JP2004291155A - 仕上げ研磨用研磨布 - Google Patents
仕上げ研磨用研磨布 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004291155A JP2004291155A JP2003086812A JP2003086812A JP2004291155A JP 2004291155 A JP2004291155 A JP 2004291155A JP 2003086812 A JP2003086812 A JP 2003086812A JP 2003086812 A JP2003086812 A JP 2003086812A JP 2004291155 A JP2004291155 A JP 2004291155A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polishing
- haze
- polishing cloth
- finish
- cloth
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Abstract
【解決手段】半導体ウェハなどの仕上げ研磨に用いるスエード調の研磨布の表面粗さを、算術平均粗さ(Ra)で5μm以下としており、かかるスエード調の研磨布によって、シリコンウェハなどの半導体ウェハの仕上げ研磨を行うことで、半導体ウェハのヘイズを大幅に低減することができる。
【選択図】 図2
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、仕上げ研磨用の研磨布に関し、更に詳しくは、シリコンウェハなどの半導体ウェハの仕上げ研磨に好適な仕上げ研磨用研磨布に関する。
【0002】
【従来の技術】
一般に、半導体ウェハの製造工程は、単結晶インゴットをスライスして薄円板状のウェハを得るスライス工程と、ウエハの外周部を面取りする面取り工程と、ウエハを平面化するラッピング工程と、ウエハに残留する加工歪を除去するエッチング工程と、ウエハ表面を鏡面化する鏡面研磨工程と、研磨されたウエハを洗浄する洗浄工程とを含む。
【0003】
ウエハの上記鏡面研磨工程は、基本的に、平坦度の調整を主目的とする粗研磨と、表面粗さを改善することを主目的とする仕上げ研磨とからなる。
【0004】
この仕上げ研磨では、アルカリ溶液中に、コロイダルシリカ等を分散した研磨剤を供給しながらスエード調の研磨布を用いて行われる。
【0005】
スエード調の研磨布は、図1の概略断面図に示されるように、天然繊維、再生繊維または合成繊維からなる編織布または不織布、あるいは、これらにポリウレタンエラストマー等の樹脂またはスチレンブタジエンゴム、ニトリルブタジエンゴム等のゴム状物質を充填して得られる基体1に、ポリウレタンエラストマーの溶液を塗布し、これを凝固液で処理し湿式凝固して多孔質銀面層を形成せしめ、水洗乾燥後、該銀面層表面を研削してナップ層2を形成することにより得られるものである。
【0006】
例えば、シリコンウェハの上記仕上げ研磨において要求される品質の一つとして、ヘイズがある。このヘイズは、PV(Peak to Valley)値が10nm以下、数〜数十nmの周期の極めて微細な凹凸とされている。
【0007】
近年、半導体デバイスの高集積化、デザインルールの微細化に伴って、精密で精緻な回路パターンの線描を可能にするために、表面粗さの要求精度は、益々厳しくなっており、上述のヘイズの改善も要求されている。
【0008】
かかるヘイズは、上述のように、極めて微細な凹凸であって、上述のコロイダルシリカ等の粒子のサイズが影響していると考えられており、ヘイズなどの改善を目的した研磨液および研磨方法も提案されている(例えば、特許文献1参照)。
【0009】
しかしながら、上述のコロイダルシリカ等の粒子のサイズを小さくしてヘイズの改善を図ろうとしても、小粒子のコロイダルシリカは、非常に不安定で凝集が起こり易く、粒子径の制御が困難であるという問題がある。
【0010】
【特許文献1】
特開平11−140427号公報
【0011】
【発明が解決しようとする課題】
したがって、本発明は、以上のような点に鑑みて為されたものであって、従来、難しいと考えられていた仕上げ研磨用研磨布によって、半導体ウェハなどの被研磨物の表面粗さ、特にヘイズを改善することを解決すべき課題とする。
【0012】
【課題を解決するための手段】
本件発明者は、実験等に基づき、鋭意研究した結果、仕上げ研磨用研磨布の表面粗さを規定することによって、被研磨物のヘイズを改善できることを見出して本発明を完成した。すなわち、本発明の仕上げ研磨用研磨布は、表面粗さが、算術平均粗さ(Ra)で5μm以下である。
【0013】
1つの実施態様では、算術平均粗さ(Ra)は、1μm以上である。また1つの実施態様では、算術平均粗さ(Ra)が、3μm以上5μm以下である。さらに1つの実施態様では、シリコンウェハなどの半導体ウェハの仕上げ研磨に好適であって、スエード調の研磨布であるのが好ましい。
【0014】
本発明によると、表面粗さが、算術平均粗さ(Ra)で5μm以下の研磨布で半導体ウェハなどの被研磨物の仕上げ研磨を行うことで、被研磨物の表面のヘイズを改善することができる。
【0015】
【発明の実施の形態】
本発明の仕上げ研磨用研磨布は、スエード調の研磨布であるのが好ましく、例えば、基体にポリウレタンエラストマーの水混和性有機溶剤溶液を塗布し、水系凝固液で処理して基体上に多孔質銀面層を形成せしめた研磨布の銀面層表面を加工することによって得られる。
【0016】
本発明に用いられる基体としては、綿、レーヨン、ポリアミド、ポリエステル、ポリアクリロニトリル等の繊維、または、これらの混合物からなる編織布や不織布、あるいは、これらにスチレンブタジエンゴム、ニトリルブタジエンゴム等のゴム状物質またはポリウレタンエラストマー等の樹脂を充填したものが挙げられるが、特にこれらに限定されるものではない。
【0017】
本発明において、銀面形成用に使用されるポリウレタンエラストマーとは、一般的に、有機ジイソシアネート、ポリオール類及び鎖伸長剤から製造される。有機ジイソシアネートとしては、例えば、ジフェニルメタン−4.4’−ジイソシアネート、トリレン−2,4−ジイソシアネート、キシリレンジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタン−4,4’−ジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート等、或いはこれらの混合物が挙げられるが、特にこれらに限定されるものではない。
【0018】
また、ポリオールとしては、ポリエチレンアジペートグリコール、ポリプロピレンアジペートグリコール、ポリエチレンプロピレンアジペートグリコール、ポリブチレンアジペートグリコール、ポリエチレンプチレンアジペートグリコール、ポリペンタメチレンアジペートグリコール等のポリエステルポリオール類、或いは、ポリエチレンエーテルグリコール、ポリプロピレンエーテルグリコール、ポリテトラメチレンエーテルグリコール、ポリヘキサメチレンエーテルグリコール等のポリエーテルホリオール類、或いは、ラクトン環を開環重合したポリカプロラクトン類等の両末端に水酸基を有する分子量500〜8,000のグリコール、或いは、ポリヘキサメチレンカーボネート、更にはポリヘキサメチレンカーボネートと上述のポリオール類を併用し共重合させたものが挙げられる。
【0019】
また、鎖伸長剤としては、活性水素基を含んだ低分子化合物、例えば、エチレングリコール、プロピレングリコール、ブチレングリコール、ジエチレングリコール等のグリコール類、例えば、エチレンジアミン、トリメチレンジアミン、プロピレンジアミン、ブチレンジアミン等のジアミン類、あるいは、アミノアルコール等を挙げることができる。
【0020】
上述のような組成からなるポリウレタンエラストマーを溶解する溶剤としては、例えば、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、テトラヒドロフラン、ジメチルアセトアミド、エチルアセテート、ジオキサン等の水混和性有機溶剤を挙げることができるが、特にこれらに限定されるものではない。
【0021】
上述のような組成からなるポリウレタンエラストマー溶液の配合物としては、ポリ塩化ビニル、ポリアミド、ポリアクリロニトリル、或いは配合しない物等を挙げることができる。ポリウレタンエラストマー溶液のエラストマー固形分濃度は、好ましくは10〜40%、更に好ましくは、15〜30重量%である。エラストマー固形分濃度が低すぎる場合、溶液粘度が低すぎて、溶液が基体へ過度に浸み込み、良好なる多孔質銀面層が形成されにくくなる。
【0022】
本発明のスエード調の研磨布を製造するには、例えば、次のようにすればよい。
【0023】
すなわち、上述のような組成に調整された銀面形成用ポリウレタンエラストマー溶液を前記基体上にロールコーター、ナイフコーター等の適宜な塗布手段を用いて、好ましくは、150〜1,500g/m2、更に好ましくは、300〜1,200g/m2の塗布量(溶液として)になるように塗布し、次いで水或いは水とポリウレタンエラストマーの溶剤との混合液中に浸漬して湿式凝固せしめた後、脱溶剤のための水洗、乾燥をすることにより、基体面に垂直且つ均一な気孔を有する銀面層を備えたシート状物質が得られる。
【0024】
このシート状物質の表面を、常法にて、銀面表面を穴開け研削し、通常のスエード調の磨布を得る。
【0025】
なお、この銀面表面の研削は、従来のように1回で行ってもよいが、1回の研削量を減らして複数回に分けて行った方が、より滑らかな表面を得る上で好ましい。
【0026】
本発明の仕上げ研磨用研磨布では、以上のようにして得られたスエード調の研磨布を、例えば、サンドペーパー、好ましくは#320番手以上のサンドペーパー、更に好ましくは#320〜#600番手のサンドペーパーを用いて、クリアランス0.5〜2.0、ラインスピード1〜15m/分、ペーパー回転数500〜3000rpmの条件で、表面仕上げを行う。
【0027】
このようにサンドペーパーを用いて表面仕上げされた本発明の仕上げ研磨用研磨布の表面粗さは、算術平均粗さ(Ra)で、5μm以下であり、表面孔形状も均一で且つ断面孔形状が基体面に垂直で均一な気孔を有するスエード調研磨布である。
【0028】
ここで、表面粗さ(Ra)は、JIS B0601−1994に準拠して、直径が8μmの円錐形の触針を有する接触式表面粗さ計で測定して求めた値である。すなわち、粗さ曲線からその平均線の方向に基準長さだけを抜き取り、この抜き取り部分の平均線の方向にX軸を、縦倍率の方向にY軸を取り、粗さ曲線をy=f(x)で表したときに、次式で求められる値をマイクロメートル(μm)で表したものである。
【0029】
【数1】
本発明の仕上げ研磨用研磨布では、この表面粗さ(Ra)が、1μm以上5μm以下であるのが好ましく、より好ましくは、3μm以上5μm以下である。
【0030】
表面粗さ(Ra)が、5μmを越えると、半導体ウェハ表面のヘイズ改善効果が認められず、1μm未満では、当該仕上げ研磨用研磨布の製作が困難である。
【0031】
【実施例】
以下、実施例及び比較例により本発明を更に説明する。
【0032】
この実施例および比較例では、市販されている一般的な仕上げ研磨用のスエード調研磨布A,Bの2種類を使用した。このスエード調研磨布Aは、カーボンを含有するのに対して、スエード調研磨布Bは、カーボンを含有していない。
【0033】
カーボン含有のスエード調研磨布Aと,カーボン非含有のスエード調研磨布Bそれぞれについて、表面仕上げを施さず、あるいは、表面仕上げの度合いを異ならせることにより、下記の表1に示されるように表面粗さ(Ra)の異なる実施例および比較例を製作した。研磨布A,Bそれぞれでは比較例1,2、実施例1としている。
【0034】
これらの比較例1,2および実施例1それぞれについて、次のようにして研磨評価を行なった。すなわち、研磨機は、ストラボー(Strasbaugh)株式会社製の型式6EC(1プラテン−22.5’’、1ヘッド−8’’)を用い、スラリー(研磨液)は、NP8020(希釈倍率 NP8020:DI=1:20)を使用し、8インチのシリコンウェハを被研磨物として研磨した。
【0035】
研磨条件は、プラテン、ヘッドともに回転数99rpm、スラリー流量250ml/min、面圧175g/cm2、研磨時間8minを1回とし、各実施例および各比較例について、5回の研磨をそれぞれ行った。
【0036】
ヘイズの評価については、Tencor社製Tencor−SP1を用いた。この装置では、ヘイズは、ウェハ上に照射した入射光に対する散乱光の百万分率(ppm)で示される。
【0037】
【表1】
なお、上記表1に示されるヘイズは、前記5回の各研磨後のヘイズの平均値を示している。
【0038】
研磨布Aにおいて、比較例1では、その表面粗さ(Ra)は6.7μm、ヘイズは0.043ppm、比較例2では、その表面粗さ(Ra)は5.2μm、ヘイズは0.045ppm、比較例3では、その表面粗さ(Ra)は4.6μm、ヘイズは0.041ppm、実施例1では、その表面粗さ(Ra)は3.3μm、ヘイズは0.032ppmを示す。
【0039】
研磨布Bにおいて、比較例1では、その表面粗さ(Ra)は12.2μm、ヘイズは0.045ppm、比較例2では、その表面粗さ(Ra)は9.0μm、ヘイズは0.046ppm、実施例1では、その表面粗さ(Ra)は5.0μm、ヘイズは0.030ppmを示す。
【0040】
図2は、横軸に1〜5の研磨回数(Run)、縦軸にヘイズ(Haze:ppm)をとる研磨布Bについて各Run毎のヘイズの推移を示している。
【0041】
また、図3は、横軸に1〜5の研磨回数(Run)、縦軸にヘイズ(Haze:ppm)をとる研磨布Aについて各Run毎のヘイズの推移を示している。
【0042】
図2を参照して明らかであるように、研磨布Bの表面粗さ(Ra)が5.0μmを越える比較例1、2では共に研磨回数が増えるに伴ないヘイズが増大しているのに対して、表面粗さ(Ra)が5.0μm以下の実施例1では研磨回数が増えてもほとんどヘイズが増大していない。
【0043】
また、研磨布Aについても図3に示されるように、表面粗さ(Ra)が5.0μm以下の実施例1では、表面粗さ(Ra)が5.0μmを越える比較例1、2に比べて、研磨回数によらず、ヘイズが低減されていることが分かる。
【0044】
このことから表面粗さ(Ra)が5.0μm以下の場合では、研磨の回数が増えてもヘイズがそれほど増大せず、ヘイズが改善されている。
【0045】
表1および図2,図3に示されるように、表面粗さ(Ra)が、5.0μm以下の実施例では、ヘイズの値が大幅に低減され、その推移も、研磨回数の初回から非常に安定していることが分かる。
【0046】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、表面粗さが、算術平均粗さ(Ra)で5μm以下の研磨布で被研磨物の仕上げ研磨を行うことで、半導体ウェハなどの被研磨物の表面のヘイズを大幅に改善することができ、特に、スエード調の研磨布でシリコンウェハの仕上げ研磨を行うことで、シリコンウェハのヘイズを大幅に低減できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】スエード調研磨布の概略断面図である。
【図2】本発明の実施例および比較例のヘイズの推移を示す図である。
【図3】本発明の実施例および比較例のヘイズの推移を示す図である。
【符号の説明】
1 基体
2 ナップ層
Claims (5)
- 表面粗さが、算術平均粗さ(Ra)で5μm以下であることを特徴とする仕上げ研磨用研磨布。
- 前記算術平均粗さ(Ra)が、1μm以上である請求項1に記載の仕上げ研磨用研磨布。
- 前記算術平均粗さ(Ra)が、3μm以上5μm以下である請求項1または2に記載の仕上げ研磨用研磨布。
- 半導体ウェハの仕上げ研磨に用いるものであって、スエード調の研磨布である請求項1ないし3のいずれかに記載の仕上げ研磨用研磨布。
- 前記半導体ウェハが、シリコンウェハである請求項4に記載の仕上げ研磨用研磨布。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003086812A JP4532077B2 (ja) | 2003-03-27 | 2003-03-27 | 仕上げ研磨用研磨布 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003086812A JP4532077B2 (ja) | 2003-03-27 | 2003-03-27 | 仕上げ研磨用研磨布 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004291155A true JP2004291155A (ja) | 2004-10-21 |
JP4532077B2 JP4532077B2 (ja) | 2010-08-25 |
Family
ID=33401340
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003086812A Expired - Lifetime JP4532077B2 (ja) | 2003-03-27 | 2003-03-27 | 仕上げ研磨用研磨布 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4532077B2 (ja) |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006247807A (ja) * | 2005-03-14 | 2006-09-21 | Fujibo Holdings Inc | 研磨布及び研磨布の製造方法 |
JP2010179425A (ja) * | 2009-02-06 | 2010-08-19 | Fujibo Holdings Inc | 研磨パッド |
US8167690B2 (en) | 2006-09-08 | 2012-05-01 | Toyo Tire & Rubber Co., Ltd. | Polishing pad |
US8257153B2 (en) | 2007-01-15 | 2012-09-04 | Toyo Tire & Rubber Co., Ltd. | Polishing pad and a method for manufacturing the same |
US8318298B2 (en) | 2005-07-15 | 2012-11-27 | Toyo Tire & Rubber Co., Ltd. | Layered sheets and processes for producing the same |
US8476328B2 (en) | 2008-03-12 | 2013-07-02 | Toyo Tire & Rubber Co., Ltd | Polishing pad |
US9126303B2 (en) | 2005-08-30 | 2015-09-08 | Toyo Tire & Rubber Co., Ltd. | Method for production of a laminate polishing pad |
US9156127B2 (en) | 2008-12-26 | 2015-10-13 | Toyo Tire & Rubber Co., Ltd. | Polishing pad and method for producing same |
JP2017042852A (ja) * | 2015-08-25 | 2017-03-02 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨パッド、研磨パッドのコンディショニング方法、パッドコンディショニング剤、それらの利用 |
CN113614198A (zh) * | 2019-03-27 | 2021-11-05 | 福吉米株式会社 | 包含具有硅-硅键的材料的研磨对象物的研磨方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11277408A (ja) * | 1998-01-29 | 1999-10-12 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体ウエーハの鏡面研磨用研磨布、鏡面研磨方法ならびに鏡面研磨装置 |
JPH11291157A (ja) * | 1998-02-12 | 1999-10-26 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体ウエ―ハの研磨方法及び該研磨方法に用いる研磨布 |
JP2002075932A (ja) * | 2000-08-23 | 2002-03-15 | Toray Ind Inc | 研磨パッドおよび研磨装置ならびに研磨方法 |
JP2002144220A (ja) * | 2000-09-19 | 2002-05-21 | Rodel Holdings Inc | ミクロ−テクスチャーを備えた研磨パッド |
JP2002273650A (ja) * | 2001-01-09 | 2002-09-25 | Toray Ind Inc | 研磨布 |
-
2003
- 2003-03-27 JP JP2003086812A patent/JP4532077B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11277408A (ja) * | 1998-01-29 | 1999-10-12 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体ウエーハの鏡面研磨用研磨布、鏡面研磨方法ならびに鏡面研磨装置 |
JPH11291157A (ja) * | 1998-02-12 | 1999-10-26 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体ウエ―ハの研磨方法及び該研磨方法に用いる研磨布 |
JP2002075932A (ja) * | 2000-08-23 | 2002-03-15 | Toray Ind Inc | 研磨パッドおよび研磨装置ならびに研磨方法 |
JP2002144220A (ja) * | 2000-09-19 | 2002-05-21 | Rodel Holdings Inc | ミクロ−テクスチャーを備えた研磨パッド |
JP2002273650A (ja) * | 2001-01-09 | 2002-09-25 | Toray Ind Inc | 研磨布 |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006247807A (ja) * | 2005-03-14 | 2006-09-21 | Fujibo Holdings Inc | 研磨布及び研磨布の製造方法 |
US8318298B2 (en) | 2005-07-15 | 2012-11-27 | Toyo Tire & Rubber Co., Ltd. | Layered sheets and processes for producing the same |
US9126303B2 (en) | 2005-08-30 | 2015-09-08 | Toyo Tire & Rubber Co., Ltd. | Method for production of a laminate polishing pad |
US8167690B2 (en) | 2006-09-08 | 2012-05-01 | Toyo Tire & Rubber Co., Ltd. | Polishing pad |
US8257153B2 (en) | 2007-01-15 | 2012-09-04 | Toyo Tire & Rubber Co., Ltd. | Polishing pad and a method for manufacturing the same |
US8476328B2 (en) | 2008-03-12 | 2013-07-02 | Toyo Tire & Rubber Co., Ltd | Polishing pad |
US9156127B2 (en) | 2008-12-26 | 2015-10-13 | Toyo Tire & Rubber Co., Ltd. | Polishing pad and method for producing same |
JP2010179425A (ja) * | 2009-02-06 | 2010-08-19 | Fujibo Holdings Inc | 研磨パッド |
JP2017042852A (ja) * | 2015-08-25 | 2017-03-02 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨パッド、研磨パッドのコンディショニング方法、パッドコンディショニング剤、それらの利用 |
CN113614198A (zh) * | 2019-03-27 | 2021-11-05 | 福吉米株式会社 | 包含具有硅-硅键的材料的研磨对象物的研磨方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4532077B2 (ja) | 2010-08-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6099954A (en) | Polishing material and method of polishing a surface | |
TWI405638B (zh) | 研磨布 | |
US9707663B2 (en) | Polishing pad | |
US6306021B1 (en) | Polishing pad, polishing method, and polishing machine for mirror-polishing semiconductor wafers | |
US7267601B2 (en) | Method of producing polishing cloth | |
TWI519385B (zh) | 雙孔隙結構研磨墊 | |
JP2007512966A (ja) | 低圧力化学機械平坦化のための材料及び方法 | |
JP4532077B2 (ja) | 仕上げ研磨用研磨布 | |
KR100741216B1 (ko) | 반도체 웨이퍼의 제조방법 및 반도체 웨이퍼 | |
JP2006075914A (ja) | 研磨布 | |
JP6228546B2 (ja) | 研磨パッド | |
TW201519994A (zh) | 研磨墊以及其製造方法 | |
JP2007160474A (ja) | 研磨布およびその製造方法 | |
JP2005335028A (ja) | 精密研磨用の研磨布及びその製造方法 | |
JP2004335713A (ja) | 仕上げ研磨用研磨布 | |
JP3187769B2 (ja) | スエード様研磨布 | |
JPH11285961A (ja) | 研磨パッド及び研磨方法 | |
JP2010149259A (ja) | 研磨布 | |
JP2003100681A (ja) | 仕上げ研磨パッド | |
JP2007307641A (ja) | 研磨布およびその製造方法 | |
TWI827778B (zh) | 研磨墊及其製造方法 | |
CN114701105A (zh) | 一种化学机械抛光垫及其制备方法 | |
JP2006272524A (ja) | 研磨用基布およびそれを用いたディスク製造方法 | |
JP5970287B2 (ja) | 研磨布 | |
JP2002059356A (ja) | 半導体ウェーハの研磨方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20051107 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070620 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20071106 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071227 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080826 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091006 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100601 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100610 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 4532077 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130618 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130618 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140618 Year of fee payment: 4 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |