JP4492378B2 - Light emitting device and manufacturing method thereof - Google Patents

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Description

本発明は、発光素子をガラス封止材料で封止することにより形成される発光装置に関し、特に、量産性に優れ、かつガラス材料全体をコーティングすることで高温多湿環境でも封止性、耐劣化性に優れ、色むらを生じることのない発光装置およびその製造方法に関する。   The present invention relates to a light-emitting device formed by sealing a light-emitting element with a glass sealing material, in particular, excellent in mass productivity and coating performance over a high-temperature and high-humidity environment by coating the entire glass material. The present invention relates to a light-emitting device that has excellent properties and does not cause color unevenness, and a method for manufacturing the same.

従来の発光装置として、ＬＥＤ（Light Emitting Diode）素子をエポキシ樹脂等の透光性樹脂材料で封止した樹脂封止ＬＥＤがある。   As a conventional light emitting device, there is a resin-sealed LED in which an LED (Light Emitting Diode) element is sealed with a translucent resin material such as an epoxy resin.

樹脂封止ＬＥＤは、透光性樹脂材料を用いることで封止加工性に優れる反面、透光性樹脂材料が強い光に反応して黄変等の劣化を生じることが知られている。特に、短波長光を放出するIII族窒化物系化合物半導体発光素子を用いる場合には、当該素子から放出される高エネルギーの光と素子自体の発熱によって素子近傍の透光性樹脂が黄変し、光取り出し効率が無視できないほどに低下することがある。   It is known that the resin-sealed LED is excellent in sealing processability by using a translucent resin material, but the translucent resin material reacts with strong light to cause deterioration such as yellowing. In particular, when a group III nitride compound semiconductor light emitting device that emits short-wavelength light is used, the translucent resin near the device is yellowed by the high-energy light emitted from the device and the heat generated by the device itself. In some cases, the light extraction efficiency may be reduced to a degree that cannot be ignored.

このような封止部材の劣化を防止するものとして、封止材料に低融点ガラスを用いた発光装置が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。   In order to prevent such deterioration of the sealing member, a light-emitting device using low-melting glass as a sealing material has been proposed (for example, see Patent Document 1).

図９は、特許文献１に記載される発光装置の縦断面図である。この発光装置１０は、ＬＥＤ発光素子１１と、プリント配線基板１２と、プリント配線基板１２の表面に設けられる配線パターン１３と、ＬＥＤ発光素子１１と配線パターン１３とを電気的に接続するワイヤ１４と、ＬＥＤ発光素子１１およびワイヤ１４を封止する低融点ガラス１５とを有し、ＧａＮ系ＬＥＤ発光素子の屈折率２．３程度に近い屈折率が２程度の低融点ガラスを用いている。   FIG. 9 is a longitudinal sectional view of the light emitting device described in Patent Document 1. The light emitting device 10 includes an LED light emitting element 11, a printed wiring board 12, a wiring pattern 13 provided on the surface of the printed wiring board 12, and wires 14 that electrically connect the LED light emitting element 11 and the wiring pattern 13. The low-melting-point glass 15 that seals the LED light-emitting element 11 and the wire 14 is used, and the low-melting-point glass having a refractive index of about 2 that is close to the refractive index of about 2.3 of the GaN-based LED light-emitting element.

特許文献１に記載される発光装置によると、ＧａＮ系ＬＥＤ発光素子の屈折率に近い低融点ガラス１５でＬＥＤ発光素子１１を封止することによって、ＬＥＤ発光素子１１の表面で全反射して内部に戻る光が少なくなり、ＬＥＤ発光素子１１から放出されて低融点ガラス１５に入射する光の量が多くなる。その結果、エポキシ樹脂でＬＥＤ発光素子１１を封止している従来のものよりも高くなる。
特開平１１−１７７１２９号公報（〔０００７〕、図１） According to the light-emitting device described in Patent Document 1, the LED light-emitting element 11 is sealed with the low melting point glass 15 having a refractive index close to that of the GaN-based LED light-emitting element, so that the LED light-emitting element 11 is totally reflected on the inside. The amount of light that returns to is reduced, and the amount of light emitted from the LED light emitting element 11 and incident on the low-melting glass 15 is increased. As a result, it becomes higher than the conventional one in which the LED light emitting element 11 is sealed with an epoxy resin.
JP-A-11-177129 ([0007], FIG. 1)

しかし、特許文献１に記載される発光装置では、低融点ガラスはエポキシ樹脂のように扱うことができないため、具現化や量産性に問題がある。   However, in the light emitting device described in Patent Document 1, low melting point glass cannot be handled like an epoxy resin, and thus there is a problem in realization and mass productivity.

ＬＥＤ発光素子に熱ダメージを与えることなく封止加工するには、高粘度状態のガラスで封止するのが望ましいが、ワイヤ形状を保持できず電気的短絡、断線が生じる。仮に、低粘度のガラスの場合、図９に示すようなモールドは困難である。樹脂系のプリント配線基板では加工温度に耐えることができず、無機系のプリント配線基板では金型によるプレスによって破損が生じる。また、高温加工が必要なガラス封止とＬＥＤ発光素子において一括工程でなく各製品対応をするのは量産性に問題がある。さらに、量産性に優れ色むらのない蛍光体白色ＬＥＤや、極めて高温多湿雰囲気での耐性に優れるガラス封止ＬＥＤについては、これまでに提案がなかった。   In order to encapsulate the LED light emitting element without causing thermal damage, it is desirable to encapsulate it with glass in a high viscosity state, but the wire shape cannot be maintained, and an electrical short circuit or disconnection occurs. In the case of low-viscosity glass, molding as shown in FIG. 9 is difficult. Resin-based printed wiring boards cannot withstand the processing temperature, and inorganic printed wiring boards are damaged by pressing with a mold. In addition, glass sealing and LED light-emitting elements that require high-temperature processing have a problem in mass productivity to deal with each product instead of a batch process. Furthermore, there has been no proposal for a phosphor white LED having excellent mass productivity and no color unevenness and a glass-sealed LED having excellent resistance in an extremely high temperature and high humidity atmosphere.

従って、本発明の目的は、量産性に優れ、かつガラス材料全体をコーティングすることで高温多湿環境でも封止性、耐劣化性に優れ、色むらを生じることのない発光装置およびその製造方法を提供することにある。   Accordingly, an object of the present invention is to provide a light emitting device that is excellent in mass productivity and excellent in sealing and deterioration resistance even in a high temperature and high humidity environment by coating the entire glass material, and a method for manufacturing the same. It is to provide.

本発明は、上記目的を達成するため、発光素子と、前記発光素子を搭載する無機材料からなる基板と、前記基板上にて前記発光素子を封止するガラスからなる封止部と、前記発光素子を取り囲むように、前記封止部の上面から前記基板の内部にかけて、前記基板の厚さ方向に形成された切り込み面と、水分が浸透しない光透過性の無機材料からなり、前記封止部の表面全体を覆うとともに、前記切り込み面における前記封止部と前記基板との界面を覆うコート部と、を有することを特徴とする発光装置を提供する。 The present invention, in order to achieve the above object, a light emitting element, a substrate made of an inorganic material for mounting the light emitting element, a sealing portion made of glass for sealing the light emitting element in the substrate, the light emitting The sealing portion is formed of a light-transmitting inorganic material that does not penetrate moisture, and a cut surface formed in the thickness direction of the substrate from the upper surface of the sealing portion to the inside of the substrate so as to surround the element. together they cover the entire surface of, to provide a light emitting device which is characterized in that chromatic and a coating portion covering the interface between the substrate and the sealing portion in the cut surface.

また、本発明は、上記した目的を達成するため、無機材料からなる基板を準備する第１のステップと、前記基板に複数の発光素子を搭載する第２のステップと、前記複数の発光素子が搭載された前記基板をガラスからなる封止材料で封止する第３のステップと、前記封止材料から前記基板にかけて前記基板が分断されることのない深さまで形成され、前記発光素子を取り囲む切り込みを設ける第４のステップと、前記切り込みにより露出した前記封止材料と前記基板との界面及び前記封止材料の表面全体に水分が浸透しない光透過性の無機材料からなるコーティングを施す第５のステップと、前記切り込みに沿って前記光透過性の無機材料および前記基板を分割する第６のステップとを有することを特徴とする発光装置の製造方法を提供する。 Further, the present invention is to achieve the above object, a first step of preparing a substrate made of an inorganic material, a second step of mounting a plurality of light emitting elements on the substrate, wherein the plurality of light emitting elements A third step of sealing the mounted substrate with a sealing material made of glass ; and a notch that is formed to a depth that does not divide the substrate from the sealing material to the substrate and surrounds the light emitting element a fourth step of providing, first a coating consisting of surfactant and optically transparent inorganic material moisture across the surface impermeable to the sealing material and the substrate the sealing material exposed to Ri by the notch 5 and steps, provides a method for manufacturing a light emitting device characterized by having a sixth step of dividing the cut the light-transmitting inorganic material and said substrate along a

本発明によると、光透過性の無機材料コート部によって封止部および基板を覆うことにより、封止部の耐水性が向上し、基板と封止部の良好な密着性が確保される。また、多湿環境でも封止性、耐劣化性が得られる。   According to the present invention, by covering the sealing portion and the substrate with the light-transmitting inorganic material coating portion, the water resistance of the sealing portion is improved, and good adhesion between the substrate and the sealing portion is ensured. Further, sealing properties and deterioration resistance can be obtained even in a humid environment.

（第１の実施の形態）
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る発光装置としてのＬＥＤを示す縦断面図である。 (First embodiment)
FIG. 1 is a longitudinal sectional view showing an LED as a light emitting device according to a first embodiment of the present invention.

（全体の構成）
このＬＥＤ１は、フリップチップ型のＬＥＤ素子２と、回路パターン４Ａ、４Ｂ、およびビアパターン４Ｃとを有する無機材料基板であるＡｌ２Ｏ３基板３と、回路パターン４ＢとＬＥＤ素子２の電極とを電気的に接続するＡｕバンプ５と、Ａｌ２Ｏ３基板３およびＬＥＤ素子２とを封止する無機封止材料であるガラス封止部６とを有する。 (Overall configuration)
This LED 1 includes a flip chip type LED element 2, an Al 2 O 3 substrate 3 that is an inorganic material substrate having circuit patterns 4A, 4B, and via patterns 4C, and circuit patterns 4B and electrodes of the LED elements 2. It has an Au bump 5 that is electrically connected, and a glass sealing portion 6 that is an inorganic sealing material that seals the Al 2 O 3 substrate 3 and the LED element 2.

（各部の構成）
ＬＥＤ素子２は、下地基板となるサファイア基板上にＡｌＮバッファ層を介してｎ−ＧａＮ層と、発光層と、ｐ−ＧａＮ層とを順次結晶成長させることによって形成したＧａＮ系半導体層を有し、ｐ−ＧａＮ層からエッチングを施すことによりｎ電極形成領域としてｎ−ＧａＮ層の一部を露出させた水平型の電極構造を有し、Ａｕバンプ５を介して回路パターン４Ｂ上にフリップ実装されている。このＬＥＤ素子２は、発光中心波長が４７０ｎｍであり、熱膨張率は７×１０−６／℃である。また、ＬＥＤ１の幅とＬＥＤ素子２の幅とのサイズ比は１より大で、かつ５以下となるように構成されている。 (Configuration of each part)
The LED element 2 has a GaN-based semiconductor layer formed by sequentially growing an n-GaN layer, a light emitting layer, and a p-GaN layer through an AlN buffer layer on a sapphire substrate as a base substrate. , Having a horizontal electrode structure in which a part of the n-GaN layer is exposed as an n-electrode formation region by etching from the p-GaN layer, and is flip-mounted on the circuit pattern 4B via the Au bump 5 ing. The LED element 2 has an emission center wavelength of 470 nm and a thermal expansion coefficient of 7 × 10 −6 / ° C. The size ratio between the width of the LED 1 and the width of the LED element 2 is configured to be greater than 1 and 5 or less.

Ａｌ２Ｏ３基板３は、熱膨張率が７×１０−６／℃であり、ＬＥＤ素子２と略同等の熱膨張率を有し、素子搭載面、ビアホール３Ａ、および裏面にタングステン（Ｗ）−ニッケル（Ｎｉ）−金（Ａｕ）で構成される回路パターン４Ａ、４Ｂ、およびビアパターン４Ｃを有する。また、ＬＥＤ１の外縁となる部分に位置するように段部３Ｂを有している。 The Al 2 O 3 substrate 3 has a thermal expansion coefficient of 7 × 10 −6 / ° C., has a thermal expansion coefficient substantially equal to that of the LED element 2, and has tungsten (W) on the element mounting surface, the via hole 3 A, and the back surface. -Circuit patterns 4A, 4B and via patterns 4C made of nickel (Ni) -gold (Au) are included. Moreover, it has the step part 3B so that it may be located in the part used as the outer edge of LED1.

ガラス封止部６は、６００℃以下の低融点でホットプレス加工が可能な低融点ガラスからなり、ＬＥＤ素子２およびＡｌ２Ｏ３基板３の熱膨張率と略同等の熱膨張率（７×１０−６／℃）を有する。また、表面には半球状に形成された光学形状部６Ａと、光学形状部６Ａの表面にコート部として薄膜状に設けられるＡｌ２Ｏ３コート膜６Ｂとを有する。 The glass sealing portion 6 is made of a low melting point glass that can be hot-pressed at a low melting point of 600 ° C. or less, and has a thermal expansion coefficient (7 × approximately equal to the thermal expansion coefficient of the LED element 2 and the Al 2 O 3 substrate 3. 10 −6 / ° C.). Further, the surface has an optical shape portion 6A which is formed in a hemispherical shape and Al 2 O 3 coating film 6B provided in a thin film as a coating portion on a surface of the optical shape portion 6A.

Ａｌ２Ｏ３コート膜６Ｂは、Ａｌ２Ｏ３をスパッタリング処理することで光学形状部６Ａの表面に塗布し、乾燥させることによって薄膜状に形成されている。このＡｌ２Ｏ３コート膜６Ｂは、ガラス封止部６の端面および段部３Ｂを覆うように設けられている。また、Ａｌ２Ｏ３コート膜６Ｂは、Ａｌ２Ｏ３基板３とガラス封止部６の端面を覆う端面保護部６Ｃを有する。 The Al 2 O 3 coat film 6B is formed into a thin film by applying Al 2 O 3 to the surface of the optical shape portion 6A by sputtering and drying it. The Al 2 O 3 coat film 6B is provided so as to cover the end face of the glass sealing portion 6 and the stepped portion 3B. Further, the Al 2 O 3 coat film 6B has an end face protection part 6C that covers the end face of the Al 2 O 3 substrate 3 and the glass sealing part 6.

（ＬＥＤの製造工程）
以下に、第１の実施の形態のＬＥＤの製造方法について説明する。図２（ａ）から（ｃ）は、ＬＥＤ製造工程の配線形成工程からガラス準備工程にかけてを示す概略図であり、図３（ａ）から（ｄ）は、ガラス封止工程からＬＥＤの分離にかけてを示す概略図である。 (LED manufacturing process)
Below, the manufacturing method of LED of 1st Embodiment is demonstrated. FIGS. 2A to 2C are schematic views showing the wiring manufacturing process from the LED manufacturing process to the glass preparation process, and FIGS. 3A to 3D are the glass sealing process to the separation of the LEDs. FIG.

（配線形成工程）
まず、図２（ａ）に示すように、上記したＡｌ２Ｏ３基板３に対し、回路パターンに応じてＷペーストをスクリーン印刷する。次に、Ｗペーストを印刷されたガラス含有Ａｌ２Ｏ３基板３を１５００℃で熱処理することによりＷをＡｌ２Ｏ３基板３に焼き付け、さらにＷ上にＮｉめっき、Ａｕめっきを施すことで回路パターン４Ａ、４Ｂ、およびビアパターン４Ｃを形成する。 (Wiring formation process)
First, as shown in FIG. 2A, W paste is screen-printed on the Al 2 O 3 substrate 3 according to the circuit pattern. Next, the glass-containing Al 2 O 3 substrate 3 printed with the W paste is heat-treated at 1500 ° C. so that W is baked on the Al 2 O 3 substrate 3, and further, Ni plating and Au plating are performed on the W. Patterns 4A and 4B and via pattern 4C are formed.

（ＬＥＤ素子実装工程）
次に、図２（ｂ）に示すように、Ａｌ２Ｏ３基板３の回路パターン４ＢにＡｕバンプ５を介してＬＥＤ素子２をフリップ実装する。 (LED element mounting process)
Next, as shown in FIG. 2B, the LED element 2 is flip-mounted on the circuit pattern 4B of the Al 2 O 3 substrate 3 via the Au bumps 5.

（低融点ガラス準備工程）
次に、図２（ｃ）に示すように、板状のＰ２Ｏ５−ＺｎＯ−Ｌｉ２Ｏ系の低融点ガラス６０をＡｌ２Ｏ３基板３に対して平行にセットする。 (Low melting point glass preparation process)
Next, as shown in FIG. 2C, a plate-like P 2 O 5 —ZnO—Li 2 O-based low melting glass 60 is set in parallel to the Al 2 O 3 substrate 3.

（ガラス封止工程）
次に、図３（ａ）に示すように、窒素雰囲気中で５５０〜６００℃の温度で低融点ガラス６０のホットプレス加工を行う。低融点ガラス６０は、Ａｌ２Ｏ３基板３とそれらに含まれる酸化物を介して基板表面に接着されるとともに、プレス金型の形状に応じて半球状の光学形状部６Ａを有したガラス封止部６が成形される。 (Glass sealing process)
Next, as shown in FIG. 3A, hot pressing of the low-melting glass 60 is performed at a temperature of 550 to 600 ° C. in a nitrogen atmosphere. The low melting point glass 60 is bonded to the substrate surface via the Al 2 O 3 substrate 3 and oxides contained therein, and has a glass seal having a hemispherical optical shape portion 6A according to the shape of the press mold. A stop 6 is formed.

（溝形成工程）
次に、図３（ｂ）に示すように、ガラス封止部６の薄肉部分をダイシングソーでハーフカットすることにより溝３０を形成する。この溝３０はＡｌ２Ｏ３基板３を分断することのない深さを有するように形成される。この状態では、ガラス封止部６とＡｌ２Ｏ３基板３との界面が露出し、平面方向に見てＬＥＤとなる部分が切り込み面としての溝３０によって取り囲まれたものとなる。 (Groove formation process)
Next, as shown in FIG.3 (b), the groove | channel 30 is formed by half-cutting the thin part of the glass sealing part 6 with a dicing saw. The groove 30 is formed to have a depth that does not divide the Al 2 O 3 substrate 3. In this state, the interface between the glass sealing portion 6 and the Al 2 O 3 substrate 3 is exposed, and the portion that becomes the LED when viewed in the plane direction is surrounded by the groove 30 as the cut surface.

（コート膜形成工程）
次に、図３（ｃ）に示すように、ガラス封止部６の表面を覆うようにスパッタリング処理することによってＡｌ２Ｏ３コート膜６Ｂを形成する。この状態では、溝３０によって取り囲まれたＬＥＤとなる部分の表面全体をＡｌ２Ｏ３コート膜６Ｂで覆ったものとなる。 (Coat film forming process)
Next, as shown in FIG. 3C, an Al 2 O 3 coat film 6B is formed by performing a sputtering process so as to cover the surface of the glass sealing portion 6. In this state, the entire surface of the portion to be the LED surrounded by the groove 30 is covered with the Al 2 O 3 coat film 6B.

（ＬＥＤ分離工程）
次に、図３（ｄ）に示すように、溝３０に沿ってＡｌ２Ｏ３基板３を分割することにより、ＬＥＤ１を分離する。分割されたＬＥＤ１は、ガラス封止部６の端面がＡｌ２Ｏ３基板３によって覆われた構成を有している。 (LED separation process)
Next, as shown in FIG. 3D, the LED 1 is separated by dividing the Al 2 O 3 substrate 3 along the groove 30. The divided LED 1 has a configuration in which an end surface of the glass sealing portion 6 is covered with an Al 2 O 3 substrate 3.

（ＬＥＤ１の動作）
以下に、第１の実施の形態の動作について説明する。図示しない電源部から回路パターン４Ａを介して通電することにより、ＬＥＤ素子２の電極を介して発光層に通電される。発光層は、通電に基づいて発光して青色光を生じる。この青色光は、ＧａＮ系半導体層からサファイア基板を介してガラス封止部６に入射し、光学形状部６Ａに至る。光学形状部６Ａに至った青色光はＡｌ２Ｏ３コート膜６Ｂを透過して外部放射される。 (Operation of LED1)
The operation of the first embodiment will be described below. By energizing from the power supply unit (not shown) via the circuit pattern 4A, the light emitting layer is energized via the electrode of the LED element 2. The light emitting layer emits light based on energization to generate blue light. This blue light enters the glass sealing portion 6 from the GaN-based semiconductor layer through the sapphire substrate and reaches the optical shape portion 6A. The blue light reaching the optical shape portion 6A is transmitted through the Al 2 O 3 coat film 6B and emitted externally.

（第１の実施の形態の効果）
上記した第１の実施の形態によると、以下の効果が得られる。 (Effects of the first embodiment)
According to the first embodiment described above, the following effects are obtained.

（１）ＬＥＤ素子２に対してガラス封止を行った後にガラス封止部６からＡｌ２Ｏ３コート膜６Ｂにかけて溝３０を形成し、溝３０を含むガラス表面にＡｌ２Ｏ３コート膜６Ｂを設けてガラス表面を保護するようにしたので、ＬＥＤ１を個別に分離してもガラス封止部６の端面が露出せずに保護される。このことによりガラスの低融点化、熱膨張率調整、屈折率調整等の制約により、ガラス封止部６が多少耐湿性の劣る特性でも高温多湿環境においてガラス封止部６が劣化することなく長期にわたって安定して使用することができる。また、スパッタリングによる膜形成を行っているので、溝３０への膜形成がされやすい。 (1) forming a groove 30 from the glass sealing part 6 toward Al 2 O 3 coating film 6B after the glass sealing the LED element 2, Al 2 O 3 coating film 6B to a glass surface comprising a groove 30 Since the glass surface is protected by providing the LED 1, even if the LEDs 1 are individually separated, the end surface of the glass sealing portion 6 is protected without being exposed. As a result, the glass sealing part 6 is not deteriorated in a high temperature and high humidity environment for a long time even if the glass sealing part 6 is somewhat inferior in moisture resistance due to restrictions such as low melting point of glass, thermal expansion coefficient adjustment, refractive index adjustment, etc. Can be used stably. In addition, since the film is formed by sputtering, the film is easily formed in the groove 30.

（２）ガラス封止部６とＡｌ２Ｏ３基板３との間に水分が浸透しないので、ガラス封止部６とＡｌ２Ｏ３基板３との密着性低下を防ぐことができる。 (2) Since the water between the glass sealing part 6 and the Al 2 O 3 substrate 3 does not penetrate, it is possible to prevent the adhesion reduction of the glass sealing part 6 and the Al 2 O 3 substrate 3.

（３）ガラス封止部６の加工後にダイシングソーによるハーフカットによって溝３０を形成するので、Ａｌ２Ｏ３コート膜６Ｂ形成後にＬＥＤ１を容易に分離することができ、生産性に優れる。 (3) Since the groove 30 is formed by half-cutting with a dicing saw after processing the glass sealing portion 6, the LED 1 can be easily separated after the Al 2 O 3 coat film 6B is formed, and the productivity is excellent.

なお、上記した第１の実施の形態では、ガラス封止部６の表面にＡｌ２Ｏ３コート膜６Ｂを設けたＬＥＤ１を説明したが、例えば、ＳｉＯ２、ＳｉＮ、ＭｇＦ２等を用いても良い。 In the first embodiment described above, the LED 1 in which the Al 2 O 3 coat film 6B is provided on the surface of the glass sealing portion 6 has been described. However, for example, SiO 2 , SiN, MgF 2 or the like may be used. good.

また、第１の実施の形態の実施の形態では、溝３０をＡｌ２Ｏ３基板３に設けてＡｌ２Ｏ３コート膜６Ｂをコートし、溝３０に沿って分割するものとしたが、例えば、ダイシングソーによらずにレーザ光で溝３０を形成しても良い。レーザ加工は処理時間を短くでき、量産性をさらに向上することができる。特に、フェムト秒レーザのような短時間パルス照射によれば、滑らかな溝形成が可能である。 In the embodiment of the first embodiment, the groove 30 is provided on the Al 2 O 3 substrate 3 and the Al 2 O 3 coating film 6B is coated and divided along the groove 30. Instead of using a dicing saw, the groove 30 may be formed by laser light. Laser processing can shorten the processing time and can further improve mass productivity. In particular, smooth groove formation is possible by short-time pulse irradiation such as a femtosecond laser.

また、Ａｌ２Ｏ３基板３とガラスとは、ガラスの熱膨張率が６．０〜７．７×１０−６／℃の範囲で、実験によって良好な接合ができることが確認されている。接合の良否はガラスのサイズ、軟化特性、応力方向に依存するが、必ずしも数％以内の熱膨張率差である必要はなく、１５％程度の差があるものでも、良好な接続ができるものであれば良い。 In addition, it has been confirmed by experiments that the Al 2 O 3 substrate 3 and the glass can be bonded satisfactorily in the range where the thermal expansion coefficient of the glass is 6.0 to 7.7 × 10 −6 / ° C. The quality of bonding depends on the size, softening characteristics, and stress direction of the glass, but it is not always necessary to have a difference in thermal expansion coefficient within a few percent. Even if there is a difference of about 15%, a good connection can be made. I need it.

（第２の実施の形態）
図４は、本発明の第２の実施の形態に係る発光装置としてのＬＥＤを示す縦断面図である。以下の説明において、第１の実施の形態と同一の構成および機能を有する部分については同一の符号を付している。 (Second Embodiment)
FIG. 4 is a longitudinal sectional view showing an LED as a light emitting device according to the second embodiment of the present invention. In the following description, parts having the same configuration and function as those of the first embodiment are denoted by the same reference numerals.

（全体の構成）
このＬＥＤ１は、光学形状部６Ａの表面に第１の実施の形態で説明したＡｌ２Ｏ３コート膜６Ｂに代えて、ダイクロイックミラー６Ｄと、蛍光体含有ガラス層６Ｅとを設けた構成において第１の実施の形態と相違している。 (Overall configuration)
This LED 1 has a first configuration in which a dichroic mirror 6D and a phosphor-containing glass layer 6E are provided on the surface of the optical shape portion 6A in place of the Al 2 O 3 coating film 6B described in the first embodiment. This is different from the embodiment.

（各部の構成）
ダイクロイックミラー６Ｄは、ＴｉＯ２膜およびＳｉＯ２膜を交互に積層して多層化することによって形成されており、５００ｎｍ以下の光を透過し、５００ｎｍ以上の光を反射する。このことよりダイクロイックミラー６ＤはＬＥＤ素子２の発する４７０ｎｍの青色光は透過するが、蛍光体含有ガラス層６Ｅに含有される蛍光体が発する黄色光については反射することにより、ガラス封止部６への入射を防ぐ。 (Configuration of each part)
The dichroic mirror 6D is formed by alternately laminating TiO 2 films and SiO 2 films to form a multilayer, and transmits light of 500 nm or less and reflects light of 500 nm or more. Accordingly, the dichroic mirror 6D transmits the blue light of 470 nm emitted from the LED element 2, but reflects the yellow light emitted from the phosphor contained in the phosphor-containing glass layer 6E to the glass sealing portion 6. Prevents incident light.

蛍光体含有ガラス層６Ｅは、外径１０μｍの蛍光体粒子と、外径１０μｍのフッ化物低融点ガラス粒子とを混合した混合材料（軟化点約３００℃）からなり、この混合材料を光学形状部６Ａの形成されたガラス封止部６に静電塗装した後に３５０℃で加熱処理することによってガラス封止部６の表面に一体的に形成されている。この場合、ＬＥＤ素子２が放射する青色光で励起可能な蛍光体が用いられる。このような蛍光体としては。例えば、Ｃｅ：ＹＡＧ(Yttrium Aluminum Garnet)蛍光体を用いることができる。   The phosphor-containing glass layer 6E is composed of a mixed material (softening point of about 300 ° C.) in which phosphor particles having an outer diameter of 10 μm and fluoride low-melting glass particles having an outer diameter of 10 μm are mixed. The glass sealing part 6 having 6A formed thereon is electrostatically coated and then heat-treated at 350 ° C. so as to be integrally formed on the surface of the glass sealing part 6. In this case, a phosphor that can be excited by blue light emitted from the LED element 2 is used. As such a phosphor. For example, a Ce: YAG (Yttrium Aluminum Garnet) phosphor can be used.

（第２の実施の形態の効果）
上記した第２の実施の形態によると、ガラス封止部６の表面全体にダイクロイックミラー６Ｄと蛍光体含有ガラス６Ｅとが形成されているので、色むらの少ないものとできる。更に、ガラス封止形態であるので、加熱状態で電圧印加することによる静電塗装が可能となり、ガラス封止部６の表面に蛍光体粒子とフッ化物低融点ガラス粒子とを混合した混合材料を静電付着させるので、第１の実施の形態の好ましい効果に加えて、凹凸形状のあるガラス封止部６の表面に混合材料を均一な膜厚で付着させることができ、熱融着による均一な膜厚の蛍光体含有ガラス層６Ｅを容易に形成することができる。また、フッ化物低融点ガラスによるフッ化物コートがガラス封止部６の表面に形成されるので、ＬＥＤ１の耐湿性をより向上させることができる。 (Effect of the second embodiment)
According to the second embodiment described above, since the dichroic mirror 6D and the phosphor-containing glass 6E are formed on the entire surface of the glass sealing portion 6, the color unevenness can be reduced. Furthermore, since it is a glass sealing form, electrostatic coating is possible by applying a voltage in a heated state, and a mixed material in which phosphor particles and fluoride low-melting glass particles are mixed on the surface of the glass sealing portion 6 is used. Since the electrostatic adhesion is performed, in addition to the preferable effect of the first embodiment, the mixed material can be adhered to the surface of the glass sealing portion 6 having an uneven shape with a uniform film thickness. A phosphor-containing glass layer 6E having a sufficient thickness can be easily formed. Moreover, since the fluoride coat by a fluoride low melting glass is formed in the surface of the glass sealing part 6, the moisture resistance of LED1 can be improved more.

（第３の実施の形態）
図５は、本発明の第３の実施の形態に係る発光装置としてのＬＥＤを示す縦断面図である。 (Third embodiment)
FIG. 5 is a longitudinal sectional view showing an LED as a light emitting device according to a third embodiment of the present invention.

（全体の構成）
このＬＥＤ１は、素子実装面と異なる高さの凹部３Ｃを有するＡｌ２Ｏ３基板３と、凹部３Ｃを覆うようにＡｌ２Ｏ３基板３およびＬＥＤ素子２を封止するガラス封止部６とを有し、Ａｌ２Ｏ３コート膜６Ｂあるいはダイクロイックミラー６Ｄを備えず、蛍光体含有ガラス層６Ｅのみを備える構成において第１あるいは第２の実施の形態と相違している。 (Overall configuration)
This LED 1 includes an Al 2 O 3 substrate 3 having a recess 3C having a height different from the element mounting surface, and a glass sealing portion 6 for sealing the Al 2 O 3 substrate 3 and the LED element 2 so as to cover the recess 3C. The second embodiment is different from the first or second embodiment in the configuration including only the phosphor-containing glass layer 6E without including the Al 2 O 3 coat film 6B or the dichroic mirror 6D.

（各部の構成）
ガラス封止部６は、ホットプレス加工に基づいて凹部３Ｃの側面を覆うとともに光学形状部６Ａを有するように形成される。ガラス封止部６の表面には第２の実施の形態で説明した蛍光体含有ガラス層６Ｅをコートしている。 (Configuration of each part)
The glass sealing portion 6 is formed so as to cover the side surface of the recess 3C based on hot pressing and to have an optical shape portion 6A. The surface of the glass sealing portion 6 is coated with the phosphor-containing glass layer 6E described in the second embodiment.

（ＬＥＤの製造工程）
以下に、第３の実施の形態のＬＥＤの製造方法について説明する。図６（ａ）から（ｃ）は、ＬＥＤ製造工程の配線形成工程からガラス準備工程にかけてを示す概略図であり、図７（ａ）から（ｃ）は、ガラス封止工程からＬＥＤの分離にかけてを示す概略図である。 (LED manufacturing process)
Below, the manufacturing method of LED of 3rd Embodiment is demonstrated. FIGS. 6A to 6C are schematic diagrams showing the wiring manufacturing process from the LED manufacturing process to the glass preparation process, and FIGS. 7A to 7C are the glass sealing process to separation of the LEDs. FIG.

（配線形成工程）
まず、図６（ａ）に示すように、予め凹部３Ｃを設けられたＡｌ２Ｏ３基板３に対し、回路パターンに応じてＷペーストをスクリーン印刷する。次に、Ｗペーストを印刷されたガラス含有Ａｌ２Ｏ３基板３を１５００℃で熱処理することによりＷをＡｌ２Ｏ３基板３に焼き付け、さらにＷ上にＮｉめっき、Ａｕめっきを施すことで回路パターン４Ａ、４Ｂ、およびビアパターン４Ｃを形成する。なお、凹部３Ｃについては、回路パターン４Ａ、４Ｂ、およびビアパターン４Ｃの形成後に切削、サンドブラスト等のプロセスによって形成される。 (Wiring formation process)
First, as shown in FIG. 6A, W paste is screen-printed on the Al 2 O 3 substrate 3 provided with the recesses 3C in advance according to the circuit pattern. Next, the glass-containing Al 2 O 3 substrate 3 printed with the W paste is heat-treated at 1500 ° C. so that W is baked on the Al 2 O 3 substrate 3, and further, Ni plating and Au plating are performed on the W. Patterns 4A and 4B and via pattern 4C are formed. The recess 3C is formed by a process such as cutting and sandblasting after the circuit patterns 4A and 4B and the via pattern 4C are formed.

（ＬＥＤ素子実装工程）
次に、図６（ｂ）に示すように、Ａｌ２Ｏ３基板３の回路パターン４ＢにＡｕバンプ５を介してＬＥＤ素子２をフリップ実装する。 (LED element mounting process)
Next, as shown in FIG. 6B, the LED element 2 is flip-mounted on the circuit pattern 4B of the Al 2 O 3 substrate 3 via the Au bumps 5.

（低融点ガラス準備工程）
次に、図６（ｃ）に示すように、板状のＰ２Ｏ５−ＺｎＯ−Ｌｉ２Ｏ系の低融点ガラス６０をＡｌ２Ｏ３基板３に対して平行にセットする。 (Low melting point glass preparation process)
Next, as shown in FIG. 6C, a plate-like P 2 O 5 —ZnO—Li 2 O-based low melting glass 60 is set in parallel to the Al 2 O 3 substrate 3.

（ガラス封止工程）
次に、図７（ａ）に示すように、窒素雰囲気中で５５０〜６００℃の温度で低融点ガラス６０のホットプレス加工を行う。低融点ガラス６０は、Ａｌ２Ｏ３基板３とそれらに含まれる酸化物を介して基板表面に接着されるとともに、プレス金型の形状に応じて半球状の光学形状部６Ａを有したガラス封止部６が成形される。このとき、ガラス封止部６には凹部３Ｃに対応した位置に薄肉部として凹溝６Ｆが形成される。 (Glass sealing process)
Next, as shown in FIG. 7A, hot pressing of the low melting point glass 60 is performed at a temperature of 550 to 600 ° C. in a nitrogen atmosphere. The low melting point glass 60 is bonded to the substrate surface via the Al 2 O 3 substrate 3 and oxides contained therein, and has a glass seal having a hemispherical optical shape portion 6A according to the shape of the press mold. A stop 6 is formed. At this time, a concave groove 6F is formed in the glass sealing portion 6 as a thin portion at a position corresponding to the concave portion 3C.

（コート膜形成工程）
次に、図７（ｂ）に示すように、蛍光体含有ガラス層６Ｅを形成する。 (Coat film forming process)
Next, as shown in FIG. 7B, a phosphor-containing glass layer 6E is formed.

（ＬＥＤ分離工程）
次に、図７（ｃ）に示すように、凹溝６Ｆの部分をダイサーでカットすることによりＬＥＤ１を分離する。 (LED separation process)
Next, as shown in FIG.7 (c), LED1 is isolate | separated by cutting the part of the ditch | groove 6F with a dicer.

（第３の実施の形態の効果）
上記した第３の実施の形態によると、凹部３Ｃを設けたＡｌ２Ｏ３基板３を低融点ガラス６０でガラス封止するので、低融点ガラス６０の熱収縮により生じる内部応力に基づいて低融点ガラス６０が凹部３Ｃの側面に密着して凹凸封止される。このことにより、ＬＥＤ１の外縁におけるガラス封止部６とＡｌ２Ｏ３基板３の密着性が大になり、ガラス剥離や水分の浸透を極めて高いレベルで防ぐことができる。第３の実施の形態では、端面保護部６Ｃにおいてガラス封止部６が僅かに露出するが、この部位はＬＥＤ素子２からの光が直接至るところではないので、光学的な影響は無視できるレベルで色むらは発生しない。なお、この場合にはガラス封止部６は耐湿性の高い材料を用いることが望ましい。 (Effect of the third embodiment)
According to the third embodiment described above, since the Al 2 O 3 substrate 3 provided with the recesses 3C is glass-sealed with the low melting glass 60, the low melting point is based on the internal stress caused by the thermal shrinkage of the low melting glass 60. The glass 60 is in close contact with the side surface of the recess 3 </ b> C and is sealed with unevenness. This increases the adhesion between the glass sealing portion 6 and the Al 2 O 3 substrate 3 at the outer edge of the LED 1, and can prevent glass peeling and moisture penetration at a very high level. In the third embodiment, the glass sealing portion 6 is slightly exposed in the end face protection portion 6C, but since this portion is not where the light from the LED element 2 reaches directly, the optical influence is negligible. Color unevenness does not occur. In this case, it is desirable to use a material having high moisture resistance for the glass sealing portion 6.

また、蛍光体含有層に加えてＡｌ２Ｏ３コートとしても良い。高温多湿状態でのガラスは、表面が白濁する変化が生じる。しかし、ＬＥＤ素子から直接光が達するガラス表面はＡｌ２Ｏ３コートが施されているので、光学特性には変化は生じない。 In addition to the phosphor-containing layer, an Al 2 O 3 coat may be used. The glass in a high temperature and high humidity state changes so that the surface becomes cloudy. However, since the glass surface where light directly reaches from the LED element is coated with Al 2 O 3 , the optical characteristics are not changed.

（第４の実施の形態）
図８（ａ）から（ｄ）は、本発明の第４の実施の形態に係る発光装置としてのＬＥＤの凹部を示す部分断面図である。 (Fourth embodiment)
FIGS. 8A to 8D are partial cross-sectional views showing the recesses of the LED as the light emitting device according to the fourth embodiment of the present invention.

（全体の構成）
第４の実施の形態は、第３の実施の形態で説明した凹部３Ｃにおいて、ガラス封止部６が露出しない構成としたものである。以下にその製造工程を説明する。 (Overall configuration)
In the fourth embodiment, the glass sealing portion 6 is not exposed in the recess 3C described in the third embodiment. The manufacturing process will be described below.

（ガラス封止工程）
図８（ａ）に示すガラス封止工程では、ガラス封止部６の形成により凹部３Ｃに設けられる凹溝６Ｆが後述する溝加工の障害とならない溝幅を有するように形成される。その他については図７（ａ）で説明したガラス封止工程と同様であるので詳細については省略する。 (Glass sealing process)
In the glass sealing step shown in FIG. 8A, the groove 6F provided in the recess 3C by the formation of the glass sealing portion 6 is formed so as to have a groove width that does not become an obstacle to the groove processing described later. Others are the same as the glass sealing step described in FIG.

（溝形成工程）
図８（ｂ）に示す溝形成工程では、ガラス封止部６の凹溝６Ｆにレーザ光を照射して溝３０を形成し、Ａｌ２Ｏ３基板３を露出させる。なお、レーザ光の照射に代えてダイサーによるダイシングでＡｌ２Ｏ３基板３に達する深さを有する溝３０を設けるようにしても良い。 (Groove formation process)
In the groove forming step shown in FIG. 8B, the groove 30 is formed by irradiating the concave groove 6F of the glass sealing portion 6 with laser light, and the Al 2 O 3 substrate 3 is exposed. A groove 30 having a depth reaching the Al 2 O 3 substrate 3 may be provided by dicing with a dicer instead of laser light irradiation.

（コート膜形成工程）
図８（ｃ）に示すコート膜形成工程では、溝形成工程で露出させたＡｌ２Ｏ３基板３を覆うようにＡｌ２Ｏ３コート膜６Ｂを設けることで、レーザ光の照射により露出した凹溝６Ｆのガラスがコートされる。 (Coat film forming process)
In the coat film forming step shown in FIG. 8C, the Al 2 O 3 coat film 6B is provided so as to cover the Al 2 O 3 substrate 3 exposed in the groove forming step, so that the recesses exposed by the laser light irradiation are exposed. The glass of the groove 6F is coated.

（ＬＥＤ分離工程）
図８（ｄ）に示すＬＥＤ分離工程では、コート膜形成工程後に溝３０の部分をダイサーでカットすることによりＬＥＤ１を個別に分離する。分離されたＬＥＤ１の端面は、Ａｌ２Ｏ３基板３の凹部３Ｃにおいてガラス封止部６が凹凸封止されており、かつ、ガラス封止部６とＡｌ２Ｏ３基板３との境界がＡｌ２Ｏ３コート膜６Ｂで覆われたものとなる。 (LED separation process)
In the LED separation step shown in FIG. 8D, the LEDs 1 are individually separated by cutting the groove 30 with a dicer after the coating film forming step. The end face of the separated LED1 is, Al 2 O 3 and the glass sealing part 6 is hermetically uneven sealing the recess 3C of the substrate 3, and the boundary between the glass sealing part 6 and the Al 2 O 3 substrate 3 is Al The film is covered with the 2 O 3 coat film 6B.

（第４の実施の形態の効果）
上記した第４の実施の形態によると、凹部３Ｃを設けたＡｌ２Ｏ３基板３を低融点ガラス６０でガラス封止し、ガラス封止された凹部３Ｃに溝３０を設けてＡｌ２Ｏ３コート膜６Ｂでコートしたので、低融点ガラスの熱収縮に基づくＡｌ２Ｏ３基板３とガラス封止部６との高い密着性が得られるとともに、ガラス封止部６の全面保護による高い防湿性、耐劣化性を得ることができる。 (Effect of the fourth embodiment)
According to the fourth embodiment described above, the Al 2 O 3 substrate 3 provided with the recess 3C is glass-sealed with the low-melting glass 60, and the groove 30 is provided in the glass-sealed recess 3C to provide Al 2 O 3. Since coated with the coating film 6B, high adhesion between the Al 2 O 3 substrate 3 and the glass sealing part 6 based on the thermal shrinkage of the low-melting glass is obtained, and also high moisture resistance due to the entire surface protection of the glass sealing part 6 Deterioration resistance can be obtained.

本発明の第１の実施の形態に係る発光装置としてのＬＥＤを示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows LED as a light-emitting device based on the 1st Embodiment of this invention. （ａ）から（ｃ）は、ＬＥＤ製造工程の配線形成工程からガラス準備工程にかけてを示す概略図である。(A) to (c) is a schematic diagram showing the process from the wiring formation process to the glass preparation process in the LED manufacturing process. （ａ）から（ｄ）は、ガラス封止工程からＬＥＤの分離にかけてを示す概略図である。(A) to (d) is a schematic view showing the process from the glass sealing step to the separation of the LED. 本発明の第２の実施の形態に係る発光装置としてのＬＥＤを示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows LED as a light-emitting device concerning the 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第３の実施の形態に係る発光装置としてのＬＥＤを示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows LED as a light-emitting device based on the 3rd Embodiment of this invention. （ａ）から（ｃ）は、ＬＥＤ製造工程の配線形成工程からガラス準備工程にかけてを示す概略図である。(A) to (c) is a schematic diagram showing the process from the wiring formation process to the glass preparation process in the LED manufacturing process. （ａ）から（ｃ）は、ガラス封止工程からＬＥＤの分離にかけてを示す概略図である。(A) to (c) is a schematic view showing the process from the glass sealing step to the separation of the LED. （ａ）から（ｄ）は、本発明の第４の実施の形態に係る発光装置としてのＬＥＤの凹部を示す部分断面図である。(A) to (d) is a partial cross-sectional view showing a concave portion of an LED as a light emitting device according to a fourth embodiment of the present invention. 特許文献１に記載される発光装置の縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view of the light-emitting device described in patent document 1. FIG.

符号の説明Explanation of symbols

１…ＬＥＤ、２…ＬＥＤ素子、３Ｃ…凹部、３…Ａｌ２Ｏ３基板、３Ｂ…段部、４Ａ…回路パターン、４Ｂ…回路パターン、４Ｃ…ビアパターン、５…Ａｕバンプ、６…ガラス封止部、６Ａ…光学形状部、６Ｂ…Ａｌ２Ｏ３コート膜、６Ｃ…端面保護部、６Ｄ…ダイクロイックミラー、６Ｅ…蛍光体含有ガラス層、６Ｆ…凹溝、１０…発光装置、１１…ＬＥＤ発光素子、１２…プリント配線基板、１３…配線パターン、１４…ワイヤ、１５…低融点ガラス、３０…溝、６０…低融点ガラス、 1 ... LED, 2 ... LED element, 3C ... recess, 3 ... Al 2 O 3 substrate, 3B ... stepped portion, 4A ... circuit pattern, 4B ... circuit pattern, 4C ... via pattern, 5 ... Au bumps, 6 ... sealed glass stop portion, 6A ... optical shape portion, 6B ... Al 2 O 3 coating film, 6C ... end face protective portion, 6D ... dichroic mirror, 6E ... phosphor-containing glass layer, 6F ... groove, 10 ... light-emitting device, 11 ... LED Light emitting element, 12 ... printed wiring board, 13 ... wiring pattern, 14 ... wire, 15 ... low melting glass, 30 ... groove, 60 ... low melting glass,

Claims (8)

発光素子と、
前記発光素子を搭載する無機材料からなる基板と、
前記基板上にて前記発光素子を封止するガラスからなる封止部と、
前記発光素子を取り囲むように、前記封止部の上面から前記基板の内部にかけて、前記基板の厚さ方向に形成された切り込み面と、
水分が浸透しない光透過性の無機材料からなり、前記封止部の表面全体を覆うとともに、前記切り込み面における前記封止部と前記基板との界面を覆うコート部と、を有することを特徴とする発光装置。 A light emitting element;
A substrate made of an inorganic material on which the light emitting element is mounted;
A sealing portion made of glass for sealing the light emitting element on the substrate;
A cut surface formed in the thickness direction of the substrate from the upper surface of the sealing portion to the inside of the substrate so as to surround the light emitting element,
Moisture made of a light transmissive inorganic material that does not penetrate, to cover the entire surface of the sealing portion, characterized in that organic and a coating portion covering the interface between the substrate and the sealing portion in the cut surface A light emitting device. 前記発光素子は、フリップ実装型発光素子であり、
前記基板は、前記封止部と同等の熱膨張率を有する無機材料からなることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。 The light emitting element is a flip mounting type light emitting element,
The light emitting device according to claim 1, wherein the substrate is made of an inorganic material having a thermal expansion coefficient equivalent to that of the sealing portion. 前記コート部は、蛍光体含有材料であることを特徴とする請求項１又は２に記載の発光装置。 The coating unit, the light emitting device according to claim 1 or 2, characterized in that a phosphor-containing material. 前記コート部は、ＡｌThe coat part is made of Al. ２2 ＯO ３3 、ＳｉＯ, SiO ２2 、ＳｉＮ、ＭｇＦ, SiN, MgF ２2 、ＴｉＯTiO ２2 及びフッ化物ガラス粒子のいずれかからなることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の発光装置。The light-emitting device according to any one of claims 1 to 3, wherein the light-emitting device is made of any one of a fluorescent glass particle and a fluoride glass particle. 前記コート部は、ダイクロイックミラーを含むものである請求項１から４のいずれか１項に記載の発光装置。 The light emitting device according to claim 1, wherein the coat part includes a dichroic mirror. 無機材料からなる基板を準備する第１のステップと、
前記基板に複数の発光素子を搭載する第２のステップと、
前記複数の発光素子が搭載された前記基板をガラスからなる封止材料で封止する第３のステップと、
前記封止材料から前記基板にかけて前記基板が分断されることのない深さまで形成され、前記発光素子を取り囲む切り込みを設ける第４のステップと、
前記切り込みにより露出した前記封止材料と前記基板との界面及び前記封止材料の表面全体に水分が浸透しない光透過性の無機材料からなるコーティングを施す第５のステップと、
前記切り込みに沿って前記光透過性の無機材料および前記基板を分割する第６のステップとを有することを特徴とする発光装置の製造方法。 A first step of preparing a substrate made of an inorganic material;
A second step of mounting a plurality of light emitting elements on the substrate;
A third step of sealing the substrate on which the plurality of light emitting elements are mounted with a sealing material made of glass ;
A fourth step of forming a cut from the sealing material to the substrate to a depth that does not divide the substrate and surrounding the light emitting element;
A fifth step of applying a coating of surfactant and optically transparent inorganic material moisture across the surface impermeable to the sealing material and the substrate the sealing material exposed Ri by said cuts,
And a sixth step of dividing the light transmissive inorganic material and the substrate along the cut. 前記第５のステップにおいて、前記コーティングをスパッタリングによって設けることを特徴とする請求項６に記載の発光装置の製造方法。 The method of manufacturing a light emitting device according to claim 6 , wherein in the fifth step, the coating is provided by sputtering. 前記第５のステップにおいて、前記コーティングを静電塗布によって設けることを特徴とする請求項６に記載の発光装置の製造方法。 The method for manufacturing a light emitting device according to claim 6 , wherein, in the fifth step, the coating is provided by electrostatic coating.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4855869B2 (en) * 2006-08-25 2012-01-18 日亜化学工業株式会社 Method for manufacturing light emitting device
JP4650378B2 (en) * 2006-08-31 2011-03-16 日亜化学工業株式会社 Method for manufacturing light emitting device
DE102006046199A1 (en) 2006-09-29 2008-04-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic component, has semiconductor layer sequence with active area, which emits electromagnetic radiations with spectrum in operation
JP5315607B2 (en) * 2006-12-07 2013-10-16 日亜化学工業株式会社 Light emitting device and manufacturing method thereof
JP5061139B2 (en) * 2009-02-12 2012-10-31 株式会社住田光学ガラス Method for manufacturing light emitting device
DE112010004424T5 (en) * 2009-12-26 2012-11-08 Achrolux Inc. Uniform film layer structure that converts the wavelength of emitted light, and methods of forming the same
JP5370238B2 (en) * 2010-03-30 2013-12-18 豊田合成株式会社 Method for manufacturing light emitting device
US9039216B2 (en) 2010-04-01 2015-05-26 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device package and light unit having the same
KR101081170B1 (en) 2010-04-01 2011-11-07 엘지이노텍 주식회사 Light emitting device packag and method for fabricating thereof
JP5755420B2 (en) * 2010-09-01 2015-07-29 日亜化学工業株式会社 Light emitting device
JP5619533B2 (en) * 2010-09-01 2014-11-05 日亜化学工業株式会社 Light emitting device
WO2014057752A1 (en) * 2012-10-09 2014-04-17 シャープ株式会社 Light-emitting element and light-emitting device provided with same
JP6451579B2 (en) * 2015-09-30 2019-01-16 日亜化学工業株式会社 Light emitting device
JP6733232B2 (en) * 2016-03-16 2020-07-29 豊田合成株式会社 Light emitting device and manufacturing method thereof
JP2017183572A (en) * 2016-03-31 2017-10-05 セントラル硝子株式会社 Manufacturing method of optical device
JP6432656B2 (en) * 2017-08-22 2018-12-05 日亜化学工業株式会社 Light emitting device

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002368286A (en) * 2001-06-11 2002-12-20 Citizen Electronics Co Ltd Light-emitting diode and method of manufacturing the same
JP2004031843A (en) * 2002-06-28 2004-01-29 Kyocera Corp Light-emitting diode
WO2004082036A1 (en) * 2003-03-10 2004-09-23 Toyoda Gosei Co., Ltd. Solid element device and method for manufacture thereof

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002368286A (en) * 2001-06-11 2002-12-20 Citizen Electronics Co Ltd Light-emitting diode and method of manufacturing the same
JP2004031843A (en) * 2002-06-28 2004-01-29 Kyocera Corp Light-emitting diode
WO2004082036A1 (en) * 2003-03-10 2004-09-23 Toyoda Gosei Co., Ltd. Solid element device and method for manufacture thereof

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015008621A1 (en) 2013-07-19 2015-01-22 セントラル硝子株式会社 Phosphor-dispersed glass and method for producing same

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