JP2006059486A - 光ピックアップ装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 電流電圧変換回路から出力される信号のノイズレベルを低減することが可能な光ピックアップ装置を提供する。
【解決手段】 ビームスプリッタ６で反射された光は、ホログラム素子１１によって、＋１次回折光Ｐ１と０次回折光Ｐ０とを含む複数の回折光に分岐される。＋１次回折光Ｐ１は、サーボ信号検出部１２において電流信号に変換される。０次回折光Ｐ０は、情報信号検出部１３において電流信号に変換される。ＩＶ部１４ｓのＩＶ回路１４ａ〜１４ｄは、サーボ信号検出部１２から出力される電流信号を電圧信号に変換した出力信号Ｓａ〜Ｓｄをそれぞれ出力する。ＩＶ回路１４ｔは、情報信号検出部１３から出力される電流信号を電圧信号に変換した再生信号Ｓｔを出力する。
【選択図】 図１

Description

この発明は、光ピックアップ装置に関し、特に、光ディスクに記録された情報データの再生信号を検出する光ピックアップ装置に関する。

近年、ＢＤ（Blu-ray Disc；登録商標）、ＭＤ（Mini Disc；登録商標）およびＤＶＤ（Digital Versatile Disc）などの光ディスクに対して情報を記録再生する光ピックアップが開発されている。記録再生される情報の大容量化にともない、光ディスクの高密度化および処理の高速化が進んでいる。そのため、高密度に記録された光ディスクから検出される微小信号を高い信頼性で再生することのできる光ピックアップが望まれている。

また、高い信頼性を確保するために、フォーカスエラー検出およびトラッキングエラー検出だけでなく、光ディスクの傾き、対物レンズの変位および光ビームの収差などを検出する機能を有する光ピックアップが望まれている。フォーカスエラー検出とは、光ビームの焦点を光ディスクの記録面に合わせるための機能である。トラッキングエラー検出とは、光ビームを正しく記録トラックに追従させるための機能である。

図５は、従来の光ピックアップ１００が搭載された光ディスク装置１０００の概略的な構成を示した図である。

図５を参照して、従来の光ディスク装置１０００は、光ディスク２と、スピンドルモータ３と、光ピックアップ１００とを備える。光ピックアップ１００は、半導体レーザ４と、コリメータレンズ５と、ビームスプリッタ６と、対物レンズ７と、受光部１０８と、電流電圧変換部（以下、ＩＶ部）１０９と、演算回路１１０とを含む。受光部１０８は、４つの受光領域１０８ａ〜１０８ｄを有する。ＩＶ部１０９は、４つの受光領域１０８ａ〜１０８ｄに対応した４つのＩＶ回路１０９ａ〜１０９ｄを含む。

光ディスク２は、スピンドルモータ３により回転駆動される。半導体レーザ４から出射された光は、コリメータレンズ５によって平行光にされた後、ビームスプリッタ６を透過する。ビームスプリッタ６を透過した光は、対物レンズ７によって光ディスク２に集光される。光ディスク２に集光された光は、反射されて再び対物レンズ７を通過し、ビームスプリッタ６で反射される。

ビームスプリッタ６で反射された光は、受光部１０８において電流信号に変換される。受光部１０８の受光領域１０８ａ〜１０８ｄには、たとえばフォトダイオードが用いられる。なお、ビームスプリッタ６と受光部１０８との間には、通常、光信号の方向等を制御するための光学系が配置されるが、説明を簡単にするため、図５では図示していない。

受光部１０８の受光領域１０８ａ〜１０８ｄから出力される電流は、ＩＶ部１０９のＩＶ回路１０９ａ〜１０９ｄでそれぞれ電圧信号に変換される。ＩＶ回路１０９ａ〜１０９ｄは、出力信号Ｓ１〜Ｓ４をそれぞれ出力する。演算回路１１０は、出力信号Ｓ１〜Ｓ４を加算した再生信号Ｓ５を出力する。

光ピックアップ１００から出力される出力信号Ｓ１〜Ｓ４は、図示しない演算回路によって演算される。その結果、フォーカスエラー信号やトラッキングエラー信号などが生成される。フォーカスエラー信号は、たとえば（Ｓ１＋Ｓ３）−（Ｓ２＋Ｓ４）の演算によって生成される。トラッキングエラー信号は、たとえば（Ｓ１＋Ｓ４）−（Ｓ２＋Ｓ３）の演算によって生成される。光ピックアップ１００から出力される再生信号Ｓ５は、光ディスク２の反射光量の変化として検出される情報信号の再生に用いられる。

上記のような構成を有する従来の光ピックアップにおいて、光ディスクから検出される信号のノイズを低減し、検出される信号の信頼性を確保するための技術がいくつか提案されている。

特許文献１に記載の光信号検出ユニットは、光ディスクからの反射光が検出される複数のフォトダイオードからの信号と、当該複数のフォトダイオードにそれぞれ対応して配置され、光ディスクからの反射光が遮光されている他の複数のフォトダイオードからの信号との差信号をそれぞれ生成する。これにより、電圧変動によるノイズ、半導体レーザの高周波重畳回路およびデジタル回路等から電磁誘導で配線に侵入するノイズ、およびフォトダイオード自体が発生するノイズなどが相殺除去される。

特許文献２に記載の光ディスク装置は、光ディスクからの反射光を検出するフォトダイオードの一方側の端子（たとえばカソード）から出力される検知信号を低速アンプで電流電圧変換してトラッキングに使用し、当該フォトダイオードの他方側の端子（たとえばアノード）から出力される検知信号を高速アンプで電流電圧変換して記録データの再生に用いている。これにより、高速アンプを多用する必要がなくなり、高速アンプによるノイズの影響が排除されるとともに信号帯域が拡大する。また、電流電圧変換された信号が複数の演算増幅器に供給されるので、信号のドライブ能力および抵抗値等の設計に種々の制限が生じなくなる。
特開２００１−６７７０９号公報 特開平３−１４２７１９号公報

高密度に記録された光ディスクから検出される微小信号を高い信頼性で再生するためには、より低ノイズな条件下で再生信号の検出を行なうことのできる光ピックアップが要求される。

図５に示した光ピックアップ１００では、ＩＶ部１０９の４つのＩＶ回路１０９ａ〜１０９ｄの出力信号Ｓ１〜Ｓ４を加算して再生信号Ｓ５を生成している。このため、ＩＶ部１０９のノイズは、ＩＶ回路が１つの場合に比べて増加してしまう。

特に、半導体レーザ４に青色半導体レーザを用いた場合、受光部１０８の受光領域１０８ａ〜１０８ｄに用いられるフォトダイオードの波長依存性により、光ディスク２からの反射光の検出感度が低くなり検出信号が小さくなる。このため、受光領域１０８ａ〜１０８ｄから出力される電流を電圧に変換するＩＶ回路１０９ａ〜１０９ｄには、極めて低いノイズレベルが要求される。検出信号の変調度が低い光磁気ディスクを再生する光ピックアップにおいても同様に、極めて低いノイズレベルが要求される。

特許文献１に記載の光信号検出ユニットは、複数のＩＶ回路を用いて複数のフォトダイオードの信号をそれぞれ電流電圧変換しており、その出力信号を加算して再生信号を得ている。再生信号を得る際、外来ノイズなどの同相ノイズなどを除去するために、信号検出に用いないフォトダイオードの出力電流を電流電圧変換するＩＶ回路の出力信号も加算している。そのため、外来ノイズなどの同相ノイズを除去することはできるものの、ＩＶ回路自体が発生する相関のないノイズを除去することはできない。

ここで、ノイズＮｐを有する信号ＳｐとノイズＮｑを有する信号Ｓｑとを想定した場合、和信号Ｓｐ＋Ｓｑであっても差信号Ｓｐ−Ｓｑであっても、ノイズレベルは（Ｓｐ²＋Ｓｑ²）^1/2となる。したがって、複数のＩＶ回路によるノイズは、演算の加減算によらず増加し、ＩＶ回路の数が増えるにつれて出力信号の品質が低下してしまう。これは、光ディスクの傾き、対物レンズ変位などを検出する機能を実現するために、より多くの分割フォトダイオードを用いた場合にも同様である。

特許文献２に記載の光ディスク装置は、複数のフォトダイオードの一方端から各フォトダイオードの信号を検出してサーボエラー検出に用い、他方端から各フォトダイオードの加算信号を検出している。そのため、加算するＩＶ回路の数を減らしてノイズを低減することが可能である。しかしながら、フォトダイオードの両端から信号を検出しているため、信号のダイナミックレンジを大きくとることができず、出力信号が小さくなる。その結果、出力信号のＳ／Ｎ比が悪くなるという問題があった。

それゆえに、この発明の目的は、電流電圧変換回路から出力される信号のノイズレベルを低減することが可能な光ピックアップ装置を提供することである。

この発明は、記録媒体を光学的に走査して情報を記録または再生する光ピックアップ装置であって、光源と、光源の出射光が記録媒体に集光して反射された反射光を少なくとも第１および第２の回折光に分離する光学分離素子と、第１の回折光を受光する、複数の受光領域を含むサーボ信号検出部と、第２の回折光を受光する情報信号検出部と、サーボ信号検出部の複数の受光領域からそれぞれ出力される複数の電流信号を複数の電圧信号にそれぞれ変換する複数の電流電圧変換回路と、情報信号検出部から出力される電流信号を電圧信号に変換する第２の電流電圧変換回路とを備える。第２の電流電圧変換回路から出力される電圧信号は、記録媒体に記録された情報を再生するための再生信号を生成するのに用いられ、第１の回折光と第２の回折光との総和に対する第２の回折光の分光比率は、複数の電流電圧変換回路の数に応じて定まる。

好ましくは、分光比率は、複数の電流電圧変換回路の数の平方根の逆数よりも大きい。

好ましくは、複数の電流電圧変換回路の各々の出力レベルは、光源からの出射光が記録媒体に情報を記録する際の高パワーであっても飽和しないように設定されている。

好ましくは、第２の電流電圧変換回路のゲインは、複数の電流電圧変換回路の各々のゲインと同等かそれ以上である。

好ましくは、サーボ信号検出部、情報信号検出部、複数の電流電圧変換回路および第２の電流電圧変換回路は、１つの半導体基板上に形成されており、サーボ信号検出部、情報信号検出部、複数の電流電圧変換回路、第２の電流電圧変換回路および光学分離素子は、１つのユニットに集積化されている。

好ましくは、情報信号検出部は、分割されていない１つの受光領域において第２の回折光を受光する。

この発明によれば、電流電圧変換回路から出力される信号のノイズレベルを低減することが可能となる。

以下、この発明の実施の形態について図面を参照して詳しく説明する。なお、図中同一または相当部分には同一符号を付してその説明は繰り返さない。

［実施の形態１］
図１は、この発明の実施の形態１による光ピックアップ１が搭載された光ディスク装置１０の概略的な構成を示した図である。

図１を参照して、実施の形態１の光ディスク装置１０は、光ピックアップ１と、光ディスク２と、スピンドルモータ３とを備える。光ピックアップ１は、半導体レーザ４と、コリメータレンズ５と、ビームスプリッタ６と、対物レンズ７と、ホログラム素子１１と、サーボ信号検出部１２と、情報信号検出部１３と、電流電圧変換部（以下、ＩＶ部）１４ｓと、ＩＶ回路１４ｔとを含む。

サーボ信号検出部１２は、４つの受光領域１２ａ〜１２ｄを有する。ＩＶ部１４ｓは、４つの受光領域１２ａ〜１２ｄに対応した４つのＩＶ回路１４ａ〜１４ｄを含む。ＩＶ回路１４ａ〜１４ｄ，１４ｔを総称して、ＩＶ回路１４と称する。

光ディスク２は、スピンドルモータ３により回転駆動される。半導体レーザ４から出射された光は、コリメータレンズ５によって平行光にされた後、ビームスプリッタ６を透過する。ビームスプリッタ６を透過した光は、対物レンズ７によって光ディスク２に集光される。光ディスク２に集光された光は、反射されて再び対物レンズ７を通過し、ビームスプリッタ６で反射される。

ビームスプリッタ６で反射された光は、ホログラム素子１１によって、＋１次回折光Ｐ１と０次回折光Ｐ０とを含む複数の回折光に分岐される。＋１次回折光Ｐ１は、サーボ信号検出部１２において電流信号に変換される。サーボ信号検出部１２の受光領域１２ａ〜１２ｄには、たとえばフォトダイオードが用いられる。

サーボ信号検出部１２の受光領域１２ａ〜１２ｄから出力される電流信号は、ＩＶ部１４のＩＶ回路１４ａ〜１４ｄでそれぞれ電圧信号に変換される。ＩＶ回路１４ａ〜１４ｄは、出力信号Ｓａ〜Ｓｄをそれぞれ出力する。

光ピックアップ１から出力される出力信号Ｓａ〜Ｓｄは、図示しない演算回路によって演算される。その結果、フォーカスエラー信号やトラッキングエラー信号などが生成される。フォーカスエラー信号は、出力信号Ｓａ，Ｓｂの差動演算によって生成される。トラッキングエラー信号は、出力信号Ｓｃ，Ｓｄの差動演算によって生成される。

図２は、ホログラム素子１１によって回折された＋１次回折光Ｐ１がサーボ信号検出部１２の受光領域１２ａ〜１２ｄに入射する様子を示した模式図である。

図２に示すように、ホログラム素子１１は、３つのホログラム領域１１ａｂ，１１ｃ，１１ｄを有する。ホログラム領域１１ａｂに入射した＋１次回折光Ｐ１ａｂは、サーボ信号検出部１２の受光領域１２ａ，１２ｂの方向に回折される。受光領域１２ａ，１２ｂで受光された＋１次回折光Ｐ１ａｂからは、たとえばフーコー法と呼ばれる検出方式により、フォーカスエラー信号が検出される。

ホログラム領域１１ｃに入射した＋１次回折光Ｐ１ｃは、サーボ信号検出部１２の受光領域１２ｃの方向に回折される。ホログラム領域１１ｄに入射した＋１次回折光Ｐ１ｄは、サーボ信号検出部１２の受光領域１２ｄの方向に回折される。受光領域１２ｃ，１２ｄで受光された＋１次回折光Ｐ１ｃ，Ｐ１ｄからは、たとえばプッシュプル法と呼ばれる検出方式により、トラッキングエラー信号が検出される。

再び図１を参照して、ホログラム素子１１によって分岐された０次回折光Ｐ０は、情報信号検出部１３において電流信号に変換される。情報信号検出部１３には、たとえば１つのフォトダイオードが用いられる。情報信号検出部１３から出力される電流信号は、ＩＶ回路１４ｔで電圧信号に変換される。ＩＶ回路１４ｔは、再生信号Ｓｔを出力する。光ピックアップ１から出力される再生信号Ｓｔは、図示しない再生信号処理回路で２値データに変換される。これにより、光ディスク２に記録された情報の再生が行なわれる。

ここで仮に、ＩＶ回路１４ａ〜１４ｄの出力信号Ｓａ〜Ｓｄを加算した信号を上記再生信号として用いる場合を考える。ＩＶ回路１４ａ〜１４ｄのノイズは、相関のないノイズ（ホワイトノイズ）であると一般に考えられる。そのため、ＩＶ回路１４ａ〜１４ｄのノイズは単純に加算され、ＩＶ回路全体のノイズレベルは２乗和の平方根となる。

ＩＶ回路１４ａ〜１４ｄの各ノイズをそれぞれＮ１〜Ｎ４とすると、ＩＶ回路全体のノイズレベルは（Ｎ１²＋Ｎ２²＋Ｎ３²＋Ｎ４²）^1/2となる。ＩＶ回路１４ａ〜１４ｄの各ノイズが等しくＮｃであるとすれば、ＩＶ回路全体のノイズレベルは（４Ｎｃ²）^1/2＝２Ｎｃとなり、１つのＩＶ回路のノイズの２倍となる。

これに対し、実施の形態１の光ピックアップ１では、１つのＩＶ回路１４ｔを用いて再生信号の検出を行なっている。このとき、ＩＶ回路全体のノイズレベルは、ＩＶ回路１４ｔのノイズレベルＮｃとなる。したがって、ホログラム素子１１の０次回折光Ｐ０を電流信号に変換した後、１つのＩＶ回路１４ｔを用いて情報再生信号を検出することにより、ＩＶ回路全体でのノイズレベルを半減することができる。

次に、ホログラム素子１１で光束を分岐することに伴う再生信号のレベル低下の影響について考察する。ホログラム素子１１で分岐される＋１次回折光Ｐ１の光量ＰＰ１と、０次回折光Ｐ０の光量ＰＰ０との比は、
（ＰＰ０／（ＰＰ０＋ＰＰ１））＞０．５ （１）
に設定されている。式（１）の右辺の値は、ＩＶ回路部１４ｓにおけるＩＶ回路数（図１では４つ）の平方根の逆数である。

式（１）は、ホログラム素子１１で分岐される＋１次回折光Ｐ１の光量ＰＰ１と０次回折光Ｐ０の光量ＰＰ０との総和に対して、情報信号検出部１３に入射する０次回折光Ｐ０の光量ＰＰ０がその０．５倍よりも大きいことを意味する。これは、ホログラム素子１１で光束を分岐することに伴う再生信号（０次回折光）のレベル低下が０．５倍よりも小さいことを意味している。

これに対し、ホログラム素子１１で分岐された０次回折光から１つのＩＶ回路１４ｔを用いて再生信号を検出した場合、上記したように、ＩＶ回路全体でのノイズレベルは半減する。したがって、式（１）に従うことにより、ホログラム素子１１で光束を分岐することに伴う再生信号のレベル低下よりも、それによるＩＶ回路全体でのノイズレベルの低減効果の方を大きくすることができる。これにより、得られる再生信号Ｓｔの品質を高めることが可能となる。

図３は、光ピックアップ１におけるＩＶ回路１４ａ〜１４ｄ，１４ｔを代表したＩＶ回路１４の構成の一例を示した回路図である。

図３を参照して、ＩＶ回路１４は、ＩＶ変換部３１と、フォトダイオード３７とを含む。ＩＶ変換部３１は、オペアンプ３２と、抵抗３３，３５と、キャパシタ３４，３６とを含む。

フォトダイオード３７は、アノード端子が接地ノードに、カソード端子がオペアンプ３２の反転入力端子に、それぞれ接続されている。抵抗３３は、オペアンプ３２の反転入力端子と出力端子との間に接続されており、抵抗３３と並列にキャパシタ３４が接続されている。抵抗３５は、基準電圧Ｖｒｅｆの電源ノードとオペアンプ３２の非反転入力端子との間に接続されており、抵抗３５と並列にキャパシタ３６が接続されている。

キャパシタ３４は、ＩＶ回路１４の発振を防いで、動作を安定化させるためのものである。抵抗３５およびキャパシタ３６は、オペアンプ３２の出力オフセットを低減し、ＩＶ回路１４の動作を安定化させるためのものである。

フォトダイオード３７に光が入射すると、入射光量に比例した電流Ｉｐｈがカソード端子に流れる。電流Ｉｐｈが抵抗３３（抵抗値をＲとする）を流れることで、抵抗３３の両端に電位差が発生する。この電位差が、図１のＩＶ回路１４の出力信号Ｓｘとして、オペアンプ３２の出力端子から出力される。基準電圧Ｖｒｅｆに対する出力信号Ｓｘの電圧値は、上記の入射光量に比例して上昇する。すなわち、出力信号Ｓｘの電圧Ｖｘは、
Ｖｘ＝Ｉｐｈ・Ｒ＋Ｖｒｅｆ （２）
と計算される。式（２）から分かるように、ＩＶ回路１４の電流電圧変換ゲイン（変換係数）は、抵抗３３の抵抗値Ｒによって決まる。抵抗値Ｒが大きいほど電流電圧変換ゲインが大きくなり、より大きな出力信号Ｓｘが得られる。なお、図１のＩＶ回路１４ａ〜１４ｄ，１４ｔの各電流電圧変換ゲインは、全て同じ値に設定されている。

上述したように、ホログラム素子１１で分岐される＋１次回折光Ｐ１の光量ＰＰ１と、０次回折光Ｐ０の光量ＰＰ０との比は、（ＰＰ０／（ＰＰ０＋ＰＰ１））＞０．５に設定されている。そのため、再生信号Ｓｔの検出に用いられる０次回折光Ｐ０を一括して受光するＩＶ回路１４ｔの出力電流は、１次回折光Ｐ１を分割して受光するＩＶ回路１４ａ〜１４ｄの４つの出力電流の和よりも大きい。

図１を参照して、ＩＶ回路１４ａ〜１４ｄ，１４ｔの各電流電圧変換ゲインは、全て同じ値に設定されている。そのため、ＩＶ回路１４ｔから出力される再生信号Ｓｔのレベルは、ＩＶ回路１４ａ〜１４ｄからそれぞれ出力される出力信号Ｓａ〜Ｓｄの各レベルの４倍以上となる。

ＩＶ回路１４ａ〜１４ｄの各出力レベルは、半導体レーザ４からの出力光が光ディスク２に情報データを記録する際の高パワーであっても飽和しないように設定されている。このため、ＩＶ回路１４ｔの電流電圧変換ゲインがＩＶ回路１４ａ〜１４ｄの各電流電圧変換ゲインと同等かそれ以上であっても、半導体レーザ４からの出力光が再生時のレーザパワーであれば、再生信号Ｓｔが飽和することはない。

一般に、情報データを記録する際の半導体レーザ４のレーザパワーは、再生時の４倍以上である。したがって、ＩＶ回路１４ｔから出力される再生信号ＳｔのレベルがＩＶ回路１４ａ〜１４ｄからそれぞれ出力される出力信号Ｓａ〜Ｓｄの各レベルの４倍以上であっても、半導体レーザ４からの出力光が再生時のレーザパワーであれば、再生信号Ｓｔが飽和することはない。なお、再生信号Ｓｔは情報データを記録する際には用いられないので、記録時にたとえ再生信号Ｓｔが飽和したとしても問題にはならない。

このように、実施の形態１のＩＶ回路１４ｔは、０次回折光Ｐ０を一括して受光する場合でも電流電圧変換ゲインを低下させることなく再生信号Ｓｔを検出することができる。これにより、再生信号ＳｔのＳ／Ｎ比を向上させることが可能となる。

以上のように、実施の形態１によれば、光ディスクからの反射光をサーボ信号検出部と情報信号検出部とに分割し、両者に分配される光量をサーボ信号検出部に対するＩＶ回路の数に応じて調整することによって、ＩＶ回路全体でのノイズレベルを低減することが可能となる。

［実施の形態２］
図４は、この発明の実施の形態２による光ピックアップ１Ａの概略的な構成を示した断面図である。

図４を参照して、実施の形態２の光ピックアップ１Ａは、実施の形態１の光ピックアップ１の一部を１つのユニットに集積化したものである。光ピックアップ１Ａは、半導体レーザ４と、ビームスプリッタ６ａと、全反射ミラー６ｂと、ホログラム素子１１と、カバー４０と、サブマウント（台座）４１と、光検出ユニット４２とを含む。光検出ユニット４２は、サーボ信号検出部１２と、情報信号検出部１３と、ＩＶ部１４ｓと、ＩＶ回路１４ｔとを含む。

半導体レーザ４は、サブマウント（台座）４１の上に設置されている。カバー４０は、半導体レーザ４と、サブマウント４１と、光検出ユニット４２とを覆っている。カバー４０は、半導体レーザ４の出射光および図１の光ディスク２からの反射光が通過できるように、光の通る部分が透明であるか、または開口された構造を有する。

半導体レーザ４から出射された光は、ビームスプリッタ６ａを透過して、光ピックアップ１Ａから出射される。光ピックアップ１Ａから出射された光は、図４では示していないが、コリメータレンズによって平行光にされた後、対物レンズによって光ディスクに集光される（図１参照）。当該光ディスクに集光された光は、反射されて再び対物レンズを通過し、光ピックアップ１Ａに再び入射する。

光ピックアップ１Ａに再び入射した光は、ビームスプリッタ６ａで反射された後、全反射ミラー６ｂによってさらに反射される。全反射ミラー６ｂによって反射された光は、ホログラム素子１１によって、＋１次回折光Ｐ１と０次回折光Ｐ０とを含む複数の回折光に分岐される。＋１次回折光Ｐ１は、サーボ信号検出部１２において電流信号に変換される。０次回折光Ｐ０は、情報信号検出部１３において電流信号に変換される。

光検出ユニット４２は、サーボ信号検出部１２と、情報信号検出部１３と、ＩＶ部１４ｓと、ＩＶ回路１４ｔとを含み、一つの半導体基板上に形成されている。ＩＶ部１４ｓは、サーボ信号検出部１２から出力される電流信号を電圧信号に変換した出力信号Ｓａ〜Ｓｄを出力する。ＩＶ回路１４ｔは、情報信号検出部１３から出力される電流信号を電圧信号に変換した再生信号Ｓｔを出力する。こうして、出力信号Ｓａ〜Ｓｄおよび再生信号Ｓｔが光ピックアップ１Ａから出力される。

以上のように、実施の形態２によれば、光ピックアップの一部を１つのユニットに集積化することにより、情報信号検出部およびそれに対応するＩＶ回路を新たに設けても、光ピックアップを小型化することが可能となる。

今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した実施の形態の説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。

本発明の光ピックアップを用いることによって、信頼性の高い再生信号を得ることができる。本発明の光ピックアップは、特に、再生信号の検出感度が低い光ピックアップに好適に用いることができる。

したがって、本発明は、単に、光ピックアップを製造する産業分野のみならず、発光素子や光情報記録再生装置を製造する産業分野や、光ピックアップに関する他の各種電子・電気部品を製造する産業分野に対しても適用することができる。

この発明の実施の形態１による光ピックアップ１が搭載された光ディスク装置１０の概略的な構成を示した図である。 ホログラム素子１１によって回折された＋１次回折光Ｐ１がサーボ信号検出部１２の受光領域１２ａ〜１２ｄに入射する様子を示した模式図である。 光ピックアップ１におけるＩＶ回路１４ａ〜１４ｄ，１４ｔを代表したＩＶ回路１４の構成の一例を示した回路図である。 この発明の実施の形態２による光ピックアップ１Ａの概略的な構成を示した断面図である。 従来の光ピックアップ１００が搭載された光ディスク装置１０００の概略的な構成を示した図である。

符号の説明

１，１Ａ，１００ 光ピックアップ、２ 光ディスク、３ スピンドルモータ、４ 半導体レーザ、５ コリメータレンズ、６，６ａ ビームスプリッタ、６ｂ 全反射ミラー、７ 対物レンズ、１０、１０００ 光ディスク装置、１１ ホログラム素子、１１ａｂ，１１ｃ，１１ｄ ホログラム領域、１２ サーボ信号検出部、１２ａ〜１２ｄ，１０８ａ〜１０８ｄ 受光領域、１３ 情報信号検出部、１４ｓ，１０９ 電流電圧変換部（ＩＶ部）、１４ａ〜１４ｄ，１４ｔ，１４，１０９ａ〜１０９ｄ ＩＶ回路、３１ ＩＶ変換部、３２ オペアンプ、３３，３５ 抵抗、３４，３６ キャパシタ、３７ フォトダイオード、４０ カバー、４１ サブマウント（台座）、４２ 光検出ユニット、１０８ 受光部、１１０ 演算回路。

Claims (6)

1. 記録媒体を光学的に走査して情報を記録または再生する光ピックアップ装置であって、
   光源と、
   前記光源の出射光が前記記録媒体に集光して反射された反射光を少なくとも第１および第２の回折光に分離する光学分離素子と、
   前記第１の回折光を受光する、複数の受光領域を含むサーボ信号検出部と、
   前記第２の回折光を受光する情報信号検出部と、
   前記サーボ信号検出部の前記複数の受光領域からそれぞれ出力される複数の電流信号を複数の電圧信号にそれぞれ変換する複数の電流電圧変換回路と、
   前記情報信号検出部から出力される電流信号を電圧信号に変換する第２の電流電圧変換回路とを備え、
   前記第２の電流電圧変換回路から出力される前記電圧信号は、前記記録媒体に記録された情報を再生するための再生信号を生成するのに用いられ、
   前記第１の回折光と前記第２の回折光との総和に対する前記第２の回折光の分光比率は、前記複数の電流電圧変換回路の数に応じて定まる、光ピックアップ装置。
2. 前記分光比率は、前記複数の電流電圧変換回路の数の平方根の逆数よりも大きい、請求項１に記載の光ピックアップ装置。
3. 前記複数の電流電圧変換回路の各々の出力レベルは、前記光源からの出射光が前記記録媒体に情報を記録する際の高パワーであっても飽和しないように設定されている、請求項１に記載の光ピックアップ装置。
4. 前記第２の電流電圧変換回路のゲインは、前記複数の電流電圧変換回路の各々のゲインと同等かそれ以上である、請求項３に記載の光ピックアップ装置。
5. 前記サーボ信号検出部、前記情報信号検出部、前記複数の電流電圧変換回路および前記第２の電流電圧変換回路は、１つの半導体基板上に形成されており、前記サーボ信号検出部、前記情報信号検出部、前記複数の電流電圧変換回路、前記第２の電流電圧変換回路および前記光学分離素子は、１つのユニットに集積化されている、請求項１に記載の光ピックアップ装置。
6. 前記情報信号検出部は、分割されていない１つの受光領域において前記第２の回折光を受光する、請求項１に記載の光ピックアップ装置。

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