KR20180118599A - Semiconductor processing sheet - Google Patents

Semiconductor processing sheet Download PDF

Info

Publication number
KR20180118599A
KR20180118599A KR1020187015331A KR20187015331A KR20180118599A KR 20180118599 A KR20180118599 A KR 20180118599A KR 1020187015331 A KR1020187015331 A KR 1020187015331A KR 20187015331 A KR20187015331 A KR 20187015331A KR 20180118599 A KR20180118599 A KR 20180118599A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
sensitive adhesive
pressure
mass
plasticizer
base film
Prior art date
Application number
KR1020187015331A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR102594220B1 (en
Inventor
마사토모 나카무라
잇세이 아다치
Original Assignee
린텍 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 린텍 가부시키가이샤 filed Critical 린텍 가부시키가이샤
Publication of KR20180118599A publication Critical patent/KR20180118599A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102594220B1 publication Critical patent/KR102594220B1/en

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • C09J7/22Plastics; Metallised plastics
    • C09J7/24Plastics; Metallised plastics based on macromolecular compounds obtained by reactions involving only carbon-to-carbon unsaturated bonds
    • C09J7/245Vinyl resins, e.g. polyvinyl chloride [PVC]
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K5/00Use of organic ingredients
    • C08K5/0008Organic ingredients according to more than one of the "one dot" groups of C08K5/01 - C08K5/59
    • C08K5/0016Plasticisers
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08LCOMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L27/00Compositions of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a halogen; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L27/02Compositions of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a halogen; Compositions of derivatives of such polymers not modified by chemical after-treatment
    • C08L27/04Compositions of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a halogen; Compositions of derivatives of such polymers not modified by chemical after-treatment containing chlorine atoms
    • C08L27/06Homopolymers or copolymers of vinyl chloride
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J201/00Adhesives based on unspecified macromolecular compounds
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67132Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2203/00Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2203/326Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/30Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier
    • C09J2301/312Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier parameters being the characterizing feature

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)

Abstract

기재 필름과, 기재 필름의 적어도 일방의 면측에 적층된 점착제층을 구비한 반도체 가공 시트로서, 기재 필름은, 염화비닐계 수지와, 가소제로서 아디프산에스테르계 가소제 및 테레프탈산에스테르계 가소제를 함유하고, 기재 필름에 있어서, 아디프산에스테르계 가소제 및 테레프탈산에스테르계 가소제의 합계 함유량에 대한 아디프산에스테르계 가소제의 함유량의 질량 비율은, 50 ∼ 80 질량% 인 것을 특징으로 하는 반도체 가공 시트. 이러한 반도체 가공 시트에 의하면, 가소제로서 프탈산알킬에스테르의 대체 물질을 사용하면서도 충분한 유연성을 나타내고, 또한, 피착체로부터 박리할 때에 잔사물의 발생을 억제할 수 있다.A semiconductor processed sheet comprising a base film and a pressure-sensitive adhesive layer laminated on at least one side of the base film, wherein the base film contains a vinyl chloride resin, an adipate ester plasticizer and a terephthalate ester plasticizer as plasticizers , And the mass ratio of the content of the adipate ester plasticizer to the total content of the adipic ester plasticizer and the terephthalate ester plasticizer in the base film is 50 to 80 mass%. According to such a semiconductor processed sheet, sufficient flexibility is exhibited while using a substitute material of a phthalic acid alkyl ester as a plasticizer, and generation of a residue when peeling from an adherend can be suppressed.

Description

반도체 가공 시트Semiconductor processing sheet

본 발명은, 반도체 웨이퍼 등의 피가공물을 가공할 때에, 당해 피가공물이 첩부되는 반도체 가공 시트에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor processing sheet to which a workpiece such as a semiconductor wafer is to be attached when the workpiece is processed.

예를 들어, 실리콘, 갈륨비소 등의 반도체 웨이퍼 및 각종 패키지류 (이하, 이들을 통합하여「피가공물」이라고 기재하는 경우가 있다) 는, 대경인 상태로 제조된 후, 소자 소편 (이하,「칩」이라고 기재한다) 으로 절단 분리 (다이싱) 됨과 함께 개개로 박리 (픽업) 되고, 다음 공정인 마운트 공정으로 옮겨진다. 이때, 반도체 웨이퍼 등의 피가공물은, 기재 필름 및 점착제층을 구비하는 반도체 가공 시트에 첩착된 상태에서, 다이싱, 세정, 건조, 익스팬딩, 픽업 및 마운팅의 각 공정에 제공된다.For example, semiconductor wafers such as silicon and gallium arsenide, and various package types (hereinafter collectively referred to as " workpieces ") may be manufactured in a large diameter state, (Dicing), and is individually peeled (picked up) and transferred to the mounting process, which is the next step. At this time, a workpiece such as a semiconductor wafer is provided in each step of dicing, cleaning, drying, exposing, picking up, and mounting in a state of being adhered to a semiconductor processing sheet having a base film and a pressure-sensitive adhesive layer.

상기 익스팬딩에서는, 칩의 픽업을 용이하게 하기 위해, 반도체 가공 시트를 확장하여 칩 간격을 이간시키고, 픽업 후에 반도체 가공 시트를 원래의 상태로 되돌린다. 따라서, 반도체 가공 시트, 특히 반도체 가공 시트의 기재 필름에는, 확장 및 복원이 가능한 신축성 (익스팬드성) 이 요구된다. 그 때문에, 당해 기재 필름으로는, 가소제를 함유하는 폴리염화비닐 필름이 사용되는 경우가 많다 (특허문헌 1, 2).In the expansion, in order to facilitate picking up of the chips, the semiconductor processing sheet is extended to separate the chip intervals, and after the pickup, the semiconductor processing sheet is returned to its original state. Therefore, a base film of a semiconductor-processed sheet, particularly a semiconductor-processed sheet, is required to be stretchable (expandable) capable of expansion and restoration. Therefore, a polyvinyl chloride film containing a plasticizer is often used as the substrate film (Patent Documents 1 and 2).

폴리염화비닐에 배합되는 가소제로는, 프탈산의 알킬에스테르, 전형적으로는, 프탈산디옥틸 (DOP) 이나 프탈산디부틸 (DBP) 이 사용되고 있다. DOP 나 DBP 등의 가소제를 함유하는 연질 폴리염화비닐 (PVC) 필름은, 그 우수한 기계 특성 (PVC) 이 갖는 강성과 가소제에 의한 유연성을 겸비하는 점에서, 반도체 가공 시트용의 기재로서 폭넓게 사용되고 있다.As plasticizers incorporated in polyvinyl chloride, alkyl esters of phthalic acid, typically dioctyl phthalate (DOP) or dibutyl phthalate (DBP), are used. A flexible polyvinyl chloride (PVC) film containing a plasticizer such as DOP or DBP has been extensively used as a base material for a semiconductor processing sheet because it has rigidity possessed by its excellent mechanical properties (PVC) and flexibility by a plasticizer .

그러나, DOP 나 DBP 와 같은 프탈산알킬에스테르는, 유럽에 있어서의 RoHS (위험 물질에 관한 제한) 지령의 규제 대상 후보 물질이며, 또 REACH (유럽 연합에 있어서의 인간의 건강이나 환경의 보호를 위한 유럽 의회 및 유럽 이사회 규칙) 에 있어서, SVHC (고염려 물질) 의 인가 물질로서 예시되어 있다. 이 때문에, 향후 프탈산알킬에스테르의 사용에 대해서는 제한될 가능성이 매우 높아, 대체 물질의 검색이 이루어지고 있다.However, phthalate alkyl esters, such as DOP and DBP, are candidates to be regulated under the Restriction of Hazardous Substances Directive (RoHS) in Europe and are also subject to REACH (Europe for the protection of human health and the environment in the European Union) Parliament and the Council of Europe Rules), SVHC (High Concern substance). For this reason, the use of phthalic acid alkyl esters in the future is highly likely to be limited, and search for alternative substances has been made.

프탈산알킬에스테르의 대체로서, 테레프탈산디(2-에틸헥실) 이나 아디프산폴리에스테르를 염화비닐계 기재의 가소제로서 사용한 점착 시트가 제안되어 있다 (특허문헌 3, 4).As an alternative to the phthalate alkyl ester, there has been proposed a pressure-sensitive adhesive sheet using di (2-ethylhexyl) terephthalate or adipic acid polyester as a vinyl chloride based plasticizer (Patent Documents 3 and 4).

일본 공개특허공보 2001-207140호Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2001-207140 일본 공개특허공보 2010-260893호Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2010-260893 일본 공개특허공보 2012-184369호Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2012-184369 일본 공개특허공보 2015-187245호Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2015-187245

그런데, 염화비닐계 기재의 편면에 점착제층이 형성된 반도체 가공 시트에 있어서는, 시트를 제조한 후 사용할 때까지의 동안, 기재 내부의 가소제가 점착제층 내부로 이행되어, 점착제층 내부에 유입되는 경우가 있다. 이와 같은 경우, 가소제의 선택에 따라서는, 반도체 가공 시트를 반도체로부터 박리할 때에 가소제 자체가 반도체에 잔사물로서 잔존하거나, 점착제의 성분과의 혼합물로서 반도체에 잔존하는 문제 (이하, 이들을 총칭하여 간단히「잔사물」이라고 하는 경우가 있다) 가 발생하는 경우가 있다.In the case of a semiconductor processed sheet having a pressure-sensitive adhesive layer formed on one side of a vinyl chloride base material, the plasticizer in the base material is transferred into the pressure-sensitive adhesive layer and flows into the pressure-sensitive adhesive layer have. In such a case, depending on the choice of the plasticizer, the problem that the plasticizer itself remains as a residue on the semiconductor when peeling the semiconductor-processed sheet from the semiconductor or remains in the semiconductor as a mixture with the component of the adhesive (hereinafter, There may be a case where a " residual object "

본 발명은, 상기와 같은 실상을 감안하여 이루어진 것으로, 가소제로서 프탈산알킬에스테르의 대체 물질을 사용하면서도 충분한 유연성을 나타내고, 또한, 피착체로부터 박리할 때에 잔사물의 발생을 억제할 수 있는 반도체 가공 시트를 제공하는 것을 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-mentioned circumstances, and an object of the present invention is to provide a semiconductor processing sheet capable of exhibiting sufficient flexibility while using a substitute material of phthalic acid alkyl ester as a plasticizer, And to provide the above-mentioned objects.

본 발명자들은, 염화비닐계 기재의 가소제로서 테레프탈산에스테르계 가소제를 사용한 경우나 아디프산에스테르계 가소제를 사용한 경우에는 잔사물이 발생하지만, 테레프탈산에스테르계 가소제 및 아디프산에스테르계 가소제를 소정의 비율로 병용한 경우에는 잔사물의 발생이 억제되는 것을 알아내어, 본 발명을 완성하기에 이르렀다.The present inventors have found that residues are generated when a terephthalate ester plasticizer is used as a plasticizer based on a vinyl chloride base material or when an adipate ester plasticizer is used but when a terephthalate ester plasticizer and an adipate ester plasticizer are mixed at a predetermined ratio The inventors of the present invention have completed the present invention.

즉, 우선 본 발명은, 기재 필름과, 상기 기재 필름의 적어도 일방의 면측에 적층된 점착제층을 구비한 반도체 가공 시트로서, 상기 기재 필름은, 염화비닐계 수지와, 가소제로서 아디프산에스테르계 가소제 및 테레프탈산에스테르계 가소제를 함유하고, 상기 기재 필름에 있어서, 상기 아디프산에스테르계 가소제 및 상기 테레프탈산에스테르계 가소제의 합계 함유량에 대한 상기 아디프산에스테르계 가소제의 함유량의 질량 비율은, 50 ∼ 80 질량% 인 것을 특징으로 하는 반도체 가공 시트를 제공한다 (발명 1).That is, first, the present invention provides a semiconductor processed sheet comprising a base film and a pressure-sensitive adhesive layer laminated on at least one side of the base film, wherein the base film comprises a vinyl chloride resin and an adipic ester- Wherein the mass ratio of the content of the adipic ester-based plasticizer to the total content of the adipic ester plasticizer and the terephthalate ester plasticizer in the base film is 50% And 80% by mass, based on the total weight of the composition. (Invention 1)

상기 발명 (발명 1) 에 관련된 반도체 가공 시트의 기재 필름은, 가소제로서 프탈산알킬에스테르의 대체 물질을 사용하면서도 충분한 유연성을 나타낸다. 또, 상기 발명 (발명 1) 에 관련된 반도체 가공 시트의 기재 필름은, 아디프산에스테르계 가소제와 테레프탈산에스테르계 가소제를 소정의 비율로 함유하는 점에서, 당해 기재 필름을 구비하는 반도체 가공 시트는, 피착체로부터 박리할 때에 잔사물의 발생이 억제된 것이 된다.The base film of the semiconductor processed sheet related to the invention (Invention 1) exhibits sufficient flexibility while using a substitute material of a phthalic acid alkyl ester as a plasticizer. The base film of the semiconductor processed sheet according to the invention (Invention 1) contains an adipate ester plasticizer and a terephthalate ester plasticizer at a predetermined ratio, and therefore, The occurrence of the residue is suppressed when peeling from the adherend.

상기 발명 (발명 1) 에 있어서, 상기 기재 필름의 JIS K7161-1 : 2014 에 준거한 인장 시험에 있어서의 MD 방향의 25 % 응력은, 5 ∼ 16 ㎫ 인 것이 바람직하다 (발명 2).In the above invention (Invention 1), the 25% stress in the MD direction in the tensile test according to JIS K7161-1: 2014 of the base film is preferably 5 to 16 MPa (Invention 2).

상기 발명 (발명 1, 2) 에 있어서, 상기 기재 필름에 있어서의 상기 가소제의 합계 함유량은, 상기 염화비닐계 수지 100 질량부에 대해 18 ∼ 65 질량부인 것이 바람직하다 (발명 3).In the invention (Invention 1 or 2), it is preferable that the total content of the plasticizer in the base film is 18 to 65 parts by mass relative to 100 parts by mass of the vinyl chloride resin (Invention 3).

상기 발명 (발명 1 ∼ 3) 에 있어서, 상기 아디프산에스테르계 가소제는 아디프산폴리에스테르를 함유하는 것이 바람직하고 (발명 4), 상기 아디프산폴리에스테르의 수평균 분자량은 400 ∼ 1500 인 것이 바람직하다 (발명 5).In the invention (Inventions 1 to 3), it is preferable that the adipic acid ester plasticizer contains adipic acid polyester (Invention 4), and the adipic acid polyester has a number average molecular weight of 400 to 1500 (Invention 5).

상기 발명 (발명 1 ∼ 5) 에 있어서, 상기 아디프산에스테르계 가소제는 아디프산에스테르 모노머를 함유하는 것이 바람직하다 (발명 6).In the above inventions (Invention 1 to 5), it is preferable that the adipic acid ester plasticizer contains an adipic ester monomer (invention 6).

상기 발명 (발명 6) 에 있어서, 상기 아디프산에스테르 모노머는 아디프산디(2-에틸헥실), 아디프산디이소노닐, 아디프산디이소데실 및 아디프산디(2-부톡시에틸) 로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 또는 2 종 이상인 것이 바람직하다 (발명 7).In the above invention (Invention 6), the adipic ester monomer may be at least one selected from the group consisting of di (2-ethylhexyl) adipate, diisononyl adipate, diisodecyl adipate and di (2-butoxyethyl adipate) (Invention 7). ≪ tb > < TABLE >

상기 발명 (발명 1 ∼ 7) 에 있어서, 상기 테레프탈산에스테르계 가소제는 테레프탈산디(2-에틸헥실) 인 것이 바람직하다 (발명 8).In the above invention (inventions 1 to 7), it is preferable that the terephthalate ester plasticizer is di (2-ethylhexyl) terephthalate (invention 8).

상기 발명 (발명 1 ∼ 8) 에 관련된 반도체 가공 시트는, 상기 기재 필름에 있어서, 프탈산디(2-에틸헥실), 프탈산디부틸, 프탈산벤질부틸 및 프탈산디이소부틸의 함유량은 모두 0.001 질량% 이하인 것이 바람직하다 (발명 9).The semiconductor processed sheet according to the above invention (inventions 1 to 8) is characterized in that the content of the di (2-ethylhexyl) phthalate, dibutyl phthalate, benzyl butyl phthalate and diisobutyl phthalate is 0.001% (Invention 9).

상기 발명 (발명 1 ∼ 9) 에 있어서, 상기 점착제층은, 에너지선 경화성 점착제 조성물로 형성된 것인 것이 바람직하다 (발명 10).In the above invention (Invention 1 to 9), it is preferable that the pressure-sensitive adhesive layer is formed of an energy ray-curable pressure-sensitive adhesive composition (invention 10).

본 발명에 의하면, 가소제로서 프탈산알킬에스테르의 대체 물질을 사용하면서도 충분한 유연성을 나타내고, 또한, 피착체로부터 박리할 때에 잔사물의 발생을 억제할 수 있는 반도체 가공 시트가 제공된다.According to the present invention, there is provided a semiconductor processed sheet which exhibits sufficient flexibility while using a substitute material of a phthalic acid alkyl ester as a plasticizer and can suppress the generation of a residue when peeling off from an adherend.

이하, 본 발명의 일 실시형태에 관련된 반도체 가공 시트에 대해 설명한다.A semiconductor processed sheet according to one embodiment of the present invention will be described below.

〔기재 필름〕[Base film]

본 실시형태에 관련된 반도체 가공 시트가 구비하는 기재 필름은, 염화비닐계 수지를 함유하고, 또한 가소제로서 아디프산에스테르계 가소제와 테레프탈산에스테르계 가소제를 소정의 비율로 함유하는 것이다.The base film included in the semiconductor processed sheet according to the present embodiment contains a vinyl chloride resin and also contains an adipate ester plasticizer and a terephthalate ester plasticizer as plasticizers at a predetermined ratio.

1. 염화비닐계 수지1. Vinyl chloride resin

본 실시형태에 있어서 사용되는 기재 필름은, 염화비닐계 수지를 함유한다. 염화비닐계 수지란, -CH2-CHCl- 로 나타내는 반복 단위를 갖는 폴리머 전부를 의미하고, 염화비닐의 단독 중합체, 에틸렌-염화비닐 공중합체 등의 염화비닐과 중합성 모노머의 공중합체, 염소화염화비닐 공중합체 등의 단독 중합체 또는 공중합체를 개질한 것, 나아가서는 염소화폴리에틸렌 등의 구조상 염화비닐 수지와 유사한 염소화폴리올레핀을 포함한다. 이들 염화비닐계 수지는, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 또는 2 종 이상을 병용해도 된다.The base film used in the present embodiment contains a vinyl chloride resin. The vinyl chloride resin means all of the polymers having a repeating unit represented by -CH 2 -CHCl-, and includes a copolymer of vinyl chloride and a polymerizable monomer such as a homopolymer of vinyl chloride, an ethylene-vinyl chloride copolymer, Vinyl copolymers and the like, and further chlorinated polyolefins which are similar to structural vinyl chloride resins such as chlorinated polyethylene. These vinyl chloride resins may be used singly or in combination of two or more.

상기 염화비닐계 수지는, 평균 중합도의 하한값이 300 이상인 것이 바람직하고, 800 이상인 것이 보다 바람직하다. 또, 상기 염화비닐계 수지는, 평균 중합도의 상한값이 2500 이하인 것이 바람직하고, 2000 이하인 것이 보다 바람직하다. 평균 중합도가 상기 범위에 있음으로써, 성형성, 가공성이 우수하여, 균일한 박층 필름으로 가공하는 것이 가능해진다. 여기서, 염화비닐계 수지의 평균 중합도란, JIS K6720-2 : 1999 에 준거하여 측정되는 값이다.The lower limit of the average degree of polymerization of the vinyl chloride resin is preferably 300 or more, more preferably 800 or more. The upper limit of the average degree of polymerization of the vinyl chloride resin is preferably 2500 or less, and more preferably 2000 or less. When the average degree of polymerization is in the above range, moldability and workability are excellent and it is possible to process the film into a uniform thin film. Here, the average polymerization degree of the vinyl chloride resin is a value measured in accordance with JIS K6720-2: 1999.

2. 가소제2. Plasticizer

본 실시형태에 있어서 사용되는 기재 필름은, 아디프산에스테르계 가소제 및 테레프탈산에스테르계 가소제를 함유하고, 아디프산에스테르계 가소제 및 테레프탈산에스테르계 가소제의 합계 함유량에 대한 아디프산에스테르계 가소제의 함유량의 질량 비율은 50 ∼ 80 질량% 이다.The base film used in the present embodiment contains an adipic acid ester plasticizer and a terephthalic acid ester plasticizer, and the content of adipic ester plasticizer with respect to the total content of adipic acid ester plasticizer and terephthalic acid ester plasticizer Is 50 to 80% by mass.

가소제로서 아디프산에스테르계 가소제 및 테레프탈산에스테르계 가소제를 사용함으로써, 염화비닐계 수지를 주성분으로 하는 기재를 가소화할 수 있고, 이러한 기재 필름을 사용한 반도체 가공 시트는, 양호한 익스팬드성을 나타낸다. 또, 본 실시형태에 있어서는, 프탈산알킬에스테르를 사용할 필요가 없어, 불순물로서 프탈산을 함유할 가능성이 격감되고, 환경 부하 및 유독성의 염려가 없다. 또한, 후술하는 실시예에서 나타내는 바와 같이, 테레프탈산디(2-에틸헥실) 또는 아디프산폴리에스테르를, 각각 단독으로 염화비닐계 기재의 가소제로서 사용한 경우, 반도체 가공 시트를 반도체 웨이퍼 등의 피가공물로부터 박리할 때에 잔사물이 발생하는데, 아디프산에스테르계 가소제와 테레프탈산에스테르계 가소제를 상기 질량 비율로 함유함으로써, 이와 같은 잔사물의 발생을 억제할 수 있다.By using an adipate ester plasticizer and a terephthalate ester plasticizer as a plasticizer, a base material containing a vinyl chloride resin as a main component can be plasticized, and a semiconductor processed sheet using such a base film exhibits good expandability. In the present embodiment, there is no need to use a phthalic acid alkyl ester, the possibility of containing phthalic acid as an impurity is reduced, and there is no fear of environmental load and toxicity. Further, as shown in Examples described later, when di (2-ethylhexyl) terephthalate or adipic acid polyester is used alone as a vinyl chloride based plasticizer, the semiconductor processing sheet can be used as a workpiece such as a semiconductor wafer , The generation of such residues can be suppressed by adding the adipic acid ester plasticizer and the terephthalate ester plasticizer in the above mass ratio.

아디프산에스테르계 가소제는, 아디프산과 알코올의 에스테르로 구성된다. 본 실시형태에 있어서는, 아디프산에스테르계 가소제로서 아디프산폴리에스테르를 사용해도 되고, 아디프산에스테르 모노머를 사용해도 되며, 양자를 병용해도 된다.The adipic acid ester plasticizer is composed of an ester of adipic acid and an alcohol. In the present embodiment, adipic acid polyester may be used as the adipic ester-based plasticizer, adipic ester monomer may be used, or both may be used in combination.

본 명세서에 있어서,「아디프산폴리에스테르」는, 아디프산과 폴리올의 에스테르를 말한다. 아디프산과 폴리에스테르를 구성하는 폴리올은, 2 가 알코올이 바람직하고, 2 가 알코올로는, 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 디에틸렌글리콜, 1,4-부탄디올, 1,6-헥산디올, 3-메틸-1,5-펜타디올, 네오펜틸글리콜, 1,4-디하이드록시메틸시클로헥산 등을 들 수 있다. 이들 폴리올은, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 또는 2 종 이상을 병용해도 된다.In the present specification, "adipic acid polyester" refers to an ester of adipic acid and a polyol. The polyol constituting the adipic acid and the polyester is preferably a divalent alcohol. Examples of the divalent alcohol include ethylene glycol, propylene glycol, diethylene glycol, 1,4-butanediol, 1,6-hexanediol, 3-methyl 1,5-pentanediol, neopentyl glycol, 1,4-dihydroxymethylcyclohexane, and the like. These polyols may be used singly or in combination of two or more.

상기 폴리올로는, 탄소수의 하한값이 2 이상인 것이 바람직하고, 3 이상인 것이 보다 바람직하다. 상한값이 10 이하인 것이 바람직하고, 8 이하인 것이 보다 바람직하다.As the polyol, the lower limit value of the number of carbon atoms is preferably 2 or more, more preferably 3 or more. The upper limit value is preferably 10 or less, more preferably 8 or less.

상기 아디프산폴리에스테르는, 수평균 분자량의 하한값이 400 이상인 것이 바람직하고, 600 이상인 것이 보다 바람직하다. 또, 상기 아디프산폴리에스테르의 수평균 분자량은, 상한값이 1500 이하인 것이 바람직하고, 1200 이하인 것이 보다 바람직하다. 아디프산폴리에스테르의 수평균 분자량이 상기 범위에 있으면, 점착제층을 구성하는 점착제로서 후술하는 에너지선 경화성 점착제를 사용하였을 때에, 에너지선의 조사에 의한 점착력의 제어를 저해시키지 않고, 점착력을 충분히 저하시킬 수 있어, 피착체를 보다 용이하게 박리시킬 수 있다.The lower limit of the number average molecular weight of the adipic acid polyester is preferably 400 or more, more preferably 600 or more. The number average molecular weight of the adipic acid polyester preferably has an upper limit value of 1,500 or less, and more preferably 1,200 or less. When the number average molecular weight of the adipic acid polyester is in the above range, when an energy ray curable pressure-sensitive adhesive which will be described later is used as the pressure-sensitive adhesive constituting the pressure-sensitive adhesive layer, the adhesive force is sufficiently lowered So that the adherend can be easily peeled off.

본 명세서에 있어서의「아디프산에스테르 모노머」는, 아디프산과 모노알코올의 에스테르를 말한다. 아디프산에스테르 모노머에는, 아디프산 1 분자와 모노알코올 1 분자로 이루어지는 모노에스테르 외에, 아디프산 1 분자와 모노알코올 2 분자로 이루어지는 디에스테르도 포함되며, 디에스테르가 바람직하다.In the present specification, "adipic ester monomer" refers to an ester of adipic acid and monoalcohol. The adipic ester monomer includes a monoester composed of one molecule of adipic acid and one molecule of monoalcohol, and also includes a diester composed of one molecule of adipic acid and two molecules of monoalcohol, and is preferably a diester.

여기서, 가소제의 기재로부터 점착제층으로의 이행에는, 반도체 가공 시트의 제조 후부터 장기간 (경우에 따라서는 반달) 을 요하며, 이 동안 점착력이 변화한다 (본 명세서에 있어서, 이 현상을「점착력의 경시 변화」라고 한다). 그러나, 가소제로서 아디프산에스테르 모노머를 사용한 경우, 경시 변화에 의한 점착력의 저하를 억제할 수 있다. 이 이유는, 아디프산에스테르 모노머의 기재로부터 점착제층으로의 이행 속도가 빠르기 때문에, 점착제층의 점착력이 조기에 안정되는 것에 의한 것으로 생각된다. 또, 경시 변화에 의한 점착력의 저하가 억제됨으로써, 반도체 가공 시트의 제조 후 사용할 때까지의 보관 기간을 단축시킬 수 있다.Here, the transition from the base material of the plasticizer to the pressure-sensitive adhesive layer requires a long period of time (in some cases, half a month) from the production of the semiconductor processed sheet, during which the adhesive force changes (in the present specification, this phenomenon is referred to as " Change "). However, when an adipic acid ester monomer is used as a plasticizer, it is possible to suppress the deterioration of the adhesive strength with time. The reason for this is believed to be that the adhesive force of the pressure-sensitive adhesive layer is stabilized early because the speed of transition from the substrate to the pressure-sensitive adhesive layer of the adipic ester monomer is high. In addition, since the deterioration of the adhesive force due to the aging change is suppressed, the storage period until the semiconductor processed sheet is used after production can be shortened.

아디프산에스테르 모노머를 구성하는 모노알코올로는, 메탄올, 에탄올, 프로판올, n-부탄올, n-펜탄올, n-헥산올, n-헵탄올, n-옥탄올, 2-에틸헥산올, n-노난올, 이소노난올, n-데칸올, 이소데칸올, n-도데칸올, n-테트라데칸올 등을 들 수 있다. 또, 상기 모노알코올로는, 분자 내에 에테르 결합을 갖는 것, 예를 들어, 1-부톡시에탄올, 2-부톡시에탄올 등이어도 된다. 이들 모노알코올은, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 또는 2 종 이상을 병용해도 된다.Examples of the monoalcohol constituting the adipic acid ester monomer include alcohols such as methanol, ethanol, propanol, n-butanol, n-pentanol, n-hexanol, n-heptanol, -Nonanol, isonanoanol, n-decanol, isodecanol, n-dodecanol, and n-tetradecanol. As the above-mentioned monoalcohol, those having an ether bond in the molecule, for example, 1-butoxyethanol, 2-butoxyethanol and the like may be used. These monoalcohols may be used singly or in combination of two or more.

상기 모노알코올로는, 탄소수의 하한값이 4 이상인 것이 바람직하고, 6 이상인 것이 보다 바람직하다. 상한값이 16 이하인 것이 바람직하고, 12 이하인 것이 보다 바람직하다. 아디프산에스테르 모노머를 구성하는 모노알코올의 탄소수가 상기 범위에 있음으로써, 기재의 성형성, 가공성이 우수하고, 또한, 아디프산에스테르 모노머의 기재로부터 점착제층으로의 이행 속도를 빠르게 할 수 있다.As the monoalcohol, the lower limit value of the carbon number is preferably 4 or more, more preferably 6 or more. The upper limit value is preferably 16 or less, more preferably 12 or less. When the number of carbon atoms of the monoalcohol constituting the adipic acid ester monomer is within the above range, the moldability and processability of the substrate are excellent, and the speed of transition from the substrate to the pressure-sensitive adhesive layer of the adipic ester monomer can be increased .

이상으로부터, 아디프산에스테르 모노머를 구성하는 모노알코올로는, 2-에틸헥산올, 이소노난올, 이소데칸올 및 2-부톡시에탄올이 바람직하고, 2-에틸헥산올 및 이소노난올이 특히 바람직하다. 또, 아디프산에스테르 모노머로는, 아디프산디(2-에틸헥실), 아디프산디이소노닐, 아디프산디이소데실 및 아디프산디(2-부톡시에틸) 이 바람직하고, 아디프산디(2-에틸헥실) 및 아디프산디이소노닐이 특히 바람직하다.From the above, as the monoalcohol constituting the adipic ester monomer, 2-ethylhexanol, isononanol, isodecanol and 2-butoxyethanol are preferable, and 2-ethylhexanol and isononanol are particularly preferable desirable. As the adipic ester monomer, di (2-ethylhexyl) adipate, diisononyl adipate, diisodecyl adipate and di (2-butoxyethyl) adipate are preferable, and adipic acid di 2-ethylhexyl) and diisononyl adipate are particularly preferable.

아디프산에스테르계 가소제로서, 아디프산폴리에스테르 및 아디프산에스테르 모노머를 병용하는 경우에는, 양자의 질량 비율은, 아디프산폴리에스테르 20 질량부에 대해 아디프산에스테르 모노머가 1 질량부 이상인 것이 바람직하고, 2 질량부 이상인 것이 보다 바람직하고, 3 질량부 이상인 것이 특히 바람직하다. 또, 아디프산폴리에스테르 및 아디프산에스테르 모노머의 질량 비율은, 아디프산폴리에스테르 20 질량부에 대해 12 질량부 이하인 것이 바람직하고, 10 질량부 이하인 것이 보다 바람직하고, 8 질량부 이하인 것이 특히 바람직하다. 아디프산폴리에스테르 및 아디프산에스테르 모노머의 질량 비율이 상기 범위 내에 있으면, 경시 변화에 의한 점착력의 저하가 보다 효과적으로 억제된다.When adipic acid polyester and adipic ester monomer are used in combination as an adipic acid ester plasticizer, the mass ratio of the adipic acid polyester and the adipic ester monomer is preferably 1 part by mass or more per 100 parts by mass of the adipic acid ester monomer More preferably 2 parts by mass or more, and particularly preferably 3 parts by mass or more. The mass ratio of the adipic acid polyester and the adipic acid ester monomer is preferably 12 parts by mass or less, more preferably 10 parts by mass or less, and most preferably 8 parts by mass or less, based on 20 parts by mass of the adipic acid polyester Particularly preferred. When the mass ratio of the adipic acid polyester and the adipic acid ester monomer is within the above range, the deterioration of the adhesive force due to the change over time is more effectively suppressed.

테레프탈산에스테르계 가소제는, 테레프탈산과 알코올의 에스테르로 구성되고, 바람직하게는 테레프탈산과 알코올의 디에스테르이다. 테레프탈산과 에스테르를 구성하는 알코올로는, 메탄올, 에탄올, 프로판올, n-부탄올, n-펜탄올, n-헥산올, n-헵탄올, n-옥탄올, 2-에틸헥산올, n-노난올, 이소노난올, n-데칸올, n-도데칸올, n-테트라데칸올 등을 들 수 있다. 이들 알코올은 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 또는 2 종 이상을 병용해도 된다.The terephthalic acid ester plasticizer is composed of an ester of terephthalic acid and alcohol, preferably a diester of terephthalic acid and alcohol. The alcohols constituting the terephthalic acid and the ester include alcohols such as methanol, ethanol, propanol, n-butanol, n-pentanol, n-hexanol, n-heptanol, , Isonanoanol, n-decanol, n-dodecanol, n-tetradecanol, and the like. These alcohols may be used singly or in combination of two or more.

상기 알코올로는, 탄소수 6 ∼ 12 의 알코올이 바람직하고, 탄소수 8 ∼ 10 의 알코올이 더욱 바람직하고, 2-에틸헥산올이 특히 바람직하다. 즉, 본 실시형태에 있어서 특히 바람직하게 사용되는 테레프탈산에스테르계 가소제는, 테레프탈산디(2-에틸헥실) 이다.As the alcohol, an alcohol having 6 to 12 carbon atoms is preferable, an alcohol having 8 to 10 carbon atoms is more preferable, and 2-ethylhexanol is particularly preferable. That is, the terephthalate ester plasticizer particularly preferably used in the present embodiment is di (2-ethylhexyl) terephthalate.

본 실시형태의 기재 필름에 있어서, 상기 아디프산에스테르계 가소제 및 테레프탈산에스테르계 가소제의 합계 함유량에 대한 아디프산에스테르계 가소제의 함유량의 질량 비율은, 하한값이 50 질량% 이상이고, 60 질량% 이상인 것이 바람직하고, 70 질량% 이상인 것이 보다 바람직하다. 또, 본 실시형태의 기재 필름에 있어서, 상기 합계 함유량에 대한 아디프산에스테르계 가소제의 함유량의 질량 비율은, 상한값이 80 질량% 이하이고, 75 질량% 이하인 것이 바람직하다.In the base film of the present embodiment, the mass ratio of the content of the adipic ester plasticizer to the total content of the adipic ester plasticizer and the terephthalic ester plasticizer is preferably 50% by mass or more and 60% Or more, more preferably 70 mass% or more. In the base film of the present embodiment, the upper limit of the mass ratio of the content of the adipic ester plasticizer to the total content is preferably 80 mass% or less and 75 mass% or less.

상기 질량 비율이 50 질량% 보다 작은 (아디프산에스테르계 가소제의 함유 비율이 적은) 경우에는, 가소제가 점착제층으로 이행됨으로써, 점착제의 응집력이 부족함과 함께, 또 가소제 그 자체가 피착체로 이행됨으로써, 피착체에 잔사물이 생긴다. 한편, 상기 질량 비율이 80 질량% 를 초과하는 (아디프산에스테르계 가소제의 함유 비율이 많은) 경우에는, 가소제가 점착제층으로 이행되었을 때에 점착제층의 점착력을 과도하게 높여, 피착체에 잔사물이 생김과 함께, 피착체를 박리시키기 어려워져 픽업 불량이 되기 쉽다.When the mass ratio is less than 50 mass% (the content ratio of the adipic ester plasticizer is small), the plasticizer is transferred to the pressure-sensitive adhesive layer, so that the cohesive force of the pressure-sensitive adhesive is insufficient and the plasticizer itself is transferred to the adherend , A residue is formed on the adherend. On the other hand, when the mass ratio exceeds 80 mass% (the content ratio of the adipic ester plasticizer is large), the adhesive strength of the pressure-sensitive adhesive layer is excessively increased when the plasticizer is transferred to the pressure-sensitive adhesive layer, And it becomes difficult for the adherend to peel off, so that the pickup tends to be defective.

본 실시형태의 기재 필름은, 본 실시형태의 효과를 저해시키지 않는 범위에서, 아디프산에스테르계 가소제 및 테레프탈산에스테르계 가소제 이외의 가소제로서, RoHS 지령의 규제 대상 후보가 아니고, 또 REACH 규칙의 SVHC (고염려 물질) 의 인가 물질이 아닌 가소제를 병용해도 된다. 이와 같은 가소제로는, 예를 들어, 트리멜리트산-트리-2에틸헥실 등의 트리멜리트산에스테르계 가소제, 디이소노닐시클로헥산디카보네이트 등의 지환족 에스테르계 가소제, 세바크산디옥틸 등의 세바크산에스테르계 가소제, 인산트리크레실 등의 인산에스테르계 가소제 ; 에폭시화 대두유 등의 에폭시계 가소제 등을 들 수 있다. 아디프산에스테르계 가소제 및 테레프탈산에스테르계 가소제 이외의 가소제를 함유하는 경우, 그 함유량은 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 가소제의 전체량에 대해 25 질량% 이하인 것이 바람직하고, 15 질량% 이하인 것이 보다 바람직하다.The base film of the present embodiment is a plasticizer other than the adipic acid ester plasticizer and terephthalic acid ester plasticizer as far as it does not impair the effect of the present embodiment and is not a candidate for regulating the RoHS Directive, A plasticizer may be used in combination with a plasticizer that is not a substance to be applied. Examples of such plasticizers include trimellitic acid ester plasticizers such as trimellitic acid-tri-2-ethylhexyl, alicyclic ester plasticizers such as diisononylcyclohexanedicarbonate, and the like, Phosphate ester plasticizers such as bacic ester plasticizers and tricresyl phosphate; Epoxy-based plasticizers such as epoxidized soybean oil, and the like. When the plasticizer other than the adipic acid ester plasticizer and the terephthalic acid ester plasticizer is contained, the content thereof is not particularly limited, but is preferably 25 mass% or less, more preferably 15 mass% or less, based on the total amount of the plasticizer More preferable.

또한, 본 실시형태의 기재 필름은, 프탈산알킬에스테르계 가소제를 함유하는 것을 배제하는 것은 아니다. 예를 들어, 기재 필름의 제조 공정에 있어서, 프탈산알킬에스테르계 가소제의 컨태미네이션이 발생할 가능성을 생각할 수 있다. 그러나, 프탈산알킬에스테르계 가소제는, 전술한 RoHS 지령의 규제 대상 후보 물질이고, 또 REACH 규칙의 SVHC (고염려 물질) 의 인가 물질인 점에서, 본 실시형태의 기재 필름은, 프탈산알킬에스테르계 가소제, 특히 프탈산디(2-에틸헥실), 프탈산디부틸, 프탈산벤질부틸 및 프탈산디이소부틸의 함유량이 모두 0.001 질량% 이하인 것이 바람직하고, 어느 화합물도 함유하지 않는 것이 특히 바람직하다.Further, the base film of the present embodiment does not exclude those containing a phthalic acid alkyl ester-based plasticizer. For example, in the process of producing a base film, the possibility of occurrence of contamination of a phthalic acid alkyl ester plasticizer can be considered. However, since the phthalate alkyl ester plasticizer is a candidate substance to be regulated as the above-mentioned RoHS Directive and is a substance to be applied to SVHC (high concern substance) of the REACH regulation, the base film of the present embodiment is a phthalic acid alkyl ester plasticizer , In particular, the content of di (2-ethylhexyl) phthalate, dibutyl phthalate, benzyl butyl phthalate and diisobutyl phthalate is preferably 0.001% by mass or less, and it is particularly preferable that no compound is contained.

기재 필름에 있어서의 상기 가소제의 합계 함유량은, 기재를 구성하는 염화비닐계 수지 100 질량부에 대해, 하한값이 18 질량부 이상인 것이 바람직하고, 22 질량부 이상인 것이 보다 바람직하고, 25 질량부 이상인 것이 특히 바람직하다. 또, 상기 가소제의 합계 함유량의 상한값은, 염화비닐계 수지 100 질량부에 대해, 65 질량부 이하인 것이 바람직하고, 60 질량부 이하인 것이 보다 바람직하고, 55 질량부 이하인 것이 특히 바람직하다.The total content of the plasticizer in the base film is preferably 18 parts by mass or more, more preferably 22 parts by mass or more, and more preferably 25 parts by mass or more, based on 100 parts by mass of the vinyl chloride resin constituting the substrate Particularly preferred. The upper limit of the total content of the plasticizer is preferably 65 parts by mass or less, more preferably 60 parts by mass or less, and particularly preferably 55 parts by mass or less, based on 100 parts by mass of the vinyl chloride resin.

또, 기재 필름에 있어서의 상기 가소제의 함유량은, 각 가소제의 고유의 가소화 효율값에 각각의 함유량을 곱한 가소화 효율 환산값으로 특정할 수도 있다. 여기서, 가소화 효율값이란, 중합도 1450 의 염화비닐 호모폴리머 100 질량부에 대해, 가소제로서 프탈산디(n-옥틸) (n-DOP) 을 50 질량부 배합하고, 180 ℃ 에서 용융 혼련한 조성물을 두께 1 ㎜ 로 압축 성형하고, 그 시트로부터 2 호 덤벨의 시험편을 꿰뚫어, 그 시험편을 20 ℃, 200 ㎜/분의 속도로 인장 연신하고, 연신율이 100 % 가 되었을 때의 응력을 기준값으로 하여, 이 응력을 달성하기 위해 필요한 가소제량을 n-DOP 의 배합량인 50 질량부로 나눈 값으로서 정의되고, 각 가소제에 고유의 값이 된다. 가소화 효율값이 작은 가소제는, 적은 배합량으로 n-DOP 를 50 중량부 배합한 경우와 동일한 응력을 달성하기 때문에, 가소화 효율이 양호한 것이라고 할 수 있다.The content of the plasticizer in the base film may be specified by the conversion efficiency value obtained by multiplying the plasticizing efficiency value of each plasticizer by the content of each plasticizer. Here, the plasticizing efficiency value is a value obtained by mixing 50 parts by mass of di (n-octyl) phthalate (n-DOP) as a plasticizer with respect to 100 parts by mass of a vinyl chloride homopolymer having a degree of polymerization of 1450 and melt- The test piece of the No. 2 dumbbell was pierced through the sheet and the test piece was subjected to tensile elongation at a rate of 200 mm / min at 20 캜. The stress at the elongation of 100% was used as a reference value, The amount of plasticizer required to achieve this stress is defined as a value divided by 50 parts by mass of the amount of n-DOP, and is a value inherent in each plasticizer. The plasticizer having a small plasticizing efficiency value achieves the same stress as that obtained when 50 parts by weight of n-DOP is blended at a small blending amount, so that the plasticizing efficiency is good.

가소화 효율 환산값은, 각 가소제의 가소화 효율값에, 각 가소제의 함유량을 곱한 값으로서 정의되고, 각 가소제의 함유량을 n-DOP 환산한 값을 의미한다. 본 실시형태에 있어서, 상기 가소제의 가소화 효율 환산값의 합계는, 기재를 구성하는 염화비닐계 수지 100 질량부에 대해, 하한값이 25 질량부 이상인 것이 바람직하고, 28 질량부 이상인 것이 보다 바람직하고, 30 질량부 이상인 것이 특히 바람직하다. 또, 상기 가소제의 함유량의 상한값은, 염화비닐계 수지 100 질량부에 대해, 50 질량부 이하인 것이 바람직하고, 48 질량부 이하인 것이 보다 바람직하고, 45 질량부 이하인 것이 특히 바람직하다.The plasticization efficiency conversion value is defined as a value obtained by multiplying the plasticizing efficiency value of each plasticizer by the content of each plasticizer, and means a value obtained by converting the content of each plasticizer into n-DOP. In the present embodiment, the sum of the conversion efficiencies of the plasticizers in the plasticizer is preferably 25 parts by mass or more, more preferably 28 parts by mass or more, based on 100 parts by mass of the vinyl chloride resin constituting the substrate , And particularly preferably 30 parts by mass or more. The upper limit of the content of the plasticizer is preferably 50 parts by mass or less, more preferably 48 parts by mass or less, and particularly preferably 45 parts by mass or less, based on 100 parts by mass of the vinyl chloride resin.

기재 필름에 있어서의 가소제의 합계 함유량, 또는 상기 가소화 효율 환산값의 합계가 상기 범위에 있음으로써, 기재 필름에 적당한 유연성을 부여하고, 예를 들어 반도체 가공 시트의 익스팬드성을 충분한 것으로 할 수 있는 한편, 기재가 과도하게 지나치게 부드러워지지 않아 핸들링성이 우수한 것이 된다. 또, 기재에 있어서의 가소제의 함유량이 상기 범위에 있으면, 가소제가 기재로부터 점착제층으로 이행되는 것에 의한 점착제층의 성능이 경시 변화를 억제할 수 있다.When the total content of the plasticizer in the base film or the sum of the conversion efficiencies in terms of plasticization is in the above range, appropriate flexibility is imparted to the base film, and for example, the expandability of the semiconductor processing sheet can be made sufficient On the other hand, the base material is not excessively softened, and the handling property is excellent. When the content of the plasticizer in the base material is within the above range, the performance of the pressure-sensitive adhesive layer due to migration of the plasticizer from the base material to the pressure-sensitive adhesive layer can be suppressed from changing over time.

3. 기재 필름에 있어서의 그 밖의 성분3. Other components in the base film

본 실시형태에 있어서 사용되는 기재 필름은, 본 실시형태의 효과를 저해시키지 않는 범위에서, 염화비닐계 수지 이외의 수지를 함유하고 있어도 된다. 상기 염화비닐계 수지 이외의 다른 수지로는, 예를 들어, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체, 에틸렌-아크릴산에스테르 공중합체 등을 들 수 있고, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 또는 2 종 이상을 병용해도 된다. 염화비닐계 수지 이외의 수지를 함유하는 경우, 그 함유량은 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 기재 필름에 대해 0 ∼ 20 질량% 인 것이 바람직하고, 0 ∼ 10 질량% 인 것이 보다 바람직하다.The base film used in the present embodiment may contain a resin other than a vinyl chloride resin within a range not to impair the effect of the present embodiment. As the resin other than the vinyl chloride resin, for example, an ethylene-vinyl acetate copolymer, an ethylene-acrylic acid ester copolymer and the like may be cited, and one kind thereof may be used alone, You can. When a resin other than a vinyl chloride resin is contained, its content is not particularly limited, but is preferably 0 to 20% by mass, more preferably 0 to 10% by mass, based on the base film.

또, 본 실시형태에 있어서 사용되는 기재 필름에는, 열안정제, 안정화 보조제, 활제, 자외선 흡수제, 난연제, 대전 방지제, 착색제 등의 각종 첨가제가 함유되어 있어도 된다. 이들 각종 첨가제의 함유량은, 본 실시형태의 효과 (특히, 잔사물의 발생의 억제) 를 저해시키지 않는 범위 (소량) 이면 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 염화비닐계 수지 100 질량부에 대해 상한값을 10 질량부 이하, 1 질량부 이하, 0.1 질량부 이하, 나아가서는 0.05 질량부 이하로 할 수 있다. 또, 각종 첨가제의 함유량의 하한값은, 예를 들어, 0.01 질량부 이상으로 할 수 있다.The base film used in the present embodiment may contain various additives such as heat stabilizers, stabilization aids, lubricants, ultraviolet absorbers, flame retardants, antistatic agents and colorants. The content of these various additives is not particularly limited as far as the effect of the present embodiment (in particular, the suppression of the generation of residues) is not inhibited (small amount). For example, for 100 parts by mass of vinyl chloride resin, 10 parts by mass or less, 1 part by mass or less, 0.1 parts by mass or less, and more preferably 0.05 parts by mass or less. The lower limit of the content of the various additives may be, for example, 0.01 part by mass or more.

열안정제로는, 스테아르산칼슘, 스테아르산바륨, 스테아르산마그네슘, 이염기성 스테아르산납 등의 금속 비누 ; 염기성 아황산납, 이염기성 아인산납 등의 납계 안정제 ; 디부틸주석디라우레이트, 디부틸주석말레이트, 디부틸주석메르캅타이드 등의 주석계 안정제 ; 칼슘계 안정제 ; 아연계 안정제 ; 마그네슘계 안정제 ; 바륨계 안정제 등을 들 수 있고, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 또는 2 종 이상을 병용해도 된다.Examples of the thermal stabilizer include metal soap such as calcium stearate, barium stearate, magnesium stearate, lead dibasic stearate; Basic stabilizers such as basic sulfite lead and dibasic lead sulfate; Tin stabilizers such as dibutyltin dilaurate, dibutyltin maleate, and dibutyltin mercaptide; Calcium stabilizer; Zinc-based stabilizers; Magnesium stabilizers; Barium stabilizers, and the like, and one type may be used alone, or two or more types may be used in combination.

활제로는, 지방산계 활제, 지방산 아미드계 활제, 에스테르계 활제, 폴리에틸렌 왁스, 유동 파라핀 등을 들 수 있고, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 또는 2 종 이상을 병용해도 된다.Examples of the lubricant include a fatty acid lubricant, a fatty acid amide lubricant, an ester lubricant, a polyethylene wax, and liquid paraffin. One type of lubricant may be used alone, or two or more types may be used in combination.

자외선 흡수제로는, 벤조페논계, 벤조트리아졸계, 시아노아크릴레이트계, 살리실산에스테르계 등을 들 수 있고, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 또는 2 종 이상을 병용해도 된다.Examples of the ultraviolet absorber include benzophenone-based, benzotriazole-based, cyanoacrylate-based, salicylic ester-based, and the like, and one type may be used alone, or two or more types may be used in combination.

대전 방지제로는, 폴리옥시에틸렌알킬아민, 폴리옥시에틸렌알킬아미드, 폴리옥시에틸렌알킬에테르, 글리세린 지방산 에스테르, 소르비탄 지방산 에스테르 등을 들 수 있고, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 또는 2 종 이상을 병용해도 된다.Examples of the antistatic agent include polyoxyethylene alkylamine, polyoxyethylene alkylamide, polyoxyethylene alkyl ether, glycerin fatty acid ester, and sorbitan fatty acid ester. One type may be used alone, or two or more types .

착색제로는, 예를 들어 프탈로시아닌계 착색제, 퀴나크리돈계 착색제, 한자 옐로, 알리자린 레이크, 산화티탄, 아연화, 퍼머넌트 레드, 카본 블랙 등을 들 수 있고, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 또는 2 종 이상을 병용해도 된다.Examples of the colorant include phthalocyanine-based coloring agents, quinacridone-based coloring agents, hansa yellow, alizarin lake, titanium oxide, zincation, permanent red and carbon black, and one kind of them may be used singly or two kinds Or more may be used in combination.

4. 기재 필름의 물성 등4. Physical properties of base film

기재 필름의 두께는, 반도체 가공 시트가 첩부된 피가공물 (반도체 웨이퍼 등) 에 대해 원하는 작업을 실시할 수 있는 것이면 특별히 한정되지 않는다. 구체적으로는, 기재의 두께는 25 ㎛ 이상인 것이 바람직하고, 특히 50 ㎛ 이상인 것이 바람직하다. 또, 당해 두께는 200 ㎛ 이하인 것이 바람직하고, 특히 150 ㎛ 이하인 것이 바람직하다.The thickness of the base film is not particularly limited as long as it can perform a desired operation on a work (a semiconductor wafer or the like) to which the semiconductor processing sheet is attached. Specifically, the thickness of the substrate is preferably 25 占 퐉 or more, and more preferably 50 占 퐉 or more. The thickness is preferably 200 占 퐉 or less, and more preferably 150 占 퐉 or less.

본 실시형태의 기재 필름은, 인장 시험에 있어서의 MD 방향의 25 % 응력의 하한값이 5 ㎫ 이상인 것이 바람직하고, 7 ㎫ 이상인 것이 보다 바람직하고, 9 ㎫ 이상인 것이 특히 바람직하다. 또, 상기 MD 방향의 25 % 응력의 상한값은, 16 ㎫ 이하인 것이 바람직하고, 15 ㎫ 이하인 것이 보다 바람직하고, 14 ㎫ 이하인 것이 특히 바람직하다. 여기서, 인장 시험에 있어서의 MD 방향의 25 % 응력은, JIS K7161-1 : 2014 에 준거하여 측정한 값이며, 구체적인 측정 방법은 후술하는 실시예에서 나타낸다.In the base film of the present embodiment, the lower limit of the 25% stress in the MD direction in the tensile test is preferably 5 MPa or higher, more preferably 7 MPa or higher, and particularly preferably 9 MPa or higher. The upper limit of the 25% stress in the MD direction is preferably 16 MPa or less, more preferably 15 MPa or less, particularly preferably 14 MPa or less. Here, the 25% stress in the MD direction in the tensile test is a value measured in accordance with JIS K7161-1: 2014, and a specific measuring method is shown in the following examples.

또, 본 실시형태의 기재 필름은, 인장 시험에 있어서의 파단점 응력의 하한값이 14 ㎫ 이상인 것이 바람직하고, 18 ㎫ 이상인 것이 보다 바람직하고, 22 ㎫ 이상인 것이 특히 바람직하다. 또, 상기 파단점 응력의 상한값은, 48 ㎫ 이하인 것이 바람직하고, 44 ㎫ 이하인 것이 보다 바람직하고, 38 ㎫ 이하인 것이 특히 바람직하다. 여기서, 인장 시험에 있어서의 파단점 응력은, JIS K7161-1 : 2014 에 준거하여 측정한 값이다.In the base film of the present embodiment, the lower limit value of the breaking point stress in the tensile test is preferably 14 MPa or more, more preferably 18 MPa or more, and particularly preferably 22 MPa or more. The upper limit of the breaking point stress is preferably 48 MPa or less, more preferably 44 MPa or less, particularly preferably 38 MPa or less. Here, the breaking point stress in the tensile test is a value measured in accordance with JIS K7161-1: 2014.

본 실시형태의 기재 필름은, 인장 시험에 있어서의 MD 방향의 25 % 응력이나 파단점 응력이 상기 범위에 있음으로써, 기재 필름의 강성이 적당한 것이 되고, 예를 들어 반도체 가공 시트의 익스팬드성을 충분한 것으로 할 수 있는 한편, 핸들링성이 우수하여, 반송시의 피착체 지지성이 우수한 것이 된다.In the base film of the present embodiment, the stiffness of the base film is appropriate because the 25% stress or the breaking point stress in the MD direction in the tensile test is in the above range, and for example, It is possible to obtain a sufficient amount of the carrier, while the handling property is excellent and the supportability of the adherend during transportation is excellent.

5. 기재 필름의 제조 방법5. Manufacturing Method of Base Film

본 실시형태의 기재 필름은, 염화비닐계 수지를 함유하고, 아디프산에스테르계 가소제 및 테레프탈산에스테르계 가소제를 소정의 질량 비율로 함유하는 것이면, 그 제조 방법은 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어, 염화비닐계 수지, 아디프산에스테르계 가소제 및 테레프탈산에스테르계 가소제, 바람직하게는 안정제, 그 밖의 첨가제 등을 혼합하여 얻어진 혼합물을 제막하여 얻을 수 있다.The base film of the present embodiment is not particularly limited as long as it contains a vinyl chloride resin and contains an adipic acid ester plasticizer and a terephthalic acid ester plasticizer in a predetermined mass ratio. For example, a mixture obtained by mixing a vinyl chloride resin, an adipate ester plasticizer and a terephthalate ester plasticizer, preferably a stabilizer, and other additives may be obtained by forming a mixture.

각 성분의 혼합은, 일반적으로는 기계적 용융 혼련 방법에 따라, 단축 압출기, 이축 압출기, 헨셸 믹서, 밴버리 믹서, 각종 니더, 브라벤더, 캘린더 롤 등이 사용된다. 이때, 각 성분의 첨가 순서에는 특별히 제한되지 않는다. 또, 용융 혼련하는 온도는 140 ℃ ∼ 220 ℃ 중에서 바람직하게 선택할 수 있다. 얻어진 혼합물을 필름상으로 가공하여 상기 기재 필름이 얻어진다. 필름 가공은, 압출 성형, 캘린더 성형, 인플레이션 성형 등 일반 성형 가공법에 의해 실시하면 된다.As for the mixing of the components, a single-screw extruder, a twin-screw extruder, a Henschel mixer, a Banbury mixer, various kneaders, a Brabender, and a calender roll are generally used according to a mechanical melt-kneading method. At this time, the order of addition of the respective components is not particularly limited. The temperature at which the melt-kneading is carried out can be suitably selected from 140 to 220 占 폚. The resulting mixture is processed into a film to obtain the base film. Film processing may be carried out by a general molding process such as extrusion molding, calender molding, and inflation molding.

또, 제막의 방법은, 상기에 예시한 혼합물을 용액 혹은 용융 상태로 하고, 캘린더 롤 등의 도공 수단에 의해 도공을 실시하는 것에 의한 것이어도 된다.The film-forming method may be carried out by putting the above-mentioned mixture into a solution or a molten state, and applying the coating by a coating means such as calender roll.

상기 기재 필름은, 그 일방의 면에 적층되는 점착제층과의 밀착성을 향상시킬 목적으로, 원하는 바에 따라 편면 또는 양면에, 산화법이나 요철화법 등에 의한 표면 처리, 혹은 프라이머 처리를 실시할 수 있다. 상기 산화법으로는, 예를 들어 코로나 방전 처리, 플라즈마 방전 처리, 크롬 산화 처리 (습식), 화염 처리, 열풍 처리, 오존, 자외선 조사 처리 등을 들 수 있고, 또, 요철화법으로는, 예를 들어 샌드 블라스트법, 용사 처리법 등을 들 수 있다.The base film may be subjected to surface treatment or primer treatment on the one surface or both surfaces by an oxidation method, an unevenness method or the like in accordance with the purpose as desired for the purpose of improving adhesion with the pressure-sensitive adhesive layer laminated on one surface of the base film. Examples of the oxidation method include a corona discharge treatment, a plasma discharge treatment, a chromium oxidation treatment (wet type), a flame treatment, a hot air treatment, an ozone, an ultraviolet ray irradiation treatment and the like. Sand blast method, spray treatment method, and the like.

또, 상기 기재 필름에 있어서의 점착제층이 적층되지 않는 쪽의 면에는, 박리제에 의해 박리 처리를 해도 된다. 이로써, 박리 필름을 사용하지 않고 반도체 가공 시트를 권취체로 한 경우에도, 조출을 양호하게 실시할 수 있다.The surface of the base film on which the pressure-sensitive adhesive layer is not laminated may be peeled off with a release agent. As a result, even when the semiconductor processing sheet is used as the winding body without using the release film, the feeding can be satisfactorily performed.

〔반도체 가공 시트〕[Semiconductor processing sheet]

본 실시형태에 관련된 반도체 가공 시트는, 상기 기재 필름과, 당해 기재 필름의 적어도 편면에 적층된 점착제층을 구비하여 구성된다. 점착제층에 있어서의 기재 필름과는 반대측의 면에는, 박리 필름이 적층되어도 된다. 이 박리 필름은, 반도체 가공 시트의 사용시에 박리 제거되며, 그때까지 점착제층을 보호하는 것이다.The semiconductor processed sheet according to the present embodiment comprises the base film and a pressure-sensitive adhesive layer laminated on at least one side of the base film. A release film may be laminated on the surface of the pressure-sensitive adhesive layer opposite to the base film. This peeling film is peeled off at the time of using the semiconductor processed sheet, and protects the pressure sensitive adhesive layer until that time.

1. 점착제층1. Adhesive layer

본 실시형태에 관련된 반도체 가공 시트는, 점착제층을 구성하는 점착제로서, 종래부터 반도체 가공 시트에 사용되고 있는 점착제를 그대로 사용할 수 있다. 특히 점착 부여제나, 픽업성 향상 보조제, 대전 방지제 등의 첨가제를 부여하는 경우에는, 가소제의 이행에 의한 점착제층 내부에서의 상용성의 밸런스가 무너져, 점착력의 변화나 잔사물의 발생과 같은 문제가 발생하기 쉽지만, 본 실시형태에 의하면, 상기 가소제를 함유하는 기재 필름을 사용하기 때문에, 점착제 조성의 재검토를 실시할 필요가 없어, 프탈산디옥틸 (DOP) 을 함유하는 종래의 염화비닐계 기재로부터 치환하는 것이 가능하다.As the pressure-sensitive adhesive constituting the pressure-sensitive adhesive layer, the pressure-sensitive adhesive used in the semiconductor processing sheet can be used as it is as the semiconductor-processed sheet according to the present embodiment. Particularly, when an additive such as a tackifier, a pick-up property improving aid, or an antistatic agent is added, the balance of compatibility in the pressure-sensitive adhesive layer due to the migration of the plasticizer is broken and problems such as change in adhesive force and occurrence of residues However, according to the present embodiment, since the base film containing the plasticizer is used, it is not necessary to review the composition of the pressure-sensitive adhesive, and it is possible to replace the conventional vinyl chloride base material containing dioctyl phthalate (DOP) It is possible.

구체적으로, 상기 점착제층을 구성하는 점착제는, 비경화성의 점착제여도 되고, 경화성의 점착제여도 된다. 또, 경화성의 점착제는, 경화 전의 상태여도 되고, 경화 후의 상태여도 된다. 점착제층이 다층으로 이루어지는 경우에는, 비경화성의 점착제와 경화성의 점착제를 조합한 것이어도 된다. 비경화성의 점착제로는, 예를 들어, 아크릴계 점착제, 고무계 점착제, 실리콘계 점착제, 우레탄계 점착제, 폴리에스테르계 점착제, 폴리비닐에테르계 점착제, 페녹시계 점착제, 아크릴우레탄계 점착제 등을 들 수 있다. 경화성의 점착제로는, 예를 들어, 에너지선 경화성 점착제, 열경화성 점착제 등을 들 수 있다. 이하, 에너지선 경화성 점착제에 대해 조금 상세하게 설명한다.Specifically, the pressure-sensitive adhesive constituting the pressure-sensitive adhesive layer may be a non-curable pressure-sensitive adhesive or a curable pressure-sensitive adhesive. The curable pressure sensitive adhesive may be in a state before curing or after curing. When the pressure-sensitive adhesive layer is composed of multiple layers, a combination of a non-curable pressure-sensitive adhesive and a curable pressure-sensitive adhesive may be used. Examples of the noncurable adhesive include acrylic pressure sensitive adhesives, rubber pressure sensitive adhesives, silicone pressure sensitive adhesives, urethane pressure sensitive adhesives, polyester pressure sensitive adhesives, polyvinyl ether pressure sensitive adhesives, phenoxy pressure sensitive adhesives and acrylic urethane pressure sensitive adhesives. Examples of the curable pressure-sensitive adhesive include energy ray-curable pressure-sensitive adhesives, thermosetting pressure-sensitive adhesives, and the like. Hereinafter, the energy radiation curable pressure sensitive adhesive will be described in some detail.

(1) 에너지선 경화성 점착 주제(1) Energy ray hardenable adhesive theme

본 실시형태의 점착제층이 에너지선 경화성 점착제로 형성되는 경우, 이러한 에너지선 경화성 점착제로는, 에너지선 경화성의 모노머 및/또는 올리고머를 함유하는 것이어도 되고, 에너지선 비경화성의 폴리머와, 에너지선 경화성의 모노머 및/또는 올리고머를 함유하는 것이어도 되고, 에너지선 경화성의 폴리머를 함유하는 것이어도 되고, 에너지선 경화성의 폴리머와, 에너지선 경화성의 모노머 및/또는 올리고머를 함유하는 것이어도 되고, 에너지선 경화성의 폴리머와, 에너지선 비경화성의 폴리머와, 에너지선 경화성의 모노머 및/또는 올리고머를 함유하는 것이어도 된다. 그 중에서도, 에너지선 경화 전의 점착력을 크게 하는 것이 용이하고, 에너지선 경화 후의 점착력과의 차를 크게할 수 있는, 에너지선 비경화성의 폴리머와, 에너지선 경화성의 모노머 및/또는 올리고머를 함유하는 에너지선 경화성 점착제가 바람직하다. 에너지선 경화성 점착제는, 추가로 가교제를 함유해도 된다. 또한, 상기 성분 중, 에너지선 경화성의 모노머 및/또는 올리고머, 그리고 에너지선 경화성의 폴리머가 에너지선 경화성 성분에 해당한다.In the case where the pressure-sensitive adhesive layer of the present embodiment is formed of an energy ray-curable pressure-sensitive adhesive, the energy ray curable pressure-sensitive adhesive may include an energy ray-curable monomer and / or an oligomer, May contain a curable monomer and / or an oligomer, may contain an energy ray curable polymer, may contain an energy ray curable polymer and an energy ray curable monomer and / or an oligomer, Ray-curable polymer, an energy ray-non-curable polymer, and an energy ray-curable monomer and / or an oligomer. Among them, an energy ray non-curable polymer which can easily increase the adhesive force before the energy ray curing and can increase the difference from the adhesive force after the energy ray curing and an energy ray containing an energy ray curable monomer and / Ray-curable pressure-sensitive adhesive is preferable. The energy ray-curable pressure-sensitive adhesive may further contain a crosslinking agent. Among these components, energy ray-curable monomers and / or oligomers and energy ray-curable polymers are energy ray-curable components.

(1-1) 에너지선 비경화성의 폴리머(1-1) Energy ray non-hardening polymer

에너지선 경화성 점착제가 에너지선 비경화성의 폴리머를 함유하는 경우, 그 에너지선 비경화성의 폴리머는, 점착제층에 그대로 함유되고 있어도 되고, 또 적어도 그 일부가 가교제와 가교 반응을 실시하여 가교 구조를 갖고 있어도 된다. 에너지선 비경화성의 폴리머로는, 예를 들어, 아크릴계 중합체, 페녹시 수지, 우레탄 수지, 폴리에스테르 수지, 고무계 수지, 아크릴우레탄 수지, 실리콘 수지 등을 들 수 있고, 그 중에서도 점착력의 제어가 용이한 아크릴계 중합체가 바람직하다. 이하, 아크릴계 중합체를 사용하는 경우에 대해 상세하게 설명한다.When the energy ray-curable pressure-sensitive adhesive contains an energy ray non-curable polymer, the energy ray non-curable polymer may be contained intact in the pressure-sensitive adhesive layer, or at least a part thereof may be subjected to a cross- . Examples of the energy ray non-curable polymer include an acrylic polymer, a phenoxy resin, a urethane resin, a polyester resin, a rubber resin, an acryl urethane resin, and a silicone resin. Among them, Acrylic polymers are preferred. Hereinafter, the case of using an acrylic polymer will be described in detail.

아크릴계 중합체로는, 종래 공지된 아크릴계의 중합체를 사용할 수 있다. 아크릴계 중합체는, 1 종류의 아크릴계 모노머로 형성된 단독 중합체여도 되고, 복수 종류의 아크릴계 모노머로 형성된 공중합체여도 되고, 1 종류 또는 복수 종류의 아크릴계 모노머와 아크릴계 모노머 이외의 모노머로 형성된 공중합체여도 된다. 아크릴계 모노머가 되는 화합물의 구체적인 종류는 특별히 한정되지 않고, (메트)아크릴산, (메트)아크릴산에스테르, 그 유도체 (아크릴로니트릴, 이타콘산 등) 를 구체예로서 들 수 있다. 또한, 본 명세서에 있어서, (메트)아크릴산이란, 아크릴산 및 메타크릴산의 양방을 의미한다. 다른 유사 용어도 마찬가지이다. 또한, 본 명세서에 있어서의「중합체」에는 「공중합체」의 개념도 포함되는 경우가 있다.As the acrylic polymer, conventionally known acrylic polymers may be used. The acrylic polymer may be a homopolymer formed of one kind of acrylic monomer, a copolymer formed of plural kinds of acrylic monomers, or a copolymer formed of one kind or plural kinds of acrylic monomers and monomers other than acrylic monomers. The specific kind of the compound to be an acrylic monomer is not particularly limited and specific examples include (meth) acrylic acid, (meth) acrylic acid ester and derivatives thereof (acrylonitrile, itaconic acid, etc.). In the present specification, (meth) acrylic acid means both acrylic acid and methacrylic acid. The same is true of other similar terms. The term " polymer " in this specification includes the concept of " copolymer ".

(메트)아크릴산에스테르에 대해 추가로 구체예를 나타내면, 메틸(메트)아크릴레이트, 에틸(메트)아크릴레이트, 프로필(메트)아크릴레이트, 부틸(메트)아크릴레이트, n-부틸(메트)아크릴레이트, n-펜틸(메트)아크릴레이트, n-헥실(메트)아크릴레이트, 2-에틸헥실(메트)아크릴레이트, 이소옥틸(메트)아크릴레이트, n-데실(메트)아크릴레이트, 라우릴(메트)아크릴레이트, 미리스틸(메트)아크릴레이트, 팔미틸(메트)아크릴레이트, 스테아릴(메트)아크릴레이트 등의 사슬형 골격을 갖는 (메트)아크릴레이트 ; 시클로헥실(메트)아크릴레이트, 벤질(메트)아크릴레이트, 이소보르닐(메트)아크릴레이트, 디시클로펜타닐(메트)아크릴레이트, 테트라하이드로푸르푸릴(메트)아크릴레이트, 이미드아크릴레이트 등의 고리형 골격을 갖는 (메트)아크릴레이트 ; 2-하이드록시에틸(메트)아크릴레이트, 2-하이드록시프로필(메트)아크릴레이트, 4-하이드록시부틸아크릴레이트 등의 하이드록시기를 갖는 (메트)아크릴레이트 ; 글리시딜(메트)아크릴레이트, N-메틸아미노에틸(메트)아크릴레이트 등의 하이드록시기 이외의 반응성 관능기를 갖는 (메트)아크릴레이트를 들 수 있다. 또, 아크릴계 모노머 이외의 모노머로서, 에틸렌, 노르보르넨 등의 올레핀, 아세트산비닐, 스티렌 등이 예시된다. 또한, 아크릴계 모노머가 알킬(메트)아크릴레이트인 경우에는, 그 알킬기의 탄소수는 1 ∼ 18 의 범위인 것이 바람직하다.(Meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, propyl (meth) acrylate, butyl (meth) acrylate, n-butyl (meth) acrylate (meth) acrylate, n-hexyl (meth) acrylate, 2-ethylhexyl (meth) acrylate, isooctyl (Meth) acrylate having a skeletal skeleton such as acrylate, myristyl (meth) acrylate, palmityl (meth) acrylate, stearyl (meth) acrylate and the like; (Meth) acrylate, benzyl (meth) acrylate, isobornyl (meth) acrylate, dicyclopentanyl (meth) acrylate, tetrahydrofurfuryl (Meth) acrylate having a phenolic skeleton; (Meth) acrylate having a hydroxy group such as 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate and 4-hydroxybutyl acrylate; (Meth) acrylate having a reactive functional group other than a hydroxyl group such as glycidyl (meth) acrylate and N-methylaminoethyl (meth) acrylate. Examples of monomers other than the acrylic monomer include olefins such as ethylene and norbornene, vinyl acetate, and styrene. When the acrylic monomer is alkyl (meth) acrylate, the number of carbon atoms of the alkyl group is preferably in the range of 1 to 18. [

본 실시형태에 있어서의 에너지선 경화성 점착제가 가교제를 함유하는 경우에는, 아크릴계 중합체는, 가교제와 반응하는 반응성 관능기를 갖는 것이 바람직하다. 반응성 관능기의 종류는 특별히 한정되지 않고, 가교제의 종류 등에 기초하여 적절히 결정하면 된다.When the energy ray-curable pressure-sensitive adhesive in the present embodiment contains a crosslinking agent, it is preferable that the acrylic polymer has a reactive functional group that reacts with the crosslinking agent. The kind of the reactive functional group is not particularly limited and may be suitably determined based on the kind of the cross-linking agent and the like.

예를 들어, 가교제가 폴리이소시아네이트 화합물인 경우에는, 아크릴계 중합체가 갖는 반응성 관능기로서, 하이드록시기, 카르복시기, 아미노기 등이 예시된다. 또, 가교제가 에폭시계 화합물인 경우에는, 아크릴계 중합체가 갖는 반응성 관능기로서, 카르복시기, 아미노기, 아미드기 등이 예시되고, 가교제가 킬레이트 화합물인 경우에는, 아크릴계 중합체가 갖는 반응성 관능기로서, 하이드록시기, 카르복시기, 에폭시기 등이 예시된다.For example, when the crosslinking agent is a polyisocyanate compound, examples of the reactive functional group contained in the acrylic polymer include a hydroxyl group, a carboxyl group, and an amino group. When the crosslinking agent is an epoxy compound, examples of the reactive functional group of the acrylic polymer include a carboxyl group, an amino group, and an amide group. When the crosslinking agent is a chelate compound, examples of the reactive functional group contained in the acrylic polymer include hydroxyl group, A carboxyl group, an epoxy group and the like.

아크릴계 중합체에 반응성 관능기를 도입하는 방법은 특별히 한정되지 않고, 일례로서, 반응성 관능기를 갖는 모노머를 사용하여 아크릴계 중합체를 형성하고, 반응성 관능기를 갖는 모노머에 기초하는 구성 단위를 중합체의 골격에 함유시키는 방법을 들 수 있다. 예를 들어, 아크릴계 중합체에 하이드록시기를 도입하는 경우에는, 2-하이드록시에틸아크릴레이트 등의 하이드록시기를 갖는 모노머를 사용하여 아크릴계 중합체를 형성하면 된다. 또, 아크릴계 중합체에 카르복시기를 도입하는 경우에는, 아크릴산 등의 카르복시기를 갖는 모노머를 사용하여 아크릴계 중합체를 형성하면 된다.A method for introducing a reactive functional group into an acrylic polymer is not particularly limited and examples thereof include a method in which an acrylic polymer is formed using a monomer having a reactive functional group and a structural unit based on a monomer having a reactive functional group is contained in the backbone of the polymer . For example, when introducing a hydroxy group into an acrylic polymer, an acrylic polymer may be formed using a monomer having a hydroxy group such as 2-hydroxyethyl acrylate. When a carboxyl group is introduced into the acrylic polymer, an acrylic polymer may be formed using a monomer having a carboxyl group such as acrylic acid.

아크릴계 중합체가 반응성 관능기를 갖는 경우에는, 아크릴계 중합체 전체의 질량에서 차지하는 반응성 관능기를 갖는 모노머 유래의 구조 부분의 질량의 비율은, 1 질량% 이상인 것이 바람직하고, 특히 2 질량% 이상인 것이 바람직하다. 또, 당해 비율은, 30 질량% 이하인 것이 바람직하고, 특히 20 질량% 이하인 것이 바람직하다. 상기 비율이 상기 범위에 있음으로써, 가교의 정도를 양호하게 할 수 있다.When the acrylic polymer has a reactive functional group, the ratio of the mass of the structural part derived from the monomer having a reactive functional group in the total mass of the acrylic polymer is preferably 1% by mass or more, particularly preferably 2% by mass or more. The proportion is preferably 30 mass% or less, particularly preferably 20 mass% or less. When the ratio is in the above range, the degree of crosslinking can be improved.

아크릴계 중합체는, 상기 각 모노머를 통상적인 방법에 의해 공중합함으로써 얻어진다. 아크릴계 중합체의 중합 양태는, 랜덤 공중합체여도 되고, 블록 공중합체여도 된다.The acrylic polymer is obtained by copolymerizing the respective monomers by a conventional method. The polymerization of the acrylic polymer may be a random copolymer or a block copolymer.

아크릴계 중합체의 중량 평균 분자량 (Mw) 은, 1 만 이상인 것이 바람직하고, 특히 10 만 이상인 것이 바람직하다. 또, 아크릴계 중합체의 중량 평균 분자량은, 200 만 이하인 것이 바람직하고, 특히 150 만 이하인 것이 바람직하다. 상기 중량 평균 분자량이 상기 범위에 있음으로써, 양호한 점착성을 발휘함과 함께, 도공시의 조막성을 양호하게 확보할 수 있다. 또한, 본 명세서에 있어서의 중량 평균 분자량은, 겔 침투 크로마토그래프 장치 (토소 주식회사 제조, 제품명「HLC-8020」) 를 사용하여, 하기 조건에서 측정 (GPC 측정) 한 표준 폴리스티렌 환산값이다.The weight average molecular weight (Mw) of the acrylic polymer is preferably 10,000 or more, more preferably 100,000 or more. The weight average molecular weight of the acrylic polymer is preferably 2,000,000 or less, and particularly preferably 1,500,000 or less. When the weight average molecular weight is in the above range, good stickiness can be exhibited and film-forming property at the time of coating can be satisfactorily secured. The weight average molecular weight in the present specification is a standard polystyrene conversion value measured under the following conditions (GPC measurement) using a gel permeation chromatograph apparatus (product name: " HLC-8020 "

<GPC 측정 조건>≪ GPC measurement condition >

·칼럼 : 「TSK guard column HXL-L」,「TSK gel G2500HXL」,「TSK gel G2000HXL」,「TSK gel G1000HXL」(모두 토소 주식회사 제조) 을 순차 연결한 것Column: "TSK gel column G2000HXL", "TSK gel G1000HXL" (all manufactured by Toso Co., Ltd.) were sequentially connected with "TSK guard column HXL-L", "TSK gel G2500HXL"

·칼럼 온도 : 40 ℃Column temperature: 40 ° C

·전개 용매 : 테트라하이드로푸란· Developing solvent: tetrahydrofuran

·유속 : 1.0 mL/minFlow rate: 1.0 mL / min

·검출기 : 시차 굴절계· Detector: Differential refractometer

·표준 시료 : 폴리스티렌· Standard sample: Polystyrene

(1-2) 에너지선 경화성의 모노머 및/또는 올리고머(1-2) Energy ray-curable monomers and / or oligomers

에너지선 경화성의 모노머 및/또는 올리고머 (이하「에너지선 경화성 화합물」이라고 한다) 는, 에너지선 경화성기를 갖고, 에너지선의 조사를 받으면 중합되는 화합물로서, 후술하는 에너지선 경화성의 폴리머보다 저분자량의 것이다.The energy ray curable monomer and / or oligomer (hereinafter referred to as " energy ray curable compound ") has an energy ray curable group and is polymerized when irradiated with an energy ray and has a molecular weight lower than that of an energy ray curable polymer .

에너지선 경화성 화합물이 갖는 에너지선 경화성기는, 예를 들어 에너지선 경화성의 탄소-탄소 이중 결합을 포함하는 기이며, 구체적으로는, (메트)아크릴로일기, 비닐기 등을 예시할 수 있다.The energy ray-curable group possessed by the energy ray-curable compound includes, for example, a group containing an energy ray-curable carbon-carbon double bond, specifically, a (meth) acryloyl group, a vinyl group, and the like.

에너지선 경화성 화합물은, 단관능이어도 되고, 다관능이어도 되지만, 다관능인 것이 바람직하다. 그 경우, 에너지선 경화성 화합물은, 2 관능 이상인 것이 바람직하고, 특히 3 관능 이상인 것이 바람직하고, 나아가서는 4 관능 이상인 것이 바람직하다. 또, 당해 에너지선 경화성 화합물은, 15 관능 이하인 것이 바람직하고, 특히 12 관능 이하인 것이 바람직하고, 나아가서는 10 관능 이하인 것이 바람직하다. 에너지선 경화성 화합물이 상기와 같은 다관능이면, 자외성 경화에 의한 점착력의 컨트롤이 하기 쉽고, 경화에 의한 체적 수축이 커지는 것에서 기인하는 기재와의 밀착 불량도 발생하기 어렵다.The energy ray curable compound may be monofunctional or multifunctional, but is preferably multifunctional. In this case, the energy ray-curable compound is preferably two or more functional, more preferably three or more, and more preferably four or more. The energy radiation curable compound is preferably 15 or less, more preferably 12 or less, and more preferably 10 or less. If the energy ray-curable compound has such a multifunctionality as described above, it is difficult to control the adhesive force by the ultraviolet curing and easily cause poor volume adhesion to the substrate due to volume shrinkage caused by curing.

에너지선 경화성 화합물의 구체예로는, 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 테트라메틸올메탄테트라(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨모노하이드록시펜타(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨폴리(메트)아크릴레이트, 혹은 1,4-부틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 1,6-헥산디올디(메트)아크릴레이트, 디시클로펜타디엔디메톡시디(메트)아크릴레이트, 이소보르닐(메트)아크릴레이트 등의 고리형 지방족 골격 함유 아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 올리고에스테르(메트)아크릴레이트, 우레탄(메트)아크릴레이트 올리고머, 에폭시 변성 (메트)아크릴레이트, 폴리에테르(메트)아크릴레이트, 이타콘산 올리고머 등의 아크릴레이트계 화합물을 들 수 있다. 이들은, 1 종을 단독으로 사용할 수도 있고, 2 종 이상을 조합하여 사용할 수도 있다.Specific examples of the energy ray curable compound include trimethylolpropane tri (meth) acrylate, tetramethylolmethane tetra (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, pentaerythritol tetra (meth) , Dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, dipentaerythritol poly (meth) acrylate, or 1,4-butylene glycol di (meth) acrylate, dipentaerythritol poly Acrylate, cyclic aliphatic skeleton-containing acrylates such as 1,6-hexanediol di (meth) acrylate, dicyclopentadiene dimethoxydi (meth) acrylate and isobornyl (meth) acrylate, polyethylene glycol di (Meth) acrylate oligomer, epoxy-modified (meth) acrylate, polyether (meth) acrylate, Acrylate-based compounds such as other acid oligomer. These may be used singly or in combination of two or more kinds.

에너지선 경화성 화합물의 분자량은, 100 이상인 것이 바람직하고, 특히 300 이상인 것이 바람직하다. 또, 에너지선 경화성 화합물의 분자량은, 30000 이하인 것이 바람직하고, 특히 10000 이하인 것이 바람직하다. 에너지선 경화성 화합물의 분자량이 상기 범위에 있음으로써, 조막성을 확보하면서, 도공 건조시의 재료 휘발의 영향을 억제할 수 있다.The molecular weight of the energy ray-curable compound is preferably 100 or more, more preferably 300 or more. The molecular weight of the energy ray-curable compound is preferably 30,000 or less, more preferably 10,000 or less. When the molecular weight of the energy ray-curable compound is within the above range, the effect of volatilization of the material during coating and drying can be suppressed while ensuring the film-forming property.

에너지선 비경화성의 폴리머 및 경화성의 폴리머의 합계 100 질량부에 대한 에너지선 경화성 화합물의 비율은, 30 질량부 이상인 것이 바람직하고, 특히 40 질량부 이상인 것이 바람직하고, 나아가서는 50 질량부 이상인 것이 바람직하다. 또, 당해 비율은, 200 질량부 이하인 것이 바람직하고, 특히 170 질량부 이하인 것이 바람직하고, 나아가서는 150 질량부 이하인 것이 바람직하다. 상기 비율이 상기 범위에 있음으로써, 경화 전에는 양호한 점착력을 발휘하고, 경화 후에는 점착력이 충분히 저하될 수 있다.The ratio of the energy ray-curable compound to 100 parts by mass of the total amount of the energy ray-non-curable polymer and the curable polymer is preferably 30 parts by mass or more, more preferably 40 parts by mass or more, further preferably 50 parts by mass or more Do. The ratio is preferably 200 parts by mass or less, more preferably 170 parts by mass or less, further preferably 150 parts by mass or less. When the above ratio is in the above range, a good adhesive force is exerted before curing, and the adhesive force can be sufficiently lowered after curing.

(1-3) 에너지선 경화성의 폴리머(1-3) Energy ray curable polymer

에너지선 경화성의 폴리머는, 에너지선 경화성기가 도입된 중합체인 것이 바람직하다. 이 에너지선 경화성기가 도입된 중합체는, 점착제층에 그대로 함유되어 있어도 되고, 또 적어도 그 일부가 가교제와 가교 반응을 실시하여 가교 구조를 갖고 있어도 된다.The energy ray curable polymer is preferably a polymer into which an energy ray curable group is introduced. The polymer into which the energy ray-curable group is introduced may be contained intact in the pressure-sensitive adhesive layer, or at least a part of the polymer may have a crosslinking structure by carrying out a crosslinking reaction with the crosslinking agent.

에너지선 경화성기가 도입된 중합체로는, 예를 들어, 관능기를 함유하는 관능기 함유 모노머를 구성 성분으로 하는 관능기 함유 아크릴계 중합체와, 당해 관능기와 반응하는 치환기 및 에너지선 경화성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 경화성기 함유 화합물을 반응시켜 얻어지는 아크릴계 중합체를 들 수 있다.Examples of the polymer to which the energy ray-curable group is introduced include an acrylic polymer containing a functional group containing a functional group-containing monomer containing a functional group, a substituent reactive with the functional group, and a curing An acrylic polymer obtained by reacting a genital group-containing compound.

관능기 함유 아크릴계 중합체는, 관능기를 함유하는 아크릴계 모노머와, 관능기를 함유하지 않는 아크릴계 모노머와, 원하는 바에 따라 아크릴계 모노머 이외의 모노머를 공중합한 것인 것이 바람직하다. 즉, 상기 관능기 함유 모노머는, 관능기를 함유하는 아크릴계 모노머인 것이 바람직하다.The functional group-containing acrylic polymer is preferably one obtained by copolymerizing an acrylic monomer containing a functional group, an acrylic monomer containing no functional group and a monomer other than an acrylic monomer as desired. That is, the functional group-containing monomer is preferably an acrylic monomer containing a functional group.

관능기를 함유하는 아크릴계 모노머의 관능기 (관능기 함유 모노머의 관능기) 로는, 상기 경화성기 함유 화합물이 갖는 치환기와 반응 가능한 것이 선택된다. 이러한 관능기로는, 예를 들어, 하이드록시기, 카르복시기, 아미노기, 치환 아미노기, 에폭시기 등을 들 수 있다. 또한, 본 실시형태에 있어서의 에너지선 경화성 점착제가 가교제를 함유하는 경우에는, 관능기 함유 아크릴계 중합체는, 가교제와 반응하는 관능기를 갖는 관능기 함유 모노머를 구성 성분으로서 함유하는 것이 바람직하고, 당해 관능기 함유 모노머는, 상기 경화성기 함유 화합물이 갖는 치환기와 반응 가능한 관능기를 갖는 관능기 함유 모노머가 겸해도 된다.As the functional group (functional group of the functional group-containing monomer) of the acrylic monomer containing a functional group, those capable of reacting with the substituent of the curable group-containing compound are selected. Examples of such a functional group include a hydroxyl group, a carboxyl group, an amino group, a substituted amino group, and an epoxy group. When the energy ray-curable pressure-sensitive adhesive in the present embodiment contains a crosslinking agent, the functional group-containing acrylic polymer preferably contains a functional group-containing monomer having a functional group which reacts with the crosslinking agent as a constituent component, and the functional group- Containing monomer having a functional group capable of reacting with the substituent group possessed by the curable group-containing compound may serve as the functional group-containing monomer.

관능기를 함유하지 않는 아크릴계 모노머는, (메트)아크릴산알킬에스테르 모노머를 함유하는 것이 바람직하다. (메트)아크릴산알킬에스테르 모노머로는, 예를 들어, (메트)아크릴산메틸, (메트)아크릴산에틸, (메트)아크릴산프로필, (메트)아크릴산n-부틸, (메트)아크릴산n-펜틸, (메트)아크릴산n-헥실, (메트)아크릴산2-에틸헥실, (메트)아크릴산이소옥틸, (메트)아크릴산n-데실, (메트)아크릴산라우릴, (메트)아크릴산미리스틸, (메트)아크릴산팔미틸, (메트)아크릴산스테아릴 등을 들 수 있다. (메트)아크릴산알킬에스테르 모노머 중에서도, 알킬기의 탄소수가 1 ∼ 18 인 것이 바람직하고, 특히 탄소수가 1 ∼ 8 인 것이 바람직하다. 이들은 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 조합하여 사용해도 된다.The acrylic monomer not containing a functional group preferably contains a (meth) acrylic acid alkyl ester monomer. Examples of the (meth) acrylic acid alkyl ester monomer include methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, propyl (meth) acrylate, n-butyl (meth) acrylate, (Meth) acrylate, lauryl (meth) acrylate, myristyl (meth) acrylate, palmityl (meth) acrylate, n-hexyl , Stearyl (meth) acrylate, and the like. Among the (meth) acrylic acid alkyl ester monomers, the alkyl group preferably has 1 to 18 carbon atoms, particularly preferably 1 to 8 carbon atoms. These may be used alone or in combination of two or more.

관능기를 함유하지 않는 아크릴계 모노머는, 상기 (메트)아크릴산알킬에스테르 모노머 이외에도, 예를 들어, (메트)아크릴산메톡시메틸, (메트)아크릴산메톡시에틸, (메트)아크릴산에톡시메틸, (메트)아크릴산에톡시에틸 등의 알콕시알킬기 함유 (메트)아크릴산에스테르, (메트)아크릴산페닐 등의 방향족 고리를 갖는 (메트)아크릴산에스테르, 아크릴아미드, 메타크릴아미드 등의 비가교성의 아크릴아미드, (메트)아크릴산N,N-디메틸아미노에틸, (메트)아크릴산N,N-디메틸아미노프로필 등의 비가교성의 3 급 아미노기를 갖는 (메트)아크릴산에스테르 등을 함유해도 된다.The acrylic monomer not containing a functional group may be, for example, methoxymethyl (meth) acrylate, methoxyethyl (meth) acrylate, ethoxymethyl (meth) acrylate, (meth) (Meth) acrylic acid esters having aromatic rings such as (meth) acrylic acid esters, (meth) acrylic acid esters having alkoxyalkyl groups such as methoxyethyl acrylate and ethoxyethyl, non-crosslinkable acrylamides such as acrylamide and methacrylamide, (Meth) acrylate ester having a non-cross-linkable tertiary amino group such as N, N-dimethylaminoethyl, (meth) acrylic acid N, N-dimethylaminopropyl and the like.

아크릴계 모노머 이외의 모노머로는, 예를 들어, 에틸렌, 노르보르넨 등의 올레핀, 아세트산비닐, 스티렌 등을 들 수 있다.Examples of the monomer other than the acrylic monomer include olefins such as ethylene and norbornene, vinyl acetate and styrene.

관능기 함유 아크릴계 중합체에 있어서의, 관능기 함유 아크릴계 중합체 전체의 질량에서 차지하는 관능기 함유 모노머 유래의 구조 부분의 질량의 비율은, 0.1 질량% 이상인 것이 바람직하고, 특히 1 질량% 이상인 것이 바람직하고, 나아가서는 3 질량% 이상인 것이 바람직하다. 또, 당해 비율은, 50 질량% 이하인 것이 바람직하고, 특히 40 질량% 이하인 것이 바람직하고, 나아가서는 30 질량% 이하인 것이 바람직하다. 이로써, 경화성기 함유 화합물에 의한 경화성기의 도입량 (및 가교제와의 반응량) 을 원하는 양으로 조정하여, 얻어지는 점착제층의 가교의 정도를 바람직한 범위로 제어할 수 있다.The ratio of the mass of the structural part derived from the functional group-containing monomer in the mass of the entire functional group-containing acrylic polymer in the functional group-containing acrylic polymer is preferably 0.1% by mass or more, more preferably 1% by mass or more, By mass or more. The proportion is preferably 50 mass% or less, more preferably 40 mass% or less, further preferably 30 mass% or less. Thereby, the degree of crosslinking of the obtained pressure-sensitive adhesive layer can be controlled within a preferable range by adjusting the introduction amount of the curable group by the curable group-containing compound (and the amount of reaction with the crosslinking agent) to a desired amount.

관능기 함유 아크릴계 중합체는, 상기 각 모노머를 통상적인 방법에 의해 공중합함으로써 얻어진다. 관능기 함유 아크릴계 중합체의 중합 양태는, 랜덤 공중합체여도 되고, 블록 공중합체여도 된다.The functional group-containing acrylic polymer is obtained by copolymerizing the respective monomers by a conventional method. The polymerization of the functional group-containing acrylic polymer may be a random copolymer or a block copolymer.

경화성기 함유 화합물은, 관능기 함유 아크릴계 중합체가 갖는 관능기와 반응하는 치환기 및 에너지선 경화성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 것이다. 관능기 함유 아크릴계 중합체가 갖는 관능기와 반응하는 치환기로는, 예를 들어, 이소시아네이트기, 에폭시기, 카르복시기 등을 들 수 있고, 그 중에서도 하이드록시기와의 반응성이 높은 이소시아네이트기가 바람직하다.The curable group-containing compound has a substituent and an energy ray-curable carbon-carbon double bond which react with the functional group of the functional group-containing acrylic polymer. Examples of the substituent that reacts with the functional group contained in the acrylic polymer containing a functional group include an isocyanate group, an epoxy group, and a carboxyl group, and among these, an isocyanate group having high reactivity with a hydroxy group is preferable.

경화성기 함유 화합물은, 에너지선 경화성 탄소-탄소 이중 결합을, 경화성기 함유 화합물의 1 분자마다 1 ∼ 5 개 함유하는 것이 바람직하고, 특히 1 ∼ 3 개 함유하는 것이 바람직하다.The curable group-containing compound preferably contains 1 to 5, particularly 1 to 3, energy-ray-curable carbon-carbon double bonds per molecule of the curable group-containing compound.

이와 같은 경화성기 함유 화합물로는, 예를 들어, 2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트, 메타이소프로페닐-α,α-디메틸벤질이소시아네이트, 메타크릴로일이소시아네이트, 알릴이소시아네이트, 1,1-(비스아크릴로일옥시메틸)에틸이소시아네이트 ; 디이소시아네이트 화합물 또는 폴리이소시아네이트 화합물과, 하이드록시에틸(메트)아크릴레이트의 반응에 의해 얻어지는 아크릴로일모노이소시아네이트 화합물 ; 디이소시아네이트 화합물 또는 폴리이소시아네이트 화합물과, 폴리올 화합물과, 하이드록시에틸(메트)아크릴레이트의 반응에 의해 얻어지는 아크릴로일모노이소시아네이트 화합물 등을 들 수 있다. 경화성기 함유 화합물은, 1 종을 단독으로 사용할 수도 있고, 2 종 이상을 조합하여 사용할 수도 있다.Examples of such curable group-containing compounds include 2-methacryloyloxyethyl isocyanate, methisopropenyl-alpha, alpha -dimethylbenzyl isocyanate, methacryloyl isocyanate, allyl isocyanate, 1,1- Bisacryloyloxymethyl) ethyl isocyanate; An acryloyl monoisocyanate compound obtained by reacting a diisocyanate compound or a polyisocyanate compound with hydroxyethyl (meth) acrylate; Acryloyl monoisocyanate compounds obtained by the reaction of a diisocyanate compound or polyisocyanate compound, a polyol compound and hydroxyethyl (meth) acrylate, and the like. The curing agent group-containing compound may be used singly or in combination of two or more kinds.

에너지선 경화성기가 도입된 중합체는, 경화성기 함유 화합물에서 유래하는 경화성기를, 당해 중합체가 갖는 관능기 (경화성기 함유 화합물의 치환기와 반응하는 관능기) 에 대해, 20 몰% 이상 함유하는 것이 바람직하고, 특히 35 몰% 이상 함유하는 것이 바람직하고, 나아가서는 50 몰% 이상 함유하는 것이 바람직하다. 또, 120 몰% 이하 함유하는 것이 바람직하고, 특히 100 몰% 이하 함유하는 것이 바람직하다. 또한, 경화성기 함유 화합물이 1 관능인 경우에는, 상한은 100 몰% 가 되지만, 경화성기 함유 화합물이 다관능인 경우에는, 100 몰% 를 초과하는 경우가 있다. 상기 관능기에 대한 경화성기의 비율이 상기 범위 내에 있음으로써, 에너지선 조사에 의한 점착력의 저하성이 보다 양호한 것이 된다.The polymer into which the energy ray-curable group is introduced preferably contains a curable group derived from the curable group-containing compound in an amount of 20 mol% or more with respect to the functional group (functional group reactive with the substituent of the curable group-containing compound) , More preferably 35 mol% or more, further preferably 50 mol% or more. Further, it is preferably contained in an amount of 120 mol% or less, particularly preferably 100 mol% or less. When the curable group-containing compound is monofunctional, the upper limit is 100% by mole, but when the curable group-containing compound is polyfunctional, it may exceed 100% by mole. When the ratio of the curable group to the functional group is within the above range, the lowering of the adhesive force by energy ray irradiation becomes better.

에너지선 경화성기가 도입된 중합체의 중량 평균 분자량 (Mw) 은, 10 만 이상인 것이 바람직하고, 30 만 이상인 것이 보다 바람직하다. 또, 당해 중량 평균 분자량은, 200 만 이하인 것이 바람직하고, 특히 150 만 이하인 것이 보다 바람직하다. 상기 중량 평균 분자량이 상기 범위에 있음으로써, 양호한 점착성을 발휘함과 함께, 도공시의 조막성을 양호하게 확보할 수 있다.The weight average molecular weight (Mw) of the polymer to which the energy ray-curable group is introduced is preferably 100,000 or more, more preferably 300,000 or more. The weight average molecular weight is preferably 2,000,000 or less, more preferably 1,500,000 or less. When the weight average molecular weight is in the above range, good stickiness can be exhibited and film-forming property at the time of coating can be satisfactorily secured.

(1-4) 가교제(1-4) Crosslinking agent

가교제로는, 전술한 아크릴계 중합체나, 에너지선 경화성기가 도입된 중합체가 갖는 관능기와의 반응성을 갖는 다관능성 화합물을 사용할 수 있다. 이와 같은 다관능성 화합물의 예로는, 폴리이소시아네이트 화합물, 에폭시 화합물, 아민 화합물, 멜라민 화합물, 아지리딘 화합물, 히드라진 화합물, 알데히드 화합물, 옥사졸린 화합물, 금속 알콕시드 화합물, 금속 킬레이트 화합물, 금속염, 암모늄염, 반응성 페놀 수지 등을 들 수 있다. 이들 가교제는, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 또는 2 종 이상을 병용해도 된다.As the crosslinking agent, a polyfunctional compound having reactivity with the above-mentioned acrylic polymer or a functional group contained in the polymer into which the energy ray-curable group is introduced can be used. Examples of such a polyfunctional compound include polyisocyanate compounds, epoxy compounds, amine compounds, melamine compounds, aziridine compounds, hydrazine compounds, aldehyde compounds, oxazoline compounds, metal alkoxide compounds, metal chelate compounds, metal salts, Phenol resin and the like. These crosslinking agents may be used singly or in combination of two or more kinds.

폴리이소시아네이트 화합물로는, 예를 들어, 톨릴렌디이소시아네이트, 디페닐메탄디이소시아네이트, 자일릴렌디이소시아네이트 등의 방향족 폴리이소시아네이트, 헥사메틸렌디이소시아네이트 등의 지방족 폴리이소시아네이트, 이소포론디이소시아네이트, 수소 첨가 디페닐메탄디이소시아네이트 등의 지환식 폴리이소시아네이트 등, 및 그들의 뷰렛체, 이소시아누레이트체, 나아가서는 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 네오펜틸글리콜, 트리메틸올프로판, 피마자유 등의 저분자 활성 수소 함유 화합물과의 반응물인 어덕트체 등을 들 수 있다. 그 중에서도 관능기와의 반응성의 관점에서, 트리메틸올프로판 변성의 방향족 폴리이소시아네이트, 특히 트리메틸올프로판 변성 톨릴렌디이소시아네이트가 바람직하다.Examples of the polyisocyanate compound include aromatic polyisocyanates such as tolylene diisocyanate, diphenylmethane diisocyanate and xylylene diisocyanate, aliphatic polyisocyanates such as hexamethylene diisocyanate, isophorone diisocyanate, hydrogenated diphenylmethane Alicyclic polyisocyanates such as diisocyanate and the like, and reaction products thereof with low-molecular active hydrogen-containing compounds such as burette, isocyanurate, and furthermore, ethylene glycol, propylene glycol, neopentyl glycol, trimethylolpropane, And duct bodies. Among them, trimethylolpropane-modified aromatic polyisocyanates, particularly trimethylolpropane-modified tolylene diisocyanate, are preferable from the viewpoint of reactivity with functional groups.

가교제의 함유량은, 아크릴계 중합체 또는 에너지선 경화성기가 도입된 중합체에 있어서의 관능기에 대해, 하한값으로서 0.01 당량 이상인 것이 바람직하고, 특히 0.02 당량 이상인 것이 바람직하다. 또, 상한값으로서 1 당량 이하인 것이 바람직하고, 특히 0.8 당량 이하인 것이 바람직하다. 가교제의 함유량이 상기 범위에 있음으로써, 얻어지는 점착제층의 가교의 정도를 바람직한 범위로 제어할 수 있다.The content of the crosslinking agent is preferably 0.01 equivalents or more, particularly preferably 0.02 equivalents or more, as the lower limit of the functional group in the acrylic polymer or the polymer to which the energy ray-curable group is introduced. The upper limit value is preferably 1 equivalent or less, more preferably 0.8 equivalent or less. When the content of the crosslinking agent is in the above range, the degree of crosslinking of the obtained pressure-sensitive adhesive layer can be controlled within a preferable range.

(1-5) 그 밖의 성분(1-5) Other components

본 실시형태에 있어서의 점착제층을 형성하는 점착제 조성물은, 상기 성분에 더하여, 광 중합 개시제, 염료나 안료 등의 착색 재료, 대전 방지제, 점착 부여제, 난연제, 필러 등의 각종 첨가제를 함유해도 된다.The pressure-sensitive adhesive composition for forming the pressure-sensitive adhesive layer in the present embodiment may contain various additives such as a photopolymerization initiator, a coloring material such as a dye and a pigment, an antistatic agent, a tackifier, a flame retardant and a filler in addition to the above components .

광 중합 개시제로는, 벤조인 화합물, 아세토페논 화합물, 아실포스핀옥사이드 화합물, 티타노센 화합물, 티오크산톤 화합물, 퍼옥사이드 화합물 등의 광 개시제, 아민이나 퀴논 등의 광 증감제 등을 들 수 있고, 구체적으로는, 1-하이드록시시클로헥실페닐케톤, 벤조인, 벤조인메틸에테르, 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 벤질디페닐설파이드, 테트라메틸티우람모노설파이드, 아조비스이소부티로니트릴, 디벤질, 디아세틸, β-클로르안트라퀴논, 2,4,6-트리메틸벤조일디페닐포스핀옥사이드 등이 예시된다. 이들 광 중합 개시제는, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 또는 2 종 이상을 병용해도 된다. 에너지선으로서 자외선을 사용하는 경우에는, 광 중합 개시제를 배합함으로써 조사 시간, 조사량을 줄일 수 있다.Examples of the photopolymerization initiator include photoinitiators such as benzoin compounds, acetophenone compounds, acylphosphine oxide compounds, titanocene compounds, thioxanthone compounds and peroxide compounds, and photosensitizers such as amines and quinones Specific examples thereof include 1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone, benzoin, benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, benzyl diphenyl sulfide, tetramethyl thiuram monosulfide, azobisisobutyl Nitrile, dibenzyl, diacetyl,? -Chlorantraquinone, 2,4,6-trimethylbenzoyldiphenylphosphine oxide and the like. These photopolymerization initiators may be used singly or in combination of two or more. When ultraviolet rays are used as an energy ray, irradiation time and amount of irradiation can be reduced by blending a photopolymerization initiator.

(1-6) 에너지선의 조사(1-6) Investigation of energy ray

전술한 에너지선 경화성 점착제를 경화시키기 위한 에너지선으로는, 전리 방사선, 즉 X 선, 자외선, 전자선 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 비교적 조사 설비의 도입이 용이한 자외선이 바람직하다.Examples of the energy ray for curing the above-described energy ray curable pressure-sensitive adhesive include ionizing radiation, that is, X-ray, ultraviolet ray, electron beam and the like. Of these, ultraviolet rays which are relatively easy to introduce irradiation equipment are preferable.

전리 방사선으로서 자외선을 사용하는 경우에는, 취급의 용이함으로부터 파장 200 ∼ 380 ㎚ 정도의 자외선을 포함하는 근자외선을 사용하면 된다. 광량으로는, 전술한 에너지선 경화성 화합물 및 에너지선 경화성의 폴리머가 갖는 에너지선 경화성기의 종류나 점착제층의 두께에 따라 적절히 선택하면 되고, 통상적으로 50 ∼ 500 mJ/㎠ 정도이고, 100 ∼ 450 mJ/㎠ 가 바람직하고, 200 ∼ 400 mJ/㎠ 가 보다 바람직하다. 또, 자외선 조도는, 통상적으로 50 ∼ 500 mW/㎠ 정도이고, 100 ∼ 450 mW/㎠ 가 바람직하고, 200 ∼ 400 mW/㎠ 가 보다 바람직하다. 자외선원으로는 특별히 제한은 없고, 예를 들어 고압 수은 램프, 메탈 할라이드 램프, UV-LED 등이 사용된다.When ultraviolet rays are used as the ionizing radiation, near ultraviolet rays including ultraviolet rays having a wavelength of about 200 to 380 nm may be used for ease of handling. The amount of light is appropriately selected depending on the kind of energy ray curable group and the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer of the above-described energy ray-curable compound and energy ray curable polymer, and is usually about 50 to 500 mJ / mJ / cm2 is preferable, and 200 to 400 mJ / cm2 is more preferable. The ultraviolet illuminance is usually about 50 to 500 mW / cm 2, preferably 100 to 450 mW / cm 2, and more preferably 200 to 400 mW / cm 2. The ultraviolet source is not particularly limited, and for example, a high pressure mercury lamp, a metal halide lamp, a UV-LED, or the like is used.

전리 방사선으로서 전자선을 사용하는 경우에는, 그 가속 전압에 대해서는, 전술한 에너지선 경화성 화합물 및 에너지선 경화성의 폴리머가 갖는 에너지선 경화성기의 종류나 점착제층의 두께에 따라 적절히 선정하면 되고, 통상적으로 가속 전압 10 ∼ 1000 ㎸ 정도인 것이 바람직하다. 또, 조사선량은, 전술한 에너지선 경화성 화합물 및 에너지선 경화성의 폴리머가 적절히 경화되는 범위로 설정하면 되고, 통상적으로 10 ∼ 1000 krad 의 범위에서 선정된다. 전자선원으로는, 특별히 제한은 없고, 예를 들어 콕크로프트 월턴형, 밴더그래프형, 공진 변압기형, 절연 코어 변압기형, 혹은 직선형, 다이나미트론형, 고주파형 등의 각종 전자선 가속기를 사용할 수 있다.When an electron beam is used as the ionizing radiation, the acceleration voltage can be suitably selected according to the kind of the energy ray-curable group and the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer of the energy ray curable compound and the energy radiation curable polymer described above, The acceleration voltage is preferably about 10 to 1000 kV. The irradiation dose may be set within a range in which the energy ray-curable compound and the energy ray-curable polymer are suitably cured, and is usually selected within the range of 10 to 1000 krad. The electron beam source is not particularly limited and various electron beam accelerators such as a Cockloft Walton type, a Vandegraph type, a resonant transformer type, an insulating core transformer type, a linear type, a dynamictron type, and a high frequency type can be used .

(2) 점착제층의 두께(2) Thickness of the pressure-sensitive adhesive layer

본 실시형태에 있어서의 점착제층의 두께의 하한값은, 1 ㎛ 이상인 것이 바람직하고, 특히 2 ㎛ 이상인 것이 바람직하고, 나아가서는 3 ㎛ 이상인 것이 바람직하다. 또, 본 실시형태에 있어서의 점착제층의 두께는, 50 ㎛ 이하인 것이 바람직하고, 특히 40 ㎛ 이하인 것이 바람직하고, 나아가서는 30 ㎛ 이하인 것이 바람직하다. 점착제층의 두께가 상기 범위에 있음으로써, 원하는 점착력을 효과적으로 얻을 수 있다. 또, 점착제층이 에너지선 경화성 점착제로 형성되는 경우에는, 점착제층의 두께의 상한값이 상기 이하이면, 상기 에너지선 경화성 점착제가 경화되기 쉬워진다.The lower limit value of the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer in the present embodiment is preferably 1 占 퐉 or more, particularly preferably 2 占 퐉 or more, further preferably 3 占 퐉 or more. The thickness of the pressure-sensitive adhesive layer in the present embodiment is preferably 50 占 퐉 or less, more preferably 40 占 퐉 or less, further preferably 30 占 퐉 or less. When the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer is in the above range, a desired adhesive force can be effectively obtained. When the pressure-sensitive adhesive layer is formed of an energy ray-curable pressure-sensitive adhesive, if the upper limit of the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer is less than the above value, the energy ray curable pressure-sensitive adhesive tends to be hardened.

2. 박리 필름2. Release film

박리 필름은, 반도체 가공 시트가 사용될 때까지의 동안, 점착제층을 보호하는 것으로, 꼭 없어도 된다. 박리 필름의 구성은 임의이며, 필름 자체가 점착제층에 대해 박리성을 갖는 플라스틱 필름, 및 플라스틱 필름을 박리제 등에 의해 박리 처리한 것이 예시된다. 플라스틱 필름의 구체예로는, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트 등의 폴리에스테르 필름, 및 폴리프로필렌이나 폴리에틸렌 등의 폴리올레핀 필름을 들 수 있다. 박리제로는, 실리콘계, 불소계, 고무계, 장사슬 알킬계 등을 사용할 수 있지만, 이들 중에서, 저렴하고 안정된 성능이 얻어지는 실리콘계가 바람직하다. 박리 필름의 두께에 대해서는 특별히 제한은 없지만, 통상적으로 20 ∼ 250 ㎛ 정도이다.The peeling film protects the pressure-sensitive adhesive layer until the semiconductor processing sheet is used, and may be omitted. The constitution of the release film is arbitrary, and examples thereof include a plastic film in which the film itself has a releasability to the pressure-sensitive adhesive layer, and a plastic film which has been subjected to release treatment with a release agent or the like. Specific examples of the plastic film include polyester films such as polyethylene terephthalate, polybutylene terephthalate and polyethylene naphthalate, and polyolefin films such as polypropylene and polyethylene. As the releasing agent, a silicone system, a fluorine system, a rubber system, a long chain alkyl system, or the like can be used, and among these, a silicone system that can achieve an inexpensive and stable performance is preferable. The thickness of the release film is not particularly limited, but is usually about 20 to 250 占 퐉.

3. 반도체 가공 시트의 다른 예3. Another example of semiconductor processing sheet

이상, 기재 필름과 점착제층을 구비한 반도체 가공 시트에 대해 설명하였지만, 본 발명은 이들에 한정되는 것은 아니다.The semiconductor processing sheet having the base film and the pressure-sensitive adhesive layer has been described above, but the present invention is not limited thereto.

예를 들어, 다른 실시형태로서, 반도체 가공 시트는, 기재 필름과 점착제층 사이에, 기재 필름과 점착제층 사이의 밀착성을 향상시키기 위한 프라이머층 등을 구비한 것이어도 된다. 또, 반도체 가공 시트는, 기재 필름과 점착제층 사이에 중간층을 구비한 것이어도 된다. 중간층으로는, 예를 들어, 반도체 가공 시트에 대해, 원하는 탄성이나 반도체 칩의 돌기에 대한 추종성을 부여하는 기능을 갖는 것을 들 수 있다. 이러한 중간층은, 예를 들어, 우레탄아크릴레이트 등을 함유하는 재료로 구성된다.For example, as another embodiment, the semiconductor processed sheet may be provided with a primer layer or the like between the base film and the pressure-sensitive adhesive layer for improving the adhesion between the base film and the pressure-sensitive adhesive layer. Further, the semiconductor processing sheet may be provided with an intermediate layer between the base film and the pressure-sensitive adhesive layer. Examples of the intermediate layer include those having a function of imparting desired elasticity and followability to protrusions of the semiconductor chip to the semiconductor-processed sheet, for example. Such an intermediate layer is composed of a material containing, for example, urethane acrylate or the like.

또 다른 실시형태로서, 반도체 가공 시트는, 최외층에 위치하는 접착제층을 구비한 것이어도 된다. 당해 접착제층은, 가열 등의 트리거에 의해 점착성을 발현하는 것이 바람직하다. 이러한 접착제층은, 예를 들어, 다이 본딩에 있어서의 접착제로서 사용할 수 있다.In another embodiment, the semiconductor processing sheet may be provided with an adhesive layer located on the outermost layer. The adhesive layer preferably exhibits adhesiveness by a trigger such as heating. Such an adhesive layer can be used, for example, as an adhesive in die bonding.

또 다른 실시형태로서, 반도체 가공 시트는, 최외층에 위치하는 보호막 형성 필름을 구비한 것이어도 된다. 보호막 형성 필름은, 특히, 페이스 다운 방식이라고 불리는 실장법에 의해 반도체 장치를 제조하는 경우에, 반도체 칩의 이면을 보호하기 위한 보호막으로서 사용할 수 있다.In another embodiment, the semiconductor processed sheet may be provided with a protective film forming film located on the outermost layer. The protective film forming film can be used as a protective film for protecting the back surface of a semiconductor chip, particularly when a semiconductor device is manufactured by a mounting method called a face down method.

4. 반도체 가공 시트의 제조 방법4. Manufacturing Method of Semiconductor Processed Sheet

본 실시형태에 관련된 반도체 가공 시트는, 종래의 반도체 가공 시트와 동일하게 제조할 수 있다. 특히, 기재와 점착제층으로 이루어지는 반도체 가공 시트의 제조 방법으로는, 전술한 점착제 조성물로 형성되는 점착제층을 기재의 하나의 면에 적층할 수 있으면, 상세한 방법은 특별히 한정되지 않는다. 일례를 들면, 점착제층을 구성하는 점착제 조성물, 및 원하는 바에 따라 추가로 용매 또는 분산매를 함유하는 도공액을 조제하고, 기재의 하나의 면 상에, 다이 코터, 커튼 코터, 스프레이 코터, 슬릿 코터, 나이프 코터 등에 의해 그 도공액을 도포하여 도막을 형성하고, 당해 도막을 건조시킴으로써, 점착제층을 형성할 수 있다. 도공액은, 도포를 실시하는 것이 가능하면 그 성상은 특별히 한정되지 않고, 점착제층을 형성하기 위한 성분을 용질로서 함유하는 경우도 있고, 분산질로서 함유하는 경우도 있다.The semiconductor processed sheet according to the present embodiment can be manufactured in the same manner as the conventional semiconductor processed sheet. In particular, the method for producing a semiconductor processed sheet comprising a substrate and a pressure-sensitive adhesive layer is not particularly limited as long as the pressure-sensitive adhesive layer formed of the pressure-sensitive adhesive composition described above can be laminated on one surface of the substrate. For example, a pressure-sensitive adhesive composition for forming a pressure-sensitive adhesive layer, and a coating solution containing a solvent or a dispersion medium according to the desire, may be prepared, and a coating composition such as a die coater, a curtain coater, a spray coater, A coating liquid is applied by a knife coater or the like to form a coating film, and the coating film is dried to form a pressure-sensitive adhesive layer. The coating liquid is not particularly limited as far as it can be applied, and the component for forming the pressure-sensitive adhesive layer may be contained as a solute or may be contained as a dispersion.

또, 반도체 가공 시트의 제조 방법의 다른 일례로는, 전술한 박리 시트의 박리면 상에 도공액을 도포하여 도막을 형성하고, 이것을 건조시켜 점착제층과 박리 시트로 이루어지는 적층체를 형성하고, 이 적층체의 점착제층에 있어서의 박리 시트측의 면과 반대측의 면을 기재에 첩부하여, 반도체 가공 시트와 박리 시트의 적층체를 얻어도 된다. 이 적층체에 있어서의 박리 시트는 공정 재료로서 박리해도 되고, 반도체 칩, 반도체 웨이퍼 등의 피착체에 첩부할 때까지의 동안, 점착제층을 보호하고 있어도 된다.As another example of the method for producing a semiconductor processed sheet, a coating liquid is applied on the release surface of the release sheet described above to form a coating film, and this is dried to form a laminate composed of a pressure-sensitive adhesive layer and a release sheet, The surface of the pressure-sensitive adhesive layer of the laminate opposite to the surface on the release sheet side may be attached to the substrate to obtain a laminated body of the semiconductor processed sheet and the release sheet. The release sheet in this laminate may be peeled off as a process material, or the pressure-sensitive adhesive layer may be protected until it is attached to an adherend such as a semiconductor chip or a semiconductor wafer.

도공액이 가교제를 함유하는 경우에는, 상기 건조의 조건 (온도, 시간 등) 을 바꿈으로써, 또는 가열 처리를 별도 형성함으로써, 도막 내의 에너지선 비경화성의 폴리머 또는 에너지선 경화성의 폴리머와 가교제의 가교 반응을 진행시켜, 점착제층 내에 원하는 존재 밀도로 가교 구조를 형성시키면 된다.When the coating liquid contains a crosslinking agent, the energy ray non-curable polymer or the crosslinking agent of the energy ray-curable polymer and the crosslinking agent in the coating film may be crosslinked by changing the drying conditions (temperature, time, etc.) The reaction is allowed to proceed to form a crosslinked structure at a desired density present in the pressure-sensitive adhesive layer.

5. 반도체 가공 시트의 물성5. Physical properties of semiconductor processed sheet

본 실시형태에 관련된 반도체 가공 시트의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 50 ㎛ 이상인 것이 바람직하고, 특히 80 ㎛ 이상인 것이 바람직하다. 또, 당해 두께는, 200 ㎛ 이하인 것이 바람직하고, 특히 160 ㎛ 이하인 것이 바람직하다.The thickness of the semiconductor processed sheet according to the present embodiment is not particularly limited, but is preferably 50 占 퐉 or more, and more preferably 80 占 퐉 or more. The thickness is preferably 200 占 퐉 or less, and more preferably 160 占 퐉 or less.

본 실시형태에 관련된 반도체 가공 시트의 실리콘 미러 웨이퍼에 대한 점착력은, 점착제층이 에너지선 경화성 점착제로 형성되는 경우, 에너지선 조사 전의 점착력 (이하「조사 전 점착력」이라고 하는 경우가 있다) 의 하한값은, 100 mN/25 ㎜ 이상인 것이 바람직하고, 특히 150 mN/25 ㎜ 이상인 것이 바람직하고, 나아가서는 200 mN/25 ㎜ 이상인 것이 바람직하다. 이로써, 반도체 가공 시트가 첩부된 피착체에 대한 작업 중에, 의도하지 않은 박리가 발생하는 것을 억제할 수 있다. 또, 여러 가지 재료에 대해서도 양호한 밀착성을 발휘할 수 있어, 폭넓은 피착체에 적용할 수 있다. 한편, 상기 조사 전 점착력은, 상한값으로서 20000 mN/25 ㎜ 이하인 것이 바람직하고, 특히 18000 mN/25 ㎜ 이하인 것이 바람직하고, 나아가서는 16000 mN/25 ㎜ 이하인 것이 바람직하다. 이로써, 에너지선의 조사 후에 있어서의 점착력을 바람직한 범위까지 저하시키기 쉬워진다. 또한, 본 명세서에 있어서의 조사 전 점착력은, 실리콘 미러 웨이퍼를 피착체로 하고, JIS Z0237 : 2000 에 준거한 180 °박리 시험에 의해 측정한 것이다.When the pressure-sensitive adhesive layer is formed of an energy ray-curable pressure-sensitive adhesive, the lower limit value of the pressure-sensitive adhesive force before energy ray irradiation (hereinafter also referred to as " , Preferably 100 mN / 25 mm or more, particularly preferably 150 mN / 25 mm or more, further preferably 200 mN / 25 mm or more. As a result, unintended peeling can be suppressed from occurring during operation of the adherend to which the semiconductor processing sheet is adhered. In addition, good adhesion can be exhibited for various materials, and the present invention can be applied to a wide range of adherends. On the other hand, the upper limit of the adhesive strength before irradiation is preferably 20000 mN / 25 mm or less, more preferably 18000 mN / 25 mm or less, and further preferably 16000 mN / 25 mm or less. As a result, the adhesive force after irradiation of the energy ray can be easily lowered to a desirable range. In the present specification, the pre-irradiation adhesive force was measured by a 180-degree peel test according to JIS Z0237: 2000 using a silicon mirror wafer as an adherend.

또, 점착제층이 에너지선 경화성 점착제로 형성되는 경우, 에너지선 조사 후의 점착력 (이하「조사 후 점착력」이라고 하는 경우가 있다) 은, 상한값으로서 800 mN/25 ㎜ 이하인 것이 바람직하고, 특히 600 mN/25 ㎜ 이하인 것이 바람직하고, 나아가서는 500 mN/25 ㎜ 이하인 것이 바람직하다. 이로써, 반도체 가공 시트를 피착체로부터 용이하게 박리할 수 있다. 한편, 당해 조사 후 점착력의 하한값은 특별히 한정되지 않지만, 통상적으로 5 mN/25 ㎜ 이상인 것이 바람직하고, 특히 10 mN/25 ㎜ 이상인 것이 바람직하고, 나아가서는 20 mN/25 ㎜ 이상인 것이 바람직하다. 또한, 본 명세서에 있어서의 조사 후 점착력은, 실리콘 미러 웨이퍼를 피착체로 하고, JIS Z0237 : 2000 에 준거한 180 °박리 시험에 의해 측정한 것으로 하고, 구체적인 측정 방법은, 후술하는 시험예에 나타내는 바와 같다.In the case where the pressure-sensitive adhesive layer is formed of an energy ray-curable pressure-sensitive adhesive, the upper limit of the adhesive strength after irradiation with energy rays (hereinafter also referred to as "adhesion after irradiation") is preferably 800 mN / 25 mm or less, 25 mm or less, and more preferably 500 mN / 25 mm or less. Thereby, the semiconductor-processed sheet can be easily peeled off from the adherend. On the other hand, the lower limit value of the adhesive force after irradiation is not particularly limited, but is preferably 5 mN / 25 mm or more, particularly preferably 10 mN / 25 mm or more, further preferably 20 mN / 25 mm or more. The post-irradiation adhesive force in this specification refers to a silicon mirror wafer as an adherend, which is measured by a 180-degree peel test according to JIS Z0237: 2000, and a specific measuring method is as described in Test Examples same.

본 실시형태에 관련된 반도체 가공 시트는, 40 ℃ 7 일 보관한 후에 측정한 점착력 (A) 와 40 ℃ 14 일 보관한 후에 측정한 점착력 (B) 의 비 (A)/(B) 는, 1.0 이상인 것이 바람직하다. 또, 당해 점착력비 (A)/(B) 는, 1.5 이하인 것이 바람직하고, 특히 1.2 이하인 것이 바람직하다. 상기 점착력비 (A)/(B) 가 상기 범위에 있는 반도체 가공 시트는, 경시 변화가 억제되어 있다고 할 수 있다. 본 실시형태에 있어서는, 상기 가소제를 사용하는 것, 특히 아디프산에스테르계 가소제로서 아디프산에스테르 모노머를 사용함으로써, 상기 점착력비 (A)/(B) 를 상기 범위로 하는 것이 용이해진다. 여기서, 40 ℃ 7 일 및 14 일 보관한 후에 측정하는 점착력이란, 점착제층이 에너지선 경화성 점착제로 형성되는 경우에 있어서는 조사 전 점착력이고, 구체적인 측정 방법은, 후술하는 시험예에 나타내는 바와 같다.The ratio (A) / (B) of the adhesive force (A) measured after storing at 40 占 폚 for 7 days and the adhesive force (B) measured after storing at 40 占 폚 for 14 days is 1.0 or more . The adhesive force ratio (A) / (B) is preferably 1.5 or less, more preferably 1.2 or less. It can be said that the semiconductor processed sheet having the above adhesive strength ratio (A) / (B) in the above range is suppressed from being changed over time. In the present embodiment, it is easy to set the adhesive force ratio (A) / (B) within the above range by using the above plasticizer, particularly using an adipic ester monomer as an adipic ester plasticizer. Here, the adhesive force measured after storage at 40 占 폚 for 7 days and 14 days is the adhesive force before irradiation in the case where the pressure-sensitive adhesive layer is formed of the energy ray-curable pressure-sensitive adhesive, and the specific measuring method is as shown in the following test example.

본 실시형태에 관련된 반도체 가공 시트에 있어서, 인장 시험에 있어서의 MD 방향의 25 % 응력 및 파단점 응력의 값은, 전술한 기재 필름의 값과 실질적으로 동일해진다. 그 이유는, 반도체 가공 시트에 있어서의 기재 필름 이외의 층 (점착제층 등) 의 강성은, 기재 필름의 강성과 비교하면 충분히 작아 무시할 수 있기 때문이다. 여기서, 반도체 가공 시트의, 인장 시험에 있어서의 MD 방향의 25 % 응력 및 파단점 응력은, JIS K7161-1 : 2014 에 준거하여 반도체 가공 시트의 MD 방향 25 % 신장시 및 파단시의 힘을 측정하고, 기재 필름의 단면적으로 제산한 값이다. 또, 점착제층이 에너지선 경화성 점착제로 형성되는 경우에 있어서는, 에너지선을 조사하기 전에 측정한 값으로 한다.In the semiconductor processed sheet according to the present embodiment, the values of the 25% stress and the breaking point stress in the MD direction in the tensile test are substantially equal to the values of the base film described above. This is because the rigidity of the layer (pressure-sensitive adhesive layer or the like) other than the base film in the semiconductor processed sheet is sufficiently small and negligible in comparison with the rigidity of the base film. Here, the 25% stress and the breaking point stress in the MD direction in the tensile test of the semiconductor processed sheet are measured in accordance with JIS K7161-1: 2014 by measuring the force at 25% elongation and breakage in the MD direction of the semiconductor processed sheet And divided by the cross-sectional area of the substrate film. When the pressure-sensitive adhesive layer is formed of an energy ray-curable pressure-sensitive adhesive, the value measured before irradiation of the energy ray is used.

구체적으로, 본 실시형태에 관련된 반도체 가공 시트는, 인장 시험에 있어서의 MD 방향의 25 % 응력의 하한값이 5 ㎫ 이상인 것이 바람직하고, 7 ㎫ 이상인 것이 보다 바람직하고, 9 ㎫ 이상인 것이 특히 바람직하다. 또, 상기 MD 방향의 25 % 응력의 상한값은, 24 ㎫ 이하인 것이 바람직하고, 20 ㎫ 이하인 것이 보다 바람직하고, 16 ㎫ 이하인 것이 특히 바람직하다.Specifically, in the semiconductor processed sheet according to the present embodiment, the lower limit value of the 25% stress in the MD direction in the tensile test is preferably 5 MPa or more, more preferably 7 MPa or more, and particularly preferably 9 MPa or more. The upper limit of the 25% stress in the MD direction is preferably 24 MPa or less, more preferably 20 MPa or less, and particularly preferably 16 MPa or less.

또, 본 실시형태의 반도체 가공 시트는, 인장 시험에 있어서의 파단점 응력의 하한값이 14 ㎫ 이상인 것이 바람직하고, 18 ㎫ 이상인 것이 보다 바람직하고, 22 ㎫ 이상인 것이 특히 바람직하다. 또, 상기 파단점 응력의 상한값은, 48 ㎫ 이하인 것이 바람직하고, 44 ㎫ 이하인 것이 보다 바람직하고, 38 ㎫ 이하인 것이 특히 바람직하다.In the semiconductor processed sheet of the present embodiment, the lower limit value of the breaking point stress in the tensile test is preferably 14 MPa or more, more preferably 18 MPa or more, and particularly preferably 22 MPa or more. The upper limit of the breaking point stress is preferably 48 MPa or less, more preferably 44 MPa or less, particularly preferably 38 MPa or less.

본 실시형태의 반도체 가공 시트는, 인장 시험에 있어서의 MD 방향의 25 % 응력이나 파단점 응력이 상기 범위에 있음으로써, 익스팬드성이 충분한 것이 되는 한편, 핸들링성이 우수하여, 반송시의 피착체 지지성이 우수한 것이 된다.The semiconductor processed sheet of the present embodiment has satisfactory expandability due to the 25% stress and the breaking point stress in the MD direction in the tensile test in the above-described range, while being excellent in handling property, It is excellent in the complex support property.

6. 반도체 가공 시트의 용도6. Uses of semiconductor processing sheet

본 실시형태에 관련된 반도체 가공 시트는, 반도체 웨이퍼를 지지하고, 다이싱할 때, 나아가서는 개편화된 반도체 칩을 픽업할 때에 사용할 수 있다.The semiconductor processed sheet according to the present embodiment can be used when supporting a semiconductor wafer, dicing, and picking up a semiconductor chip that has been separated.

예를 들어, 본 실시형태에 관련된 반도체 가공 시트는, 다이싱 시트로서 사용할 수 있다. 이 경우, 이면 연삭 후의 반도체 웨이퍼를 반도체 가공 시트에 첩부하고, 반도체 가공 시트 상에서 다이싱함으로써, 당해 반도체 웨이퍼를 반도체 칩으로 개편화할 수 있다. 그 후, 복수의 반도체 칩을, 반도체 가공 시트로부터 개개로 픽업할 수 있다.For example, the semiconductor processed sheet according to the present embodiment can be used as a dicing sheet. In this case, the back-ground semiconductor wafer is attached to the semiconductor processing sheet and diced on the semiconductor processing sheet, whereby the semiconductor wafer can be divided into semiconductor chips. Thereafter, a plurality of semiconductor chips can be individually picked up from the semiconductor processing sheet.

또, 본 실시형태에 관련된 반도체 가공 시트는, 반도체 웨이퍼의 이면 연삭을 실시하기 전에 다이싱 공정을 실시하는 선다이싱법이나, 레이저에 의해 파쇄층을 형성하는 스텔스 다이싱법에 있어서도 사용할 수 있다. 여기서, 선다이싱법의 경우에는, 예를 들어, 다이싱 후에 웨이퍼 표면에 이면 연삭용 점착 시트를 첩부하고, 본 실시형태에 관련된 반도체 웨이퍼 가공 시트를 박리하면 된다. 한편, 스텔스 다이싱법의 경우에는, 예를 들어, 반도체 웨이퍼의 표면에 이면 연삭용 점착 시트를 첩부한 후, 본 실시형태에 관련된 반도체 웨이퍼 가공용 시트를 반도체 웨이퍼의 이면에 첩부하고, 반도체 웨이퍼 가공용 시트 너머로 스텔스 다이싱을 실시한 후, 반도체 웨이퍼 가공용 시트를 박리하면 된다.The semiconductor processed sheet according to the present embodiment can also be used in a pre-dicing method in which a dicing process is performed before grinding the back surface of a semiconductor wafer, or in a stealth dicing method in which a fractured layer is formed by a laser. Here, in the case of the die dicing method, for example, the back side grinding adhesive sheet may be attached to the wafer surface after dicing, and the semiconductor wafer processed sheet according to the present embodiment may be peeled off. On the other hand, in the case of the stealth dicing method, for example, after a backsheet for back grinding is attached to the surface of a semiconductor wafer, the semiconductor wafer processing sheet according to the present embodiment is attached to the back surface of the semiconductor wafer, After the stealth dicing is performed, the semiconductor wafer processing sheet may be peeled off.

본 실시형태에 관련된 반도체 가공 시트는, 다이싱에는 사용하지 않고, 다이싱 후의 반도체 칩을 픽업하기 위해서만 사용할 수도 있다. 이 경우, 복수의 반도체 칩을, 다이싱 시트로부터 반도체 가공 시트에 이동시킨 후, 당해 반도체 가공 시트로부터 반도체 칩을 픽업할 수 있다. 또한, 다이싱 시트로부터 반도체 가공 시트로의 이동은, 전사에 의해 실시해도 되고, 혹은 픽업에 의해 실시해도 된다.The semiconductor processed sheet according to the present embodiment can be used not only for dicing but also for picking up a semiconductor chip after dicing. In this case, after the plurality of semiconductor chips are moved from the dicing sheet to the semiconductor processing sheet, the semiconductor chips can be picked up from the semiconductor processing sheet. Further, the movement from the dicing sheet to the semiconductor processing sheet may be carried out by transfer or by pick-up.

본 실시형태에 관련된 반도체 가공 시트는, 다이싱·다이 본딩 시트로서 사용할 수도 있다. 이 경우, 반도체 가공 시트는, 전술한 접착제층을 구비하는 것이 바람직하고, 또한, 이러한 접착제층과 전술한 점착제층 등의 사이에는, 접착제층으로의 첨가제의 이행을 억제하기 위한 배리어층 등을 형성하는 것이 바람직하다. 당해 반도체 가공 시트에 의하면, 다이싱시 반도체 웨이퍼와 함께 접착제층도 동시에 절단하고, 개편화된 반도체 칩을 픽업함으로써, 접착제가 부착된 반도체 칩을 얻을 수 있다. 또한, 다이싱·다이 본딩 시트에 있어서의 점착제층으로는, 반도체 웨이퍼 등의 피착체를 고정시키기 위한 점착제와, 반도체 칩에 부착되고 다이 본드의 기능을 갖는 다이 본드용 접착제를 겸용하는 점접착제층으로서 기능하는 것이 있지만, 본 실시형태에 있어서의 상기 점착제층은, 이와 같은 점접착제층으로서의 기능을 갖지 않는 것이다.The semiconductor processed sheet according to the present embodiment can also be used as a dicing / die bonding sheet. In this case, the semiconductor processed sheet preferably includes the above-mentioned adhesive layer, and a barrier layer or the like for suppressing the migration of the additive into the adhesive layer is formed between the adhesive layer and the above- . According to the semiconductor processing sheet, the adhesive layer is also cut at the same time when the semiconductor wafer is diced, and the separated semiconductor chips are picked up to obtain a semiconductor chip with an adhesive attached thereto. As the pressure-sensitive adhesive layer in the dicing / die-bonding sheet, a pressure-sensitive adhesive for fixing an adherend such as a semiconductor wafer and a pressure-sensitive adhesive layer for bonding a die bonding adhesive having a die- But the pressure-sensitive adhesive layer in the present embodiment does not have such a function as a point-adhesive layer.

본 실시형태에 관련된 반도체 가공 시트는, 반도체 웨이퍼에 보호막을 형성하기 위한 보호막 형성용 시트로서 사용할 수도 있다. 이 경우, 반도체 가공 시트는, 최외층에 추가로 보호막 형성 필름을 구비하고 있고, 이러한 반도체 가공 시트 (보호막 형성용 시트) 에 의하면, 다이싱시 반도체 웨이퍼와 함께 보호막 형성 필름도 동시에 절단하고, 개편화된 반도체 칩을 픽업함으로써, 이면에 보호막을 갖는 반도체 칩을 얻을 수 있다.The semiconductor processed sheet according to the present embodiment can also be used as a protective film forming sheet for forming a protective film on a semiconductor wafer. In this case, the semiconductor processing sheet is provided with a protective film forming film in addition to the outermost layer. According to such a semiconductor processing sheet (protective film forming sheet), the protective film forming film is cut simultaneously with the semiconductor wafer during dicing, A semiconductor chip having a protective film on the back surface can be obtained.

7. 반도체 가공 시트의 사용 방법7. How to use semiconductor processing sheet

본 실시형태에 관련된 반도체 가공 시트의 사용 방법의 일례로서, 반도체 가공 시트를 다이싱 시트로서 사용하는 방법을 이하에 설명한다.As an example of a method of using the semiconductor processed sheet according to the present embodiment, a method of using the semiconductor processed sheet as a dicing sheet will be described below.

본 실시형태에 관련된 반도체 가공 시트는, 사용에 있어서, 점착제층측의 면 (즉, 점착제층의 기재 필름과는 반대측의 면) 을 반도체 웨이퍼에 첩부한다. 반도체 가공 시트의 점착제층측의 면에 박리 필름이 적층되어 있는 경우에는, 그 박리 필름을 박리하여 점착제층측의 면을 표출시켜, 반도체 웨이퍼의 첩착면에 그 면을 첩부하면 된다. 반도체 가공 시트의 주연부는, 통상적으로 그 부분에 형성된 점착제층에 의해, 링 프레임이라고 불리는 반송이나 장치에 대한 고정을 위한 환상의 지그에 첩부된다.In the semiconductor processed sheet according to the present embodiment, in use, the side of the pressure-sensitive adhesive layer side (that is, the side of the pressure-sensitive adhesive layer opposite to the base film) is affixed to the semiconductor wafer. When the release film is laminated on the pressure-sensitive adhesive layer side of the semiconductor processing sheet, the release film may be peeled off to expose the pressure-sensitive adhesive layer side, and the surface of the pressure sensitive adhesive layer may be attached to the adhesion surface of the semiconductor wafer. The periphery of the semiconductor processing sheet is usually affixed to an annular jig called a ring frame for fixation to a device or to a device by means of a pressure-sensitive adhesive layer formed thereon.

이어서, 다이싱 공정을 실시하여, 반도체 웨이퍼로부터 복수의 칩을 얻는다. 또한, 점착제층이 에너지선 경화성 점착제로 형성되어 있는 경우에는, 다이싱 공정 종료 후, 반도체 가공 시트의 기재 필름측으로부터 에너지선 조사를 실시하여, 점착제층의 점착성을 저하시킨다.Subsequently, a dicing process is performed to obtain a plurality of chips from the semiconductor wafer. Further, when the pressure-sensitive adhesive layer is formed of an energy ray-curable pressure-sensitive adhesive, energy ray irradiation is performed from the base film side of the semiconductor processing sheet after the completion of the dicing process to lower the adhesiveness of the pressure-sensitive adhesive layer.

계속해서, 반도체 가공 시트 상에 근접 배치되어 있는 복수의 칩을 픽업하기 쉽게 하기 위해, 반도체 가공 시트를 평면 방향으로 신장시키는 익스팬드 공정을 실시한다. 이 신장의 정도는, 근접 배치된 칩이 가져야 하는 간격, 기재 필름의 인장 강도 등을 고려하여 적절히 설정하면 된다. 또한, 익스팬드 공정은, 에너지선 조사 전에 실시해도 된다.Then, in order to facilitate picking up a plurality of chips arranged close to the semiconductor processing sheet, an expanding process of stretching the semiconductor processing sheet in the plane direction is performed. The degree of elongation can be appropriately set in consideration of the interval that the adjacent chips should have, the tensile strength of the base film, and the like. Further, the expanding step may be performed before the energy ray irradiation.

익스팬드 공정 후, 점착제층 상의 칩의 픽업을 실시한다. 픽업은, 흡인 콜릿 등의 범용 수단에 의해 실시하지만, 이때, 픽업하기 쉽게 하기 위해, 대상의 칩을 반도체 가공 시트의 기재 필름측으로부터 핀이나 니들 등으로 밀어 올리는 것을 실시하는 것이 바람직하다.After the expanding process, the chip is picked up on the pressure-sensitive adhesive layer. The pick-up is carried out by a general-purpose means such as a suction collet. At this time, in order to facilitate pick-up, it is preferable to push the object chip from the substrate film side of the semiconductor processing sheet to a pin or needle.

본 실시형태에 관련된 반도체 가공 시트는, 기재 필름에 함유되는 가소제로서 프탈산알킬에스테르의 대체 물질을 사용하면서도 충분한 유연성을 나타내기 때문에, 익스팬드성이 우수하고, 익스팬드 공정에 있어서 칩 사이를 이간시키기 쉬워, 칩을 용이하게 회수할 수 있다. 또, 기재 필름이, 아디프산에스테르계 가소제와 테레프탈산에스테르계 가소제를 소정의 비율로 함유하기 때문에, 칩을 박리하였을 때에, 칩 상에 있어서의 잔사물의 발생이 억제된다. 또한, 픽업된 칩은, 반송 공정 등 다음 공정에 제공된다.The semiconductor processed sheet according to the present embodiment exhibits sufficient flexibility even when a substitute material of a phthalic acid alkyl ester is used as a plasticizer contained in the base film. Therefore, the processed semiconductor sheet has excellent expandability, It is easy, and the chip can be easily recovered. In addition, since the base film contains the adipic acid ester plasticizer and the terephthalate ester plasticizer at a predetermined ratio, the occurrence of residues on the chip when the chip is peeled is suppressed. Further, the picked-up chip is supplied to a next process such as a transporting process.

이상 설명한 실시형태는, 본 발명의 이해를 용이하게 하기 위해 기재된 것으로서, 본 발명을 한정하기 위해 기재된 것은 아니다. 따라서, 상기 실시형태에 개시된 각 요소는, 본 발명의 기술적 범위에 속하는 모든 설계 변경이나 균등물도 포함하는 취지이다.The above-described embodiments are described for the purpose of facilitating understanding of the present invention, and are not described for limiting the present invention. Therefore, each element disclosed in the above embodiment is intended to include all design modifications and equivalents falling within the technical scope of the present invention.

실시예Example

이하, 실시예 등에 의해 본 발명을 더욱 구체적으로 설명하지만, 본 발명의 범위는 이들 실시예 등에 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Examples and the like, but the scope of the present invention is not limited to these Examples and the like.

〔실시예 1〕[Example 1]

(1) 염화비닐 수지제 기재의 제조(1) Production of vinyl chloride resin base material

폴리염화비닐 수지 (타이요 염화비닐사 제조, TH-1000, 평균 중합도 : 1000) 100 질량부 (고형분 환산값 ; 이하 동일) 와, 테레프탈산에스테르계 가소제 A (테레프탈산디(2-에틸헥실), ADEKA 사 제조, 아데카 사이저 D-810, 분자량 : 391) 10 질량부와, 아디프산에스테르계 가소제로서 아디프산폴리에스테르 B1 (ADEKA 사 제조, 아데카 사이저 PN-7160, 평균 분자량 : 800, 가소화 효율값 : 1.00) 20 질량부 및 아디프산에스테르 모노머 C (신닛폰 리카사 제조, 산소 사이저 DINA, 분자량 398) 5 질량부와, 착색제로서 프탈로시아닌 블루계 착색제 (다이니치 세이카 공업사 제조, DA EP4610 블루) 0.13 질량부 및 퀴나크리돈 레드계 착색제 (다이니치 세이카 공업사 제조, DA P4121 레드) 0.03 질량부와, 안정제로서 소량의 마그네슘계 안정제로 이루어지는 혼합물을, 180 ℃ 에서 밴버리 믹서를 사용하여 혼련하였다. 얻어진 혼련물을 캘린더 롤로 압연하여, 두께 80 ㎛ 의 염화비닐 수지제 기재를 얻었다.(Terephthalic acid di (2-ethylhexyl), ADEKA Co., Ltd. (trade name), manufactured by TAIYO CHEMICAL INDUSTRIES, LTD., TH-1000, average degree of polymerization: 1000) 10 parts by mass of Adeka Sider D-810, molecular weight: 391), and adipic acid polyester B1 (ADEKA PN-7160, manufactured by ADEKA, average molecular weight: 800, 20 parts by mass of a plasticizer efficiency value: 1.00) and 5 parts by mass of adipic ester monomer C (oxygenase DINA, molecular weight 398, manufactured by Shin-Nippon Rikagaku Co., Ltd.) as a colorant and a phthalocyanine blue- DA EP4610 Blue), 0.03 part by mass of a quinacridone red coloring agent (manufactured by Dainichi Seika Kogyo K.K., DA P4121 Red), and a small amount of a magnesium-based stabilizer as a stabilizer were mixed at 180 ° C using a Banbury mixer And kneaded. The obtained kneaded product was rolled with a calendar roll to obtain a substrate made of vinyl chloride resin having a thickness of 80 mu m.

(2) 점착제의 조제(2) Preparation of adhesive

2-에틸헥실아크릴레이트 20 질량부와, 아세트산비닐 78 질량부와, 아크릴산 1 질량부와, 2-하이드록시에틸메타크릴레이트 1 질량부를 공중합하여, 에너지선 비경화성의 폴리머로서의 아크릴계 중합체 (중량 평균 분자량 : 17 만, 유리 전이 온도 Tg : 5 ℃) 를 얻었다.20 parts by mass of 2-ethylhexyl acrylate, 78 parts by mass of vinyl acetate, 1 part by mass of acrylic acid and 1 part by mass of 2-hydroxyethyl methacrylate were copolymerized to prepare an acrylic polymer as an energy ray non- Molecular weight: 170,000, glass transition temperature Tg: 5 占 폚).

여기서, 상기 아크릴계 중합체의 유리 전이 온도 Tg 는, 각 구성 모노머의 단독 중합체의 Tg 및 각 구성 모노머의 질량 비율을 사용하여 FOX 식에 의해 산출한 이론값이며, 각 구성 모노머의 단독 중합체의 유리 전이 온도는 이하와 같다.Here, the glass transition temperature Tg of the acrylic polymer is a theoretical value calculated by the FOX formula using the Tg of the homopolymer of each constituent monomer and the mass ratio of each constituent monomer, and the glass transition temperature Tg of the homopolymer of each constituent monomer Is as follows.

2-에틸헥실아크릴레이트 단독 중합체 : -70 ℃ (203 K)2-ethylhexyl acrylate homopolymer: -70 ° C (203 K)

아세트산비닐 단독 중합체 : 32 ℃ (305 K)Vinyl acetate homopolymer: 32 < 0 > C (305 K)

아크릴산 단독 중합체 : 103 ℃ (376 K)Acrylic acid homopolymer: 103 DEG C (376 K)

하이드록시에틸메타아크릴레이트 단독 중합체 : 55 ℃ (328 K)Hydroxyethyl methacrylate homopolymer: 55 ° C (328 K)

상기 아크릴계 중합체 100 질량부와, 가교제로서의 트리메틸올프로판 변성 톨릴렌디이소시아네이트 (TDI-TMP) 를 함유하는 조성물 (토소사 제조, 콜로네이트 L) 3.2 질량부와, 지방족 방향족 공중합계 석유 수지 (연화점 : 86 ℃) 7.1 질량부와, 로진계 폴리올 (분자량 : 2700 (액상)) 7.1 질량부와, 광 중합 개시제로서의 2,2-디메톡시-1,2-디페닐에탄-1-온 (BASF 사 제조, 상품명 : 이르가큐어 651) 5.1 질량부와, 에너지선 경화성 화합물로서의 2 관능 우레탄아크릴레이트 (중량 평균 분자량 11000) 및 6 관능 우레탄아크릴레이트 (중량 평균 분자량 1500) 의 혼합물 (혼합 질량비 1 : 1) 63.4 질량부를 혼합하고, 톨루엔에 의해 고형분 농도 37 질량% 가 되도록 희석하여, 이것을 점착제 조성물의 도포액으로 하였다.3.2 parts by mass of a composition containing 100 parts by mass of the acrylic polymer and trimethylolpropane-modified tolylene diisocyanate (TDI-TMP) as a crosslinking agent (Coronate L, manufactured by Tosoh Corporation) and an aliphatic aromatic copolymer petroleum resin 7.1 parts by mass as a photopolymerization initiator and 7.1 parts by mass of a rosin-based polyol (molecular weight: 2700 (liquid phase)) and 2,2-dimethoxy-1,2-diphenylethane- (Mixing mass ratio 1: 1) of 5.1 parts by mass (trade name: IRGACURE 651) and a bifunctional urethane acrylate (weight average molecular weight 11000) and a hexafunctional urethane acrylate (weight average molecular weight 1500) as an energy ray- And the mixture was diluted with toluene to a solid content concentration of 37 mass%, and this was used as a coating liquid for the pressure-sensitive adhesive composition.

(3) 반도체 가공 시트의 제조(3) Manufacturing of semiconductor processing sheet

두께 38 ㎛ 의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름의 일방의 주면이 실리콘계 박리제에 의해 박리 처리되어 이루어지는 박리 필름 (린텍사 제조, SP-PET381031) 의 박리 처리면 상에, 상기 (2) 에서 얻어진 점착제 조성물의 도포액을, 다이 코터로 도포하여 건조시키고, 두께 10 ㎛ 의 점착제층을 형성하여, 박리 필름과 점착제층으로 이루어지는 적층체를 얻었다. 다음으로, 상기 (1) 에서 얻어진 염화비닐 수지제 기재 (두께 : 80 ㎛) 의 일방의 면을 코로나 처리하고, 그 코로나 처리면에 상기 적층체의 점착제층측의 면과 첩부하여, 염화비닐 수지제 기재와 점착제층으로 이루어지는 반도체 가공 시트를, 점착제층의 기재와 반대측의 면에 박리 필름이 적층된 상태로 얻었다.On the exfoliated surface of a release film (SP-PET381031, manufactured by Lin Tec Co., Ltd.) in which one main surface of a polyethylene terephthalate film having a thickness of 38 탆 was peeled off with a silicone-based releasing agent, Was coated with a die coater and dried to form a pressure-sensitive adhesive layer having a thickness of 10 占 퐉 to obtain a laminate comprising a release film and a pressure-sensitive adhesive layer. Next, one surface of a substrate made of vinyl chloride resin (thickness: 80 占 퐉) obtained in the above (1) was subjected to corona treatment, and the surface of the laminate with the pressure-sensitive adhesive layer side was stuck to the corona- A semiconductor processing sheet comprising a base material and a pressure-sensitive adhesive layer was obtained in the state that a release film was laminated on the surface of the pressure-sensitive adhesive layer opposite to the base material.

〔실시예 2 ∼ 4, 비교예 1 ∼ 4, 참고예 1〕[Examples 2 to 4, Comparative Examples 1 to 4 and Reference Example 1]

가소제의 종류 및 배합량을, 표 1 에 나타내는 바와 같이 변경한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여 반도체 가공 시트를 얻었다.A semiconductor processed sheet was obtained in the same manner as in Example 1 except that the kind and blending amount of the plasticizer were changed as shown in Table 1.

또한, 표 1 에 기재된 약호 등의 상세는 이하와 같다.Details of the abbreviations and the like in Table 1 are as follows.

가소제 A : 테레프탈산디(2-에틸헥실), ADEKA 사 제조, 아데카 사이저 D-810, 분자량 : 391Plasticizer A: di (2-ethylhexyl) terephthalate, ADEKA CYZER D-810, manufactured by ADEKA, molecular weight: 391

가소제 B1 : 아디프산폴리에스테르, ADEKA 사 제조, 아데카 사이저 PN-7160, 평균 분자량 : 800, 가소화 효율값 : 1.00Plasticizer B1: adipic acid polyester, ADEKA ADEKA CHEMICALS PN-7160, average molecular weight: 800, plasticizing efficiency value: 1.00

가소제 B2 : 아디프산폴리에스테르, 제이·플러스사 제조, D-643, 평균 분자량 : 1800, 가소화 효율값 : 1.16Plasticizer B2: adipic acid polyester, manufactured by J · PLUS Co., Ltd., D-643, average molecular weight: 1800, plasticizing efficiency value: 1.16

가소제 C : 아디프산이소노닐, 신닛폰 리카사 제조, 산소 사이저 DINA, 분자량 : 398Plasticizer C: isononyl adipate, manufactured by Shin-Nippon Rika Co., Ltd., oxygenase DINA, molecular weight: 398

〔시험예 1〕 <기재의 25 % 응력의 측정>[Test Example 1] < Measurement of 25% stress of base material &

실시예 및 비교예에서 제조한 반도체 가공 시트를, MD 방향이 장변 방향이 되도록 15 ㎜ × 150 ㎜ 의 장방형으로 재단하여, 측정용 샘플을 얻었다. 얻어진 측정용 샘플을, 그리퍼 사이가 100 ㎜ 가 되도록 만능 인장 시험기 (오리엔테크사 제조, 텐실론 RTA-T-2M) 에 세트하고, JIS K7161-1 : 2014 에 준거하여, 23 ℃ 상대 습도 50 % 의 환경하에 있어서, 인장 속도 200 ㎜/분으로 인장 시험을 실시하였다. 25 ㎜ 신장시에 측정된 힘을, 측정용 샘플의 기재의 단면적으로 제산하여, 기재의 25 % 응력을 산출하였다. 결과를 표 1 에 나타낸다.The semiconductor processed sheets produced in Examples and Comparative Examples were cut into a rectangular shape of 15 mm x 150 mm so that the MD direction was in the long-side direction, and a measurement sample was obtained. The measurement sample thus obtained was set in a universal tensile tester (Tensilon RTA-T-2M, manufactured by Orientec Co., Ltd.) so that the gap between grippers became 100 mm. Tensile test was carried out at a tensile speed of 200 mm / min. The force measured at 25 mm elongation was divided by the cross-sectional area of the substrate of the measurement sample to yield a 25% stress of the substrate. The results are shown in Table 1.

〔시험예 2〕 <자외선 조사 후 점착력의 측정>[Test Example 2] < Measurement of adhesive force after ultraviolet irradiation >

실시예 및 비교예에서 제조한 반도체 가공 시트를, 촉진 조건하 (40 ℃ 14 일) 에 투입하였다. 그 후, 당해 시트를, 23 ℃ 상대 습도 50 % 의 환경하에 있어서 24 시간 보관한 후, 각각을 절단하여 길이 250 ㎜, 폭 25 ㎜ 의 점착력 측정용 시트를 얻었다. 얻어진 점착력 측정용 시트의 점착제층측을, 2 ㎏ 의 롤러를 사용하여, 경면 처리된 실리콘 미러 웨이퍼 (직경 6 인치, 두께 650 ㎛) 에 첩부하여, 점착력 측정용 시트와 실리콘 웨이퍼로 이루어지는 적층체를 얻었다. 얻어진 적층체를 23 ℃ 상대 습도 50 % 의 환경하에 있어서 20 분간 보관한 후, 자외선을 조사 (자외선 조사 장치 : Adwill (등록 상표) RAD-2000 m/12 (린텍사 제조), 230 mW/㎠, 190 mJ/㎠) 하여 점착제층을 경화시키고, 23 ℃ 상대 습도 50 % 의 환경하에 있어서 10 분간 보관하여, 평가 샘플로 하였다.The semiconductor processed sheets prepared in Examples and Comparative Examples were placed under accelerated conditions (40 占 폚, 14 days). Thereafter, the sheet was stored for 24 hours under the environment of a relative humidity of 23% at 50%, and each was cut to obtain an adhesive strength measuring sheet having a length of 250 mm and a width of 25 mm. The pressure-sensitive adhesive layer side of the resulting adhesive force measuring sheet was affixed to a mirror-finished silicon mirror wafer (diameter 6 inches, thickness 650 占 퐉) using a roller of 2 kg to obtain a laminate composed of a sheet for measuring adhesion force and a silicon wafer . The obtained laminate was stored for 20 minutes in an environment of 23 ° C and a relative humidity of 50%, and then irradiated with ultraviolet rays (ultraviolet ray irradiation apparatus: Adwill (registered trademark) RAD-2000 m / 12, manufactured by Lin Tec Co., Ltd., 230 mW / 190 mJ / cm < 2 >) to cure the pressure-sensitive adhesive layer. The pressure-sensitive adhesive layer was stored for 10 minutes under the environment of a relative humidity of 50% at 23 deg.

평가 샘플에 대해, 만능형 인장 시험기 (오리엔테크사 제조, TENSILON/UTM-4-100) 를 사용하여, JIS Z0237 : 2000 에 준거하여, 박리 속도 300 ㎜/min, 박리 각도 180 °로 180 °박리 시험 (점착력 측정용 시트를 박리되는 측의 부재로 하였다) 을 실시하여, 조사 후 점착력을 측정하였다 (단위 : mN/25 ㎜). 조사 후 점착력의 측정 결과를 표 1 에 나타낸다.The evaluation samples were peeled off at a peeling speed of 300 mm / min and a peeling angle of 180 占 according to JIS Z0237: 2000 using a universal tensile tester (TENSILON / UTM-4-100 manufactured by Orientech) (The adhesive force measuring sheet was regarded as the member on the side to be peeled off), and the adhesive force after irradiation was measured (unit: mN / 25 mm). Table 1 shows the measurement results of the adhesion after irradiation.

〔시험예 3〕 <잔사물의 평가>[Test Example 3] < Evaluation of Residues &

시험예 2 에서 실시한 조사 후 점착력의 측정 (촉진 조건 : 40 ℃ 14 일) 에 있어서, 점착력 측정용 시트를 박리한 부분의 실리콘 웨이퍼 표면에 있어서의 잔사물의 유무를 확인하였다. 잔사물이 확인되지 않은 것을「○」로 하고, 실용상 문제 없는 범위에서 잔사물이 극히 조금 확인된 것을「△」로 하고, 잔사물이 확인된 것을「×」로 하였다.The presence or absence of residues on the surface of the silicon wafer at the peeled portion of the adhesion-force measurement sheet was checked in the measurement of the adhesion after irradiation (promoting condition: 40 占 폚, 14 days) conducted in Test Example 2. &Quot;, and " x ", where the residue was identified, were regarded as " DELTA "

〔시험예 4〕 <점착력비의 측정>[Test Example 4] < Measurement of adhesive force ratio &

실시예 및 비교예에서 제조한 반도체 가공 시트에 대해, 자외선 조사를 실시하지 않은 것 이외에는 시험예 2 와 동일하게 하여, 40 ℃ 14 일 촉진 조건 후의 자외선 조사 전 점착력 (A) 를 측정하였다. 또, 촉진 조건을 40 ℃ 7 일로 하고, 자외선 조사를 실시하지 않은 것 이외에는 시험예 2 와 동일하게 하여, 40 ℃ 7 일 촉진 조건 후의 자외선 조사 전 점착력 (B) 를 측정하였다. 얻어진 결과로부터 점착력비 (A)/(B) 를 산출하였다. 결과를 표 1 에 나타낸다.The adhesive strength (A) before irradiation with ultraviolet rays after the promoting condition at 40 占 폚 for 14 days was measured in the same manner as in Test Example 2, except that the ultraviolet irradiation was not performed on the semiconductor processed sheets prepared in Examples and Comparative Examples. The adhesion (B) before irradiation with ultraviolet rays after the promoting condition at 40 占 폚 for 7 days was measured in the same manner as in Test Example 2 except that the promoting condition was 40 占 폚 for 7 days and the ultraviolet irradiation was not performed. From the obtained results, the adhesive force ratio (A) / (B) was calculated. The results are shown in Table 1.

Figure pct00001
Figure pct00001

표 1 로부터 알 수 있는 바와 같이, 실시예에서 제조한 반도체 가공 시트는, 잔사물의 발생이 억제되어 있었다.As can be seen from Table 1, in the semiconductor processed sheet produced in the examples, the generation of residues was suppressed.

산업상 이용가능성Industrial availability

본 발명에 관련된 반도체 가공 시트는, 예를 들어, 반도체 웨이퍼의 가공 공정, 특히 익스팬드 공정을 갖는 가공 공정에 있어서 바람직하게 사용된다.The semiconductor processed sheet according to the present invention is preferably used, for example, in a processing step of a semiconductor wafer, particularly a processing step having an expanding step.

Claims (10)

기재 필름과, 상기 기재 필름의 적어도 일방의 면측에 적층된 점착제층을 구비한 반도체 가공 시트로서,
상기 기재 필름은, 염화비닐계 수지와, 가소제로서 아디프산에스테르계 가소제 및 테레프탈산에스테르계 가소제를 함유하고,
상기 기재 필름에 있어서, 상기 아디프산에스테르계 가소제 및 상기 테레프탈산에스테르계 가소제의 합계 함유량에 대한 상기 아디프산에스테르계 가소제의 함유량의 질량 비율은, 50 ∼ 80 질량% 인 것을 특징으로 하는 반도체 가공 시트.
A semiconductor processing sheet comprising a base film and a pressure-sensitive adhesive layer laminated on at least one side of the base film,
Wherein the base film contains a vinyl chloride resin, an adipate ester plasticizer and a terephthalate ester plasticizer as plasticizers,
Wherein the mass ratio of the content of the adipic ester plasticizer to the total content of the adipic ester plasticizer and the terephthalate ester plasticizer in the base film is 50 to 80 mass% Sheet.
제 1 항에 있어서,
상기 기재 필름의 JIS K7161-1 : 2014 에 준거한 인장 시험에 있어서의 MD 방향의 25 % 응력은, 5 ∼ 16 ㎫ 인 것을 특징으로 하는 반도체 가공 시트.
The method according to claim 1,
Wherein the base film has a 25% stress in the MD direction in a tensile test according to JIS K7161-1: 2014 of 5 to 16 MPa.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 기재 필름에 있어서의 상기 가소제의 합계 함유량은, 상기 염화비닐계 수지 100 질량부에 대해 18 ∼ 65 질량부인 것을 특징으로 하는 반도체 가공 시트.
3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the total content of the plasticizer in the base film is 18 to 65 parts by mass based on 100 parts by mass of the vinyl chloride resin.
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 아디프산에스테르계 가소제는 아디프산폴리에스테르를 함유하는 것을 특징으로 하는 반도체 가공 시트.
4. The method according to any one of claims 1 to 3,
Wherein the adipic ester plasticizer comprises adipic acid polyester.
제 4 항에 있어서,
상기 아디프산폴리에스테르의 수평균 분자량은 400 ∼ 1500 인 것을 특징으로 하는 반도체 가공 시트.
5. The method of claim 4,
Wherein the adipic acid polyester has a number average molecular weight of 400 to 1,500.
제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 아디프산에스테르계 가소제는 아디프산에스테르 모노머를 함유하는 것을 특징으로 하는 반도체 가공 시트.
6. The method according to any one of claims 1 to 5,
Wherein the adipic ester plasticizer comprises an adipic ester monomer.
제 6 항에 있어서,
상기 아디프산에스테르 모노머는 아디프산디(2-에틸헥실), 아디프산디이소노닐, 아디프산디이소데실 및 아디프산디(2-부톡시에틸) 로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 또는 2 종 이상인 것을 특징으로 하는 반도체 가공 시트.
The method according to claim 6,
The adipic ester monomer may be one or two kinds selected from the group consisting of di (2-ethylhexyl) adipate, diisononyl adipate, diisodecyl adipate and di (2-butoxyethyl) adipate Or more.
제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 테레프탈산에스테르계 가소제는 테레프탈산디(2-에틸헥실) 인 것을 특징으로 하는 반도체 가공 시트.
8. The method according to any one of claims 1 to 7,
Wherein the terephthalate ester plasticizer is di (2-ethylhexyl) terephthalate.
제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 기재 필름에 있어서, 프탈산디(2-에틸헥실), 프탈산디부틸, 프탈산벤질부틸 및 프탈산디이소부틸의 함유량은 모두 0.001 질량% 이하인 것을 특징으로 하는 반도체 가공 시트.
9. The method according to any one of claims 1 to 8,
Wherein the content of the di (2-ethylhexyl) phthalate, dibutyl phthalate, benzyl butyl phthalate and diisobutyl phthalate in the base film is 0.001 mass% or less.
제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 점착제층은, 에너지선 경화성 점착제 조성물로 형성된 것인 것을 특징으로 하는 반도체 가공 시트.
10. The method according to any one of claims 1 to 9,
Wherein the pressure-sensitive adhesive layer is formed of an energy ray-curable pressure-sensitive adhesive composition.
KR1020187015331A 2016-02-29 2017-01-25 semiconductor processing sheet KR102594220B1 (en)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2016-038231 2016-02-29
JP2016038231 2016-02-29
PCT/JP2017/002514 WO2017150018A1 (en) 2016-02-29 2017-01-25 Semiconductor processing sheet

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20180118599A true KR20180118599A (en) 2018-10-31
KR102594220B1 KR102594220B1 (en) 2023-10-25

Family

ID=59742732

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020187015331A KR102594220B1 (en) 2016-02-29 2017-01-25 semiconductor processing sheet

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP6293398B2 (en)
KR (1) KR102594220B1 (en)
CN (1) CN108243615B (en)
TW (1) TWI702644B (en)
WO (1) WO2017150018A1 (en)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7200260B2 (en) * 2018-09-12 2023-01-06 リンテック株式会社 Work processing sheet and manufacturing method for processed work
JP7310135B2 (en) * 2018-12-27 2023-07-19 東洋インキScホールディングス株式会社 Adhesive sheet for vinyl chloride film containing plasticizer and acrylic adhesive

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001207140A (en) 2000-01-26 2001-07-31 Sumitomo Bakelite Co Ltd Adhesive tape for processing semiconductor wafer
JP2010260893A (en) 2009-04-30 2010-11-18 Nitto Denko Corp Laminated film and method for producing semiconductor device
JP2012184369A (en) 2011-03-08 2012-09-27 Nitto Denko Corp Self-adhesive tape or sheet
WO2013080979A1 (en) * 2011-12-02 2013-06-06 電気化学工業株式会社 Adhesive sheet, and method for producing electronic component using adhesive sheet
WO2014199992A1 (en) * 2013-06-11 2014-12-18 電気化学工業株式会社 Adhesive sheet and method for producing electronic component using adhesive sheet
JP2015187245A (en) 2014-03-11 2015-10-29 日東電工株式会社 adhesive tape

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07145359A (en) * 1993-11-25 1995-06-06 Sekisui Chem Co Ltd Decoratie pressure-sensitive adhesive sheet
CN1123738A (en) * 1994-05-23 1996-06-05 伊斯特曼化学公司 Flexible powder-free vinyl gloves
EP1712603B1 (en) * 2000-04-24 2008-12-03 Avery Dennison Corporation Adhesive articles with improved air egress and methods of making the same
US8372912B2 (en) * 2005-08-12 2013-02-12 Eastman Chemical Company Polyvinyl chloride compositions
US20100180940A1 (en) * 2009-01-20 2010-07-22 Weihong Cui Photovoltaic Module With Stabilized Polymer
JP2011057972A (en) * 2009-08-12 2011-03-24 Mitsubishi Plastics Inc Food packaging film
US9422462B2 (en) * 2011-06-27 2016-08-23 Denka Company Limited Adhesive sheet
JP5788528B2 (en) * 2011-12-14 2015-09-30 三井化学東セロ株式会社 Adhesive resin composition, laminate and self-peeling method
JP5610642B2 (en) * 2012-02-28 2014-10-22 日東電工株式会社 Adhesive tape film and adhesive tape
CN104520974B (en) * 2012-08-10 2016-02-10 积水化学工业株式会社 The processing method of wafer

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001207140A (en) 2000-01-26 2001-07-31 Sumitomo Bakelite Co Ltd Adhesive tape for processing semiconductor wafer
JP2010260893A (en) 2009-04-30 2010-11-18 Nitto Denko Corp Laminated film and method for producing semiconductor device
JP2012184369A (en) 2011-03-08 2012-09-27 Nitto Denko Corp Self-adhesive tape or sheet
WO2013080979A1 (en) * 2011-12-02 2013-06-06 電気化学工業株式会社 Adhesive sheet, and method for producing electronic component using adhesive sheet
WO2014199992A1 (en) * 2013-06-11 2014-12-18 電気化学工業株式会社 Adhesive sheet and method for producing electronic component using adhesive sheet
JP2015187245A (en) 2014-03-11 2015-10-29 日東電工株式会社 adhesive tape

Also Published As

Publication number Publication date
TW201802899A (en) 2018-01-16
JPWO2017150018A1 (en) 2018-05-24
WO2017150018A1 (en) 2017-09-08
CN108243615A (en) 2018-07-03
TWI702644B (en) 2020-08-21
JP6293398B2 (en) 2018-03-14
KR102594220B1 (en) 2023-10-25
CN108243615B (en) 2021-03-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102365799B1 (en) Adhesive tape for semiconductor processing, and method for manufacturing a semiconductor device
JP5049612B2 (en) Adhesive sheet
KR20190059907A (en) Adhesive tape for semiconductor processing and method of manufacturing semiconductor device
KR101967455B1 (en) Sheet for semiconductor wafer processing
JP6412873B2 (en) Adhesive sheet
KR20180118594A (en) Adhesive tape for semiconductor processing, and method of manufacturing semiconductor device
WO2022050009A1 (en) Reinforcing film, device with reinforcing film, and method for manufacturing the same
JP6656222B2 (en) Semiconductor processing sheet
JPWO2019181730A1 (en) Manufacturing method of adhesive tape and semiconductor device
CN109937245B (en) Adhesive sheet for semiconductor processing
KR20170113063A (en) Glass dicing adhesive sheet and method of manufacturing the same
KR102594220B1 (en) semiconductor processing sheet
KR102594219B1 (en) Base film and semiconductor processing sheet for semiconductor processing sheets
JP2006036834A (en) Adhesive tape for processing semiconductor wafer
KR102638358B1 (en) Glass dicing adhesive sheet and method of manufacturing the same
CN113286860A (en) Adhesive sheet for processing workpiece and method for producing same
KR102638359B1 (en) Glass dicing adhesive sheet and method of manufacturing the same
JP2022059761A (en) Sheet for workpiece processing

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant