JP2006040920A - リフロー半田付け装置及び方法、並びに基板保持板 - Google Patents

Abstract

【課題】 従来に比べて高生産性にて、弱耐熱部品と耐熱部品とを一括して基板へリフロー半田付けを行う、リフロー半田付け装置及び方法、並びに基板保持板を提供する。
【解決手段】 耐熱部品１９１と弱耐熱部品１９２とが混在して実装されているフレキシブル基板１９０に対してリフロー半田付けを行う場合、近赤外線を用いて加熱を行うことから、熱の作用に関する指向性が熱風に比べて良く、加熱不要な部分まで加熱することを防止できる。よって、弱耐熱部品と耐熱部品とを一括して基板へリフロー半田付けを行うことができ、従来に比べて高生産性を得ることができる。
【選択図】 図１

Description

本発明は、弱耐熱部品と耐熱部品とを一括して基板へリフロー半田付けを行うリフロー半田付け装置及び方法、並びに上記装置及び方法に使用される基板保持板に関する。

弱耐熱部品と、耐熱性を有する耐熱部品とが同一基板上に実装された物をリフロー半田付けする場合、弱耐熱部品と耐熱部品とでは加熱温度を異ならせる必要があることから、従来、レーザー光を用いた加熱や、セラミックパネル上に部品実装済基板を載置して加熱する方法が採られている。
又、リフロー半田付けされる部品が実装された基板を載置し搬送する搬送ボードに、加熱が必要な箇所のみに開口を設け、該開口を通して熱風を作用させることで上記部品のリフロー半田付けを行うことも提案されている（例えば、特許文献１参照）。
特開２００１−５３４３３号公報

しかしながら、レーザー光を用いた加熱方法では、通常、耐熱部品に対しては例えば熱風にてリフロー半田付けを行い、弱耐熱部品についてはレーザー光にてリフロー半田付けを行うというように、加熱工程が２段階になり、リフロー処理に時間を要し生産性が悪いという問題がある。又、セラミックパネルを用いる場合、基板及び該パネルの仕様が異なる毎に加熱装置の変更が必要であり、かつ均一な加熱を行うためには、加熱装置と基板及びパネルとの間隔を均一にする必要がある。よって、上記パネルには熱による変形が許されない等の問題がある。又、上記熱風による加熱では、上記開口を通過した熱風が開口近傍にまで回り込み、加熱不要な部分、例えば上記弱耐熱部品までも加熱してしまうという問題がある。

本発明は、上述のような問題点を解決するためになされたもので、従来に比べて高生産性にて、弱耐熱部品と耐熱部品とを一括して基板へリフロー半田付けを行う、リフロー半田付け装置及び方法、並びに基板保持板を提供することを目的とする。

上記目的を達成するため、本発明は以下のように構成する。
即ち、本発明の第１態様のリフロー半田付け装置は、リフロー半田付けされる耐熱部品及び弱耐熱部品が実装されたフレキシブル基板を基板載置面に保持する基板保持板であって、上記基板載置面に対向する当該基板保持板の裏面に形成され赤外線の作用により当該基板保持板を加熱する加熱用材料、及び、上記弱耐熱部品における被半田付け部分に対応して当該基板保持板を貫通して設けられる貫通穴を有する基板保持板を保持する保持装置と、
上記保持装置にて保持されている上記基板保持板の上記裏面側に設けられ、上記裏面に対して赤外線を放射し、上記耐熱部品に対しては上記加熱用材料を介して上記基板保持板を加熱してリフロー半田付けを行わせ、上記弱耐熱部品に対しては上記貫通穴を介して上記被半田付け部分を直接加熱してリフロー半田付けを行わせる赤外線発生装置と、
を備えたことを特徴とする。

又、上記基板載置面側に設けられ、上記弱耐熱部品を冷却する冷却装置をさらに備えてよいし、又、上記被半田付け部分に対してレーザー光を照射して上記被半田付け部分の補助加熱を行う補助加熱装置をさらに備えることもできる。
さらに、上記基板保持板は、上記赤外線を上記被半田付け部分に集中させ上記被半田付け部分を加熱する集光部材を上記貫通穴に有するように構成することもでき、又、上記貫通穴は、上記裏面から上記基板載置面に向けて狭小となるように構成することもできる。

又、本発明の第２態様のリフロー半田付け方法は、フレキシブル基板に耐熱部品及び弱耐熱部品をリフロー半田付けするリフロー半田付け方法において、
上記耐熱部品及び上記弱耐熱部品が実装された上記フレキシブル基板を基板載置面に載置可能であり、かつ上記弱耐熱部品における上記フレキシブル基板への被半田付け部分に対応して貫通穴を形成した基板保持板を加熱位置に配置し、
上記基板載置面に対向する上記基板保持板の裏面に対して該裏面側から赤外線を照射し、
上記耐熱部品に対して上記赤外線による上記基板保持板の加熱によりリフロー半田付けを行なうとともに、該耐熱部品の半田付けと同工程において、上記弱耐熱部品に対して上記貫通穴を介して上記被半田付け部分を直接加熱してリフロー半田付けを行う、
ことを特徴とする。

さらに、本発明の第３態様の基板保持板は、リフロー半田付けされる耐熱部品及び弱耐熱部品が実装されたフレキシブル基板を基板載置面に保持するとともに、赤外線の作用により当該基板保持板を加熱する加熱用材料を上記基板載置面に対向する裏面に有し、かつ上記弱耐熱部品における被半田付け部分に対応して当該基板保持板を貫通して形成した貫通穴を有する基板保持板であって、上記赤外線を上記被半田付け部分に集中させ上記被半田付け部分を加熱する集光部材を上記貫通穴に設けたことを特徴とする。

上述した本発明の第１態様のリフロー半田付け装置、第２態様のリフロー半田付け方法、及び第３態様の基板保持板によれば、耐熱部品と弱耐熱部品とが混在して実装されているフレキシブル基板に対してリフロー半田付けを行う場合、赤外線、特に近赤外線を用いて加熱を行うことから、近赤外線の指向性が熱風の場合に比べて良く、熱風のように加熱不要な部分まで加熱することを防止できる。よって、貫通穴を通して弱耐熱部品の被半田付け部分を直接加熱することができ、上記貫通穴から弱耐熱部品まで熱が作用するのを低減できる。一方、耐熱部品については、加熱用材料への近赤外線の作用により基板保持板が加熱されリフロー半田付けが可能である。よって、弱耐熱部品と耐熱部品とを一括して基板へリフロー半田付けを行うことができ、従来に比べて高生産性を得ることができる。

又、冷却装置にて弱耐熱部品を冷却することで、弱耐熱部品の昇温を低減することができる。又、レーザー光発生装置にて弱耐熱部品の被半田付け部分を補助加熱したり、あるいは貫通穴に集光部材を設けることで近赤外線を上記被半田付け部分に集中させてピンポイント的な加熱を行うことで、弱耐熱部品について、より短時間にて半田付けが可能となり、弱耐熱部品の昇温を低減することができる。

又、貫通穴の形状を、基板保持板の裏面から基板載置面に向けて狭小とすることで、上記裏面側から照射される近赤外線の入射量を多くすることができ、かつ上記被半田付け部分に近赤外線を集中させることができることから、弱耐熱部品について、より短時間にて半田付けが可能となり、弱耐熱部品の昇温を低減することができる。

本発明の実施形態である、リフロー半田付け装置及び方法、並びに該リフロー半田付け装置及び方法にて使用される基板保持板について、図を参照しながら以下に説明する。尚、各図において、同じ構成部分については同じ符号を付している。
図１には、上記実施形態におけるリフロー半田付け装置１０１が示されている。該リフロー半田付け装置１０１は、基本的構成として保持装置１１０及び、赤外線発生装置の一例としての近赤外線発生装置１２０を備えればよいが、ここではさらに、冷却装置１３０、温度測定装置１４０、及び制御装置１８０を備える。このような構成を有するリフロー半田付け装置１０１は、近赤外線発生装置１２０が放射する近赤外線による加熱により電子部品の電極部に設けた半田を溶融し、上記電子部品を基板にリフロー半田付けする装置である。

上記電子部品及び基板について具体的に説明する。
本実施形態では、上記基板は、図２及び図３に示すような、例えば０．０７ｍｍ程度の厚みの、ポリイミド材にてなるシート状のフレキシブルな基板１９０であり、実装面１９０ａには、例えばクリーム半田等を介して耐熱部品１９１及び弱耐熱部品１９２が実装されている。耐熱部品１９１は、表面実装可能な例えば抵抗やコンデンサ等の部品であり、従来のリフロー半田付け温度に十分耐え得る耐熱性を有する。一方、弱耐熱部品１９２は、例えば、ＬＤＵ（Laser Detector hologram Unit）と呼ばれる光学系素子が該当する。該光学系素子は、樹脂材等にてなるレンズや、接着剤を有し、これらが半田融点温度に耐えることができないことから、リフロー半田付け動作において耐熱部品１９１と同じ取り扱いはできない。又、該フレキシブル基板１９０は、以下に説明するように基板保持板１７０に保持されることから、図３に示すように、上記実装面１９０ａに対向する、当該フレキシブル基板１９０の非実装面１９０ｂには、基板保持板１７０に貼着可能な例えば０．２５ｍｍ程度の厚みの、ガラスエポキシ材にてなるシート状の裏打ち材１９０ｃが取り付けられている。尚、当該明細書において、フレキシブル基板１９０とは、裏打ち材１９０ｃを含んだ状態の基板を指す。

上述のようにフレキシブル基板１９０は、非常に薄くフレキシブルであり、そのままではリフロー半田付け動作において取り扱いが困難であることから、リフロー半田付け装置１０１には、基板保持板１７０に貼着した状態にて搬入される。該基板保持板１７０は、例えば図４及び図５に示すような、例えばアルミニウム材やマグネシウム材等の伝熱性の良い材料の平板であり、表面１７０ａには、上記裏打ち材１９０ｃを貼着可能とする、例えばシリコーンゴムで０．１〜０．３ｍｍ程度の厚さにてなる基板貼着材１７１が全面あるいは部分的に形成されている。尚、該基板貼着材１７１においてフレキシブル基板１９０が貼着される面を基板載置面１７１ａとする。又、上記表面に対向する、基板保持板１７０の裏面１７０ｂには、全面又は所望部分に、近赤外線の輻射熱により放射熱伝達され基板保持板１７０を加熱する加熱用材料１７２が形成されている。該加熱用材料１７２は、例えば酸化鉄系無機顔料材で、焼き付け塗装状態で放射率が例えば０．９４であるような、黒体塗料であり、本実施形態では焼き付けにて形成されている。
さらに基板保持板１７０には、弱耐熱部品１９２における被半田付け部分１９２ａに対応して当該基板保持板１７０を貫通する、勿論基板貼着材１７１及び加熱用材料１７２をも貫通した貫通穴１７３が形成されている。尚、上記被半田付け部分１９２ａとは、弱耐熱部品１９２の電極部分であってフレキシブル基板１９０の電極と半田付けされる部分であり、本実施形態では図１に示すように弱耐熱部品１９２のリードの先端部分に該当する。

以上のように構成されたフレキシブル基板１９０及び基板保持板１７０は、基板保持板１７０の基板載置面１７１にフレキシブル基板１９０の裏打ち材１９０ｃを規定位置、即ち弱耐熱部品１９２の被半田付け部分１９２ａを貫通穴１７３に対応させて貼着させる。このようにフレキシブル基板１９０を貼着した基板保持板１７０がリフロー半田付け装置１０１に搬入される。

上記保持装置１１０は、基板保持板１７０の搬送方向１１１に沿って互いに平行に延在する２本の駆動路１１２を有し、これらの駆動路１１２にて、搬送方向１１１に直交する左右方向における基板保持板１７０の側縁部を支持しながら、リフロー半田付け装置１０１に対して基板保持板１７０を搬入及び搬出する装置であり、制御装置１８０にて動作制御される。

上記近赤外線発生装置１２０は、保持装置１１０にて保持、搬送される基板保持板１７０の下方、即ち基板保持板１７０の加熱用材料１７２側に、基板保持板１７０に非接触な状態で配置される。該近赤外線発生装置１２０は、上記左右方向に沿って延在する少なくとも１本の近赤外線発生管１２１、及び該近赤外線発生管１２１に近接して配置される凹状の円弧形状にてなる反射材１２２を有する。このように構成される近赤外線発生装置１２０は、近赤外線発生管１２１から近赤外線１２３を放射し、直接に、又は反射材１２２で反射させて間接に、加熱用材料１７２に照射するとともに、基板保持板１７０の貫通穴１７３を通して上記被半田付け部分１９２ａに直接照射する。よって、近赤外線発生装置１２０は、耐熱部品１９１に対して、加熱用材料１７２を介して基板保持板１７０を加熱してフレキシブル基板１９０へのリフロー半田付けを行わせ、弱耐熱部品１９２に対しては被半田付け部分１９２ａを直接加熱してフレキシブル基板１９０へのリフロー半田付けを行わせる。又、近赤外線発生管１２１の出力は、制御装置１８０にて制御される。

上記冷却装置１３０は、基板保持板１７０の上方、即ち上記基板載置面１７１ａ側に設けられ、リフロー半田付け動作中における弱耐熱部品１９２を冷却する装置である。本実施形態では、図１に示すように、冷却装置１３０は、弱耐熱部品１９２に対応して配置され弱耐熱部品１９２の一部を収納する凹部１３１１を有するカバー部材１３１と、冷却材供給装置１３２と、昇降装置１３３とを有する。冷却材供給装置１３２は、カバー部材１３１に接続され、カバー部材１３１の凹部１３１１へ冷却材を供給する装置である。上記冷却材の一例として本実施形態では約２５℃にてなる冷風を使用する。昇降装置１３３は、リフロー半田付け動作が行われる基板保持板１７０の厚み方向１７４に沿って、待機位置１３３１と冷却位置１３３２との間でカバー部材１３１を昇降させる装置であり、基板保持板１７０がリフロー半田付け装置１０１に搬入された後、リフロー半田付け装置１０１から搬出されるまでの間で、リフロー半田付け動作の開始前から終了後まで、カバー部材１３１を冷却位置１３３２に配置させる装置である。カバー部材１３１が冷却位置１３３２に配置されている状態では、本実施形態では図示するように、カバー部材１３１の下端部１３１２が弱耐熱部品１９２を構成するパッケージ部１９２１に当接するように構成している。これにより、凹部１３１１から外部への上記冷風の漏れを低減し弱耐熱部品１９２を効率よく冷却すると共に、被半田付け部分１９２ａへの冷風作用を低減し被半田付け部分１９２ａの昇温を促進させる。
このように構成される冷却装置１３０は、制御装置１８０にて動作制御される。

上記冷却装置の構成は、図１に示す構成に限定されず、他の一例として図７に示すような構成を採ることもできる。図７に示す冷却装置１３４では、上述のカバー部材１３１に代えて、マスク部材１３５を有し、該マスク部材１３５は、昇降装置１３３にて待機位置１３３１と冷却位置１３３２との間で厚み方向１７４に沿って昇降される。又、マスク部材１３５の上方には、冷却材供給装置１３２が設けられ、マスク部材１３５に対して冷却材、ここでは冷風が供給される。又、マスク部材１３５は、弱耐熱部品１９２に対応して形成された開口１３５１を有する。該開口１３５１は、上記パッケージ部１９２１を僅かに超える大きさにてなり、上記被半田付け部分１９２ａに対向する部分には存在しない。よって、マスク部材１３５が冷却位置１３３２に位置するとき、弱耐熱部品１９２の主要部分は、マスク部材１３５を貫通して位置し、冷却材供給装置１３２による上記冷風が作用することから冷風にて冷却され、一方、被半田付け部分１９２ａは、マスク部材１３５にて覆われていることから、上記冷風作用は軽減されほとんど冷却されない。

尚、上述の説明では、冷却装置１３０、１３４のいずれの場合も、弱耐熱部品１９２に対して、カバー部材１３１及びマスク部材１３５を昇降させる構造を採っているが、これに限定されず、例えばカバー部材１３１及びマスク部材１３５に対して基板保持板１７０を昇降させても良い。即ち、弱耐熱部品１９２、並びにカバー部材１３１及びマスク部材１３５を、厚み方向１７４に沿って相対的に移動させる構成であればよい。

上記温度測定装置１４０は、上記被半田付け部分１９２ａの温度を測定し、測定結果を制御装置１８０へ送出する装置であり、本実施形態では、放射温度計を用いている。

制御装置１８０は、上述した保持装置１１０、近赤外線発生装置１２０、冷却装置１３０、及び温度測定装置１４０と接続され、これら装置の動作を制御して、リフロー半田付け動作を実行する。ここで、温度測定装置１４０にて測定された被半田付け部分１９２ａにおける温度に従い、制御装置１８０は、近赤外線発生装置１２０の近赤外線発生管１２１の出力を制御する。

以上説明したように構成されたリフロー半田付け装置１０１における動作、即ちリフロー半田付け方法について、図６を参照しながら以下に説明する。尚、各動作は、制御装置１８０にて制御される。
まず、図６の（ａ）に示すように、フレキシブル基板１９０を載置した基板保持板１７０が保持装置１１０にて当該リフロー半田付け装置１０１に搬入される。この時点では、近赤外線発生装置１２０は近赤外線１２３を放射していない。尚、以下の当該動作説明において、特記しない限り、基板保持板１７０は、フレキシブル基板１９０を載置した基板保持板を意味する物とする。

次に、（ｂ）に示すように、リフロー半田付け装置１０１の所定の加熱位置１１３に基板保持板１７０を配置した後、待機位置１３３１に配置されているカバー部材１３１を、昇降装置１３３にて冷却位置１３３２まで降下させ、弱耐熱部品１９２のパッケージ部１９２１にカバー部材１３１を当接させる。該当接後、冷却材供給装置１３２を動作させて、カバー部材１３１の凹部１３１１内へ冷風を供給し、弱耐熱部品１９２の冷却を開始する。

次に、（ｃ）に示すように、上述のように弱耐熱部品１９２の冷却動作を行いながら、近赤外線発生装置１２０を動作させ、近赤外線１２３を放射して、耐熱部品１９２及び弱耐熱部品１９２のリフロー半田付け動作を開始する。上述したように、耐熱部品１９２については、基板保持板１７０の加熱用材料１７２への近赤外線１２３の作用により基板保持板１７０が加熱され、該熱により半田が溶融しフレキシブル基板１９０へのリフロー半田付けが行われる。一方、弱耐熱部品１９２については、基板保持板１７０の貫通穴１７３を通過した近赤外線１２３により被半田付け部分１９２ａが直接加熱され、半田が溶融しフレキシブル基板１９０へのリフロー半田付けが行われる。このとき、被半田付け部分１９２ａは、温度測定装置１４０にて測温され、該測定結果に応じて近赤外線発生装置１２０における近赤外線１２３の強度が制御される。

予め温度測定を行い決定した規定時間の経過に基づき、耐熱部品１９２及び弱耐熱部品１９２に対するリフロー半田付けが終了したと判断されたとき、近赤外線発生装置１２０の動作を停止する。加熱停止後、基板保持板１７０の冷却を行うが、基板保持板１７０の加熱用材料１７２側からも冷風を作用させて冷却を行うのが好ましい。尚、弱耐熱部品１９２については冷却装置１３０による冷却動作を続行している。

予め温度測定を行い決定した規定時間の経過に基づき、冷却が完了したと判断されたとき、昇降装置１３３にてカバー部材１３１を冷却位置１３３２から待機位置１３３１へ上昇させ、その後、保持装置１１０を動作させて、リフロー半田付け装置１０１から基板保持板１７０を搬出する。
以上の動作にて、１枚の基板保持板１７０に対するリフロー半田付け動作が終了する。

以上説明したリフロー半田付け装置１０１によるリフロー半田付け動作によれば、近赤外線発生装置１２０による近赤外線１２３を用いることから、熱の作用に関する指向性が従来の熱風の場合に比べて良く、熱風のように加熱不要な部分まで加熱してしまうことを防止することができる。よって、貫通穴１７３を通して弱耐熱部品１９２の被半田付け部分１９２ａを直接加熱することができ、貫通穴１７３から弱耐熱部品１９２へ熱が作用してしまうのを低減できる。一方、耐熱部品１９１については、加熱用材料１７２への近赤外線１２３の作用により基板保持板１７０が加熱されリフロー半田付けが可能である。よって、弱耐熱部品１９２と耐熱部品１９１とを一括してフレキシブル基板１９０へリフロー半田付けを行うことができ、従来に比べて高生産性を得ることができる。

又、冷却装置１３０にて弱耐熱部品１９２を冷却することで、弱耐熱部品１９２の昇温を低減することができ、弱耐熱部品１９２及び耐熱部品１９１の一括リフロー半田付けが可能なように寄与し、従来に比べて高生産性を得ることができる。

又、上述のように本実施形態では、近赤外線１２３を利用することから、以下に説明するような構成を採ることも可能である。
即ち、図８に示すように、上記貫通穴１７３に、近赤外線１２３を上記被半田付け部分１９２ａに集中させ被半田付け部分１９２ａを加熱する集光部材１７５を取り付けても良い。該集光部材１７５の一例としては、図示するような凸レンズを用いることができる。

又、上記貫通穴１７３は、基板保持板１７０の厚み方向１７４に対して平行な開口であるが、図９に示すように、基板保持板１７０の加熱用材料１７２側から基板載置面１７１ａ側に向けて狭小となるように、つまり開口面積が徐々に小さくなるような、貫通穴１７６を基板保持板１７０に形成することもできる。

又、本実施形態では、加熱用材料１７２は、基板保持板１７０の裏面の全面に形成しているが、極力、弱耐熱部品１９２に対する加熱を低減する観点から、弱耐熱部品１９２が位置する部分に対応する領域には、加熱用材料１７２を形成しないように構成しても良い。即ち、図１０に示すように、基板保持板１７０の裏面において、弱耐熱部品１９２が位置する部分に対応する領域には、加熱用材料１７２の非形成領域１７２１を設けても良い。該非形成領域１７２１を設けることで、近赤外線１２３の作用による発熱が抑えられ、弱耐熱部品１９２の加熱を低減することができる。

あるいは又、基板保持板１７０の裏面の全面に加熱用材料１７２を形成している場合であっても、図１１に示すように、基板保持板１７０の裏面において、弱耐熱部品１９２が位置する部分に対応する領域に対向して、近赤外線１２３を遮光する遮光板１７７を配置するようにしても良い。該遮光板１７７を設けることで、弱耐熱部品１９２が位置する部分に対応する上記領域へ照射される近赤外線１２３が遮られ加熱用材料１７２に作用するのを抑えることができ、弱耐熱部品１９２の加熱を低減することができる。

さらに又、弱耐熱部品１９２の被半田付け部分１９２ａをより加熱する観点から、図１２に示すように、被半田付け部分１９２ａの補助加熱を行う補助加熱装置１５０をさらに備えても良い。該補助加熱装置１５０の一例として、被半田付け部分１９２ａに対してレーザー光を照射して被半田付け部分１９２ａの補助加熱を行うレーザー光発生装置が考えられる。該レーザー光発生装置にて加熱を行う場合、一例として、出力８Ｗ、照射時間１秒、程度が良い。

上述の実施形態では、エネルギー密度が高く急峻な加熱が可能なこと、さらには、遠赤外線に比べて放射率（吸収率）の影響を受けやすくワークの材質及び表面状態により温度差を生じさせやすいことから、加熱手段として近赤外線を用いた。しかしながら、近赤外線に限定するものではなく、一般的に赤外線を使用することができる。

又、上述した実施形態及び変形例を適宜組み合わせた構成を採ることもできる。

本発明は、弱耐熱性の電子部品と耐熱性の電子部品とを一括してフレキシブル基板へリフロー半田付けを行うためのリフロー半田付け装置、及び該装置にて実行されるリフロー半田付け方法、並びに上記装置及び方法に使用される基板保持板に適用可能である。

本発明の実施形態におけるリフロー半田付け装置の一構成例を示す図である。 図１に示すリフロー半田付け装置へ搬入されるフレキシブル基板の一例を示す斜視図である。 図２に示すフレキシブル基板の側面図である。 図１に示すリフロー半田付け装置へ搬入される基板保持板の一例を示す平面図である。 図４に示す基板保持板の断面図である。 図１に示すリフロー半田付け装置にて実行されるリフロー半田付け動作を説明するための図である。 図１に示すリフロー半田付け装置の変形例を示す図である。 図４に示す基板保持板の変形例を示す断面図である。 図４に示す基板保持板の別の変形例を示す断面図である。 図４に示す基板保持板の他の変形例の断面図である。 図４に示す基板保持板のさらに別の変形例における断面図である。 図１に示すリフロー半田付け装置の別の変形例を示す図である。

符号の説明

１０１…リフロー半田付け装置、１１０…保持装置、１２０…近赤外線発生装置、
１３０…冷却装置、１５０…レーザー光発生装置、１７０…基板保持板、
１７０ｂ…裏面、１７１ａ…基板載置面、１７２…加熱用材料、１７３…貫通穴、
１７５…レンズ、１９０…フレキシブル基板、１９１…耐熱部品、
１９２…弱耐熱部品、１９２ａ…被半田付け部分。

Claims (10)

1. リフロー半田付けされる耐熱部品及び弱耐熱部品が実装されたフレキシブル基板を基板載置面に保持する基板保持板であって、上記基板載置面に対向する当該基板保持板の裏面に形成され赤外線の作用により当該基板保持板を加熱する加熱用材料、及び、上記弱耐熱部品における被半田付け部分に対応して当該基板保持板を貫通して設けられる貫通穴を有する基板保持板を保持する保持装置と、
   上記保持装置にて保持されている上記基板保持板の上記裏面側に設けられ、上記裏面に対して赤外線を放射し、上記耐熱部品に対しては上記加熱用材料を介して上記基板保持板を加熱してリフロー半田付けを行わせ、上記弱耐熱部品に対しては上記貫通穴を介して上記被半田付け部分を直接加熱してリフロー半田付けを行わせる赤外線発生装置と、
   を備えたことを特徴とするリフロー半田付け装置。
2. 上記基板載置面側に設けられ、上記弱耐熱部品を冷却する冷却装置をさらに備えた、請求項１記載のリフロー半田付け装置。
3. 上記被半田付け部分に対してレーザー光を照射して上記被半田付け部分の補助加熱を行う補助加熱装置をさらに備えた、請求項１又は２記載のリフロー半田付け装置。
4. 上記基板保持板は、上記赤外線を上記被半田付け部分に集中させ上記被半田付け部分を加熱する集光部材を上記貫通穴に有する、請求項１から３のいずれかに記載のリフロー半田付け装置。
5. 上記貫通穴は、上記裏面から上記基板載置面に向けて狭小となる、請求項１から４のいずれかに記載のリフロー半田付け装置。
6. フレキシブル基板に耐熱部品及び弱耐熱部品をリフロー半田付けするリフロー半田付け方法において、
   上記耐熱部品及び上記弱耐熱部品が実装された上記フレキシブル基板を基板載置面に載置可能であり、かつ上記弱耐熱部品における上記フレキシブル基板への被半田付け部分に対応して貫通穴を形成した基板保持板を加熱位置に配置し、
   上記基板載置面に対向する上記基板保持板の裏面に対して該裏面側から赤外線を照射し、
   上記耐熱部品に対して上記赤外線による上記基板保持板の加熱によりリフロー半田付けを行なうとともに、該耐熱部品の半田付けと同工程において、上記弱耐熱部品に対して上記貫通穴を介して上記被半田付け部分を直接加熱してリフロー半田付けを行う、
   ことを特徴とするリフロー半田付け方法。
7. 上記裏面へ上記赤外線を照射するとき、上記基板載置面側から上記弱耐熱部品を冷却する、請求項６記載のリフロー半田付け方法。
8. 上記裏面へ上記赤外線を照射するとき、上記被半田付け部分に対してレーザー光を照射して補助加熱を行う、請求項６又は７に記載のリフロー半田付け方法。
9. リフロー半田付けされる耐熱部品及び弱耐熱部品が実装されたフレキシブル基板を基板載置面に保持するとともに、赤外線の作用により当該基板保持板を加熱する加熱用材料を上記基板載置面に対向する裏面に有し、かつ上記弱耐熱部品における被半田付け部分に対応して当該基板保持板を貫通して形成した貫通穴を有する基板保持板であって、上記赤外線を上記被半田付け部分に集中させ上記被半田付け部分を加熱する集光部材を上記貫通穴に設けたことを特徴とする基板保持板。
10. 上記貫通穴は、上記裏面から上記基板載置面に向けて狭小となる、請求項９記載の基板保持板。
    

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