heat sink 470. The light emitting device 440 provided in the heat sink 470 is disposed such that the light emission surface faces the side surface of the light guide plate 430.

ヒートシンク470は、発光装置440を保持し、例えばL字状のアルミニウムからなる引き抜き材(アングル材)で構成される。ヒートシンク470は、筐体410にネジ等で固定される。   The heat sink 470 holds the light emitting device 440 and is made of a drawing material (angle material) made of, for example, L-shaped aluminum. The heat sink 470 is fixed to the housing 410 with screws or the like.

以上、本発明の第4の実施形態に係るバックライトユニット400は、本発明の第1〜第3の実施形態に係る発光装置を用いているので、色ムラや輝度ムラがなく、また、光取り出し効率が高いバックライトユニットを実現することができる。   As described above, since the backlight unit 400 according to the fourth embodiment of the present invention uses the light emitting devices according to the first to third embodiments of the present invention, there is no color unevenness and brightness unevenness, and light A backlight unit with high extraction efficiency can be realized.

(第5の実施形態)
次に、本発明の第1〜第3の実施形態に係る発光装置を、液晶表示装置に適用した例について、図8を用いて説明する。図8は、本発明の第5の実施形態に係る液晶表示装置の断面図である。
(Fifth embodiment)
Next, an example in which the light emitting device according to the first to third embodiments of the present invention is applied to a liquid crystal display device will be described with reference to FIG. FIG. 8 is a cross-sectional view of a liquid crystal display device according to the fifth embodiment of the present invention.

図8に示すように、本発明の第5の実施形態に係る液晶表示装置500は、例えば、液晶テレビや液晶モニタであり、液晶表示パネル510と、液晶表示パネル510の背面に配されたバックライトユニット520と、液晶表示パネル510及びバックライトユニット520が収納されるハウジング530とを備えている。   As shown in FIG. 8, a liquid crystal display device 500 according to the fifth embodiment of the present invention is, for example, a liquid crystal television or a liquid crystal monitor, and includes a liquid crystal display panel 510 and a back disposed on the back surface of the liquid crystal display panel 510. The light unit 520 includes a liquid crystal display panel 510 and a housing 530 in which the backlight unit 520 is accommodated.

本実施形態において、バックライトユニット520には、上述の本発明の第4の実施形態に係るバックライトユニットが用いられている。また、バックライトユニット520には、LEDを備える発光装置521が設けられている。発光装置521は、本発明の第1〜第3の実施形態に係る発光装置を用いる。   In the present embodiment, the backlight unit 520 uses the backlight unit according to the above-described fourth embodiment of the present invention. The backlight unit 520 is provided with a light emitting device 521 including an LED. The light emitting device 521 uses the light emitting device according to the first to third embodiments of the present invention.

以上、本発明の第5の実施形態に係る液晶表示装置500は、色ムラや輝度ムラがなく、光取り出し効率が高いバックライトユニット520を用いているので、高いコントラストで高輝度の液晶表示装置を実現することができる。   As described above, the liquid crystal display device 500 according to the fifth embodiment of the present invention uses the backlight unit 520 that has no color unevenness and brightness unevenness and high light extraction efficiency, and thus has a high contrast and high brightness. Can be realized.

(第6の実施形態)
次に、本発明の第1〜第3の実施形態に係る発光装置を、照明装置に適用した例について、図9を用いて説明する。図9は、本発明の第6の実施形態に係る照明装置の断面図である。
(Sixth embodiment)
Next, an example in which the light emitting device according to the first to third embodiments of the present invention is applied to a lighting device will be described with reference to FIG. FIG. 9 is a cross-sectional view of a lighting device according to the sixth embodiment of the present invention.

本発明の第6の実施形態に係る照明装置600は、本発明の第1〜第3の実施形態に係る発光装置を備えるLEDランプであり、図9に示すように、一般照明用の直管状の蛍光灯である。   The illumination device 600 according to the sixth embodiment of the present invention is an LED lamp including the light emitting devices according to the first to third embodiments of the present invention, and as shown in FIG. 9, a straight tube for general illumination. This is a fluorescent lamp.

本実施形態に係る照明装置600は、長尺状のガラス管610と、ガラス管610内に配される発光装置620と、一対の口金ピン630とを有し、ガラス管610の両端に装着された口金640と、発光装置620をガラス管610に接触状態で接合(固着)する接着材(不図示)と、口金640を介して給電を受けて発光装置620のLEDチップ621を発光させる点灯回路(不図示)とを備える。   The lighting device 600 according to the present embodiment includes a long glass tube 610, a light emitting device 620 disposed in the glass tube 610, and a pair of cap pins 630, and is attached to both ends of the glass tube 610. A base 640, an adhesive (not shown) for bonding (fixing) the light emitting device 620 to the glass tube 610 in a contact state, and a lighting circuit that receives power through the base 640 and causes the LED chip 621 of the light emitting device 620 to emit light. (Not shown).

以上、本発明の第6の実施形態に係る照明装置600は、本発明の第1〜第3の実施形態に係る発光装置を用いているので、照度の高い照明装置を実現することができる。   As mentioned above, since the illuminating device 600 which concerns on the 6th Embodiment of this invention uses the light-emitting device which concerns on the 1st-3rd embodiment of this invention, it can implement | achieve an illuminating device with high illumination intensity.

(変形例)
次に、上述した本発明の実施形態に係る発光装置の4つの変形例について、図10A〜図13Bを用いて説明する。
(Modification)
Next, four modifications of the light emitting device according to the embodiment of the present invention described above will be described with reference to FIGS. 10A to 13B.

(変形例1)
まず、本発明の変形例1に係る発光装置100Aについて、図10A及び図10Bを用いて説明する。図10Aは、本発明の変形例1に係る発光装置の発光部周辺における一部拡大断面図である。図10Bは、本発明の変形例1に係る発光装置の静電保護素子周辺における一部拡大断面図である。
(Modification 1)
First, a light emitting device 100A according to Modification 1 of the present invention will be described with reference to FIGS. 10A and 10B. FIG. 10A is a partially enlarged cross-sectional view around a light emitting unit of a light emitting device according to Modification 1 of the present invention. FIG. 10B is a partially enlarged cross-sectional view around the electrostatic protection element of the light-emitting device according to Modification 1 of the present invention.

本発明の変形例1に係る発光装置100Aは、本発明の第1の実施形態に係る発光装置100と基本的な構成は同じであり、図10A及び図10Bは、それぞれ図2A及び図2Bに対応する。図10A及び図10Bにおいて、図2A及び図2Bに示す構成要素と同じ構成要素については、同じ符号を付しており、その詳しい説明は省略する。   The light emitting device 100A according to the first modification of the present invention has the same basic configuration as the light emitting device 100 according to the first embodiment of the present invention, and FIGS. 10A and 10B are shown in FIGS. 2A and 2B, respectively. Correspond. 10A and 10B, the same components as those shown in FIGS. 2A and 2B are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.

図10A及び図10Bに示す本発明の変形例1に係る発光装置100Aが、図2A及び図2Bに示す本発明の第1の実施形態に係る発光装置100と異なる点は、白色樹脂30に関する構成である。   The light emitting device 100A according to the first modification of the present invention shown in FIGS. 10A and 10B is different from the light emitting device 100 according to the first embodiment of the present invention shown in FIGS. It is.

図10Aに示すように、本発明の変形例1に係る発光装置100Aでは、白色樹脂30の表面に反射部材31Aが形成されている。   As shown in FIG. 10A, in the light emitting device 100 </ b> A according to the first modification of the present invention, the reflecting member 31 </ b> A is formed on the surface of the white resin 30.

これにより、白色樹脂30の反射部材31Aによって発光部20からの光を反射させることができる。これにより、隣り合う2つの発光部20において、一方の発光部20から放出された白色光が他方の発光部20に入射することを遮断することができるので、再励起の発生を防止することができる。従って、光取り出し効率を向上させることができるとともに、発光装置の色ムラや輝度ムラを一層抑制することができる。   Thereby, the light from the light emitting unit 20 can be reflected by the reflecting member 31 </ b> A of the white resin 30. Thereby, in two adjacent light emitting units 20, it is possible to block the white light emitted from one light emitting unit 20 from entering the other light emitting unit 20, thereby preventing the occurrence of re-excitation. it can. Therefore, the light extraction efficiency can be improved and color unevenness and brightness unevenness of the light emitting device can be further suppressed.

反射部材31Aとしては、アルミナ、チタニア等のフィラーを含有したシリコーン、芳香族ナイロン系、液晶ポリマー、芳香族ポリアミド、表面にアルマイト処理を施したアルミ材、又は、表面に銀や増反射膜を形成した樹脂もしくは金属材等を用いることができる。   As the reflecting member 31A, silicone containing a filler such as alumina or titania, aromatic nylon, liquid crystal polymer, aromatic polyamide, aluminum material with alumite treatment on the surface, or silver or a highly reflective film is formed on the surface Resin or metal material can be used.

なお、本実施形態では、反射部材31Aによって発光部20からの光を反射することができるので、白色樹脂30に反射機能を持たせる必要はない。従って、白色樹脂30ではなく、白色以外の有色樹脂又は透明樹脂等の様々な樹脂等を用いることができる。   In the present embodiment, since the light from the light emitting unit 20 can be reflected by the reflecting member 31A, the white resin 30 does not need to have a reflecting function. Therefore, various resins such as a colored resin or a transparent resin other than white can be used instead of the white resin 30.

また、図10Bに示すように、本発明の変形例1に係る発光装置100Aでは、静電保護素子50を被覆する白色樹脂51の表面にも反射部材52Aが形成されている。これにより、発光部20からの光は反射部材52Aによって反射されるので、発光部からの光が静電保護素子50に入射して吸収されることがなくなる。従って、静電保護素子50における光の減損を抑制することができるので、光取り出し効率を向上させることができる。   As shown in FIG. 10B, in the light emitting device 100 </ b> A according to the first modification of the present invention, the reflecting member 52 </ b> A is also formed on the surface of the white resin 51 that covers the electrostatic protection element 50. Thereby, since the light from the light emitting unit 20 is reflected by the reflecting member 52A, the light from the light emitting unit is not incident on the electrostatic protection element 50 and absorbed. Therefore, light loss in the electrostatic protection element 50 can be suppressed, and the light extraction efficiency can be improved.

(変形例2)
次に、本発明の変形例2に係る発光装置100Bについて、図11A及び図11Bを用いて説明する。図11Aは、本発明の変形例2に係る発光装置の平面図である。図11Bは、図11AのX−X’線に沿って切断された本発明の変形例2に係る発光装置の断面図である。
(Modification 2)
Next, a light-emitting device 100B according to Modification 2 of the present invention will be described with reference to FIGS. 11A and 11B. FIG. 11A is a plan view of a light-emitting device according to Modification 2 of the present invention. FIG. 11B is a cross-sectional view of the light-emitting device according to Modification 2 of the present invention cut along the line XX ′ in FIG. 11A.

本発明の変形例2に係る発光装置100Bは、本発明の第1の実施形態に係る発光装置100と基本的な構成は同じであり、図11A及び図11Bは、それぞれ図1B及び図1Cに対応する。図11A及び図11Bにおいて、図1B及び図1Cに示す構成要素と同じ構成要素については、同じ符号を付しており、その詳しい説明は省略する。   The light emitting device 100B according to the second modification of the present invention has the same basic configuration as the light emitting device 100 according to the first embodiment of the present invention. FIGS. 11A and 11B are respectively illustrated in FIGS. 1B and 1C. Correspond. 11A and 11B, the same components as those shown in FIGS. 1B and 1C are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.

図11A及び図11Bに示す本発明の変形例2に係る発光装置100Bが、図1B及び図1Cに示す本発明の第1の実施形態に係る発光装置100と異なる点は、白色樹脂の構成である。   The light emitting device 100B according to the second modification of the present invention shown in FIGS. 11A and 11B is different from the light emitting device 100 according to the first embodiment of the present invention shown in FIGS. 1B and 1C in the configuration of white resin. is there.

すなわち、図11A及び図11Bに示すように、本発明の変形例2に係る発光装置100Bでは、白色樹脂30Bが梯子形状に形成されている。すなわち、本実施形態に係る白色樹脂30Bは、長尺状の矩形の外枠部31Bと、当該外枠部31Bの対向長辺の間に形成された複数の仕切り部32Bとで構成されている。仕切り部32Bによって構成される各開口部33Bには、1つの発光部20が配置されている。   That is, as shown in FIGS. 11A and 11B, in the light emitting device 100B according to the second modification of the present invention, the white resin 30B is formed in a ladder shape. That is, the white resin 30B according to the present embodiment includes a long rectangular outer frame portion 31B and a plurality of partition portions 32B formed between opposing long sides of the outer frame portion 31B. . One light emitting unit 20 is disposed in each opening 33B configured by the partition 32B.

なお、本実施形態において、開口部33Bは貫通孔であるが、凹部とすることもできる。   In the present embodiment, the opening 33B is a through hole, but may be a recess.

(変形例3)
次に、本発明の変形例3に係る発光装置100Cについて、図12A及び図12Bを用いて説明する。図12Aは、本発明の変形例3に係る発光装置の平面図である。図12Bは、図12AのX−X’線に沿って切断された本発明の変形例3に係る発光装置の断面図である。
(Modification 3)
Next, a light emitting device 100C according to Modification 3 of the present invention will be described with reference to FIGS. 12A and 12B. FIG. 12A is a plan view of a light-emitting device according to Modification 3 of the present invention. 12B is a cross-sectional view of the light-emitting device according to Modification 3 of the present invention cut along the line XX ′ in FIG. 12A.

本発明の変形例3に係る発光装置100Cは、本発明の変形例2に係る発光装置100Bと基本的な構成は同じであり、図12A及び図12Bは、それぞれ図11A及び図11Bに対応する。図12A及び図12Bにおいて、図11A及び図11Bに示す構成要素と同じ構成要素については、同じ符号を付しており、その詳しい説明は省略する。   The light emitting device 100C according to the third modification of the present invention has the same basic configuration as the light emitting device 100B according to the second modification of the present invention, and FIGS. 12A and 12B correspond to FIGS. 11A and 11B, respectively. . 12A and 12B, the same components as those shown in FIGS. 11A and 11B are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.

図12A及び図12Bに示すように、本発明の変形例3に係る発光装置100Cでは、白色樹脂30Cが櫛形状に形成されている。すなわち、本実施形態に係る白色樹脂30Cは、基板の長手方向に沿って形成された1本の長辺部31Cと、当該長辺部31Cから基板10の短手方向に延びる複数の仕切り部32Cとで構成されている。本変形例の仕切り部32Cは、変形例2の仕切り部32Bと異なり、一方の端部は開放されている。なお、変形例2と同様に、仕切り部32Cによって構成される各開口部33Cには、1つの発光部20が配置される。   As shown in FIGS. 12A and 12B, in the light emitting device 100C according to the third modification of the present invention, the white resin 30C is formed in a comb shape. That is, the white resin 30 </ b> C according to the present embodiment includes one long side portion 31 </ b> C formed along the longitudinal direction of the substrate and a plurality of partition portions 32 </ b> C extending from the long side portion 31 </ b> C in the short direction of the substrate 10. It consists of and. Unlike the partition part 32B of the modification 2, the partition part 32C of this modification is open at one end. As in the second modification, one light emitting unit 20 is disposed in each opening 33C configured by the partition 32C.

(変形例4)
次に、本発明の変形例4に係る発光装置100Dについて、図13A及び図13Bを用いて説明する。図13Aは、本発明の変形例4に係る発光装置の平面図である。図13Bは、図13AのX−X’線に沿って切断された本発明の変形例3に係る発光装置の断面図である。
(Modification 4)
Next, a light emitting device 100D according to Modification 4 of the present invention will be described with reference to FIGS. 13A and 13B. FIG. 13A is a plan view of a light-emitting device according to Modification 4 of the present invention. FIG. 13B is a cross-sectional view of the light-emitting device according to Modification 3 of the present invention cut along the line XX ′ in FIG. 13A.

本発明の変形例4に係る発光装置100Dは、本発明の変形例2に係る発光装置100Aと基本的な構成は同じであり、図13A及び図13Bは、それぞれ図11A及び図11Bに対応する。図13A及び図13Bにおいて、図11A及び図11Bに示す構成要素と同じ構成要素については、同じ符号を付しており、その詳しい説明は省略する。   The light emitting device 100D according to the fourth modification of the present invention has the same basic configuration as the light emitting device 100A according to the second modification of the present invention, and FIGS. 13A and 13B correspond to FIGS. 11A and 11B, respectively. . 13A and 13B, the same components as those shown in FIGS. 11A and 11B are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.

図13A及び図13Bに示すように、本発明の変形例4に係る発光装置100Dでは、白色樹脂30Dが円形環状に形成されており、円形環状の白色樹脂30Dの各開口部33Dにはそれぞれ1つの発光部20が配置される。   As shown in FIGS. 13A and 13B, in the light emitting device 100D according to Modification 4 of the present invention, the white resin 30D is formed in a circular ring shape, and each opening 33D of the circular ring white resin 30D has 1 each. Two light emitting units 20 are arranged.

以上、本発明に係る発光装置、バックライトユニット、液晶表示装置及び照明装置について、実施の形態に基づいて説明したが、本発明は、この実施の形態に限定されるものではない。   As described above, the light emitting device, the backlight unit, the liquid crystal display device, and the lighting device according to the present invention have been described based on the embodiment, but the present invention is not limited to this embodiment.

例えば、上述の実施形態において、光誘導部材を覆う第2封止部材は白色樹脂としたが、これに限らない。第2封止部材として、白色樹脂ではなく、白色以外の有色樹脂又は透明樹脂等の様々な樹脂等を用いることができる。但し、第2封止部材としては反射機能を持たせる方が好ましく、透明樹脂を用いる場合は、透明樹脂内に発光部からの光が入射しないように構成することが好ましい。例えば、透明樹脂の屈折率や形状を調整することによって透明樹脂表面において光を反射させることができる。また、LEDチップからみて第1封止部材の界面が、LEDチップ上面方向に対して開放型であることが好ましい。この構成により、基板水平方向に出射した光を前記界面から効率的に反射させることで、LEDチップから出射される光の向きをLEDチップ上面方向へと変えることができる。そのため、隣接するLEDチップ方向へ出射する光を低減することができ、結果として、再入射をより抑制する効果が得られる。また、透明樹脂を用いる場合は、発光領域を拡大させるために、透明樹脂内に積極的に光を導光させるように構成しても構わない。但し、この場合、透明樹脂内に導光させた光は光取り出し面方向に出射させることが好ましく、透明樹脂から出射した光が光誘導部材や発光部に入射することを防止するように構成する必要がある。   For example, in the above-described embodiment, the second sealing member that covers the light guide member is a white resin, but is not limited thereto. As the second sealing member, various resins such as colored resin or transparent resin other than white resin can be used instead of white resin. However, the second sealing member is preferably provided with a reflecting function, and when a transparent resin is used, it is preferable that the second sealing member is configured so that light from the light emitting portion does not enter the transparent resin. For example, light can be reflected on the surface of the transparent resin by adjusting the refractive index and shape of the transparent resin. Moreover, it is preferable that the interface of a 1st sealing member is an open type with respect to a LED chip upper surface direction seeing from an LED chip. With this configuration, the light emitted in the horizontal direction of the substrate is efficiently reflected from the interface, whereby the direction of the light emitted from the LED chip can be changed to the upper direction of the LED chip. Therefore, the light emitted in the direction of the adjacent LED chip can be reduced, and as a result, the effect of further suppressing re-incident is obtained. Moreover, when using transparent resin, in order to expand a light emission area | region, you may comprise so that light may be actively guided in transparent resin. However, in this case, the light guided into the transparent resin is preferably emitted in the direction of the light extraction surface, and is configured to prevent the light emitted from the transparent resin from entering the light guiding member or the light emitting unit. There is a need.

また、上述の実施形態において、静電保護素子を被覆する材料としては、発光部間に形成する白色樹脂と同じ材料を用いたが、これに限らない。静電保護素子を被覆する材料としては、光波長変換体を含まない透明樹脂を用いても構わない。この場合、透明樹脂によって光を反射させる効果は乏しくなるが、光波長変換体を含んでいないので、入射した白色光が再励起するという問題は生じない。   In the above-described embodiment, the material for covering the electrostatic protection element is the same material as the white resin formed between the light emitting portions, but is not limited thereto. As a material for covering the electrostatic protection element, a transparent resin that does not include a light wavelength converter may be used. In this case, the effect of reflecting the light by the transparent resin is poor, but since the light wavelength converter is not included, there is no problem that the incident white light is re-excited.

また、本実施形態では、光誘導部材を白色樹脂によって覆う場合を中心に説明したが、これに限らない。すなわち、白色樹脂が光誘導部材を覆わないように構成しても構わない。この場合、少なくとも、反射性を有する反射性樹脂が、隣り合う発光部の間に形成されていればよい。これにより、異なる2つの発光部において、一方の発光部から放出された光が当該一方の発光部近傍の反射性樹脂によって反射されるので、当該一方の発光部から放出された光が他方の発光部に入射することを抑制することができる。従って、一方の発光部の光が他方の発光部に入射することによって生じる再励起の発生を抑制することができる。この結果、再励起による光損失を低減することができるので、光取り出し効率を向上することができる。さらに、再励起の発生を抑制することにより、色度ずれを抑制することができるので、色ムラや輝度ムラの発生を低減することができる。   Moreover, although this embodiment demonstrated centering on the case where a light guide member is covered with white resin, it is not restricted to this. That is, you may comprise so that white resin may not cover a light guide member. In this case, at least a reflective resin having reflectivity may be formed between adjacent light emitting portions. Thereby, in two different light emitting parts, the light emitted from one light emitting part is reflected by the reflective resin in the vicinity of the one light emitting part, so that the light emitted from the one light emitting part is emitted from the other light emitting part. It can suppress entering into a part. Therefore, it is possible to suppress the occurrence of re-excitation caused by the light of one light emitting unit entering the other light emitting unit. As a result, light loss due to re-excitation can be reduced, so that light extraction efficiency can be improved. Furthermore, since the chromaticity shift can be suppressed by suppressing the occurrence of re-excitation, the occurrence of color unevenness and brightness unevenness can be reduced.

また、本実施形態において、LEDチップ21は、p側電極21a及びn側電極21bがいずれも上面側に形成された上面2電極型のLEDチップを用いたが、これに限らない。例えば、上面にp側電極(又はn側電極)が形成され下面にn側電極(又はp側電極)が形成された上下電極型のLEDチップを用いても構わない。さらに、ワイヤを用いずに、LEDチップと金属配線との間にバンプを設けたフリップチップ実装によって、LEDチップと金属配線とを接続しても構わない。フリップチップ実装とすることにより、ワイヤによる反射がないので、光取り出し効率を向上させることができる。   In the present embodiment, the LED chip 21 is an upper surface two-electrode type LED chip in which both the p-side electrode 21a and the n-side electrode 21b are formed on the upper surface side, but is not limited thereto. For example, an upper and lower electrode type LED chip in which a p-side electrode (or n-side electrode) is formed on the upper surface and an n-side electrode (or p-side electrode) is formed on the lower surface may be used. Further, the LED chip and the metal wiring may be connected by flip chip mounting in which a bump is provided between the LED chip and the metal wiring without using a wire. By adopting flip chip mounting, there is no reflection by the wire, so that the light extraction efficiency can be improved.

また、本実施形態において、発光装置は、青色LEDと黄色蛍光体とによって白色光を放出するように構成したが、これに限らない。蛍光体含有樹脂として赤色蛍光体と緑色蛍光体とを含有するものを用いて、青色LEDと組み合わせることによりに白色光を放出するように構成しても構わない。   Moreover, in this embodiment, although the light-emitting device was comprised so that white light might be emitted by blue LED and yellow fluorescent substance, it is not restricted to this. You may comprise so that white light may be emitted by using what contains red fluorescent substance and green fluorescent substance as fluorescent substance containing resin, and combining with blue LED.

また、本実施形態において、基板10としてはメタルベース基板を用いたが、これに限らない。例えば、AlO3からなるセラミック基板等の絶縁性基板を用いても構わない。この場合、セラミック基板は絶縁性を有しているので、基板表面に絶縁膜11を形成する必要はない。 In the present embodiment, a metal base substrate is used as the substrate 10, but is not limited thereto. For example, an insulating substrate such as a ceramic substrate made of AlO 3 may be used. In this case, since the ceramic substrate has an insulating property, it is not necessary to form the insulating film 11 on the substrate surface.

また、本実施形態において、複数のベアチップ21は、基板10上に一列に並んで実装されるとしたが、二列(二次元状)以上の複数列に並んで実装されるように構成しても構わない。   Further, in the present embodiment, the plurality of bare chips 21 are mounted in a line on the substrate 10, but are configured to be mounted in a plurality of lines of two (two-dimensional) or more. It doesn't matter.

また、上述の実施形態において、白色樹脂及び蛍光体含有樹脂の位置を規制するために基板上に溝を形成しても構わない。例えば、白色樹脂及び蛍光体含有樹脂を形成する領域を挟むようにして、対向する一対の溝を形成することができる。これにより、白色樹脂及び蛍光体含有樹脂の表面張力によって、当該白色樹脂及び蛍光体含有樹脂の端部が溝の縁によって規制されることになるので、白色樹脂及び蛍光体含有樹脂の幅を制御することができる。また、このように白色樹脂及び蛍光体含有樹脂の端部が表面張力によって規制されることにより、白色樹脂及び蛍光体含有樹脂を所望のドーム形状に形成することもできる。   In the above-described embodiment, a groove may be formed on the substrate in order to regulate the positions of the white resin and the phosphor-containing resin. For example, a pair of opposed grooves can be formed so as to sandwich a region where the white resin and the phosphor-containing resin are formed. As a result, the edge of the white resin and the phosphor-containing resin is regulated by the edge of the groove due to the surface tension of the white resin and the phosphor-containing resin, so the width of the white resin and the phosphor-containing resin is controlled. can do. Further, the white resin and the phosphor-containing resin can be formed into a desired dome shape by regulating the end portions of the white resin and the phosphor-containing resin by the surface tension in this way.

また、上記実施形態では、発光装置の適用例として、バックライトユニット、液晶表示装置又は照明装置への適用例を説明したが、これが限らない。その他に、例えば、複写機のランプ光源、誘導灯又は看板装置にも適用することができる。さらに、検査用ライン光源のような産業用途の光源としても利用することができる。   Moreover, although the said embodiment demonstrated the application example to a backlight unit, a liquid crystal display device, or an illuminating device as an application example of a light-emitting device, this is not restricted. In addition, the present invention can be applied to, for example, a lamp light source, a guide light, or a signboard device of a copying machine. Furthermore, it can also be used as a light source for industrial use such as an inspection line light source.

その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で当業者が思いつく各種変形を施したものも本発明の範囲内に含まれる。また、発明の趣旨を逸脱しない範囲で、複数の実施の形態における各構成要素を任意に組み合わせてもよい。   In addition, the present invention includes various modifications made by those skilled in the art without departing from the scope of the present invention. Moreover, you may combine each component in several embodiment arbitrarily in the range which does not deviate from the meaning of invention.

本発明は、LED等の半導体発光素子を光源とする発光装置、バックライトユニット、液晶表示装置、直管蛍光ランプ等の照明装置、誘導灯、看板装置、又は複写機等の電子機器、あるいは、検査用ライン光源のような産業用途などにおいて広く利用することができる。   The present invention is a light emitting device using a semiconductor light emitting element such as an LED as a light source, a backlight unit, a liquid crystal display device, an illumination device such as a straight fluorescent lamp, an electronic device such as a guide light, a signage device, or a copying machine, or It can be widely used in industrial applications such as inspection line light sources.

10、710、810 基板
11 絶縁膜
20、220、720 発光部
21、621、721、821 LEDチップ
21a p側電極
21b n側電極
22、222、722、822 蛍光体含有樹脂
30、30a、30b、30B、30C、30D、51、230、330 白色樹脂
31A、52A 反射部材
31C 長辺部
32C 仕切り部
33C、33D 開口部
40、740、840 金属配線
41 メッキ
50、750 静電保護素子
60、760 ワイヤ
70 ダイアタッチ材
80 レジスト
100、100A、100B、100C、100D、200、300、440、521、700、800 発光装置
400、520 バックライトユニット
410 筐体
411 開口
412 フランジ部
413 ネジ孔
420 反射シート
430 導光板
450 光学シート群
451 拡散シート
452 プリズムシート
453 偏光シート
460 前面枠
461 ネジ
470 ヒートシンク
500 液晶表示装置
510 液晶表示パネル
530 ハウジング
600 照明装置
610 ガラス管
620 発光装置
630 口金ピン
640 口金
830 発光モジュール
10, 710, 810 Substrate 11 Insulating film 20, 220, 720 Light emitting part 21, 621, 721, 821 LED chip 21a P-side electrode 21b N-side electrode 22, 222, 722, 822 Phosphor-containing resin 30, 30a, 30b, 30B, 30C, 30D, 51, 230, 330 White resin 31A, 52A Reflective member 31C Long side part 32C Partition part 33C, 33D Opening part 40, 740, 840 Metal wiring 41 Plating 50, 750 Electrostatic protective element 60, 760 Wire 70 Die attach material 80 Resist 100, 100A, 100B, 100C, 100D, 200, 300, 440, 521, 700, 800 Light emitting device 400, 520 Back light unit 410 Housing 411 Opening 412 Flange 413 Screw hole 420 Reflective sheet 430 Light guide 450 optical sheet group 451 diffusion sheet 452 prism sheet 453 polarizing sheet 460 front frame 461 screw 470 heatsink 500 liquid crystal display device 510 liquid crystal display panel 530 housing 600 illumination device 610 glass tube 620 emitting device 630 base pins 640 cap 830 light emitting module

Claims (20)

基板と、
前記基板に実装された半導体発光素子と、
光波長変換体を含み、前記半導体発光素子を被覆する第1封止部材と、
前記半導体発光素子の近傍に配置された光誘導部材とを備え、
前記光誘導部材は、光波長変換体を含まない樹脂からなる第2封止部材によって覆われる
発光装置。
A substrate,
A semiconductor light emitting device mounted on the substrate;
A first sealing member that includes a light wavelength converter and covers the semiconductor light emitting element;
A light guide member disposed in the vicinity of the semiconductor light emitting element,
The light guide member is covered with a second sealing member made of a resin that does not include a light wavelength converter.
前記半導体発光素子は、直線状に複数個実装されており、
前記第2封止部材は、少なくとも隣り合う前記半導体発光素子の間に形成される
請求項1に記載の発光装置。
A plurality of the semiconductor light emitting elements are mounted in a straight line,
The light emitting device according to claim 1, wherein the second sealing member is formed at least between the adjacent semiconductor light emitting elements.
前記光誘導部材は、前記基板上に形成された金属配線である、又は、前記半導体発光素子と前記金属配線とを接続するワイヤである
請求項2に記載の発光装置。
The light-emitting device according to claim 2, wherein the light guiding member is a metal wiring formed on the substrate, or a wire that connects the semiconductor light-emitting element and the metal wiring.
前記第2封止部材は、白色粒子を含有する白色樹脂である
請求項2又は請求項3に記載の発光装置。
The light emitting device according to claim 2, wherein the second sealing member is a white resin containing white particles.
前記第2封止部材に、反射部材が形成される
請求項2又は請求項3に記載の発光装置。
The light emitting device according to claim 2, wherein a reflective member is formed on the second sealing member.
前記第2封止部材は、透明樹脂からなる
請求項2又は請求項3に記載の発光装置。
The light emitting device according to claim 2, wherein the second sealing member is made of a transparent resin.
前記第1封止部材が、前記第2封止部材の少なくとも一部を覆うようにして形成される
請求項1〜6のいずれか1項に記載の発光装置。
The light emitting device according to claim 1, wherein the first sealing member is formed so as to cover at least a part of the second sealing member.
前記第1封止部材の屈折率をn1とし、前記第2封止部材の屈折率をn2とすると、
n1>n2である
請求項7に記載の発光装置。
When the refractive index of the first sealing member is n1, and the refractive index of the second sealing member is n2,
The light emitting device according to claim 7, wherein n1> n2.
前記第1封止部材の下部の幅をW1とし、前記第2封止部材の下部の幅をW2とすると、
0.04≦W2/W1≦40、である
請求項1〜8のいずれか1項に記載の発光装置。
When the width of the lower part of the first sealing member is W1, and the width of the lower part of the second sealing member is W2,
It is 0.04 <= W2 / W1 <= 40, The light-emitting device of any one of Claims 1-8.
前記光誘導部材は、前記基板に実装された、前記半導体発光素子を静電保護するための静電保護素子である
請求項1に記載の発光装置。
The light emitting device according to claim 1, wherein the light guiding member is an electrostatic protection element mounted on the substrate for electrostatic protection of the semiconductor light emitting element.
前記第2封止部材は、白色粒子を含有する白色樹脂である
請求項10に記載の発光装置。
The light emitting device according to claim 10, wherein the second sealing member is a white resin containing white particles.
前記第2封止部材に、反射部材が形成される
請求項10に記載の発光装置。
The light emitting device according to claim 10, wherein a reflective member is formed on the second sealing member.
前記第2封止部材は、透明樹脂からなる
請求項10に記載の発光装置。
The light emitting device according to claim 10, wherein the second sealing member is made of a transparent resin.
前記半導体発光素子と前記第2封止部材との距離が、20mm以下である
請求項1〜13のいずれか1項に記載の発光装置。
The light emitting device according to claim 1, wherein a distance between the semiconductor light emitting element and the second sealing member is 20 mm or less.
前記第1封止部材が、ドーム状である
請求項1〜14のいずれか1項に記載の発光装置。
The light emitting device according to claim 1, wherein the first sealing member has a dome shape.
基板と、
前記基板に実装された複数の半導体発光素子と、
光波長変換体を含み、前記半導体発光素子をドーム状に被覆する第1封止部材と、
隣り合う前記半導体発光素子の間に形成され、反射性粒子を含有する樹脂と、を備える
発光装置。
A substrate,
A plurality of semiconductor light emitting devices mounted on the substrate;
A first sealing member that includes a light wavelength converter and covers the semiconductor light emitting element in a dome shape;
And a resin formed between adjacent semiconductor light emitting elements and containing reflective particles.
前記基板は、長尺状であり、
前記基板の長辺の長さをL1とし、前記基板の短辺の長さをL2としたときに、
10≦L1/L2、である
請求項1〜16のいずれか1項に記載の発光装置。
The substrate is elongate,
When the length of the long side of the substrate is L1, and the length of the short side of the substrate is L2,
It is 10 <= L1 / L2. The light-emitting device of any one of Claims 1-16.
請求項1〜17のいずれか1項に記載の発光装置を備える
バックライトユニット。
A backlight unit comprising the light emitting device according to claim 1.
請求項18に記載のバックライトユニットと、
前記バックライトユニットから照射される光の光路上に配置された液晶パネルと、を備える
液晶表示装置。
The backlight unit according to claim 18;
A liquid crystal panel disposed on an optical path of light emitted from the backlight unit.
請求項1〜17のいずれか1項に記載の発光装置を備える
照明装置。
An illumination device comprising the light-emitting device according to claim 1.
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Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013153069A (en) * 2012-01-25 2013-08-08 Shinko Electric Ind Co Ltd Wiring board, light emitting device, and manufacturing method of wiring board
JP2013153067A (en) * 2012-01-25 2013-08-08 Shinko Electric Ind Co Ltd Wiring board, light emitting device, and manufacturing method of wiring board
WO2013121834A1 (en) * 2012-02-17 2013-08-22 シャープ株式会社 Light source substrate and light source module
JP2014029959A (en) * 2012-07-31 2014-02-13 Sharp Corp Light emitting device
JP2014130923A (en) * 2012-12-28 2014-07-10 Panasonic Corp Light-emitting module, lighting device, and lighting fixture
JP2015082628A (en) * 2013-10-24 2015-04-27 スタンレー電気株式会社 Semiconductor light emitting device
JP2016162811A (en) * 2015-02-27 2016-09-05 日亜化学工業株式会社 Light-emitting device and manufacturing method of the same
JP2017076793A (en) * 2015-10-14 2017-04-20 エルジー イノテック カンパニー リミテッド Light-emitting element package and lighting device
US9927569B2 (en) 2014-12-10 2018-03-27 Samsung Display Co., Ltd. Display device
JP2018113293A (en) * 2017-01-10 2018-07-19 セイコーエプソン株式会社 Light emitting device, biological information measuring device, and manufacturing method of light emitting device
JP2019114610A (en) * 2017-12-21 2019-07-11 東芝ライテック株式会社 Light irradiation device
WO2023229224A1 (en) * 2022-05-24 2023-11-30 삼성전자주식회사 Display device and light source device therefor

Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07121123A (en) * 1993-08-31 1995-05-12 Sanyo Electric Co Ltd Display device
US5607227A (en) * 1993-08-27 1997-03-04 Sanyo Electric Co., Ltd. Linear light source
JP2006066786A (en) * 2004-08-30 2006-03-09 Seiwa Electric Mfg Co Ltd Light emitting diode
JP2006080312A (en) * 2004-09-09 2006-03-23 Toyoda Gosei Co Ltd Light emitting device and its manufacturing method
JP2008166462A (en) * 2006-12-28 2008-07-17 Nichia Chem Ind Ltd Light-emitting device
JP2008193113A (en) * 2008-03-28 2008-08-21 Fujikura Ltd Light source and its manufacturing method, lighting device, display device and traffic signal
JP2008294071A (en) * 2007-05-22 2008-12-04 Toshiba Corp Optical semiconductor device, lighting device, and display apparatus
JP2009135485A (en) * 2007-11-07 2009-06-18 Mitsubishi Chemicals Corp Semiconductor light-emitting apparatus and method of manufacturing the same
JP2009182307A (en) * 2008-02-01 2009-08-13 Nichia Corp Light-emitting device and method of manufacturing the same
JP2009218274A (en) * 2008-03-07 2009-09-24 Stanley Electric Co Ltd Semiconductor light-emitting device
JP2009231510A (en) * 2008-03-21 2009-10-08 Toshiba Lighting & Technology Corp Lighting system
JP2009252380A (en) * 2008-04-01 2009-10-29 Harison Toshiba Lighting Corp Hollow type surface lighting device
JP2010109119A (en) * 2008-10-30 2010-05-13 Sanyo Electric Co Ltd Light emitting module, and method of manufacturing the same

Patent Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5607227A (en) * 1993-08-27 1997-03-04 Sanyo Electric Co., Ltd. Linear light source
JPH07121123A (en) * 1993-08-31 1995-05-12 Sanyo Electric Co Ltd Display device
JP2006066786A (en) * 2004-08-30 2006-03-09 Seiwa Electric Mfg Co Ltd Light emitting diode
JP2006080312A (en) * 2004-09-09 2006-03-23 Toyoda Gosei Co Ltd Light emitting device and its manufacturing method
JP2008166462A (en) * 2006-12-28 2008-07-17 Nichia Chem Ind Ltd Light-emitting device
JP2008294071A (en) * 2007-05-22 2008-12-04 Toshiba Corp Optical semiconductor device, lighting device, and display apparatus
JP2009135485A (en) * 2007-11-07 2009-06-18 Mitsubishi Chemicals Corp Semiconductor light-emitting apparatus and method of manufacturing the same
JP2009182307A (en) * 2008-02-01 2009-08-13 Nichia Corp Light-emitting device and method of manufacturing the same
JP2009218274A (en) * 2008-03-07 2009-09-24 Stanley Electric Co Ltd Semiconductor light-emitting device
JP2009231510A (en) * 2008-03-21 2009-10-08 Toshiba Lighting & Technology Corp Lighting system
JP2008193113A (en) * 2008-03-28 2008-08-21 Fujikura Ltd Light source and its manufacturing method, lighting device, display device and traffic signal
JP2009252380A (en) * 2008-04-01 2009-10-29 Harison Toshiba Lighting Corp Hollow type surface lighting device
JP2010109119A (en) * 2008-10-30 2010-05-13 Sanyo Electric Co Ltd Light emitting module, and method of manufacturing the same

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013153067A (en) * 2012-01-25 2013-08-08 Shinko Electric Ind Co Ltd Wiring board, light emitting device, and manufacturing method of wiring board
JP2013153069A (en) * 2012-01-25 2013-08-08 Shinko Electric Ind Co Ltd Wiring board, light emitting device, and manufacturing method of wiring board
WO2013121834A1 (en) * 2012-02-17 2013-08-22 シャープ株式会社 Light source substrate and light source module
JP2013171626A (en) * 2012-02-17 2013-09-02 Sharp Corp Light source board and light source module
CN104114935A (en) * 2012-02-17 2014-10-22 夏普株式会社 Light source substrate and light source module
JP2014029959A (en) * 2012-07-31 2014-02-13 Sharp Corp Light emitting device
JP2014130923A (en) * 2012-12-28 2014-07-10 Panasonic Corp Light-emitting module, lighting device, and lighting fixture
JP2015082628A (en) * 2013-10-24 2015-04-27 スタンレー電気株式会社 Semiconductor light emitting device
US9927569B2 (en) 2014-12-10 2018-03-27 Samsung Display Co., Ltd. Display device
JP2016162811A (en) * 2015-02-27 2016-09-05 日亜化学工業株式会社 Light-emitting device and manufacturing method of the same
JP2017076793A (en) * 2015-10-14 2017-04-20 エルジー イノテック カンパニー リミテッド Light-emitting element package and lighting device
USRE48892E1 (en) 2015-10-14 2022-01-11 Suzhou Lekin Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device package and lighting apparatus having same
USRE49146E1 (en) 2015-10-14 2022-07-19 Suzhou Lekin Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device package and lighting apparatus having same
JP2018113293A (en) * 2017-01-10 2018-07-19 セイコーエプソン株式会社 Light emitting device, biological information measuring device, and manufacturing method of light emitting device
JP2019114610A (en) * 2017-12-21 2019-07-11 東芝ライテック株式会社 Light irradiation device
JP7135316B2 (en) 2017-12-21 2022-09-13 東芝ライテック株式会社 Light irradiation device
WO2023229224A1 (en) * 2022-05-24 2023-11-30 삼성전자주식회사 Display device and light source device therefor

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