JP2006048226A - 半導体集積回路及び撮像装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 LSI30に、2つの内部バス32A、32Bと、各々予め定められた機能を実現する複数の機能ブロック(デジタル信号処理回路30A、CPU30B、圧縮・伸張処理回路30C、・・・)とを備え、前記複数の機能ブロックを各々前記2つ内部バス32A、32Bに電気的に接続すると共に、内部バス32Bのビット幅を内部バス32Aより小さなものとする。
【選択図】 図1
Description
24 CCD(撮像手段)
30 LSI
30A デジタル信号処理回路
30B CPU
30C 圧縮・伸張処理回路
30D 内蔵RAM
30E DMAコントローラ
30F ADC
30G 外部メモリインタフェース
30H 外部機器接続インタフェース
30I ビデオエンコーダ
30J OSDコントローラ
30K LCDコントローラ
30L、30M メモリコントローラ
32A、32B 内部バス
34A、34B 外部バス
36A、36B DMACI/F(インタフェース回路)
40 SDRAM(外部メモリ)
42 ROM(外部メモリ)
44 SDRAM(外部メモリ)
Claims (8)
- 複数の内部バスと、各々予め定められた機能を実現する複数の機能ブロックとを備えた半導体集積回路であって、
前記複数の機能ブロックを各々前記複数の内部バスに電気的に接続すると共に、前記複数の内部バスの一部のビット幅を他の内部バスより小さなものとした
ことを特徴とする半導体集積回路。 - 前記複数の機能ブロックに、DMAコントローラと、当該DMAコントローラによるDMA転送に対応するためのインタフェース回路を有するDMA対応機能ブロックと、を含めた
ことを特徴とする請求項1記載の半導体集積回路。 - 各々前記複数の内部バスの少なくとも2つに外部メモリを電気的に接続するための少なくとも2つの外部バスと、
前記少なくとも2つの外部バスの各々に外部メモリが接続された場合に、各外部メモリの記憶領域におけるアドレスを1つの連続したものとして当該各外部メモリを制御するメモリコントローラと、
を更に備えたことを特徴とする請求項2記載の半導体集積回路。 - 前記DMA対応機能ブロックにおける前記インタフェース回路を、当該DMA対応機能ブロックを電気的に接続する内部バスと同数で、かつ各々接続する内部バスのビット幅と同一のデータ転送ビット幅のものとした
ことを特徴とする請求項2又は請求項3記載の半導体集積回路。 - 前記DMA対応機能ブロックに対して、当該DMA対応機能ブロックが電気的に接続される複数の内部バスのビット幅を共通のビット幅とするように変換するビット幅変換回路を設けた
ことを特徴とする請求項2又は請求項3記載の半導体集積回路。 - 前記複数の機能ブロックに、データ入力のみを行うデータ入力機能ブロックとデータ出力のみを行うデータ出力機能ブロックとを含め、
前記データ入力機能ブロック及び前記データ出力機能ブロックを、前記複数の内部バスの何れか1つのみに電気的に接続するものとした
ことを特徴とする請求項1乃至請求項5の何れか1項記載の半導体集積回路。 - 前記複数の機能ブロックに、互いにデータ転送ビット幅が異なる複数のデータ転送部を有するデータ転送機能ブロックを含め、
前記データ転送機能ブロックにおける複数のデータ転送部を、各々自身のデータ転送ビット幅以上で、かつ最小のビット幅の内部バスのみに電気的に接続するものとした
ことを特徴とする請求項1乃至請求項6の何れか1項記載の半導体集積回路。 - 請求項1乃至請求項7の何れか1項記載の半導体集積回路と、
撮像によって被写体像を示す画像データを取得する撮像手段と、
を備えた撮像装置であって、
前記半導体集積回路を、前記撮像手段によって取得された画像データに対して所定の処理を行うものとした
ことを特徴とする撮像装置。
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