JP2006036834A - Adhesive tape for processing semiconductor wafer - Google Patents
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Abstract
Description
本発明はシリコンやガリウムヒ素などの半導体ウエハを加工する際に使用する半導体ウエハ加工用の粘着テープに関するものである。 The present invention relates to an adhesive tape for processing a semiconductor wafer used when processing a semiconductor wafer such as silicon or gallium arsenide.
従来、半導体ウエハに貼着し、ダイシング、エキスパンド等を行い、次いで該半導体ウエハからのチップをピックアップすると同時にマウンティングする際に用いる半導体ウエハ加工用粘着テープとして、紫外線及び／又は電子線に対し透過性を有する基材上に紫外線及び／又は電子線により重合硬化反応をする粘着剤層が塗布された粘着テープを用い、ダイシング後に紫外線及び／又は電子線を粘着剤層に照射し、粘着剤層を重合硬化反応させ、粘着力を低下せしめてチップをピックアップする方法が知られている。 Conventionally, as an adhesive tape for processing semiconductor wafers used for pasting, pasting, dicing, expanding, etc. on a semiconductor wafer, then picking up the chip from the semiconductor wafer and mounting it, it is permeable to ultraviolet rays and / or electron beams A pressure-sensitive adhesive tape in which a pressure-sensitive adhesive layer that undergoes a polymerization and curing reaction with ultraviolet rays and / or an electron beam is applied onto a substrate having UV light, and after the dicing, the pressure-sensitive adhesive layer is irradiated with ultraviolet rays and / or electron beams. A method is known in which a chip is picked up by causing a polymerization and curing reaction to reduce the adhesive force.
また、近年電子機器の小型化高性能化の進展に伴い、エキスパンド゛することによりチップの間隔を広げて易ピックアップすることが求められる。通常５〜１０％エキスパンドが一般的であるが、２０〜４０％エキスパンドする場合もある。この時、基材がエキスパンドの伸びに追随しない場合には、エキスパンド後のチップ間隔が開かない問題がある。 In recent years, with the progress of miniaturization and high performance of electronic devices, it is required to expand the distance between chips by expanding and to easily pick up. Usually, 5 to 10% expand is common, but 20 to 40% expand may occur. At this time, when the base material does not follow the expansion of the expand, there is a problem that the chip interval after the expansion is not opened.
このためエキスパンドに対応する樹脂フィルム基材として、特許文献１〜２にあるようにポリエチレン、ポリプロピレン、ポリブテン、ポリブタジエン、ポリメチルペンテン、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル共重合体、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリウレタン、エチレン酢ビ共重合体、アイオノマー、エチレン・(メタ)アクリル酸共重合体、エチレン・(メタ)アクリル酸エステル共重合体の単層あるいは積層シートが用いられてきた。 For this reason, as disclosed in Patent Documents 1 and 2, as a resin film substrate corresponding to the expand, polyethylene, polypropylene, polybutene, polybutadiene, polymethylpentene, polyvinyl chloride, vinyl chloride copolymer, polyethylene terephthalate, polybutylene terephthalate, A single layer or laminated sheet of polyurethane, ethylene vinyl acetate copolymer, ionomer, ethylene / (meth) acrylic acid copolymer, or ethylene / (meth) acrylic acid ester copolymer has been used.
この中でも特に軟質塩化ビニル樹脂からなるフィルムはエキスパンド時によく伸び、チップ間隔を広げるために用いられるが、エキスパンドした時に基材と粘着剤との間の密着力に問題があり、ピックアップした際に粘着剤が基材から剥がれ、チップへ粘着剤が転写（糊残り）する問題があった。
一般的に基材と密着力を上げるためには、特許文献３〜４にあるように基材へのコロナ処理あるいは電子線照射を行うことにより、ＪＩＳＫ６７６８で規定される濡れ指数が増加し、改良が見られることがある。
しかし、軟質塩化ビニル樹脂の場合にはＪＩＳＫ６７６８で規定される濡れ指数に処理前と処理後とで変化がなく、効果が見られなかった。それ故、軟質塩化ビニル樹脂においては、エキスパンド時に粘着剤が基材から剥がれることなく、ピックアップ時に粘着剤残りのないテープが求められた。
Among them, a film made of a soft vinyl chloride resin is particularly well stretched when expanded and used to widen the chip interval. However, when expanded, there is a problem in the adhesion between the base material and the adhesive, and the adhesive is difficult when picked up. There was a problem that the adhesive peeled off from the base material and the adhesive was transferred to the chip (adhesive residue).
In general, in order to increase the adhesion with the base material, the wettability index defined in JISK6768 is increased and improved by performing corona treatment or electron beam irradiation on the base material as described in Patent Documents 3 to 4. May be seen.
However, in the case of soft vinyl chloride resin, there was no change in the wetting index defined by JISK6768 before and after treatment, and no effect was seen. Therefore, in the case of soft vinyl chloride resin, there has been a demand for a tape that does not peel off the adhesive from the base material during expansion, and has no adhesive remaining during pickup.
本発明の課題は、ピックアップ時にチップへの粘着剤の転写（糊残り）の少ない半導体ウエハ加工用粘着テープを提供することである。 An object of the present invention is to provide a pressure-sensitive adhesive tape for processing a semiconductor wafer with little transfer (adhesive residue) of the pressure-sensitive adhesive to the chip during pick-up.
本発明は、紫外線及び／又は電子線に対し透過性を有する軟質塩化ビニル樹脂フィルム基材面上に、ベース樹脂、放射線重合性化合物、放射線重合性重合開始剤、並びに架橋剤からなる粘着剤を塗布してなる半導体ウエハ加工用粘着テープであって、粘着剤が塗工される軟質塩化ビニル樹脂フィルム面にプラズマ処理を行い、ＪＩＳ Ｋ６７６８で規定されるフィルム表面の濡れ指数が４０ｍＮ／ｍ以上であることを特徴とする半導体ウエハ加工用粘着テープ、である。 The present invention provides a pressure-sensitive adhesive comprising a base resin, a radiation-polymerizable compound, a radiation-polymerizable polymerization initiator, and a cross-linking agent on the surface of a soft vinyl chloride resin film substrate having transparency to ultraviolet rays and / or electron beams. An adhesive tape for processing semiconductor wafers, which is applied to a surface of a soft vinyl chloride resin film to which an adhesive is applied, and the wetting index of the film surface defined by JIS K6768 is 40 mN / m or more. A pressure-sensitive adhesive tape for processing semiconductor wafers.
本発明の半導体ウエハ加工用粘着テープにより、ピックアップ後のチップへの粘着剤の転写（糊残り）が少なくなる。それにより、チップと基板との接着力の向上、歩留まり向上ならびにチップから構成される半導体製品の信頼性があがる。 The adhesive tape for processing a semiconductor wafer according to the present invention reduces the transfer (adhesive residue) of the adhesive to the chip after pickup. As a result, the adhesion between the chip and the substrate is improved, the yield is improved, and the reliability of the semiconductor product composed of the chips is improved.
以下、本発明を詳細に説明する。
本発明の軟質塩化ビニル樹脂フィルム基材に用いられる樹脂とは、CH2-CHClで表される基を有するポリマーすべてを指し、塩化ビニルの単独重合体、及びエチレン-塩化ビニル共重合体等の塩化ビニルと重合性モノマーとの共重合体、並びに塩素化塩化ビニル共重合体等の単独および共重合体を改質したもの、さらには塩素化ポリエチレン等の構造上塩化ビニル樹脂と類似の塩素化ポリエチレンを包含する。また、これらの塩化ビニル系樹脂は数平均重合度で３００〜３０００が好ましく、さらには５００〜２０００の重合度を有しているのがより好ましい。これらの塩化ビニル系樹脂を単独、または２種以上併用することができる。
Hereinafter, the present invention will be described in detail.
The resin used for the soft vinyl chloride resin film substrate of the present invention refers to all polymers having a group represented by CH 2 -CHCl, such as a vinyl chloride homopolymer and an ethylene-vinyl chloride copolymer. Copolymers of vinyl chloride and polymerizable monomers, chlorinated vinyl chloride copolymers, etc., and modified copolymers, and chlorination similar to vinyl chloride resins in structure such as chlorinated polyethylene Includes polyethylene. These vinyl chloride resins preferably have a number average degree of polymerization of 300 to 3000, and more preferably 500 to 2000. These vinyl chloride resins can be used alone or in combination of two or more.
本発明に使用する軟質塩化ビニル系樹脂の安定剤としては、特に指定はされないが、通常の軟質塩化ビニル系樹脂の安定剤に使用されるものであればよい。たとえば、鉛系、バリウムー亜鉛系、カルシウムー亜鉛系、スズ系等が挙げられる。安定剤の添加量は、塩化ビニル系樹脂１００重量部に対して、好ましくは１〜１０重量部である。安定剤の添加量が１重量部未満では軟質塩化ビニル系樹脂の安定剤としての効果が少なく、１０重量部を越えるとブルームやチョーキングの問題がある。 The stabilizer of the soft vinyl chloride resin used in the present invention is not particularly specified, but any stabilizer may be used as long as it is used as a stabilizer for ordinary soft vinyl chloride resins. For example, a lead type, a barium-zinc type, a calcium-zinc type, a tin type, etc. are mentioned. The addition amount of the stabilizer is preferably 1 to 10 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the vinyl chloride resin. When the added amount of the stabilizer is less than 1 part by weight, the effect of the soft vinyl chloride resin as a stabilizer is small, and when it exceeds 10 parts by weight, there is a problem of bloom or choking.
本発明の基材である軟質塩化ビニル系樹脂の可塑剤としては、DOP、n-DOP、DINP、DIDP混合アルキルフタレート等のフタル酸エステル、トリオクチルトリメリテート、トリオクチルピロメリテート等の芳香族カルボン酸エステル系、 DOA、DOZ、DOS等の脂肪酸二塩基性エステル系、エポキシ大豆油、エポキシ化アマニ油等のエポキシ系、塩素化パラフィン、ポリエステル系等が挙げられ、単独あるいは２種以上の併用で使用できる。
可塑剤の添加量は、塩化ビニル系樹脂１００重量部に対して、２０〜４５重量部であり、好ましくは２５〜４０重量部、より好ましくは３０〜３８重量部である。可塑剤量が４５重量部を超えると粘着剤層への可塑剤の移行が起こり、粘着力の低下を招くので好ましくない。
Examples of the plasticizer of the soft vinyl chloride resin that is the base material of the present invention include phthalates such as DOP, n-DOP, DINP, and DIDP mixed alkyl phthalate, and fragrances such as trioctyl trimellitate and trioctyl pyromellitate. Aliphatic carboxylic acid esters, fatty acid dibasic esters such as DOA, DOZ, DOS, epoxy soybean oil, epoxidized linseed oil, chlorinated paraffin, polyester, etc. Can be used in combination.
The addition amount of the plasticizer is 20 to 45 parts by weight, preferably 25 to 40 parts by weight, and more preferably 30 to 38 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the vinyl chloride resin. When the amount of the plasticizer exceeds 45 parts by weight, the plasticizer migrates to the pressure-sensitive adhesive layer, which causes a decrease in adhesive strength, which is not preferable.
本発明の基材である軟質塩化ビニル系樹脂には、この種の樹脂組成物に一般に配合される滑剤、着色剤などを添加してもよい。これらの添加は任意ではあるが、フィルムの照射放射線として紫外線を使用する場合にはこのフイルムを透明なものとすることが必要とされるので、これらはフィルムの透明を著しく損なうものではあってはならない。 The soft vinyl chloride resin that is the base material of the present invention may contain a lubricant, a colorant, and the like that are generally blended in this type of resin composition. Although these additions are optional, it is necessary to make this film transparent when ultraviolet rays are used as the irradiation radiation of the film, so these should not significantly impair the transparency of the film. Don't be.
本発明の軟質塩化ビニル系樹脂組成物を製造する方法としては、通常の樹脂組成物、ゴム組成物の製造に用いられる一般的な方法を採用できる。基本的には機械的溶融混練方法であり、これらには単軸押出機、二軸押出機、バンバリーミキサー、各種ニーダー、ブラベンダー、ロール等が用いられる。この際、各成分の添加順序には制限がない。また、この際溶融混練する温度は１４０℃〜２００℃の中から好適に選ぶことができる。 As a method for producing the soft vinyl chloride resin composition of the present invention, a general method used for producing ordinary resin compositions and rubber compositions can be employed. Basically, it is a mechanical melt kneading method, and for these, a single screw extruder, a twin screw extruder, a Banbury mixer, various kneaders, a brabender, a roll or the like is used. At this time, there is no restriction on the order of adding each component. In this case, the melt kneading temperature can be suitably selected from 140 ° C to 200 ° C.
本発明に用いられる軟質塩化ビニル系樹脂フィルム基材は、上記した塩化ビニル系樹脂組成物の成形加工によって作られるが、これは押し出し成形、カレンダー成形、インフレーション成型など一般成形加工法によって行えばよい。このようにして作られたフィルムの厚みは、５０〜３００mmの範囲が好ましい。 The soft vinyl chloride resin film substrate used in the present invention is produced by molding the above-described vinyl chloride resin composition, and this may be performed by general molding methods such as extrusion molding, calendar molding, and inflation molding. . The thickness of the film thus produced is preferably in the range of 50 to 300 mm.
あるいはこれらの基材の物性やチップ裏面へ影響を与えない程度に、顔料、帯電防止剤、酸化防止剤などを添加してもよい。 Or you may add a pigment, an antistatic agent, antioxidant, etc. to such an extent that the physical property of these base materials and a chip | tip back surface are not affected.
本発明で行われるプラズマ処理は方法等特に指定はないが、処理ガスとしては酸素ガス、アルゴンガス、窒素ガス等あるが、窒素ガス等が好ましい。窒素ガスを用いる理由としては、プラズマによって発生したＮ３のラジカルが、塩ビ基材中のＣ−Ｃ結合を破壊し、プラズマ処理後の大気中に開放した際の大気中の酸素あるいは塩ビ基材中に含まれる酸素（Ｏ２）と反応して、基材表面にＣ−ＯＨ．Ｃ−ＯＯＨ基をつける効果がある。
プラズマ処理を行う前の軟質塩ビフィルムのJIS K6768で規定される濡れ指数は３０〜３５ｍＮ／ｍであるが、プラズマ処理を行ったフィルム表面のJIS K6768で規定される濡れ指数が４０ｍＮ／ｍ以上であると粘着剤との密着力が上がり、ピックアップ時に粘着剤剥がれがなくなる。
The plasma treatment performed in the present invention is not particularly specified by a method or the like, but the processing gas includes oxygen gas, argon gas, nitrogen gas, etc., but nitrogen gas is preferred. The reason for using nitrogen gas is that the N 3 radical generated by the plasma breaks the C—C bond in the PVC base material and is released into the air after the plasma treatment, or oxygen in the air or the PVC base material. It reacts with oxygen (O 2 ) contained therein, and C—OH. There is an effect of attaching a C-OOH group.
The wetting index specified by JIS K6768 of the soft PVC film before the plasma treatment is 30 to 35 mN / m, but the wetting index specified by JIS K6768 of the surface of the plasma treated is 40 mN / m or more. If it exists, the adhesive force with an adhesive will rise and an adhesive will not peel at the time of pick-up.
プラズマ処理を行うことで、基材のJIS K6768で規定される濡れ指数以外の物性が変化することはなく、通常の軟質塩ビフィルムと同様に取り扱いをすることができる。 By performing the plasma treatment, the physical properties other than the wetting index defined in JIS K6768 of the base material are not changed, and it can be handled in the same manner as a normal soft vinyl chloride film.
参考文献３．４で示すコロナ処理、電子線照射処理を行ってJIS K6768で規定される濡れ指数を増加させた場合、処理によって改質した表面が処理前の状態に戻ろうとし、常温６ヶ月程度の長期間の保管をした場合にはJIS K6768で規定される濡れ指数が処理前の濡れ指数の状態に戻ることがあるが、本発明の場合、常温で６ヶ月保管した場合でもJIS K6768で規定される濡れ指数に変化は見られない。 When the corona treatment and electron beam irradiation treatment shown in Reference 3.4 are performed and the wetting index specified by JIS K6768 is increased, the surface modified by the treatment tries to return to the state before the treatment, and the room temperature is 6 months. When the product is stored for a long period of time, the wetting index specified in JIS K6768 may return to the state of the wetting index before processing. In the present invention, even when stored at room temperature for 6 months, There is no change in the prescribed wetting index.
本発明に用いる放射線重合性化合物は、紫外線及び／又は電子線による硬化反応前には半導体ウエハに対して十分な粘着力を有し、硬化反応後には粘着力が低下し、チップのピックアップを容易に行うことができ、しかも高い凝集力を保つために、５０００以上、好ましくは８０００以上、更に好ましくは１００００以上の分子量を持つ２官能ウレタンアクリレートと５００以上１０００以下の分子量を持つ５官能以上のアクリレートモノマーとを混合したものであると良い。また、５００以上１０００以下の分子量を持つ５官能以上のアクリレートモノマーは、２種類の５官能以上アクリレートモノマーを併用しても良い。 The radiation-polymerizable compound used in the present invention has a sufficient adhesive force to the semiconductor wafer before the curing reaction with ultraviolet rays and / or electron beams, and the adhesive force is reduced after the curing reaction, so that the chip can be easily picked up. In order to maintain a high cohesive force, a bifunctional urethane acrylate having a molecular weight of 5000 or more, preferably 8000 or more, more preferably 10,000 or more and a pentafunctional or more acrylate having a molecular weight of 500 or more and 1000 or less. It may be a mixture of monomers. Moreover, the pentafunctional or higher acrylate monomer having a molecular weight of 500 or more and 1000 or less may be used in combination of two types of pentafunctional or higher acrylate monomers.
本発明において用いる放射線重合性化合物中の２官能のウレタンアクリレートとしては、ジイソシアネート、ポリオール及びヒドロキシ（メタ）アクリレートとにより合成される化合物であり、好ましくは２個のアクリロイル基を有するウレタンアクリレートが好適に用いられる。前記のジイソシアネートとしては、例えばトルエンジイソシアネート、ジフェニルメタンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、フェニレンジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート、キシレンジイソシアネート、テトラメチルキシレンジイソシアネート、ナフタレンジイソシアネート等を挙げることができる。前記のポリオールとしては、例えばエチレングリコール、プロピレングリコール、ブタンジオール、ヘキサンジオール等を挙げることができる。前記のヒドロキシ（メタ）アクリレートとしては、例えば、２−ヒドルキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドルキシプロピル（メタ）アクリレート等を挙げることができる。
また放射線重合性化合物中の５官能以上アクリレートモノマーとしては、例えばトリメチロールプロパントリアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールトテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート等を挙げることができる。
The bifunctional urethane acrylate in the radiation-polymerizable compound used in the present invention is a compound synthesized with diisocyanate, polyol and hydroxy (meth) acrylate, and preferably urethane acrylate having two acryloyl groups. Used. Examples of the diisocyanate include toluene diisocyanate, diphenylmethane diisocyanate, hexamethylene diisocyanate, phenylene diisocyanate, dicyclohexylmethane diisocyanate, xylene diisocyanate, tetramethylxylene diisocyanate, and naphthalene diisocyanate. Examples of the polyol include ethylene glycol, propylene glycol, butanediol, hexanediol and the like. Examples of the hydroxy (meth) acrylate include 2-hydroxyethyl (meth) acrylate and 2-hydroxypropyl (meth) acrylate.
Examples of the pentafunctional or higher acrylate monomer in the radiation-polymerizable compound include trimethylolpropane triacrylate, pentaerythritol triacrylate, pentaerythritol tetraacrylate, dipentaerythritol monohydroxypentaacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate, and the like. Can do.
放射線重合性重合開始剤としては、例えば、2-2-ジメトキシ-1,2-ジフェニルエタン-1-オン、ベンゾフェノン、アセトフェノン、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンジルジフェニルサルファイド、テトラメチルチウラムモノサルファイド、アゾビスイソブチロニトリル、ジベンジル、ジアセチル、β-クロールアンスラキノンなどが挙げられる。 Examples of the radiation-polymerizable polymerization initiator include 2-2-dimethoxy-1,2-diphenylethane-1-one, benzophenone, acetophenone, benzoin, benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, benzyl diphenyl sulfide, Tetramethylthiuram monosulfide, azobisisobutyronitrile, dibenzyl, diacetyl, β-chloranthraquinone and the like can be mentioned.
架橋剤としては、具体的には多価イソシアネートのポリイソシアネート化合物およびポリイソシアート化合物の三量体、上記ポリイソシアネート化合物とポリオール化合物とを反応させて得られる末端イソシアネート化合物の三量体または末端イソシアネートウレタンプレポリマーをフェノール、オキシム類などで封鎖したブロック化ポリイソシアネート化合物が挙げられる。 Specific examples of the crosslinking agent include polyisocyanate polyisocyanate compounds and polyisocyanate compound trimers, terminal isocyanate compound trimers obtained by reacting the above polyisocyanate compounds and polyol compounds, and terminal isocyanate urethane prepolymers. Examples thereof include blocked polyisocyanate compounds in which a polymer is blocked with phenol, oximes or the like.
多価イソシアネートの具体例としては、例えば、2,4-トリレンジイソシアネート、2,6-トリレンジイソシアネート、1,3-キシリレンジイソシアネート、1,4-キシレンジイソシアネート、ジフェニルメタン-4-4’-ジイソシアネート、ジフェニルメタン-2-4’-ジイソシアネート、3-メチルジフェニルメタンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタン-4-4’-ジイソシアネート、ジシキウロヘキシルメタン-2-4’-ジイソシアネート、リジンイソシアネートなどがあげられる。またそれらのイソシアネートに多価アルコールを付加させたものでもよい。 Specific examples of the polyvalent isocyanate include, for example, 2,4-tolylene diisocyanate, 2,6-tolylene diisocyanate, 1,3-xylylene diisocyanate, 1,4-xylene diisocyanate, diphenylmethane-4-4′-diisocyanate. , Diphenylmethane-2-4'-diisocyanate, 3-methyldiphenylmethane diisocyanate, hexamethylene diisocyanate, isophorone diisocyanate, dicyclohexylmethane-4-4'-diisocyanate, dicyclohexylmethane-2-4'-diisocyanate, lysine isocyanate, etc. can give. Moreover, what added polyhydric alcohol to those isocyanate may be used.
また本発明の粘着剤には、凝集力を高めるためにロジン樹脂、テルペン樹脂、クマロン樹脂、フェノール樹脂、スチレン樹脂、脂肪族系石油樹脂、芳香族系石油樹脂、脂肪族芳香族共重合系石油樹脂等の粘着付与剤等を添加しても構わない。 The pressure-sensitive adhesive of the present invention includes a rosin resin, a terpene resin, a coumarone resin, a phenol resin, a styrene resin, an aliphatic petroleum resin, an aromatic petroleum resin, and an aliphatic aromatic copolymer petroleum to increase the cohesive force. You may add tackifiers, such as resin.
さらに上記の粘着剤中に帯電防止剤を添加することもできる。帯電防止剤を添加することにより、エキスパンド時あるいはピックアップ時に発生する静電気を抑制できるため、チップの信頼性が向上する場合がある。帯電防止剤としては、具体的にはアニオン性、カチオン性、非イオン性、ないし両イオン性の一般に公知の界面活性剤、カーボンブラック、銀、ニッケル、アンチモンドープスズ酸化物、スズドープインジウム酸化物などの粉体が用いられる。帯電防止剤は、粘着剤中に０〜３０重量部、特には０〜２０重量部の範囲で用いられることが好ましい。 Furthermore, an antistatic agent can be added to the above-mentioned pressure-sensitive adhesive. By adding an antistatic agent, static electricity generated at the time of expanding or picking up can be suppressed, so that the reliability of the chip may be improved. Specific examples of the antistatic agent include anionic, cationic, nonionic, and amphoteric surfactants, carbon black, silver, nickel, antimony-doped tin oxide, tin-doped indium oxide. Such powder is used. The antistatic agent is preferably used in the pressure-sensitive adhesive in the range of 0 to 30 parts by weight, particularly 0 to 20 parts by weight.
本発明において、前記粘着剤層の厚さは５〜３０μｍ、好ましくは１０〜２０μｍである。厚みが下限値未満であると、粘着力が充分でなくダイシング時にチップが飛散する問題があり、上限値を超えるとチップのピックアップが困難になる。
本発明において、前記粘着剤層を前記基材上に形成し、半導体ウエハ加工用粘着テープを製造するには、粘着剤層を構成する成分をそのまま、または適当な有機溶剤により溶液化し、コンマコーター、グラビアコーター、ダイコーター、リバースコーターなど一般に公知の方法に従って適宜の厚みに塗布又は散布等により基材上に塗工し、例えば８０〜１００℃、３０秒〜１０分程度加熱処理等で乾燥させることにより得ることができる。
In the present invention, the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer is 5 to 30 μm, preferably 10 to 20 μm. If the thickness is less than the lower limit, there is a problem that the adhesive force is not sufficient and the chips are scattered during dicing, and if the thickness exceeds the upper limit, it becomes difficult to pick up the chips.
In the present invention, in order to produce the pressure-sensitive adhesive layer on the substrate and produce a pressure-sensitive adhesive tape for processing a semiconductor wafer, the components constituting the pressure-sensitive adhesive layer are dissolved as they are or with an appropriate organic solvent, and then a comma coater , A gravure coater, a die coater, a reverse coater, etc., which are coated on a substrate by coating or spraying to an appropriate thickness according to a generally known method, and dried by, for example, heat treatment at 80 to 100 ° C. for about 30 seconds to 10 minutes. Can be obtained.
本発明の半導体ウエハ加工用粘着テープを使用するには公知の方法を用いることができ、例えば半導体ウエハ加工用粘着テープを半導体ウエハに貼り付けて固定した後、回転丸刃で半導体ウエハをチップに切断する。その後、前記加工用粘着テープの基材側から紫外線及び／又は電子線を照射し、次いで専用治具を用いて前記ウエハ加工用粘着テープ放射状に拡大しチップ間を一定間隔に広げた後、チップをニードル等で突き上げるとともに、真空コレット、エアピンセット等で吸着する方法等によりピックアップすると同時にマウンティングすればよい。 In order to use the semiconductor wafer processing adhesive tape of the present invention, a known method can be used. For example, after adhering the semiconductor wafer processing adhesive tape to the semiconductor wafer and fixing it, the semiconductor wafer is formed into a chip with a rotating round blade. Disconnect. Then, after irradiating ultraviolet rays and / or an electron beam from the substrate side of the processing adhesive tape, and then expanding the wafer processing adhesive tape radially using a dedicated jig to spread the chips at regular intervals. Is picked up by a method such as suction with a vacuum collet, air tweezers, etc.
以下、本発明を実施例及び比較例により、更に詳細に説明するが、本発明はこれらに限定するものではない。
《実施例１》
アクリル酸ブチル７０重量部とアクリル酸２−エチルヘキシル３０重量部とを共重合して得られた重量平均分子量５０００００の共重合体（Ａ）１０重量部とアクリル酸２−エチルヘキシル３０重量部と酢酸ビニル７０重量部とを共重合して得られた重量平均分子量３０００００の共重合体（Ｂ）９０重量部からなるベース樹脂１００重量部に対し、放射線重合化合物として分子量が１１０００の２官能ウレタンアクリレート（Ｃ）を３０重量部、分子量が７００の５官能アクリレートモノマー（Ｄ）を３０重量部、放射線重合性重合開始剤（Ｅ）として２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノンを５重量部、ポリイソシアネート系架橋剤（Ｆ）を６重量部を配合した粘着剤層となる樹脂溶液を、剥離処理した厚さ３８μｍのポリエステルフィルムに乾燥後の厚さ（粘着剤厚み）が１０μｍになるように塗工し、８０℃５分間乾燥した。
厚さ８０μｍの軟質塩化ビニル樹脂フィルム(三菱化学ＭＫＶアルトロン)を窒素ガス中に１秒間プラズマ処理したもの（濡れ指数：５０ｍＮ／ｍ）をラミネートし、半導体加工用粘着テープを作製した。
Hereinafter, although an example and a comparative example explain the present invention still in detail, the present invention is not limited to these.
Example 1
10 parts by weight of copolymer (A) having a weight average molecular weight of 500,000 obtained by copolymerization of 70 parts by weight of butyl acrylate and 30 parts by weight of 2-ethylhexyl acrylate, 30 parts by weight of 2-ethylhexyl acrylate and vinyl acetate Bifunctional urethane acrylate (C) having a molecular weight of 11,000 as a radiation polymerization compound with respect to 100 parts by weight of a base resin comprising 90 parts by weight of a copolymer (B) having a weight average molecular weight of 300,000 obtained by copolymerization with 70 parts by weight ), 30 parts by weight of pentafunctional acrylate monomer (D) having a molecular weight of 700, 5 parts by weight of 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone as a radiation-polymerizable polymerization initiator (E), polyisocyanate type A 38 μm-thick polyester film obtained by subjecting a resin solution to be an adhesive layer containing 6 parts by weight of a crosslinking agent (F) to a release treatment The thickness after drying Tel film coated as (adhesive thickness) is 10 [mu] m, and dried 80 ° C. 5 min.
A soft vinyl chloride resin film (Mitsubishi Chemical MKV Altron) with a thickness of 80 μm, which had been plasma-treated in nitrogen gas for 1 second (wetting index: 50 mN / m), was laminated to produce an adhesive tape for semiconductor processing.
《実施例２》窒素ガス中で０．３秒間プラズマ処理をした軟質塩化ビニル樹脂フィルム（濡れ指数：４２ｍＮ／ｍ）をラミネートする以外は実施例１と同様の方法でサンプルを作成し、評価した。
《実施例３》窒素ガス中で２秒間プラズマ処理をした軟質塩化ビニル樹脂フィルム（濡れ指数：６０ｍＮ／ｍ）をラミネートする以外は実施例１と同様の方法でサンプルを作成し、評価した。
《比較例１》プラズマ処理をしない軟質塩化ビニル樹脂フィルム（濡れ指数：３２ｍＮ／ｍ）をラミネートする以外は実施例１と同様の方法でサンプルを作成し、評価した。
《比較例２》電流８Ａ、ライン速度６ｍ／ｍｉｎでコロナ処理を行った軟質塩化ビニル樹脂フィルム（濡れ指数：３２ｍＮ／ｍ）をラミネートする以外は実施例１と同様の方法でサンプルを作成し、評価した。
《比較例３》 １００ｋＧｙで電子線照射処理を行った軟質塩化ビニル樹脂フィルム（濡れ指数：３２ｍＮ／ｍ）をラミネートする以外は実施例１と同様の方法でサンプルを作成し、評価した。
《比較例４》窒素ガス中で０．１秒間プラズマ処理をした軟質塩化ビニル樹脂フィルム（濡れ指数：３６ｍＮ／ｍ）をラミネートする以外は実施例１と同様の方法でサンプルを作成し、評価した。
Example 2 A sample was prepared and evaluated in the same manner as in Example 1 except that a soft vinyl chloride resin film (wet index: 42 mN / m) plasma-treated in nitrogen gas for 0.3 seconds was laminated. .
Example 3 A sample was prepared and evaluated in the same manner as in Example 1 except that a soft vinyl chloride resin film (wetting index: 60 mN / m) that was plasma-treated in nitrogen gas for 2 seconds was laminated.
Comparative Example 1 A sample was prepared and evaluated in the same manner as in Example 1 except that a soft vinyl chloride resin film (wetting index: 32 mN / m) not subjected to plasma treatment was laminated.
Comparative Example 2 A sample was prepared in the same manner as in Example 1 except that a soft vinyl chloride resin film (wetting index: 32 mN / m) subjected to corona treatment at a current of 8 A and a line speed of 6 m / min was laminated. evaluated.
Comparative Example 3 A sample was prepared and evaluated in the same manner as in Example 1 except that a soft vinyl chloride resin film (wetting index: 32 mN / m) subjected to an electron beam irradiation treatment at 100 kGy was laminated.
Comparative Example 4 A sample was prepared and evaluated in the same manner as in Example 1 except that a soft vinyl chloride resin film (wetting index: 36 mN / m) plasma-treated in nitrogen gas for 0.1 seconds was laminated. .
尚、実施例１〜３及び比較例１〜４の評価は、粘着剤の転写の有無をＪＩＳ Ｋ５４００に準じて行った。その評価基準は、下記である。
○ ： 粘着剤が剥がれていないもの（粘着剤の転写がなし）
× ： 粘着剤が基材より剥がれているもの（粘着剤の転写があり）
以上の結果を表１にまとめた。
In addition, evaluation of Examples 1-3 and Comparative Examples 1-4 performed the presence or absence of the transcription | transfer of an adhesive according to JISK5400. The evaluation criteria are as follows.
○: Adhesive is not peeled off (no transfer of adhesive)
X: The adhesive is peeled off from the substrate (there is an adhesive transfer)
The above results are summarized in Table 1.
本発明によれば、半導体ウエハ加工に際してエキスパンドの量に制限がなく、チップ間隔が広げることができる点で優れた加工性があり、また基材と粘着剤との密着力がチップと粘着剤に比べて充分にあることでピックアップ時に糊残りの少ない半導体ウエハ加工用粘着テープが得られるため、ＩＣチップ、ディスクリートなどの電子部品のダイシング時に好適に使用される。 According to the present invention, there is no limit on the amount of expand when processing a semiconductor wafer, and there is excellent processability in that the chip interval can be widened, and the adhesion force between the substrate and the adhesive is on the chip and the adhesive. Compared with this, an adhesive tape for processing a semiconductor wafer with little adhesive residue at the time of pick-up can be obtained, so that it can be suitably used for dicing electronic components such as IC chips and discretes.
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