JP2006059854A

JP2006059854A - 基板処理装置及び基板処理方法

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Publication number: JP2006059854A
Application number: JP2004237256A
Authority: JP
Inventors: Hiroyuki Nakada; 宏幸中田
Original assignee: Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2004-08-17
Filing date: 2004-08-17
Publication date: 2006-03-02
Anticipated expiration: 2024-08-17
Also published as: JP4485286B2

Abstract

【課題】不良基板の発生、生産性の低下、プロセス不良の発生、装置構成や基板搬送制御の複雑化を生じさせず、さらに、二酸化炭素を無駄に消費することもないようにして、純水に二酸化炭素を溶解させるか否かを切り換えることを可能にする。
【解決手段】 CO₂洗浄モジュールよりも上流側の剥離処理モジュールで基板が検知され（Ｓ１でＹＥＳ）、その基板の洗浄に純水への二酸化炭素の溶解が不要である場合であっても（Ｓ４でＮＯ）、その時点で洗浄モジュール内に存在している別の基板に対して二酸化炭素の溶解された純水が供給されている場合は（Ｓ５でＹＥＳ）、この二酸化炭素の溶解された純水の供給を受けている基板が下流側の基板処理モジュールに移動するまでは、洗浄モジュールの溶解機構による純水への二酸化炭素の溶解を停止させないようになっている（Ｓ５，Ｓ６，Ｓ７３，Ｓ７４）。
【選択図】図３

Description

本発明は、基板処理装置及び基板処理方法に関し、特に、純水、又は二酸化炭素が溶解された純水のいずれによって基板を洗浄するかを切り換える技術に関する。

従来から、特許文献１に示されるように、剥離処理後の基板に残存する剥離液を中和させるために、二酸化炭素を溶解させた純水によって、剥離処理後の基板を洗浄する基板処理装置が知られている。このような基板処理装置において、純水、又は二酸化炭素が溶解された純水のいずれによっても基板を洗浄できるようにするためには、(1)基板処理装置における基板洗浄モジュールまで基板が搬送されてきた時点で、純水に二酸化炭素を溶解させるか否かを切り換える機構、(2)インデクサ等による基板の投入規制を行って、二酸化炭素を溶解させた純水による洗浄が必要な基板と、二酸化炭素を溶解させない純水による洗浄で足りる基板の搬送間隔を広げ、純水への二酸化炭素の溶解有無の切り換えに要する時間を確保する機構が考えられる。(3)さらには、二酸化炭素を溶解させた純水による洗浄が必要ではない基板に対して、二酸化炭素を溶解させた純水による洗浄を行っても、基板に不具合が生じないことから、二酸化炭素を溶解させた純水による洗浄の要否に拘わらず、全ての基板に対して、二酸化炭素を溶解させた純水による洗浄を行う機構を採用することも考えられる。
特開２００２−１４１２６９号

しかしながら、上記(1)の機構によれば、二酸化炭素を溶解した純水による洗浄が不要な基板ａが基板洗浄モジュールに搬送されてきたときに、純水に二酸化炭素を溶解している状態から溶解しない状態に切り換えると、当該基板ａよりも前に基板洗浄モジュールに搬入され、二酸化炭素を溶解した純水による洗浄が必要な基板ｂの洗浄が終わっていない場合は、この基板ｂに対する中和処理が充分に行われないことになり、不良基板が発生する虞がある。また、基板洗浄モジュールに基板が進入する直前で基板ａの搬送を停止させ、基板洗浄モジュールで洗浄中の基板ｂが基板洗浄モジュールから搬出されるのを待って、純水への二酸化炭素の溶解を停止させるようにすると、当該基板搬送停止による生産性の低下や、基板搬送停止に伴って、基板洗浄モジュール以外のモジュールにおけるプロセス不良を招く虞がある。

また、上記(2)の機構の場合、上記基板投入規制による生産性の低下や、装置構成や基板搬送制御の複雑化を招くことになる。さらに、上記(3)の機構の場合、二酸化炭素を無駄に消費してしまうことになる。

本発明は、上記の問題を解決するためになされたもので、不良基板の発生、生産性の低下、プロセス不良の発生、装置構成や基板搬送制御の複雑化を生じさせず、さらに、二酸化炭素を無駄に消費することなく、純水に二酸化炭素を溶解させるか否かを切り換えることができる基板処理装置及び基板処理方法を提供することを目的とするものである。

本発明の請求項１に記載の発明は、純水に二酸化炭素を溶解させる溶解機構と、純水又は前記溶解機構によって二酸化炭素が溶解された純水を供給する供給機構とを有し、剥離液が供給された基板に対して純水、又は二酸化炭素が溶解された純水のいずれかを供給して洗浄する洗浄モジュールを備える基板処理装置であって、
基板に対して行う処理内容を示すレシピデータに基づいて、当該基板の洗浄に二酸化炭素を溶解した純水を用いるか否かを、前記洗浄モジュール内で当該基板に対して前記供給機構により純水、又は二酸化炭素が溶解された純水のいずれかが供給されるより前に判断する第１判断手段と、
前記洗浄モジュールの供給機構によって、純水、又は二酸化炭素が溶解された純水のいずれが前記洗浄モジュール内の基板に対して供給されているかを判断する第２判断手段と、
前記第１判断手段によって当該基板の洗浄に純水を用いると判断され、かつ、その時点で前記洗浄モジュール内に存在している別の基板に対して前記供給機構により二酸化炭素の溶解された純水が供給されていると前記第２判断手段が判断した場合は、この二酸化炭素が溶解された純水の供給を受けている基板に対する前記洗浄モジュール内での洗浄処理が完了した後に、前記洗浄モジュールの溶解機構による純水への二酸化炭素の溶解を停止させる制御手段と
を備えたものである。

また、請求項７に記載の発明は、純水、又は前記溶解機構により二酸化炭素が溶解された純水を、剥離液が供給された基板に対して供給して、少なくとも第１の基板及び第２の基板を連続して洗浄する基板処理方法であって、
前記第２の基板を純水を用いて洗浄する前の時点において、二酸化炭素が溶解された純水が第１の基板に供給されている場合には、第１の基板に対する洗浄処理が完了した後に、前記溶解機構による純水への二酸化炭素の溶解を停止させるものである。

これらの構成では、当該基板の洗浄に純水を用いると判断され、かつ、その時点で前記洗浄モジュール内に存在している別の基板に対して前記供給機構により二酸化炭素の溶解された純水が供給されている場合には、この二酸化炭素が溶解された純水の供給を受けている基板に対する洗浄モジュール内での洗浄処理が完了するまでは、洗浄モジュールの溶解機構による純水への二酸化炭素の溶解を停止させないようになっている。

また、請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の基板処理装置であって、前記制御手段は、前記第１制御手段により当該基板の洗浄に純水を用いると判断され、かつ、その時点において前記洗浄モジュール内では二酸化炭素が溶解された純水が基板に対して供給されていないと第２判断手段が判断した場合であって、前記洗浄モジュールの溶解機構によって純水へ二酸化炭素が溶解されているときには、前記洗浄モジュールの溶解機構による純水への二酸化炭素の溶解を即座に停止させるものである。

また、請求項８に記載の発明は、請求項７に記載の基板処理方法であって、第２の基板を純水を用いて洗浄する前の時点において、二酸化炭素の溶解された純水が第１の基板に対して供給されていない場合であって、前記溶解機構によって純水へ二酸化炭素が溶解されているときには、前記洗浄モジュールの溶解機構による純水への二酸化炭素の溶解を即座に停止させるものである。

これらの構成では、基板の洗浄に純水への二酸化炭素の溶解が不要である場合であって、その時点において洗浄モジュール内では二酸化炭素の溶解された純水が基板に対して供給されていない場合には、洗浄モジュールの溶解機構による純水への二酸化炭素の溶解を即座に停止させるようになっている。

また、請求項３に記載の発明は、請求項１又は請求項２に記載の基板処理装置であって、前記制御手段は、前記第１判断手段によって当該基板の洗浄に二酸化炭素が溶解された純水を用いると判断され、かつ、その時点において前記洗浄モジュールの溶解機構によって純水に二酸化炭素が溶解されていないときには、当該溶解機構に純水への二酸化炭素の溶解を即座に開始させるものである。

また、請求項９に記載の発明は、請求項７又は請求項８に記載の基板処理方法であって、第２の基板を二酸化炭素が溶解された純水を用いて洗浄する前の時点において、前記溶解機構によって純水へ二酸化炭素が溶解されていない場合には、前記溶解機構に純水への二酸化炭素の溶解を即座に開始させるものである。

これらの構成では、基板の洗浄に純水への二酸化炭素の溶解が必要である場合であって、洗浄モジュール内の供給機構において、純水へ二酸化炭素が溶解されていない場合には、この溶解機構に純水への二酸化炭素の溶解を即座に開始させるようになっている。

また、請求項４に記載の発明は、請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の基板処理装置であって、前記洗浄モジュールに向けて搬送される基板の位置を検知する上流側基板検知手段をさらに備え、
前記第１判断手段は、前記上流側基板検知手段が基板を検知したときに、基板に対して行う処理内容を示す前記レシピデータに基づいて、当該基板の洗浄に二酸化炭素を溶解した純水を用いるか否かを判断するものである。

この構成では、洗浄モジュールに向けて搬送される基板の位置を上流側基板検知手段が検知したときに、第１判断手段が、上記レシピデータに基づいて、当該基板の洗浄に二酸化炭素を溶解した純水を用いるか否かを判断するようになっている。

また、請求項５に記載の発明は、請求項４に記載の基板処理装置であって、前記上流側基板検知手段は前記洗浄モジュールに向けて搬送される基板の位置を検知するセンサを有し、当該センサの配設位置を、当該センサによって基板が検知されてから、当該基板が前記洗浄モジュール内で前記溶解機構によって二酸化炭素の溶解された純水が前記供給機構によって供給開始されるために要する時間以上となる位置としたものである。

この構成によれば、上流側基板処理モジュールにおける上流側基板検知センサの配設位置を、この上流側基板検知センサによって基板が検知されてから、洗浄モジュール内で当該基板に二酸化炭素の溶解された純水が供給開始されるために要する時間以上となる位置にすることで、当該基板に対して、二酸化炭素が溶解された純水による洗浄が洗浄モジュールで確実に行われるように、純水への二酸化炭素の溶解を開始するタイミングを調整している。

また、請求項６に記載の発明は、請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の基板処理装置であって、前記洗浄モジュールから基板が搬出されたことを検知する下流側基板検知手段をさらに備え、
前記制御手段は、前記下流側基板検知手段による検出結果に基づいて、基板に対する前記洗浄モジュール内での洗浄処理が完了したか否かを判断するものである。

この構成によれば、下流側基板検知手段が、洗浄モジュールから基板が搬出されたことを検知したときに、制御手段が、下流側基板検知手段による検出結果に基づいて、基板に対する洗浄モジュール内での洗浄処理が完了したか否かを判断するようになっている。

請求項１及び請求項７に記載の発明によれば、当該基板の洗浄に純水を用いると判断され、かつ、その時点で洗浄モジュール内に存在している別の基板に対して供給機構により二酸化炭素の溶解された純水が供給されている場合には、この二酸化炭素が溶解された純水の供給を受けている基板に対する洗浄モジュール内での洗浄処理が完了するまでは、洗浄モジュールの溶解機構による純水への二酸化炭素の溶解を停止させないので、洗浄モジュールで洗浄中の別基板が不良基板になってしまうことがない。また、基板搬送動作を停止させたり、基板投入を規制することなく、純水に二酸化炭素を溶解させないように切り換えるので、生産性の低下、プロセス不良の発生、装置構成や基板搬送制御の複雑化を招くこともない。さらに、二酸化炭素の溶解された純水の供給を受けている別基板が、洗浄モジュールよりも下流側の基板処理モジュールに移動した後は、純水に二酸化炭素を溶解させないので、二酸化炭素の消費量をできるだけ低減することができる。

請求項２及び請求項８に記載の発明によれば、基板の洗浄に純水への二酸化炭素の溶解が不要である場合であって、その時点において洗浄モジュール内では二酸化炭素の溶解された純水が基板に対して供給されていない場合には、洗浄モジュールの溶解機構による純水への二酸化炭素の溶解を即座に停止させることによって、他基板の処理に不具合を生じない限りで可能な限り迅速に、二酸化炭素の溶解を停止させているので、二酸化炭素の消費量を更に低減することができる。

請求項３及び請求項９に記載の発明によれば、基板の洗浄に純水への二酸化炭素の溶解が必要である場合であって、洗浄モジュール内の供給機構において、純水へ二酸化炭素が溶解されていない場合には、この溶解機構に純水への二酸化炭素の溶解を即座に開始させることにより、他基板の処理に不具合を生じない限りで可能な限り迅速に二酸化炭素の溶解を開始させ、二酸化炭素を溶解させた純水による洗浄の必要な基板が洗浄モジュールに搬送されるまでに、二酸化炭素が溶解された純水が当該基板に供給される確実性を高めることができる。

請求項４に記載の発明によれば、洗浄モジュールに向けて搬送される基板の位置を上流側基板検知手段が検知したときに、第１判断手段が、上記レシピデータに基づいて、当該基板の洗浄に二酸化炭素を溶解した純水を用いるか否かを判断するので、当該基板の洗浄に二酸化炭素を溶解した純水を用いるか否かの判断を、当該基板に供給機構から純水、又は二酸化炭素が溶解された純水のいずれかが供給される前の段階で確実に判断することができる。

請求項５に記載の発明によれば、上流側基板処理モジュールにおける上流側基板検知センサの配設位置を、この上流側基板検知センサによって基板が検知されてから、洗浄モジュール内で当該基板に二酸化炭素の溶解された純水が供給開始されるために要する時間以上となる位置にすることで、当該基板に対して、二酸化炭素が溶解された純水による洗浄が洗浄モジュールで確実に行われるように、純水への二酸化炭素の溶解を開始するタイミングを調整している。

請求項６に記載の発明によれば、下流側基板検知手段によって、洗浄モジュールから基板が搬出されたことを検知し、その後に、洗浄モジュールの溶解機構による純水への二酸化炭素の溶解を停止させないようにすることができるので、確実に不良基板の発生を防止することができる。

本発明の実施形態について図面を用いて説明する。図１は、本発明に係る基板処理装置の概略構成を示す図である。本発明に係る基板処理装置１は、剥離処理後の基板に対して純水又は二酸化酸素（以下、CO₂）を溶解した純水による洗浄を行うCO₂洗浄モジュール２と、CO₂洗浄モジュール２の基板搬送方向上流側に配置された剥離処理モジュール３と、CO₂洗浄モジュール２の基板搬送方向下流側に配置された水洗モジュール４とを有している。

剥離処理モジュール３は、基板上に残っているレジストを剥離する処理を行うモジュールである。この剥離処理モジュール３には、基板を下流側のCO₂洗浄モジュール２側に搬送する基板搬送ローラ３１と、剥離処理モジュール３内で基板の先端部（基板搬送方向における）を検知する上流側基板検知センサ３２と、基板に対して剥離液を供給する機構と（図略）を備えている。

上記剥離液としては、少なくともアミンを含んだものが用いられる。例えば、少なくともアミンを含んだ有機物である。この有機剥離液としては、アミン、すなわち、アンモニア分子の中の水素原子を炭化水素基で置換した構造の化合物を含む有機剥離液が用いられる。具体的には例えば、１−メチル−２ピロリドン、テトラヒドロチオフェン１．１−ジオキシド、イソプロパノールアミン、ジメチルスルホシキド、モノエタノールアミン、２−（２アミノエトキシ）エタノール、ヒドロキシアミン、カテコール、Ｎ−メチルピロリドン、アロマテイックジオール、パーフレン、フェノールを主成分とする薬液が使用される。

より具体的な例としては、１−メチル−２ピロリドンとテトラヒドロチオフェン１．１−ジオキシドとイソプロパノールアミンとの混合液（第１例）、ジメチルスルホシキドとモノエタノールアミンとの混合液（第２例）、２−（２アミノエトキシ）エタノールとヒドロキシアミンとカテコールとの混合液（第３例）、２−（２アミノエトキシ）エタノールとＮ−メチルピロリドンとの混合液（第４例）、モノエタノールアミンと水とアロマテイックジオールとの混合液（第５例）、パーフレンとフェノールとの混合液（第６例）などが挙げられる。

上流側基板検知センサ３２は、基板搬送ローラ３１によって搬送される基板の先端部が接触するか否かによって傾きが変わる、いわゆる振り子式のセンサ等からなり、基板の先端部が接触して傾きを変えたことが検出された場合に、基板先端部を検知したことを示す信号を発信するようになっている。また、上流側基板検知センサ３２は、基板先端部を検知した時点でCO₂洗浄モジュール２のCO₂溶解機構（後述）にCO₂溶解を開始させた場合に、当該基板の先端部がCO₂洗浄モジュール２内に搬入されるまでの時間が、CO₂溶解された純水の供給がCO₂洗浄モジュール２の供給機構（後述）によって開始されるために要する時間以上となるように、その配設位置が設定されている。例えば、CO₂洗浄モジュール２によってCO₂を溶解させていない純水による洗浄が行われている場合に、上流側基板検知センサ３２によって基板先端部が検知された時点で、CO₂洗浄モジュール２のCO₂溶解機構（後述）にCO₂溶解開始を開始させても、基板搬送ローラ３１によって搬送される基板の先端部がCO₂洗浄モジュール２内に進入した時には、CO₂を溶解させた純水による洗浄を受けられるように構成されている。

CO₂洗浄モジュール２は、基板を搬送する基板搬送ローラ２１と、この基板搬送ローラ２１によってCO₂洗浄モジュール２内を搬送される基板に対して純水又はCO₂溶解済みの純水を吐出して洗浄する吐出スプレー（供給機構）２２と、CO₂洗浄モジュール２内に基板が到着したことを検知する基板到着検知センサ２３とを有している。基板到着検知センサ２３も、上記上流側基板検知センサ３２の同様の構成からなるいわゆる振り子式のセンサ等である。

さらに、CO₂洗浄モジュール２は、基板洗浄用の純水が貯蔵された洗浄水タンク２４と、この洗浄水タンク２４から吐出スプレー２２に純水を圧送する圧送ポンプ２５と、この圧送ポンプ２５によって吐出スプレー２２に向けて圧送される純水にCO₂を溶解させるか否かを切り換えるCO₂供給バルブ（溶解機構）２６と、CO₂供給バルブ２６の上流側に配設されたCO₂貯蔵部２７とを有している。

水洗モジュール４は、基板を搬送する基板搬送ローラ４１と、水洗モジュール４内に基板の後端部までが進入したことを検知する下流側基板検知センサ４２と、基板に対して純水を供給する機構（図略）とを有する。この下流側基板検知センサ４２は、水洗モジュール４における、CO₂洗浄モジュール２側との境界部付近に設けられており、基板が完全にCO₂洗浄モジュール２から払い出しされたことを検知できるようになっている。下流側基板検知センサ４２も、いわゆる振り子式のセンサ等からなるが、基板の後端部が非接触となって傾きを変えたときに、基板後端部を検知したことを示す信号を発信するようになっている。

このようにCO₂を溶解した純水による中和が必要な基板としては、例えば、銀、銅、アルミニウム、モリブデン、チタンの少なくともいずれかを含んだ金属薄膜が形成された基板がある。この基板は、上記剥離処理モジュール３に搬送されてくるまでに、次の工程を経ている。すなわち、その表面に配線材料として銀、銅、アルミニウム、モリブデンまたはチタン、もしくは少なくともそれらを含んだ合金、例えばアルミネオジウム合金、アルミチタン合金などの合金よりなる金属薄膜を形成する工程、次に、その金属薄膜の上にフォトレジスト液を塗布して、耐エッチング被膜となる感光性被膜を形成する工程、次に、基板を加熱して形成した感光性被膜を固化する工程、次に、基板を冷却して常温に戻す工程、次に、形成した感光性被膜に所望の配線パターンを露光する工程、次に、その露光した感光性被膜を現像する工程、次に、その現像後の感光性被膜のパターンに従い、耐エッチング被膜である感光性被膜が存在しない部分の金属薄膜をエッチングする工程である。上記剥離処理モジュール３に搬送されてくる基板は、フォトリソグラフィによる金属薄膜のパターニングが行われた状態であって、パターニングされて基板上に残った金属薄膜の上にフォトレジストの被膜が残っている状態となっているものである。

また、剥離液が付着していても中和の必要が無く純水で洗浄すれば良い金属薄膜であって、CO₂溶解純水で洗浄しても問題のないものとしては、例えば、インジウム・スズ酸化物（ITO:Indium Tin Oxide）とクロムからなるものが挙げられる。

図２は基板処理装置１に備えられた制御システムの概略構成を示すブロック図である。この制御システム（基板処理制御システム）１０は、基板処理装置１に備えられているCO₂洗浄モジュール２、剥離処理モジュール３、水洗モジュール４等の各モジュールの動作制御を司る制御部１１（ＣＰＵ、ＲＯＭ、ＲＡＭ等を含む）と、操作者からの各基板に対するレシピデータ等の入力を受け付ける操作部１４とを少なくとも有している。また、基板とレシピとの関連付けは制御部１１で管理される。

制御部（第１判断手段、、第２判断手段、制御手段）１１は、CO₂洗浄モジュール２内のCO₂供給バルブ２６によるCO₂供給切り換え動作を制御する。また、制御部１１は、CO₂洗浄モジュール２内の基板到着検知センサ２３と、剥離処理モジュール３内の上流側基板検知センサ３２と、水洗モジュール４内の下流側基板検知センサ４２から送られてくる基板検知信号に基づいて、CO₂供給バルブ２６によってCO₂が供給されるか否かを切り換える制御を行うようになっている。

次に、基板処理装置１によるCO₂洗浄について説明する。図３は、基板処理装置１によるCO₂洗浄時の処理を示すフローチャート、図４は、剥離処理モジュール３内に基板が搬送されてきた時に、CO₂洗浄モジュール２では他の基板に対する洗浄が行われていない状態を表した図、図５は、剥離処理モジュール３内に基板が搬送されてきた時に、CO₂洗浄モジュール２で他の基板に対する洗浄が行われている状態を表した図、図６は、CO₂洗浄モジュール２から水洗モジュール４に基板の払い出しが完了している状態を表した図である。

剥離処理モジュール３内の上流側基板検知センサ３２が基板の先端部を検知した場合、すなわちCO₂洗浄モジュール２の上流側に配置された剥離処理モジュール３に基板Ｇ１が到着した場合（Ｓ１でＹＥＳ）、制御部１１は、この時点で、CO₂洗浄モジュール２においてCO₂を溶解した純水による他の基板Ｇ２の洗浄が行われているかを判断する（Ｓ２）。これは、CO₂供給バルブ２６によってCO₂を供給しているか否か等に基づいて検出することができる。

ここで、CO₂洗浄モジュール２において、CO₂を溶解していない場合は（Ｓ２でＮＯ）、制御部１１は、基板Ｇ１（剥離処理モジュール３に到着した基板）のレシピデータに基づいて、当該基板Ｇ１に対するCO₂洗浄モジュール２での洗浄にCO₂を使用する必要があるか否かを判断する（Ｓ３）。

基板Ｇ１の当該洗浄にCO₂が必要である場合は（Ｓ３でＹＥＳ）、制御部１１は、CO₂供給バルブ２６を切り換えてCO₂を供給させ、吐出スプレー２２からCO₂溶解済みの純水を吐出させる（Ｓ７１）。なお、基板搬送ローラ３１による基板Ｇの搬送動作は停止させず、搬送動作は継続させておく。

基板Ｇ１の上記洗浄にCO₂が不要である場合は（Ｓ３でＮＯ）、制御部１１は、CO₂供給バルブ２６を切り換えずに、CO₂を供給しない状態を継続させ、吐出スプレー２２からはCO₂の溶解されていない純水が吐出される状態を保つ（Ｓ７２）。なお、この場合も、基板搬送ローラ３１による基板Ｇの搬送動作は停止させず、搬送動作は継続させておく。

また、Ｓ２において、剥離処理モジュール３に基板Ｇ１が到着した時に、CO₂洗浄モジュール２において、CO₂を溶解している場合は（Ｓ２でＹＥＳ）、制御部１１は、基板Ｇ１（剥離処理モジュール３に到着した基板）のレシピデータに基づいて、当該基板Ｇ１に対するCO₂洗浄モジュール２での洗浄にCO₂を使用する必要があるか否かを判断し（Ｓ４）、基板Ｇ１の当該洗浄にCO₂が必要である場合は（Ｓ４でＹＥＳ）、制御部１１は、CO₂供給バルブ２６を切り換えずに、吐出スプレー２２からCO₂溶解済みの純水を吐出する状態を保つ（Ｓ７６）。なお、基板搬送ローラ３１による基板Ｇ１の搬送動作は停止させず、搬送動作は継続させておく。

Ｓ４において、基板Ｇ１の当該洗浄にCO₂が不要である場合（Ｓ４でＮＯ）、制御部１１は、基板到着検知センサ２３及び下流側基板検知センサ４２からの信号に基づいて、CO₂洗浄モジュール２内に、先に搬送されている他の基板Ｇ２が残っているかを判断する（Ｓ５）。例えば、基板到着検知センサ２３によって基板が検知され、下流側基板検知センサ４２によって未だ基板後端部が検知されていない場合は、CO₂洗浄モジュール２内に、先に搬送されている他の基板Ｇ２が残っていると判断する。

ここで、図４に示すように、CO₂洗浄モジュール２内に、先に搬送されている他の基板Ｇ２が残っていない場合（Ｓ５でＮＯ）、すなわち、基板Ｇ２について完全に下流側の水洗モジュール４への払い出しが完了している場合、制御部１１は、CO₂供給バルブ２６を切り換えてCO₂供給を停止させ、吐出スプレー２２からはCO₂が溶解されていない純水が吐出される状態とする（Ｓ７５）。なお、基板搬送ローラ３１による基板Ｇ１の搬送動作は停止させず、搬送動作は継続させておく。この場合、制御部１１は、下流側基板検知センサ４２によって基板後端部が検知された以降は、基板Ｇ２がCO₂洗浄モジュール２から完全に払い出されたと判断し、下流側基板検知センサ４２によって基板後端部が検知されたことをもって、基板Ｇ２がCO₂洗浄モジュール２から完全に払い出されたと判断する。

また、図５に示すように、CO₂洗浄モジュール２内に、先に搬送されている他の基板Ｇ２が残っている場合（Ｓ５でＹＥＳ）、制御部１１は、このCO₂洗浄モジュール２内に残っている基板Ｇ２が下流側の水洗モジュール４に完全に払い出されるまでは（Ｓ６でＮＯ）、CO₂供給バルブ２６を切り換えずにCO₂を供給した状態をそのまま維持し、吐出スプレー２２からはCO₂溶解済みの純水が吐出される状態を保つ（Ｓ７４）。なお、基板搬送ローラ３１による基板Ｇ１の搬送動作は停止させず、搬送動作は継続させておく。この場合、CO₂を溶解させた純水による洗浄が不要な基板Ｇ１に対しても、CO₂洗浄モジュール２において、CO₂を溶解させた純水による洗浄が行われる場合があり得るが、CO₂を溶解させた純水による洗浄が不要な基板に対して、CO₂を溶解させた純水による洗浄を行っても、基板に対する悪影響は生じない。

また、図６に示すように、このCO₂洗浄モジュール２内に残っている基板Ｇ２が下流側の水洗モジュール４に完全に払い出されている場合は（Ｓ６でＹＥＳ）、CO₂供給バルブ２６を切り換えてCO₂供給を停止させ、吐出スプレー２２からはCO₂が溶解されていない純水が吐出される状態とする（Ｓ７３）。基板搬送ローラ３１による基板Ｇ１の搬送動作は停止させず、搬送動作は継続させておく。なお、上記のように、CO₂洗浄モジュール２内に残っている基板Ｇ２が下流側の水洗モジュール４に完全に払い出されていないと判断され（Ｓ６でＮＯ）、吐出スプレー２２からはCO₂溶解済みの純水が吐出される状態が保たれている場合は（Ｓ７４）、Ｓ６で基板Ｇ２が水洗モジュール４に完全に払い出されたと判断された後に（Ｓ６でＹＥＳ）、CO₂供給バルブ２６が切り換えられてCO₂が停止され、吐出スプレー２２からCO₂溶解していない純水が吐出されることになる（Ｓ７３）。これにより、CO₂が溶解された純水による洗浄が不要な基板が次に搬送されてきた場合には、先の基板の洗浄に悪影響を与えることなく、極力CO₂の消費量を低減する。

本発明は上記実施の形態の構成に限られず種々の変形が可能である。上述した基板処理装置１の構成は、あくまでも一例にすぎず、上記構成に限定する趣旨ではない。例えば、基板処理装置１では、CO₂洗浄モジュール２、上流側モジュールを剥離処理モジュール３、下流側モジュールを水洗モジュール４としているが、各モジュールは、これらに限定されない。

本発明に係る基板処理装置の概略構成を示す図である。基板処理装置に備えられた制御システムの概略構成を示すブロック図である。基板処理装置によるCO₂洗浄時の処理を示すフローチャートである。剥離処理モジュール内に基板が搬送されてきた時に、CO₂洗浄モジュールでは他の基板に対する洗浄が行われていない状態を表した図である。剥離処理モジュール内に基板が搬送されてきた時に、CO₂洗浄モジュールで他の基板に対する洗浄が行われている状態を表した図である。 CO₂洗浄モジュールから洗浄モジュールに基板の払い出しが完了している状態を表した図である。

符号の説明

１基板処理装置
２ CO₂洗浄モジュール
３剥離処理モジュール
４水洗モジュール
１１制御部
１５ジョブ管理部
２１基板搬送ローラ
２２吐出スプレー
２３基板到着検知センサ
２４洗浄水タンク
２５圧送ポンプ
２６供給バルブ
２７貯蔵部
３１基板搬送ローラ
３２上流側基板検知センサ
４１基板搬送ローラ
４２下流側基板検知センサ
Ｇ１基板
Ｇ２基板

Claims

純水に二酸化炭素を溶解させる溶解機構と、純水又は前記溶解機構によって二酸化炭素が溶解された純水を供給する供給機構とを有し、剥離液が供給された基板に対して純水、又は二酸化炭素が溶解された純水のいずれかを供給して洗浄する洗浄モジュールを備える基板処理装置であって、
基板に対して行う処理内容を示すレシピデータに基づいて、当該基板の洗浄に二酸化炭素を溶解した純水を用いるか否かを、前記洗浄モジュール内で当該基板に対して前記供給機構により純水、又は二酸化炭素が溶解された純水のいずれかが供給されるより前に判断する第１判断手段と、
前記洗浄モジュールの供給機構によって、純水、又は二酸化炭素が溶解された純水のいずれが前記洗浄モジュール内の基板に対して供給されているかを判断する第２判断手段と、
前記第１判断手段によって当該基板の洗浄に純水を用いると判断され、かつ、その時点で前記洗浄モジュール内に存在している別の基板に対して前記供給機構により二酸化炭素の溶解された純水が供給されていると前記第２判断手段が判断した場合は、この二酸化炭素が溶解された純水の供給を受けている基板に対する前記洗浄モジュール内での洗浄処理が完了した後に、前記洗浄モジュールの溶解機構による純水への二酸化炭素の溶解を停止させる制御手段と
を備えた基板処理装置。
前記制御手段は、前記第１制御手段により当該基板の洗浄に純水を用いると判断され、かつ、その時点において前記洗浄モジュール内では二酸化炭素が溶解された純水が基板に対して供給されていないと第２判断手段が判断した場合であって、前記洗浄モジュールの溶解機構によって純水へ二酸化炭素が溶解されているときには、前記洗浄モジュールの溶解機構による純水への二酸化炭素の溶解を即座に停止させる請求項１に記載の基板処理装置。
前記制御手段は、前記第１判断手段によって当該基板の洗浄に二酸化炭素が溶解された純水を用いると判断され、かつ、その時点において前記洗浄モジュールの溶解機構によって純水に二酸化炭素が溶解されていないときには、当該溶解機構に純水への二酸化炭素の溶解を即座に開始させる請求項１又は請求項２に記載の基板処理装置。
前記洗浄モジュールに向けて搬送される基板の位置を検知する上流側基板検知手段をさらに備え、
前記第１判断手段は、前記上流側基板検知手段が基板を検知したときに、基板に対して行う処理内容を示す前記レシピデータに基づいて、当該基板の洗浄に二酸化炭素を溶解した純水を用いるか否かを判断する請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の基板処理装置。
前記上流側基板検知手段は前記洗浄モジュールに向けて搬送される基板の位置を検知するセンサを有し、当該センサの配設位置を、当該センサによって基板が検知されてから、当該基板が前記洗浄モジュール内で前記溶解機構によって二酸化炭素の溶解された純水が前記供給機構によって供給開始されるために要する時間以上となる位置とした請求項４に記載の基板処理装置。
前記洗浄モジュールから基板が搬出されたことを検知する下流側基板検知手段をさらに備え、
前記制御手段は、前記下流側基板検知手段による検出結果に基づいて、基板に対する前記洗浄モジュール内での洗浄処理が完了したか否かを判断する請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の基板処理装置。
純水、又は前記溶解機構により二酸化炭素が溶解された純水を、剥離液が供給された基板に対して供給して、少なくとも第１の基板及び第２の基板を連続して洗浄する基板処理方法であって、
前記第２の基板を純水を用いて洗浄する前の時点において、二酸化炭素が溶解された純水が第１の基板に供給されている場合には、第１の基板に対する洗浄処理が完了した後に、前記溶解機構による純水への二酸化炭素の溶解を停止させる基板処理方法。
第２の基板を純水を用いて洗浄する前の時点において、二酸化炭素の溶解された純水が第１の基板に対して供給されていない場合であって、前記溶解機構によって純水へ二酸化炭素が溶解されているときには、前記洗浄モジュールの溶解機構による純水への二酸化炭素の溶解を即座に停止させる請求項７に記載の基板処理方法。
第２の基板を二酸化炭素が溶解された純水を用いて洗浄する前の時点において、前記溶解機構によって純水へ二酸化炭素が溶解されていない場合には、前記溶解機構に純水への二酸化炭素の溶解を即座に開始させる請求項７又は請求項８に記載の基板処理方法。