JP2006069814A - 窒化アルミニウム積層基板 - Google Patents
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Cited By (4)
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|---|---|---|---|---|
| JP2009062248A (ja) * | 2007-09-10 | 2009-03-26 | Cpd Gijutsu Kenkyusho:Kk | 超微粒子原料を用いる窒化アルミニウム単結晶の育成法 |
| WO2009090923A1 (ja) | 2008-01-16 | 2009-07-23 | National University Corporation Tokyo University Of Agriculture And Technology | 積層体およびその製造方法 |
| JP2017122028A (ja) * | 2016-01-07 | 2017-07-13 | Jfeミネラル株式会社 | 窒化アルミニウム単結晶 |
| JP2019142771A (ja) * | 2019-06-06 | 2019-08-29 | Jfeミネラル株式会社 | 窒化アルミニウムウェーハの製造方法 |
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2004
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Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009062248A (ja) * | 2007-09-10 | 2009-03-26 | Cpd Gijutsu Kenkyusho:Kk | 超微粒子原料を用いる窒化アルミニウム単結晶の育成法 |
| WO2009090923A1 (ja) | 2008-01-16 | 2009-07-23 | National University Corporation Tokyo University Of Agriculture And Technology | 積層体およびその製造方法 |
| US20110094438A1 (en) * | 2008-01-16 | 2011-04-28 | Akinori Koukitu | Laminated body and the method for production thereof |
| JP2017122028A (ja) * | 2016-01-07 | 2017-07-13 | Jfeミネラル株式会社 | 窒化アルミニウム単結晶 |
| WO2017119305A1 (ja) * | 2016-01-07 | 2017-07-13 | Jfeミネラル株式会社 | 窒化アルミニウム単結晶 |
| KR20180094051A (ko) * | 2016-01-07 | 2018-08-22 | 제이에프이미네라르 가부시키가이샤 | 질화 알루미늄 단결정 |
| US10704162B2 (en) | 2016-01-07 | 2020-07-07 | Jfe Mineral Company, Ltd | Aluminum nitride single crystal |
| KR102176894B1 (ko) * | 2016-01-07 | 2020-11-10 | 제이에프이미네라르 가부시키가이샤 | 질화 알루미늄 단결정 |
| JP2019142771A (ja) * | 2019-06-06 | 2019-08-29 | Jfeミネラル株式会社 | 窒化アルミニウムウェーハの製造方法 |
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