JP2006054358A - 半導体を使用する電子部品の評価方法及び半導体を使用する電子部品の管理方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 半導体を使用する電子部品の表面ラフネスを、X軸、Y軸は平面、Z軸は半導体表面ラフネスの大きさという形で測定する第1の工程と、第1の工程で得られた結果を用いてZ軸方向に対してフーリエ変換を行う第2の工程と、第2の工程で得られた値を数値的に定量化する第3の工程と、第3の工程で数値的に定量化された表面ラフネスの大きさを周波数で積分する第4の工程と、第4の工程で得られた積分値と移動度との相関関係を求める第5の工程とを具備し、第1乃至第5の工程から予め、第4の工程で得られた積分値と移動度の関係を調べておくことで、半導体表面のラフネスの大きさから、その半導体を用いた電子部品の移動度を類推することを特徴とする、半導体を使用する電子部品の評価方法。
【選択図】 図1
Description
この影響は直接ロット間のばらつきとなり電子部品のばらつきに直接影響する。
その一つが移動度である。電子部品の移動度は、半導体表面のラフネスの大きさにより変化することが知られている。
だが表面ラフネスの大きさから直接的に電子部品の移動度を導く方法は存在していない。
半導体を使用する電子部品の表面ラフネスを、X軸、Y軸は平面、Z軸は半導体表面ラフネスの大きさという形で測定する第1の工程と、
前記第1の工程で得られた結果を用いて、Z軸方向に対してフーリエ変換を行う第2の工程と、
前記第2の工程で得られた値を、数値的に定量化する第3の工程と、
前記第3の工程で数値的に定量化された表面ラフネスの大きさを、周波数で積分する第4の工程と、
前記第4の工程で得られた積分値と移動度との相関関係を求める第5の工程とを具備し、
前記第1乃至前記第5の工程から予め、前記第4の工程で得られた積分値と移動度の関係を調べておくことで、半導体表面のラフネスの大きさから、その半導体を用いた電子部品の移動度を類推することを特徴とする、半導体を使用する電子部品の評価方法が得られる。
半導体を使用する電子部品の表面ラフネスを、X軸、Y軸は平面、Z軸は半導体表面ラフネスの大きさという形で測定する第1の工程と、
前記第1の工程で得られた結果を用いて、Z軸方向に対してフーリエ変換を行う第2の工程と、
前記第2の工程で得られた値を、関数を用いて数値的に定量化する第3の工程と、
前記第3の工程で数値的に定量化された表面ラフネスの大きさを周波数で積分し、積分値を得る第4の工程と、
前記第4の工程で得られた積分値と移動度との相関関係を求める第5の工程とを具備し、
前記第1乃至前記第5の工程から予め、前記第4の工程で得られた積分値と移動度の関係を調べておくことで、半導体表面ラフネスの大きさから、その半導体を用いた電子部品の移動度を類推する第6の工程と、
所望の移動度を得る為に、積分値の管理基準値を設定する第7の工程と、
ゲートもしくはエミッタ形成前の工程における半導体表面ラフネスを定期的に調べ、前記第4の工程における積分値を得る第8の工程と、
前記第7の工程にて設定された積分値の管理基準値と、前記第8の工程で得られた積分値との差を調べることで、ゲートもしくはエミッタ形成前の半導体表面処理工程の処理パラメータにフィードバックすることを特徴とする、半導体を使用する電子部品の管理方法が得られる。
312 式(1)の基本成分
313 式(1)の高調波成分
314 測定値をフーリエ変換した値
411 式(2)及び(3)を用いて計算した移動度
412 測定により求められた電子部品の移動度
Claims (12)
- 半導体を使用する電子部品の表面ラフネスを、X軸、Y軸は平面、Z軸は半導体表面ラフネスの大きさという形で測定する第1の工程と、
前記第1の工程で得られた結果を用いて、Z軸方向に対してフーリエ変換を行う第2の工程と、
前記第2の工程で得られた値を、数値的に定量化する第3の工程と、
前記第3の工程で数値的に定量化された表面ラフネスの大きさを、周波数で積分する第4の工程と、
前記第4の工程で得られた積分値と移動度との相関関係を求める第5の工程とを具備し、
前記第1乃至前記第5の工程から予め、前記第4の工程で得られた積分値と移動度の関係を調べておくことで、半導体表面のラフネスの大きさから、その半導体を用いた電子部品の移動度を類推することを特徴とする、半導体を使用する電子部品の評価方法。 - 請求項1に記載の、半導体を使用する電子部品の評価方法において、前記第1の工程における、半導体表面のラフネス測定は、原子間力顕微鏡(AFM:Atomic Force Microscope)、走査トンネル顕微鏡(STM:Scanning Tunnel Microscope)、X線表面反射共鳴(GIXR:Grazing Incidence X-ray Reflectivity)、X線光電子分光(XPS:X-ray Photoelectron Spectroscopy)、光反射測定により行なうことを特徴とする、半導体を使用する電子部品の評価方法。
- 請求項1に記載の、半導体を使用する電子部品の評価方法において、前記第4の工程において積分する空間周波数範囲は、1.0 [/μm]以上であることを特徴とする、半導体を使用する電子部品の評価方法。
- 請求項1に記載の、半導体を使用する電子部品の評価方法において、前記半導体は、単結晶シリコン、多結晶シリコン、アモルファスシリコン、ゲルマニウム、SiGe、SiGeC、GaAs、GaN、SiC、ZnOの何れかであることを特徴とする、半導体を使用する電子部品の評価方法。
- 半導体を使用する電子部品の表面ラフネスを、X軸、Y軸は平面、Z軸は半導体表面ラフネスの大きさという形で測定する第1の工程と、
前記第1の工程で得られた結果を用いて、Z軸方向に対してフーリエ変換を行う第2の工程と、
前記第2の工程で得られた値を、関数を用いて数値的に定量化する第3の工程と、
前記第3の工程で数値的に定量化された表面ラフネスの大きさを周波数で積分し、積分値を得る第4の工程と、
前記第4の工程で得られた積分値と移動度との相関関係を求める第5の工程とを具備し、
前記第1乃至前記第5の工程から予め、前記第4の工程で得られた積分値と移動度の関係を調べておくことで、半導体表面ラフネスの大きさから、その半導体を用いた電子部品の移動度を類推する第6の工程と、
所望の移動度を得る為に、積分値の管理基準値を設定する第7の工程と、
ゲートもしくはエミッタ形成前の工程における半導体表面ラフネスを定期的に調べ、前記第4の工程における積分値を得る第8の工程と、
前記第7の工程にて設定された積分値の管理基準値と、前記第8の工程で得られた積分値との差を調べることで、ゲートもしくはエミッタ形成前の半導体表面処理工程の処理パラメータにフィードバックすることを特徴とする、半導体を使用する電子部品の管理方法。 - 請求項6に記載の、半導体を使用する電子部品の管理方法において、ゲートもしくはエミッタ形成前の半導体表面処理工程は、洗浄処理工程であることを特徴とする、半導体を使用する電子部品の管理方法。
- 請求項6に記載の、半導体を使用する電子部品の管理方法において、ゲートもしくはエミッタ形成前の半導体表面処理工程の処理パラメータは、洗浄処理工程における、半導体の溶液浸漬時間及び薬液の濃度であることを特徴とする、半導体を使用する電子部品の管理方法。
- 請求項6に記載の、半導体を使用する電子部品の管理方法において、前記第1の工程における、半導体表面のラフネス測定は、原子間力顕微鏡(AFM:Atomic Force Microscope)及び走査トンネル顕微鏡(STM:Scanning Tunnel Microscope)により行なうことを特徴とする、半導体を使用する電子部品の管理方法。
- 請求項6に記載の、、半導体を使用する電子部品の管理方法において、前記第4の工程において積分する空間周波数範囲は、1.0 [/μm]以上であることを特徴とする、半導体を使用する電子部品の管理方法。
- 請求項6に記載の、半導体を使用する電子部品の管理方法において、前記半導体は、単結晶シリコン、多結晶シリコン、アモルファスシリコン、ゲルマニウム、SiGe、SiGeC、GaAs、GaN、SiC、ZnOの何れかであることを特徴とする、半導体を使用する電子部品の管理方法。
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