JP2006075914A - 研磨布 - Google Patents
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Abstract
【課題】本研磨に移行する前の慣らし研磨(ダミー研磨)に要する時間、すなわち、立ち上げ処理時間を低減して生産性を向上する。
【解決手段】 基材層と多孔質の表面層とを備える研磨布であって、前記表面層は、平均径が、1μm以上30μm以下の略球状の孔を、単位面積当たり(mm2)1000個以上10000個以下有しており、涙滴状の孔を有する従来例に比べて、微細で緻密な孔としており、従来例の表面層に比べて、孔の開口している部分の面積よりも開口していない壁となる部分の面積が多い表面(研磨面)とし、立ち上げ処理時間を低減している。
【選択図】 図5
【解決手段】 基材層と多孔質の表面層とを備える研磨布であって、前記表面層は、平均径が、1μm以上30μm以下の略球状の孔を、単位面積当たり(mm2)1000個以上10000個以下有しており、涙滴状の孔を有する従来例に比べて、微細で緻密な孔としており、従来例の表面層に比べて、孔の開口している部分の面積よりも開口していない壁となる部分の面積が多い表面(研磨面)とし、立ち上げ処理時間を低減している。
【選択図】 図5
Description
本発明は、研磨布に関し、更に詳しくは、シリコンウェハなどの半導体ウェハの仕上げ研磨に好適な研磨布に関する。
一般に、半導体ウェハの製造工程は、単結晶インゴットをスライスして薄円板状のウェハを得るスライス工程と、ウエハの外周部を面取りする面取り工程と、ウエハを平面化するラッピング工程と、ウエハに残留する加工歪を除去するエッチング工程と、ウエハ表面を鏡面化する鏡面研磨工程と、研磨されたウエハを洗浄する洗浄工程とを含む。
ウエハの上記鏡面研磨工程は、基本的に、平坦度の調整を主目的とする粗研磨と、表面粗さを改善することを主目的とする仕上げ研磨とからなる。
この仕上げ研磨では、アルカリ溶液中に、コロイダルシリカ等を分散した研磨剤を供給しながらスエード調の研磨布などを用いて行われる(例えば、特許文献1参照)。
かかるスエード調の研磨布では、精度の良好な被研磨物、例えば、シリコンウェハを得るために、研磨布を研磨装置に取り付けて装置を立ち上げた使用の初期段階においては、ダミーウェハ等を研磨して研磨布そのものをシリコンウエハになじませる、いわゆる慣らし研磨(ダミー研磨)と称される立ち上げ処理を行なう必要があり、この立ち上げ処理の後に、本来の製品であるシリコンウェハの研磨(本研磨)に移行している。
上述の立ち上げ処理は、ウェハの仕上げ研磨において要求される品質の一つであるヘイズが或る値以下になることが必要とされる。
この立ち上げ処理に要する時間は、通常30分程度であるが、長い場合には、4時間以上かかる場合もあり、同一種類の研磨布であっても、ロット内およびロット間でも立ち上げ処理時間にばらつきがあり、こうした研磨布を、ウェハの生産に安定して使用する場合、種々の研磨布が存在することを考慮して、4時間程度の立ち上げ処理を、全ての研磨布に対して行っており、その分、本研磨に移行するまでに時間を要することにより、生産性が低下するという課題がある。
特開平2003−37089号公報
したがって、本発明によって解決すべき課題は、立ち上げ処理に要する時間を可及的に低減して生産性を向上することである。
本発明では、上記目的を達成するために、次のように構成している。
すなわち、本発明の研磨布は、基材層と多孔質の表面層とを備える研磨布であって、前記表面層は、平均径が、1μm以上30μm以下の孔を有するものである。
前記平均径は、1μm以上20μm以下であるのが好ましい。
また、前記孔は、単位面積当たりの個数が、1000個/mm2以上10000個/mm2以下であるのが好ましく、1000個/mm2以上5000個/mm2以下であるのがより好ましい。
また、前記孔は、略球状であるのが好ましい。ここで、略球状とは、従来のスエード調の研磨布の表面層における涙滴状の孔とは異なり、球に近い形状をいう。
本発明の研磨布では、前記表面層は、前記基材層に、ウレタン樹脂溶液を塗布して湿式凝固して形成されるのが好ましく、前記基材層は、ウレタン樹脂を含浸させた不織布または樹脂フィルムからなるのが好ましい。
また、ウレタン樹脂を含浸させた不織布からなる前記基材層は、当該研磨布を研磨機に装着した際に、研磨機の厚み方向の精度のばらつきを吸収できるように、その圧縮率が、5%以上30%以下であるのが好ましく、より好ましくは、その圧縮率が、8%以上15%以下である。
また、前記基材層が、樹脂フィルムからなる場合には、柔軟性を持たせて変形によるウェハ軌跡への追従性を向上させるために、前記基材層の裏面側に、ウレタン樹脂を含浸させた不織布からなる下地層を備えるのが好ましく、この下地層は、圧縮率が、5%以上30%以下であるのが好ましい。
かかる構成によると、多孔質の表面層(ナップ)は、従来の涙滴状の孔に比べて、微細で緻密な孔となっており、従来の表面層に比べて、孔の開口している部分の面積よりも開口していない壁となる部分の面積が多い表面(研磨面)となり、これによって、慣らし研磨に要する時間を短縮することができる。
また、バフ加工で生じる開口径のばらつきやそれに付随するバリの発生についても、従来例の涙滴状の孔に比べて、微細で緻密な略球状の孔を有するために、低減されることになり、これによって、慣らし研磨に要する時間のばらつきも低減できることになる。
本発明によれば、多孔質の表面層は、従来の涙滴状の孔に比べて、微細で緻密な孔を有しており、従来例に比べて、孔の開口している部分の面積よりも開口していない壁となる部分の面積が多い表面(研磨面)となり、これによって、慣らし研磨に要する時間を短縮することができるとともに、バフ加工で生じる開口径のばらつきやそれに付随するバリの発生を低減して慣らし研磨に要する時間のばらつきも低減できることになり、立ち上げ処理に要する時間を低減して生産性を向上することができる。
以下、図面によって本発明の実施の形態について詳細に説明する。
図1は、本発明の一つの実施の形に係る研磨布の走査型電子顕微鏡(SEM)による倍率50倍の写真であり、また、図2は、倍率100倍の写真であり、各図(a)はその表面を、各図(b)はその断面をそれぞれ示している。
この研磨布は、基材層1と多孔質の表面層2とを備えており、表面層2は、従来の涙滴状の孔に比べて、微細で緻密な多数の孔(ポア)を有しており、この孔の平均径が、1μm以上30μm以下の範囲となっており、より好ましくは、1μm以上20μm以下の範囲である。
図3および図4には、涙滴状の孔を有する従来の研磨布の走査型電子顕微鏡による倍率50倍および100倍の写真をそれぞれ示しており、上述の図1,2と同様に、各図(a)は表面を、各図(b)は断面をそれぞれ示している。また、1’が基材層であり、2’が表面層である。
図1,図2と図3,図4とを比較することにより、本発明に従う研磨布における表面層2は、従来例に比べて、微細で緻密な多数の孔(ポア)を有していることが分かる。
表面層2の孔は、単位面積当たりの個数が、1000個/mm2以上10000個/mm2以下であるのが好ましく、略球状であるのが好ましい。
また、表面層2は、その表面粗さ(算術平均粗さ)Raが、1μm以上6μm以下であるのが好ましい。
この実施の形態では、基材層1は、PET(ポリエチレンテレフタレート)フィルムからなり、表面層2は、基材層1に、ウレタン樹脂溶液を塗布(コーティング)して湿式凝固して形成される。
基材層1は、PETフィルムに限らず、他のポリエステル系フィルムやオレフィン系フィルムを用いてもよい。
また、基材層1は、樹脂フィルムに限らず、ポリアミド系、ポリエステル系等の不織布(フェルト)にウレタン樹脂を含浸したもの(ウレタン樹脂含浸不織布)であってもよい。
この不織布にウレタン樹脂を含浸させてなる基材層1は、圧縮率が、5%以上30%以下であるのが好ましい。
ウレタン樹脂としては、例えば、ポリエステル系、ポリエーテル系、ポリカーボネート系などの従来と同様のウレタン樹脂を用いることができ、異なる種類のウレタン樹脂をブレンドしてもよい。
この実施の形態の研磨布は、基材層1としてのPETフィルムに、ウレタン樹脂をジメチルホルムアミド(DMF)などの水溶性有機溶媒に溶解させたウレタン樹脂溶液を塗布し、これを凝固液で処理し湿式凝固して多孔質銀面層を形成せしめ、水洗乾燥後、該銀面層表面を研削して表面層(ナップ層)2を形成することにより得られるものである。
特に、微細で緻密な孔を得るために、上述の湿式凝固の速度を,従来よりも遅くしている。
なお、ウレタン樹脂を溶解させる水溶性有機溶媒としては、上述のジメチルホルムアミドの他、例えば、ジメチルスルホキシド、テトラヒドロフラン、ジメチルアセトアミド等の従来の同様の溶媒を用いることができる。
また、ウレタン樹脂を溶解した有機溶媒には、従来と同様に、カーボンブラック等の充填剤や界面活性剤等の分散安定剤を添加してもよい。
カーボンブラック等の充填剤は、水溶性有機溶媒に溶解させるウレタン樹脂(固形分)に対して、5〜30重量%配合するのが好ましい。
以下、実施例に基づいて本発明を更に詳細に説明する。
基材層として厚さ200μmのPETフィルムを用い、このPETフィルムに、ウレタン樹脂を塗工し、湿式凝固して涙滴状の孔を有する従来例の研磨布と、同じく厚さ200μmのPETフィルムに、同じウレタン樹脂を塗工し、上述のように湿式凝固の速度を遅らせて微細な孔を有する実施例1の研磨布とをそれぞれ製作した。なお、実施例1では、従来に比べて微細で緻密な孔を有する表面層、すなわち、樹脂密度の高い表面層となるために、塗工厚さを、従来例の1.1mmに対して、1.5mmとした。
更に、実施例1と同じように製作した研磨布の裏面側に、厚さ1.2mmで、圧縮率が、7%,14%,24%のウレタン含浸不織布をそれぞれラミネート加工した3層構造(表面層、基材層、ウレタン含浸不織布)の研磨布をそれぞれ製作し、実施例2,3,4とした。
これら実施例1〜4および従来例の研磨布について、総厚み、圧縮率、表面粗さRa、ポア数をそれぞれ測定した。その結果を、表1に示す。なお、圧縮率および表面粗さの測定は、JIS‐L1096およびJIS‐B0601に準拠してそれぞれ行った。また、孔(ポア)数および後述の孔(ポア)の平均径、標準偏差、最大径および最小径は、CCDによる表面写真を、ニ値化画像処理によって計測したものである。孔(ポア)の径は、ニ値化画像処理の画像解析ソフトによって、次式に従って円相当径に換算されて算出されたものである。
孔(ポア)の径=円相当径=2*√(面積/π)
また、従来例の表面粗さRaが、8.4μmであるのに対して、実施例1〜4の表面粗Raは、約3.0μmであり、粗さが小さく滑らかになっていることが分かる。
また、上述の従来例および実施例1については、孔(ポア)の平均径、径の標準偏差、最大径および最小径を、上述のニ値化画像処理によって計測した。その結果を、表2に示す。なお、この表2おいては、実施例1の孔の最小径が、平均径に一致しているが、これは、実施例1の孔が、ニ値化画像処理における測定下限である1ピクセルに相当する大きさ以下のものが大部分を占めているためである。
これら従来例および実施例1〜4の研磨布について、下記の条件で研磨試験を行なった。
すなわち、研磨機は、Strasbaugh社製の20’’の研磨機を用い、スラリー(研磨液)は、ロデール・ニッタ社製NP8020(希釈倍率 NP8020:DI(純水)=1:20)を使用し、シリコンウェハを被研磨物として研磨した。
また、プラテンの回転数115rpm、ヘッドの回転数100rpm、スラリー流量300ml/min、面圧100g/cm2、研磨時間5minを1回とした。
また、慣らし研磨を終了して本研磨へ移行するための認定品質であるヘイズについても日立電子エンジニアリング社製LS6600にて行なった。この装置では、ヘイズは、ウェハ上に照射した入射光に対する散乱光の百万分率(ppm)で示される。
先ず、上述の従来例と実施例1の研磨布を用いて研磨試験を行った結果を、図5に示す。この図5では、横軸は、5分毎の研磨時間を累積した研磨時間(min)を、縦軸は、ヘイズ(Haze:ppm)を示している。この図5では、従来例および実施例1について、それぞれ3つのサンプル1〜3について研磨試験を行った結果を示しており、慣らし研磨を終了して本研磨へ移行するためのヘイズの判定値を、0.04ppmとしている。
この図5に示すように、従来例の研磨布では、慣らし研磨を終了して本研磨へ移行するための立ち上げ処理時間が、60min〜90minと大きくばらついているのに対して、実施例1では、40min〜50minと従来例よりも短く、しかも、ばらつきが小さく安定していることが分かる。
このように、表面層に微細で緻密な孔を有する実施例1では、表面層に涙滴状の孔を有する従来例に比べて、立ち上げ処理時間を短縮できるとともに、ばらつきを低減できる。
この理由は、次のように考えることができる。すなわち、図1(a)と図3(a)、あるいは、図2(a)と図4(a)とを比較すると分かるように、本発明に従う研磨布の表面層2の孔は、従来の表面層2’の涙滴状の孔に比べて、微細で緻密な略球状の孔となっており、従来の表面層に比べて、孔の開口している部分の面積よりも開口していない壁となる部分の面積が多い表面となっており、このように、表面(研磨面)には、開口していない壁となる部分の面積が多いために、慣らし研磨が促進されて慣らし研磨に要する時間を短縮することができる。
また、表面層2’に涙滴状の孔を有する従来例では、孔の形状が涙滴状であるために、バフ加工の取りしろによっては、開口径が、10μm程度から100μm程度までの範囲でばらつき、それに付随するバリの発生も大きいのに対して、本発明に従う研磨布では、微細で緻密な10μm〜20μm程度の略球状の孔となっているので、バフ加工で生じる孔の開口径のばらつきやそれに付随するバリの発生も低減されることになり、これによって、慣らし研磨に要する時間のばらつきも低減できることになる。
次に、上述の実施例1〜4について、上述と同様に研磨試験を行った。その結果を、図6に示す。
この図6に示すように、実施例1の研磨布の裏面側に、圧縮率が、7%,14%,24%のウレタン含浸不織布を下地層としてそれぞれラミネート加工した実施例2〜4は、実施例1に比べて、柔軟な下地層があるために、変形によるウェハ軌跡への追従性が向上し、立ち上げ処理時間を一層短縮できることが分かる。
この下地層の柔軟性を向上させても、実施例3,4に示されるように、立ち上げ処理時間を不要とするまでには、至らないことも分かる。
本発明は、半導体ウェハや光学部品レンズなどの研磨布として有用である。
1,1’ 基材層
2,2’ 表面層
2,2’ 表面層
Claims (7)
- 基材層と多孔質の表面層とを備える研磨布であって、
前記表面層は、平均径が、1μm以上30μm以下の孔を有することを特徴とする研磨布。 - 単位面積当たりの前記孔の個数が、1000個/mm2以上10000個/mm2以下であることを特徴とする請求項1に記載の研磨布。
- 前記孔が、略球状であることを特徴とする請求項1または2に記載の研磨布。
- 前記表面層は、前記基材層に、ウレタン樹脂溶液を塗布して湿式凝固して形成されることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の研磨布。
- 前記基材層は、ウレタン樹脂を含浸させた不織布または樹脂フィルムからなることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の研磨布。
- ウレタン樹脂を含浸させた不織布からなる前記基材層は、圧縮率が、5%以上30%以下であることを特徴とする請求項5に記載の研磨布。
- 前記基材層が、樹脂フィルムからなり、前記基材層の裏面側に、ウレタン樹脂を含浸させた不織布からなる下地層を備えることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載の研磨布。
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