JP2006040723A - カソード基板及びこのカソード基板の作製方法。 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 処理基板11上に順次積層したカソード電極層12、絶縁層13及びゲート孔開口部14aを形成したゲート電極層14を備え、この絶縁層に形成したホール13aの底部に触媒層16を形成し、この触媒層上にカーボン系エミッタ材料Cを成長させてなるカソード基板において、前記カーボン系エミッタ材料を、前記触媒層を所定の膜厚に設定してその成長が飽和するまで成長させたものとする。
【選択図】 図2
Description
(比較例1)
11 ガラス基板
12 カソード電極層
13 絶縁層
14 ゲート電極層
14a ゲート孔開口部
15 犠牲層
16 触媒層
C カーボン系エミッタ材料
Claims (8)
- 処理基板上に順次積層したカソード電極層、絶縁層及びゲート孔開口部を形成したゲート電極層を備え、この絶縁層に形成したホールの底部に触媒層を形成し、この触媒層上にカーボン系エミッタ材料を成長させてなるカソード基板において、前記カーボン系エミッタ材料は、前記触媒層を所定の膜厚に設定してその成長が飽和するまで成長させたものであることを特徴とするカソード基板。
- 前記触媒層の膜厚を、1〜10nmの範囲に設定したことを特徴とする請求項1記載のカソード基板。
- 前記絶縁層は、カーボン系エミッタ材料の成長膜厚より大きい膜厚を有することを特徴とする請求項1または請求項2記載のカソード基板。
- 前記触媒層を、Fe、Co又はこれらの金属の少なくとも1種類を含む合金から構成したことを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載のカソード基板。
- 処理基板上にカソード電極層、絶縁層及びゲート電極層を順次積層すると共にゲート電極層にゲート孔開口部を形成し、このゲート孔開口部を介して絶縁層にホールを形成し、このホールの底部に形成した触媒層上にカーボン系エミッタ材料を成長させてなるカソード基板の作製方法において、触媒層を所定の膜厚に設定してカーボン系エミッタ材料を一旦成長させて、その成長が飽和するカーボン系エミッタ材料の成長膜厚を予め測定しておき、成長が飽和する膜厚より厚い膜厚で絶縁膜を形成した後、前記所定の膜厚の触媒層上に、成長が飽和するまでカーボン系エミッタ材料を成長させることを特徴とするカソード基板の作製方法。
- 前記カーボン系エミッタ材料を成長させる際に触媒として作用する触媒層を、絶縁層の下側に予め形成することを特徴とする請求項5記載のカソード基板の作製方法。
- 前記カーボン系エミッタ材料を成長させる際に触媒として作用する触媒層を、絶縁層のエッチング後に、リフトオフ法によって形成することを特徴とする請求項5記載のカソード基板の作製方法。
- 前記カーボン系エミッタ材料の成長時間を10〜60minとしたことを特徴とする請求項5乃至請求項7のいずれかに記載のカソード基板の作製方法。
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