JP6656222B2 - Semiconductor processing sheet - Google Patents

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Description

本発明は、半導体加工用シートに関するものである。   The present invention relates to a semiconductor processing sheet.

半導体ウェハを研削、切断する工程においては、半導体ウェハの固定や回路などの保護を目的として、粘着シートが用いられている。このような粘着シートとして、半導体ウェハを貼付した後の処理工程においては強い粘着力を有し、一方剥離時にはエネルギー線の照射により粘着力が低下する、エネルギー線硬化性の粘着剤層を備えた粘着シートがある。   In a process of grinding and cutting a semiconductor wafer, an adhesive sheet is used for the purpose of fixing the semiconductor wafer and protecting circuits and the like. Such an adhesive sheet was provided with an energy-ray-curable adhesive layer, which has a strong adhesive force in the processing step after the semiconductor wafer is attached, and on the other hand, the adhesive force is reduced by irradiation with energy rays at the time of peeling. There is an adhesive sheet.

これらの粘着シートは、所定の処理工程が終了すると剥離されるが、このときに、粘着シートと被着体である半導体ウェハや半導体チップ(以下、単に「チップ」という場合がある。)などとの間で、剥離帯電と呼ばれる静電気が発生することがある。このような静電気は、半導体ウェハ・チップやこれらに形成された回路などが破壊される原因となる。これを防ぐため、半導体ウェハの加工時に用いられる粘着シートにおいて、粘着剤に低分子量の4級アンモニウム塩化合物を添加することで、粘着シートに帯電防止性を持たせることが知られている。   These pressure-sensitive adhesive sheets are peeled off when a predetermined processing step is completed. At this time, the pressure-sensitive adhesive sheet and a semiconductor wafer or a semiconductor chip (hereinafter, may be simply referred to as a “chip”) as an adherend and the like are used. In some cases, static electricity called exfoliation charging may be generated. Such static electricity causes destruction of semiconductor wafer chips and circuits formed thereon. In order to prevent this, it is known that a pressure-sensitive adhesive sheet used in processing a semiconductor wafer is provided with an antistatic property by adding a low molecular weight quaternary ammonium salt compound to the pressure-sensitive adhesive.

しかし、帯電防止剤として低分子量の4級アンモニウム塩化合物を用いた場合、当該化合物が粘着シートからブリードアウトしたり、粘着剤の残渣物(パーティクル)が、半導体ウェハやチップ等の被着体の表面を汚染してしまうという問題があった。   However, when a low molecular weight quaternary ammonium salt compound is used as an antistatic agent, the compound may bleed out from the pressure-sensitive adhesive sheet, or residue (particles) of the pressure-sensitive adhesive may adhere to adherends such as semiconductor wafers and chips. There is a problem that the surface is contaminated.

これに対し、帯電防止性を持たせた粘着剤として、4級アンモニウム塩を有する(メタ)アクリル系共重合体を粘着成分とする光学部材用帯電防止性粘着剤が提案されている(特許文献1参照)。かかる粘着剤は、4級アンモニウム塩を(メタ)アクリル系共重合体に導入して高分子量とするものである。   On the other hand, as a pressure-sensitive adhesive having an antistatic property, an antistatic pressure-sensitive adhesive for optical members using a (meth) acrylic copolymer having a quaternary ammonium salt as an adhesive component has been proposed (Patent Documents). 1). Such a pressure-sensitive adhesive is obtained by introducing a quaternary ammonium salt into a (meth) acrylic copolymer to have a high molecular weight.

特開2011−12195号公報JP 2011-12195 A

しかしながら、特許文献1に開示されている粘着剤は、偏光板などの光学部材に貼付される粘着シートに用いられるものであり、エネルギー線照射による剥離を前提としていない。したがって、エネルギー線照射の前後により粘着力を大きく変化させるような、半導体加工用に用いられる粘着シートとは、要求される物性が全く異なるものである。   However, the pressure-sensitive adhesive disclosed in Patent Literature 1 is used for a pressure-sensitive adhesive sheet attached to an optical member such as a polarizing plate, and does not assume separation by energy beam irradiation. Therefore, the required physical properties are completely different from those of an adhesive sheet used for semiconductor processing, which greatly changes the adhesive strength before and after irradiation with energy rays.

ここで、特許文献1の粘着剤は、粘着成分そのものに帯電防止性が付与されたものである。このような帯電防止性粘着成分においては、例えば、半導体加工用に適用するために、その粘着性または帯電防止性のいずれかを制御しようとして帯電防止性粘着成分の組成などを変更すると、他方の特性にも影響が出てしまう。そのため、かかる帯電防止性粘着成分においては、その設計の自由度に制約があった。   Here, the pressure-sensitive adhesive disclosed in Patent Literature 1 is one in which an antistatic property is imparted to the pressure-sensitive adhesive component itself. In such an antistatic pressure-sensitive adhesive component, for example, in order to apply to semiconductor processing, if the composition of the antistatic pressure-sensitive component is changed in order to control any of its adhesiveness or antistatic property, the other The characteristics are also affected. Therefore, the degree of freedom in designing such antistatic pressure-sensitive adhesive components is limited.

本発明は、上記のような実状に鑑みてなされたものであり、十分な帯電防止性を発揮しつつも、エネルギー線照射後の剥離時における被着体の汚染を抑制することのできる半導体加工用シートを提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above situation, and has a sufficient antistatic property, and can suppress contamination of an adherend at the time of peeling after irradiation with energy rays. It is intended to provide a sheet for use.

上記目的を達成するために、第1に本発明は、基材と、前記基材の少なくとも一方の面側に積層された粘着剤層とを備えた半導体加工用シートであって、前記粘着剤層は、塩およびエネルギー線硬化性基を有するポリマーと、前記ポリマーとは異なるエネルギー線硬化性粘着成分とを含有する粘着剤組成物から形成されたものであり、前記粘着剤組成物は、エーテル結合を有する構成単位およびエネルギー線硬化性基を有する化合物をエネルギー線硬化性粘着成分の一成分として含有するか、または、前記ポリマーの側鎖としてエーテル結合を有する構成単位を有することを特徴とする半導体加工用シートを提供する(発明1)。   In order to achieve the above object, first, the present invention is a semiconductor processing sheet including a base material and an adhesive layer laminated on at least one surface side of the base material, wherein the adhesive The layer is formed from a pressure-sensitive adhesive composition containing a salt and a polymer having an energy-ray-curable group, and an energy-ray-curable pressure-sensitive adhesive component different from the polymer. It contains a structural unit having a bond and a compound having an energy ray-curable group as one component of the energy ray-curable adhesive component, or has a structural unit having an ether bond as a side chain of the polymer. A semiconductor processing sheet is provided (Invention 1).

本発明に係る半導体加工用シートとしては、例えば、半導体ウェハや各種パッケージ類のダイシング工程に用いられるダイシングシートや、半導体ウェハ等のバックグラインド工程に用いられるバックグラインドシートなどが挙げられるが、これらに限定されるものではない。本発明に係る半導体加工用シートは、特にダイシングシートとして好ましく使用することができる。   Examples of the semiconductor processing sheet according to the present invention include, for example, a dicing sheet used in a dicing step of a semiconductor wafer and various packages, and a back grinding sheet used in a back grinding step of a semiconductor wafer and the like. It is not limited. The semiconductor processing sheet according to the present invention can be preferably used particularly as a dicing sheet.

なお、本発明に係る半導体加工用シートには、リングフレームを貼付するための別の粘着剤層(及び基材)を有するもの、例えば、ウェハに貼付する部分を取り囲むように円環状等の粘着部材を設けたものが含まれるものとする。また、本発明に係る半導体加工用シートには、粘着剤層が基材上に部分的に設けられたもの、例えば、基材の周縁部にのみ粘着剤層が設けられており、内周部には粘着剤層が設けられていないものも含まれるものとする。さらに、本発明における「シート」には、「テープ」の概念も含まれるものとする。   The semiconductor processing sheet according to the present invention includes a sheet having another pressure-sensitive adhesive layer (and a base material) for attaching a ring frame, for example, an annular adhesive sheet surrounding a portion to be attached to a wafer. It shall include those provided with members. Further, the sheet for semiconductor processing according to the present invention, the pressure-sensitive adhesive layer is provided partially on the substrate, for example, the pressure-sensitive adhesive layer is provided only on the peripheral portion of the substrate, the inner peripheral portion Include those without an adhesive layer. Further, the term “sheet” in the present invention includes the concept of “tape”.

上記発明(発明1)に係る半導体加工用シートは、粘着剤組成物に含まれるポリマーが塩(カチオン)を有し、かつ粘着剤組成物がエーテル結合を有する構成単位を含むことにより、十分な帯電防止性を発揮する。また、上記ポリマーがエネルギー線硬化性基を有し、かつ、エーテル結合を有する構成単位が、エネルギー線硬化性基を有する化合物として、または上記ポリマーの側鎖として、粘着剤組成物に含まれることで、エネルギー線照射により、上記ポリマー同士、上記ポリマーとエネルギー線硬化性成分との間、またはエーテル結合を有する構成単位およびエネルギー線硬化性基を有する化合物と上記ポリマーおよびエネルギー線硬化性成分との間で反応し、架橋する。これにより、エネルギー線照射後に被着体を剥離したときに、被着体に付着するパーティクルの発生が少なくなり、被着体の汚染を抑制することができる。ここで、エーテル結合を有する構成単位およびエネルギー線硬化性基を有する化合物は、エネルギー線硬化性粘着成分の一成分として含有されるものであり、当該粘着成分のエネルギー線硬化性にも寄与する。   The semiconductor processing sheet according to the above invention (Invention 1) has a sufficient effect that the polymer contained in the pressure-sensitive adhesive composition has a salt (cation) and the pressure-sensitive adhesive composition contains a structural unit having an ether bond. Exhibits antistatic properties. Further, the polymer has an energy ray-curable group, and the structural unit having an ether bond is included in the pressure-sensitive adhesive composition as a compound having an energy ray-curable group or as a side chain of the polymer. By energy beam irradiation, between the polymers, between the polymer and the energy ray-curable component, or between a compound having a structural unit having an ether bond and an energy ray-curable group and the polymer and the energy ray-curable component React between and crosslink. Accordingly, when the adherend is peeled off after the irradiation with the energy beam, generation of particles adhering to the adherend is reduced, and contamination of the adherend can be suppressed. Here, the structural unit having an ether bond and the compound having an energy ray-curable group are contained as one component of the energy ray-curable adhesive component, and also contribute to the energy ray curability of the adhesive component.

上記発明(発明1)において、前記エーテル結合を有する構成単位は、アルキレンオキサイド単位であることが好ましく(発明2)、前記アルキレンオキサイド単位は2〜40の繰り返しであることが好ましい(発明3)。   In the above invention (Invention 1), the structural unit having an ether bond is preferably an alkylene oxide unit (Invention 2), and the alkylene oxide unit is preferably a repeating unit of 2 to 40 (Invention 3).

上記発明(発明1〜3)において、前記粘着剤組成物における前記ポリマーの含有量は、0.5〜65質量%であることが好ましい(発明4)。   In the above inventions (Inventions 1 to 3), the content of the polymer in the pressure-sensitive adhesive composition is preferably 0.5 to 65% by mass (Invention 4).

上記発明(発明1〜4)において、前記ポリマーの重量平均分子量は、500〜20万であることが好ましい(発明5)。   In the above inventions (Inventions 1 to 4), the polymer preferably has a weight average molecular weight of 500 to 200,000 (Invention 5).

上記発明(発明1〜5)において、前記ポリマーは、前記エネルギー線硬化性基として(メタ)アクリロイル基を有することが好ましい(発明6)。   In the above inventions (Inventions 1 to 5), the polymer preferably has a (meth) acryloyl group as the energy ray-curable group (Invention 6).

上記発明(発明1〜6)において、前記ポリマーの単位質量あたりの前記エネルギー線硬化性基の含有量は、5×10−5〜2×10−3モル/gであることが好ましい(発明7)。In the above inventions (Inventions 1 to 6), the content of the energy ray-curable group per unit mass of the polymer is preferably 5 × 10 −5 to 2 × 10 −3 mol / g (Invention 7) ).

上記発明(発明1〜7)において、前記エネルギー線硬化性粘着成分は、エネルギー線硬化性を有しないアクリル系重合体およびエネルギー線硬化性化合物を含有するものであってもよく(発明8)、側鎖にエネルギー線硬化性基が導入されたアクリル系重合体を含有するものであってもよい(発明9)。   In the above inventions (Inventions 1 to 7), the energy ray-curable adhesive component may contain an acrylic polymer having no energy ray curability and an energy ray-curable compound (Invention 8), It may contain an acrylic polymer having an energy ray-curable group introduced into a side chain (Invention 9).

上記発明(発明1〜9)において、前記エネルギー線硬化性粘着成分は、架橋剤を含有することが好ましい(発明10)。   In the above inventions (Inventions 1 to 9), the energy ray-curable adhesive component preferably contains a crosslinking agent (Invention 10).

上記発明(発明1〜10)において、前記塩は、4級アンモニウム塩であることが好ましい(発明11)。   In the above inventions (Inventions 1 to 10), the salt is preferably a quaternary ammonium salt (Invention 11).

本発明に係る半導体加工用シートは、十分な帯電防止性を発揮しつつも、エネルギー線照射後の剥離時におけるウェハやチップなどの被着体の汚染を抑制することができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION The sheet | seat for semiconductor processing which concerns on this invention can suppress contamination of the to-be-adhered body, such as a wafer and a chip, at the time of peeling after irradiation of energy rays, while exhibiting sufficient antistatic property.

本発明の一実施形態に係る半導体加工用シートの断面図である。It is sectional drawing of the sheet | seat for semiconductor processing which concerns on one Embodiment of this invention.

以下、本発明の実施形態について説明する。
図1は本発明の一実施形態に係る半導体加工用シートの断面図である。本実施形態に係る半導体加工用シート1は、基材2と、基材2の一方の面(図1では上側の面)に積層された粘着剤層3とを備えて構成される。本実施形態に係る半導体加工用シート1は、ダイシングシート、バックグラインドシートなどとして用いることができるが、以下、ダイシングシートとして使用される場合を中心に説明する。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described.
FIG. 1 is a sectional view of a semiconductor processing sheet according to an embodiment of the present invention. The semiconductor processing sheet 1 according to the present embodiment includes a substrate 2 and an adhesive layer 3 laminated on one surface (the upper surface in FIG. 1) of the substrate 2. The semiconductor processing sheet 1 according to the present embodiment can be used as a dicing sheet, a back-grinding sheet, and the like. Hereinafter, a description will be given mainly of a case where the sheet is used as a dicing sheet.

1.基材
本実施形態に係る半導体加工用シート1の基材2は、半導体加工用シート1がダイシング工程・エキスパンド工程またはバックグラインド工程などの所望の工程において適切に機能できる限り、その構成材料は特に限定されず、通常は樹脂系の材料を主材とするフィルムから構成される。そのフィルムの具体例として、エチレン−酢酸ビニル共重合体フィルム、エチレン−(メタ)アクリル酸共重合体フィルム、エチレン−(メタ)アクリル酸エステル共重合体フィルム等のエチレン系共重合フィルム;低密度ポリエチレン(LDPE)フィルム、直鎖低密度ポリエチレン(LLDPE)フィルム、高密度ポリエチレン(HDPE)フィルム等のポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリブテンフィルム、ポリブタジエンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、エチレン−ノルボルネン共重合体フィルム、ノルボルネン樹脂フィルム等のポリオレフィン系フィルム;ポリ塩化ビニルフィルム、塩化ビニル共重合体フィルム等のポリ塩化ビニル系フィルム;ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリブチレンテレフタレートフィルム等のポリエステル系フィルム;ポリウレタンフィルム;ポリイミドフィルム;ポリスチレンフィルム;ポリカーボネートフィルム;フッ素樹脂フィルムなどが挙げられる。またこれらの架橋フィルム、アイオノマーフィルムのような変性フィルムも用いられる。上記の基材2はこれらの1種からなるフィルムでもよいし、さらにこれらを2種類以上組み合わせた積層フィルムであってもよい。なお、本明細書における「(メタ)アクリル酸」は、アクリル酸およびメタクリル酸の両方を意味する。他の類似用語についても同様である。
1. Substrate The base material 2 of the semiconductor processing sheet 1 according to the present embodiment is made of any material as long as the semiconductor processing sheet 1 can function properly in a desired process such as a dicing process, an expanding process, or a back grinding process. It is not limited, and is usually composed of a film mainly composed of a resin material. Specific examples of the film include ethylene-based copolymer films such as an ethylene-vinyl acetate copolymer film, an ethylene- (meth) acrylic acid copolymer film, and an ethylene- (meth) acrylic ester copolymer film; Polyethylene (LDPE) film, linear low density polyethylene (LLDPE) film, polyethylene film such as high density polyethylene (HDPE) film, polypropylene film, polybutene film, polybutadiene film, polymethylpentene film, ethylene-norbornene copolymer film, Polyolefin films such as norbornene resin films; polyvinyl chloride films such as polyvinyl chloride films and vinyl chloride copolymer films; polyethylene terephthalate films, polybutylene tele Polyester film of tallate films; polyurethane film; polyimide film; polystyrene films; polycarbonate films; and fluorine resin film. Modified films such as crosslinked films and ionomer films are also used. The base material 2 may be a film made of one of these materials, or may be a laminated film combining two or more of these materials. In addition, "(meth) acrylic acid" in this specification means both acrylic acid and methacrylic acid. The same applies to other similar terms.

基材2を構成するフィルムは、エチレン系共重合フィルムおよびポリオレフィン系フィルムの少なくとも一種を備えることが好ましい。エチレン系共重合フィルムは共重合比を変えることなどによりその機械特性を広範な範囲で制御することが容易である。このため、エチレン系共重合フィルムを備える基材2は本実施形態に係る半導体加工用シート1の基材として求められる機械特性を満たし易い。また、エチレン系共重合フィルムは粘着剤層3に対する密着性が比較的高いため、半導体加工用シートとして使用した際に基材2と粘着剤層3との界面での剥離が生じ難い。   The film constituting the substrate 2 preferably includes at least one of an ethylene-based copolymer film and a polyolefin-based film. The mechanical properties of an ethylene copolymer film can be easily controlled in a wide range by changing the copolymerization ratio. For this reason, the base material 2 provided with the ethylene-based copolymer film easily satisfies the mechanical properties required as the base material of the semiconductor processing sheet 1 according to the present embodiment. In addition, since the ethylene-based copolymer film has relatively high adhesiveness to the pressure-sensitive adhesive layer 3, peeling at the interface between the base material 2 and the pressure-sensitive adhesive layer 3 hardly occurs when used as a semiconductor processing sheet.

ここで、ポリ塩化ビニル系フィルムなどの一部のフィルムには、半導体加工用シートとしての特性に悪影響を及ぼす成分を多く含むものがある。例えば、ポリ塩化ビニル系フィルムなどでは、当該フィルムに含有される可塑剤が基材2から粘着剤層3へと移行し、さらに粘着剤層3の基材2に対向する側と反対側の面に分布して、粘着剤層3の被着体(半導体ウェハやチップなど)に対する粘着性を低下させる場合がある。しかし、エチレン系共重合フィルムおよびポリオレフィン系フィルムは、半導体加工用シートとしての特性に悪影響を及ぼす成分の含有量が少ないため、粘着剤層3の被着体に対する粘着性が低下するなどの問題が生じ難い。すなわち、エチレン系共重合フィルムおよびポリオレフィン系フィルムは化学的な安定性に優れる。   Here, some films, such as a polyvinyl chloride film, contain many components which have a bad influence on the properties as a sheet for semiconductor processing. For example, in the case of a polyvinyl chloride film or the like, the plasticizer contained in the film migrates from the substrate 2 to the pressure-sensitive adhesive layer 3, and the surface of the pressure-sensitive adhesive layer 3 on the side opposite to the side facing the substrate 2. In some cases, the adhesiveness of the adhesive layer 3 to an adherend (semiconductor wafer, chip, or the like) may be reduced. However, the ethylene-based copolymer film and the polyolefin-based film have a small content of a component that adversely affects the properties of the semiconductor processing sheet, and thus have a problem that the adhesiveness of the adhesive layer 3 to an adherend is reduced. Hard to occur. That is, the ethylene copolymer film and the polyolefin film have excellent chemical stability.

本実施形態において用いる基材2には、上記の樹脂系材料を主材とするフィルム内に、顔料、難燃剤、可塑剤、帯電防止剤、滑剤、フィラー等の各種添加剤が含まれていてもよい。顔料としては、例えば、二酸化チタン、カーボンブラック等が挙げられる。また、フィラーとしては、メラミン樹脂のような有機系材料、ヒュームドシリカのような無機系材料およびニッケル粒子のような金属系材料が例示される。こうした添加剤の含有量は特に限定されないが、基材2が所望の機能を発揮し、平滑性や柔軟性を失わない範囲に留めるべきである。   The base material 2 used in the present embodiment contains various additives such as a pigment, a flame retardant, a plasticizer, an antistatic agent, a lubricant, and a filler in a film containing the above-described resin-based material as a main material. Is also good. Examples of the pigment include titanium dioxide and carbon black. Examples of the filler include an organic material such as a melamine resin, an inorganic material such as fumed silica, and a metal material such as nickel particles. The content of such an additive is not particularly limited, but should be kept within a range in which the base material 2 exhibits a desired function and does not lose smoothness or flexibility.

粘着剤層3を硬化させるために照射するエネルギー線として紫外線を用いる場合には、基材2は紫外線に対して透過性を有することが好ましい。なお、エネルギー線として電子線を用いる場合には、基材2は電子線の透過性を有していることが好ましい。   In the case where ultraviolet rays are used as energy rays to be applied to cure the pressure-sensitive adhesive layer 3, the base material 2 preferably has transparency to ultraviolet rays. When an electron beam is used as the energy beam, it is preferable that the base material 2 has an electron beam permeability.

また、基材2の粘着剤層3側の面(以下「基材被着面」ともいう。)には、カルボキシル基、ならびにそのイオンおよび塩からなる群から選ばれる1種または2種以上を有する成分が存在することが好ましい。基材2における上記の成分と粘着剤層3に係る成分(粘着剤層3を構成する成分および架橋剤などの粘着剤層3を形成するにあたり使用される成分が例示される。)とが化学的に相互作用することにより、これらの間で剥離が生じる可能性を低減させることができる。基材被着面にそのような成分を存在させるための具体的な手法は特に限定されない。例えば、基材2自体をエチレン−(メタ)アクリル酸共重合体フィルム、アイオノマー樹脂フィルム等として、基材2を構成する材料となる樹脂がカルボキシル基、ならびにそのイオンおよび塩からなる群から選ばれる1種または2種以上を有するものとするのであってもよい。基材被着面に上記成分を存在させる他の手法として、基材2は例えばポリオレフィン系フィルムであって、基材被着面側にコロナ処理が施されていたり、プライマー層が設けられていたりしてもよい。また、基材2の基材被着面と反対側の面には各種の塗膜が設けられていてもよい。これらのプライマー層や塗膜は、帯電防止剤を含んでいてもよい。これにより、半導体加工用シート1として、より優れた帯電防止性能を発揮することができる。   On the surface of the substrate 2 on the side of the pressure-sensitive adhesive layer 3 (hereinafter also referred to as “substrate-adhered surface”), one or two or more selected from the group consisting of a carboxyl group and ions and salts thereof are provided. It is preferable that a component having the same exists. The above components in the base material 2 and the components related to the pressure-sensitive adhesive layer 3 (the components constituting the pressure-sensitive adhesive layer 3 and the components used in forming the pressure-sensitive adhesive layer 3 such as a crosslinking agent are exemplified). By interacting with each other, it is possible to reduce the possibility that separation occurs between them. The specific method for causing such a component to be present on the surface to which the base material is attached is not particularly limited. For example, when the substrate 2 itself is used as an ethylene- (meth) acrylic acid copolymer film, an ionomer resin film, or the like, the resin constituting the substrate 2 is selected from the group consisting of a carboxyl group and ions and salts thereof. One or two or more kinds may be used. As another method for causing the above components to be present on the substrate-adhering surface, the substrate 2 is, for example, a polyolefin-based film, and the substrate-adhering surface is subjected to a corona treatment, or provided with a primer layer. May be. Further, various coating films may be provided on the surface of the substrate 2 opposite to the surface on which the substrate is adhered. These primer layers and coating films may contain an antistatic agent. Thereby, as the semiconductor processing sheet 1, more excellent antistatic performance can be exhibited.

基材2の厚さは、半導体加工用シート1が所望の工程において適切に機能できる限り、限定されない。好ましくは20〜450μm、より好ましくは25〜400μm、特に好ましくは50〜350μmの範囲である。   The thickness of the substrate 2 is not limited as long as the semiconductor processing sheet 1 can appropriately function in a desired process. It is preferably in the range of 20 to 450 μm, more preferably 25 to 400 μm, and particularly preferably 50 to 350 μm.

本実施形態における基材2の破断伸度は、23℃、相対湿度50%のときに測定した値として100%以上であることが好ましく、特に200〜1000%であることが好ましい。ここで、破断伸度はJIS K7161:1994(ISO 527−1 1993)に準拠した引張り試験における、試験片破壊時の試験片の長さの元の長さに対する伸び率である。上記の破断伸度が100%以上であると、本実施形態に係る半導体加工用シートをエキスパンド工程に用いた場合に破断し難く、ウェハを切断して形成したチップを離間し易いものとなる。   The elongation at break of the substrate 2 in the present embodiment is preferably 100% or more, and particularly preferably 200 to 1000%, as measured at 23 ° C. and 50% relative humidity. Here, the elongation at break is an elongation percentage of the length of the test piece at the time of breaking the test piece with respect to the original length in a tensile test based on JIS K7161: 1994 (ISO 527-1 1993). If the elongation at break is 100% or more, the semiconductor processing sheet according to the present embodiment is not easily broken when the semiconductor processing sheet is used in an expanding step, and chips formed by cutting a wafer are easily separated.

また、本実施形態における基材2の25%ひずみ時引張応力は5〜15N/10mmであることが好ましく、最大引張応力は15〜50MPaであることが好ましい。ここで25%ひずみ時引張応力および最大引張応力はJIS K7161:1994に準拠した試験により測定される。25%ひずみ時引張応力が5N/10mm以上、最大引張応力が15MPa以上であると、ダイシングシート1にワークを貼着した後、リングフレームなどの枠体に固定した際、基材2に弛みが発生することが抑制され、搬送エラーが生じることを防止することができる。一方、25%ひずみ時引張応力が15N/10mm以下、最大引張応力が50MPa以下であると、エキスパンド工程時にリングフレームからダイシングシート1自体が剥がれたりすることが抑制される。なお、上記の破断伸度、25%ひずみ時引張応力、最大引張応力は基材2における原反の長尺方向について測定した値を指す。   In the present embodiment, the tensile stress at 25% strain of the substrate 2 in the present embodiment is preferably 5 to 15 N / 10 mm, and the maximum tensile stress is preferably 15 to 50 MPa. Here, the tensile stress at 25% strain and the maximum tensile stress are measured by a test based on JIS K7161: 1994. When the tensile stress at the time of 25% strain is 5 N / 10 mm or more and the maximum tensile stress is 15 MPa or more, when the work is attached to the dicing sheet 1 and then fixed to a frame such as a ring frame, the base material 2 becomes loose. Occurrence is suppressed, and occurrence of a transport error can be prevented. On the other hand, when the tensile stress at the time of 25% strain is 15 N / 10 mm or less and the maximum tensile stress is 50 MPa or less, peeling of the dicing sheet 1 from the ring frame during the expanding step is suppressed. The breaking elongation, the tensile stress at 25% strain, and the maximum tensile stress indicate values measured in the longitudinal direction of the raw material in the substrate 2.

2.粘着剤層
本実施形態に係る半導体加工用シート1が備える粘着剤層3は、エネルギー線硬化性粘着成分(A)と、塩およびエネルギー線硬化性基を有するポリマー(C)(以下「エネルギー線硬化性帯電防止ポリマー(C)」という場合がある。)とを含有し、エーテル結合を有する構成単位を含む粘着剤組成物から形成されるものである。なお、エネルギー線硬化性粘着成分(A)は、エネルギー線硬化性帯電防止ポリマー(C)を含まないものとする。ここで、エーテル結合を有する構成単位は、エーテル結合を有する構成単位およびエネルギー線硬化性基を有する化合物(B)(以下「エーテル結合含有エネルギー線硬化性化合物(B)」という場合がある。)として粘着剤組成物に含有されるか、またはエネルギー線硬化性帯電防止ポリマー(C)の側鎖として粘着剤組成物に含まれる。また、本実施形態における粘着剤組成物は、後述する架橋剤(D)を含有することが好ましい。
2. Pressure-Sensitive Adhesive Layer The pressure-sensitive adhesive layer 3 included in the semiconductor processing sheet 1 according to the present embodiment includes an energy-ray-curable pressure-sensitive adhesive component (A) and a polymer (C) having a salt and an energy-ray-curable group (hereinafter referred to as “energy rays”). Curable antistatic polymer (C) "), and a pressure-sensitive adhesive composition containing a structural unit having an ether bond. The energy ray-curable pressure-sensitive adhesive component (A) does not include the energy ray-curable antistatic polymer (C). Here, the constituent unit having an ether bond is a compound having an ether bond and a compound (B) having an energy ray-curable group (hereinafter, may be referred to as an “ether bond-containing energy ray-curable compound (B)”). As a side chain of the energy ray-curable antistatic polymer (C) in the pressure-sensitive adhesive composition. Moreover, it is preferable that the adhesive composition in this embodiment contains the crosslinking agent (D) mentioned later.

(1)エネルギー線硬化性粘着成分(A)
エネルギー線硬化性粘着成分(A)は、エネルギー線硬化性を有しないアクリル系重合体(A1)およびエネルギー線硬化性化合物(A2)を含有するものであるか、側鎖にエネルギー線硬化性基が導入されたアクリル系重合体(A3)を含有するものであることが好ましい。エネルギー線硬化性粘着成分(A)が、側鎖にエネルギー線硬化性基が導入されたアクリル系重合体(A3)を含有する場合、エネルギー線硬化性粘着成分として当該アクリル系重合体(A3)のみを含有してもよいし、当該アクリル系重合体(A3)と、エネルギー線硬化性を有しないアクリル系重合体(A1)および/またはエネルギー線硬化性化合物(A2)とを含有してもよい。なお、本明細書における「重合体」には「共重合体」の概念も含まれるものとする。
(1) Energy ray-curable adhesive component (A)
The energy ray-curable pressure-sensitive adhesive component (A) contains an acrylic polymer (A1) having no energy ray-curability and an energy ray-curable compound (A2), or has an energy ray-curable group in a side chain. It is preferable that it contains the acrylic polymer (A3) into which is introduced. When the energy ray-curable adhesive component (A) contains an acrylic polymer (A3) having an energy ray-curable group introduced into a side chain, the acrylic polymer (A3) is used as the energy ray-curable adhesive component. Only, or may contain the acrylic polymer (A3) and the acrylic polymer (A1) and / or the energy ray-curable compound (A2) having no energy ray-curability. Good. In addition, the term “polymer” in the present specification includes the concept of “copolymer”.

(1−1)エネルギー線硬化性を有しないアクリル系重合体(A1)
本実施形態における粘着剤層3を形成する粘着剤組成物がエネルギー線硬化性を有しないアクリル系重合体(A1)を含有する場合、当該アクリル系重合体(A1)は、粘着剤組成物にそのまま含有されていてもよく、また少なくともその一部が後述する架橋剤(D)と架橋反応を行って架橋物として含有されていてもよい。
(1-1) Acrylic polymer having no energy beam curability (A1)
When the pressure-sensitive adhesive composition forming the pressure-sensitive adhesive layer 3 in the present embodiment contains an acrylic polymer (A1) having no energy ray curability, the acrylic polymer (A1) is added to the pressure-sensitive adhesive composition. It may be contained as it is, or at least a part thereof may be contained as a crosslinked product by performing a crosslinking reaction with a crosslinking agent (D) described later.

アクリル系重合体(A1)としては、従来公知のアクリル系の重合体を用いることができる。アクリル系重合体(A1)は、1種類のアクリル系モノマーから形成された単独重合体であってもよいし、複数種類のアクリル系モノマーから形成された共重合体であってもよいし、1種類または複数種類のアクリル系モノマーとアクリル系モノマー以外のモノマーとから形成された共重合体であってもよい。アクリル系モノマーとなる化合物の具体的な種類は特に限定されず、(メタ)アクリル酸、(メタ)アクリル酸エステル、その誘導体(アクリロニトリル、イタコン酸など)が具体例として挙げられる。(メタ)アクリル酸エステルについてさらに具体例を示せば、メチル(メタ)アクリレート、エチル(メタ)アクリレート、プロピル(メタ)アクリレート、ブチル(メタ)アクリレート、2−エチルヘキシル(メタ)アクリレート等の鎖状骨格を有する(メタ)アクリレート;シクロへキシル(メタ)アクリレート、ベンジル(メタ)アクリレート、イソボルニル(メタ)アクリレート、ジシクロペンタニル(メタ)アクリレート、イミドアクリレート等の環状骨格を有する(メタ)アクリレート;2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレート等のヒドロキシ基を有する(メタ)アクリレート;グリシジル(メタ)アクリレート、N−メチルアミノエチル(メタ)アクリレート等のヒドロキシ基以外の反応性官能基を有する(メタ)アクリレートが挙げられる。また、アクリル系モノマー以外のモノマーとして、エチレン、ノルボルネン等のオレフィン、酢酸ビニル、スチレンなどが例示される。なお、アクリル系モノマーがアルキル(メタ)アクリレートである場合には、そのアルキル基の炭素数は1〜18の範囲であることが好ましい。   As the acrylic polymer (A1), a conventionally known acrylic polymer can be used. The acrylic polymer (A1) may be a homopolymer formed from one kind of acrylic monomer, a copolymer formed from a plurality of kinds of acrylic monomers, or 1 It may be a copolymer formed from one or more kinds of acrylic monomers and monomers other than acrylic monomers. The specific type of the compound to be an acrylic monomer is not particularly limited, and specific examples thereof include (meth) acrylic acid, (meth) acrylic acid ester, and derivatives thereof (acrylonitrile, itaconic acid, and the like). More specific examples of (meth) acrylic acid esters include chain skeletons such as methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, propyl (meth) acrylate, butyl (meth) acrylate, and 2-ethylhexyl (meth) acrylate. (Meth) acrylate having a cyclic skeleton such as cyclohexyl (meth) acrylate, benzyl (meth) acrylate, isobornyl (meth) acrylate, dicyclopentanyl (meth) acrylate, and imide acrylate; 2 -(Meth) acrylates having a hydroxy group such as -hydroxyethyl (meth) acrylate and 2-hydroxypropyl (meth) acrylate; hydroxy such as glycidyl (meth) acrylate and N-methylaminoethyl (meth) acrylate And (meth) acrylates having a reactive functional group other than groups. In addition, examples of monomers other than acrylic monomers include olefins such as ethylene and norbornene, vinyl acetate, and styrene. When the acrylic monomer is an alkyl (meth) acrylate, the alkyl group preferably has 1 to 18 carbon atoms.

本実施形態における粘着剤層3を形成する粘着剤組成物が、後述する架橋剤(D)を含有する場合には、アクリル系重合体(A1)は、架橋剤(D)と反応する反応性官能基を有することが好ましい。反応性官能基の種類は特に限定されず、架橋剤(D)の種類などに基づいて適宜決定すればよい。   When the pressure-sensitive adhesive composition forming the pressure-sensitive adhesive layer 3 in the present embodiment contains a crosslinking agent (D) described below, the acrylic polymer (A1) reacts with the crosslinking agent (D). It preferably has a functional group. The type of the reactive functional group is not particularly limited, and may be appropriately determined based on the type of the crosslinking agent (D) and the like.

例えば、架橋剤(D)がエポキシ系化合物である場合には、アクリル系重合体(A1)が有する反応性官能基として、カルボキシル基、アミノ基、アミド基などが例示され、中でもエポキシ基との反応性の高いカルボキシル基が好ましい。また、架橋剤(D)がポリイソシアネート化合物である場合には、アクリル系重合体(A1)が有する反応性官能基として、ヒドロキシ基、カルボキシル基、アミノ基などが例示され、中でもイソシアネート基との反応性の高いヒドロキシ基が好ましい。   For example, when the crosslinking agent (D) is an epoxy compound, examples of the reactive functional group of the acrylic polymer (A1) include a carboxyl group, an amino group, and an amide group. Carboxyl groups with high reactivity are preferred. When the crosslinking agent (D) is a polyisocyanate compound, examples of the reactive functional group of the acrylic polymer (A1) include a hydroxy group, a carboxyl group, and an amino group. A highly reactive hydroxy group is preferred.

アクリル系重合体(A1)に反応性官能基を導入する方法は特に限定されず、一例として、反応性官能基を有するモノマーを用いてアクリル系重合体(A1)を形成し、反応性官能基を有するモノマーに基づく構成単位を重合体の骨格に含有させる方法が挙げられる。例えば、アクリル系重合体(A1)にカルボキシル基を導入する場合は、(メタ)アクリル酸などのカルボキシル基を有するモノマーを用いてアクリル系重合体(A1)を形成すればよい。   The method for introducing a reactive functional group into the acrylic polymer (A1) is not particularly limited. As an example, the acrylic polymer (A1) is formed using a monomer having a reactive functional group, and the reactive functional group is formed. A method in which a structural unit based on a monomer having the formula (1) is contained in the skeleton of the polymer. For example, when a carboxyl group is introduced into the acrylic polymer (A1), the acrylic polymer (A1) may be formed using a monomer having a carboxyl group such as (meth) acrylic acid.

アクリル系重合体(A1)が反応性官能基を有する場合には、架橋の程度を良好な範囲にする観点から、アクリル系重合体(A1)全体の質量に占める反応性官能基を有するモノマー由来の構造部分の質量の割合が、1〜20質量%程度であることが好ましく、2〜10質量%であることがより好ましい。   When the acrylic polymer (A1) has a reactive functional group, the monomer derived from the monomer having the reactive functional group occupies the entire mass of the acrylic polymer (A1) from the viewpoint of setting the degree of crosslinking to a favorable range. Is preferably about 1 to 20% by mass, more preferably 2 to 10% by mass.

アクリル系重合体(A1)の重量平均分子量(Mw)は、塗工時の造膜性の観点から1万〜200万であることが好ましく、10万〜150万であることがより好ましい。なお、本明細書において、アクリル系重合体(A1)および(A3)の重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)法により測定した標準ポリスチレン換算の値であり、測定方法の詳細は後述する実施例にて示す。また、アクリル系重合体(A1)のガラス転移温度Tgは、好ましくは−70℃〜30℃、さらに好ましくは−60℃〜20℃の範囲にある。ガラス転移温度は、Fox式より計算することができる。   The weight average molecular weight (Mw) of the acrylic polymer (A1) is preferably from 10,000 to 2,000,000, and more preferably from 100,000 to 1.5,000,000, from the viewpoint of film forming property at the time of coating. In the present specification, the weight average molecular weights of the acrylic polymers (A1) and (A3) are values in terms of standard polystyrene measured by a gel permeation chromatography (GPC) method, and details of the measuring method will be described later. An example will be shown. The glass transition temperature Tg of the acrylic polymer (A1) is preferably in the range of -70C to 30C, and more preferably in the range of -60C to 20C. The glass transition temperature can be calculated from the Fox equation.

(1−2)エネルギー線硬化性化合物(A2)
エネルギー線硬化性粘着成分(A)は、エネルギー線硬化性を有しないアクリル系重合体(A1)を含有する場合、エネルギー線硬化性化合物(A2)を合わせて含有する。エネルギー線硬化性化合物(A2)は、エネルギー線硬化性基を有し、紫外線、電子線等のエネルギー線の照射を受けると重合する化合物である。なお、本明細書において、エネルギー線硬化性化合物(A2)の概念には、後述するエーテル結合含有エネルギー線硬化性化合物(B)が包含される。
(1-2) Energy ray-curable compound (A2)
When the energy ray-curable pressure-sensitive adhesive component (A) contains the acrylic polymer (A1) having no energy ray-curability, it also contains the energy ray-curable compound (A2). The energy ray-curable compound (A2) is a compound having an energy ray-curable group and polymerizing when irradiated with an energy ray such as an ultraviolet ray or an electron beam. In this specification, the concept of the energy ray-curable compound (A2) includes an ether bond-containing energy ray-curable compound (B) described later.

エネルギー線硬化性化合物(A2)が有するエネルギー線硬化性基は、例えばエネルギー線硬化性の炭素−炭素二重結合を含む基であり、具体的には、(メタ)アクリロイル基、ビニル基などを例示することができる。   The energy ray-curable group contained in the energy ray-curable compound (A2) is, for example, an energy ray-curable group containing a carbon-carbon double bond, and specifically includes a (meth) acryloyl group, a vinyl group, and the like. Examples can be given.

エネルギー線硬化性化合物(A2)の例としては、上記のエネルギー線硬化性基を有していれば特に限定されないが、汎用性の観点から低分子量化合物(単官能、多官能のモノマーおよびオリゴマー)であることが好ましい。低分子量のエネルギー線硬化性化合物(A2)の具体例としては、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、テトラメチロールメタンテトラ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレートあるいは1,4−ブチレングリコールジ(メタ)アクリレート、1,6−ヘキサンジオールジ(メタ)アクリレート、ジシクロペンタジエンジメトキシジ(メタ)アクリレート、イソボルニル(メタ)アクリレートなどの環状脂肪族骨格含有(メタ)アクリレート、オリゴエステル(メタ)アクリレート、ウレタン(メタ)アクリレートオリゴマー、エポキシ変性(メタ)アクリレート、などのアクリレート系化合物が挙げられる。このほか、さらにエーテル結合を有する構成単位を有する化合物については、エーテル結合含有エネルギー線硬化性化合物(B)の項にて詳述する。   Examples of the energy ray-curable compound (A2) are not particularly limited as long as they have the above-mentioned energy ray-curable group, but from the viewpoint of versatility, low molecular weight compounds (monofunctional and polyfunctional monomers and oligomers) It is preferred that Specific examples of the low molecular weight energy ray-curable compound (A2) include trimethylolpropane tri (meth) acrylate, tetramethylolmethanetetra (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, dipentaerythritol monohydroxypenta ( (Meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate or 1,4-butylene glycol di (meth) acrylate, 1,6-hexanediol di (meth) acrylate, dicyclopentadienedimethoxydi (meth) acrylate, isobornyl (meth) acrylate A) acrylates and other cyclic aliphatic skeleton-containing (meth) acrylates, oligoester (meth) acrylates, urethane (meth) acrylate oligomers, epoxy-modified (meth) acrylates, etc. Include acrylate-based compound. In addition, the compound having a structural unit having an ether bond will be described in detail in the section of the energy-curable compound containing an ether bond (B).

エネルギー線硬化性化合物(A2)は、通常は分子量が100〜30000、好ましくは300〜10000程度である。一般的に、アクリル系重合体(A1)100質量部に対し、エネルギー線硬化性化合物(A2)は10〜400質量部、好ましくは30〜350質量部程度の割合で用いられる。ここで、本実施形態におけるエネルギー線硬化性粘着成分(A)が、後述するエーテル結合含有エネルギー線硬化性化合物(B)を含有する場合、エーテル結合含有エネルギー線硬化性化合物(B)を含むエネルギー線硬化性化合物(A2)の合計使用量が上記範囲にあることが好ましい。   The energy ray-curable compound (A2) generally has a molecular weight of about 100 to 30,000, preferably about 300 to 10,000. In general, the energy ray-curable compound (A2) is used in a proportion of 10 to 400 parts by mass, preferably about 30 to 350 parts by mass, based on 100 parts by mass of the acrylic polymer (A1). Here, when the energy ray-curable pressure-sensitive adhesive component (A) in the present embodiment contains an ether bond-containing energy ray-curable compound (B) described later, the energy containing the ether bond-containing energy ray-curable compound (B) is used. It is preferable that the total use amount of the line-curable compound (A2) is within the above range.

また、エネルギー線硬化性粘着成分(A)が、後述する側鎖にエネルギー線硬化性基が導入されたアクリル系重合体(A3)と、エネルギー線硬化性化合物(A2)とを含有する場合には、当該アクリル系重合体(A3)100質量部に対して、エネルギー線硬化性化合物(A2)の含有量が上記の範囲であることが好ましい。さらに、エネルギー線硬化性粘着成分(A)が、上記アクリル系重合体(A1)と、側鎖にエネルギー線硬化性基が導入されたアクリル系重合体(A3)と、エネルギー線硬化性化合物(A2)とを含有する場合には、アクリル系重合体(A1)およびアクリル系重合体(A3)の合計量100質量部に対して、エネルギー線硬化性化合物(A2)の含有量が上記の範囲であることが好ましい。   Further, when the energy ray-curable pressure-sensitive adhesive component (A) contains an acrylic polymer (A3) having an energy ray-curable group introduced into a side chain described later and an energy ray-curable compound (A2). It is preferable that the content of the energy ray-curable compound (A2) is within the above range based on 100 parts by mass of the acrylic polymer (A3). Further, the energy ray-curable pressure-sensitive adhesive component (A) comprises the acrylic polymer (A1), an acrylic polymer (A3) having an energy ray-curable group introduced into a side chain, and an energy ray-curable compound ( A2), the content of the energy ray-curable compound (A2) is within the above range with respect to 100 parts by mass of the total amount of the acrylic polymer (A1) and the acrylic polymer (A3). It is preferred that

(1−3)側鎖にエネルギー線硬化性基が導入されたアクリル系重合体(A3)
本実施形態におけるエネルギー線硬化性粘着成分(A)が側鎖にエネルギー線硬化性基が導入されたアクリル系重合体(A3)を含有する場合、かかるアクリル系重合体(A3)は、粘着剤組成物にそのまま含有されていてもよく、また少なくともその一部が後述する架橋剤(D)と架橋反応を行って架橋物として含有されていてもよい。
(1-3) Acrylic polymer (A3) having an energy ray-curable group introduced into a side chain
When the energy-ray-curable pressure-sensitive adhesive component (A) in the present embodiment contains an acrylic polymer (A3) having an energy-ray-curable group introduced into a side chain, the acrylic polymer (A3) is a pressure-sensitive adhesive. The composition may be contained as it is, or at least a part thereof may be contained as a crosslinked product by performing a crosslinking reaction with a crosslinking agent (D) described later.

側鎖にエネルギー線硬化性基が導入されたアクリル系重合体(A3)の主骨格は特に限定はされず、前述のアクリル系重合体(A1)と同様のものが例示される。   The main skeleton of the acrylic polymer (A3) having an energy-ray-curable group introduced into a side chain is not particularly limited, and examples thereof include the same ones as the above-mentioned acrylic polymer (A1).

アクリル系重合体(A3)の側鎖に導入されるエネルギー線硬化性基は、例えばエネルギー線硬化性の炭素−炭素二重結合を含む基であり、具体的には(メタ)アクリロイル基等を例示することができる。エネルギー線硬化性基は、アルキレン基、アルキレンオキシ基、ポリアルキレンオキシ基等を介してアクリル系重合体(A3)に結合していてもよい。   The energy ray-curable group introduced into the side chain of the acrylic polymer (A3) is, for example, an energy ray-curable group containing a carbon-carbon double bond, and specifically includes a (meth) acryloyl group and the like. Examples can be given. The energy ray-curable group may be bonded to the acrylic polymer (A3) via an alkylene group, an alkyleneoxy group, a polyalkyleneoxy group, or the like.

側鎖にエネルギー線硬化性基が導入されたアクリル系重合体(A3)は、例えば、ヒドロキシ基、カルボキシル基、アミノ基、置換アミノ基、エポキシ基等の官能基を含有するアクリル系重合体と、当該官能基と反応する置換基およびエネルギー線硬化性炭素−炭素二重結合を1分子毎に1〜5個を有する硬化性基含有化合物とを反応させて得られる。かかるアクリル系重合体は、ヒドロキシ基、カルボキシル基、アミノ基、置換アミノ基、エポキシ基等の官能基を有する(メタ)アクリル酸エステルモノマーまたはその誘導体と、前述した成分(A1)を構成するモノマーとから共重合することで得られる。また、上記硬化性基含有化合物としては、(メタ)アクリロイルオキシエチルイソシアネート、メタ−イソプロペニル−α,α−ジメチルベンジルイソシアネート、(メタ)アクリロイルイソシアネート、アリルイソシアネート、グリシジル(メタ)アクリレート;(メタ)アクリル酸等が挙げられる。   The acrylic polymer (A3) having an energy ray-curable group introduced into its side chain is, for example, an acrylic polymer containing a functional group such as a hydroxy group, a carboxyl group, an amino group, a substituted amino group, or an epoxy group. The compound is obtained by reacting a substituent that reacts with the functional group and a curable group-containing compound having 1 to 5 energy ray-curable carbon-carbon double bonds per molecule. Such an acrylic polymer includes a (meth) acrylate monomer having a functional group such as a hydroxy group, a carboxyl group, an amino group, a substituted amino group, or an epoxy group or a derivative thereof, and a monomer constituting the component (A1) described above. And copolymerized from Examples of the curable group-containing compound include (meth) acryloyloxyethyl isocyanate, meta-isopropenyl-α, α-dimethylbenzyl isocyanate, (meth) acryloyl isocyanate, allyl isocyanate, glycidyl (meth) acrylate; and (meth) Acrylic acid and the like can be mentioned.

また、本実施形態における粘着剤層3を形成する粘着剤組成物が、後述する架橋剤(D)を含有する場合には、側鎖にエネルギー線硬化性基が導入されたアクリル系重合体(A3)は、架橋剤(D)と反応する反応性官能基を有することが好ましい。反応性官能基の種類は特に限定されず、前述したアクリル系重合体(A1)と同様のものを例示することができる。   In the case where the pressure-sensitive adhesive composition for forming the pressure-sensitive adhesive layer 3 in the present embodiment contains a crosslinking agent (D) described later, an acrylic polymer having an energy-ray-curable group introduced into a side chain ( A3) preferably has a reactive functional group that reacts with the crosslinking agent (D). The type of the reactive functional group is not particularly limited, and examples thereof include those similar to the acrylic polymer (A1) described above.

側鎖にエネルギー線硬化性基が導入されたアクリル系重合体(A3)の重量平均分子量(Mw)は、10万〜200万であることが好ましく、30万〜150万であることがより好ましい。   The weight average molecular weight (Mw) of the acrylic polymer (A3) having an energy ray-curable group introduced into a side chain is preferably from 100,000 to 2,000,000, more preferably from 300,000 to 1,500,000. .

また、アクリル系重合体(A3)のガラス転移温度(Tg)は、好ましくは−70〜30℃、より好ましくは−60〜20℃の範囲にある。なお、本明細書においてアクリル系重合体(A3)のガラス転移温度(Tg)は、硬化性基含有化合物と反応させる前のアクリル系重合体のものを指す。   The glass transition temperature (Tg) of the acrylic polymer (A3) is preferably in the range of -70 to 30C, more preferably in the range of -60 to 20C. In this specification, the glass transition temperature (Tg) of the acrylic polymer (A3) refers to that of the acrylic polymer before being reacted with the curable group-containing compound.

(2)エーテル結合を有する構成単位
本実施形態に係る粘着剤組成物は、エーテル結合を有する構成単位を含んでいる。エーテル結合を有する構成単位は、エーテル結合含有エネルギー線硬化性化合物(B)として粘着剤組成物に含まれるか、またはエネルギー線硬化性帯電防止ポリマー(C)の側鎖として粘着剤組成物に含まれる。
(2) Structural unit having an ether bond The pressure-sensitive adhesive composition according to the present embodiment includes a structural unit having an ether bond. The structural unit having an ether bond is contained in the pressure-sensitive adhesive composition as an energy bond-curable compound (B) containing an ether bond, or is contained in the pressure-sensitive adhesive composition as a side chain of the energy-ray-curable antistatic polymer (C). It is.

エーテル結合を有する構成単位は、エーテル結合の極性により、帯電防止性を発揮する。また、エーテル結合を有する構成単位は、エーテル結合含有エネルギー線硬化性化合物(B)として、またはエネルギー線硬化性帯電防止ポリマー(C)の側鎖として、粘着剤組成物に含まれるため、エネルギー線照射により、エネルギー線硬化性粘着成分(A)およびエネルギー線硬化性帯電防止ポリマー(C)と反応して架橋する。これにより、エネルギー線照射後に被着体を剥離したときに、被着体に付着する、エーテル結合を有する成分に由来のパーティクルの発生が少なくなり、被着体の汚染を抑制することができる。   The structural unit having an ether bond exhibits antistatic properties depending on the polarity of the ether bond. Further, since the structural unit having an ether bond is included in the pressure-sensitive adhesive composition as the energy bond-curable compound (B) containing an ether bond or as a side chain of the energy-ray-curable antistatic polymer (C), the energy ray By irradiation, it crosslinks by reacting with the energy ray-curable adhesive component (A) and the energy ray-curable antistatic polymer (C). Accordingly, when the adherend is peeled off after the irradiation with the energy beam, the generation of particles derived from the component having an ether bond, which adheres to the adherend, is reduced, and contamination of the adherend can be suppressed.

ここで、エーテル結合含有エネルギー線硬化性化合物(B)は、分子内にエーテル結合を有するとともに、エネルギー線硬化性基をも有するものであり、紫外線、電子線等のエネルギー線の照射を受けると重合する化合物である。すなわち、エーテル結合含有エネルギー線硬化性化合物(B)は、前述したエネルギー線硬化性化合物(A2)の概念に包含される。本実施形態においては、エネルギー線硬化性化合物(A2)として、エーテル結合含有エネルギー線硬化性化合物(B)に分類される1または2以上の化合物のみを用いてもよく、エーテル結合含有エネルギー線硬化性化合物(B)に分類される1または2以上の化合物と、エネルギー線硬化性化合物(A2)であってエーテル結合含有エネルギー線硬化性化合物(B)に分類されない(エーテル結合を有しない)1または2以上の化合物とを併用してもよい。   Here, the ether bond-containing energy ray-curable compound (B) has not only an ether bond in the molecule but also an energy ray-curable group, and is irradiated with energy rays such as ultraviolet rays and electron beams. It is a compound that polymerizes. That is, the energy ray-curable compound (B) containing an ether bond is included in the concept of the energy ray-curable compound (A2) described above. In the present embodiment, as the energy ray-curable compound (A2), only one or two or more compounds classified as the ether bond-containing energy ray-curable compound (B) may be used. One or two or more compounds classified as the hydrophilic compound (B) and the energy ray-curable compound (A2) which is not classified as the ether bond-containing energy ray-curable compound (B) (has no ether bond) 1 Alternatively, two or more compounds may be used in combination.

なお、本実施形態において、エーテル結合を有する構成単位は、エーテル結合含有エネルギー線硬化性化合物(B)として含まれるか、エネルギー線硬化性帯電防止ポリマー(C)の側鎖として含まれるものであるが、いずれか一方の形態で含まれてもよく、両方の形態で含まれてもよい。ここで、エーテル結合を有する構成単位がエーテル結合含有エネルギー線硬化性化合物(B)として含まれる場合、エーテル結合を有する構成単位が、粘着剤組成物から形成される粘着剤層3中にまんべんなく分布しやすいため、エネルギー線硬化性帯電防止ポリマー(C)の側鎖として含まれる場合よりも、帯電防止性能向上効果を発揮しやすい。   In the present embodiment, the structural unit having an ether bond is included as an ether bond-containing energy ray-curable compound (B) or as a side chain of the energy ray-curable antistatic polymer (C). May be included in any one form, or may be included in both forms. Here, when the structural unit having an ether bond is contained as the ether bond-containing energy ray-curable compound (B), the structural unit having an ether bond is uniformly distributed in the pressure-sensitive adhesive layer 3 formed from the pressure-sensitive adhesive composition. Therefore, the effect of improving the antistatic performance is more easily exhibited than when it is contained as a side chain of the energy ray-curable antistatic polymer (C).

また、エーテル結合を有する構成単位は、上記エネルギー線硬化性粘着成分(A)のうち、エネルギー線硬化性を有しないアクリル系重合体(A1)、または側鎖にエネルギー線硬化性基が導入されたアクリル系重合体(A3)に含まれていてもよい。ただし、アクリル系重合体(A1)および(A3)は、いずれも粘着剤層3に粘着性を付与する成分であり、これらがエーテル結合を有する構成単位を含まない場合、粘着剤層3における粘着性の設計がより容易になるため、より好ましい。例えば、半導体加工用シート1におけるエネルギー線照射前後での粘着力や、ダイシングしエネルギー線照射した後のチップのピックアップに要する力(例えば、後述する5mm□ピックアップ力)を所望の値に設定することがより容易になる。   In addition, the structural unit having an ether bond may be an acrylic polymer (A1) having no energy beam curability, or an energy beam curable group introduced into a side chain of the energy beam curable pressure-sensitive adhesive component (A). May be contained in the acrylic polymer (A3). However, the acrylic polymers (A1) and (A3) are components that impart tackiness to the pressure-sensitive adhesive layer 3, and when these do not contain a structural unit having an ether bond, the pressure-sensitive adhesive layer 3 has It is more preferable because the design of the sex becomes easier. For example, the adhesive strength of the semiconductor processing sheet 1 before and after the irradiation with the energy beam and the force required for picking up the chip after dicing and irradiating the energy beam (for example, a 5 mm square pickup force described later) are set to desired values. Becomes easier.

上記エーテル結合を有する構成単位としては、エチレンオキサイド単位、プロピレンオキサイド単位、ブチレンオキサイド単位、ペンテンオキサイド単位、ヘキセンオキサイド単位等のアルキレンオキサイド単位;メトキシ基、エトキシ基、ブトキシ基等のアルコキシ基;テトラヒドロフルフリル基等の環状エーテルを含む官能基;などが挙げられ、これらの中でもアルキレンオキサイド単位であることが好ましい。   Examples of the structural unit having an ether bond include an alkylene oxide unit such as an ethylene oxide unit, a propylene oxide unit, a butylene oxide unit, a pentene oxide unit, and a hexene oxide unit; an alkoxy group such as a methoxy group, an ethoxy group, and a butoxy group; A functional group containing a cyclic ether such as a furyl group; and the like, and among these, an alkylene oxide unit is preferable.

アルキレンオキサイド単位は、エーテル結合含有エネルギー線硬化性化合物(B)の分子量を大きくすることなく粘着剤組成物中のエーテル結合の存在量を増やすことができることから、炭素数1〜8程度であることが好ましく、炭素数1〜4程度であることがより好ましく、炭素数2のエチレンオキサイドであることが特に好ましい。   The alkylene oxide unit has about 1 to 8 carbon atoms since the abundance of the ether bond in the pressure-sensitive adhesive composition can be increased without increasing the molecular weight of the ether bond-containing energy ray-curable compound (B). It is more preferably about 1 to 4 carbon atoms, and particularly preferably ethylene oxide having 2 carbon atoms.

アルキレンオキサイド単位は、1個でもよいが、2以上の繰り返しで含まれていることが好ましく、繰り返し数は、2〜40であることがより好ましく、3〜30であることがさらに好ましい。アルキレンオキサイド単位が繰り返しで含まれることで、帯電防止性がより効果的に発揮される。ここで、アルキレンオキサイド単位がエーテル結合含有エネルギー線硬化性化合物(B)に含まれる場合、繰り返し数は2〜20であることが特に好ましい。一方、アルキレンオキサイド単位がエネルギー線硬化性帯電防止ポリマー(C)の側鎖として含まれる場合、繰り返し数は5〜40であることが特に好ましい。   The alkylene oxide unit may be one, but is preferably contained in two or more repetitions, and the number of repetitions is more preferably 2 to 40, further preferably 3 to 30. When the alkylene oxide unit is repeatedly contained, the antistatic property is more effectively exhibited. Here, when the alkylene oxide unit is included in the ether bond-containing energy ray-curable compound (B), the number of repetitions is particularly preferably 2 to 20. On the other hand, when the alkylene oxide unit is included as a side chain of the energy ray-curable antistatic polymer (C), the number of repetitions is particularly preferably 5 to 40.

エーテル結合を有する構成単位が、エーテル結合含有エネルギー線硬化性化合物(B)として粘着剤組成物に含まれる場合、かかる化合物(B)が有するエネルギー線硬化性基は、例えばエネルギー線硬化性の炭素−炭素二重結合を含む基であり、具体的には、(メタ)アクリロイル基およびビニル基等が挙げられ、中でも(メタ)アクリロイル基が好ましい。   When the structural unit having an ether bond is included in the pressure-sensitive adhesive composition as the energy bond-curable compound (B) containing an ether bond, the energy-ray-curable group of the compound (B) is, for example, an energy-ray-curable carbon. A group containing a carbon double bond, specifically, a (meth) acryloyl group and a vinyl group, among which a (meth) acryloyl group is preferable.

また、エーテル結合含有エネルギー線硬化性化合物(B)は、エネルギー線硬化性基を1以上有することで、エネルギー線照射後に上記エネルギー線硬化性粘着成分(A)等と反応することができるが、効果的に架橋構造を形成させる観点からは、エネルギー線硬化性基を2以上有していることが好ましい。   In addition, the ether bond-containing energy ray-curable compound (B) can react with the energy ray-curable pressure-sensitive adhesive component (A) or the like after irradiation with energy rays by having one or more energy ray-curable groups. From the viewpoint of effectively forming a crosslinked structure, it is preferable to have two or more energy ray-curable groups.

かかるエーテル結合含有エネルギー線硬化性化合物(B)としては、エーテル結合を有する構成単位およびエネルギー線硬化性基を有していれば特に限定されないが、例えば、テトラエチレングリコールジ(メタ)アクリレート等のポリアルキレングリコールと(メタ)アクリル酸とのエステルであるジアクリレート、エトキシ変性グリセリントリ(メタ)アクリレート、エトキシ変性ペンタエリスリトールテトラ(メタ)アクリレート、ポリエーテルポリオールとポリイソシアネートの反応物の末端に(メタ)アクリロイル基を付加させたウレタン(メタ)アクリレートなどを例示することができ、1種を単独でまたは2種以上を組み合わせて使用することができる。これらの中でも、テトラエチレングリコールジ(メタ)アクリレートが特に好ましい。   The ether bond-containing energy ray-curable compound (B) is not particularly limited as long as it has a structural unit having an ether bond and an energy ray-curable group, and examples thereof include tetraethylene glycol di (meth) acrylate and the like. Diacrylate, which is an ester of polyalkylene glycol and (meth) acrylic acid, ethoxy-modified glycerin tri (meth) acrylate, ethoxy-modified pentaerythritol tetra (meth) acrylate, and (meth) acrylate at the end of the reaction product of polyether polyol and polyisocyanate Examples thereof include urethane (meth) acrylate to which an acryloyl group has been added, and one type may be used alone or two or more types may be used in combination. Among these, tetraethylene glycol di (meth) acrylate is particularly preferred.

本実施形態の粘着剤組成物におけるエーテル結合含有エネルギー線硬化性化合物(B)の含有量は、3〜40質量%であることが好ましく、5〜30質量%であることが特に好ましく、8〜25質量%であることがさらに好ましい。   The content of the ether bond-containing energy ray-curable compound (B) in the pressure-sensitive adhesive composition of the present embodiment is preferably from 3 to 40% by mass, particularly preferably from 5 to 30% by mass, and preferably from 8 to 30% by mass. More preferably, it is 25% by mass.

また、エーテル結合含有エネルギー線硬化性化合物(B)(エネルギー線硬化性粘着成分(A)がエーテル結合を有しないエネルギー線硬化性化合物(A2)を含む場合には、エーテル結合含有エネルギー線硬化性化合物(B)とエーテル結合を有しないエネルギー線硬化性化合物(A2)との合計量)は、前述したエネルギー線硬化性化合物(A2)と同様に、アクリル系重合体(A1)等の100質量部に対し、10〜400質量部、好ましくは30〜350質量部程度の割合で用いられる。400質量部以下であることにより、エネルギー線照射前における粘着剤層3の凝集力が高く維持され、粘着剤層3が好ましい弾性を有するため、ダイシング時の振動の影響が抑制され、もってチッピング(チップ端部の欠け)の発生が効果的に抑制される。   In addition, when the energy beam-curable compound (B) containing an ether bond (the energy beam-curable adhesive component (A) contains an energy beam-curable compound (A2) having no ether bond, the energy beam-curable compound containing an ether bond is used. The total amount of the compound (B) and the energy ray-curable compound (A2) having no ether bond) is 100% by mass of the acrylic polymer (A1) or the like, similarly to the energy ray-curable compound (A2) described above. It is used at a ratio of about 10 to 400 parts by mass, preferably about 30 to 350 parts by mass with respect to parts. When the amount is 400 parts by mass or less, the cohesive force of the pressure-sensitive adhesive layer 3 before the energy ray irradiation is maintained at a high level, and the pressure-sensitive adhesive layer 3 has preferable elasticity. The occurrence of chipping at the chip end) is effectively suppressed.

ここで、エーテル結合含有エネルギー線硬化性化合物(B)の使用量(またはエーテル結合含有エネルギー線硬化性化合物(B)とエーテル結合を有しないエネルギー線硬化性化合物(A2)との合計使用量)は、アクリル系重合体(A1)または(A3)のいずれか一方を用いる場合には、アクリル系重合体(A1)または(A3)の100質量部に対する値であり、アクリル系重合体(A1)および(A3)を併用する場合には、アクリル系重合体(A1)および(A3)の合計量100質量部に対する値である。   Here, the used amount of the ether bond-containing energy ray-curable compound (B) (or the total used amount of the ether bond-containing energy ray-curable compound (B) and the energy ray-curable compound having no ether bond (A2)) Is the value with respect to 100 parts by mass of the acrylic polymer (A1) or (A3) when one of the acrylic polymer (A1) and (A3) is used, and the acrylic polymer (A1) When both (A3) and (A3) are used, the value is based on 100 parts by mass of the total amount of the acrylic polymers (A1) and (A3).

一方、エーテル結合を有する構成単位がエネルギー線硬化性帯電防止ポリマー(C)の側鎖として含まれる場合については、エネルギー線硬化性帯電防止ポリマー(C)の項にて詳述する。   On the other hand, the case where a structural unit having an ether bond is included as a side chain of the energy ray-curable antistatic polymer (C) will be described in detail in the section of the energy ray-curable antistatic polymer (C).

(3)エネルギー線硬化性帯電防止ポリマー(C)
本実施形態における粘着剤層3を形成する粘着剤組成物は、前述したエネルギー線硬化性粘着成分(A)に加えて、塩およびエネルギー線硬化性基を有するポリマー(C)(エネルギー線硬化性帯電防止ポリマー(C))を含有する。
(3) Energy ray-curable antistatic polymer (C)
The pressure-sensitive adhesive composition that forms the pressure-sensitive adhesive layer 3 in the present embodiment includes, in addition to the above-described energy-ray-curable pressure-sensitive adhesive component (A), a polymer having a salt and an energy-ray-curable group (C) (energy-ray-curable (Antistatic polymer (C)).

エネルギー線硬化性帯電防止ポリマー(C)は、塩(カチオン)を有することにより、帯電防止性を発揮する。また、さらにエーテル結合を有する構成単位を側鎖に有する場合、当該構成単位によっても帯電防止性を発揮することができる。エネルギー線硬化性帯電防止ポリマー(C)は、塩を主鎖または側鎖に有していればよいが、側鎖に有していることが好ましい。塩は、カチオンと、これに対するアニオンとから構成され、好ましくはオニウムカチオンと、これに対するアニオンとから構成される。かかる塩は、エネルギー線硬化性帯電防止ポリマー(C)に共有結合したカチオンとこれに対するアニオンとから構成されるものでもよく、エネルギー線硬化性帯電防止ポリマー(C)に共有結合したアニオンとこれに対するカチオンとから構成されるものでもよい。   The energy ray-curable antistatic polymer (C) exhibits an antistatic property by having a salt (cation). Further, when a structural unit having an ether bond is further provided in the side chain, the structural unit can also exhibit antistatic properties. The energy ray-curable antistatic polymer (C) may have a salt in the main chain or a side chain, but preferably has a salt in a side chain. The salt is composed of a cation and an anion thereof, preferably an onium cation and an anion thereof. Such a salt may be composed of a cation covalently bonded to the energy ray-curable antistatic polymer (C) and an anion thereof, or an anion covalently bonded to the energy ray-curable antistatic polymer (C) and a corresponding anion. And a cation.

塩としては、例えば、4級アンモニウム塩、ホスホニウム塩、スルホニウム塩、オキソニウム塩、ジアゾニウム塩、クロロニウム塩、ヨードニウム塩、ピリリウム塩等が挙げられる。これらは、1種を単独で使用することもできるし、2種以上を組み合わせて使用することもできる。なお、4級アンモニウム塩は、4級アンモニウムカチオンとこれに対するアニオンとから構成され、他の塩も同様に構成される。   Examples of the salts include quaternary ammonium salts, phosphonium salts, sulfonium salts, oxonium salts, diazonium salts, chloronium salts, iodonium salts, pyrylium salts and the like. One of these can be used alone, or two or more can be used in combination. The quaternary ammonium salt is composed of a quaternary ammonium cation and an anion thereof, and the other salts are similarly composed.

上記の中でも、帯電防止性能に優れた4級アンモニウム塩が特に好ましい。ここで、上記「4級アンモニウムカチオン」とは、窒素のオニウムカチオンを意味し、イミダゾリウム、ピリジウムのような複素環オニウムイオンを含む。4級アンモニウムカチオンとしては、アルキルアンモニウムカチオン(ここでいう「アルキル」は、炭素原子数1〜30の炭化水素基のほか、ヒドロキシアルキルおよびアルコキシアルキルで置換されているものを含む。);ピロリジニウムカチオン、ピロリウムカチオン、イミダゾリウムカチオン、ピラゾリウムカチオン、ピリジニウムカチオン、ピペリジニウムカチオン、ピペラジニウムカチオン等の複素単環カチオン;インドリウムカチオン、ベンズイミダゾリウムカチオン、カルバゾリウムカチオン、キノリニウムカチオン等の縮合複素環カチオン;などが挙げられる。いずれも、窒素原子および/または環に炭素原子数1〜30(例えば、炭素原子数1〜10)の炭化水素基、ヒドロキシアルキル基またはアルコキシアルキル基が結合しているものを含む。   Among the above, quaternary ammonium salts having excellent antistatic performance are particularly preferred. Here, the “quaternary ammonium cation” means an onium cation of nitrogen, and includes a heterocyclic onium ion such as imidazolium and pyridium. As the quaternary ammonium cation, an alkylammonium cation (herein, “alkyl” includes a hydrocarbon group having 1 to 30 carbon atoms, as well as those substituted with hydroxyalkyl and alkoxyalkyl); Heteromonocyclic cations such as a cation, a pyrium cation, an imidazolium cation, a pyrazolium cation, a pyridinium cation, a piperidinium cation, and a piperazinium cation; an indolium cation, a benzimidazolium cation, a carbazolium cation, Condensed heterocyclic cations such as a norinium cation; All include those in which a hydrocarbon group, a hydroxyalkyl group or an alkoxyalkyl group having 1 to 30 carbon atoms (for example, 1 to 10 carbon atoms) is bonded to a nitrogen atom and / or a ring.

上記アニオンとしては、ハロゲン原子を有するアニオンのほか、カルボン酸、スルホン酸、リン酸等のオキソ酸の誘導体(たとえば、硫酸水素、メタンスルホナート、エチルスルファート、ジメチルフォスフェート、2−(2−メトキシエトキシ)エチルスルファート、ジシアナミド等)などが挙げられるが、中でもハロゲン原子を有するアニオンが好ましい。具体的には、(FSO(ビス{(フルオロ)スルホニル}イミドアニオン)、(CFSO(ビス{(トリフルオロメチル)スルホニル}イミドアニオン)、(CSO(ビス{(ペンタフルオロエチル)スルホニル}イミドアニオン)、CFSO−N−COCF 、R−SO−N−SOCF (Rは脂肪族基)、ArSO−N−SOCF (Arは芳香族基)等の窒素原子を有するアニオン;C2n+1CO (nは1〜4の整数)、(CFSO、C2n+1SO (nは1〜4の整数)、BF 、PF など、ハロゲン原子としてフッ素原子を有するアニオンが好ましく例示される。これらの中でも、ビス{(フルオロ)スルホニル}イミドアニオン、ビス{(トリフルオロメチル)スルホニル}イミドアニオン、ビス{(ペンタフルオロエチル)スルホニル}イミドアニオン、2,2,2−トリフルオロ−N−{(トリフルオロメチル)スルホニル)}アセトイミドアニオン、テトラフルオロボレートアニオン、およびヘキサフロオロフォスフェートアニオンが特に好ましい。Examples of the anion include, in addition to an anion having a halogen atom, derivatives of oxo acids such as carboxylic acid, sulfonic acid, and phosphoric acid (for example, hydrogen sulfate, methanesulfonate, ethyl sulfate, dimethyl phosphate, 2- (2- Methoxyethoxy) ethyl sulfate, dicyanamide and the like, among which anions having a halogen atom are preferable. Specifically, (FSO 2) 2 N - ( bis {(fluoro) sulfonyl} imide anion), (CF 3 SO 2) 2 N - ( bis {(trifluoromethyl) sulfonyl} imide anion), (C 2 F 5 SO 2) 2 N - ( bis {(pentafluoroethyl) sulfonyl} imide anion), CF 3 SO 2 -N- COCF 3 -, R-SO 2 -N-SO 2 CF 3 - (R is an aliphatic Anion having a nitrogen atom such as a group), ArSO 2 —N—SO 2 CF 3 (Ar is an aromatic group); C n F 2n + 1 CO 2 (n is an integer of 1 to 4), (CF 3 SO 2 ) 3 C -, C n F 2n + 1 SO 3 - (n is an integer of 1 to 4), BF 4 -, PF 6 - , etc., anion having a fluorine atom is preferably exemplified as a halogen atom. Among these, bis {(fluoro) sulfonyl} imide anion, bis {(trifluoromethyl) sulfonyl} imide anion, bis {(pentafluoroethyl) sulfonyl} imide anion, 2,2,2-trifluoro-N-} (Trifluoromethyl) sulfonyl)} acetimide anion, tetrafluoroborate anion, and hexafluorophosphate anion are particularly preferred.

また、エネルギー線硬化性帯電防止ポリマー(C)は、側鎖にエネルギー線硬化性基を有することにより、粘着剤層3に対してエネルギー線を照射したときに、エネルギー線硬化性帯電防止ポリマー(C)同士、またはエネルギー線硬化性帯電防止ポリマー(C)と前述したエネルギー線硬化性粘着成分(A)とが反応して架橋する。そのため、エネルギー線硬化性帯電防止ポリマー(C)の粘着剤層3からのブリードアウトが抑制されるとともに、半導体加工用シート1を剥離したときに粘着剤の残渣物(パーティクル)が発生し難く、被着体の汚染を抑制することができる。   Further, the energy ray-curable antistatic polymer (C) has an energy ray-curable group in a side chain, so that the energy ray-curable antistatic polymer ( C), or the energy ray-curable antistatic polymer (C) reacts with the above-mentioned energy ray-curable pressure-sensitive adhesive component (A) to crosslink. Therefore, bleed-out of the energy ray-curable antistatic polymer (C) from the pressure-sensitive adhesive layer 3 is suppressed, and residue (particles) of the pressure-sensitive adhesive is not easily generated when the semiconductor processing sheet 1 is peeled off. The contamination of the adherend can be suppressed.

エネルギー線硬化性基は、例えばエネルギー線硬化性の炭素−炭素二重結合を含む基である。具体的には、(メタ)アクリロイル基およびビニル基等が挙げられ、中でも(メタ)アクリロイル基、特にメタクリロイル基が好ましい。   The energy ray-curable group is, for example, an energy ray-curable group containing a carbon-carbon double bond. Specific examples include a (meth) acryloyl group and a vinyl group. Among them, a (meth) acryloyl group, particularly a methacryloyl group is preferable.

エネルギー線硬化性帯電防止ポリマー(C)の単位質量あたりのエネルギー線硬化性基の含有量は、5×10−5〜2×10−3モル/gであることが好ましく、1×10−4〜1.5×10−3モル/gであることが特に好ましく、3×10−4〜1×10−3モル/gであることがさらに好ましい。エネルギー線硬化性基の含有量が5×10−5モル/g以上であることにより、エネルギー線照射によりエネルギー線硬化性帯電防止ポリマー(C)同士、またはエネルギー線硬化性帯電防止ポリマー(C)とエネルギー線硬化性粘着成分(A)との架橋が十分なものとなり、粘着剤層3による被着体の汚染を効果的に抑制することができる。また、エネルギー線硬化性基の含有量が2×10−3モル/g以下であることにより、エネルギー線により粘着剤層を硬化した際の硬化が過度とならず、硬化後において被着体との間の意図しない剥離が抑制される。The content of the energy ray-curable group per unit mass of the energy ray-curable antistatic polymer (C) is preferably 5 × 10 −5 to 2 × 10 −3 mol / g, and preferably 1 × 10 −4. The amount is particularly preferably from 1.5 × 10 −3 mol / g to 3 × 10 −4 to 1 × 10 −3 mol / g. When the content of the energy ray-curable group is 5 × 10 −5 mol / g or more, the energy ray-curable antistatic polymers (C) by energy ray irradiation, or the energy ray-curable antistatic polymer (C) The crosslinking between the adhesive and the energy ray-curable pressure-sensitive adhesive component (A) is sufficient, and contamination of the adherend by the pressure-sensitive adhesive layer 3 can be effectively suppressed. In addition, when the content of the energy ray-curable group is 2 × 10 −3 mol / g or less, the curing when the pressure-sensitive adhesive layer is cured by the energy ray is not excessive, and the adherend and the adherend after curing are not excessively hardened. Unintended peeling during is suppressed.

また、エネルギー線硬化性帯電防止ポリマー(C)は、さらにエーテル結合を有する構成単位を側鎖に有していてもよい。この場合において、エーテル結合を有する構成単位としては、アルキレンオキサイド単位をはじめとして上記(2)で挙げたのと同様のものを例示することができ、アルキレンオキサイド単位の繰り返しについても上記(2)で述べた通りである。   The energy ray-curable antistatic polymer (C) may further have a structural unit having an ether bond in a side chain. In this case, as the structural unit having an ether bond, the same units as those described in the above (2) including the alkylene oxide unit can be exemplified. As mentioned.

本実施形態におけるエネルギー線硬化性帯電防止ポリマー(C)は、例えば、塩を有する重合性モノマー、特に4級アンモニウム塩を有する重合性モノマー(以下「4級アンモニウム塩モノマー(C1)」ということがある。)と、反応性官能基を有する重合性モノマー(以下「反応性官能基含有モノマー(C2)」ということがある。)と、所望によりエーテル結合を有する重合性モノマー(以下「エーテル結合含有モノマー(C3)」ということがある。)および他の重合性モノマー(C4)とを共重合させた後、上記反応性官能基と反応する置換基およびエネルギー線硬化性基を有する硬化性基含有化合物(C5)とを反応させることにより得られるものが好ましいが、これに限定されるものではない。   The energy ray-curable antistatic polymer (C) in the present embodiment is, for example, a polymerizable monomer having a salt, particularly a polymerizable monomer having a quaternary ammonium salt (hereinafter, referred to as “quaternary ammonium salt monomer (C1)”). ), A polymerizable monomer having a reactive functional group (hereinafter sometimes referred to as a “reactive functional group-containing monomer (C2)”), and a polymerizable monomer having an ether bond as required (hereinafter referred to as a “ether bond-containing monomer”). Monomer (C3) ") and a copolymerizable monomer (C4), and then containing a curable group having a substituent that reacts with the reactive functional group and an energy ray-curable group. A compound obtained by reacting with compound (C5) is preferable, but not limited thereto.

上記4級アンモニウム塩モノマー(C1)は、重合性基と、4級アンモニウムカチオンおよびこれに対するアニオンで構成される塩とを有するものであり、好ましくは、重合性基を有する4級アンモニウムカチオンおよびこれに対するアニオンで構成される塩からなる。重合性基としては、例えば、(メタ)アクリロイル基、ビニル基、アリル基等の炭素−炭素不飽和基、エポキシ基、オキセタン基等を有する環状エーテル類、テトラヒドロチオフェン等の環状スルフィド類やイソシアネート基などが挙げられ、中でも(メタ)アクリロイル基およびビニル基が好ましい。   The quaternary ammonium salt monomer (C1) has a polymerizable group and a salt composed of a quaternary ammonium cation and an anion thereof, and is preferably a quaternary ammonium cation having a polymerizable group. Consisting of a salt composed of an anion to Examples of the polymerizable group include a cyclic ether having a carbon-carbon unsaturated group such as a (meth) acryloyl group, a vinyl group and an allyl group, an epoxy group and an oxetane group, a cyclic sulfide such as tetrahydrothiophene, and an isocyanate group. And the like, and among them, a (meth) acryloyl group and a vinyl group are preferable.

上記重合性基を有する4級アンモニウムカチオンとしては、例えば、トリアルキルアミノエチル(メタ)アクリレートアンモニウムカチオン、トリアルキルアミノプロピル(メタ)アクリルアミドアンモニウムカチオン、1−アルキル−3−ビニルイミダゾリウムカチオン、4−ビニル−1−アルキルピリジニウムカチオン、1−(4−ビニルベンジル)−3−アルキルイミダゾリウムカチオン、1−(ビニルオキシエチル)−3−アルキルイミダゾリウムカチオン、1−ビニルイミダゾリウムカチオン、1−アリルイミダゾリウムカチオン、N−アルキル−N−アリルアンモニウムカチオン、1−ビニル−3−アルキルイミダゾリウムカチオン、1−グリシジル−3−アルキル−イミダゾリウムカチオン、N−アリル−N−アルキルピロリジニウムカチオン、4級ジアリルジアルキルアンモニウムカチオン等が挙げられる(ここでいう「アルキル」とは炭素原子数1〜10の炭化水素基をいう。)。これらの中でも、トリアルキルアミノエチル(メタ)アクリレートアンモニウムカチオン(=[2−(メタクリロイルオキシ)エチル]トリアルキルアンモニウムカチオン)が好ましい。   Examples of the quaternary ammonium cation having a polymerizable group include a trialkylaminoethyl (meth) acrylate ammonium cation, a trialkylaminopropyl (meth) acrylamide ammonium cation, a 1-alkyl-3-vinylimidazolium cation, and a 4-alkylammonium cation. Vinyl-1-alkylpyridinium cation, 1- (4-vinylbenzyl) -3-alkylimidazolium cation, 1- (vinyloxyethyl) -3-alkylimidazolium cation, 1-vinylimidazolium cation, 1-allylimidazo Lium cation, N-alkyl-N-allylammonium cation, 1-vinyl-3-alkylimidazolium cation, 1-glycidyl-3-alkyl-imidazolium cation, N-allyl-N-alkylpyrroli Cation, (meaning a hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms and herein "alkyl".) That quaternary diallyl dialkyl ammonium cations and the like. Among these, a trialkylaminoethyl (meth) acrylate ammonium cation (= [2- (methacryloyloxy) ethyl] trialkyl ammonium cation) is preferable.

上記4級アンモニウム塩モノマー(C1)としては、上記重合性基を有する4級アンモニウムカチオンと上記アニオンとから構成される塩であればよく、例えば、[2−(メタクリロイルオキシ)エチル]トリメチルアンモニウム ビス(トリフルオロメチルスルホニル)イミド等が挙げられる。なお、4級アンモニウム塩モノマー(C1)は、1種又は2種以上で使用することができる。   The quaternary ammonium salt monomer (C1) may be a salt composed of the quaternary ammonium cation having the polymerizable group and the anion. For example, [2- (methacryloyloxy) ethyl] trimethylammonium bis (Trifluoromethylsulfonyl) imide and the like. The quaternary ammonium salt monomer (C1) can be used alone or in combination of two or more.

エネルギー線硬化性帯電防止ポリマー(C)は、当該ポリマー(C)全体の質量に占める4級アンモニウム塩モノマー(C1)由来の構造部分の質量の割合が、20〜80質量%であることが好ましく、25〜75質量%であることが特に好ましく、35〜60質量%であることがさらに好ましい。4級アンモニウム塩モノマー(C1)由来の構造部分の質量の割合が20質量%以上であることにより、エネルギー線硬化性帯電防止ポリマー(C)が十分な帯電防止性を発揮する。一方、4級アンモニウム塩モノマー(C1)由来の構造部分の質量の割合が80質量%以下であることで、他のモノマーに由来する構造部分の質量の割合を好ましい範囲に制御することができる。   In the energy ray-curable antistatic polymer (C), the proportion of the mass of the structural portion derived from the quaternary ammonium salt monomer (C1) in the total mass of the polymer (C) is preferably from 20 to 80% by mass. The content is particularly preferably from 25 to 75% by mass, and more preferably from 35 to 60% by mass. When the mass ratio of the structural portion derived from the quaternary ammonium salt monomer (C1) is 20% by mass or more, the energy ray-curable antistatic polymer (C) exhibits a sufficient antistatic property. On the other hand, when the proportion of the mass of the structural portion derived from the quaternary ammonium salt monomer (C1) is 80% by mass or less, the proportion of the mass of the structural portion derived from another monomer can be controlled to a preferable range.

上記反応性官能基含有モノマー(C2)としては、(メタ)アクリル酸の他、カルボキシル基、ヒドロキシ基、アミノ基、置換アミノ基、エポキシ基等の官能基を有する(メタ)アクリル酸エステルモノマーが挙げられ、中でも(メタ)アクリル酸が好ましい。   Examples of the reactive functional group-containing monomer (C2) include (meth) acrylic acid ester monomers having a functional group such as a carboxyl group, a hydroxy group, an amino group, a substituted amino group, and an epoxy group, in addition to (meth) acrylic acid. Among them, (meth) acrylic acid is preferable.

エネルギー線硬化性帯電防止ポリマー(C)は、当該ポリマー(C)の全体の質量に占める上記反応性官能基含有モノマー(C2)由来の構造部分の質量の割合が、1〜35質量%であることが好ましく、3〜20質量%であることが特に好ましく、3〜10質量%であることがさらに好ましい。反応性官能基含有モノマー(C2)由来の構造部分の質量の割合が上記範囲にあることにより、上記硬化性基含有化合物(C5)に基づくエネルギー線硬化性基のエネルギー線硬化性帯電防止ポリマー(C)に対する導入量を好ましい範囲に制御することができる。   In the energy ray-curable antistatic polymer (C), the ratio of the mass of the structural portion derived from the reactive functional group-containing monomer (C2) to the total mass of the polymer (C) is 1 to 35% by mass. It is particularly preferably 3 to 20% by mass, and more preferably 3 to 10% by mass. When the mass ratio of the structural portion derived from the reactive functional group-containing monomer (C2) is within the above range, the energy ray-curable antistatic polymer of the energy ray-curable group based on the curable group-containing compound (C5) ( The amount introduced into C) can be controlled in a preferable range.

また、エネルギー線硬化性帯電防止ポリマー(C)が、エーテル結合を有する構成単位を側鎖に有する場合、エーテル結合含有モノマー(C3)をさらに用いる。エーテル結合含有モノマー(C3)としては、エーテル結合を有する(メタ)アクリレートを使用すればよい。エーテル結合を有する(メタ)アクリレートとしては、例えば、メトキシエチル(メタ)アクリレート、エトキシエチル(メタ)アクリレート、フェノキシエチル(メタ)アクリレート、テトラヒドロフルフリル(メタ)アクリレート、(2−メチル−2−エチル−1,3−ジオキソラン−4−イル)メチル(メタ)アクリレート、(3−エチルオキセタン−3−イル)メチル(メタ)アクリレート等のエーテル結合を有する構成単位を一つ有する(メタ)アクリレート;エトキシエトキシエチル(メタ)アクリレート、エトキシジエチレングリコール(メタ)アクリレート、メトキシトリエチレングリコール(メタ)アクリレート、メトキシポリエチレングリコール(メタ)アクリレート等のエチレングリコール単位の繰り返し数が2〜40であるエチレングリコール(メタ)アクリレート;プロピレングルコール単位の繰り返し数が2〜40であるプロピレングルコール(メタ)アクリレート;などを例示することができ、1種を単独でまたは2種以上を組み合わせて使用することができる。これらの中でも、エチレングリコール単位の繰り返し数が2〜40であるエチレングリコール(メタ)アクリレート、プロピレングルコール単位の繰り返し数が2〜40であるプロピレングルコール(メタ)アクリレート等のアルキレングリコール単位の繰り返し数が2〜40のアルキレングリコール(メタ)アクリレートが好ましく、エチレングリコール単位の繰り返し数が2〜40のエチレングリコール(メタ)アクリレートが特に好ましい。   When the energy ray-curable antistatic polymer (C) has a structural unit having an ether bond in a side chain, an ether bond-containing monomer (C3) is further used. As the ether bond-containing monomer (C3), a (meth) acrylate having an ether bond may be used. As the (meth) acrylate having an ether bond, for example, methoxyethyl (meth) acrylate, ethoxyethyl (meth) acrylate, phenoxyethyl (meth) acrylate, tetrahydrofurfuryl (meth) acrylate, (2-methyl-2-ethyl) (Meth) acrylate having one structural unit having an ether bond, such as -1,3-dioxolan-4-yl) methyl (meth) acrylate and (3-ethyloxetane-3-yl) methyl (meth) acrylate; ethoxy; The repeating number of ethylene glycol units such as ethoxyethyl (meth) acrylate, ethoxydiethylene glycol (meth) acrylate, methoxytriethylene glycol (meth) acrylate, and methoxypolyethylene glycol (meth) acrylate is 2 to 4. Ethylene glycol (meth) acrylate; propylene glycol (meth) acrylate in which the number of repeating propylene glycol units is 2 to 40; and the like, and one type alone or two or more types in combination. Can be used. Among these, repetition of alkylene glycol units such as ethylene glycol (meth) acrylate in which the number of repeating ethylene glycol units is 2 to 40, and propylene glycol (meth) acrylate in which the number of repeating propylene glycol units is 2 to 40 Alkylene glycol (meth) acrylate having a number of 2 to 40 is preferred, and ethylene glycol (meth) acrylate having a repeating number of ethylene glycol units of 2 to 40 is particularly preferred.

エネルギー線硬化性帯電防止ポリマー(C)は、当該ポリマー(C)の全体の質量に占める上記エーテル結合含有モノマー(C3)由来の構造部分の質量の割合が、5〜70質量%であることが好ましく、10〜50質量%であることが特に好ましく、15〜40質量%であることがさらに好ましい。エーテル結合含有モノマー(C3)由来の構造部分の質量の割合が上記範囲にあることにより、粘着剤層3に帯電防止性能向上効果がより得られやすくなる。   In the energy ray-curable antistatic polymer (C), the ratio of the mass of the structural portion derived from the ether bond-containing monomer (C3) to the total mass of the polymer (C) is preferably 5 to 70% by mass. Preferably, it is particularly preferably from 10 to 50% by mass, and more preferably from 15 to 40% by mass. When the proportion of the mass of the structural portion derived from the ether bond-containing monomer (C3) is within the above range, the pressure-sensitive adhesive layer 3 can more easily obtain the effect of improving antistatic performance.

エネルギー線硬化性帯電防止ポリマー(C)は、当該ポリマー(C)を構成するモノマー単位として、上記他の重合性モノマー(C4)、特にアクリル系の重合性モノマーを含有することが好ましく、主成分として含有することがより好ましい。かかる他の重合性モノマー(C4)としては、(メタ)アクリル酸エステルが好ましく挙げられる。(メタ)アクリル酸エステルとしては、例えば、メチル(メタ)アクリレート、エチル(メタ)アクリレート、プロピル(メタ)アクリレート、ブチル(メタ)アクリレート、2−エチルヘキシル(メタ)アクリレート等の鎖状骨格を有する(メタ)アクリレート;シクロへキシル(メタ)アクリレート、ベンジル(メタ)アクリレート、イソボルニル(メタ)アクリレート、ジシクロペンタニル(メタ)アクリレート、テトラヒドロフルフリル(メタ)アクリレート、イミドアクリレート等の環状骨格を有する(メタ)アクリレートなどが挙げられる。なお、(メタ)アクリル酸エステルが(メタ)アクリル酸アルキルエステルである場合には、そのアルキル基の炭素数は1〜18の範囲であることが好ましい。   The energy ray-curable antistatic polymer (C) preferably contains the other polymerizable monomer (C4), particularly an acrylic polymerizable monomer, as a monomer unit constituting the polymer (C). More preferably, it is contained. As such another polymerizable monomer (C4), a (meth) acrylate ester is preferably exemplified. The (meth) acrylic acid ester has, for example, a chain skeleton such as methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, propyl (meth) acrylate, butyl (meth) acrylate, and 2-ethylhexyl (meth) acrylate ( (Meth) acrylate; having a cyclic skeleton such as cyclohexyl (meth) acrylate, benzyl (meth) acrylate, isobornyl (meth) acrylate, dicyclopentanyl (meth) acrylate, tetrahydrofurfuryl (meth) acrylate, or imide acrylate ( (Meth) acrylate and the like. When the (meth) acrylate is an alkyl (meth) acrylate, the alkyl group preferably has 1 to 18 carbon atoms.

上記硬化性基含有化合物(C5)としては、アクリル系重合体(A3)にて例示した硬化性基含有化合物と同様のものを例示することができる。この硬化性基含有化合物(C5)としては、グリシジル(メタ)アクリレート、(メタ)アクリロイルオキシエチルイソシアネート等が好ましく、特にグリシジル(メタ)アクリレートが好ましい。   As the curable group-containing compound (C5), those similar to the curable group-containing compound exemplified for the acrylic polymer (A3) can be exemplified. As the curable group-containing compound (C5), glycidyl (meth) acrylate, (meth) acryloyloxyethyl isocyanate and the like are preferable, and glycidyl (meth) acrylate is particularly preferable.

ここで、硬化性基含有化合物(C5)と、上記反応性官能基含有モノマー(C2)とは、モル当量が等量程度となるように反応させることが好ましい。   Here, the curable group-containing compound (C5) and the reactive functional group-containing monomer (C2) are preferably reacted so that their molar equivalents are about equivalent.

エネルギー線硬化性帯電防止ポリマー(C)の重量平均分子量は、500〜20万であることが好ましく、800〜10万であることが特に好ましく、800〜5万であることがさらに好ましい。エネルギー線硬化性帯電防止ポリマー(C)の重量平均分子量が500以上であると、本実施形態に係る半導体加工用シート1を被着体に貼付したときに、エネルギー線硬化性帯電防止ポリマー(C)の粘着剤層3からのブリードアウトを効果的に抑制することができる。また、エネルギー線硬化性帯電防止ポリマー(C)の重量平均分子量が20万以下であれば、粘着剤層3の粘着性に悪影響を及ぼすおそれがない。具体的には、イオン性のエネルギー線硬化性帯電防止ポリマー(C)の分子鎖は広がる傾向があるが、それが抑制されて、粘着剤層3が硬くならずに良好な粘着性を示し、半導体ウェハの保持性能が維持される。   The weight average molecular weight of the energy ray-curable antistatic polymer (C) is preferably from 500 to 200,000, particularly preferably from 800 to 100,000, further preferably from 800 to 50,000. When the weight-average molecular weight of the energy ray-curable antistatic polymer (C) is 500 or more, the energy beam-curable antistatic polymer (C) can be obtained when the semiconductor processing sheet 1 according to the present embodiment is attached to an adherend. Bleed-out from the pressure-sensitive adhesive layer 3) can be effectively suppressed. In addition, when the weight average molecular weight of the energy ray-curable antistatic polymer (C) is 200,000 or less, there is no possibility that the adhesiveness of the adhesive layer 3 is adversely affected. Specifically, the molecular chain of the ionic energy ray-curable antistatic polymer (C) tends to spread, but this is suppressed, and the pressure-sensitive adhesive layer 3 exhibits good tackiness without becoming hard, The holding performance of the semiconductor wafer is maintained.

なお、本明細書において、エネルギー線硬化性帯電防止ポリマー(C)の重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)法により測定した標準ポリメチルメタクリレート換算の値であり、測定方法の詳細は後述する実施例にて示す。   In the present specification, the weight average molecular weight of the energy ray-curable antistatic polymer (C) is a value in terms of standard polymethyl methacrylate measured by a gel permeation chromatography (GPC) method. This will be described in an embodiment described later.

本実施形態の粘着剤組成物におけるエネルギー線硬化性帯電防止ポリマー(C)の含有量は、0.5〜65質量%であることが好ましく、10〜50質量%であることが特に好ましく、13〜30質量%であることがさらに好ましい。エネルギー線硬化性帯電防止ポリマー(C)の配合量が0.5質量%以上であることにより、粘着剤層3に帯電防止性が十分に付与される。また、エネルギー線硬化性帯電防止ポリマー(C)の配合量が65質量%以下であることにより、エネルギー線照射前における粘着剤層3の凝集力が高く維持され、粘着剤層3が好ましい弾性を有するため、ダイシング時の振動の影響が抑制され、もってチッピング(チップ端部の欠け)の発生が効果的に抑制される。   The content of the energy ray-curable antistatic polymer (C) in the pressure-sensitive adhesive composition of the present embodiment is preferably 0.5 to 65% by mass, particularly preferably 10 to 50% by mass, and 13 More preferably, it is 30% by mass. When the compounding amount of the energy ray-curable antistatic polymer (C) is 0.5% by mass or more, the pressure-sensitive adhesive layer 3 is sufficiently imparted with antistatic properties. Further, when the amount of the energy ray-curable antistatic polymer (C) is 65% by mass or less, the cohesive force of the pressure-sensitive adhesive layer 3 before the energy ray irradiation is maintained high, and the pressure-sensitive adhesive layer 3 has preferable elasticity. As a result, the influence of vibration during dicing is suppressed, and the occurrence of chipping (chip chipping) is effectively suppressed.

本実施形態における粘着剤組成物が前述したエネルギー線硬化性化合物(A2)を含有する場合、本実施形態における粘着剤組成物は、エネルギー線硬化性化合物(A2)およびエネルギー線硬化性帯電防止ポリマー(C)の合計含有量が10〜75質量%であることが好ましく、15〜60質量%であることが特に好ましく、18〜40質量%であることがさらに好ましい。エネルギー線硬化性化合物(A2)およびエネルギー線硬化性帯電防止ポリマー(C)の合計含有量が10質量%以上であることで、粘着剤層3に帯電防止性が十分に付与される。また、当該合計含有量が75質量%以下であることで、粘着剤層3の凝集力が高く維持され、チッピングの発生が効果的に抑制される。   When the pressure-sensitive adhesive composition according to the present embodiment contains the above-described energy-ray-curable compound (A2), the pressure-sensitive adhesive composition according to the present embodiment includes an energy-ray-curable compound (A2) and an energy-ray-curable antistatic polymer. The total content of (C) is preferably from 10 to 75% by mass, particularly preferably from 15 to 60% by mass, and further preferably from 18 to 40% by mass. When the total content of the energy ray-curable compound (A2) and the energy ray-curable antistatic polymer (C) is 10% by mass or more, the pressure-sensitive adhesive layer 3 is sufficiently imparted with antistatic properties. When the total content is 75% by mass or less, the cohesive force of the pressure-sensitive adhesive layer 3 is maintained high, and the occurrence of chipping is effectively suppressed.

(4)粘着剤組成物における各成分の配合の態様
本実施形態において、エーテル結合を有する構成単位は、エーテル結合含有エネルギー線硬化性化合物(B)として、またはエネルギー線硬化性帯電防止ポリマー(C)の側鎖として、粘着剤組成物に含まれる。
(4) Aspect of Compounding Each Component in Pressure-Sensitive Adhesive Composition In the present embodiment, the structural unit having an ether bond is an energy-curable compound (B) containing an ether bond or an energy-curable antistatic polymer (C) ) Is included in the pressure-sensitive adhesive composition.

エーテル結合を有する構成単位がエーテル結合含有エネルギー線硬化性化合物(B)として粘着剤組成物に含まれる場合、かかる粘着剤組成物の例として:アクリル系重合体(A1)と、エーテル結合を有しないエネルギー線硬化性化合物(A2)と、エーテル結合含有エネルギー線硬化性化合物(B)(エネルギー線硬化性化合物(A2)としても作用する)と、エネルギー線硬化性帯電防止ポリマー(C)とを含有する粘着剤組成物;アクリル系重合体(A1)と、エーテル結合含有エネルギー線硬化性化合物(B)(エネルギー線硬化性化合物(A2)としても作用する)と、エネルギー線硬化性帯電防止ポリマー(C)とを含有する粘着剤組成物;アクリル系重合体(A3)と、エーテル結合含有エネルギー線硬化性化合物(B)(エネルギー線硬化性化合物(A2)としても作用する)と、エネルギー線硬化性帯電防止ポリマー(C)とを含有する粘着剤組成物;などが挙げられる。なお、エネルギー線硬化性帯電防止ポリマー(C)は、エーテル結合を有する構成単位を側鎖に有していてもよい。   When the structural unit having an ether bond is contained in the pressure-sensitive adhesive composition as the energy bond-curable compound containing an ether bond (B), examples of such a pressure-sensitive adhesive composition include: an acrylic polymer (A1) and a resin having an ether bond. An energy ray-curable compound (A2), an energy ray-curable compound (B) (which also acts as an energy ray-curable compound (A2)) and an energy ray-curable antistatic polymer (C) Acrylic polymer (A1), ether bond-containing energy ray-curable compound (B) (which also acts as energy ray-curable compound (A2)), and energy ray-curable antistatic polymer (C) a pressure-sensitive adhesive composition; an acrylic polymer (A3) and an ether bond-containing energy ray-curable compound (B) ( Energy ray curable compound and also acts as (A2)), the pressure-sensitive adhesive composition containing an energy ray-curable antistatic polymer (C); and the like. The energy ray-curable antistatic polymer (C) may have a structural unit having an ether bond in a side chain.

一方、エーテル結合を有する構成単位がエネルギー線硬化性帯電防止ポリマー(C)の側鎖として粘着剤組成物に含まれる場合、かかる粘着剤組成物の例として:アクリル系重合体(A1)と、エネルギー線硬化性化合物(A2)と、エーテル結合を有する構成単位を側鎖に有するエネルギー線硬化性帯電防止ポリマー(C)とを含有する粘着剤組成物;アクリル系重合体(A3)と、エーテル結合を有する構成単位を側鎖に有するエネルギー線硬化性帯電防止ポリマー(C)とを含有する粘着剤組成物;などが挙げられる。なお、かかる粘着剤組成物は、エーテル結合含有エネルギー線硬化性化合物(B)をさらに含有してもよい。   On the other hand, when a structural unit having an ether bond is included in the pressure-sensitive adhesive composition as a side chain of the energy ray-curable antistatic polymer (C), examples of such a pressure-sensitive adhesive composition include: an acrylic polymer (A1); An adhesive composition containing an energy ray-curable compound (A2) and an energy ray-curable antistatic polymer (C) having a structural unit having an ether bond in a side chain; an acrylic polymer (A3); A pressure-sensitive adhesive composition containing an energy ray-curable antistatic polymer (C) having a structural unit having a bond in a side chain; and the like. In addition, such a pressure-sensitive adhesive composition may further contain an ether bond-containing energy ray-curable compound (B).

(5)架橋剤(D)
本実施形態における粘着剤層3を形成する粘着剤組成物は、前述したように、アクリル系重合体(A1)と反応し得る架橋剤(D)を含有してもよい。この場合には、本実施形態における粘着剤層3は、アクリル系重合体(A1)と架橋剤(D)との架橋反応により得られた架橋物を含有する。
(5) Crosslinking agent (D)
As described above, the pressure-sensitive adhesive composition forming the pressure-sensitive adhesive layer 3 in the present embodiment may contain a crosslinking agent (D) that can react with the acrylic polymer (A1). In this case, the pressure-sensitive adhesive layer 3 in the present embodiment contains a crosslinked product obtained by a crosslinking reaction between the acrylic polymer (A1) and the crosslinking agent (D).

架橋剤(D)の種類としては、例えば、エポキシ系化合物、ポリイソシアネート系化合物、金属キレート系化合物、アジリジン系化合物等のポリイミン化合物、メラミン樹脂、尿素樹脂、ジアルデヒド類、メチロールポリマー、金属アルコキシド、金属塩等が挙げられる。これらの中でも、架橋反応を制御し易いことなどの理由により、エポキシ系化合物またはポリイソシアネート化合物であることが好ましい。   Examples of the type of the crosslinking agent (D) include, for example, epoxy compounds, polyisocyanate compounds, metal chelate compounds, polyimine compounds such as aziridine compounds, melamine resins, urea resins, dialdehydes, methylol polymers, metal alkoxides, Metal salts and the like. Among these, an epoxy compound or a polyisocyanate compound is preferable because the crosslinking reaction is easily controlled.

エポキシ系化合物としては、例えば、1,3−ビス(N,N’−ジグリシジルアミノメチル)シクロヘキサン、N,N,N’,N’−テトラグリシジル−m−キシリレンジアミン、エチレングリコールジグリシジルエーテル、1,6−ヘキサンジオールジグリシジルエーテル、トリメチロールプロパンジグリシジルエーテル、ジグリシジルアニリン、ジグリシジルアミン等が挙げられる。   Examples of the epoxy compound include 1,3-bis (N, N′-diglycidylaminomethyl) cyclohexane, N, N, N ′, N′-tetraglycidyl-m-xylylenediamine, ethylene glycol diglycidyl ether , 1,6-hexanediol diglycidyl ether, trimethylolpropane diglycidyl ether, diglycidylaniline, diglycidylamine and the like.

ポリイソシアネート化合物は、1分子当たりイソシアネート基を2個以上有する化合物である。具体的には、トリレンジイソシアネート、ジフェニルメタンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネート等の芳香族ポリイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート等の脂肪族ポリイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、水素添加ジフェニルメタンジイソシアネート等の脂環式ポリイソシアネートなど、及びそれらのビウレット体、イソシアヌレート体、さらにはエチレングリコール、プロピレングリコール、ネオペンチルグリコール、トリメチロールプロパン、ヒマシ油等の低分子活性水素含有化合物との反応物であるアダクト体などが挙げられる。   The polyisocyanate compound is a compound having two or more isocyanate groups per molecule. Specifically, aromatic polyisocyanates such as tolylene diisocyanate, diphenylmethane diisocyanate, xylylene diisocyanate, aliphatic polyisocyanates such as hexamethylene diisocyanate, isophorone diisocyanate, alicyclic polyisocyanates such as hydrogenated diphenylmethane diisocyanate, and the like. And an adduct which is a reaction product with a low-molecular-weight active hydrogen-containing compound such as ethylene glycol, propylene glycol, neopentyl glycol, trimethylolpropane, and castor oil.

粘着剤層3を形成する粘着剤組成物の架橋剤(D)の含有量は、エネルギー線硬化性粘着成分(A)およびエネルギー線硬化性帯電防止ポリマー(C)の合計量100質量部に対し、0.01〜50質量部であることが好ましく、0.1〜10質量部であることがより好ましい。   The content of the crosslinking agent (D) in the pressure-sensitive adhesive composition forming the pressure-sensitive adhesive layer 3 is based on 100 parts by mass of the total amount of the energy ray-curable pressure-sensitive adhesive component (A) and the energy ray-curable antistatic polymer (C). , 0.01 to 50 parts by mass, more preferably 0.1 to 10 parts by mass.

本実施形態における粘着剤層3を形成する粘着剤組成物が架橋剤(D)を含有する場合には、その架橋剤(D)の種類などに応じて、適切な架橋促進剤を含有することが好ましい。例えば、架橋剤(D)がポリイソシアネート化合物である場合には、粘着剤層3を形成する粘着剤組成物は有機スズ化合物などの有機金属化合物系の架橋促進剤を含有することが好ましい。   When the pressure-sensitive adhesive composition forming the pressure-sensitive adhesive layer 3 in the present embodiment contains a crosslinking agent (D), it should contain an appropriate crosslinking accelerator according to the type of the crosslinking agent (D) and the like. Is preferred. For example, when the crosslinking agent (D) is a polyisocyanate compound, the pressure-sensitive adhesive composition forming the pressure-sensitive adhesive layer 3 preferably contains an organometallic compound-based crosslinking accelerator such as an organotin compound.

(6)その他の成分
本実施形態における粘着剤層3を形成する粘着剤組成物は、上記の成分に加えて、光重合開始剤、染料や顔料等の着色材料、難燃剤、フィラーなどの各種添加剤を含有してもよい。
(6) Other Components In addition to the above components, the pressure-sensitive adhesive composition for forming the pressure-sensitive adhesive layer 3 in the present embodiment includes various components such as a photopolymerization initiator, a coloring material such as a dye or a pigment, a flame retardant, and a filler. It may contain additives.

光重合開始剤としては、ベンゾイン化合物、アセトフェノン化合物、アシルフォスフィンオキサイド化合物、チタノセン化合物、チオキサントン化合物、パーオキサイド化合物等の光開始剤、アミンやキノン等の光増感剤などが挙げられ、具体的には、1−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンジルジフェニルサルファイド、テトラメチルチウラムモノサルファイド、アゾビスイソブチロニトリル、ジベンジル、ジアセチル、β−クロールアンスラキノン、2,4,6−トリメチルベンゾイルジフェニルフォスフィンオキサイドなどが例示される。エネルギー線として紫外線を用いる場合には、光重合開始剤を配合することにより照射時間、照射量を少なくすることができる。   Examples of the photopolymerization initiator include benzoin compounds, acetophenone compounds, acylphosphine oxide compounds, titanocene compounds, thioxanthone compounds, photoinitiators such as peroxide compounds, and photosensitizers such as amines and quinones. Include 1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone, benzoin, benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, benzyl diphenyl sulfide, tetramethylthiuram monosulfide, azobisisobutyronitrile, dibenzyl, diacetyl, β-chloranthraquinone , 2,4,6-trimethylbenzoyldiphenylphosphine oxide and the like. When ultraviolet rays are used as energy rays, the irradiation time and irradiation amount can be reduced by adding a photopolymerization initiator.

(7)エネルギー線の照射
前述したエネルギー線硬化性粘着成分(A)、エーテル結合含有エネルギー線硬化性化合物(B)およびエネルギー線硬化性帯電防止ポリマー(C)を硬化させるためのエネルギー線としては、電離放射線、すなわち、X線、紫外線、電子線などが挙げられる。これらのうちでも、比較的照射設備の導入の容易な紫外線が好ましい。
(7) Irradiation of energy rays The energy rays for curing the above-mentioned energy ray-curable pressure-sensitive adhesive component (A), ether bond-containing energy ray-curable compound (B) and energy ray-curable antistatic polymer (C) include And ionizing radiation, that is, X-rays, ultraviolet rays, and electron beams. Among these, ultraviolet rays, which are relatively easy to introduce irradiation equipment, are preferable.

電離放射線として紫外線を用いる場合には、取り扱いの容易さから波長200〜380nm程度の紫外線を含む近紫外線を用いればよい。光量としては、エネルギー線硬化性粘着成分(A)、エーテル結合含有エネルギー線硬化性化合物(B)およびエネルギー線硬化性帯電防止ポリマー(C)が有するエネルギー線硬化性基の種類や粘着剤層3の厚さに応じて適宜選択すればよく、通常50〜500mJ/cm程度であり、100〜450mJ/cmが好ましく、200〜400mJ/cmがより好ましい。また、紫外線照度は、通常50〜500mW/cm程度であり、100〜450mW/cmが好ましく、200〜400mW/cmがより好ましい。紫外線源としては特に制限はなく、例えば高圧水銀ランプ、メタルハライドランプ、UV−LEDなどが用いられる。When ultraviolet rays are used as ionizing radiation, near ultraviolet rays including ultraviolet rays having a wavelength of about 200 to 380 nm may be used from the viewpoint of easy handling. As the light amount, the type of the energy ray-curable group contained in the energy ray-curable pressure-sensitive adhesive component (A), the energy ray-curable compound (B) containing the ether bond and the energy ray-curable antistatic polymer (C), and the pressure-sensitive adhesive layer 3 It may be appropriately selected depending on the thickness of, usually 50 to 500 mJ / cm 2 or so, preferably from 100~450mJ / cm 2, and more preferably 200 to 400 mJ / cm 2. The ultraviolet illumination is usually 50 to 500 mW / cm 2 or so, preferably from 100~450mW / cm 2, 200~400mW / cm 2 is more preferable. The ultraviolet light source is not particularly limited, and for example, a high-pressure mercury lamp, a metal halide lamp, a UV-LED, or the like is used.

電離放射線として電子線を用いる場合には、その加速電圧については、エネルギー線硬化性粘着成分(A)、エーテル結合含有エネルギー線硬化性化合物(B)およびエネルギー線硬化性帯電防止ポリマー(C)が有するエネルギー線硬化性基の種類や粘着剤層3の厚さに応じて適宜選定すればよく、通常加速電圧10〜1000kV程度であることが好ましい。また、照射線量は、エネルギー線硬化性粘着成分(A)、エーテル結合含有エネルギー線硬化性化合物(B)およびエネルギー線硬化性帯電防止ポリマー(C)が適切に硬化する範囲に設定すればよく、通常10〜1000kradの範囲で選定される。電子線源としては、特に制限はなく、例えばコックロフトワルトン型、バンデグラフト型、共振変圧器型、絶縁コア変圧器型、あるいは直線型、ダイナミトロン型、高周波型などの各種電子線加速器を用いることができる。   When an electron beam is used as the ionizing radiation, the accelerating voltage of the energy ray-curable pressure-sensitive adhesive component (A), the ether bond-containing energy ray-curable compound (B), and the energy ray-curable antistatic polymer (C) are increased. What is necessary is just to select suitably according to the kind of the energy-ray-curable group which has, and the thickness of the adhesive layer 3, and it is preferable that an acceleration voltage is usually about 10-1000 kV. The irradiation dose may be set in a range where the energy ray-curable adhesive component (A), the ether bond-containing energy ray-curable compound (B) and the energy ray-curable antistatic polymer (C) are appropriately cured, Usually, it is selected in the range of 10 to 1000 krad. The electron beam source is not particularly limited. For example, various electron beam accelerators such as Cockloft-Walton type, Van degraft type, resonance transformer type, insulating core transformer type, or linear type, dynamitron type, and high frequency type are used. be able to.

(8)物性、形状等
(8−1)厚さ
本実施形態における粘着剤層3の厚さは2〜50μmであり、好ましくは5〜30μmであり、特に好ましくは8〜20μmである。粘着剤層3の厚さが20μm以下であることにより、半導体ウェハ等の被着体をダイシングする際に発生する粘着剤凝着物の量を少なく抑えることができ、粘着剤凝着物がチップなどに付着したことに起因する不具合が生じ難い。一方、粘着剤層3の厚さが2μm未満であると、粘着剤層3の粘着性のばらつきが大きくなるといった問題が生じるおそれがある。
(8) Physical Properties, Shape, etc. (8-1) Thickness The thickness of the pressure-sensitive adhesive layer 3 in the present embodiment is 2 to 50 μm, preferably 5 to 30 μm, and particularly preferably 8 to 20 μm. When the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer 3 is 20 μm or less, the amount of pressure-sensitive adhesive adhered matter generated when dicing an adherend such as a semiconductor wafer can be reduced, and the pressure-sensitive adhesive adhered substance becomes a chip or the like. Inconvenience caused by adhesion is unlikely to occur. On the other hand, when the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer 3 is less than 2 μm, there is a possibility that the problem that the adhesiveness of the pressure-sensitive adhesive layer 3 varies greatly.

(8−2)エネルギー線硬化後の剥離帯電圧
本実施形態における粘着剤層3とシリコンウェハとを貼合し、エネルギー線を照射した後、シリコンウェハとエネルギー線硬化後の粘着剤層3とを剥離させたときにシリコンウェハ表面に発生する剥離帯電圧(以下単に「剥離帯電圧」ということがある。)は、0.6kV以下であることが好ましく、0.4kV以下であることが特に好ましい。エネルギー線硬化後の剥離帯電圧がかかる範囲にあることにより、好ましい帯電防止性が得られるため、本実施形態に係る半導体加工用シート1を被着体から剥離したときに、被着体が剥離帯電により破壊されるのを防止することができる。
(8-2) Peeling voltage after energy ray curing The adhesive layer 3 in this embodiment is bonded to a silicon wafer, irradiated with energy rays, and then the silicon wafer and the pressure-sensitive adhesive layer 3 after energy ray curing are applied. Is preferably 0.6 kV or less, more preferably 0.4 kV or less, which is generated on the surface of the silicon wafer when is peeled off. preferable. Since the preferable antistatic property is obtained when the peeling voltage after energy beam curing is in the above range, when the semiconductor processing sheet 1 according to the present embodiment is peeled from the adherend, the adherend is peeled. Destruction due to charging can be prevented.

なお、ここでいう剥離帯電圧は、半導体加工用シートを幅25mm×長さ200mmに裁断して粘着剤層をシリコンミラーウェハの鏡面に貼合し、エネルギー線照射により粘着剤層3を硬化させた後、粘着剤層とウェハとを剥離させたときにウェハ表面に発生する帯電量であり、測定方法の詳細は後述する実施例にて示す。   In addition, the peeling electrification voltage here is obtained by cutting a semiconductor processing sheet into a width of 25 mm x a length of 200 mm, bonding an adhesive layer to a mirror surface of a silicon mirror wafer, and curing the adhesive layer 3 by irradiation with energy rays. This is the amount of charge generated on the wafer surface when the pressure-sensitive adhesive layer and the wafer are separated from each other, and the details of the measurement method will be described in Examples described later.

(8−3)粘着力
本実施形態に係る半導体加工用シート1は、エネルギー線照射前の粘着力に対するエネルギー線照射後の粘着力の比が、0.003〜0.3であることが好ましく、0.005〜0.1であることがより好ましく、0.008〜0.05であることが特に好ましい。上記粘着力の比が上記の範囲内にあると、エネルギー線照射前の粘着力とエネルギー線照射後の粘着力とのバランスが良好になり、エネルギー線照射前の十分な粘着力とエネルギー線照射後の適度な粘着力とを達成し易くなる。
(8-3) Adhesive force In the semiconductor processing sheet 1 according to the present embodiment, the ratio of the adhesive force after irradiation with energy rays to the adhesive force before irradiation with energy rays is preferably 0.003 to 0.3. , 0.005 to 0.1, more preferably 0.008 to 0.05. When the ratio of the adhesive force is within the above range, the balance between the adhesive force before irradiation with the energy beam and the adhesive force after irradiation with the energy beam becomes good, and the sufficient adhesive force before irradiation with the energy beam and the irradiation with the energy beam are improved. It becomes easy to achieve a suitable adhesive strength later.

なお、ここでいう粘着力は、シリコンミラーウェハを被着体とし、その鏡面に半導体加工用シートを貼り合わせ、JIS Z0237:2009に準じた180°引き剥がし法により測定した粘着力(mN/25mm)とする。また、エネルギー線照射後の粘着力は、半導体加工用シート1を被着体に貼付したのち、窒素雰囲気下にて、半導体加工用シート1の基材2側より紫外線照射(照度230mW/cm,光量190mJ/cm)した後、測定した値とする。Here, the adhesive force is an adhesive force (mN / 25 mm) measured by a 180 ° peeling method according to JIS Z0237: 2009, using a silicon mirror wafer as an adherend, bonding a semiconductor processing sheet to the mirror surface of the silicon mirror wafer. ). In addition, the adhesive force after energy beam irradiation is determined by applying ultraviolet light (illuminance 230 mW / cm 2) from the substrate 2 side of the semiconductor processing sheet 1 under a nitrogen atmosphere after the semiconductor processing sheet 1 is attached to an adherend. , Light intensity 190 mJ / cm 2 ), and the measured value.

半導体加工用シート1のエネルギー線照射前の粘着力は、2000〜20000mN/25mmであることが好ましく、3000〜15000mN/25mmであることがより好ましく、3500〜10000mN/25mmであることが特に好ましい。エネルギー線照射前の粘着力が上記の範囲内にあることで、被着体の処理工程において被着体を確実に固定することができる。   The adhesive strength of the semiconductor processing sheet 1 before irradiation with energy rays is preferably 2,000 to 20,000 mN / 25 mm, more preferably 3,000 to 15,000 mN / 25 mm, and particularly preferably 3,500 to 10,000 mN / 25 mm. When the adhesive strength before the energy beam irradiation is within the above range, the adherend can be reliably fixed in the treatment step of the adherend.

一方、半導体加工用シート1のエネルギー線照射後の粘着力は、10〜500mN/25mmであることが好ましく、30〜300mN/25mmであることがより好ましく、50〜200mN/25mmであることが特に好ましい。エネルギー線照射後の粘着力が上記の範囲内にあることで、剥離時に被着体を半導体加工用シート1から剥離し易くすることができ、かつ、剥離時における粘着剤層3の凝集破壊、およびパーティクルによる被着体の汚染を抑制することができる。   On the other hand, the adhesive force of the semiconductor processing sheet 1 after irradiation with energy rays is preferably 10 to 500 mN / 25 mm, more preferably 30 to 300 mN / 25 mm, and particularly preferably 50 to 200 mN / 25 mm. preferable. When the adhesive force after the energy ray irradiation is within the above range, the adherend can be easily peeled from the semiconductor processing sheet 1 at the time of peeling, and the cohesive failure of the adhesive layer 3 at the time of peeling can be achieved. In addition, contamination of the adherend by particles can be suppressed.

本実施形態における粘着剤層3は、前述した粘着剤組成物から形成されることにより、半導体加工用シート1のエネルギー線照射前の粘着力、エネルギー線照射後の粘着力およびそれらの比を上記の範囲内に制御し易い。   The pressure-sensitive adhesive layer 3 in the present embodiment is formed from the above-described pressure-sensitive adhesive composition, so that the pressure-sensitive adhesive force of the semiconductor processing sheet 1 before the energy beam irradiation, the pressure-sensitive adhesive force after the energy beam irradiation, and the ratio thereof are set as described above. It is easy to control within the range.

(8−4)剥離シート
本実施形態に係る半導体加工用シート1は、被着体に粘着剤層3を貼付するまでの間、粘着剤層3を保護する目的で、粘着剤層3の基材2側の面と反対側の面に、剥離シートが積層されていてもよい。剥離シートの構成は任意であり、プラスチックフィルムを剥離剤等により剥離処理したものが例示される。プラスチックフィルムの具体例としては、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステルフィルム、およびポリプロピレンやポリエチレン等のポリオレフィンフィルムが挙げられる。剥離剤としては、シリコーン系、フッ素系、長鎖アルキル系等を用いることができるが、これらの中で、安価で安定した性能が得られるシリコーン系が好ましい。剥離シートの厚さについては特に制限はないが、通常20〜250μm程度である。
(8-4) Release Sheet The sheet 1 for semiconductor processing according to the present embodiment is provided with the base of the adhesive layer 3 for the purpose of protecting the adhesive layer 3 until the adhesive layer 3 is attached to the adherend. A release sheet may be laminated on a surface opposite to the surface on the material 2 side. The configuration of the release sheet is arbitrary, and examples thereof include those obtained by subjecting a plastic film to a release treatment with a release agent or the like. Specific examples of the plastic film include polyester films such as polyethylene terephthalate, polybutylene terephthalate, and polyethylene naphthalate, and polyolefin films such as polypropylene and polyethylene. As the release agent, a silicone-based, fluorine-based, long-chain alkyl-based, or the like can be used, and among these, a silicone-based, which is inexpensive and provides stable performance, is preferable. The thickness of the release sheet is not particularly limited, but is usually about 20 to 250 μm.

3.半導体加工用シートの製造方法
半導体加工用シート1の製造方法は、前述の粘着剤組成物から形成される粘着剤層3を基材2の一の面に積層できれば、詳細な方法は特に限定されない。一例を挙げれば、前述の粘着剤組成物、および所望によりさらに溶媒または分散媒を含有する塗工用組成物を調製し、基材2の一の面上に、ダイコーター、カーテンコーター、スプレーコーター、スリットコーター、ナイフコーター等によりその塗工用組成物を塗布して塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥させることにより、粘着剤層3を形成することができる。塗工用組成物は、塗布を行うことが可能であればその性状は特に限定されず、粘着剤層3を形成するための成分を溶質として含有する場合もあれば、分散質として含有する場合もある。
3. Method of Manufacturing Sheet for Semiconductor Processing The method of manufacturing the sheet for semiconductor processing 1 is not particularly limited as long as the pressure-sensitive adhesive layer 3 formed from the above-described pressure-sensitive adhesive composition can be laminated on one surface of the substrate 2. . For example, a coating composition containing the above-described pressure-sensitive adhesive composition and, if desired, a solvent or a dispersion medium is prepared, and a die coater, a curtain coater, a spray coater is formed on one surface of the substrate 2. The pressure-sensitive adhesive layer 3 can be formed by applying the coating composition with a slit coater, a knife coater or the like to form a coating film, and drying the coating film. The properties of the coating composition are not particularly limited as long as the composition can be applied, and may include a component for forming the pressure-sensitive adhesive layer 3 as a solute or a dispersoid. There is also.

塗工用組成物が架橋剤(D)を含有する場合には、上記の乾燥の条件(温度、時間など)を変えることにより、または加熱処理を別途設けることにより、塗膜内のアクリル系重合体(A1)または(A3)と架橋剤(D)との架橋反応を進行させ、粘着剤層3内に所望の存在密度で架橋構造を形成させればよい。この架橋反応を十分に進行させるために、上記の方法などによって基材2に粘着剤層3を積層させた後、得られた半導体加工用シート1を、例えば23℃、相対湿度50%の環境に数日間静置するといった養生を通常行う。   When the coating composition contains a cross-linking agent (D), the acrylic weight in the coating film is changed by changing the above-mentioned drying conditions (temperature, time, etc.) or by separately providing a heat treatment. The cross-linking reaction between the union (A1) or (A3) and the cross-linking agent (D) may be advanced to form a cross-linked structure at a desired density in the pressure-sensitive adhesive layer 3. After the pressure-sensitive adhesive layer 3 is laminated on the substrate 2 by the above-described method or the like in order to allow the crosslinking reaction to sufficiently proceed, the obtained semiconductor processing sheet 1 is placed in an environment of, for example, 23 ° C. and 50% relative humidity. Curing is usually carried out, such as allowing to stand for several days.

半導体加工用シート1の製造方法の別の一例として、前述の剥離シートの剥離面上に塗工用組成物を塗布して塗膜を形成し、これを乾燥させて粘着剤層3と剥離シートとからなる積層体を形成し、この積層体の粘着剤層3における剥離シート側の面と反対側の面を基材2に貼付して、半導体加工用シート1と剥離シートとの積層体を得てもよい。この積層体における剥離シートは工程材料として剥離してもよいし、半導体ウェハ等の被着体に貼付するまでの間、粘着剤層3を保護していてもよい。   As another example of the method of manufacturing the semiconductor processing sheet 1, a coating composition is applied on the release surface of the release sheet to form a coating film, which is dried to form the adhesive layer 3 and the release sheet. Is formed, and the surface of the pressure-sensitive adhesive layer 3 of the laminate opposite to the surface on the release sheet side is affixed to the substrate 2 to form a laminate of the semiconductor processing sheet 1 and the release sheet. You may get it. The release sheet in the laminate may be peeled off as a process material, or the adhesive layer 3 may be protected until the release sheet is attached to an adherend such as a semiconductor wafer.

4.チップの製造方法
本実施形態に係る半導体加工用シート1を用いて、一例として半導体ウェハからチップを製造する方法を以下に説明する。
4. Method for Manufacturing Chip A method for manufacturing a chip from a semiconductor wafer using the semiconductor processing sheet 1 according to the present embodiment will be described below as an example.

本実施形態に係る半導体加工用シート1は、使用にあたり、粘着剤層3側の面(すなわち、粘着剤層3の基材2と反対側の面)を半導体ウェハに貼付する。半導体加工用シート1の粘着剤層3側の面に剥離シートが積層されている場合には、その剥離シートを剥離して粘着剤層3側の面を表出させて、半導体ウェハの貼着面にその面を貼付すればよい。半導体加工用シート1の周縁部は、通常その部分に設けられた粘着剤層3により、リングフレームと呼ばれる搬送や装置への固定のための環状の治具に貼付される。   In using the semiconductor processing sheet 1 according to the present embodiment, a surface on the side of the pressure-sensitive adhesive layer 3 (that is, a surface of the pressure-sensitive adhesive layer 3 on a side opposite to the base material 2) is attached to a semiconductor wafer. When a release sheet is laminated on the surface of the semiconductor processing sheet 1 on the pressure-sensitive adhesive layer 3 side, the release sheet is peeled off to expose the surface on the pressure-sensitive adhesive layer 3 side, and to attach a semiconductor wafer. The surface may be attached to the surface. The peripheral portion of the semiconductor processing sheet 1 is usually attached to an annular jig called a ring frame for transporting and fixing to a device by an adhesive layer 3 provided on the peripheral portion.

次いで、ダイシング工程を実施し、半導体ウェハから複数のチップを得る。半導体加工用シート1の粘着剤層3は、これを形成する粘着剤組成物の各成分の含有量を調整することで(例えば、粘着剤組成物におけるエネルギー線硬化性帯電防止ポリマー(C)の含有量を65質量%以下とするなど)、エネルギー線照射前における凝集性が高く維持され、ダイシング工程において好ましい弾性を有するものとなる。そのため、本実施形態に係る半導体加工用シート1を用いることで、ダイシング工程中の振動の影響が抑制され、チッピングの発生が抑制される。   Next, a dicing step is performed to obtain a plurality of chips from the semiconductor wafer. The pressure-sensitive adhesive layer 3 of the semiconductor processing sheet 1 is formed by adjusting the content of each component of the pressure-sensitive adhesive composition forming the same (for example, the energy-ray-curable antistatic polymer (C) in the pressure-sensitive adhesive composition). For example, the content is set to 65% by mass or less), the cohesiveness before energy beam irradiation is maintained at a high level, and the dicing step has favorable elasticity. Therefore, by using the semiconductor processing sheet 1 according to the present embodiment, the influence of vibration during the dicing step is suppressed, and the occurrence of chipping is suppressed.

ダイシング工程終了後、半導体加工用シート1の基材2側からエネルギー線照射を行う。これにより、粘着剤層3に含まれるエネルギー線硬化性粘着成分(A)、エーテル結合含有エネルギー線硬化性化合物(B)およびエネルギー線硬化性帯電防止ポリマー(C)が有するエネルギー線硬化性基の重合反応が進行して粘着性が低下し、チップのピックアップが可能となる。   After the dicing step, energy beam irradiation is performed from the substrate 2 side of the semiconductor processing sheet 1. Thereby, the energy beam-curable adhesive component (A), the energy beam-curable compound (B) and the energy beam-curable antistatic polymer (C) contained in the energy beam-curable antistatic polymer (C) contained in the pressure-sensitive adhesive layer 3 are included. As the polymerization reaction proceeds, the tackiness decreases, and the chip can be picked up.

一例としてエネルギー線照射の後、半導体加工用シート1上に近接配置されている複数のチップをピックアップし易いように、半導体加工用シート1を平面方向に伸長するエキスパンド工程を行う。この伸長の程度は、近接配置されたチップが有すべき間隔、基材2の引張強度などを考慮して適宜設定すればよい。なお、エキスパンド工程は、エネルギー線照射の前に行ってもよい。   As an example, after the energy beam irradiation, an expanding step of extending the semiconductor processing sheet 1 in a planar direction is performed so that a plurality of chips arranged close to the semiconductor processing sheet 1 can be easily picked up. The degree of the elongation may be appropriately set in consideration of the interval that the chips arranged close to each other should have, the tensile strength of the base material 2, and the like. In addition, the expanding step may be performed before the energy beam irradiation.

エキスパンド工程の後、粘着剤層3上のチップのピックアップを行う。ピックアップは、吸引コレット等の汎用手段により行うが、この時、ピックアップし易くするために、対象のチップを半導体加工用シート1の基材2側からピンやニードル等で押し上げることを行うことが好ましい。   After the expanding step, the chips on the adhesive layer 3 are picked up. The pickup is performed by a general-purpose means such as a suction collet. At this time, in order to facilitate the pickup, it is preferable to push up the target chip from the substrate 2 side of the semiconductor processing sheet 1 with a pin or a needle. .

本実施形態に係る半導体加工用シート1において、5mm×5mmにダイシングして得られたチップを突き上げピンにてピックアップするときのピックアップに要する力(以下「5mm□ピックアップ力」ということがある。)は、2N以下であることが好ましく、1.8N以下であることが特に好ましい。本実施形態に係る半導体加工用シート1は、粘着剤層3が前述した粘着剤組成物から形成されることにより、5mm□ピックアップ力を上記の範囲内に制御し易い。なお、5mm□ピックアップ力の下限値は、意図せずにチップが半導体加工用シート1から剥離してしまうことを防ぐ観点から、0.5N以上であることが好ましく、0.8N以上であることが特に好ましい。   In the semiconductor processing sheet 1 according to the present embodiment, a force required for pickup when picking up a chip obtained by dicing to 5 mm × 5 mm with a push-up pin (hereinafter, may be referred to as “5 mm □ pickup force”). Is preferably 2N or less, particularly preferably 1.8N or less. In the semiconductor processing sheet 1 according to the present embodiment, since the pressure-sensitive adhesive layer 3 is formed from the above-described pressure-sensitive adhesive composition, it is easy to control the 5 mm square pickup force within the above range. The lower limit of the 5 mm square pick-up force is preferably 0.5 N or more, and more preferably 0.8 N or more, from the viewpoint of preventing the chip from unintentionally peeling off from the semiconductor processing sheet 1. Is particularly preferred.

ここで、本明細書における5mm□ピックアップ力とは、厚さ100μmのシリコンウェハを5mm×5mmにダイシングし、エネルギー線照射を行った後、個片化されたチップをピックアップ(突き上げピン:1ピン,突き上げ速度:1mm/秒)する時に、ピックアップに要した力(N)としてプッシュプルゲージ(AIKOH ENGINEERING社製,RX−1)により測定される値であり、測定方法の詳細は後述する実施例にて示す。   Here, the 5 mm □ pick-up force in this specification means that a 100 μm-thick silicon wafer is diced into 5 mm × 5 mm, irradiated with energy rays, and picked up into individual chips (thrust pins: 1 pin). , Push-up speed: 1 mm / sec) is a value measured by a push-pull gauge (AIKOH ENGINEERING, RX-1) as the force (N) required for the pickup. Details of the measurement method are described later in Examples. Indicated by

本実施形態に係る半導体加工用シート1は、粘着剤層3に含まれるエネルギー線硬化性帯電防止ポリマー(C)が塩(カチオン)を有することにより、ピックアップなどの剥離時における剥離帯電の発生が防止され、回路やチップなどを破壊することなくチップを回収することができる。また、粘着剤層3に含まれるエネルギー線硬化性帯電防止ポリマー(C)がエネルギー線硬化性基を有することにより、チップに対する汚染が生じ難い。なお、ピックアップされたチップは、搬送工程など次の工程へと供される。   In the sheet 1 for semiconductor processing according to the present embodiment, since the energy ray-curable antistatic polymer (C) contained in the pressure-sensitive adhesive layer 3 has a salt (cation), generation of peeling charge at the time of peeling of a pickup or the like is prevented. Thus, the chip can be collected without breaking the circuit or the chip. Further, since the energy ray-curable antistatic polymer (C) contained in the pressure-sensitive adhesive layer 3 has an energy ray-curable group, the chip is less likely to be contaminated. Note that the picked-up chip is provided to the next step such as a transport step.

以上説明した実施形態は、本発明の理解を容易にするために記載されたものであって、本発明を限定するために記載されたものではない。したがって、上記実施形態に開示された各要素は、本発明の技術的範囲に属する全ての設計変更や均等物をも含む趣旨である。   The embodiments described above are described for facilitating the understanding of the present invention, and are not described for limiting the present invention. Therefore, each element disclosed in the above embodiment is intended to include all design changes and equivalents belonging to the technical scope of the present invention.

例えば、上記半導体加工用シート1における基材2と粘着剤層3との間には、他の層が介在していてもよい。   For example, another layer may be interposed between the base material 2 and the pressure-sensitive adhesive layer 3 in the semiconductor processing sheet 1.

以下、実施例等により本発明をさらに具体的に説明するが、本発明の範囲はこれらの実施例等に限定されるものではない。   Hereinafter, the present invention will be described more specifically with reference to Examples and the like, but the scope of the present invention is not limited to these Examples and the like.

〔実施例1〕
(1)アクリル系重合体の調製
アクリル酸n−ブチル85質量部およびアクリル酸2−ヒドロキシエチル15質量部を共重合させて、アクリル系重合体(A1)を調製した。このアクリル系重合体(A1)の分子量を後述する方法で測定したところ、重量平均分子量60万であった。得られたアクリル系重合体(A1)は、トルエンと酢酸エチルとの混合溶媒にて固形分濃度34質量%に希釈した。
[Example 1]
(1) Preparation of acrylic polymer 85 parts by mass of n-butyl acrylate and 15 parts by mass of 2-hydroxyethyl acrylate were copolymerized to prepare an acrylic polymer (A1). When the molecular weight of this acrylic polymer (A1) was measured by the method described later, the weight average molecular weight was 600,000. The obtained acrylic polymer (A1) was diluted with a mixed solvent of toluene and ethyl acetate to a solid concentration of 34% by mass.

(2)エネルギー線硬化性帯電防止ポリマー(C)の調製
4級アンモニウム塩モノマー(C1)としての[2−(メタクリロイルオキシ)エチル]トリメチルアンモニウム ビス(トリフルオロメチルスルホニル)イミド、反応性官能基含有モノマー(C2)としてのメタクリル酸、ならびに重合性モノマー(C4)としてのアクリル酸2−エチルヘキシルおよびアクリル酸2−ヒドロキシエチルを、モル比が4級アンモニウム塩モノマー(C1):メタクリル酸(C2):アクリル酸2−エチルヘキシル(C4):アクリル酸2−ヒドロキシエチル(C4)=0.027:0.015:0.052:0.011となるように共重合した。得られた重合体に、硬化性基含有化合物(C5)としてのメタクリル酸グリシジル(上記モル比に換算して0.012)を反応させ、エネルギー線硬化性帯電防止ポリマー(C)(側鎖にメタクリロイル基および4級アンモニウム塩を有する。)を得た。このエネルギー線硬化性帯電防止ポリマー(C)の分子量を後述する方法で測定したところ、重量平均分子量は170,000であった。
(2) Preparation of energy ray-curable antistatic polymer (C) [2- (methacryloyloxy) ethyl] trimethylammonium bis (trifluoromethylsulfonyl) imide as quaternary ammonium salt monomer (C1), containing a reactive functional group A methacrylic acid as the monomer (C2) and 2-ethylhexyl acrylate and 2-hydroxyethyl acrylate as the polymerizable monomer (C4) were prepared by mixing a quaternary ammonium salt monomer (C1) with a molar ratio of methacrylic acid (C2): Copolymerization was performed so that 2-ethylhexyl acrylate (C4): 2-hydroxyethyl acrylate (C4) = 0.027: 0.015: 0.052: 0.011. The obtained polymer is reacted with glycidyl methacrylate (0.012 in terms of the above molar ratio) as a curable group-containing compound (C5), and the energy ray-curable antistatic polymer (C) (in the side chain) Having a methacryloyl group and a quaternary ammonium salt). When the molecular weight of this energy ray-curable antistatic polymer (C) was measured by the method described later, the weight average molecular weight was 170,000.

(3)半導体加工用シートの作製
上記工程(1)で得られたアクリル系共重合体(A1)100質量部(固形分換算値;以下同様に表記)、エネルギー線硬化性化合物(A2)としての6官能ウレタンアクリレート(重量平均分子量:2000)45質量部、エーテル結合含有エネルギー線硬化性化合物(B)としてのテトラエチレングリコールジアクリレート25質量部、上記工程(2)で得られたエネルギー線硬化性帯電防止ポリマー(C)16質量部、光重合開始剤としての1−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン(BASF社製,イルガキュア184)3.0質量部、および架橋剤(D)としてのトリレンジイソシアネート化合物(東洋インキ社製,BHS−8515)1.4質量部を混合し、十分に撹拌して、メチルエチルケトンで希釈することにより、粘着剤組成物の塗布溶液を得た。
(3) Preparation of Sheet for Semiconductor Processing 100 parts by mass of the acrylic copolymer (A1) obtained in the above step (1) (in terms of solid content; hereinafter similarly described), as the energy ray-curable compound (A2) 45 parts by mass of a 6-functional urethane acrylate (weight average molecular weight: 2000), 25 parts by mass of tetraethylene glycol diacrylate as an ether bond-containing energy ray-curable compound (B), energy ray curing obtained in the above step (2) 16 parts by mass of a hydrophilic antistatic polymer (C), 3.0 parts by mass of 1-hydroxycyclohexylphenyl ketone (IRGACURE 184, manufactured by BASF) as a photopolymerization initiator, and a tolylene diisocyanate compound (D) as a crosslinking agent (D) 1.4 parts by mass of Toyo Ink Co., Ltd., BHS-8515) were mixed and thoroughly stirred. By diluting with ketone, a coating solution of the pressure-sensitive adhesive composition was obtained.

得られた粘着剤組成物の塗布溶液を、ポリエチレンテレフタレートフィルムの片面をシリコーン系剥離剤で剥離処理した剥離シート(リンテック社製,SP−PET381031,厚さ:38μm)の剥離処理面に、ナイフコーターで塗布したのち、80℃で1分間処理して粘着剤組成物の塗膜を形成した。得られた塗膜の乾燥後の厚さは10μmであった。次いで、得られた塗膜と、基材としてのエチレン−メタクリル酸共重合体(EMAA)フィルム(厚さ:80μm)とを貼合することにより、粘着剤層における基材側の面とは反対側の面に剥離シートが積層された状態で、半導体加工用シートを得た。   The obtained coating solution of the pressure-sensitive adhesive composition was coated on a release surface of a release sheet (manufactured by Lintec, SP-PET381031, thickness: 38 μm) in which one surface of a polyethylene terephthalate film was release-treated with a silicone-based release agent. And then treated at 80 ° C. for 1 minute to form a coating film of the pressure-sensitive adhesive composition. The thickness of the obtained coating film after drying was 10 μm. Next, by laminating the obtained coating film and an ethylene-methacrylic acid copolymer (EMAA) film (thickness: 80 μm) as a substrate, the surface of the pressure-sensitive adhesive layer on the side of the substrate is opposite. With the release sheet laminated on the side surface, a semiconductor processing sheet was obtained.

〔実施例2〕
4級アンモニウム塩モノマー(C1)としての[2−(メタクリロイルオキシ)エチル]トリメチルアンモニウム ビス(トリフルオロメチルスルホニル)イミド、反応性官能基含有モノマー(C2)としてのメタクリル酸、エーテル結合含有モノマー(C3)としてのメトキシポリエチレングリコールアクリレート(エチレングリコール単位の繰り返し数:23)、ならびに重合性モノマー(C4)としてのアクリル酸2−エチルヘキシルおよびアクリル酸2−ヒドロキシエチルを、4級アンモニウム塩モノマー(C1):メタクリル酸(C2):エーテル結合含有モノマー(C3):アクリル酸2−エチルヘキシル(C4):アクリル酸2−ヒドロキシエチル(C4)=0.027:0.015:0.037:0.011:0.011となるように共重合した。得られた重合体に、硬化性基含有化合物(C5)としてのメタクリル酸グリシジル(上記モル比に換算して0.012)を反応させ、エネルギー線硬化性帯電防止ポリマー(C)(側鎖にメタクリロイル基、4級アンモニウム塩およびエチレングリコール単位を有する。)を得た。かかるエネルギー線硬化性帯電防止ポリマー(C)の分子量を後述する方法で測定したところ、重量平均分子量は200,000であった。
[Example 2]
[2- (methacryloyloxy) ethyl] trimethylammonium bis (trifluoromethylsulfonyl) imide as a quaternary ammonium salt monomer (C1), methacrylic acid as a reactive functional group-containing monomer (C2), and an ether bond-containing monomer (C3 )) And 2-ethylhexyl acrylate and 2-hydroxyethyl acrylate as polymerizable monomers (C4) as quaternary ammonium salt monomers (C1): Methacrylic acid (C2): Ether bond-containing monomer (C3): 2-ethylhexyl acrylate (C4): 2-hydroxyethyl acrylate (C4) = 0.027: 0.015: 0.037: 0.011: 0 .011 Copolymerized as described above. The obtained polymer is reacted with glycidyl methacrylate (0.012 in terms of the above molar ratio) as a curable group-containing compound (C5), and the energy ray-curable antistatic polymer (C) (in the side chain) (Having a methacryloyl group, a quaternary ammonium salt and an ethylene glycol unit). When the molecular weight of the energy ray-curable antistatic polymer (C) was measured by the method described later, the weight average molecular weight was 200,000.

実施例1で得られたアクリル系共重合体(A1)100質量部、エネルギー線硬化性化合物(A2)としての6官能ウレタンアクリレート(重量平均分子量:2000)45質量部、本実施例で製造したエネルギー線硬化性帯電防止ポリマー(C)16質量部、光重合開始剤としての1−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン(BASF社製,イルガキュア184)3.0質量部、および架橋剤(D)としてのトリレンジイソシアネート化合物(東洋インキ社製,BHS−8515)1.4質量部を混合し、十分に撹拌して、メチルエチルケトンで希釈することにより、粘着剤組成物の塗布溶液を得た。得られた粘着剤組成物の塗布溶液を用い、実施例1と同様にして半導体加工用シートを製造した。   100 parts by mass of the acrylic copolymer (A1) obtained in Example 1, 45 parts by mass of a hexafunctional urethane acrylate (weight average molecular weight: 2000) as an energy ray-curable compound (A2), produced in this example. 16 parts by mass of an energy ray-curable antistatic polymer (C), 3.0 parts by mass of 1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone (Irgacure 184, manufactured by BASF) as a photopolymerization initiator, and tolylene as a crosslinking agent (D) 1.4 parts by mass of an isocyanate compound (manufactured by Toyo Ink Co., Ltd., BHS-8515) was mixed, sufficiently stirred, and diluted with methyl ethyl ketone to obtain a coating solution of the pressure-sensitive adhesive composition. Using the coating solution of the obtained pressure-sensitive adhesive composition, a sheet for semiconductor processing was manufactured in the same manner as in Example 1.

〔実施例3〕
アクリル酸n−ブチル85質量部およびアクリル酸2−ヒドロキシエチル15質量部を共重合させて、アクリル系重合体を調製した。このアクリル系重合体の分子量を後述する方法で測定したところ、重量平均分子量50万であった。得られたアクリル系重合体に、アクリル酸2−ヒドロキシエチルの80モル%となる量のアクリル酸メタクリロイルオキシエチルを反応させ、側鎖にエネルギー線硬化性基が導入されたアクリル系重合体(A3)を得た。
[Example 3]
An acrylic polymer was prepared by copolymerizing 85 parts by mass of n-butyl acrylate and 15 parts by mass of 2-hydroxyethyl acrylate. When the molecular weight of this acrylic polymer was measured by the method described later, the weight average molecular weight was 500,000. The obtained acrylic polymer was reacted with methacryloyloxyethyl acrylate in an amount of 80 mol% of 2-hydroxyethyl acrylate, and an acrylic polymer (A3) having an energy-ray-curable group introduced into a side chain. ) Got.

得られたアクリル系共重合体(A3)100質量部、エーテル結合含有エネルギー線硬化性化合物(B)としてのテトラエチレングリコールジアクリレート25質量部、実施例1で得られたエネルギー線硬化性帯電防止ポリマー(C)16質量部、光重合開始剤としての1−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン(BASF社製,イルガキュア184)3.0質量部、および架橋剤(D)としてのトリレンジイソシアネート化合物(東洋インキ社製,BHS−8515)1.4質量部を混合し、十分に撹拌して、メチルエチルケトンで希釈することにより、粘着剤組成物の塗布溶液を得た。得られた粘着剤組成物の塗布溶液を用い、実施例1と同様にして半導体加工用シートを製造した。   100 parts by mass of the obtained acrylic copolymer (A3), 25 parts by mass of tetraethylene glycol diacrylate as the ether bond-containing energy ray-curable compound (B), the energy ray-curable antistatic obtained in Example 1 16 parts by mass of the polymer (C), 3.0 parts by mass of 1-hydroxycyclohexylphenyl ketone (IRGACURE 184, manufactured by BASF) as a photopolymerization initiator, and a tolylene diisocyanate compound (Toyo Ink Co., Ltd.) as a crosslinking agent (D) (BHS-8515), 1.4 parts by mass, mixed sufficiently, and diluted with methyl ethyl ketone to obtain a coating solution of the pressure-sensitive adhesive composition. Using the coating solution of the obtained pressure-sensitive adhesive composition, a sheet for semiconductor processing was manufactured in the same manner as in Example 1.

〔実施例4〕
実施例3で得られたアクリル系共重合体(A3)100質量部、実施例2で得られたエネルギー線硬化性帯電防止ポリマー(C)16質量部、光重合開始剤としての1−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン(BASF社製,イルガキュア184)3.0質量部、および架橋剤(D)としてのトリレンジイソシアネート化合物(東洋インキ社製,BHS−8515)1.4質量部を混合し、十分に撹拌して、メチルエチルケトンで希釈することにより、粘着剤組成物の塗布溶液を得た。得られた粘着剤組成物の塗布溶液を用い、実施例1と同様にして半導体加工用シートを製造した。
[Example 4]
100 parts by mass of the acrylic copolymer (A3) obtained in Example 3, 16 parts by mass of the energy ray-curable antistatic polymer (C) obtained in Example 2, 1-hydroxycyclohexyl as a photopolymerization initiator 3.0 parts by mass of phenyl ketone (Irgacure 184, manufactured by BASF) and 1.4 parts by mass of a tolylene diisocyanate compound (BHS-8515, manufactured by Toyo Ink Co., Ltd.) as a crosslinking agent (D) were mixed and sufficiently stirred. Then, by diluting with methyl ethyl ketone, a coating solution of the pressure-sensitive adhesive composition was obtained. Using the coating solution of the obtained pressure-sensitive adhesive composition, a sheet for semiconductor processing was manufactured in the same manner as in Example 1.

〔比較例1〕
実施例1と同様に、モル比が4級アンモニウム塩モノマー(C1):メタクリル酸(C2):アクリル酸2−エチルヘキシル(C4):アクリル酸2−ヒドロキシエチル(C4)=0.027:0.015:0.052:0.011となるように共重合し、メタクリル酸グリシジルを反応させず、帯電防止ポリマー(側鎖に4級アンモニウム塩を有する。)を得た。この帯電防止ポリマーの分子量を後述する方法で測定したところ、重量平均分子量は190,000であった。
[Comparative Example 1]
As in Example 1, the molar ratio was quaternary ammonium salt monomer (C1): methacrylic acid (C2): 2-ethylhexyl acrylate (C4): 2-hydroxyethyl acrylate (C4) = 0.027: 0. 015: 0.052: 0.011 to obtain an antistatic polymer (having a quaternary ammonium salt in a side chain) without reacting glycidyl methacrylate. When the molecular weight of this antistatic polymer was measured by the method described later, the weight average molecular weight was 190,000.

実施例1で得られたアクリル系共重合体(A1)100質量部、エネルギー線硬化性化合物(A2)としての6官能ウレタンアクリレート(重量平均分子量:2000)45質量部、本比較例で製造した帯電防止ポリマー16質量部、光重合開始剤としての1−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン(BASF社製,イルガキュア184)3.0質量部、および架橋剤(D)としてのトリレンジイソシアネート化合物(東洋インキ社製,BHS−8515)1.4質量部を混合し、十分に撹拌して、メチルエチルケトンで希釈することにより、粘着剤組成物の塗布溶液を得た。得られた粘着剤組成物の塗布溶液を用い、実施例1と同様にして半導体加工用シートを製造した。   100 parts by mass of the acrylic copolymer (A1) obtained in Example 1, 45 parts by mass of a hexafunctional urethane acrylate (weight average molecular weight: 2000) as an energy ray-curable compound (A2), produced in this comparative example 16 parts by mass of an antistatic polymer, 3.0 parts by mass of 1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone (Irgacure 184, manufactured by BASF) as a photopolymerization initiator, and a tolylene diisocyanate compound (manufactured by Toyo Ink Co., Ltd.) as a crosslinking agent (D) , BHS-8515), 1.4 parts by mass, mixed sufficiently, and diluted with methyl ethyl ketone to obtain a coating solution of the pressure-sensitive adhesive composition. Using the coating solution of the obtained pressure-sensitive adhesive composition, a sheet for semiconductor processing was manufactured in the same manner as in Example 1.

〔参考例1〕
アクリル酸n−ブチル25質量部、アクリル酸エトキシエトキシエチル(エチレンオキサイド単位を2個有する。)65質量部、およびアクリル酸2−ヒドロキシエチル15質量部を共重合させて、アクリル系重合体(A1)を調製した。このアクリル系重合体(A1)の分子量を後述する方法で測定したところ、重量平均分子量50万であった。
[Reference Example 1]
An acrylic polymer (A1) was obtained by copolymerizing 25 parts by mass of n-butyl acrylate, 65 parts by mass of ethoxyethoxyethyl acrylate (having two ethylene oxide units), and 15 parts by mass of 2-hydroxyethyl acrylate. ) Was prepared. When the molecular weight of this acrylic polymer (A1) was measured by the method described later, the weight average molecular weight was 500,000.

本参考例で得られたアクリル系共重合体(A1)100質量部、エネルギー線硬化性化合物(A2)としての6官能ウレタンアクリレート(重量平均分子量:2000)45質量部、実施例1で得られたエネルギー線硬化性帯電防止ポリマー(C)16質量部、光重合開始剤としての1−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン(BASF社製,イルガキュア184)3.0質量部、および架橋剤(D)としてのトリレンジイソシアネート化合物(東洋インキ社製,BHS−8515)1.4質量部を混合し、十分に撹拌して、メチルエチルケトンで希釈することにより、粘着剤組成物の塗布溶液を得た。得られた粘着剤組成物の塗布溶液を用い、実施例1と同様にして半導体加工用シートを製造した。   100 parts by mass of the acrylic copolymer (A1) obtained in the present reference example, 45 parts by mass of a hexafunctional urethane acrylate (weight average molecular weight: 2000) as the energy ray-curable compound (A2), obtained in Example 1. Energy-curable antistatic polymer (C) 16 parts by mass, 1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone (BASF Co., Irgacure 184) 3.0 parts by mass as a photopolymerization initiator, and tri as a crosslinking agent (D) 1.4 parts by mass of a range isocyanate compound (manufactured by Toyo Ink Co., Ltd., BHS-8515) was mixed, sufficiently stirred, and diluted with methyl ethyl ketone to obtain a coating solution of the pressure-sensitive adhesive composition. Using the coating solution of the obtained pressure-sensitive adhesive composition, a sheet for semiconductor processing was manufactured in the same manner as in Example 1.

〔参考例2〕
上記工程(3)においてテトラエチレングリコールジアクリレートを用いなかった以外は、実施例1と同様にして半導体加工用シートを製造した。
[Reference Example 2]
A semiconductor processing sheet was manufactured in the same manner as in Example 1 except that tetraethylene glycol diacrylate was not used in the above step (3).

ここで、前述したアクリル系共重合体(A1)および(A3)の重量平均分子量(Mw)は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)を用いて測定(GPC測定)した標準ポリスチレン換算の重量平均分子量であり、またエネルギー線硬化性帯電防止ポリマー(C)の重量平均分子量(Mw)は、GPC測定した標準ポリメチルメタクリレート換算の重量平均分子量である。それぞれのGPC測定の条件を以下に示す。   Here, the weight average molecular weight (Mw) of the above-mentioned acrylic copolymers (A1) and (A3) is measured by gel permeation chromatography (GPC) (GPC measurement) and is a weight average molecular weight in terms of standard polystyrene. The weight average molecular weight (Mw) of the energy ray-curable antistatic polymer (C) is a weight average molecular weight in terms of standard polymethyl methacrylate measured by GPC. The conditions of each GPC measurement are shown below.

<アクリル系共重合体(A1)および(A3)のGPC測定条件>
・カラム :TSKgelGMHXL(2本)、TSKgel2000HXLをこの順に連結したもの
・溶媒 :THF
・測定温度:40℃
・流速 :1ml/分
・検出器 :示差屈折計
・標準試料:ポリスチレン
<GPC measurement conditions of acrylic copolymers (A1) and (A3)>
・ Column: TSKgelGMHXL (2), TSKgel2000HXL connected in this order ・ Solvent: THF
・ Measurement temperature: 40 ° C
・ Flow rate: 1 ml / min ・ Detector: Differential refractometer ・ Standard sample: polystyrene

<エネルギー線硬化性帯電防止ポリマー(C)のGPC測定条件>
・カラム :Shodex HFIP−LG、HFIP−806M(2本)をこの順に連結したもの
・溶媒 :ヘキサフルオロイソプロパノール(5mMトリフルオロ酢酸ナトリウム添加)
・測定温度:40℃
・流速 :0.5ml/分
・検出器 :示差屈折計
・標準試料:ポリメチルメタクリレート
<GPC measurement conditions of energy ray-curable antistatic polymer (C)>
-Column: Shodex HFIP-LG, HFIP-806M (two) connected in this order-Solvent: Hexafluoroisopropanol (5 mM sodium trifluoroacetate added)
・ Measurement temperature: 40 ° C
・ Flow rate: 0.5 ml / min ・ Detector: Differential refractometer ・ Standard sample: polymethyl methacrylate

〔試験例1〕(剥離帯電圧の測定)
実施例および比較例にて製造した半導体加工用シートを幅25mm×長さ200mmに裁断し、これをサンプルとした。サンプルから剥離シートを剥離し、粘着剤層をシリコンウェハの鏡面に貼合して、1kgのローラーを1往復させることにより圧着させて積層した。これを、23℃、50%相対湿度下で20分保管した後、サンプルの基材側から紫外線(UV)照射(照度:230mW/cm,光量:190mJ/cm)を行った。紫外線照射後のサンプルとシリコンウェハとの積層体から、剥離速度300mm/min、剥離角度180°となるようにオートグラフ(島津製作所社製)でサンプルを剥離した。このときに発生したウェハ表面の帯電量を、サンプル剥離部から1cmの位置に固定してある帯電圧測定器(PROSTAT社製,PFM−711A)にて測定した。結果を表1に示す。
[Test Example 1] (Measurement of peeling voltage)
The semiconductor processing sheets manufactured in Examples and Comparative Examples were cut into a width of 25 mm and a length of 200 mm, and this was used as a sample. The release sheet was peeled off from the sample, the pressure-sensitive adhesive layer was bonded to the mirror surface of the silicon wafer, and pressed and laminated by reciprocating a 1 kg roller once. After storing this at 23 ° C. and 50% relative humidity for 20 minutes, the sample was irradiated with ultraviolet (UV) light (illuminance: 230 mW / cm 2 , light amount: 190 mJ / cm 2 ) from the substrate side. The sample was peeled off from the laminate of the sample and the silicon wafer after the ultraviolet irradiation by an autograph (manufactured by Shimadzu Corporation) so that the peeling speed was 300 mm / min and the peeling angle was 180 °. The amount of charge generated on the wafer surface at this time was measured with a charged voltage meter (PROSTAT, PFM-711A) fixed at a position 1 cm from the sample peeling portion. Table 1 shows the results.

〔試験例2〕(ウェハ汚染性の評価)
実施例および比較例にて製造した半導体加工用シートから剥離シートを剥離し、粘着剤層をシリコンウェハ上に貼合して、5kgのローラーを1往復させることにより荷重をかけて積層した。これを、23℃、50%相対湿度下で24時間静置したのち、半導体加工用シートの基材側から紫外線(UV)照射(照度:230mW/cm,光量:190mJ/cm)を行った。紫外線照射後の半導体加工用シートとシリコンウェハとの積層体から、剥離速度300mm/min、剥離角度180°にて半導体加工用シートを剥離したのち、ウェハ表面検査装置(日立エンジニアリング社製,S6600)を用い、シリコンウェハ上における最大径0.27μm以上の残渣物(パーティクル)の個数を測定した。結果を表1に示す。
[Test Example 2] (Evaluation of wafer contamination)
The release sheet was peeled off from the semiconductor processing sheets produced in the examples and comparative examples, the adhesive layer was stuck on a silicon wafer, and a 5 kg roller was reciprocated once to laminate by applying a load. This was allowed to stand at 23 ° C. and 50% relative humidity for 24 hours, and then ultraviolet (UV) irradiation (illuminance: 230 mW / cm 2 , light amount: 190 mJ / cm 2 ) was performed from the substrate side of the semiconductor processing sheet. Was. After peeling the semiconductor processing sheet from the laminated body of the semiconductor processing sheet and the silicon wafer after the ultraviolet irradiation at a peeling speed of 300 mm / min and a peeling angle of 180 °, a wafer surface inspection device (Hitachi Engineering Co., S6600) Was used to measure the number of residues (particles) having a maximum diameter of 0.27 μm or more on the silicon wafer. Table 1 shows the results.

〔試験例3〕(5mm□ピックアップ力の評価)
実施例及び比較例にて製造した半導体加工用シートから剥離シートを剥離し、テープマウンター(リンテック社製,RAD2500m/8)を用いて、表出した粘着剤層に6インチシリコンウェハ(厚さ:100μm)およびダイシング用リングフレームを貼付した。続いて、リングフレームの外径に合わせて半導体加工用シートを裁断した後、ダイシング装置(ディスコ社製:DFD−651)を用いて、以下のダイシング条件でシリコンウェハ側から切断するダイシングを行い、5mm×5mmのチップを得た。
[Test Example 3] (Evaluation of 5 mm pick-up force)
The release sheet was peeled off from the semiconductor processing sheet manufactured in each of Examples and Comparative Examples, and a 6-inch silicon wafer (thickness: 8 mm) was formed on the exposed adhesive layer using a tape mounter (manufactured by Lintec Corporation, RAD 2500 m / 8). 100 μm) and a ring frame for dicing. Subsequently, after cutting the semiconductor processing sheet according to the outer diameter of the ring frame, dicing for cutting from the silicon wafer side under the following dicing conditions is performed using a dicing apparatus (manufactured by Disco: DFD-651). A 5 mm × 5 mm chip was obtained.

<ダイシング条件>
・ウェハの厚さ :100μm
・ダイシング装置 :ディスコ社製 DFD−651
・ブレード :ディスコ社製 NBC−ZH2050 27HECC
・ブレード幅 :0.025〜0.030mm
・刃先出し量 :0.640〜0.760mm
・ブレード回転数 :30000rpm
・切削速度 :50mm/sec
・基材切り込み深さ:20μm
・切削水量 :1.0L/min
・切削水温度 :20℃
<Dicing conditions>
・ Wafer thickness: 100 μm
・ Dicing device: DFD-651 manufactured by Disco
・ Blade: NBC-ZH2050 27HECC manufactured by Disco
-Blade width: 0.025 to 0.030 mm
・ Cutting edge: 0.640 to 0.760 mm
-Blade rotation speed: 30,000 rpm
・ Cutting speed: 50mm / sec
・ Base material cutting depth: 20 μm
・ Cutting water volume: 1.0L / min
・ Cutting water temperature: 20 ℃

ダイシング後、23℃、50%相対湿度下で24時間静置し、その後紫外線照射装置(リンテック社製,RAD2000m/8)を用い、半導体加工用シートの基材側から紫外線(UV)照射(照度:230mW/cm,光量:190mJ/cm,窒素パージ:有り(流量:30L/分))を行った。紫外線照射後、エキスパンド工程(エキスパンド量:5mm引き落とし)を行い、下記条件にてチップのピックアップに行った。この時、ピックアップに要した力(N)をプッシュプルゲージ(AIKOH ENGINEERING社製,RX−1)により測定し、チップ20個についての測定値の平均値を算出した。結果を表1に示す。After the dicing, the substrate was allowed to stand at 23 ° C. and 50% relative humidity for 24 hours, and then irradiated with ultraviolet (UV) light (illuminance) from the substrate side of the semiconductor processing sheet using an ultraviolet irradiation device (manufactured by Lintec, RAD2000m / 8). : 230 mW / cm 2 , light intensity: 190 mJ / cm 2 , nitrogen purge: present (flow rate: 30 L / min). After irradiation with ultraviolet rays, an expanding step (expanding amount: 5 mm withdrawal) was performed, and the chip was picked up under the following conditions. At this time, the force (N) required for the pickup was measured by a push-pull gauge (manufactured by AIKOH ENGINEERING, RX-1), and the average value of the measured values for 20 chips was calculated. Table 1 shows the results.

<ピックアップ条件>
・チップサイズ :5mm×5mm
・ピン数 :1ピン
・突き上げ速度 :1mm/秒
<Pickup conditions>
・ Chip size: 5mm x 5mm
-Number of pins: 1-Push-up speed: 1 mm / sec

Figure 0006656222
Figure 0006656222

表1から明らかなように、実施例の半導体加工用シートは、剥離帯電圧が十分に小さく帯電防止性に優れており、またウェハ上のパーティクルが少なく汚染が抑制されていた。さらに、実施例1〜4は、参考例1に比べて小さいピックアップ力でチップをピックアップすることができ、また紫外線照射前の粘着力が大きかった。さらに、実施例1〜4は、参考例2に比べて剥離帯電圧が小さかった。   As is clear from Table 1, the semiconductor processing sheet of the example had a sufficiently small peeling voltage and was excellent in antistatic properties, and had few particles on the wafer to suppress contamination. Further, in Examples 1 to 4, chips could be picked up with a smaller pickup force than in Reference Example 1, and the adhesive strength before irradiation with ultraviolet rays was large. Further, in Examples 1 to 4, the peeling electrostatic voltage was smaller than that in Reference Example 2.

本発明に係る半導体加工用シートは、剥離帯電が問題となり得る半導体ウェハやチップの製造工程において特に好適に用いられる。   The semiconductor processing sheet according to the present invention is particularly suitably used in a manufacturing process of a semiconductor wafer or a chip in which peeling charging may be a problem.

1…半導体加工用シート
2…基材
3…粘着剤層
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Semiconductor processing sheet 2 ... Substrate 3 ... Adhesive layer

Claims (11)

基材と、前記基材の少なくとも一方の面側に積層された粘着剤層とを備えた半導体加工用シートであって、
前記粘着剤層は、塩およびエネルギー線硬化性基を有するポリマーと、前記ポリマーとは異なるエネルギー線硬化性粘着成分とを含有する粘着剤組成物から形成されたものであり、
前記粘着剤組成物は、エーテル結合を有する構成単位およびエネルギー線硬化性基を有する化合物をエネルギー線硬化性粘着成分の一成分として含有するか、または、前記ポリマーの側鎖としてエーテル結合を有する構成単位を有する
ことを特徴とする半導体加工用シート。
A semiconductor processing sheet comprising a base material and an adhesive layer laminated on at least one surface of the base material,
The pressure-sensitive adhesive layer is formed from a pressure-sensitive adhesive composition containing a salt and a polymer having an energy-ray-curable group, and an energy-ray-curable pressure-sensitive adhesive component different from the polymer.
The pressure-sensitive adhesive composition contains a structural unit having an ether bond and a compound having an energy-ray-curable group as one component of an energy-ray-curable pressure-sensitive adhesive component, or has an ether bond as a side chain of the polymer. A semiconductor processing sheet having a unit.
前記エーテル結合を有する構成単位は、アルキレンオキサイド単位であることを特徴とする請求項1に記載の半導体加工用シート。   The semiconductor processing sheet according to claim 1, wherein the constituent unit having an ether bond is an alkylene oxide unit. 前記アルキレンオキサイド単位は2〜40の繰り返しであることを特徴とする請求項2に記載の半導体加工用シート。   3. The semiconductor processing sheet according to claim 2, wherein the alkylene oxide unit is a repeating unit of 2 to 40. 4. 前記粘着剤組成物における前記ポリマーの含有量は、0.5〜65質量%であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の半導体加工用シート。   The semiconductor processing sheet according to any one of claims 1 to 3, wherein the content of the polymer in the pressure-sensitive adhesive composition is 0.5 to 65% by mass. 前記ポリマーの重量平均分子量は、500〜20万であることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載の半導体加工用シート。   The semiconductor processing sheet according to any one of claims 1 to 4, wherein the polymer has a weight average molecular weight of 500 to 200,000. 前記ポリマーは、前記エネルギー線硬化性基として(メタ)アクリロイル基を有することを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載の半導体加工用シート。   6. The semiconductor processing sheet according to claim 1, wherein the polymer has a (meth) acryloyl group as the energy ray-curable group. 7. 前記ポリマーの単位質量あたりの前記エネルギー線硬化性基の含有量は、5×10−5〜2×10−3モル/gであることを特徴とする請求項1〜6のいずれか一項に記載の半導体加工用シート。The content of the energy ray-curable group per unit mass of the polymer is 5 × 10 −5 to 2 × 10 −3 mol / g, according to any one of claims 1 to 6, wherein The semiconductor processing sheet according to the above. 前記エネルギー線硬化性粘着成分は、エネルギー線硬化性を有しないアクリル系重合体およびエネルギー線硬化性化合物を含有することを特徴とする請求項1〜7のいずれか一項に記載の半導体加工用シート。   The semiconductor device according to any one of claims 1 to 7, wherein the energy ray-curable adhesive component contains an acrylic polymer having no energy ray curability and an energy ray-curable compound. Sheet. 前記エネルギー線硬化性粘着成分は、側鎖にエネルギー線硬化性基が導入されたアクリル系重合体を含有することを特徴とする請求項1〜7のいずれか一項に記載の半導体加工用シート。   The sheet for semiconductor processing according to any one of claims 1 to 7, wherein the energy ray-curable adhesive component contains an acrylic polymer having an energy ray-curable group introduced into a side chain. . 前記エネルギー線硬化性粘着成分は、架橋剤を含有することを特徴とする請求項1〜9のいずれか一項に記載の半導体加工用シート。   The semiconductor processing sheet according to any one of claims 1 to 9, wherein the energy ray-curable pressure-sensitive adhesive component contains a crosslinking agent. 前記塩は、4級アンモニウム塩であることを特徴とする請求項1〜10のいずれか一項に記載の半導体加工用シート。   The semiconductor processing sheet according to any one of claims 1 to 10, wherein the salt is a quaternary ammonium salt.
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