JP2006073715A - 太陽電池 - Google Patents

Abstract

【課題】 良好な水素濃度およびシート抵抗値を有し、もって高いキャリアライフタイムおよび高い変換効率を有する太陽電池を提供すること
【解決手段】 Ｐ型の結晶質シリコン基板の受光面側に窒化シリコン膜を有し、受光面と対向する面にアルミニウムを焼成して形成された電極を有する太陽電池であって、前記窒化シリコン膜中の水素の結合密度が４．０×１０^２１ｃｍ^−３以上５．０×１０^２１ｃｍ^−３以下であり、かつ受光面と対向する側に形成されるＰ^＋層のシート抵抗値が３０Ω／□以上３５Ω／□以下であることを特徴とする太陽電池を提供する。
【選択図】 図１

Description

本発明は、太陽電池に関し、より詳細には、少数キャリアのライフタイムおよび変換効率が良好な太陽電池に関する。

半導体または半導体デバイスの電気的特性は、内部に含まれる不純物や欠陥によって大きく左右される。したがって、半導体または半導体デバイスに含まれる不純物や欠陥を制御することは重要であり、このような不純物や欠陥の制御は半導体を材料として用いた太陽電池においても要求されている。

一般に、結晶質シリコン基板を用いた太陽電池では、材料となる結晶質シリコン基板に含まれる不純物や欠陥が多ければ多いほど太陽電池の特性を低くすることが知られている。そのため製造工程のなかで、基板に含まれる不純物をデバイスの特性に影響のない場所に移動させるゲッタリングや、欠陥を不活性化するパッシベーションといった技術が数多く開発されている。

こうした技術の一つとして、Ｐ型結晶シリコン基板の片側の面にプラズマＣＶＤ法で窒化シリコン膜を堆積し、もう片方の面にはアルミニウムを堆積した後、この基板をシリコンとアルミニウムの共晶温度以上に加熱する方法がある。下記非特許文献１ではこの方法によって、窒化シリコン膜中に含まれる水素が加熱中に放出され、シリコン基板内に入り込み、シリコン基板内に存在する欠陥を終端し、不活性化することによって、基板の少数キャリアのライフタイム値を大きく伸ばすことが記載されている。

下記非特許文献１に記載の方法が太陽電池の分野で有用である理由は、窒化シリコン膜の堆積が反射防止膜の形成を兼ね、また、アルミニウムの堆積後の焼成が太陽電池の特性向上に必要不可欠である裏面電界層の形成を兼ねる、という具合に太陽電池製造プロセスに合致しており、他に余分な作業工程を加えることなくシリコン基板を高品質化できるからである。

一方、上記方法を発展させたものとして、高速熱処理（Ｒａｐｉｄ Ｔｈｅｒｍａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓ，以下ＲＴＰと略記）を利用した方法もある。ＲＴＰとはデバイスの製造において、焼成プロセスを従来よりも大幅に高速化する方法のことである。この方法はもともと半導体デバイスの製造プロセス等でドーパントの拡散の深さなどを制御することを主な目的とした技術であるが、太陽電池の分野では、プロセスの時間を短くすることによるスループットの向上とそれにともなうコスト低減を主要な目的として取り入れられている。

しかしながら、当初はＲＴＰを採用することでスループットを向上することはできるものの、太陽電池セル特性自体は低下すると一般に認識されていた。しかし、最近では下記非特許文献１に開示されるように、窒化シリコン膜とアルミニウムの焼成にＲＴＰを用いると、従来よりも高いシリコン基板改質効果が見られ、それにより太陽電池の特性が向上したという報告がある。

従来までの焼成過程に対するＲＴＰの基板改質効果の優位性は、窒化シリコン膜からシリコン基板への水素の量と関係付けられている。すなわち、下記非特許文献２によれば、窒化シリコン膜からシリコン基板に水素を放出するためには、高温で焼成することが必要となるが、逆に高温で保持している時間が長すぎると一度シリコン基板に取り込んだ水素を再度放出することになるため、焼成している時間の短いＲＴＰが優位であると記載されている。

しかし、非特許文献２では、具体的な水素の物性値に関して開示も示唆もなく、太陽電池の特性に大きな影響を与える裏面電界層（ＢＳＦ）に対する検討もされておらず、ＲＴＰの優位性を肯定することは難しい。実際、非特許文献２と同じ研究グループから発表された非特許文献３では、アルミニウムの焼成をＲＴＰ炉を使用して昇温過程と降温過程を急速に行なう方法として、高温での保持時間を１分間と１秒間にした条件を比較した実験を行なっているが、これらの異なる２条件で得られた太陽電池特性の最高値は全く同等であり、優劣は認められない。したがって非特許文献１および２の開示内容からは、高温処理自体が基板の品質を劣化させる効果とＲＴＰで水素を基板にとどめる効果とを区別できていない。さらに、セル特性に大きな影響を与える裏面電界層の構造について、厚さに対する議論は記載されているが、シリコン中のドーパント濃度を反映しているシート抵抗値と太陽電池特性との相関関係については何ら記載されていない。

一方、非特許文献４においては、ＲＴＰで焼成する前に、プラズマＣＶＤを用いて窒化シリコン膜を形成する際、プラズマの周波数が低い方がシリコン基板の表面に水素の取り込みを多くでき、この場合アルミニウムの焼成温度の最適値は相対的に低くなるとしている。しかし、この技術は単にシリコン基板からの水素の脱離を低減することを意図しているため、基板自体の品質だけを指標にしており、セル変換効率との直接的な相関を記載してはいない。したがって、裏面電界層に関する開示もなく、デバイスの性能については全く示唆もされていない。

上述したように、従来の技術における、ＲＴＰを使用して窒化シリコン膜とアルミニウムを堆積したシリコン基板を焼成する方法は、シリコン基板に十分に水素を取り込むことに注力されているものの、水素に関する定量的なデータとセル特性との相関を示した前例はなく、さらに、最適な裏面電界層を同時に形成し、デバイスとしての性能を評価したものはなく、真に優れた特性を有する太陽電池を得ることができるか否かは不明であり問題であった。
米国特許第５５１０２７１号公報 Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，２０００，８７，ｐ７５５１ Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，２００３，８２，ｐ２２４ ３ｒｄ Ｗｏｒｌｄ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ ｏｎ Ｐｈｏｔｏｖｏｌｔａｉｃ Ｅｎｅｒｇｙ Ｃｏｎｖｅｒｓｉｏｎ （４Ｐ−Ｂ４−３９） ３ｒｄ Ｗｏｒｌｄ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ ｏｎ Ｐｈｏｔｏｖｏｌｔａｉｃ Ｅｎｅｒｇｙ Ｃｏｎｖｅｒｓｉｏｎ （４Ｐ−Ｃ４−８）

本発明は、上記従来の技術の問題を解決するためになされたものであり、良好な水素濃度およびシート抵抗値を有し、もって高い少数キャリアライフタイムおよび高い変換効率を有する太陽電池を提供することを目的とする。

本発明の１つの局面によれば、Ｐ型の結晶質シリコン基板の受光面側に窒化シリコン膜を有し、受光面と対向する面にアルミニウムを焼成して形成された電極を有する太陽電池であって、前記窒化シリコン膜中の水素の結合密度が４．０×１０^２１ｃｍ^−３以上５．０×１０^２１ｃｍ^−３以下であり、かつ受光面と対向する側に形成されＰ^＋層のシート抵抗値が３０Ω／□以上３５Ω／□以下であることを特徴とする太陽電池が提供される。

本発明によれば、窒化シリコン膜およびアルミニウムを堆積したシリコン基板を焼成する際に、シリコン基板に十分に水素を取り込むと同時に、一度基板に取り込んだ水素を基板内部に保持し続け、かつ最適な裏面電界層を形成するという複数の条件を満たすことができるようになり、従って太陽電池の変換効率を向上させることができる。

本発明の太陽電池は、Ｐ型の結晶質シリコン基板の受光面側に窒化シリコン膜を有し、受光面と対向する面にアルミニウムを焼成したことによって形成した電極を有する太陽電池であって、前記窒化シリコン膜中の水素の結合密度が４×１０^２１ｃｍ^−３以上５×１０^２１ｃｍ^−３以下であり、かつ受光面と対向する側に形成される裏面電界層のシート抵抗値が３０Ω／□以上３５Ω／□以下であることを特徴とする。

このような太陽電池は焼成後の状態でシリコン基板に十分に水素を取り込んでおり、かつ最適なＰ^＋層が形成されているため、従来よりも特性の向上した太陽電池となる。

以下、本発明を、図を用いて詳細に説明する。図１は、本発明の太陽電池の製造プロセスを示す、概略断面図である。なお、本実施形態においては、基板１としてＰ型多結晶シリコン基板を用いた例を示すが、別の基板を用いる場合は、下記の工程で示す各処理材料として、それに適した公知の材料を用いることができる。

まず、図１（ａ）のように、洗浄のために、ＮＨ_４ＯＨ／Ｈ_２Ｏ_２／Ｈ_２Ｏ溶液で基板１をボイルした後、ＨＦ／Ｈ_２Ｏ溶液にて酸化膜を除去し、その後、ＨＣｌ／Ｈ_２Ｏ_２／Ｈ_２Ｏ溶液でボイルする。つぎに、純水で充分にリンスした後、表面ダメージ層を除去するために、ＨＮＯ_３／ＨＦ混合溶液でエッチングをし、次いでテクスチャ加工の目的で、ＮａＯＨ水溶液による異方性エッチングを行ない、その後スピン乾燥する。

次いで、図１（ｂ）に示すように、基板１の表面にｎ型半導体層２を形成することを目的として、ＰＯＣｌ_３の気相拡散によって、ＰをＮ_２およびＯ_２の雰囲気中、８５０℃にて約１０分間拡散する。

続いて、図１（ｃ）に示すように、基板１の受光面以外の部分、すなわち、基板１の裏面および側面などに形成された拡散層２’を除去するために、受光面として使用する部分に耐酸性のテープを貼って保護した後、ＨＮＯ_３／ＨＦ混合溶液でエッチングを行なう。

続いて、図１（ｄ）に示すように、反射防止膜３の形成を目的として、受光面側のｎ型半導体層２の上に、プラズマＣＶＤ法によって、厚さ７００ｎｍの窒化シリコン膜を堆積する。

続いて、図１（ｅ）に示すように、基板１の裏面側に電極層を形成するために、Ａｌペースト４を基板１の縁を１ｍｍ残すようにして、ほぼ全面にスクリーン印刷し、１５０℃で充分に乾燥させる。

続いて、図１（ｆ）に示すように、Ａｌペースト４の焼成により、ＳｉとＡｌとの合金層を形成し、裏面電界層（ＢＳＦ）効果のあるｐ^＋層５および裏面電極層６を形成する。

ここで、本実施形態において基板を加熱するために用いた高速熱処理用の炉の横断面を図２に模式的に示す。図２に示す装置を用いた理由は、熱処理過程における昇温速度および降温速度を正確に制御するためであるが、温度を十分に制御可能ならば、図２に示す炉に限定されることなく、その他の構成の装置を用いることも可能である。

図２において、まず、炉の扉２３から、焼成すべきシリコン基板２１を、石英ガラスでできたチェンバ２２の中に挿入し、上下に設置されたタングステン・ハロゲンランプ２４によって基板２１を加熱する。基板の温度は、室温付近の低温領域においては、基板２１のすぐそばにおいたダミーシリコン基板２５上の熱電対によって観測することができる。また、ＳｉとＡｌが反応を起こすような高温領域においては、基板２１の下方に設置された赤外放射温度計（パイロメータ）２６によって観測する。

パイロメータ２６は、温度を正確にモニターするために、あらかじめ熱電対を用いて温度校正を行なうことが好ましい。熱処理は、特定の最高温度まで昇温して当該最高時間で維持し、その後、特定の温度まで降温する。炉には、窒素と酸素を、チェンバの後の部分２７から流す。それぞれの流量は、窒素を２ＳＬＭ（標準状態でのＬ／分）とし、酸素を２ＳＬＭとすることができる。

続いて、図１（ｇ）に示すように、受光面側にスクリーン印刷で銀ペーストを印刷し、ベルト炉で焼成して、受光面側に電極７を形成する。

このようにして、本発明の太陽電池を製造することができる。このような太陽電池は、Ｐ型シリコン基板の片方の面に窒化シリコン膜を堆積し、もう片方の面に蒸着法または印刷法によってアルミニウムを堆積した後、その基板をシリコンとアルミニウムの共晶温度以上で加熱する工程で、共晶温度以上に加熱する時の最高温度を７８０℃以上８６０℃以下とし、なおかつ最高温度で保持する時間が３秒以上１０秒以下とすることを特徴とする。

本発明において、窒化シリコン膜中の水素の結合密度が４．０×１０^２１ｃｍ^−３以上５．０×１０^２１ｃｍ^−３以下であり、かつ受光面と対向する側に形成される裏面電界層として機能するＰ^＋のシート抵抗値が３０Ω／□以上３５Ω／□以下であることを特徴とする。窒化シリコン膜中の水素の結合密度が４．０×１０^２１ｃｍ^−３未満であると、裏面電極の焼成の際に窒化シリコン膜からの水素の放出量が多すぎるため、シリコン基板内への水素の供給が十分でなくなるおそれがある。また、５．０×１０^２１ｃｍ^−３を超えると、裏面電極の焼成の際に窒化シリコン膜からの水素の放出量が少なすぎるため、上記と同様にシリコン基板内への水素の供給が十分でなくなるおそれがある。好ましくは、４．２×１０^２１ｃｍ^−３以上４．８×１０^２１ｃｍ^−３以下である。

また、本発明において、受光面と対向する側に形成されるＰ^＋層のシート抵抗値は、３０Ω／□以上３５Ω／□以下であることを特徴とする。受光面と対向する側に形成される裏面電界層のシート抵抗値が３０Ω／□未満であると、シリコン基板へのアルミニウムの拡散が過度に高濃度であるため、シリコン基板中の少数キャリアのライフタイムを低下させ、結果的に太陽電池の電流が低下するおそれがあり、３５Ω／□を超えると、シリコン基板へのアルミニウムの拡散が十分でないため、適正なＰ^＋層が形成されておらず、太陽電池の電流が低下するおそれがある。好ましくは、３１Ω／□以上３４Ω／□以下である。

本発明において、窒化シリコン膜中に含まれる水素の結合密度は次のように測定することができる。太陽電池で使用される窒化シリコン膜中に含まれる水素はＳｉ−Ｈ結合あるいはＮ−Ｈ結合の形で存在している。そこで、これらの結合密度の和が膜中に含まれる水素の結合密度である。このような考えのもと、まず窒化シリコン膜中に含まれるＳｉ−Ｈ結合密度とＮ−Ｈ結合密度との和を測定するために、フーリエ変換赤外分光法（以下ＦＴ−ＩＲと略す）によって窒化シリコン膜の赤外吸収スペクトルを観測する。フーリエ変換赤外分光法のデータからＳｉ−Ｈ結合密度とＮ−Ｈ結合密度との和は以下のように求められる。まず、各結合の種類ごとの密度は次の式（１）によって与えられる。

ＮＨｉ＝（１．４×１０２０／ｄ）・（Ａｉ／ωｉ） …（１）
ただし、ＮＨｉ（ｉ＝１，２）：水素濃度ｃｍ^−３、ｄ：膜厚ｃｍ、Ａｉ（ｉ＝１，２）：積分強度、ωｉ（ｉ＝１，２）：ピーク中心位置、である。ｄはエリプソメトリなどを用いて求めることができる。また、１．４×１０^２０は赤外吸収スペクトル強度を水素密度に変換するための比例定数である。

なお、式（１）中のＡｉ／ωｉは、本来∫（α（ω）／ω）ｄω、でなければならない。ただし、α（ω）は波長ωのときの吸光度である。しかしながら、計算の煩雑さのために、近似的に式（１）を用いることができる。この近似によって生じる誤差は通常１％以内であるので計算上は問題がないと推定される。

式（１）より、
ＮＳｉ：Ｓｉ−Ｈとして存在している水素密度
ＮＮ：Ｎ−Ｈとして存在している水素密度
がそれぞれ求められるので、最終的に窒化シリコン膜中のＳｉ−Ｈ結合密度とＮ−Ｈ結合密度との和は次の式（２）によって求められる。

ＮＨ＝ＮＳｉ＋ＮＮ …（２）
また、裏面電界層のシート抵抗値の測定は以下のような方法で測定できる。Ｐ型シリコン基板にアルミニウムを拡散して形成したＰ^＋層のシート抵抗値は次の式（３）を使って求められる。

（１／Ｒｍ）＝（１／Ｒ_ｂｕｌｋ）＋（１／Ｒ_ｐ＋） …（３）
ただし、Ｒｍ：測定値、Ｒ_ｂｕｌｋ：拡散層を含まないシリコン基板のシート抵抗値、Ｒｐ^＋：Ｐ^＋層のシート抵抗値、である。ここで、Ｒ_ｂｕｌｋ＝ρ／ｄと表すことができる。なお、ρ：基板の抵抗率、ｄ：Ｐ^＋層を除いたシリコン基板の厚さ、である。Ｐ^＋層の厚さは走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で非特許文献４に示してある方法と同様の方法で求めることができる。

本発明において、製造した太陽電池の特性は、ソーラーシミュレータを用いて、当該分野で公知の手法により、測定することができる。

（実施例１）
基板１として、抵抗率０．５Ωｃｍ，厚さ３５０μｍ，初期ライフタイム１０μｓ程度の特性を有する、ｐ型多結晶シリコン基板を用い、図１に示した各工程を経て、本発明の太陽電池を作製した。なお、本実施例１においては、図１（ｆ）に示す熱処理工程において、昇温速度８０℃／ｓで７８０℃まで昇温し、最高温度である７８０℃に達した後、３秒間この温度を維持し、その後、降温速度５０℃／ｓで５５０℃まで温度を下げた。

製造した太陽電池において、当該太陽電池の特性を詳細に調べるために、まず窒化シリコン膜中の水素結合密度を求め、図３のグラフにプロットした。図３において、縦軸は水素密度を示し、横軸は最高温度での保持時間を示す。

続いて、太陽電池をＨＣｌ／Ｈ_２Ｏ溶液につけて裏面電極を剥離した。その後、裏面電界層のシート抵抗値を求め、測定結果を図４のグラフにプロットした。図４において、縦軸はｐ^＋層シート抵抗値を示し、横軸は最高温度での保持時間を示す。

続いて、受光面側の電極、ｎ^＋拡散層、裏面電極と裏面電解層を、ＨＮＯ_３／ＨＦ混合溶液でエッチングして取り除き、洗浄のために、ＮＨ_４ＯＨ／Ｈ_２Ｏ_２／Ｈ_２Ｏ溶液でボイルした後、ＨＦ／Ｈ_２Ｏ溶液にて酸化膜を除去し、その後、ＨＣｌ／Ｈ_２Ｏ_２／Ｈ_２Ｏ溶液でボイルした。最後に、純水で充分にリンスした後、スピン乾燥を行ない、ライフタイムをマイクロ波ＰＣＤ（Ｐｈｏｔｏｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｄｅｃａｙ）法によって測定し、その結果を図５のグラフにプロットした。図５において、縦軸はライフタイムを示し、横軸は最高温度での保持時間を示す。

また、製造した太陽電池について、ソーラーシミュレータ（条件ＡＭ１．５、２５℃）で、太陽電池のエネルギー変換効率を測定した。その結果を図６のグラフにプロットした。図６において、縦軸は変換効率を示し、横軸は最高温度での保持時間を示す。

（実施例２〜６）
実施例１における図１（ｆ）の焼成工程において、最高温度と、その最高温度で保持する時間を表１に示すように変更した以外は実施例１と同様の手順で太陽電池を作製し、実施例１と同様の測定および分析を行ない、その結果を図３〜６に併記する。

（比較例１〜１９）
実施例１における図１（ｆ）の焼成工程において、最高温度と、その最高温度で保持する時間を表１に示すように変更した以外は実施例１と同様の手順で太陽電池を作製し、実施例１と同様の測定および分析を行ない、その結果を図３〜６に併記する。

実施例１〜６および比較例１〜１９の結果を示す図３〜６から次のことが明らかとなった。

まず、図３の水素結合濃度から、熱処理温度が高いほど、また高温での保持時間が長いほど、窒化シリコン膜からの水素の放出が多いと言える。放出した水素は一度シリコン基板内に入り込み、その内の一部の水素は焼成雰囲気中に再放出されると考えられる。したがって、窒化シリコン膜からシリコン基板への水素の供給は十分な量が焼成の最後まで継続される必要がある。よって、焼成後の水素結合濃度が低い窒化シリコン膜を持つ太陽電池はすでに焼成中に水素の供給が十分ではなくなったと判断でき、シリコン基板の水素によるパッシベーションが適切ではないと考えられる。

逆に、熱処理温度が低くまた高温での保持時間が短いと、水素結合濃度は相対的に高くなっている。この場合、そもそも窒化シリコン膜からシリコン基板へ水素の供給量が少ないと考えられる。したがって、水素結合濃度が高い窒化シリコン膜を持つ太陽電池は水素によるパッシベーションが十分ではないと考えられる。

図５から判断すると処理後のライフタイムが高い焼成条件は、７８０℃以上８６０℃以下の温度で３秒以上１０秒以下での焼成である。図３から、これらの条件は、窒化シリコン膜の水素密度が４．０×１０^２１ｃｍ^−３以上５．０×１０^２１ｃｍ^−３以下のときに相当する。従ってこの範囲がシリコン基板への水素の供給が適正であり、この条件のときの基板のライフタイムが高いと判断される。

つぎに、裏面電界層として機能するＰ^＋層の形成という観点から見ると、熱処理温度が高いほどＰ^＋層のシート抵抗値が低くなる。高温での保持時間もシート抵抗値に影響するが、熱処理温度の方が支配的なパラメータであるように思われる。したがって、熱処理温度が低すぎるとＰ^＋層のシート抵抗は高くなる。この場合、Ｐ^＋層が適正に形成されず、変換効率を低下させる。逆にあまり温度が高すぎるとＰ^＋層が高濃度になりすぎ、基板のライフタイムを低くすることにつながり、これもまた変換効率を低下させる。図６から判断すると変換効率が高くなる条件は７８０℃以上８６０℃以下の温度で３秒以上１０秒以下での焼成である。これを踏まえて図４を見るとこれらの結果はシート抵抗値が３０Ω／□以上３５Ω／□以下である場合に得られていることがわかる。従ってこの範囲のシート抵抗値が高い変換効率を得るのに有効であると判断できる。

以上のような窒化シリコン膜の条件とＰ^＋層のシート抵抗値を満たすためには焼成の際、共晶温度以上に加熱する時の最高温度が７８０℃以上８６０℃以下であり、最高温度で保持する時間が３秒以上１０秒以下であることが必要であることが明らかとなった。

今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。

本発明の太陽電池の製造プロセスを示す概略断面図である。 基板を加熱するために用いる高速熱処理用の炉の横断面の模式図である。 太陽電池中の窒化シリコン膜中の水素結合密度と最高温度での保持時間との関係を、グラフを用いて表す図である。 太陽電池中の裏面電界層のシート抵抗値と最高温度での保持時間との関係を、グラフを用いて表す図である。 太陽電池における少数キャリアのライフタイムと最高温度での保持時間との関係を、グラフを用いて表す図である。 太陽電池の変換効率と最高温度での保持時間との関係を、グラフを用いて表す図である。

符号の説明

１，２１ 基板、２ ｎ型半導体層、２’ 拡散層、３ 反射防止層、４ Ａｌペースト、５ ｐ^＋層、６ 裏面電極層、７ 電極、２２ チェンバ、２３ 炉の扉、２４ タングステン・ハロゲンランプ、２５ ダミーシリコン基板、２６ 赤外放射温度計、２７ チェンバの後の部分。

Claims (3)

1. Ｐ型の結晶質シリコン基板の受光面側に窒化シリコン膜を有し、受光面と対向する面にアルミニウムを焼成して形成された裏面電極を有する太陽電池であって、
   前記窒化シリコン膜中の水素の結合密度が４×１０^２１ｃｍ^−３以上５×１０^２１ｃｍ^−３以下であり、かつ受光面と対向する側に形成されたＰ^＋層のシート抵抗値が３０Ω／□以上３５Ω／□以下であることを特徴とする太陽電池。
2. 窒化シリコン膜中に電極をさらに備えることを特徴とする、請求項１に記載の太陽電池。
3. アルミニウムの焼成は、シリコンとアルミニウムとの共晶温度以上で行われることを特徴とする、請求項１または２に記載の太陽電池。

Images