JP2006049648A - 露光装置及び露光方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 所望の露光パターンに対して、露光位置がずれてしまうことを抑制し、所望の露光パターンに従って高速、高精度で露光領域を形成することができる露光装置を提供する。
【解決手段】 露光対象である基板8を載置したステージ1に対向するように、2個以上の光学ユニット3…を備えた搭載部2を設け、1つの光学ユニットが1つのデバイス領域9…内で進退移動して、アレイ状に形成されたデバイス領域9…毎に基板8全面を露光するように構成している。これにより、光学ユニット3…と、ステージ1との相対位置の位置決め誤差を少なくすることができる。
【選択図】 図1
【解決手段】 露光対象である基板8を載置したステージ1に対向するように、2個以上の光学ユニット3…を備えた搭載部2を設け、1つの光学ユニットが1つのデバイス領域9…内で進退移動して、アレイ状に形成されたデバイス領域9…毎に基板8全面を露光するように構成している。これにより、光学ユニット3…と、ステージ1との相対位置の位置決め誤差を少なくすることができる。
【選択図】 図1
Description
本発明は、基板の表面に露光ビームを照射して、この基板を露光する露光装置に関し、より詳細には基板における露光ビームの照射位置を所望の露光パターンに従って移動させて、この基板を露光する露光装置及び露光方法に関するものである。
従来、液晶ディスプレイ装置、IC(Integrated circuit)、LSI(Large scale integration)などの製造工程において用いられている露光装置がある。この露光装置によってフォトリソグラフィを行う際には、フォトマスク(以下、単に「マスク」と称する。)を用いて紫外光線を一面に照射し、基板上に塗布した感光材料であるフォトレジストを露光する。
しかしながら、マスクを用いる露光装置では、マスクと基板との位置あわせを行って一括露光を行うため、大型で高価なマスクが必要である。
また、マスクと基板とを高精度に位置あわせしなければならないので、マスクおよび基板の高精度な保持機構並びにアライメント機構が必要になる。
さらに、マスクおよび感光材料の熱収縮による描画精度の低下を防止するため、温度安定化機構が必要になる。紫外線光源として超高圧水銀ランプを使用するが、その寿命が短く交換頻度が高く、消費電力が大きくなる。
近年は、多品種少量生産、即時生産(いわゆるオンデマンド生産)が時流であるが、マスク露光には準備時間がかかるのでオンデマンド生産には適さない、という問題があった。また、マスク露光では、塵埃やマスク欠陥に起因して歩留まりが低下する、という問題があった。加えて、マスク露光では、超高圧水銀ランプ、マスク費用等が必要で、ランニング・コストが高くなる、という問題がある。以上のように、マスクを用いる露光装置では、種々の問題が生じていた。
そこで、例えば特許文献1では、マスクを使用しない露光装置が提案されている。この露光装置では、光源であるレーザモジュールをアレイ状に配置して露光パターンのデータに基づいて光源間の距離(つまりレーザモジュール間の距離)を設定する方式が用いられている。
上記露光装置は、図13に示すように、露光すべき基板120が載置されたステージ110と、図示しない半導体レーザチップを有する複数のレーザモジュール130…と、このレーザモジュール130…が列をなして搭載されたアレイユニット100とからなる。なお、アレイユニット100は、互いに直交しているXアレイユニット160とYアレイユニット170とから構成されている。また、Xアレイユニット160は、列61・62・63の3列で構成され、Yアレイユニットは、列71・72・73の3列で構成されている。
上記露光装置では、ステージ110とアレイユニット100とを互いに平行に対向した状態で、複数のレーザモジュール130…の半導体レーザチップが出射したレーザ光Lをそれぞれ基板120面に対して垂直に照射しながら上記ステージ110とアレイユニット100とを相対的に移動させて、上記基板120上を走査し、露光を行う。
より具体的に、上記の露光装置を用いた露光方法について、図14(a)ないし(c)を用いて簡単に説明する。なお、ここで示す露光装置は、説明の便宜上図13で示す露光装置とは構成が必ずしも一致しておらず、図13に示す露光装置からYアレイユニット170を取り除いた構成となっている。
図14(a)ないし(c)に示すように、この露光装置は、ステージ110上に露光対象である基板120を載置し、この基板120に対向するように、略直方体のXアレイユニット160を配置している。このXアレイユニット160は、その長手方向に列をなして複数の図示しない半導体レーザモジュールを搭載している。
図14(a)ないし(c)に示すように、列をなしてXアレイユニット160に搭載された各レーザモジュールは、レーザ光Lを基板120に照射する。このレーザ光Lの照射を続けながら、ステージ110とXアレイユニット160とを基板120の端から端まで相対的に移動させて基板120上の露光パターンを描画する。
このように、図14(a)→図14(b)→図14(c)→図14(a)…の動作を複数回繰り返すことにより、すなわちステージ110とXアレイユニット160とを基板120の端から端まで複数回移動させながら、レーザ光Lを基板120に照射することにより、基板120全面を露光することができる。
特開2000−214597号公報(公開日;2000年8月4日)
しかしながら、上記したような従来の技術は、以下に示すような問題を有している。
特許文献1の露光装置では、レーザモジュール130…単位で半導体レーザチップの位置決めをし、レーザモジュール130…の位置決めをすることにより露光のピッチを可変させている。このため、レーザモジュール130…における半導体レーザチップの位置決めと、アレイユニット100におけるレーザモジュール130…の位置決めと、の両方の位置決めを精度良く行う必要があり、デバイス内でパターンピッチにずれが発生する可能性が高い。また、両者の位置決めにずれが生じると、このずれが加算されるためデバイス内でパターンピッチにずれが発生する可能性がさらに高くなる。
このように、デバイス内でのパターンピッチにずれが発生すると、精度良くデバイス領域の露光パターンを描画するのは困難であるという問題がある。
また、複数のアレイユニットが走査方向に列をなしている(図13では、アレイユニット61・62・63、71・72・73が列をなしている)ため、走査方向に直交する方向に隣り合うレーザモジュール130…の位置が列の幅だけずれている。従って、露光パターンの位置決めを行うためには、列ごとにレーザ光Lのオンオフデータを同一にするためには、列と、列との間で露光時にデータの高転送レートが必要となるという問題がある。
さらに、レーザモジュール130…を列方向に配列しているアレイユニット100(図14(a)ないし(c)では、Xアレイユニット160)は、基板120の全面を露光するためには、このアレイユニット100とステージ110との相対移動距離は、上記図14(a)ないし(c)に示すように、少なくとも、基板120の端から端までの長さ程度にする必要がある。これに対して、近年、基板120のサイズが拡大しているため、露光中に、基板120に対して走査する距離が長くなり、走査するステージ110の高真直性が要求される。
このように、従来の露光装置では基板120とステージ110との相対移動距離が基板120の端から端までの長さに必要があることに加えて、基板120のサイズが拡大しているので、走査範囲内での基板120の反り、厚みのばらつき、ステージ110のピッチング等により、レーザ光Lのフォーカス方向の変位量が拡大している。このため、露光ビーム(レーザ光L)の位置決め誤差が拡大するという問題がある。
本発明は、上記のような従来の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、所望の露光パターンに対して露光位置がずれてしまうことを抑制し、所望の露光パターンに従って高速、高精度で露光することができる露光装置及び露光方法を提供することにある。
上記の目的を達成するために、本発明の露光装置は、表面に複数の同一のデバイスを形成すべく、ステージ内に保持された基板に対して相対的に移動しながら、この基板に露光ビームを照射し、露光パターンを描画する露光装置において、上記ステージに対向するように設けられた筐体と、上記筐体内に設けられた2個以上の光学ユニットと、露光中に光学ユニットからの露光ビームがアレイ状に形成された上記デバイス領域内で進退移動を繰り返すように、光学ユニットとステージとを相対移動させる駆動手段と、を有していることを特徴としている。
本発明の露光装置は、いわゆるフォトリソグラフィ工程において用いられる露光装置である。すなわち、基板上に塗布した感光材料であるフォトレジスト膜(以下、単に「レジスト膜」と称する。)に露光ビームを照射することにより、所望の露光パターンを描画するものである。この露光動作は、基板を載置したステージと、光学ユニットとを相対的に移動させることにより行われる。ここで、光学ユニットとは、その内部に複数の例えば対物レンズ、光源などの光学系を搭載しており、露光ビームを発射するものである。
上記発明によれば、デバイス領域内で進退移動を繰り返すように光学ユニットとステージとを相対的に移動させることにより該デバイス領域を露光している。
つまり、本発明では、デバイス領域単位で露光をしており、1つの光学ユニットで1つのデバイス領域を露光しており、該デバイス領域を露光し終わると、次のデバイス領域を露光するようになっている。これにより、露光中の光学ユニットから照射される露光ビームの照射位置の移動距離は、最大でもデバイス領域の長さ程度に押さえることができる。
従って、露光中に基板に対して相対的に走査する距離を短くすることができるので、ステージが走査範囲内で反っていたり、厚みにばらつきなどにより発生するステージと光学ユニットとの距離の変動により起こる露光ビームによる位置決め誤差を抑制することができる。加えて、多様なデバイスサイズ、ステージに載置可能な種々の基板サイズの露光に対応することができるので利便性が向上する。
さらに、1つのデバイス領域を1つの光学ユニットで露光を行う構成であるため、光学ユニットの位置決め誤差のみがパターンピッチのずれの要因である。従って、露光誤差を小さくすることが可能である。
また、光学ユニットは、筐体に設けられている。このため、同じ筐体内の光学ユニットの光源のオンオフデータを同一にすることができる。従って、オンオフデータの転送レート低減を図ることが可能である。
また、本発明では、各デバイスに対応するように光学ユニットを位置決めする光学ユニット位置決め手段を備えていることが好ましい。
上記発明によれば、アレイ状に配された複数のデバイス領域に対して光学ユニットから露光ビームを照射して露光した後に、次のデバイス領域の列又は行に合わせて光学ユニットを再配置して、露光することができ、正確に多数のデバイス領域を露光することができる。
また、本発明では、各デバイスのピッチを検知するピッチ検知手段を備え、光学ユニット位置決め手段は、ピッチ検知手段からの検知信号に基づいて、露光すべきデバイスの縦方向ピッチの整数倍、かつ、横方向ピッチの整数倍の距離を有するように隣り合う光学ユニット同士の距離を有するように、各光学ユニットを配置することことが好ましい。
上記発明によれば、1つのデバイスの露光パターンを描画するのに、1個の光学ユニットが用いられる。このため、光学ユニット間でその内部に設けられた光学系にばらつきが発生しても、また、隣り合う光学ユニットに多少のピッチの誤差が生じても、いずれのデバイスの露光パターンも同一の光学ユニットにより描画される。従って、光学ユニット同士のピッチの位置決め精度、光学ユニット内の光学系の配置の精度の緩和が可能となる。
また、本発明では、光学ユニットには、レーザ光を基板に向けて出射する半導体レーザチップが搭載されていることが好ましい。
上記発明によれば、露光ビームの光源として半導体レーザチップを用いているため、光学ユニットを多数用いても安価で簡便に光学ユニットを配置する事が可能となっている。
また、本発明では、駆動手段が各光学ユニットを基板に対して平行に相対移動させるときに、上記基板上の光スポットの径を一定に保つべくスポット径保持手段が設けられていることが好ましい。
上記発明によれば、光学ユニットを基板に対して相対的に移動させるときに、スポット径保持手段によって、露光ビームのスポット径を一定に保つことができる。このため、基板表面と光学ユニットとの垂直距離を一定に保つことできる。すなわち、高真直性を維持することができる。したがって、線幅一定に保ち、精度良く露光パターンの描画を行うことが可能となっている。
また、本発明では、基板からの反射光を検出する検出手段と、露光前又は露光時に、基板の平面上に照射されたレーザ光の強度を変調させる変調手段とをさらに備えていることが好ましい。
上記発明によれば、露光時にレーザ光の強度を変調させて照射することが可能である。このため、ステージと光学ユニットとの相対速度が変化している時においても、レーザ強度を変調させて露光パターンに応じた描画が可能となっている。
さらに、上記構成によれば、変調手段により露光前に、レーザ光の強度を基板に塗布したレジスト膜の感光不可の値まで下げながら、検出手段により、基板からの反射光を検出し、基板へレーザ光を出射する光学ユニットに備えられた光学系出射面と、基板との相対距離を一定に保つことが可能となる。このため、描画開始を迅速かつ安定して行うことが可能となっている。
また、本発明では、光学ユニットは、上記基板上において異なる光スポットの径を形成する少なくとも2つの光学系を有することが好ましい。
上記発明によれば、異なる光スポットの径を形成しているため、異なる線幅の露光パターンの描画が可能である。従って、露光パターンの線幅により光学系を使い分け、露光時間を短縮することが可能となっている。
また、上記の目的を達成するために、本発明の露光方法は、表面に複数の同一のデバイスを形成すべく、ステージ内に保持された基板に対して相対的に移動しながら、この基板に露光ビームを照射し、露光パターンを描画する露光方法において、上記ステージに対向するように配された筐体内に2個以上の光学ユニットを設け、露光中に光学ユニットからの露光ビームがアレイ状に形成された上記デバイス領域内で進退移動を繰り返すように、光学ユニットとステージとを相対移動させることを特徴としている。
以上のように、本発明の露光装置は、表面に複数の同一のデバイスを形成すべく、ステージ内に保持された基板に対して相対的に移動しながら、この基板に露光ビームを照射し、露光パターンを描画する露光装置において、上記ステージに対向するように設けられた筐体と、上記筐体内に設けられた2個以上の光学ユニットと、露光中に光学ユニットからの露光ビームがアレイ状に形成された上記デバイス領域内で進退移動を繰り返すように、光学ユニットとステージとを相対移動させる駆動手段とを有する構成である。
また、本発明の露光方法は、表面に複数の同一のデバイスを形成すべく、ステージ内に保持された基板に対して相対的に移動しながら、この基板に露光ビームを照射し、露光パターンを描画する露光方法において、上記ステージに対向するように配された筐体内に2個以上の光学ユニットを設け、露光中に光学ユニットからの露光ビームがアレイ状に形成された上記デバイス領域内で進退移動を繰り返すように、光学ユニットとステージとを相対移動させる方法である。
上記発明によれば、基板の反り、厚みのばらつき、ステージのピッチングにより発生するステージと光学ユニットとの距離の変動により起こる露光ビームの位置決め誤差を低減させることができる。
従って、所望の露光パターンに対して露光位置がずれてしまうことを抑制し、所望の露光パターンに従って高速、高精度で露光領域を形成することができるという効果を奏する。
本発明の一実施形態について図1ないし図12に基づいて説明すれば、以下の通りである。
本実施の形態の露光装置は、LSIの製造の一工程であるフォトリソグラフィ工程において用いられる装置である。より具体的には、本実施の形態の露光装置による露光は、フォトレジスト(以下、単に「レジスト」と称する)膜に対して露光ビームを照射し、所望の露光パターンを描画することにより行われる。
まず、本実施の形態の露光装置の構成について説明する。本実施の形態の露光装置は、図1に示すように、ステージ1、複数の光学ユニット3…を搭載する筐体としての搭載部2、光学ユニット位置決め手段としての光学ユニット位置決め装置(以下、単に「位置決め装置」と称する)4、変調手段としての光学ユニットコントローラ(以下、単に「ユニットコントローラ」と称する)5、駆動手段としての駆動装置6、および同じく駆動手段としてのメインコントローラ7を備えている。
ステージ1は、露光対象である基板8の基台としての役割をしており、この基板8を該ステージ1内に保持した状態で、図1に示すX軸・Y軸・Z軸方向に移動可能な構成となっている。
上記基板8には、図4に示すように、レジスト膜が塗布された複数のデバイス領域9…がアレイ状に配されている。デバイス領域9…のX軸方向のピッチは例えば50mmであり、Y軸方向のピッチは例えば100mmである。また、基板8のサイズは、例えば1000mm×1000mmである。従って、本実施の形態では、X軸方向の1列に20個、Y軸方向の1列に10個、計200個のデバイス領域9…が基板8上に配されている。なお、図1はデバイス領域9…を模式的に示すものであり、X軸・Y軸の各列の個数は上記の個数とは必ずしも一致していない。
上記搭載部2は、図2に示すように、複数の光学ユニット3…をアレイ状に搭載している。これら各光学ユニット3…は、搭載部2の内部において、上記基板8のデバイス領域9…の個数に合わせてX軸方向の1列に20個配されており、かつY軸方向の1列に10個計200個配されている。また、各光学ユニット3…は、図1に示すように、上記位置決め装置4の図示しない駆動系により、互いに独立してX・Y・Z軸方向に移動することができる構成となっている。なお、図2は光学ユニット3…の一部を描いており、上記の個数とは必ずしも一致しない。
上記の光学ユニット3…は、図3に示すように、露光ビーム31・32・33…31h・32h・33h…の光スポットの径が異なる高解像度光学系10と低解像度光学系11とを搭載している。これら高解像度光学系10と低解像度光学系11とについて以下に説明する。
まず、高解像度光学系10は、図5に示すように、半導体レーザチップ(以下、単に「レーザチップ」と称する)12とコリメータレンズ13と検出手段としてのフォーカス検出器15とを固定しているハウジング19、対物レンズ14を保持しているレンズホルダ16、フォーカス検出器15からの情報に基づいて対物レンズ14のZ軸方向への移動について決定するZ軸コントローラ18、及び対物レンズ14をハウジング19に対してZ軸方向に移動させるスポット径保持手段としての対物レンズ駆動装置17を有している。
レーザチップ12は、光を出射する光源である。コリメータレンズ13は、レーザチップ12からの出射光を平行光にする。対物レンズ14は、コリメータレンズ13からの平行光を基板8上に照射する。フォーカス検出器15は、基板8からの反射光を受光する検出手段である。さらに、ハウジング19は、光学ユニット3…に固定されている。このため、高解像度光学系10は、基板8に対して、光学ユニット3…と一体となって移動するようになっている。
レーザチップ12の波長は405nmであり、対物レンズ14のNAは0.65である。ここで、NAとは、対物レンズ開口数の略語である。なお、ここで用いているレーザチップ12は、波長が405nmであるため、ガスレーザー、固定レーザー等と比較して簡便で安価な構成とすることができる。
ユニットコントローラ5は、レーザチップ12の電源のオン・オフ、入力電流の大きさを決定している。また、対物レンズ駆動装置17は、フォーカス検出器15からの検出信号がZ軸コントローラ18に入力され、このZ軸コントローラ18から出力された信号に基づいて作動するようになっている。なお、フォーカス検出器15は、光ディスク用ピックアップ装置などでフォーカス信号の検出に用いられている非点収差法によって、対物レンズ14と基板8との距離に応じた信号を出力できるようになっている。
上記高解像度光学系10の構成により、対物レンズ駆動装置17は、対物レンズ14と基板8との距離を一定にすることができる。このため、基板8上における露光ビーム31h・32h・33h…のスポット径が一定になる。これにより、線幅一定に精度良く露光パターンの描画を行うことができる。さらに、露光パターンの描画開始前から、基板8と光学ユニット3…のレーザ光を出射する出射面との相対距離を一定に保つことが可能となるため、露光パターンの描画開始を迅速に行うことができる。
なお、レーザチップ12による露光ビーム31h・32h・33h…の波長λ1と対物レンズ14のNAとの関係から、高解像度光学系10の露光ビーム31h・32h・33h…の基板8表面における光スポットの最小スポット径D1は約0.5μmとなっている。
次に、上記低解像度光学系11は、図6に示すように、レーザチップ20と、レーザチップ20の出射光を平行光にするコリメータレンズ21と、その平行光を基板8上に照射するための対物レンズ22と、を固定しているハウジング23を有している。なお、上述した高解像度光学系10と同一の機能を有する構成についてはその説明を省略する。
レーザチップ20は波長が405nmであり、対物レンズ22のNAは0.1である。なお、上記の高解像度光学系10の場合と同様に、ここで用いているレーザチップ20は、波長が405nmであるため、ガスレーザー、固定レーザー等と比較して簡便で安価な構成とすることができる。
レーザチップ20による露光ビーム31・32・33…の波長λ2と対物レンズ22のNAとの関係から、各低解像度光学系11の露光ビーム31・32・33…の基板8表面におけるビームスポットの最小スポット径D2は、約4.0μmとなっている。また、低解像度光学系11の焦点深度は約20μmとなっている。
一方、図1に示すように、上記ユニットコントローラ5は、光学ユニット3…内部のレーザチップ12・20からのレーザ照射のオン・オフやレーザチップ12・20に入力する電流の大きさを変化させることによりレーザ光の強度を制御する。
また、上記駆動装置6は、図示しない駆動系により、ステージ1をX・Y・Z軸方向に移動させる。駆動装置6は、ステージ1と各光学ユニット3…との相対移動距離が基板8の長さの1/N(Nは2以上の整数)となるように設計されている。メインコントローラ(駆動手段;ピッチ検出手段)7は、ユニットコントローラ5、駆動装置6等、露光装置の全動作を制御するコントロールタワーとしての機能を有している。
次に、本実施の形態の露光装置を用いた露光方法について説明する。まず、図7(a)ないし(c)にてこの露光方法を概略的に説明し、その後、本実施の形態の低解像度光学系11・高解像度光学系10を用いてより詳細に説明する。
まず、メインコントローラ(ピッチ検出手段;図1参照)7がデバイス領域(図1参照)9…のピッチを検出し、この検知信号に基づいて、光学ユニット3…のピッチがデバイス領域9…のピッチと等しくなるように配置される。そして、図7(a)に示すように、光学ユニット3…内部の光学系から露光ビーム31・32・33…31h・32h・33hを垂直に照射して、この照射中に基板8を露光ビーム31・32・33…31h・32h・33hの照射方向と垂直な方向(Y軸正方向)に移動させる。
この移動は、基板8上における露光ビーム31・32・33…31h・32h・33hの照射位置が所望の露光パターンに沿うように行われ、基板8の移動中は搭載部2と光学ユニット3は静止している。露光中、露光ビーム31・32・33…31h・32h・33hの照射位置はデバイス領域9…からはみ出ないように設定されている。つまり、図7(b)に示すように、基板8をY軸負の方向に移動させ、デバイス領域9…に対応して配された光学ユニット3…がデバイス領域9…の露光を完了するまで、Y軸方向に進退移動させる。
そして、光学ユニット3…によりデバイス領域9…の露光が完了すると、光学ユニット3…が搭載された搭載部2を移動させて、次の各デバイス領域9…に光学ユニット3…が対応するように光学ユニット3…を再配置する。再配置後、露光ビーム31・32・33…31h・32h・33hを照射しながら基板8を上記した図7(a)(b)のように移動させることにより各デバイス領域9…を露光する。この動作を何回か繰り返すことにより図7(c)のように基板8を露光することができる。
従来の露光装置では、露光中にステージ上の基板の端から端まで基板と筐体とを移動させていたが、本実施の形態の露光装置では、デバイス単位で露光しているため、移動距離は最大でもデバイス1つの長さである。
また、従来は、露光中にステージの端から端まで相対的に移動させていた。しかしながら、以上のように、本実施の形態の露光装置では、移動した後に光源を再配置し、デバイス領域内のみ走査露光を行っている。
次に、本実施の形態の露光装置による露光方法について、低解像度光学系11を用いて、より詳細に説明する。
まず、図1に示すように、露光対象である基板8をステージ1上に配置する。次に、光学ユニットの低解像度光学系から照射される露光ビーム31・32・33…の基板8上におけるスポット径が、所望の大きさになるように、ステージ1を搭載部2に対して相対的に移動させる。この移動は、駆動装置6によって行われる。
次に、メインコントローラ(ピッチ検出手段)7により、デバイス領域9…のピッチを検知する。この検知信号に基づいて、位置決め装置4は、露光ビーム31・32・33…のピッチが、基板8のデバイス領域9…のピッチと等しくなるように、光学ユニット3…の位置決めを行う。次に、駆動装置6は、ステージ1をX軸・Y軸方向に駆動させて、露光ビーム31・32・33…が基板8のデバイス領域9…に対応するように位置決めを行う。
ここまでの動作が露光の準備段階であり、ここから実際に露光が開始される。メインコントローラ7は、露光中の露光ビーム31・32・33…の照射位置が、対応するデバイス領域9…内に存在するように設定している。駆動装置6は、ステージ1を+Y軸方向(図8に示す矢印方向)に駆動させる。この駆動と同時に、低解像度光学系11は、デバイス領域9…に、露光ビーム31・32・33…を照射する。このとき、ユニットコントローラ5は、レーザチップ20の電源のオン・オフ、ステージ1の速度に応じたレーザチップ20に入力する電流の大きさの制御を行う。なお、このとき搭載部2側を移動させてもよい。
これにより、デバイス領域9…の所望の露光パターンは、露光ビーム31・32・33…により描画される。このとき、ステージ1と光学ユニット3…との相対移動距離は、1つのデバイス領域9…のY軸方向(長手方向)の長さだけである。
また、ユニットコントローラ5は、各レーザチップ20に同一の制御信号を送信することにより、各光学ユニット3…が基板8上のレジスト膜に同一の露光パターンを描画する。これにより、図8に示すように、露光ビーム31・32・33…によって、それぞれ、線幅4.0μmの露光パターン61・62・63…がデバイス領域9…に描画される。
次に、駆動装置6が、ステージ1をX軸方向に4.0μm駆動させ、位置決めを行う。その後、駆動装置6は、ステージ1を−Y軸方向(図9に示す矢印方向)に駆動させる。この駆動と同時に光学ユニット3…は、デバイス領域9…に露光ビーム31・32・33…を照射する。
このときのステージ1と光学ユニット3…との相対移動距離は、上記同様、1つのデバイス領域9…のY軸方向の長さだけである。こうして、図9に示すように、露光ビーム31・32・33…は、線幅4.0μmの露光パターンを描画し、上記の露光パターン61・62・63…と合わせて、線幅が8.0μmの露光パターン61a・62a・63a…が描画される。
次に、ステージ1をX軸方向に100μm移動させる。そして、低解像度光学系11が、基板8上のデバイス領域9…に、露光ビーム31・32・33…を照射する。同時に、駆動装置6は、ステージ1を+Y軸方向(図10に示す矢印方向)に駆動させる。これにより、図10に示すように、露光ビーム31・32・33…は、線幅4.0μmの露光パターン61b・62b・63b…を描画する。
以上のように、本実施の形態の露光装置は、ステージ1に対向するように設けられた搭載部2と、上記搭載部2内に設けられた複数の光学ユニット3…と、露光中に光学ユニット3…からの露光ビーム31・32・33…が上記デバイス領域9…内で進退移動を繰り返すように、光学ユニット3…とステージ1とを相対移動させる駆動装置6とを有する。これにより、光学ユニット3…あるいはステージ1が最大でもデバイス領域9…の範囲で相対的に移動することにより、基板8全面を露光することができる。
また、1つのデバイス領域9…を1つの光学ユニット3…により露光することができる。このため、1つのデバイス領域9…を露光する時の光学ユニット3…の直線方向の移動距離を、最大でもデバイス領域9…の長手方向の長さに抑えることができる。なお、本実施の形態の露光装置では、直線露光について説明したが、これに限られず、カーブを描いた露光パターンも描画することができる。ここで長手方向の長さとは、図1に示すY軸方向の長さをいう。
また、光学ユニット3…は、すべて1つの搭載部2に納められている。このため、露光パターンの描画の際に、光学ユニット3…の全光源のオンオフデータを同一にすることができる。従って、オンオフデータの転送レートの低減を図ることができ、装置の利便性を図ることができる。
なお、上記の実施の形態では、低解像度光学系11を用いた露光方法について説明したが、これに限らず、高解像度光学系10を用いて露光してもよい。さらに、低解像度光学系11と高解像度光学系10との両方を用いて露光してもよい。
以下に、高解像度光学系10を用いた露光方法について説明する。ここで、上記の低解像度光学系11の露光方法と同一の工程は簡略化して説明する。
メインコントローラ7により、デバイス領域9…のピッチを検知する。この検知信号に基づいて、位置決め装置4は、露光ビーム31h・32h・33h…のピッチが、基板8のデバイス領域9…のピッチと等しくなるように、光学ユニット3…の位置決めを行う。
駆動装置6は、基板8と露光ビーム31h・32h・33h…との位置決めを、ステージ1をX軸・Y軸方向に駆動させて行う。このとき、高解像度光学系10のレーザチップ12は、露光ビーム31h・32h・33h…を基板8のデバイス領域9…上に照射している。ところが、この照射によってデバイス領域9…上に塗布されたレジスト膜が感光しないように、ユニットコントローラ5は入力電流の大きさを低下させている。
次に、レジスト膜からの反射光はフォーカス検出器15によって受光され、フォーカス検出器15は、その信号をZ軸コントローラ18に送信する。送信された信号に基づきZ軸コントローラ18は、対物レンズ駆動装置17により対物レンズ14のZ軸方向の位置を制御する。具体的には、レジスト膜上の露光ビーム31h・32h・33h…の径が0.5μmで一定に保たれるように、対物レンズ駆動装置17は、対物レンズ14のZ軸方向の位置を制御している。
駆動装置6は、ステージ1を+Y軸方向(図11に示す矢印方向)へ駆動させる。同時に、高解像度光学系10は、基板8上のデバイス領域9…に、露光ビーム31h・32h・33h…を照射する。このとき、ユニットコントローラ5は、レーザチップ12に同一の制御信号を送信する。従って、それぞれの光学ユニット3…は、同一の線幅の露光ビーム31h・32h・33h…を照射することにより露光パターンを描画する。
さらに、対物レンズ14の位置は、上記Z軸コントローラ18によりZ軸方向に制御され、デバイス領域9…上に形成された露光ビーム31h・32h・33h…の径は0.5μmで一定に保たれる。これにより、図11に示すように、露光ビーム31h・32h・33h…それぞれによって、線幅0.5μmの露光パターン71・72・73…が描画される。
次に、高解像度光学系10が露光すべき位置に露光ビーム31h・32h・33h…が配置されるようにステージ1をX軸方向に100μm駆動し、位置決めを行う。駆動装置6はステージ1を−Y軸方向(図12に示す矢印方向)に駆動させる。この駆動と同時に高解像度光学系10は、基板8上のデバイス領域9…に、露光ビーム31h・32h・33h…を照射する。これにより、図12に示すように、露光ビーム31h・32h・33h…は、X軸方向に露光パターン71・72・73…と、100μmピッチの線幅0.5μmの露光パターン71a・72a・73a…とを描画する。
以上のように高解像度光学系10のレーザチップ12に入力する電流値を制御しながら、ステージ1を+Y軸方向、−Y軸方向へ駆動することにより所望の露光パターンを描画することが可能である。この結果、X軸方向のピッチは50mm、Y軸方向のピッチは100mmのデバイス領域9…を所望のパターンで露光可能である。
また、高解像度光学系10は、上記の低解像度光学系11とは、露光ビーム31・32・33…・31h・32h・33h…のスポット径の異なる光学系が搭載されているため、異なる線幅の露光パターンを容易に形成することができる。このため、露光時間を短縮することができる。
また、基板8からの反射光を検出するフォーカス検出器15と、露光前又は露光時間に、上記基板8の平面上に照射された露光ビーム(レーザ光)31h・32h・33h…の強度を変調させる変調させるユニットコントローラ(変調手段)5とを備えている。ユニットコントローラ5により、レーザチップ12に入力する電流値を変えて露光ビーム31h・32h・33h…の強度を変調させることができる。このため、ステージ1と光学ユニット3…との相対速度が変化している時においても、露光ビーム31h・32h・33h…の強度を変調させて、露光パターンに応じて露光できる。
また、低解像度光学系11の場合でも同様に、露光ビーム31・32・33…の強度を変調させて照射することが可能である。
さらに、高解像度光学系10では、フォーカス検出器15を備えているため、露光ビーム31h・32h・33h…の強度を基板8に塗布したレジスト膜の感光不可の値まで下げながら、基板8からの反射光を検出し、基板8と基板8への露光ビーム31h・32h・33h…を出射する高解像度光学系10の出射面との相対位置を一定に保つことが可能となっている。このため、描画開始を迅速かつ安定して行うことが可能となっている。
また、上記の図2の説明において、低解像度光学系11によるビーム31・32・33…と、高解像度光学系10によるビーム31h・32h・33h…とを共に照射する構成となっているが、必ずしもこれに限られず、いずれか一方のみ照射する構成としてもよい。さらに、同一のデバイス領域9…を露光する場合でも、その露光パターンに応じて低解像度光学系11と高解像度光学系10を使い分けることもできる。
また、上記の図2に示す搭載部2に搭載する光学ユニット3…の数はこれに限られない。また、光学ユニット3…は、図2において、アレイ状に配置されているが、これに限られず、上記の通り、光学ユニット3…は個々独立に移動可能であるので、ばらばらに配されていてもよい。
また、図3に示す光学ユニット3…は、低解像度光学系11と高解像度光学系10とをともに一つずつ設けているが、これに限られず、いずれか1つでもよいし、いずれか若しくは両者を複数個設けてもよい。また、図3のように、共に設ける場合の低解像度光学系11と高解像度光学系10との位置関係は、図示したものに限られない。
また、上記の図4の説明において、デバイス領域9…のX軸方向のピッチは50mmで、Y軸方向のピッチは100mmしたがとしたが、これは単なる一例にすぎず、これに限定されない。また、基板8のサイズも1000mm×1000mmとしたが、これも単なる一例であり、ステージ1に載置可能な基板8のサイズであれば、いかなる大きさでもよい。
また、上記の図4の説明において、基板8におけるデバイス領域9…の数と、搭載部2における光学ユニット3…の数とが一致している。このように、デバイス領域9…と光学ユニット3…との数が等しい場合には、1つのデバイス領域9…に対して1つの光学ユニット3…を用いて露光することができるため、1つの光学ユニット3…の移動距離を最小限に抑えることができる。また、1つの基板8の露光を迅速に行うことができる。
しかし、光学ユニット3…の数はこれに限られず、露光すべき基板8のデバイス領域9…の数の縦方向のピッチの整数倍、横方向のピッチの整数倍の位置に光学ユニット3…が配置されるように設けてもよい。例えば光学ユニット3…を上記の縦方向のピッチの2倍、上記の横方向の2倍とした場合には、デバイス領域9…の数の1/4個の光学ユニット3…で足りる。
この場合、1つのデバイス領域9…の露光パターンは、全て同一の光学ユニット3…により露光を行うことが可能である。このため、光学ユニット3…間でその内部に設けられた光学系にばらつきが発生しても、また隣り合う光学ユニット3…に多少のピッチの誤差が生じても、デバイス領域9…の露光パターンは、同一の光学ユニット3…により描画される。
従って、光学ユニット3…同士のピッチの位置決め精度、光学ユニット3…内の光学系の配置の精度の緩和が可能となっている。
また、高解像度光学系10、低解像度光学系11に光源としてレーザチップ12・20を搭載しているが、これに限られず、レジスト膜を露光できるものであれば、どのようなものでもよい。また光学ユニット3…のレーザチップ12・20に入力する電流の制御は、基板8上に照射される露光ビーム31・32・33…・31h・32h・33h…によりレジスト膜が感光可能なまで電流値を上昇および感光しない程度にまで電流値を低下させることにより行ってもよい。
上記では、本実施の形態の露光装置は、LSIの製造工程において用いられるとしたが、これに限られず、IC、液晶ディスプレイの製造工程等においても用いることができる。また、上記では、デバイス領域9…に塗布する感光材料はレジスト膜としたが、これに限られない。また、露光すべきデバイス領域9…のサイズに応じてステージ1と光学ユニット3…との相対移動距離を設定することにより、数10mm〜2m程度の多様な基板8サイズにおいて数mmのデバイス領域9…から数10cmのデバイス領域9…、1つ1つの露光パターンを1つの光学ユニット3…により露光対応可能である。
また本実施の形態の露光装置は、露光用レーザ光の前記基板8の表面への照射位置を移動させて、所望の露光パターンに従って前記基板8を露光する露光装置に関するものである。
また、本実施の形態の露光装置は、基板8を保持するステージ1と、複数の光学系が配置されている光学ユニット3…を備え、前記基板8表面に同一の複数のデバイス領域9…を形成する基板8を露光する装置において、露光時に前記光学ユニット3…あるいは前記ステージ1が前記基板8の大きさの1/2以下の範囲で相対移動してもよい。
また、本実施の形態の露光装置では、基板8を保持するステージ1と、複数の光学系が配置されている光学ユニット3…を備え、所望の露光すべきデバイス領域9…のサイズに応じた移動範囲を設定可能である前記光学ユニット3…と前記ステージ1との相対移動可能な機構を有していてもよい。
また、本実施の形態の露光装置は、露光すべきデバイス領域9…間のX軸方向ピッチの整数倍、デバイス領域9…間のY軸方向ピッチの整数倍の距離に光学ユニット3…の位置を設定する手段を備え前記ステージ1と前記光学ユニット3…を相対的に走査してもよい。
本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、本実施形態において開示された各技術的手段を適宜組み合わせて得られる技術的手段についても本発明の技術的範囲に含まれる。
本発明は、液晶ディスプレイ装置、IC(Integrated Circuit)およびLSI(Large Scale Integration)などの製造工程において好適に利用できるものである。
1 ステージ
2 搭載部(筐体)
3 光学ユニット
4 光学ユニット位置決め装置(光学ユニット位置決め手段)
5 光学ユニットコントローラ(変調手段)
6 駆動装置(駆動手段)
7 メインコントローラ(駆動手段;ピッチ検知手段)
8 基板
9 デバイス領域
10 高解像度光学系
11 低解像度光学系
12 半導体レーザチップ(レーザチップ)
13 コリメータレンズ
15 フォーカス検出器(検出手段)
16 対物レンズホルダ
17 対物レンズ駆動装置(スポット径保持手段)
18 Z軸コントローラ
20 半導体レーザチップ(レーザチップ)
2 搭載部(筐体)
3 光学ユニット
4 光学ユニット位置決め装置(光学ユニット位置決め手段)
5 光学ユニットコントローラ(変調手段)
6 駆動装置(駆動手段)
7 メインコントローラ(駆動手段;ピッチ検知手段)
8 基板
9 デバイス領域
10 高解像度光学系
11 低解像度光学系
12 半導体レーザチップ(レーザチップ)
13 コリメータレンズ
15 フォーカス検出器(検出手段)
16 対物レンズホルダ
17 対物レンズ駆動装置(スポット径保持手段)
18 Z軸コントローラ
20 半導体レーザチップ(レーザチップ)
Claims (8)
- 表面に複数の同一のデバイスを形成すべく、ステージ内に保持された基板に対して相対的に移動しながら、この基板に露光ビームを照射し、露光パターンを描画する露光装置において、
上記ステージに対向するように設けられた筐体と、
上記筐体内に設けられた2個以上の光学ユニットと、
露光中に光学ユニットからの露光ビームがアレイ状に形成された上記デバイス領域内で進退移動を繰り返すように、光学ユニットとステージとを相対移動させる駆動手段とを有することを特徴とする露光装置。 - 前記各デバイスに対応するように光学ユニットを位置決めする光学ユニット位置決め手段を備えていることを特徴とする請求項1に記載の露光装置。
- 前記各デバイスのピッチを検知するピッチ検知手段を備え、
前記光学ユニット位置決め手段は、上記ピッチ検知手段からの検知信号に基づいて、露光すべき上記デバイスの縦方向ピッチの整数倍、かつ、横方向ピッチの整数倍の距離を有するように隣り合う光学ユニット同士の距離を有するように、各光学ユニットを配置することを特徴とする請求項2に記載の露光装置。 - 前記光学ユニットには、レーザ光を基板に向けて出射する半導体レーザチップが搭載されていることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1項に記載の露光装置。
- 前記駆動手段が各光学ユニットを基板に対して平行に相対移動させるときに、上記基板上の光スポットの径を一定に保つべくスポット径保持手段が設けられていることを特徴とする請求項4に記載の露光装置。
- 前記基板からの反射光を検出する検出手段と、
露光前又は露光中に、上記基板の平面上に照射された前記レーザ光の強度を変調させる変調手段とをさらに備えていることを特徴とする請求項4または5に記載の露光装置。 - 前記光学ユニットは、前記基板上において異なる光スポットの径を形成する少なくとも2つの光学系を有することを特徴とする請求項5または6に記載の露光装置。
- 表面に複数の同一のデバイスを形成すべく、ステージ内に保持された基板に対して相対的に移動しながら、この基板に露光ビームを照射し、露光パターンを描画する露光方法において、
上記ステージに対向するように配された筐体内に2個以上の光学ユニットを設け、露光中に光学ユニットからの露光ビームがアレイ状に形成された上記デバイス領域内で進退移動を繰り返すように、光学ユニットとステージとを相対移動させることを特徴とする露光方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2004229821A JP2006049648A (ja) | 2004-08-05 | 2004-08-05 | 露光装置及び露光方法 |
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JP2009055033A (ja) * | 2007-08-24 | 2009-03-12 | Nikon Corp | 移動体駆動方法及び移動体駆動システム、パターン形成方法及び装置、露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
JP2009055032A (ja) * | 2007-08-24 | 2009-03-12 | Nikon Corp | 移動体駆動方法及び移動体駆動システム、パターン形成方法及び装置、露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
JP2009054733A (ja) * | 2007-08-24 | 2009-03-12 | Nikon Corp | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2009055031A (ja) * | 2007-08-24 | 2009-03-12 | Nikon Corp | 移動体駆動方法及び移動体駆動システム、パターン形成方法及び装置、デバイス製造方法、並びに処理システム |
-
2004
- 2004-08-05 JP JP2004229821A patent/JP2006049648A/ja active Pending
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