KR20170131830A - Sheet for semiconductor processing - Google Patents

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Abstract

기재(基材)(2)와, 기재(2)의 적어도 한쪽 면측에 적층된 점착제층(3)을 구비한 반도체 가공용 시트(1)로서, 점착제층(3)이, 염 및 에너지선 경화성기를 갖는 폴리머와, 에너지선 경화성 점착 성분(상기 폴리머를 제외함)을 함유하는 점착제 조성물로부터 형성된 것이며, 점착제 조성물은, 에테르 결합을 갖는 구성 단위 및 에너지선 경화성기를 갖는 화합물을 에너지선 경화성 점착 성분의 일 성분으로서 함유하거나, 또는, 폴리머의 측쇄로서 에테르 결합을 갖는 구성 단위를 갖는 반도체 가공용 시트(1).
이러한 반도체 가공용 시트(1)는, 충분한 대전 방지성을 발휘하면서도, 에너지선 조사 후의 박리시에 있어서의 피착체의 오염을 억제할 수 있다.A semiconductor processing sheet (1) comprising a substrate (2) and a pressure sensitive adhesive layer (3) laminated on at least one side of the substrate (2), wherein the pressure sensitive adhesive layer (3) , And a pressure-sensitive adhesive composition containing an energy ray-curable pressure-sensitive adhesive component (excluding the polymer), wherein the pressure-sensitive adhesive composition comprises a component having an ether bond and a compound having an energy ray- (1) having a constituent unit having an ether bond as a side chain of a polymer.
Such a semiconductor processing sheet 1 can exhibit sufficient antistatic properties and can inhibit contamination of an adherend upon peeling after irradiation with energy rays.

Description

반도체 가공용 시트{SHEET FOR SEMICONDUCTOR PROCESSING}Sheet for semiconductor processing {SHEET FOR SEMICONDUCTOR PROCESSING}

본 발명은 반도체 가공용 시트에 관한 것이다.The present invention relates to a sheet for semiconductor processing.

반도체 웨이퍼를 연삭, 절단하는 공정에 있어서는, 반도체 웨이퍼의 고정이나 회로 등의 보호를 목적으로 하여, 점착 시트가 사용되고 있다. 이와 같은 점착 시트로서, 반도체 웨이퍼를 첩부(貼付)한 후의 처리 공정에 있어서는 강한 점착력을 갖고, 한편 박리시에는 에너지선의 조사에 의해 점착력이 저하하는, 에너지선 경화성의 점착제층을 구비한 점착 시트가 있다.BACKGROUND ART In a process of grinding and cutting a semiconductor wafer, a pressure-sensitive adhesive sheet is used for the purpose of fixing a semiconductor wafer and protecting a circuit. As such a pressure-sensitive adhesive sheet, a pressure-sensitive adhesive sheet comprising a pressure-sensitive adhesive layer having an energy ray-curable pressure-sensitive adhesive sheet, which has a strong adhesive force in a process step after a semiconductor wafer is pasted (adhered) to the pressure- have.

이들의 점착 시트는, 소정의 처리 공정이 종료되면 박리되지만, 이때에, 점착 시트와 피착체인 반도체 웨이퍼나 반도체칩(이하, 단순히 「칩」이라고 하는 경우가 있음) 등과의 사이에서, 박리 대전이라고 불리는 정전기가 발생하는 경우가 있다. 이와 같은 정전기는, 반도체 웨이퍼·칩이나 이들에 형성된 회로 등이 파괴되는 원인이 된다. 이를 방지하기 위해, 반도체 웨이퍼의 가공시에 사용되는 점착 시트에 있어서, 점착제에 저분자량의 4급 암모늄염 화합물을 첨가함으로써, 점착 시트에 대전 방지성을 갖게 하는 것이 알려져 있다.These pressure sensitive adhesive sheets are peeled off when a predetermined processing step is completed. At this time, between the pressure sensitive adhesive sheet and the semiconductor wafer or semiconductor chip (hereinafter, simply referred to as " Static electricity may be generated in some cases. Such static electricity is a cause of destruction of semiconductor wafers, chips and circuits formed thereon. In order to prevent this, it has been known that the pressure-sensitive adhesive sheet has antistatic properties by adding a quaternary ammonium salt compound having a low molecular weight to the pressure-sensitive adhesive sheet used for processing semiconductor wafers.

그러나, 대전 방지제로서 저분자량의 4급 암모늄염 화합물을 사용했을 경우, 당해 화합물이 점착 시트로부터 블리드 아웃하거나, 점착제의 잔사물(파티클)이, 반도체 웨이퍼나 칩 등의 피착체의 표면을 오염시켜 버리는 문제가 있었다.However, when a quaternary ammonium salt compound having a low molecular weight is used as an antistatic agent, the compound bleeds out from the pressure sensitive adhesive sheet, or the residue of the pressure sensitive adhesive tends to contaminate the surface of an adherend such as a semiconductor wafer or chip There was a problem.

이에 대하여, 대전 방지성을 갖게 한 점착제로서, 4급 암모늄염을 갖는 (메타)아크릴계 공중합체를 점착 성분으로 하는 광학 부재용 대전 방지성 점착제가 제안되고 있다(특허문헌 1 참조). 이러한 점착제는, 4급 암모늄염을 (메타)아크릴계 공중합체에 도입하여 고분자량으로 하는 것이다.On the other hand, an antistatic pressure-sensitive adhesive for optical members having a (meth) acrylic copolymer having a quaternary ammonium salt as an adhesive component has been proposed as an antistatic adhesive. Such a pressure-sensitive adhesive is obtained by introducing a quaternary ammonium salt into a (meth) acrylic copolymer to give a high molecular weight.

일본국 특개2011-12195호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 2011-12195

그러나, 특허문헌 1에 개시되어 있는 점착제는, 편광판 등의 광학 부재에 첩부되는 점착 시트에 사용되는 것이며, 에너지선 조사에 의한 박리를 전제로 하고 있지 않다. 따라서, 에너지선 조사의 전후에 의해 점착력을 크게 변화시키는, 반도체 가공용에 사용되는 점착 시트란, 요구되는 물성이 완전히 서로 다른 것이다.However, the pressure-sensitive adhesive disclosed in Patent Document 1 is used for a pressure-sensitive adhesive sheet to be affixed to an optical member such as a polarizing plate, and does not presuppose peeling by energy ray irradiation. Therefore, the pressure-sensitive adhesive sheet used for semiconductor processing, which significantly changes the adhesive force before and after the energy ray irradiation, has completely different physical properties required.

여기에서, 특허문헌 1의 점착제는, 점착 성분 그 자체에 대전 방지성이 부여된 것이다. 이와 같은 대전 방지성 점착 성분에 있어서는, 예를 들면 반도체 가공용에 적용하기 위해, 그 점착성 또는 대전 방지성 중 어느 것을 제어하고자 하여 대전 방지성 점착 성분의 조성 등을 변경하면, 다른 쪽의 특성에도 영향이 생겨 버린다. 그 때문에, 이러한 대전 방지성 점착 성분에 있어서는, 그 설계의 자유도에 제약이 있었다.Here, in the pressure-sensitive adhesive of Patent Document 1, the pressure-sensitive adhesive component itself is provided with antistatic property. As such an antistatic adhesive component, for example, for application to semiconductor processing, if the composition or the like of an antistatic pressure-sensitive adhesive component is changed in order to control either the adhesive property or the antistatic property, . Therefore, such antistatic pressure-sensitive adhesive components have restrictions on the degree of freedom in designing them.

본 발명은 상기와 같은 실상을 감안하여 이루어진 것이며, 충분한 대전 방지성을 발휘하면서도, 에너지선 조사 후의 박리시에 있어서의 피착체의 오염을 억제할 수 있는 반도체 가공용 시트를 제공하는 것을 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a semiconductor processing sheet capable of suppressing contamination of an adherend upon peeling after irradiation with energy rays, while exhibiting sufficient antistatic properties.

상기 목적을 달성하기 위해, 제1 본 발명은, 기재(基材)와, 상기 기재의 적어도 한쪽의 면측에 적층된 점착제층을 구비한 반도체 가공용 시트로서, 상기 점착제층은, 염 및 에너지선 경화성기를 갖는 폴리머와, 상기 폴리머와는 서로 다른 에너지선 경화성 점착 성분을 함유하는 점착제 조성물로부터 형성된 것이며, 상기 점착제 조성물은, 에테르 결합을 갖는 구성 단위 및 에너지선 경화성기를 갖는 화합물을 에너지선 경화성 점착 성분의 일 성분으로서 함유하거나, 또는, 상기 폴리머의 측쇄로서 에테르 결합을 갖는 구성 단위를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 가공용 시트를 제공한다(발명 1).In order to achieve the above object, the first invention is a sheet for semiconductor processing comprising a base material and a pressure-sensitive adhesive layer laminated on at least one side of the base material, wherein the pressure- And the polymer is formed from a pressure-sensitive adhesive composition containing different energy ray-curable pressure-sensitive adhesive components, and the pressure-sensitive adhesive composition is a pressure-sensitive adhesive composition comprising a component having an ether bond and a compound having an energy ray- Or a structural unit having an ether bond as a side chain of the polymer. The present invention also provides a sheet for semiconductor processing.

본 발명에 따른 반도체 가공용 시트로서는, 예를 들면 반도체 웨이퍼나 각종 패키지류의 다이싱 공정에 사용되는 다이싱 시트나, 반도체 웨이퍼 등의 백그라인드 공정에 사용되는 백그라인드 시트 등을 들 수 있지만, 이들에 한정되는 것이 아니다. 본 발명에 따른 반도체 가공용 시트는, 특히 다이싱 시트로서 바람직하게 사용할 수 있다.Examples of the semiconductor processing sheet according to the present invention include a dicing sheet used in a dicing process of a semiconductor wafer or various package types, and a back grind sheet used in a backgrind process such as a semiconductor wafer. The present invention is not limited thereto. The semiconductor processing sheet according to the present invention can be preferably used particularly as a dicing sheet.

또한, 본 발명에 따른 반도체 가공용 시트에는, 링 프레임을 첩부하기 위한 다른 점착제층(및 기재)을 갖는 것, 예를 들면 웨이퍼에 첩부하는 부분을 둘러싸도록 원환상(圓環狀) 등의 점착 부재를 마련한 것이 포함되는 것으로 한다. 또한, 본 발명에 따른 반도체 가공용 시트에는, 점착제층이 기재상에 부분적으로 마련된 것, 예를 들면 기재의 주연부(周緣部)에만 점착제층이 마련되어 있고, 내주부(內周部)에는 점착제층이 마련되어 있지 않은 것도 포함되는 것으로 한다. 또한, 본 발명에 있어서의 「시트」에는, 「테이프」의 개념도 포함되는 것으로 한다.Further, the semiconductor processing sheet according to the present invention may be provided with another pressure-sensitive adhesive layer (and substrate) for affixing the ring frame, for example, an annular adhesive member such as an annular ring so as to surround the portion to be affixed to the wafer And the like. In the semiconductor processing sheet according to the present invention, the pressure-sensitive adhesive layer may be provided partially on the substrate, for example, a pressure-sensitive adhesive layer may be provided only on the periphery of the substrate, and an adhesive layer may be provided on the inner circumference. And those not provided. The " sheet " in the present invention also includes the concept of " tape ".

상기 발명(발명 1)에 따른 반도체 가공용 시트는, 점착제 조성물에 포함되는 폴리머가 염(양이온)을 가지며, 또한 점착제 조성물이 에테르 결합을 갖는 구성 단위를 포함함으로써, 충분한 대전 방지성을 발휘한다. 또한, 상기 폴리머가 에너지선 경화성기를 가지며, 또한, 에테르 결합을 갖는 구성 단위가, 에너지선 경화성기를 갖는 화합물로서, 또는 상기 폴리머의 측쇄로서, 점착제 조성물에 포함됨으로써, 에너지선 조사에 의해, 상기 폴리머끼리, 상기 폴리머와 에너지선 경화성 성분과의 사이, 또는 에테르 결합을 갖는 구성 단위 및 에너지선 경화성기를 갖는 화합물과 상기 폴리머 및 에너지선 경화성 성분과의 사이에서 반응하고, 가교한다. 이에 따라, 에너지선 조사 후에 피착체를 박리했을 때에, 피착체에 부착되는 파티클의 발생이 적어져, 피착체의 오염을 억제할 수 있다. 여기에서, 에테르 결합을 갖는 구성 단위 및 에너지선 경화성기를 갖는 화합물은, 에너지선 경화성 점착 성분의 일 성분으로서 함유되는 것이며, 당해 점착 성분의 에너지선 경화성에도 기여한다.The sheet for semiconductor processing according to the invention (Invention 1) exhibits sufficient antistatic properties because the polymer contained in the pressure-sensitive adhesive composition has a salt (cation) and the pressure-sensitive adhesive composition contains a structural unit having an ether bond. In addition, when the polymer has an energy ray-curable group and the structural unit having an ether bond is contained in the pressure-sensitive adhesive composition as a compound having an energy ray-curable group or as a side chain of the polymer, Between the polymer and the energy ray-curable component, or between the polymer and the energy ray-curable component, between the polymer and the energy ray-curable component or between the component having an ether bond and the energy ray-curable group. Accordingly, when the adherend is peeled off after the energy ray irradiation, the generation of particles adhered to the adherend is reduced, so that contamination of the adherend can be suppressed. Herein, the compound having an ether bond-containing structural unit and an energy ray-curable group is contained as one component of the energy ray-curable pressure-sensitive adhesive component, and also contributes to the energy ray curability of the pressure-sensitive adhesive component.

상기 발명(발명 1)에 있어서, 상기 에테르 결합을 갖는 구성 단위는, 알킬렌옥사이드 단위인 것이 바람직하고(발명 2), 상기 알킬렌옥사이드 단위는 2∼40의 반복인 것이 바람직하다(발명 3).In the above invention (Invention 1), the constituent unit having an ether bond is preferably an alkylene oxide unit (invention 2), and the alkylene oxide unit is preferably a repeating unit of 2 to 40 (Invention 3) .

상기 발명(발명 1∼3)에 있어서, 상기 점착제 조성물에 있어서의 상기 폴리머의 함유량은 0.5∼65질량％인 것이 바람직하다(발명 4).In the above invention (Inventions 1 to 3), the content of the polymer in the pressure-sensitive adhesive composition is preferably 0.5 to 65 mass% (Invention 4).

상기 발명(발명 1∼4)에 있어서, 상기 폴리머의 중량 평균 분자량은 500∼20만인 것이 바람직하다(발명 5).In the above inventions (Inventions 1 to 4), the polymer preferably has a weight average molecular weight of 500 to 200,000 (Invention 5).

상기 발명(발명 1∼5)에 있어서, 상기 폴리머는, 상기 에너지선 경화성기로서 (메타)아크릴로일기를 갖는 것이 바람직하다(발명 6).In the above invention (Inventions 1 to 5), the polymer preferably has a (meth) acryloyl group as the energy ray-curable group (invention 6).

상기 발명(발명 1∼6)에 있어서, 상기 폴리머의 단위 질량당 상기 에너지선 경화성기의 함유량은 5×10-5∼2×10-3몰/g인 것이 바람직하다(발명 7).In the invention (Invention 1 to 6), the content of the energy ray-curable group per unit mass of the polymer is preferably 5 × 10 -5 to 2 × 10 -3 mol / g (Invention 7).

상기 발명(발명 1∼7)에 있어서, 상기 에너지선 경화성 점착 성분은, 에너지선 경화성을 갖지 않는 아크릴계 중합체 및 에너지선 경화성 화합물을 함유하는 것이어도 되고(발명 8), 측쇄에 에너지선 경화성기가 도입된 아크릴계 중합체를 함유하는 것이어도 된다(발명 9).In the above inventions (Invention 1 to 7), the energy ray-curable pressure-sensitive adhesive component may contain an acrylic polymer and an energy ray-curable compound having no energy radiation curing property (invention 8), and an energy radiation curable group (Invention 9).

상기 발명(발명 1∼9)에 있어서, 상기 에너지선 경화성 점착 성분은, 가교제를 함유하는 것이 바람직하다(발명 10).In the above inventions (Invention 1 to 9), it is preferable that the energy ray-curable adhesive component contains a crosslinking agent (Invention 10).

상기 발명(발명 1∼10)에 있어서, 상기 염은, 4급 암모늄염인 것이 바람직하다(발명 11).In the above invention (Invention 1 to 10), the salt is preferably a quaternary ammonium salt (invention 11).

본 발명에 따른 반도체 가공용 시트는, 충분한 대전 방지성을 발휘하면서도, 에너지선 조사 후의 박리시에 있어서의 웨이퍼나 칩 등의 피착체의 오염을 억제할 수 있다.The semiconductor processing sheet according to the present invention can suppress contamination of an adherend such as a wafer or a chip at the time of peeling after the energy ray irradiation, while exhibiting sufficient antistatic property.

도 1은 본 발명의 일 실시형태에 따른 반도체 가공용 시트의 단면도.1 is a sectional view of a semiconductor processing sheet according to an embodiment of the present invention;

이하, 본 발명의 실시형태에 대해서 설명한다.Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described.

도 1은 본 발명의 일 실시형태에 따른 반도체 가공용 시트의 단면도이다. 본 실시형태에 따른 반도체 가공용 시트(1)는, 기재(2)와, 기재(2)의 한쪽 면(도 1에서는 상측의 면)에 적층된 점착제층(3)을 구비하여 구성된다. 본 실시형태에 따른 반도체 가공용 시트(1)는, 다이싱 시트, 백그라인드 시트 등으로서 사용할 수 있지만, 이하, 다이싱 시트로서 사용될 경우를 중심으로 설명한다.1 is a cross-sectional view of a semiconductor processing sheet according to an embodiment of the present invention. The semiconductor processing sheet 1 according to the present embodiment comprises a base material 2 and a pressure-sensitive adhesive layer 3 laminated on one surface (the upper surface in Fig. 1) of the base material 2. [ The semiconductor processing sheet 1 according to the present embodiment can be used as a dicing sheet, a back grind sheet or the like, and will be mainly described below as a case of being used as a dicing sheet.

1. 기재1. Equipment

본 실시형태에 따른 반도체 가공용 시트(1)의 기재(2)는, 반도체 가공용 시트(1)가 다이싱 공정·익스팬드 공정 또는 백그라인드 공정 등의 원하는 공정에 있어서 적절히 기능할 수 있는 한, 그 구성 재료는 특별히 한정되지 않고, 통상은 수지계의 재료를 주재(主材)로 하는 필름으로 구성된다. 그 필름의 구체예로서, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체 필름, 에틸렌-(메타)아크릴산 공중합체 필름, 에틸렌-(메타)아크릴산에스테르 공중합체 필름 등의 에틸렌계 공중합 필름; 저밀도 폴리에틸렌(LDPE) 필름, 직쇄 저밀도 폴리에틸렌(LLDPE) 필름, 고밀도 폴리에틸렌(HDPE) 필름 등의 폴리에틸렌 필름, 폴리프로필렌 필름, 폴리부텐 필름, 폴리부타디엔 필름, 폴리메틸펜텐 필름, 에틸렌-노르보르넨 공중합체 필름, 노르보르넨 수지 필름 등의 폴리올레핀계 필름; 폴리염화비닐 필름, 염화비닐 공중합체 필름 등의 폴리염화비닐계 필름; 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리부틸렌테레프탈레이트 필름 등의 폴리에스테르계 필름; 폴리우레탄 필름; 폴리이미드 필름; 폴리스티렌 필름; 폴리카보네이트 필름; 불소 수지 필름 등을 들 수 있다. 또한 이들의 가교 필름, 아이오노머 필름과 같은 변성 필름도 사용된다. 상기 기재(2)는 이들의 1종으로 이루어지는 필름이어도 되고, 또한 이들을 2종류 이상 조합한 적층 필름이어도 된다. 또한, 본 명세서에 있어서의 「(메타)아크릴산」은, 아크릴산 및 메타크릴산 양쪽을 의미한다. 다른 유사 용어에 대해서도 마찬가지이다.The base material 2 of the semiconductor processing sheet 1 according to the present embodiment can be used as long as the semiconductor processing sheet 1 can appropriately function in a desired step such as a dicing step or an expanding step or a back grinding step. The constituent material is not particularly limited and is usually composed of a film made of a resin material as a main material. Specific examples of the film include an ethylene copolymer film such as an ethylene-vinyl acetate copolymer film, an ethylene- (meth) acrylic acid copolymer film, and an ethylene- (meth) acrylic acid ester copolymer film; A polypropylene film, a polybutene film, a polybutadiene film, a polymethylpentene film, an ethylene-norbornene copolymer (hereinafter referred to as " ethylene-norbornene copolymer ") such as a low density polyethylene (LDPE) film, a linear low density polyethylene (LLDPE) film, and a high density polyethylene (HDPE) Film, norbornene resin film, and other polyolefin-based films; Polyvinyl chloride films such as polyvinyl chloride films and vinyl chloride copolymer films; Polyester films such as polyethylene terephthalate film and polybutylene terephthalate film; Polyurethane film; Polyimide films; Polystyrene film; Polycarbonate film; And a fluororesin film. Also, a modified film such as a crosslinked film or an ionomer film may be used. The base material 2 may be a film made of one of these materials, or a laminated film in which two or more kinds of these are combined. In the present specification, "(meth) acrylic acid" means both acrylic acid and methacrylic acid. The same is true for other similar terms.

기재(2)를 구성하는 필름은, 에틸렌계 공중합 필름 및 폴리올레핀계 필름의 적어도 1종을 구비하는 것이 바람직하다. 에틸렌계 공중합 필름은 공중합비를 바꾸는 것 등에 의해 그 기계 특성을 광범위한 범위로 제어하는 것이 용이하다. 이 때문에, 에틸렌계 공중합 필름을 구비하는 기재(2)는 본 실시형태에 따른 반도체 가공용 시트(1)의 기재로서 요구되는 기계 특성을 충족시키기 쉽다. 또한, 에틸렌계 공중합 필름은 점착제층(3)에 대한 밀착성이 비교적 높기 때문에, 반도체 가공용 시트로서 사용했을 때에 기재(2)와 점착제층(3)과의 계면에서의 박리가 생기기 어렵다.The film constituting the substrate 2 preferably comprises at least one of an ethylenic copolymer film and a polyolefin film. It is easy to control the mechanical properties of the ethylenic copolymer film in a wide range by changing the copolymerization ratio or the like. For this reason, the substrate 2 comprising the ethylenic copolymer film tends to satisfy the mechanical properties required as the substrate of the semiconductor processing sheet 1 according to the present embodiment. In addition, since the ethylene copolymer film has a relatively high adhesion to the pressure-sensitive adhesive layer 3, peeling at the interface between the base material 2 and the pressure-sensitive adhesive layer 3 is unlikely to occur when used as a sheet for semiconductor processing.

여기에서, 폴리염화비닐계 필름 등의 일부의 필름에는, 반도체 가공용 시트로서의 특성에 악영향을 미치는 성분을 많이 포함하는 것이 있다. 예를 들면 폴리염화비닐계 필름 등에서는, 당해 필름에 함유되는 가소제가 기재(2)로부터 점착제층(3)으로 이행하고, 또한 점착제층(3)의 기재(2)에 대향하는 측과 반대측의 면에 분포하여, 점착제층(3)의 피착체(반도체 웨이퍼나 칩 등)에 대한 점착성을 저하시킬 경우가 있다. 그러나, 에틸렌계 공중합 필름 및 폴리올레핀계 필름은, 반도체 가공용 시트로서의 특성에 악영향을 미치는 성분의 함유량이 적기 때문에, 점착제층(3)의 피착체에 대한 점착성이 저하하는 등의 문제가 생기기 어렵다. 즉, 에틸렌계 공중합 필름 및 폴리올레핀계 필름은 화학적인 안정성이 우수하다.Here, some films such as polyvinyl chloride films contain many components that adversely affect the properties of the sheet for semiconductor processing. The plasticizer contained in the film is transferred from the base material 2 to the pressure-sensitive adhesive layer 3 and the pressure-sensitive adhesive layer 3 on the opposite side to the side opposite to the base material 2 of the pressure- And the adhesive property to the adherend (semiconductor wafer, chips, etc.) of the pressure-sensitive adhesive layer 3 may be lowered. However, since the ethylenic copolymer film and the polyolefin film have a small content of components that adversely affect the properties of the sheet for semiconductor processing, problems such as deterioration of the adhesive property of the pressure-sensitive adhesive layer 3 to an adherend are hardly caused. That is, the ethylenic copolymer film and the polyolefin film are excellent in chemical stability.

본 실시형태에 있어서 사용하는 기재(2)에는, 상기 수지계 재료를 주재로 하는 필름 내에, 안료, 난연제, 가소제, 대전 방지제, 윤활제, 필러 등의 각종 첨가제가 포함되어 있어도 된다. 안료로서는, 예를 들면 이산화티타늄, 카본 블랙 등을 들 수 있다. 또한, 필러로서는, 멜라민 수지와 같은 유기계 재료, 흄드 실리카와 같은 무기계 재료 및 니켈 입자와 같은 금속계 재료가 예시된다. 이러한 첨가제의 함유량은 특별히 한정되지 않지만, 기재(2)가 원하는 기능을 발휘하고, 평활성이나 유연성을 잃어버리지 않는 범위에 그쳐야 한다.The base material 2 used in the present embodiment may contain various additives such as a pigment, a flame retardant, a plasticizer, an antistatic agent, a lubricant, and a filler in a film based on the resin-based material. Examples of the pigment include titanium dioxide and carbon black. Examples of the filler include organic materials such as melamine resin, inorganic materials such as fumed silica, and metallic materials such as nickel particles. The content of such an additive is not particularly limited, but it should be within a range in which the substrate 2 exhibits a desired function and does not lose smoothness or flexibility.

점착제층(3)을 경화시키기 위해 조사하는 에너지선으로서 자외선을 사용할 경우에는, 기재(2)는 자외선에 대하여 투과성을 갖는 것이 바람직하다. 또한, 에너지선으로서 전자선을 사용할 경우에는, 기재(2)는 전자선의 투과성을 갖고 있는 것이 바람직하다.When ultraviolet rays are used as an energy ray to be irradiated for curing the pressure-sensitive adhesive layer (3), it is preferable that the base material (2) has transparency to ultraviolet rays. When the electron beam is used as the energy beam, the base material 2 preferably has the permeability of the electron beam.

또한, 기재(2)의 점착제층(3)측의 면(이하 「기재 피착면」이라고도 함)에는, 카르복시기, 그리고 그 이온 및 염으로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상을 갖는 성분이 존재하는 것이 바람직하다. 기재(2)에 있어서의 상기 성분과 점착제층(3)에 따른 성분(점착제층(3)을 구성하는 성분 및 가교제 등의 점착제층(3)을 형성함에 있어서 사용되는 성분이 예시됨)이 화학적으로 상호 작용함으로써, 이들 사이에서 박리가 생기는 가능성을 저감시킬 수 있다. 기재 피착면에 그와 같은 성분을 존재시키기 위한 구체적인 방법은 특별히 한정되지 않는다. 예를 들면 기재(2) 자체를 에틸렌-(메타)아크릴산 공중합체 필름, 아이오노머 수지 필름 등으로서, 기재(2)를 구성하는 재료가 되는 수지가 카르복시기, 그리고 그 이온 및 염으로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상을 갖는 것으로 해도 된다. 기재 피착면에 상기 성분을 존재시키는 다른 방법으로서, 기재(2)는 예를 들면 폴리올레핀계 필름으로서, 기재 피착면측에 코로나 처리가 실시되어 있거나, 프라이머층이 마련되어 있거나 해도 된다. 또한, 기재(2)의 기재 피착면과 반대측의 면에는 각종 도막(塗膜)이 마련되어 있어도 된다. 이들의 프라이머층이나 도막은, 대전 방지제를 포함하고 있어도 된다. 이에 따라, 반도체 가공용 시트(1)로서, 보다 우수한 대전 방지 성능을 발휘할 수 있다.The surface of the substrate 2 on the side of the pressure-sensitive adhesive layer 3 (hereinafter also referred to as the " substrate surface ") includes a component having one or more kinds selected from the group consisting of a carboxyl group, It is preferable that it exists. The components in the substrate 2 and the components according to the pressure-sensitive adhesive layer 3 (the components constituting the pressure-sensitive adhesive layer 3 and the components used in forming the pressure-sensitive adhesive layer 3 such as a crosslinking agent are exemplified) It is possible to reduce the possibility of peeling between them. A specific method for allowing such a component to be present on the surface of the substrate to be adhered is not particularly limited. For example, the substrate 2 itself may be selected from an ethylene- (meth) acrylic acid copolymer film, an ionomer resin film and the like, and the resin constituting the substrate 2 is selected from the group consisting of a carboxyl group, Or two or more of them. As another method of allowing the component to be present on the substrate-coated surface, the substrate 2 may be, for example, a polyolefin-based film, which has been subjected to corona treatment on the substrate-adhered side, or may be provided with a primer layer. In addition, various coating films (coating films) may be provided on the surface of the substrate 2 opposite to the substrate-adhered surface. These primer layers and coating films may contain an antistatic agent. As a result, the semiconductor processing sheet 1 can exhibit more excellent antistatic performance.

기재(2)의 두께는, 반도체 가공용 시트(1)가 원하는 공정에 있어서 적절히 기능할 수 있는 한, 한정되지 않는다. 바람직하게는 20∼450㎛, 보다 바람직하게는 25∼400㎛, 특히 바람직하게는 50∼350㎛의 범위이다.The thickness of the base material 2 is not limited as long as the semiconductor processing sheet 1 can function properly in a desired process. Preferably 20 to 450 mu m, more preferably 25 to 400 mu m, particularly preferably 50 to 350 mu m.

본 실시형태에 있어서의 기재(2)의 파단 신도(伸度)는, 23℃, 상대 습도 50％일 때에 측정한 값으로서 100％ 이상인 것이 바람직하고, 특히 200∼1000％인 것이 바람직하다. 여기에서, 파단 신도는 JIS K7161:1994(ISO 527-11993)에 준거한 인장 시험에 있어서의 시험편 파괴시의 시험편의 길이의 원래의 길이에 대한 신장률이다. 상기 파단 신도가 100％ 이상이면, 본 실시형태에 따른 반도체 가공용 시트를 익스팬드 공정에 사용했을 경우에 파단하기 어렵고, 웨이퍼를 절단하여 형성한 칩을 이간하기 쉬운 것이 된다.The elongation at break of the base material 2 in the present embodiment is preferably 100% or more, more preferably 200 to 1000%, as measured at 23 캜 and 50% relative humidity. Here, the elongation at break is an elongation against the original length of the length of the test piece at the time of breaking the test piece in the tensile test according to JIS K7161: 1994 (ISO 527-11993). When the elongation at break is 100% or more, it is difficult to break the semiconductor processing sheet according to the present embodiment when the semiconductor processing sheet is used in the expanding process, and the chip formed by cutting the wafer is easily separated.

또한, 본 실시형태에 있어서의 기재(2)의 25％ 변형시 인장 응력은 5∼15N/10㎜인 것이 바람직하고, 최대 인장 응력은 15∼50㎫인 것이 바람직하다. 여기에서 25％ 변형시 인장 응력 및 최대 인장 응력은 JIS K7161:1994에 준거한 시험에 의해 측정된다. 25％ 변형시 인장 응력이 5N/10㎜ 이상, 최대 인장 응력이 15㎫ 이상이면, 다이싱 시트(1)에 워크를 첩착(貼着)한 후, 링 프레임 등의 프레임에 고정했을 때, 기재(2)에 느슨해짐이 발생하는 것이 억제되어, 반송 에러가 생기는 것을 방지할 수 있다. 한편, 25％ 변형시 인장 응력이 15N/10㎜ 이하, 최대 인장 응력이 50㎫ 이하이면, 익스팬드 공정시에 링 프레임으로부터 다이싱 시트(1) 자체가 벗겨지거나 하는 것이 억제된다. 또한, 상기 파단 신도, 25％ 변형시 인장 응력, 최대 인장 응력은 기재(2)에 있어서의 원반(原反)의 장척 방향에 대해서 측정한 값을 가리킨다.In addition, in the present embodiment, the tensile stress at 25% strain of the base material 2 is preferably 5 to 15 N / 10 mm, and the maximum tensile stress is preferably 15 to 50 MPa. Here, the tensile stress and the maximum tensile stress at 25% strain are measured by a test according to JIS K7161: 1994. When the work is adhered (adhered) to the dicing sheet 1 when the 25% strain is applied and the tensile stress is 5 N / 10 mm or more and the maximum tensile stress is 15 MPa or more, It is possible to suppress the occurrence of slack in the conveying belt 2, and to prevent a conveying error from occurring. On the other hand, if the tensile stress at 25% deformation is 15 N / 10 mm or less and the maximum tensile stress is 50 MPa or less, peeling of the dicing sheet 1 from the ring frame at the time of the expanding process is suppressed. In addition, the elongation at break, the tensile stress at 25% strain, and the maximum tensile stress refer to values measured in the longitudinal direction of a raw material in the base material 2.

2. 점착제층2. Adhesive layer

본 실시형태에 따른 반도체 가공용 시트(1)가 구비하는 점착제층(3)은, 에너지선 경화성 점착 성분(A)과, 염 및 에너지선 경화성기를 갖는 폴리머(C)(이하 「에너지선 경화성 대전 방지 폴리머(C)」라고 하는 경우가 있음)를 함유하고, 에테르 결합을 갖는 구성 단위를 포함하는 점착제 조성물로부터 형성되는 것이다. 또한, 에너지선 경화성 점착 성분(A)은, 에너지선 경화성 대전 방지 폴리머(C)를 포함하지 않는 것으로 한다. 여기에서, 에테르 결합을 갖는 구성 단위는, 에테르 결합을 갖는 구성 단위 및 에너지선 경화성기를 갖는 화합물(B)(이하 「에테르 결합 함유 에너지선 경화성 화합물(B)」이라고 하는 경우가 있음)로서 점착제 조성물에 함유되거나, 또는 에너지선 경화성 대전 방지 폴리머(C)의 측쇄로서 점착제 조성물에 포함된다. 또한, 본 실시형태에 있어서의 점착제 조성물은, 후술하는 가교제(D)를 함유하는 것이 바람직하다.The pressure-sensitive adhesive layer 3 of the semiconductor processing sheet 1 according to the present embodiment is constituted of the energy ray-curable pressure-sensitive adhesive component (A) and a polymer (C) having a salt and an energy ray- Polymer (C) "), and is composed of a pressure-sensitive adhesive composition comprising a constituent unit having an ether bond. The energy radiation curable pressure sensitive adhesive component (A) does not include the energy ray curable antistatic polymer (C). Here, the constituent unit having an ether bond is a constituent unit having an ether bond and a compound (B) having an energy ray-curable group (hereinafter sometimes referred to as an " ether bond-containing energy ray curable compound (B) Or as a side chain of the energy ray-curable antistatic polymer (C). The pressure-sensitive adhesive composition in the present embodiment preferably contains a cross-linking agent (D) described later.

(1) 에너지선 경화성 점착 성분(A)(1) Energy ray curable adhesive component (A)

에너지선 경화성 점착 성분(A)은, 에너지선 경화성을 갖지 않는 아크릴계 중합체(A1) 및 에너지선 경화성 화합물(A2)을 함유하는 것이거나, 측쇄에 에너지선 경화성기가 도입된 아크릴계 중합체(A3)를 함유하는 것임이 바람직하다. 에너지선 경화성 점착 성분(A)이, 측쇄에 에너지선 경화성기가 도입된 아크릴계 중합체(A3)를 함유할 경우, 에너지선 경화성 점착 성분으로서 당해 아크릴계 중합체(A3)만을 함유해도 되고, 당해 아크릴계 중합체(A3)와, 에너지선 경화성을 갖지 않는 아크릴계 중합체(A1) 및/또는 에너지선 경화성 화합물(A2)을 함유해도 된다. 또한, 본 명세서에 있어서의 「중합체」에는 「공중합체」의 개념도 포함되는 것으로 한다.The energy ray curable adhesive component (A) contains an acrylic polymer (A1) and an energy ray curable compound (A2) which do not have energy ray curability or an acrylic polymer (A3) . When the energy ray-curable pressure-sensitive adhesive component (A) contains the acrylic polymer (A3) having the energy ray-curable group introduced into the side chain, the acrylic polymer (A3) alone may be contained as the energy ray- ) And an acrylic polymer (A1) and / or an energy ray-curable compound (A2) having no energy ray curability. The term " polymer " in this specification includes the concept of " copolymer ".

(1-1) 에너지선 경화성을 갖지 않는 아크릴계 중합체(A1)(1-1) Acrylic polymer (A1) having no energy ray curability

본 실시형태에 있어서의 점착제층(3)을 형성하는 점착제 조성물이 에너지선 경화성을 갖지 않는 아크릴계 중합체(A1)를 함유할 경우, 당해 아크릴계 중합체(A1)는, 점착제 조성물에 그대로 함유되어 있어도 되고, 또한 적어도 그 일부가 후술하는 가교제(D)와 가교 반응을 행하여 가교물로서 함유되어 있어도 된다.When the pressure-sensitive adhesive composition for forming the pressure-sensitive adhesive layer 3 in the present embodiment contains the acrylic polymer (A1) having no energy ray curability, the acrylic polymer (A1) may be contained intact in the pressure- And at least a part thereof may be contained as a crosslinked product by carrying out a crosslinking reaction with the crosslinking agent (D) described later.

아크릴계 중합체(A1)로서는, 종래 공지의 아크릴계의 중합체를 사용할 수 있다. 아크릴계 중합체(A1)는, 1종류의 아크릴계 모노머로부터 형성된 단독 중합체여도 되고, 복수 종류의 아크릴계 모노머로부터 형성된 공중합체여도 되고, 1종류 또는 복수 종류의 아크릴계 모노머와 아크릴계 모노머 이외의 모노머로부터 형성된 공중합체여도 된다. 아크릴계 모노머가 되는 화합물의 구체적인 종류는 특별히 한정되지 않고, (메타)아크릴산, (메타)아크릴산에스테르, 그 유도체(아크릴로니트릴, 이타콘산 등)를 구체예로서 들 수 있다. (메타)아크릴산에스테르에 대해서 구체예를 더 나타내면, 메틸(메타)아크릴레이트, 에틸(메타)아크릴레이트, 프로필(메타)아크릴레이트, 부틸(메타)아크릴레이트, 2-에틸헥실(메타)아크릴레이트 등의 쇄상(鎖狀) 골격을 갖는 (메타)아크릴레이트; 시클로헥실(메타)아크릴레이트, 벤질(메타)아크릴레이트, 이소보르닐(메타)아크릴레이트, 디시클로펜타닐(메타)아크릴레이트, 이미드아크릴레이트 등의 환상 골격을 갖는 (메타)아크릴레이트; 2-히드록시에틸(메타)아크릴레이트, 2-히드록시프로필(메타)아크릴레이트 등의 히드록시기를 갖는 (메타)아크릴레이트; 글리시딜(메타)아크릴레이트, N-메틸아미노에틸(메타)아크릴레이트 등의 히드록시기 이외의 반응성 관능기를 갖는 (메타)아크릴레이트를 들 수 있다. 또한, 아크릴계 모노머 이외의 모노머로서, 에틸렌, 노르보르넨 등의 올레핀, 아세트산비닐, 스티렌 등이 예시된다. 또한, 아크릴계 모노머가 알킬(메타)아크릴레이트일 경우에는, 그 알킬기의 탄소수는 1∼18의 범위인 것이 바람직하다.As the acrylic polymer (A1), conventionally known acrylic polymers may be used. The acrylic polymer (A1) may be a homopolymer formed from one kind of acrylic monomer, a copolymer formed from a plurality of kinds of acrylic monomers, or a copolymer formed from one kind or plural kinds of acrylic monomers and monomers other than acrylic monomers do. Specific examples of the compound to be an acrylic monomer include, but not limited to, (meth) acrylic acid, (meth) acrylic acid ester and derivatives thereof (acrylonitrile, itaconic acid, etc.). Specific examples of the (meth) acrylic acid ester include methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, propyl (meth) acrylate, butyl (meth) acrylate, 2-ethylhexyl (Meth) acrylate having a chain skeleton such as a (meth) acrylate; (Meth) acrylate having a cyclic skeleton such as cyclohexyl (meth) acrylate, benzyl (meth) acrylate, isobornyl (meth) acrylate, dicyclopentanyl (meth) acrylate and imide acrylate; (Meth) acrylate having a hydroxyl group such as 2-hydroxyethyl (meth) acrylate and 2-hydroxypropyl (meth) acrylate; (Meth) acrylate having a reactive functional group other than a hydroxyl group such as glycidyl (meth) acrylate and N-methylaminoethyl (meth) acrylate. Examples of the monomer other than the acrylic monomer include olefins such as ethylene and norbornene, vinyl acetate and styrene. When the acrylic monomer is alkyl (meth) acrylate, the number of carbon atoms of the alkyl group is preferably in the range of 1 to 18.

본 실시형태에 있어서의 점착제층(3)을 형성하는 점착제 조성물이, 후술하는 가교제(D)를 함유할 경우에는, 아크릴계 중합체(A1)는, 가교제(D)와 반응하는 반응성 관능기를 갖는 것이 바람직하다. 반응성 관능기의 종류는 특별히 한정되지 않고, 가교제(D)의 종류 등에 의거하여 적의(適宜) 결정하면 된다.When the pressure-sensitive adhesive composition for forming the pressure-sensitive adhesive layer 3 in the present embodiment contains a crosslinking agent (D) described later, the acrylic polymer (A1) preferably has a reactive functional group reactive with the crosslinking agent (D) Do. The kind of the reactive functional group is not particularly limited and may be determined appropriately based on the kind of the cross-linking agent (D).

예를 들면 가교제(D)가 에폭시계 화합물일 경우에는, 아크릴계 중합체(A1)가 갖는 반응성 관능기로서, 카르복시기, 아미노기, 아미드기 등이 예시되고, 그 중에서도 에폭시기와의 반응성이 높은 카르복시기가 바람직하다. 또한, 가교제(D)가 폴리이소시아네이트 화합물일 경우에는, 아크릴계 중합체(A1)가 갖는 반응성 관능기로서, 히드록시기, 카르복시기, 아미노기 등이 예시되고, 그 중에서도 이소시아네이트기와의 반응성이 높은 히드록시기가 바람직하다.For example, when the crosslinking agent (D) is an epoxy-based compound, examples of the reactive functional group possessed by the acrylic polymer (A1) include a carboxyl group, an amino group, and an amide group. Among them, a carboxyl group having high reactivity with an epoxy group is preferable. When the crosslinking agent (D) is a polyisocyanate compound, examples of the reactive functional group possessed by the acrylic polymer (A1) include a hydroxyl group, a carboxyl group and an amino group. Among them, a hydroxyl group having high reactivity with an isocyanate group is preferable.

아크릴계 중합체(A1)에 반응성 관능기를 도입하는 방법은 특별히 한정되지 않고, 일례로서, 반응성 관능기를 갖는 모노머를 사용하여 아크릴계 중합체(A1)를 형성하고, 반응성 관능기를 갖는 모노머에 의거하는 구성 단위를 중합체의 골격에 함유시키는 방법을 들 수 있다. 예를 들면 아크릴계 중합체(A1)에 카르복시기를 도입할 경우에는, (메타)아크릴산 등의 카르복시기를 갖는 모노머를 사용하여 아크릴계 중합체(A1)를 형성하면 된다.The method of introducing the reactive functional group into the acrylic polymer (A1) is not particularly limited. As an example, a method of forming an acrylic polymer (A1) using a monomer having a reactive functional group and a structural unit based on a monomer having a reactive functional group, In a skeleton of a polylactic acid. For example, when a carboxyl group is introduced into the acrylic polymer (A1), an acrylic polymer (A1) may be formed using a monomer having a carboxyl group such as (meth) acrylic acid.

아크릴계 중합체(A1)가 반응성 관능기를 가질 경우에는, 가교의 정도를 양호한 범위로 하는 관점에서, 아크릴계 중합체(A1) 전체의 질량에 점하는 반응성 관능기를 갖는 모노머 유래의 구조 부분의 질량의 비율이 1∼20질량％ 정도인 것이 바람직하고, 2∼10질량％인 것이 보다 바람직하다.When the acrylic polymer (A1) has a reactive functional group, the ratio of the mass of the structural part derived from a monomer having a reactive functional group, which has a mass of the reactive functional group, in the entire acrylic polymer (A1) By mass to about 20% by mass, and more preferably 2% by mass to 10% by mass.

아크릴계 중합체(A1)의 중량 평균 분자량(Mw)은, 도공시의 조막성의 관점에서 1만∼200만인 것이 바람직하고, 10만∼150만인 것이 보다 바람직하다. 또한, 본 명세서에 있어서, 아크릴계 중합체(A1) 및 (A3)의 중량 평균 분자량은, 겔투과 크로마토그래피(GPC)법에 의해 측정한 표준 폴리스티렌 환산의 값이며, 측정 방법의 상세는 후술하는 실시예로 나타낸다. 또한, 아크릴계 중합체(A1)의 유리 전이 온도(Tg)는, 바람직하게는 -70℃∼30℃, 더 바람직하게는 -60℃∼20℃의 범위에 있다. 유리 전이 온도는, Fox식으로부터 계산할 수 있다.The weight average molecular weight (Mw) of the acrylic polymer (A1) is preferably 10,000 to 200,000, and more preferably 100,000 to 1,500,000, from the viewpoint of the film formability at the time of coating. In the present specification, the weight average molecular weights of the acrylic polymers (A1) and (A3) are values in terms of standard polystyrene measured by a gel permeation chromatography (GPC) method, Respectively. The glass transition temperature (Tg) of the acrylic polymer (A1) is preferably in the range of -70 캜 to 30 캜, more preferably -60 캜 to 20 캜. The glass transition temperature can be calculated from the Fox equation.

(1-2) 에너지선 경화성 화합물(A2)(1-2) Energy ray-curable compound (A2)

에너지선 경화성 점착 성분(A)은, 에너지선 경화성을 갖지 않는 아크릴계 중합체(A1)를 함유할 경우, 에너지선 경화성 화합물(A2)을 아울러 함유한다. 에너지선 경화성 화합물(A2)은, 에너지선 경화성기를 갖고, 자외선, 전자선 등의 에너지선의 조사를 받으면 중합하는 화합물이다. 또한, 본 명세서에 있어서, 에너지선 경화성 화합물(A2)의 개념에는, 후술하는 에테르 결합 함유 에너지선 경화성 화합물(B)이 포함된다.The energy ray-curable pressure-sensitive adhesive component (A) also contains the energy ray-curable compound (A2) when it contains the acrylic polymer (A1) having no energy ray curability. The energy ray curable compound (A2) is a compound that has an energy ray curable group and undergoes polymerization upon irradiation with energy rays such as ultraviolet rays and electron beams. In the present specification, the concept of the energy ray-curable compound (A2) includes an ether bond-containing energy ray-curable compound (B) which will be described later.

에너지선 경화성 화합물(A2)이 갖는 에너지선 경화성기는, 예를 들면 에너지선 경화성의 탄소-탄소 이중 결합을 포함하는 기이며, 구체적으로는, (메타)아크릴로일기, 비닐기 등을 예시할 수 있다.The energy ray-curable group possessed by the energy ray-curable compound (A2) is, for example, a group containing an energy ray-curable carbon-carbon double bond. Specific examples thereof include (meth) acryloyl group and vinyl group have.

에너지선 경화성 화합물(A2)의 예로서는, 상기 에너지선 경화성기를 갖고 있으면 특별히 한정되지 않지만, 범용성의 관점에서 저분자량 화합물(단관능, 다관능의 모노머 및 올리고머)인 것이 바람직하다. 저분자량의 에너지선 경화성 화합물(A2)의 구체예로서는, 트리메틸올프로판트리(메타)아크릴레이트, 테트라메틸올메탄테트라(메타)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메타)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨모노히드록시펜타(메타)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메타)아크릴레이트 혹은 1,4-부틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 1,6-헥산디올디(메타)아크릴레이트, 디시클로펜타디엔디메톡시디(메타)아크릴레이트, 이소보르닐(메타)아크릴레이트 등의 환상 지방족 골격 함유 (메타)아크릴레이트, 올리고에스테르(메타)아크릴레이트, 우레탄(메타)아크릴레이트올리고머, 에폭시 변성 (메타)아크릴레이트 등의 아크릴레이트계 화합물을 들 수 있다. 이 외에, 또한 에테르 결합을 갖는 구성 단위를 갖는 화합물에 대해서는, 에테르 결합 함유 에너지선 경화성 화합물(B)의 항에서 상세히 기술한다.Examples of the energy ray-curable compound (A2) are not particularly limited as long as they have the energy ray-curable group, but low molecular weight compounds (monofunctional and polyfunctional monomers and oligomers) are preferable from the viewpoint of versatility. Specific examples of the low molecular weight energy ray curable compound (A2) include trimethylolpropane tri (meth) acrylate, tetramethylolmethane tetra (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, dipentaerythritol mono (Meth) acrylate, 1,6-hexanediol di (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate or 1,4-butylene glycol di (Meta) acrylate, urethane (meth) acrylate oligomer, epoxy-modified (meth) acrylate, diisocyanate (meth) acrylate, isobornyl Acrylate and the like. In addition, the compound having a structural unit having an ether bond is described in detail in the section of the ether bond-containing energy ray-curable compound (B).

에너지선 경화성 화합물(A2)은, 통상은 분자량이 100∼30000, 바람직하게는 300∼10000 정도이다. 일반적으로, 아크릴계 중합체(A1) 100질량부에 대하여, 에너지선 경화성 화합물(A2)은 10∼400질량부, 바람직하게는 30∼350질량부 정도의 비율로 사용된다. 여기에서, 본 실시형태에 있어서의 에너지선 경화성 점착 성분(A)이, 후술하는 에테르 결합 함유 에너지선 경화성 화합물(B)을 함유할 경우, 에테르 결합 함유 에너지선 경화성 화합물(B)을 포함하는 에너지선 경화성 화합물(A2)의 합계 사용량이 상기 범위에 있는 것이 바람직하다.The energy ray curable compound (A2) usually has a molecular weight of about 100 to 30,000, preferably about 300 to 10,000. Generally, the energy ray-curable compound (A2) is used in a proportion of about 10 to 400 parts by mass, preferably about 30 to 350 parts by mass, per 100 parts by mass of the acrylic polymer (A1). Here, when the energy ray-curable pressure-sensitive adhesive component (A) in the present embodiment contains an ether bond-containing energy ray curable compound (B) described later, the energy containing the ether bond-containing energy ray curable compound (B) It is preferable that the total amount of the precursor compound (A2) used is in the above range.

또한, 에너지선 경화성 점착 성분(A)이, 후술하는 측쇄에 에너지선 경화성기가 도입된 아크릴계 중합체(A3)와, 에너지선 경화성 화합물(A2)을 함유할 경우에는, 당해 아크릴계 중합체(A3) 100질량부에 대하여, 에너지선 경화성 화합물(A2)의 함유량이 상기 범위인 것이 바람직하다. 또한, 에너지선 경화성 점착 성분(A)이, 상기 아크릴계 중합체(A1)와, 측쇄에 에너지선 경화성기가 도입된 아크릴계 중합체(A3)와, 에너지선 경화성 화합물(A2)을 함유할 경우에는, 아크릴계 중합체(A1) 및 아크릴계 중합체(A3)의 합계량 100질량부에 대하여, 에너지선 경화성 화합물(A2)의 함유량이 상기 범위인 것이 바람직하다.When the energy ray-curable pressure-sensitive adhesive component (A) contains the acrylic polymer (A3) having an energy ray-curable group introduced into the side chain described later and the energy ray-curable compound (A2), 100 parts by mass of the acrylic polymer (A3) , The content of the energy ray curable compound (A2) is preferably in the above range. When the energy ray-curable pressure-sensitive adhesive component (A) contains the acrylic polymer (A1), the acrylic polymer (A3) having an energy ray-curable group introduced into the side chain and the energy ray-curable compound (A2) It is preferable that the content of the energy ray curable compound (A2) falls within the above range with respect to 100 parts by mass of the total amount of the acrylic polymer (A1) and the acrylic polymer (A3).

(1-3) 측쇄에 에너지선 경화성기가 도입된 아크릴계 중합체(A3)(1-3) An acrylic polymer (A3) having an energy ray-curable group introduced into its side chain,

본 실시형태에 있어서의 에너지선 경화성 점착 성분(A)이 측쇄에 에너지선 경화성기가 도입된 아크릴계 중합체(A3)를 함유할 경우, 이러한 아크릴계 중합체(A3)는, 점착제 조성물에 그대로 함유되어 있어도 되고, 또한 적어도 그 일부가 후술하는 가교제(D)와 가교 반응을 행하여 가교물로서 함유되어 있어도 된다.When the energy ray-curable pressure-sensitive adhesive component (A) in the present embodiment contains an acrylic polymer (A3) having an energy ray-curable group introduced into its side chain, such acrylic polymer (A3) may be contained intact in the pressure- And at least a part thereof may be contained as a crosslinked product by carrying out a crosslinking reaction with the crosslinking agent (D) described later.

측쇄에 에너지선 경화성기가 도입된 아크릴계 중합체(A3)의 주골격은 특별히 한정은 되지 않고, 상술한 아크릴계 중합체(A1)와 마찬가지인 것이 예시된다.The main skeleton of the acrylic polymer (A3) into which the energy ray-curable group is introduced into the side chain is not particularly limited, and examples thereof are the same as those of the above-mentioned acrylic polymer (A1).

아크릴계 중합체(A3)의 측쇄에 도입되는 에너지선 경화성기는, 예를 들면 에너지선 경화성의 탄소-탄소 이중 결합을 포함하는 기이며, 구체적으로는 (메타)아크릴로일기 등을 예시할 수 있다. 에너지선 경화성기는, 알킬렌기, 알킬렌옥시기, 폴리알킬렌옥시기 등을 통해 아크릴계 중합체(A3)에 결합하고 있어도 된다.The energy ray-curable group introduced into the side chain of the acrylic polymer (A3) is, for example, a group containing an energy ray-curable carbon-carbon double bond, specifically, a (meth) acryloyl group. The energy ray-curable group may be bonded to the acrylic polymer (A3) through an alkylene group, an alkyleneoxy group, or a polyalkyleneoxy group.

측쇄에 에너지선 경화성기가 도입된 아크릴계 중합체(A3)는, 예를 들면 히드록시기, 카르복시기, 아미노기, 치환 아미노기, 에폭시기 등의 관능기를 함유하는 아크릴계 중합체와, 당해 관능기와 반응하는 치환기 및 에너지선 경화성 탄소-탄소 이중 결합을 1분자마다 1∼5개를 갖는 경화성기 함유 화합물을 반응시켜 얻어진다. 이러한 아크릴계 중합체는, 히드록시기, 카르복시기, 아미노기, 치환 아미노기, 에폭시기 등의 관능기를 갖는 (메타)아크릴산에스테르 모노머 또는 그 유도체와, 상술한 성분(A1)을 구성하는 모노머로부터 공중합함으로써 얻어진다. 또한, 상기 경화성기 함유 화합물로서는, (메타)아크릴로일옥시에틸이소시아네이트, 메타-이소프로페닐-α,α-디메틸벤질이소시아네이트, (메타)아크릴로일이소시아네이트, 알릴이소시아네이트, 글리시딜(메타)아크릴레이트; (메타)아크릴산 등을 들 수 있다.The acrylic polymer (A3) having an energy ray-curable group introduced into the side chain is obtained by copolymerizing an acrylic polymer containing a functional group such as a hydroxyl group, a carboxyl group, an amino group, a substituted amino group or an epoxy group and a substituent group and an energy ray- Containing compound having 1 to 5 carbon-carbon double bonds per molecule. Such an acrylic polymer is obtained by copolymerization of a (meth) acrylic acid ester monomer or a derivative thereof having a functional group such as a hydroxyl group, a carboxyl group, an amino group, a substituted amino group or an epoxy group and a monomer constituting the above-mentioned component (A1). Examples of the curable group-containing compound include (meth) acryloyloxyethyl isocyanate, meta-isopropenyl- alpha, alpha -dimethylbenzyl isocyanate, (meth) acryloyl isocyanate, allyl isocyanate, glycidyl Acrylate; (Meth) acrylic acid, and the like.

또한, 본 실시형태에 있어서의 점착제층(3)을 형성하는 점착제 조성물이, 후술하는 가교제(D)를 함유할 경우에는, 측쇄에 에너지선 경화성기가 도입된 아크릴계 중합체(A3)는, 가교제(D)와 반응하는 반응성 관능기를 갖는 것이 바람직하다. 반응성 관능기의 종류는 특별히 한정되지 않고, 상술한 아크릴계 중합체(A1)와 마찬가지인 것을 예시할 수 있다.When the pressure-sensitive adhesive composition for forming the pressure-sensitive adhesive layer 3 according to the present embodiment contains a crosslinking agent (D) to be described later, the acrylic polymer (A3) into which the energy ray- ) Having a reactive functional group. The kind of the reactive functional group is not particularly limited and may be the same as the above-mentioned acrylic polymer (A1).

측쇄에 에너지선 경화성기가 도입된 아크릴계 중합체(A3)의 중량 평균 분자량(Mw)은 10만∼200만인 것이 바람직하고, 30만∼150만인 것이 보다 바람직하다.The weight average molecular weight (Mw) of the acrylic polymer (A3) having an energy ray curable group introduced into the side chain is preferably 100,000 to 200,000, and more preferably 300,000 to 1,500,000.

또한, 아크릴계 중합체(A3)의 유리 전이 온도(Tg)는, 바람직하게는 -70∼30℃, 보다 바람직하게는 -60∼20℃의 범위에 있다. 또한, 본 명세서에 있어서 아크릴계 중합체(A3)의 유리 전이 온도(Tg)는, 경화성기 함유 화합물과 반응시키기 전의 아크릴계 중합체인 것을 가리킨다.The glass transition temperature (Tg) of the acrylic polymer (A3) is preferably in the range of -70 to 30 占 폚, more preferably -60 to 20 占 폚. In the present specification, the glass transition temperature (Tg) of the acrylic polymer (A3) indicates that it is an acrylic polymer before being reacted with the curable group-containing compound.

(2) 에테르 결합을 갖는 구성 단위(2) a structural unit having an ether bond

본 실시형태에 따른 점착제 조성물은, 에테르 결합을 갖는 구성 단위를 포함하고 있다. 에테르 결합을 갖는 구성 단위는, 에테르 결합 함유 에너지선 경화성 화합물(B)로서 점착제 조성물에 포함되거나, 또는 에너지선 경화성 대전 방지 폴리머(C)의 측쇄로서 점착제 조성물에 포함된다.The pressure-sensitive adhesive composition according to this embodiment contains a structural unit having an ether bond. The constituent unit having an ether bond is contained in the pressure sensitive adhesive composition as the ether bond-containing energy ray curable compound (B), or is included in the pressure sensitive adhesive composition as the side chain of the energy ray curable antistatic polymer (C).

에테르 결합을 갖는 구성 단위는, 에테르 결합의 극성에 의해, 대전 방지성을 발휘한다. 또한, 에테르 결합을 갖는 구성 단위는, 에테르 결합 함유 에너지선 경화성 화합물(B)로서, 또는 에너지선 경화성 대전 방지 폴리머(C)의 측쇄로서, 점착제 조성물에 포함되기 때문에, 에너지선 조사에 의해, 에너지선 경화성 점착 성분(A) 및 에너지선 경화성 대전 방지 폴리머(C)와 반응하여 가교한다. 이에 따라, 에너지선 조사 후에 피착체를 박리했을 때에, 피착체에 부착되는, 에테르 결합을 갖는 성분에 유래하는 파티클의 발생이 적어져, 피착체의 오염을 억제할 수 있다.The constituent unit having an ether bond exhibits antistatic property due to the polarity of the ether bond. The constituent unit having an ether bond is contained in the pressure-sensitive adhesive composition as the ether bond-containing energy ray curable compound (B) or as the side chain of the energy ray-curable antistatic polymer (C) Curable adhesive component (A) and the energy ray-curable antistatic polymer (C). Thereby, when the adherend is peeled off after the energy ray irradiation, generation of particles derived from the component having an ether bond attached to the adherend is reduced, so that contamination of the adherend can be suppressed.

여기에서, 에테르 결합 함유 에너지선 경화성 화합물(B)은, 분자 내에 에테르 결합을 가짐과 함께, 에너지선 경화성기도 갖는 것이며, 자외선, 전자선 등의 에너지선의 조사를 받으면 중합하는 화합물이다. 즉, 에테르 결합 함유 에너지선 경화성 화합물(B)은, 상술한 에너지선 경화성 화합물(A2)의 개념에 포함된다. 본 실시형태에 있어서는, 에너지선 경화성 화합물(A2)로서, 에테르 결합 함유 에너지선 경화성 화합물(B)로 분류되는 1 또는 2 이상의 화합물만을 사용해도 되고, 에테르 결합 함유 에너지선 경화성 화합물(B)로 분류되는 1 또는 2 이상의 화합물과, 에너지선 경화성 화합물(A2)로서 에테르 결합 함유 에너지선 경화성 화합물(B)로 분류되지 않는(에테르 결합을 갖지 않는) 1 또는 2 이상의 화합물을 병용해도 된다.Here, the ether bond-containing energy ray curable compound (B) is a compound having an ether bond in the molecule and having an energy ray curable property, and capable of undergoing polymerization upon irradiation with an energy ray such as ultraviolet rays or electron rays. That is, the ether bond-containing energy ray curable compound (B) is included in the concept of the energy ray curable compound (A2). In the present embodiment, as the energy ray-curable compound (A2), only one or two or more compounds classified as the ether bond-containing energy ray curable compound (B) may be used, or an energy ray curable compound And one or two or more compounds (not having an ether bond) not classified as the energy ray-curable compound (B) as the energy ray-curable compound (A2) may be used in combination.

또한, 본 실시형태에 있어서, 에테르 결합을 갖는 구성 단위는, 에테르 결합 함유 에너지선 경화성 화합물(B)로서 포함되거나, 에너지선 경화성 대전 방지 폴리머(C)의 측쇄로서 포함되는 것이지만, 어느 한쪽의 형태로 포함되어도 되고, 양쪽의 형태로 포함되어도 된다. 여기에서, 에테르 결합을 갖는 구성 단위가 에테르 결합 함유 에너지선 경화성 화합물(B)로서 포함될 경우, 에테르 결합을 갖는 구성 단위가, 점착제 조성물로부터 형성되는 점착제층(3) 중에 골고루 분포되기 쉽기 때문에, 에너지선 경화성 대전 방지 폴리머(C)의 측쇄로서 포함될 경우보다도, 대전 방지 성능 향상 효과를 발휘하기 쉽다.In the present embodiment, the constituent unit having an ether bond is contained as the ether bond-containing energy ray curable compound (B) or is included as the side chain of the energy ray-curable antistatic polymer (C) Or may be included in both forms. Here, when the constituent unit having an ether bond is included as the ether bond-containing energy ray curable compound (B), the constituent unit having an ether bond is easily distributed evenly in the pressure sensitive adhesive layer (3) formed from the pressure sensitive adhesive composition, The antistatic performance improving effect is more likely to be exhibited than in the case where it is contained as the side chain of the line-curable antistatic polymer (C).

또한, 에테르 결합을 갖는 구성 단위는, 상기 에너지선 경화성 점착 성분(A) 중, 에너지선 경화성을 갖지 않는 아크릴계 중합체(A1), 또는 측쇄에 에너지선 경화성기가 도입된 아크릴계 중합체(A3)에 포함되어 있어도 된다. 단, 아크릴계 중합체(A1) 및 (A3)는, 모두 점착제층(3)에 점착성을 부여하는 성분이며, 이들이 에테르 결합을 갖는 구성 단위를 포함하지 않을 경우, 점착제층(3)에 있어서의 점착성의 설계가 보다 용이해지기 때문에, 보다 바람직하다. 예를 들면 반도체 가공용 시트(1)에 있어서의 에너지선 조사 전후에서의 점착력이나, 다이싱하고 에너지선 조사한 후의 칩의 픽업에 요하는 힘(예를 들면 후술하는 5㎜□ 픽업력)을 원하는 값으로 설정하는 것이 보다 용이해진다.The structural unit having an ether bond is contained in the acrylic polymer (A1) having no energy ray curability or the acrylic polymer (A3) having an energy ray curable group introduced into the side chain among the energy ray curable adhesive component (A) . However, when all of the acrylic polymers (A1) and (A3) are components that impart tackiness to the pressure-sensitive adhesive layer (3) and they do not contain a structural unit having an ether bond, It is more preferable because the design becomes easier. For example, the adhesive force before and after the energy ray irradiation in the semiconductor processing sheet 1 and the force required for picking up the chip after dicing and energy ray irradiation (for example, 5 mm? As shown in Fig.

상기 에테르 결합을 갖는 구성 단위로서는, 에틸렌옥사이드 단위, 프로필렌옥사이드 단위, 부틸렌옥사이드 단위, 펜텐옥사이드 단위, 헥센옥사이드 단위 등의 알킬렌옥사이드 단위; 메톡시기, 에톡시기, 부톡시기 등의 알콕시기; 테트라히드로푸르푸릴기 등의 환상 에테르를 포함하는 관능기; 등을 들 수 있고, 이들 중에서도 알킬렌옥사이드 단위인 것이 바람직하다.Examples of the structural unit having an ether bond include alkylene oxide units such as ethylene oxide units, propylene oxide units, butylene oxide units, pentene oxide units and hexene oxide units; An alkoxy group such as a methoxy group, an ethoxy group or a butoxy group; A functional group containing a cyclic ether such as a tetrahydrofurfuryl group; Among these, alkylene oxide units are preferable.

알킬렌옥사이드 단위는, 에테르 결합 함유 에너지선 경화성 화합물(B)의 분자량을 크게 하지 않고 점착제 조성물 중의 에테르 결합의 존재량을 늘릴 수 있기 때문에, 탄소수 1∼8 정도인 것이 바람직하고, 탄소수 1∼4 정도인 것이 보다 바람직하고, 탄소수 2인 에틸렌옥사이드인 것이 특히 바람직하다.The alkylene oxide unit preferably has 1 to 8 carbon atoms, more preferably 1 to 4 carbon atoms since it can increase the amount of ether bond present in the pressure-sensitive adhesive composition without increasing the molecular weight of the ether bond-containing energy ray curable compound (B) , And particularly preferably ethylene oxide having 2 carbon atoms.

알킬렌옥사이드 단위는 1개여도 되지만, 2 이상의 반복으로 포함되어 있는 것이 바람직하고, 반복수는 2∼40인 것이 보다 바람직하고, 3∼30인 것이 더 바람직하다. 알킬렌옥사이드 단위가 반복으로 포함됨으로써, 대전 방지성이 보다 효과적으로 발휘된다. 여기에서, 알킬렌옥사이드 단위가 에테르 결합 함유 에너지선 경화성 화합물(B)에 포함될 경우, 반복수는 2∼20인 것이 특히 바람직하다. 한편, 알킬렌옥사이드 단위가 에너지선 경화성 대전 방지 폴리머(C)의 측쇄로서 포함될 경우, 반복수는 5∼40인 것이 특히 바람직하다.The number of the alkylene oxide units may be one or more, but it is preferable that the number of the alkylene oxide units is two or more. The number of repeating units is more preferably from 2 to 40, and still more preferably from 3 to 30. By repeatedly including the alkylene oxide unit, the antistatic property is more effectively exhibited. When the alkylene oxide unit is contained in the ether bond-containing energy ray curable compound (B), the number of repeating units is particularly preferably from 2 to 20. On the other hand, when the alkylene oxide unit is included as the side chain of the energy ray-curable antistatic polymer (C), the number of repeating units is particularly preferably from 5 to 40.

에테르 결합을 갖는 구성 단위가, 에테르 결합 함유 에너지선 경화성 화합물(B)로서 점착제 조성물에 포함될 경우, 이러한 화합물(B)이 갖는 에너지선 경화성기는, 예를 들면 에너지선 경화성의 탄소-탄소 이중 결합을 포함하는 기이며, 구체적으로는, (메타)아크릴로일기 및 비닐기 등을 들 수 있고, 그 중에서도 (메타)아크릴로일기가 바람직하다.When the constituent unit having an ether bond is contained in the pressure sensitive adhesive composition as the ether bond-containing energy ray curable compound (B), the energy ray curable group possessed by such a compound (B) is, for example, an energy ray- Specific examples thereof include a (meth) acryloyl group and a vinyl group. Among them, a (meth) acryloyl group is preferable.

또한, 에테르 결합 함유 에너지선 경화성 화합물(B)은, 에너지선 경화성기를 1 이상 가짐으로써, 에너지선 조사 후에 상기 에너지선 경화성 점착 성분(A) 등과 반응할 수 있지만, 효과적으로 가교 구조를 형성시키는 관점에서는, 에너지선 경화성기를 2 이상 갖고 있는 것이 바람직하다.The ether bond-containing energy ray-curable compound (B) can react with the energy ray-curable pressure-sensitive adhesive component (A) or the like after irradiation with energy rays by having at least one energy ray-curable group, but from the viewpoint of effectively forming a crosslinked structure , And has two or more energy ray-curable groups.

이러한 에테르 결합 함유 에너지선 경화성 화합물(B)로서는, 에테르 결합을 갖는 구성 단위 및 에너지선 경화성기를 갖고 있으면 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 테트라에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트 등의 폴리알킬렌글리콜과 (메타)아크릴산과의 에스테르인 디아크릴레이트, 에톡시 변성 글리세린트리(메타)아크릴레이트, 에톡시 변성 펜타에리트리톨테트라(메타)아크릴레이트, 폴리에테르폴리올과 폴리이소시아네이트의 반응물의 말단에 (메타)아크릴로일기를 부가시킨 우레탄(메타)아크릴레이트 등을 예시할 수 있고, 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. 이들 중에서도, 테트라에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트가 특히 바람직하다.Such an ether bond-containing energy ray curable compound (B) is not particularly limited as long as it has an ether bond-containing constituent unit and an energy ray-curable group, and examples thereof include polyalkylene glycols such as tetraethylene glycol di (meth) (Meth) acrylate at the end of a reaction product of a polyether polyol and a polyisocyanate, a diacrylate which is an ester with (meth) acrylic acid, an ethoxy-modified glycerin tri (meth) acrylate, an ethoxy- Urethane (meth) acrylate having an acryloyl group added thereto, and the like, and one type or two or more types can be used in combination. Of these, tetraethylene glycol di (meth) acrylate is particularly preferable.

본 실시형태의 점착제 조성물에 있어서의 에테르 결합 함유 에너지선 경화성 화합물(B)의 함유량은 3∼40질량％인 것이 바람직하고, 5∼30질량％인 것이 특히 바람직하고, 8∼25질량％인 것이 더 바람직하다.The content of the ether bond-containing energy ray curable compound (B) in the pressure-sensitive adhesive composition of the present embodiment is preferably from 3 to 40 mass%, particularly preferably from 5 to 30 mass%, more preferably from 8 to 25 mass% More preferable.

또한, 에테르 결합 함유 에너지선 경화성 화합물(B)(에너지선 경화성 점착 성분(A)이 에테르 결합을 갖지 않는 에너지선 경화성 화합물(A2)을 포함할 경우에는, 에테르 결합 함유 에너지선 경화성 화합물(B)과 에테르 결합을 갖지 않는 에너지선 경화성 화합물(A2)과의 합계량)은, 상술한 에너지선 경화성 화합물(A2)과 마찬가지로, 아크릴계 중합체(A1) 등의 100질량부에 대하여, 10∼400질량부, 바람직하게는 30∼350질량부 정도의 비율로 사용된다. 400질량부 이하임으로써, 에너지선 조사 전에 있어서의 점착제층(3)의 응집력이 높게 유지되고, 점착제층(3)이 바람직한 탄성을 갖기 때문에, 다이싱시의 진동의 영향이 억제되어, 더욱 치핑(칩 단부(端部)의 결함)의 발생이 효과적으로 억제된다.When the energy ray-curable pressure-sensitive adhesive component (A) contains the energy ray-curable compound (A2) having no ether bond, the energy ray ray-curable compound (B) And the energy ray-curable compound (A2) having no ether bond) is preferably 10-400 parts by mass, more preferably 10-400 parts by mass, per 100 parts by mass of the acrylic polymer (A1) or the like, And preferably about 30 to 350 parts by mass. The cohesive force of the pressure-sensitive adhesive layer 3 before the energy ray irradiation is kept high and the pressure-sensitive adhesive layer 3 has a desirable elasticity so that the influence of the vibration at the time of dicing is suppressed, (Defects at the chip ends) can be effectively suppressed.

여기에서, 에테르 결합 함유 에너지선 경화성 화합물(B)의 사용량(또는 에테르 결합 함유 에너지선 경화성 화합물(B)과 에테르 결합을 갖지 않는 에너지선 경화성 화합물(A2)과의 합계 사용량)은, 아크릴계 중합체(A1) 또는 (A3) 중 어느 한쪽을 사용할 경우에는, 아크릴계 중합체(A1) 또는 (A3)의 100질량부에 대한 값이며, 아크릴계 중합체(A1) 및 (A3)를 병용할 경우에는, 아크릴계 중합체(A1) 및 (A3)의 합계량 100질량부에 대한 값이다.Here, the amount of the ether bond-containing energy ray-curable compound (B) (or the total amount of the ether bond-containing energy ray-curable compound (B) and the energy ray-curable compound (A2) having no ether bond) Acrylic polymer (A1) or (A3) is used, the value for 100 parts by mass of the acrylic polymer (A1) or (A3) A1) and (A3).

한편, 에테르 결합을 갖는 구성 단위가 에너지선 경화성 대전 방지 폴리머(C)의 측쇄로서 포함될 경우에 대해서는, 에너지선 경화성 대전 방지 폴리머(C)의 항에서 상세히 기술한다.On the other hand, when the constituent unit having an ether bond is included as the side chain of the energy ray-curable antistatic polymer (C), the energy ray-curable antistatic polymer (C) will be described in detail.

(3) 에너지선 경화성 대전 방지 폴리머(C)(3) Energy ray curable antistatic polymer (C)

본 실시형태에 있어서의 점착제층(3)을 형성하는 점착제 조성물은, 상술한 에너지선 경화성 점착 성분(A)에 더하여, 염 및 에너지선 경화성기를 갖는 폴리머(C)(에너지선 경화성 대전 방지 폴리머(C))를 함유한다.The pressure-sensitive adhesive composition for forming the pressure-sensitive adhesive layer (3) in the present embodiment is a pressure-sensitive adhesive composition which comprises a polymer (C) having a salt and an energy ray-curable group (an energy ray-curable antistatic polymer C).

에너지선 경화성 대전 방지 폴리머(C)는, 염(양이온)을 가짐으로써, 대전 방지성을 발휘한다. 또한, 에테르 결합을 갖는 구성 단위를 측쇄에 가질 경우, 당해구성 단위에 의해서도 대전 방지성을 더 발휘할 수 있다. 에너지선 경화성 대전 방지 폴리머(C)는, 염을 주쇄 또는 측쇄에 갖고 있으면 되지만, 측쇄에 갖고 있는 것이 바람직하다. 염은, 양이온과, 이에 대한 음이온으로 구성되고, 바람직하게는 오늄 양이온과, 이에 대한 음이온으로 구성된다. 이러한 염은, 에너지선 경화성 대전 방지 폴리머(C)에 공유 결합한 양이온과 이에 대한 음이온으로 구성되는 것이어도 되고, 에너지선 경화성 대전 방지 폴리머(C)에 공유 결합한 음이온과 이에 대한 양이온으로 구성되는 것이어도 된다.The energy radiation curable antistatic polymer (C) has a salt (cation), thereby exhibiting antistatic properties. When the side chain contains a structural unit having an ether bond, the antistatic property can be further exerted by the structural unit. The energy ray-curable antistatic polymer (C) may have a salt in its main chain or side chain, but it preferably has a side chain. The salt is composed of a cation and an anion for it, preferably an onium cation and an anion for it. Such a salt may be composed of a cation covalently bonded to the energy ray-curable antistatic polymer (C) and an anion thereto, and may be composed of an anion covalently bonded to the energy ray-curable antistatic polymer (C) do.

염으로서는, 예를 들면 4급 암모늄염, 포스포늄염, 설포늄염, 옥소늄염, 디아조늄염, 클로로늄염, 요오도늄염, 피릴륨염 등을 들 수 있다. 이들은, 1종을 단독으로 사용할 수도 있고, 2종 이상을 조합하여 사용할 수도 있다. 또한, 4급 암모늄염은, 4급 암모늄 양이온과 이에 대한 음이온으로 구성되고, 다른 염도 마찬가지로 구성된다.Examples of salts include quaternary ammonium salts, phosphonium salts, sulfonium salts, oxonium salts, diazonium salts, chloronium salts, iodonium salts and pyrylium salts. These may be used singly or in combination of two or more kinds. The quaternary ammonium salt is composed of quaternary ammonium cations and anions thereof, and other salts are similarly composed.

상기 중에서도, 대전 방지 성능이 우수한 4급 암모늄염이 특히 바람직하다. 여기에서, 상기 「4급 암모늄 양이온」이란, 질소의 오늄 양이온을 의미하고, 이미다졸륨, 피리듐과 같은 복소환 오늄 이온을 포함한다. 4급 암모늄 양이온으로서는, 알킬암모늄 양이온(여기에서 말하는 「알킬」은, 탄소 원자수 1∼30인 탄화수소기 외, 히드록시알킬 및 알콕시알킬로 치환되어 있는 것을 포함함); 피롤리디늄 양이온, 피롤륨 양이온, 이미다졸륨 양이온, 파라졸륨 양이온, 피리디늄 양이온, 피페리디늄 양이온, 피페라지늄 양이온 등의 복소 단환 양이온; 인돌륨 양이온, 벤즈이미다졸륨 양이온, 카르바졸륨 양이온, 퀴놀리늄 양이온 등의 축합 복소환 양이온; 등을 들 수 있다. 모두, 질소 원자 및/또는 환에 탄소 원자수 1∼30(예를 들면 탄소 원자수 1∼10)인 탄화수소기, 히드록시알킬기 또는 알콕시알킬기가 결합하고 있는 것을 포함한다.Above all, a quaternary ammonium salt having an excellent antistatic property is particularly preferable. The term "quaternary ammonium cation" as used herein refers to an onium cation of nitrogen and includes heterocyclic onium ions such as imidazolium and pyridium. Examples of the quaternary ammonium cation include an alkylammonium cation (the term "alkyl" as used herein includes those substituted with hydroxyalkyl and alkoxyalkyl in addition to the hydrocarbon group having 1 to 30 carbon atoms); Complex monocyclic cations such as pyrrolidinium cation, pyrroloium cation, imidazolium cation, parazolium cation, pyridinium cation, piperidinium cation and piperazinium cation; Condensed heterocyclic cations such as indolium cations, benzimidazolium cations, carbazolium cations and quinolinium cations; And the like. All of which are bonded to a nitrogen atom and / or a hydrocarbon group, a hydroxyalkyl group or an alkoxyalkyl group having 1 to 30 carbon atoms (for example, 1 to 10 carbon atoms) in the ring.

상기 음이온으로서는, 할로겐 원자를 갖는 음이온 외, 카르복시산, 설폰산, 인산 등의 옥소산의 유도체(예를 들면, 황산수소, 메탄설포나이트, 에틸설파이트, 디메틸포스페이트, 2-(2-메톡시에톡시)에틸설파이트, 디시아나미드 등) 등을 들 수 있지만, 그 중에서도 할로겐 원자를 갖는 음이온이 바람직하다. 구체적으로는, (FSO2)2N-(비스{(플루오로)설포닐}이미드 음이온), (CF3SO2)2N-(비스{(트리플루오로메틸)설포닐}이미드 음이온), (C2F5SO2)2N-(비스{(펜타플루오로에틸)설포닐}이미드 음이온), CF3SO2-N-COCF3 -, R-SO2-N-SO2CF3 -(R은 지방족기), ArSO2-N-SO2CF3 -(Ar은 방향족기) 등의 질소 원자를 갖는 음이온; CnF2n + 1CO2 -(n은 1∼4의 정수), (CF3SO2)3C-, CnF2n+1SO3 -(n은 1∼4의 정수), BF4 -, PF6 - 등, 할로겐 원자로서 불소 원자를 갖는 음이온이 바람직하게 예시된다. 이들 중에서도, 비스{(플루오로)설포닐}이미드 음이온, 비스{(트리플루오로메틸)설포닐}이미드 음이온, 비스{(펜타플루오로에틸)설포닐}이미드 음이온, 2,2,2-트리플루오로-N-{(트리플루오로메틸)설포닐)}아세토이미드 음이온, 테트라플루오로보레이트 음이온, 및 헥사플루오로포스페이트 음이온이 특히 바람직하다.Examples of the anion include an anion having a halogen atom, a derivative of an oxo acid such as a carboxylic acid, a sulfonic acid or a phosphoric acid (for example, hydrogen sulfate, methanesulfonate, ethylsulfite, dimethylphosphate, 2- Ethoxy sulfite, dicyanamide), and the like. Among them, an anion having a halogen atom is preferable. Specifically, (FSO 2 ) 2 N - (bis {(fluorosulfonyl} imide anion), (CF 3 SO 2 ) 2 N - (bis {(trifluoromethyl) sulfonyl} imide anion ), (C 2 F 5 SO 2) 2 N - ( {bis (pentafluorophenyl ethyl) sulfonyl} imide anion), CF 3 SO 2 -N- COCF 3 -, R-SO 2 -N-SO 2 An anion having a nitrogen atom such as CF 3 - (R is an aliphatic group), ArSO 2 -N-SO 2 CF 3 - (Ar is an aromatic group); C n F 2n + 1 CO 2 - (n is an integer of 1~4), (CF 3 SO 2 ) 3 C -, C n F 2n + 1 SO 3 - (n is an integer of 1~4), BF 4 - , PF 6 -, and the like, and anions having a fluorine atom as a halogen atom are preferably exemplified. Of these, bis {(fluoro) sulfonyl} imide anion, bis {(trifluoromethyl) sulfonyl} imide anion, bis {(pentafluoroethyl) sulfonyl} imide anion, 2-trifluoro-N - {(trifluoromethyl) sulfonyl)} acetomide anion, tetrafluoroborate anion, and hexafluorophosphate anion are particularly preferred.

또한, 에너지선 경화성 대전 방지 폴리머(C)는, 측쇄에 에너지선 경화성기를 가짐으로써, 점착제층(3)에 대하여 에너지선을 조사했을 때에, 에너지선 경화성 대전 방지 폴리머(C)끼리, 또는 에너지선 경화성 대전 방지 폴리머(C)와 상술한 에너지선 경화성 점착 성분(A)이 반응하여 가교한다. 그 때문에, 에너지선 경화성 대전 방지 폴리머(C)의 점착제층(3)으로부터의 브리드 아웃이 억제됨과 함께, 반도체 가공용 시트(1)를 박리했을 때에 점착제의 잔사물(파티클)이 발생하기 어려워, 피착체의 오염을 억제할 수 있다.The energy radiation curable antistatic polymer (C) has an energy ray curable group in the side chain, and when the energy ray is irradiated to the pressure sensitive adhesive layer (3), the energy ray curable antistatic polymer (C) The curable antistatic polymer (C) reacts with the aforementioned energy ray-curable pressure-sensitive adhesive component (A) and is crosslinked. Therefore, bleeding out of the energy ray-curable antistatic polymer (C) from the pressure-sensitive adhesive layer (3) is suppressed, and the residue of the pressure-sensitive adhesive is hardly generated when the semiconductor processing sheet (1) The contamination of the complex can be suppressed.

에너지선 경화성기는, 예를 들면 에너지선 경화성의 탄소-탄소 이중 결합을 포함하는 기이다. 구체적으로는, (메타)아크릴로일기 및 비닐기 등을 들 수 있고, 그 중에서도 (메타)아크릴로일기, 특히 메타크릴로일기가 바람직하다.The energy ray-curable group is, for example, a group containing an energy ray-curable carbon-carbon double bond. Specific examples thereof include a (meth) acryloyl group and a vinyl group, and among them, a (meth) acryloyl group, particularly a methacryloyl group is preferable.

에너지선 경화성 대전 방지 폴리머(C)의 단위 질량당 에너지선 경화성기의 함유량은 5×10-5∼2×10-3몰/g인 것이 바람직하고, 1×10-4∼1.5×10-3몰/g인 것이 특히 바람직하고, 3×10-4∼1×10-3몰/g인 것이 더 바람직하다. 에너지선 경화성기의 함유량이 5×10-5몰/g 이상임으로써, 에너지선 조사에 의해 에너지선 경화성 대전 방지 폴리머(C)끼리, 또는 에너지선 경화성 대전 방지 폴리머(C)와 에너지선 경화성 점착 성분(A)과의 가교가 충분한 것이 되어, 점착제층(3)에 의한 피착체의 오염을 효과적으로 억제할 수 있다. 또한, 에너지선 경화성기의 함유량이 2×10-3몰/g 이하임으로써, 에너지선에 의해 점착제층을 경화했을 때의 경화가 과도해지지 않고, 경화 후에 있어서 피착체와의 사이의 의도하지 않은 박리가 억제된다.The content of the energy ray-curable group per unit mass of the energy ray-curable antistatic polymer (C) is preferably 5 × 10 -5 to 2 × 10 -3 mol / g, more preferably 1 × 10 -4 to 1.5 × 10 -3 Mol / g, and more preferably from 3 × 10 -4 to 1 × 10 -3 mol / g. The content of the energy ray-curable group between 5 × 10 -5 mol / g yisangim by energy line irradiation to the energy ray-curable antistatic polymer (C) by, or energy ray-curable antistatic polymer (C) and the energy radiation curable pressure sensitive adhesive component The cross-linking with the pressure-sensitive adhesive layer (A) becomes sufficient, and the contamination of the adherend by the pressure-sensitive adhesive layer (3) can be effectively suppressed. When the content of the energy ray-curable group is 2 x 10 < -3 > mol / g or less, the curing of the pressure-sensitive adhesive layer by the energy ray is not excessive, Peeling is suppressed.

또한, 에너지선 경화성 대전 방지 폴리머(C)는, 에테르 결합을 갖는 구성 단위를 측쇄에 더 갖고 있어도 된다. 이 경우에 있어서, 에테르 결합을 갖는 구성 단위로서는, 알킬렌옥사이드 단위를 비롯하여 상기 (2)에서 든 것과 마찬가지인 것을 예시할 수 있고, 알킬렌옥사이드 단위의 반복에 대해서도 상기 (2)에서 기술한 바와 같다.The energy radiation curable antistatic polymer (C) may further have a structural unit having an ether bond on its side chain. In this case, examples of the structural unit having an ether bond include the same alkylene oxide units as those described in the above (2), and repeating alkylene oxide units are as described in the above (2) .

본 실시형태에 있어서의 에너지선 경화성 대전 방지 폴리머(C)는, 예를 들면 염을 갖는 중합성 모노머, 특히 4급 암모늄염을 갖는 중합성 모노머(이하 「4급 암모늄염 모노머(C1)」라고 하는 경우가 있음)와, 반응성 관능기를 갖는 중합성 모노머(이하 「반응성 관능기 함유 모노머(C2)」라고 하는 경우가 있음)와, 소요에 따라 에테르 결합을 갖는 중합성 모노머(이하 「에테르 결합 함유 모노머(C3)」라고 하는 경우가 있음) 및 다른 중합성 모노머(C4)를 공중합시킨 후, 상기 반응성 관능기와 반응하는 치환기 및 에너지선 경화성기를 갖는 경화성기 함유 화합물(C5)을 반응시킴으로써 얻어지는 것이 바람직하지만, 이에 한정되는 것이 아니다.The energy ray-curable antistatic polymer (C) in the present embodiment is a polymerizable monomer having a salt, particularly a polymerizable monomer having a quaternary ammonium salt (hereinafter referred to as " quaternary ammonium salt monomer (C1) (Hereinafter sometimes referred to as "reactive functional group-containing monomer (C2)") and a polymerizable monomer having ether bond (hereinafter referred to as "ether bond-containing monomer (C3 (C5) having an energy ray-curable group and a substituent which reacts with the reactive functional group, after reacting the polymerizable monomer (C4) and the other polymerizable monomer (C4) It is not limited.

상기 4급 암모늄염 모노머(C1)는, 중합성기와, 4급 암모늄 양이온 및 이에 대한 음이온으로 구성되는 염을 갖는 것이며, 바람직하게는, 중합성기를 갖는 4급 암모늄 양이온 및 이에 대한 음이온으로 구성되는 염으로 이루어진다. 중합성기로서는, 예를 들면 (메타)아크릴로일기, 비닐기, 알릴기 등의 탄소-탄소 불포화기, 에폭시기, 옥세탄기 등을 갖는 환상 에테르류, 테트라히드로티오펜 등의 환상 설피드류나 이소시아네이트기 등을 들 수 있고, 그 중에서도 (메타)아크릴로일기 및 비닐기가 바람직하다.The quaternary ammonium salt monomer (C1) has a polymerizable group, a quaternary ammonium cation and a salt composed of an anion thereof, preferably a quaternary ammonium cation having a polymerizable group and a salt thereof composed of an anion Lt; / RTI > Examples of the polymerizable group include cyclic ethers having carbon-carbon unsaturated groups such as (meth) acryloyl groups, vinyl groups and allyl groups, epoxy groups, oxetane groups and the like, cyclic sulfides such as tetrahydrothiophene, Among them, a (meth) acryloyl group and a vinyl group are preferable.

상기 중합성기를 갖는 4급 암모늄 양이온으로서는, 예를 들면 트리알킬아미노에틸(메타)아크릴레이트암모늄 양이온, 트리알킬아미노프로필(메타)아크릴아미드암모늄 양이온, 1-알킬-3-비닐이미다졸륨 양이온, 4-비닐-1-알킬피리디늄 양이온, 1-(4-비닐벤질)-3-알킬이미다졸륨 양이온, 1-(비닐옥시에틸)-3-알킬이미다졸륨 양이온, 1-비닐이미다졸륨 양이온, 1-알릴이미다졸륨 양이온, N-알킬-N-알릴암모늄 양이온, 1-비닐-3-알킬이미다졸륨 양이온, 1-글리시딜-3-알킬-이미다졸륨 양이온, N-알릴-N-알킬피롤리듐 양이온, 4급 디알릴디알킬암모늄 양이온 등을 들 수 있다(여기에서 말하는 「알킬」이란 탄소 원자수 1∼10인 탄화수소기를 말함). 이들 중에서도, 트리알킬아미노에틸(메타)아크릴레이트암모늄 양이온(＝[2-(메타크릴로일옥시)에틸]트리알킬암모늄 양이온)이 바람직하다.Examples of the quaternary ammonium cations having a polymerizable group include trialkylammonium cations such as trialkylaminoethyl (meth) acrylate ammonium cations, trialkylaminopropyl (meth) acrylamide ammonium cations, 1-alkyl-3-vinylimidazolium cations, Vinylimidazolium cation, 1-vinylimidazolium cation, 1-vinylimidazolium cation, 1-vinylimidazolium cation, 1-vinylimidazolium cation, 1- Alkylimidazolium cation, 1-glycidyl-3-alkyl-imidazolium cation, N-alkyl-N-allyl ammonium cation, An alkylpyrrolidium cation, a quaternary diallyldialkylammonium cation and the like (the "alkyl" as used herein refers to a hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms). Among these, trialkylaminoethyl (meth) acrylate ammonium cations (= [2- (methacryloyloxy) ethyl] trialkylammonium cations) are preferred.

상기 4급 암모늄염 모노머(C1)로서는, 상기 중합성기를 갖는 4급 암모늄 양이온과 상기 음이온으로 구성되는 염이면 되고, 예를 들면 [2-(메타크릴로일옥시)에틸]트리메틸암모늄비스(트리플루오로메틸설포닐)이미드 등을 들 수 있다. 또한, 4급 암모늄염 모노머(C1)는, 1종 또는 2종 이상으로 사용할 수 있다.The quaternary ammonium salt monomer (C1) may be a quaternary ammonium cation having the polymerizable group and a salt composed of the anion, for example, [2- (methacryloyloxy) ethyl] trimethylammonium bis (trifluoro Imide) imide, and the like. The quaternary ammonium salt monomer (C1) may be used alone or in combination of two or more.

에너지선 경화성 대전 방지 폴리머(C)는, 당해 폴리머(C) 전체의 질량에 점하는 4급 암모늄염 모노머(C1) 유래의 구조 부분의 질량의 비율이 20∼80질량％인 것이 바람직하고, 25∼75질량％인 것이 특히 바람직하고, 35∼60질량％인 것이 더 바람직하다. 4급 암모늄염 모노머(C1) 유래의 구조 부분의 질량의 비율이 20질량％ 이상임으로써, 에너지선 경화성 대전 방지 폴리머(C)가 충분한 대전 방지성을 발휘한다. 한편, 4급 암모늄염 모노머(C1) 유래의 구조 부분의 질량의 비율이 80질량％ 이하임으로써, 다른 모노머에 유래하는 구조 부분의 질량의 비율을 바람직한 범위로 제어할 수 있다.In the energy ray-curable antistatic polymer (C), the mass ratio of the structural part derived from the quaternary ammonium salt monomer (C1) to the total mass of the polymer (C) is preferably from 20 to 80 mass% Particularly preferably 75% by mass, and more preferably 35% to 60% by mass. The ratio of the mass of the structural part derived from the quaternary ammonium salt monomer (C1) is 20 mass% or more, whereby the energy radiation curable antistatic polymer (C) exhibits sufficient antistatic properties. On the other hand, when the ratio of the mass of the structural part derived from the quaternary ammonium salt monomer (C1) is 80 mass% or less, the mass ratio of the structural part derived from the other monomer can be controlled within a preferable range.

상기 반응성 관능기 함유 모노머(C2)로서는, (메타)아크릴산 외, 카르복시기, 히드록시기, 아미노기, 치환 아미노기, 에폭시기 등의 관능기를 갖는 (메타)아크릴산에스테르 모노머를 들 수 있고, 그 중에서도 (메타)아크릴산이 바람직하다.Examples of the reactive functional group-containing monomer (C2) include (meth) acrylic acid, (meth) acrylic acid ester monomers having a functional group such as a carboxyl group, a hydroxyl group, an amino group, a substituted amino group and an epoxy group, Do.

에너지선 경화성 대전 방지 폴리머(C)는, 당해 폴리머(C)의 전체의 질량에 점하는 상기 반응성 관능기 함유 모노머(C2) 유래의 구조 부분의 질량의 비율이 1∼35질량％인 것이 바람직하고, 3∼20질량％인 것이 특히 바람직하고, 3∼10질량％인 것이 더 바람직하다. 반응성 관능기 함유 모노머(C2) 유래의 구조 부분의 질량의 비율이 상기 범위에 있음으로써, 상기 경화성기 함유 화합물(C5)에 의거하는 에너지선 경화성기의 에너지선 경화성 대전 방지 폴리머(C)에 대한 도입량을 바람직한 범위로 제어할 수 있다.The energy ray-curable antistatic polymer (C) preferably has a mass ratio of the structural part derived from the reactive functional group-containing monomer (C2) to the total mass of the polymer (C) of 1 to 35 mass% Particularly preferably from 3 to 20% by mass, and more preferably from 3 to 10% by mass. (C) of the energy ray-curable group based on the curable group-containing compound (C5) to the energy ray-curable antistatic polymer (C) based on the ratio of the mass of the structural part derived from the reactive functional group- Can be controlled within a preferable range.

또한, 에너지선 경화성 대전 방지 폴리머(C)가, 에테르 결합을 갖는 구성 단위를 측쇄에 가질 경우, 에테르 결합 함유 모노머(C3)를 더 사용한다. 에테르 결합 함유 모노머(C3)로서는, 에테르 결합을 갖는 (메타)아크릴레이트를 사용하면 된다. 에테르 결합을 갖는 (메타)아크릴레이트로서는, 예를 들면 메톡시에틸(메타)아크릴레이트, 에톡시에틸(메타)아크릴레이트, 페녹시에틸(메타)아크릴레이트, 테트라히드로푸르푸릴(메타)아크릴레이트, (2-메틸-2-에틸-1,3-디옥솔란-4-일)메틸(메타)아크릴레이트, (3-에틸옥세탄-3-일)메틸(메타)아크릴레이트 등의 에테르 결합을 갖는 구성 단위를 하나 갖는 (메타)아크릴레이트; 에톡시에톡시에틸(메타)아크릴레이트, 에톡시디에틸렌글리콜(메타)아크릴레이트, 메톡시트리에틸렌글리콜(메타)아크릴레이트, 메톡시폴리에틸렌글리콜(메타)아크릴레이트 등의 에틸렌글리콜 단위의 반복수가 2∼40인 에틸렌글리콜(메타)아크릴레이트; 프로필렌글리콜 단위의 반복수가 2∼40인 프로필렌글리콜(메타)아크릴레이트; 등을 예시할 수 있고, 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. 이들 중에서도, 에틸렌글리콜 단위의 반복수가 2∼40인 에틸렌글리콜(메타)아크릴레이트, 프로필렌글리콜 단위의 반복수가 2∼40인 프로필렌글리콜(메타)아크릴레이트 등의 알킬렌글리콜 단위의 반복수가 2∼40인 알킬렌글리콜(메타)아크릴레이트가 바람직하고, 에틸렌글리콜 단위의 반복수가 2∼40인 에틸렌글리콜(메타)아크릴레이트가 특히 바람직하다.When the energy ray-curable antistatic polymer (C) has a structural unit having an ether bond in the side chain, an ether bond-containing monomer (C3) is further used. As the ether bond-containing monomer (C3), a (meth) acrylate having an ether bond may be used. Examples of the (meth) acrylate having an ether bond include methoxyethyl (meth) acrylate, ethoxyethyl (meth) acrylate, phenoxyethyl (meth) acrylate, tetrahydrofurfuryl (Meth) acrylate such as (2-methyl-2-ethyl-1,3-dioxolan-4-yl) methyl (Meth) acrylate having one constitutional unit having a substituent; The number of repeating units of ethylene glycol units such as ethoxyethoxyethyl (meth) acrylate, ethoxydiethylene glycol (meth) acrylate, methoxy triethylene glycol (meth) acrylate and methoxypolyethylene glycol (meth) Ethylene glycol (meth) acrylate having a weight average molecular weight Propylene glycol (meth) acrylate having a repeating number of propylene glycol units of 2 to 40; And the like, and one kind or two or more kinds of them can be used in combination. Among them, ethylene glycol (meth) acrylate having a repeating number of ethylene glycol unit of 2 to 40, propylene glycol (meth) acrylate having repeating number of propylene glycol unit of 2 to 40, and the like, (Meth) acrylate are preferable, and ethylene glycol (meth) acrylate having a repeating number of 2 to 40 of ethylene glycol units is particularly preferable.

에너지선 경화성 대전 방지 폴리머(C)는, 당해 폴리머(C)의 전체의 질량에 점하는 상기 에테르 결합 함유 모노머(C3) 유래의 구조 부분의 질량의 비율이 5∼70질량％인 것이 바람직하고, 10∼50질량％인 것이 특히 바람직하고, 15∼40질량％인 것이 더 바람직하다. 에테르 결합 함유 모노머(C3) 유래의 구조 부분의 질량의 비율이 상기 범위에 있음으로써, 점착제층(3)에 대전 방지 성능 향상 효과가 보다 얻어지기 쉬워진다.In the energy ray-curable antistatic polymer (C), the mass ratio of the structural part derived from the ether bond-containing monomer (C3) to the total mass of the polymer (C) is preferably from 5 to 70 mass% Particularly preferably from 10 to 50% by mass, and more preferably from 15 to 40% by mass. When the ratio of the mass of the structural part derived from the ether bond-containing monomer (C3) is in the above range, the effect of improving the antistatic property of the pressure-sensitive adhesive layer (3) is more easily obtained.

에너지선 경화성 대전 방지 폴리머(C)는, 당해 폴리머(C)를 구성하는 모노머 단위로서, 상기 다른 중합성 모노머(C4), 특히 아크릴계의 중합성 모노머를 함유하는 것이 바람직하고, 주성분으로서 함유하는 것이 보다 바람직하다. 이러한 다른 중합성 모노머(C4)로서는, (메타)아크릴산에스테르를 바람직하게 들 수 있다. (메타)아크릴산에스테르로서는, 예를 들면 메틸(메타)아크릴레이트, 에틸(메타)아크릴레이트, 프로필(메타)아크릴레이트, 부틸(메타)아크릴레이트, 2-에틸헥실(메타)아크릴레이트 등의 쇄상 골격을 갖는 (메타)아크릴레이트; 시클로헥실(메타)아크릴레이트, 벤질(메타)아크릴레이트, 이소보르닐(메타)아크릴레이트, 디시클로펜타닐(메타)아크릴레이트, 테트라히드로푸르푸릴(메타)아크릴레이트, 이미드아크릴레이트 등의 환상 골격을 갖는 (메타)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 또한, (메타)아크릴산에스테르가 (메타)아크릴산알킬에스테르일 경우에는, 그 알킬기의 탄소수는 1∼18의 범위인 것이 바람직하다.The energy ray-curable antistatic polymer (C) preferably contains, as the monomer unit constituting the polymer (C), the above-mentioned other polymerizable monomer (C4), particularly an acrylic polymerizable monomer, More preferable. As such another polymerizable monomer (C4), a (meth) acrylic acid ester is preferably exemplified. Examples of the (meth) acrylic esters include linear (meth) acrylic esters such as methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, propyl (meth) acrylate, butyl (meth) (Meth) acrylate having a skeleton; (Meth) acrylate, benzyl (meth) acrylate, isobornyl (meth) acrylate, dicyclopentanyl (meth) acrylate, tetrahydrofurfuryl (Meth) acrylate having a skeleton. When the (meth) acrylic acid ester is a (meth) acrylic acid alkyl ester, the alkyl group preferably has a carbon number of 1 to 18.

상기 경화성기 함유 화합물(C5)로서는, 아크릴계 중합체(A3)로 예시한 경화성기 함유 화합물과 마찬가지인 것을 예시할 수 있다. 이 경화성기 함유 화합물(C5)로서는, 글리시딜(메타)아크릴레이트, (메타)아크릴로일옥시에틸이소시아네이트 등이 바람직하고, 특히 글리시딜(메타)아크릴레이트가 바람직하다.The curable group-containing compound (C5) may be the same as the curable group-containing compound exemplified for the acrylic polymer (A3). As the curable group-containing compound (C5), glycidyl (meth) acrylate and (meth) acryloyloxyethyl isocyanate are preferable, and glycidyl (meth) acrylate is particularly preferable.

여기에서, 경화성기 함유 화합물(C5)과, 상기 반응성 관능기 함유 모노머(C2)는, 몰 당량이 등량 정도가 되도록 반응시키는 것이 바람직하다.Here, it is preferable that the curable group-containing compound (C5) and the above-mentioned reactive functional group-containing monomer (C2) are reacted so that the molar equivalents thereof become approximately equal.

에너지선 경화성 대전 방지 폴리머(C)의 중량 평균 분자량은 500∼20만인 것이 바람직하고, 800∼10만인 것이 특히 바람직하고, 800∼5만인 것이 더 바람직하다. 에너지선 경화성 대전 방지 폴리머(C)의 중량 평균 분자량이 500 이상이면, 본 실시형태에 따른 반도체 가공용 시트(1)를 피착체에 첩부했을 때에, 에너지선 경화성 대전 방지 폴리머(C)의 점착제층(3)으로부터의 브리드 아웃을 효과적으로 억제할 수 있다. 또한, 에너지선 경화성 대전 방지 폴리머(C)의 중량 평균 분자량이 20만 이하이면, 점착제층(3)의 점착성에 악영향을 미칠 우려가 없다. 구체적으로는, 이온성의 에너지선 경화성 대전 방지 폴리머(C)의 분자쇄는 넓어지는 경향이 있지만, 그것이 억제되어, 점착제층(3)이 단단해지지 않고 양호한 점착성을 나타내어, 반도체 웨이퍼의 유지 성능이 유지된다.The weight-average molecular weight of the energy ray-curable antistatic polymer (C) is preferably 500 to 200,000, particularly preferably 800 to 100,000, and more preferably 800 to 50,000. When the weight-average molecular weight of the energy ray-curable antistatic polymer (C) is 500 or more, when the semiconductor processing sheet (1) according to the present embodiment is attached to an adherend, the pressure- 3 can effectively be suppressed. When the weight-average molecular weight of the energy ray-curable antistatic polymer (C) is 200,000 or less, adherence of the pressure-sensitive adhesive layer (3) is not adversely affected. Specifically, the molecular chain of the ionic energy ray-curable antistatic polymer (C) tends to be widened, but it is suppressed so that the pressure-sensitive adhesive layer (3) is not hardened and exhibits good tackiness, do.

또한, 본 명세서에 있어서, 에너지선 경화성 대전 방지 폴리머(C)의 중량 평균 분자량은, 겔투과 크로마토그래피(GPC)법에 의해 측정한 표준 폴리메틸메타크릴레이트 환산의 값이며, 측정 방법의 상세는 후술하는 실시예로 나타낸다.In the present specification, the weight-average molecular weight of the energy ray-curable antistatic polymer (C) is a value in terms of standard polymethylmethacrylate measured by a gel permeation chromatography (GPC) method. Which will be described later.

본 실시형태의 점착제 조성물에 있어서의 에너지선 경화성 대전 방지 폴리머(C)의 함유량은 0.5∼65질량％인 것이 바람직하고, 10∼50질량％인 것이 특히 바람직하고, 13∼30질량％인 것이 더 바람직하다. 에너지선 경화성 대전 방지 폴리머(C)의 배합량이 0.5질량％ 이상임으로써, 점착제층(3)에 대전 방지성이 충분히 부여된다. 또한, 에너지선 경화성 대전 방지 폴리머(C)의 배합량이 65질량％ 이하임으로써, 에너지선 조사 전에 있어서의 점착제층(3)의 응집력이 높게 유지되고, 점착제층(3)이 바람직한 탄성을 갖기 때문에, 다이싱시의 진동의 영향이 억제되어, 더욱 치핑(칩 단부의 결함)의 발생이 효과적으로 억제된다.The content of the energy ray ray-curable antistatic polymer (C) in the pressure-sensitive adhesive composition of the present embodiment is preferably 0.5 to 65 mass%, more preferably 10 to 50 mass%, further preferably 13 to 30 mass% desirable. When the compounding amount of the energy ray-curable antistatic polymer (C) is 0.5% by mass or more, the pressure-sensitive adhesive layer (3) is sufficiently provided with antistatic properties. Further, since the compounding amount of the energy ray-curable antistatic polymer (C) is 65 mass% or less, the cohesive force of the pressure-sensitive adhesive layer (3) before the energy ray irradiation is maintained high and the pressure-sensitive adhesive layer (3) , The influence of vibration at the time of dicing is suppressed, and generation of chipping (defect at the chip end) is further suppressed effectively.

본 실시형태에 있어서의 점착제 조성물이 상술한 에너지선 경화성 화합물(A2)을 함유할 경우, 본 실시형태에 있어서의 점착제 조성물은, 에너지선 경화성 화합물(A2) 및 에너지선 경화성 대전 방지 폴리머(C)의 합계 함유량이 10∼75질량％인 것이 바람직하고, 15∼60질량％인 것이 특히 바람직하고, 18∼40질량％인 것이 더 바람직하다. 에너지선 경화성 화합물(A2) 및 에너지선 경화성 대전 방지 폴리머(C)의 합계 함유량이 10질량％ 이상임으로써, 점착제층(3)에 대전 방지성이 충분히 부여된다. 또한, 당해 합계 함유량이 75질량％ 이하임으로써, 점착제층(3)의 응집력이 높게 유지되고, 치핑의 발생이 효과적으로 억제된다.When the pressure-sensitive adhesive composition according to the present embodiment contains the above-described energy ray-curable compound (A2), the pressure-sensitive adhesive composition according to this embodiment contains the energy ray-curable compound (A2) Is preferably from 10 to 75 mass%, more preferably from 15 to 60 mass%, still more preferably from 18 to 40 mass%. The total content of the energy ray-curable compound (A2) and the energy ray-curable antistatic polymer (C) is 10 mass% or more, whereby the antistatic property is sufficiently imparted to the pressure-sensitive adhesive layer (3). Further, when the total content is 75 mass% or less, the cohesive force of the pressure-sensitive adhesive layer 3 is kept high and the occurrence of chipping is effectively suppressed.

(4) 점착제 조성물에 있어서의 각 성분의 배합의 태양(4) A method of blending each component in a pressure-sensitive adhesive composition

본 실시형태에 있어서, 에테르 결합을 갖는 구성 단위는, 에테르 결합 함유 에너지선 경화성 화합물(B)로서, 또는 에너지선 경화성 대전 방지 폴리머(C)의 측쇄로서, 점착제 조성물에 포함된다.In the present embodiment, the structural unit having an ether bond is included in the pressure-sensitive adhesive composition as the ether bond-containing energy ray curable compound (B) or as the side chain of the energy ray-curable antistatic polymer (C).

에테르 결합을 갖는 구성 단위가 에테르 결합 함유 에너지선 경화성 화합물(B)로서 점착제 조성물에 포함될 경우, 이러한 점착제 조성물의 예로서: 아크릴계 중합체(A1)와, 에테르 결합을 갖지 않는 에너지선 경화성 화합물(A2)과, 에테르 결합 함유 에너지선 경화성 화합물(B)(에너지선 경화성 화합물(A2)로서도 작용함)과, 에너지선 경화성 대전 방지 폴리머(C)를 함유하는 점착제 조성물; 아크릴계 중합체(A1)와, 에테르 결합 함유 에너지선 경화성 화합물(B)(에너지선 경화성 화합물(A2)로서도 작용함)과, 에너지선 경화성 대전 방지 폴리머(C)를 함유하는 점착제 조성물; 아크릴계 중합체(A3)와, 에테르 결합 함유 에너지선 경화성 화합물(B)(에너지선 경화성 화합물(A2)로서도 작용함)과, 에너지선 경화성 대전 방지 폴리머(C)를 함유하는 점착제 조성물; 등을 들 수 있다. 또한, 에너지선 경화성 대전 방지 폴리머(C)는, 에테르 결합을 갖는 구성 단위를 측쇄에 갖고 있어도 된다.(A1) and an energy ray-curable compound (A2) having no ether bond are contained in the pressure-sensitive adhesive composition as an ether bond-containing energy ray curable compound (B) (B) (also serving as an energy ray-curable compound (A2)) and an energy ray-curable antistatic polymer (C); A pressure-sensitive adhesive composition comprising an acrylic polymer (A1), an ether bond-containing energy ray curable compound (B) (also serving as an energy ray curable compound (A2)) and an energy ray-curable antistatic polymer (C); A pressure-sensitive adhesive composition comprising an acrylic polymer (A3), an ether bond-containing energy ray curable compound (B) (also serving as an energy ray curable compound (A2)), and an energy ray curable antistatic polymer (C); And the like. The energy radiation curable antistatic polymer (C) may have a structural unit having an ether bond in its side chain.

한편, 에테르 결합을 갖는 구성 단위가 에너지선 경화성 대전 방지 폴리머(C)의 측쇄로서 점착제 조성물에 포함될 경우, 이러한 점착제 조성물의 예로서: 아크릴계 중합체(A1)와, 에너지선 경화성 화합물(A2)과, 에테르 결합을 갖는 구성 단위를 측쇄에 갖는 에너지선 경화성 대전 방지 폴리머(C)를 함유하는 점착제 조성물; 아크릴계 중합체(A3)와, 에테르 결합을 갖는 구성 단위를 측쇄에 갖는 에너지선 경화성 대전 방지 폴리머(C)를 함유하는 점착제 조성물; 등을 들 수 있다. 또한, 이러한 점착제 조성물은, 에테르 결합 함유 에너지선 경화성 화합물(B)을 더 함유해도 된다.On the other hand, when the constituent unit having an ether bond is included in the pressure sensitive adhesive composition as the side chain of the energy ray curable antistatic polymer (C), examples of such a pressure sensitive adhesive composition include: an acrylic polymer (A1), an energy ray curable compound (A2) A pressure-sensitive adhesive composition containing an energy ray-curable antistatic polymer (C) having a structural unit having an ether bond in a side chain thereof; A pressure-sensitive adhesive composition comprising an acrylic polymer (A3) and an energy ray-curable antistatic polymer (C) having a structural unit having an ether bond in a side chain; And the like. The pressure-sensitive adhesive composition may further contain an ether bond-containing energy ray curable compound (B).

(5) 가교제(D)(5) Crosslinking agent (D)

본 실시형태에 있어서의 점착제층(3)을 형성하는 점착제 조성물은, 상술한 바와 같이, 아크릴계 중합체(A1)와 반응할 수 있는 가교제(D)를 함유해도 된다. 이 경우에는, 본 실시형태에 있어서의 점착제층(3)은, 아크릴계 중합체(A1)와 가교제(D)와의 가교 반응에 의해 얻어진 가교물을 함유한다.The pressure-sensitive adhesive composition for forming the pressure-sensitive adhesive layer (3) in the present embodiment may contain a cross-linking agent (D) capable of reacting with the acrylic polymer (A1). In this case, the pressure-sensitive adhesive layer 3 in the present embodiment contains a crosslinked product obtained by a crosslinking reaction between the acrylic polymer (A1) and the crosslinking agent (D).

가교제(D)의 종류로서는, 예를 들면 에폭시계 화합물, 폴리이소시아네이트계 화합물, 금속 킬레이트계 화합물, 아지리딘계 화합물 등의 폴리이민 화합물, 멜라민 수지, 요소 수지, 디알데히드류, 메틸올폴리머, 금속 알콕시드, 금속염 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 가교 반응을 제어하기 쉬운 점 등의 이유에 의해, 에폭시계 화합물 또는 폴리이소시아네이트 화합물인 것이 바람직하다.Examples of the crosslinking agent (D) include polyimine compounds such as epoxy compounds, polyisocyanate compounds, metal chelate compounds and aziridine compounds, melamine resins, urea resins, dialdehydes, methylol polymers, Metal salts, and the like. Among them, an epoxy compound or a polyisocyanate compound is preferable for reasons such as easy control of the crosslinking reaction and the like.

에폭시계 화합물로서는, 예를 들면 1,3-비스(N,N'-디글리시딜아미노메틸)시클로헥산, N,N,N',N'-테트라글리시딜-m-자일릴렌디아민, 에틸렌글리콜디글리시딜에테르, 1,6-헥산디올디글리시딜에테르, 트리메틸올프로판디글리시딜에테르, 디글리시딜아닐린, 디글리시딜아민 등을 들 수 있다.Examples of the epoxy compound include 1,3-bis (N, N'-diglycidylaminomethyl) cyclohexane, N, N, N ', N'-tetraglycidyl- Ethylene glycol diglycidyl ether, 1,6-hexanediol diglycidyl ether, trimethylol propane diglycidyl ether, diglycidyl aniline, diglycidyl amine, and the like.

폴리이소시아네이트 화합물은, 1분자당 이소시아네이트기를 2개 이상 갖는 화합물이다. 구체적으로는, 톨릴렌디이소시아네이트, 디페닐메탄디이소시아네이트, 자일릴렌디이소시아네이트 등의 방향족 폴리이소시아네이트, 헥사메틸렌디이소시아네이트 등의 지방족 폴리이소시아네이트, 이소포론디이소시아네이트, 수소 첨가 디페닐메탄디이소시아네이트 등의 지환식 폴리이소시아네이트 등, 및 그들의 뷰렛체, 이소시아누레이트체, 또한 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 네오펜틸글리콜, 트리메틸올프로판, 피마자유 등의 저분자 활성 수소 함유 화합물과의 반응물인 어덕트체 등을 들 수 있다.The polyisocyanate compound is a compound having two or more isocyanate groups per molecule. Specific examples thereof include aromatic polyisocyanates such as tolylene diisocyanate, diphenylmethane diisocyanate and xylylene diisocyanate, aliphatic polyisocyanates such as hexamethylene diisocyanate, aliphatic polyisocyanates such as isophorone diisocyanate and hydrogenated diphenylmethane diisocyanate, And adducts which are reaction products of low molecular active hydrogen-containing compounds such as buret, isocyanurate, ethylene glycol, propylene glycol, neopentyl glycol, trimethylol propane and castor oil, etc. have.

점착제층(3)을 형성하는 점착제 조성물의 가교제(D)의 함유량은, 에너지선 경화성 점착 성분(A) 및 에너지선 경화성 대전 방지 폴리머(C)의 합계량 100질량부에 대하여 0.01∼50질량부인 것이 바람직하고, 0.1∼10질량부인 것이 보다 바람직하다.The content of the crosslinking agent (D) in the pressure-sensitive adhesive composition for forming the pressure-sensitive adhesive layer (3) is 0.01 to 50 parts by mass based on 100 parts by mass of the total amount of the energy ray-curable pressure-sensitive adhesive polymer (A) And more preferably 0.1 to 10 parts by mass.

본 실시형태에 있어서의 점착제층(3)을 형성하는 점착제 조성물이 가교제(D)를 함유할 경우에는, 그 가교제(D)의 종류 등에 따라, 적절한 가교 촉진제를 함유하는 것이 바람직하다. 예를 들면 가교제(D)가 폴리이소시아네이트 화합물일 경우에는, 점착제층(3)을 형성하는 점착제 조성물은 유기 주석 화합물 등의 유기 금속 화합물계의 가교 촉진제를 함유하는 것이 바람직하다.When the pressure-sensitive adhesive composition for forming the pressure-sensitive adhesive layer 3 in the present embodiment contains the crosslinking agent (D), it is preferable that the pressure-sensitive adhesive composition contains an appropriate crosslinking accelerator depending on the type of the crosslinking agent (D) For example, when the crosslinking agent (D) is a polyisocyanate compound, the pressure-sensitive adhesive composition for forming the pressure-sensitive adhesive layer (3) preferably contains an organic metal compound-based crosslinking accelerator such as an organotin compound.

(6) 그 밖의 성분(6) Other components

본 실시형태에 있어서의 점착제층(3)을 형성하는 점착제 조성물은, 상기 성분에 더하여, 광중합개시제, 염료나 안료 등의 착색 재료, 난연제, 필러 등의 각종 첨가제를 함유해도 된다.The pressure-sensitive adhesive composition for forming the pressure-sensitive adhesive layer (3) in the present embodiment may contain various additives such as a photopolymerization initiator, a coloring material such as a dye and a pigment, a flame retardant, and a filler in addition to the above components.

광중합개시제로서는, 벤조인 화합물, 아세토페논 화합물, 아실포스핀옥사이드 화합물, 티타노센 화합물, 티오잔톤 화합물, 퍼옥사이드 화합물 등의 광개시제, 아민이나 퀴논 등의 광증감제 등을 들 수 있고, 구체적으로는, 1-히드록시시클로헥실페닐케톤, 벤조인, 벤조인메틸에테르, 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 벤질디페닐설파이드, 테트라메틸티우람모노설파이드, 아조비스이소부티로니트릴, 디벤질, 디아세틸, β-클로로안트라퀴논, 2,4,6-트리메틸벤조일디페닐포스핀옥사이드 등이 예시된다. 에너지선으로서 자외선을 사용할 경우에는, 광중합개시제를 배합함으로써 조사 시간, 조사량을 적게 할 수 있다.Examples of the photopolymerization initiator include photoinitiators such as benzoin compounds, acetophenone compounds, acylphosphine oxide compounds, titanocene compounds, thioxanthone compounds and peroxide compounds, and photosensitizers such as amines and quinones. , 1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone, benzoin, benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, benzyl diphenyl sulfide, tetramethyl thiuram monosulfide, azobisisobutyronitrile, dibenzyl , Diacetyl,? -Chloroanthraquinone, 2,4,6-trimethylbenzoyldiphenylphosphine oxide, and the like. When ultraviolet rays are used as an energy ray, the irradiation time and amount of irradiation can be reduced by blending a photopolymerization initiator.

(7) 에너지선의 조사(7) Investigation of energy ray

상술한 에너지선 경화성 점착 성분(A), 에테르 결합 함유 에너지선 경화성 화합물(B) 및 에너지선 경화성 대전 방지 폴리머(C)를 경화시키기 위한 에너지선으로서는, 전리 방사선, 즉, X선, 자외선, 전자선 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 비교적 조사 설비의 도입이 용이한 자외선이 바람직하다.Examples of the energy ray for curing the aforementioned energy ray curable adhesive component (A), the ether bond-containing energy ray curable compound (B) and the energy ray ray-curable antistatic polymer (C) include ionizing radiation such as X-ray, ultraviolet ray, And the like. Of these, ultraviolet rays which are relatively easy to introduce irradiation equipment are preferable.

전리 방사선으로서 자외선을 사용할 경우에는, 취급의 용이함으로부터 파장 200∼380㎚ 정도의 자외선을 포함하는 근자외선을 사용하면 된다. 광량으로서는, 에너지선 경화성 점착 성분(A), 에테르 결합 함유 에너지선 경화성 화합물(B) 및 에너지선 경화성 대전 방지 폴리머(C)가 갖는 에너지선 경화성기의 종류나 점착제층(3)의 두께에 따라 적의 선택하면 되고, 통상 50∼500mJ/㎠ 정도이며, 100∼450mJ/㎠가 바람직하고, 200∼400mJ/㎠가 보다 바람직하다. 또한, 자외선 조도는, 통상 50∼500mW/㎠ 정도이며, 100∼450mW/㎠가 바람직하고, 200∼400mW/㎠가 보다 바람직하다. 자외선원으로서는 특별히 제한은 없고, 예를 들면 고압 수은 램프, 메탈할라이드 램프, UV-LED 등이 사용된다.When ultraviolet rays are used as the ionizing radiation, near-ultraviolet rays including ultraviolet rays having a wavelength of about 200 to 380 nm may be used for ease of handling. The amount of light is preferably set in accordance with the type of the energy radiation curable group possessed by the energy radiation curable pressure sensitive adhesive component (A), the ether bond-containing energy ray curable compound (B) and the energy ray ray curable antistatic polymer (C) or the thickness of the pressure sensitive adhesive layer And usually about 50 to 500 mJ / cm 2, preferably 100 to 450 mJ / cm 2, and more preferably 200 to 400 mJ / cm 2. The ultraviolet illuminance is usually about 50 to 500 mW / cm 2, preferably 100 to 450 mW / cm 2, and more preferably 200 to 400 mW / cm 2. The ultraviolet ray source is not particularly limited, and for example, a high-pressure mercury lamp, a metal halide lamp, a UV-LED, or the like is used.

전리 방사선으로서 전자선을 사용할 경우에는, 그 가속 전압에 대해서는, 에너지선 경화성 점착 성분(A), 에테르 결합 함유 에너지선 경화성 화합물(B) 및 에너지선 경화성 대전 방지 폴리머(C)가 갖는 에너지선 경화성기의 종류나 점착제층(3)의 두께에 따라 적의 선정하면 되고, 통상 가속 전압 10∼1000kV 정도인 것이 바람직하다. 또한, 조사선량은, 에너지선 경화성 점착 성분(A), 에테르 결합 함유 에너지선 경화성 화합물(B) 및 에너지선 경화성 대전 방지 폴리머(C)가 적절히 경화하는 범위에 설정하면 되고, 통상 10∼1000krad의 범위로 선정된다. 전자선원으로서는, 특별히 제한은 없고, 예를 들면 코크로프트-월턴형, 반데 그래프트형, 공진 변압기형, 절연 코어 변압기형, 혹은 직선형, 다이나미트론형, 고주파형 등의 각종 전자선 가속기를 사용할 수 있다.When an electron beam is used as the ionizing radiation, the energy ray curable component (A) contained in the energy ray curable adhesive component (A), the ether bond-containing energy ray curable compound (B) And the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer 3, and it is preferable that the acceleration voltage is usually about 10 to 1000 kV. The irradiation dose is set in a range in which the energy radiation curable adhesive component (A), the ether bond-containing energy ray curable compound (B) and the energy ray ray-curable antistatic polymer (C) are suitably cured and is usually in the range of 10 to 1000 krad . There are no particular restrictions on the electron source, and various electron beam accelerators such as, for example, a Cocroft-Walton type, a Bandedge type, a resonant transformer type, an insulating core transformer type, a linear type, a dynamictron type and a high frequency type can be used .

(8) 물성, 형상 등(8) Property, shape, etc.

(8-1) 두께(8-1) Thickness

본 실시형태에 있어서의 점착제층(3)의 두께는 2∼50㎛이며, 바람직하게는 5∼30㎛이며, 특히 바람직하게는 8∼20㎛이다. 점착제층(3)의 두께가 20㎛ 이하임으로써, 반도체 웨이퍼 등의 피착체를 다이싱할 때에 발생하는 점착제 응착물의 양을 적게 억제할 수 있어, 점착제 응착물이 칩 등에 부착된 것에 기인하는 불량이 생기기 어렵다. 한편, 점착제층(3)의 두께가 2㎛ 미만이면, 점착제층(3)의 점착성의 불균일이 커지는 문제가 생길 우려가 있다.The thickness of the pressure-sensitive adhesive layer 3 in this embodiment is 2 to 50 占 퐉, preferably 5 to 30 占 퐉, and particularly preferably 8 to 20 占 퐉. When the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer 3 is 20 占 퐉 or less, the amount of pressure-sensitive adhesive adhered to the adherend such as a semiconductor wafer can be suppressed to a small extent, . On the other hand, if the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer (3) is less than 2 탆, there is a possibility that a problem that the unevenness of the pressure-sensitive adhesive layer (3)

(8-2) 에너지선 경화 후의 박리 대전압(帶電壓)(8-2) Peeling after Energy Line Curing [

본 실시형태에 있어서의 점착제층(3)과 실리콘 웨이퍼를 첩합(貼合)하고, 에너지선을 조사한 후, 실리콘 웨이퍼와 에너지선 경화 후의 점착제층(3)을 박리시켰을 때에 실리콘 웨이퍼 표면에 발생하는 박리 대전압(이하 단순히 「박리 대전압」이라고 하는 경우가 있음)은, 0.6kV 이하인 것이 바람직하고, 0.4kV 이하인 것이 특히 바람직하다. 에너지선 경화 후의 박리 대전압이 이러한 범위에 있음으로써, 바람직한 대전 방지성이 얻어지기 때문에, 본 실시형태에 따른 반도체 가공용 시트(1)를 피착체로부터 박리했을 때에, 피착체가 박리 대전에 의해 파괴되는 것을 방지할 수 있다.When the pressure sensitive adhesive layer 3 according to the present embodiment is bonded to a silicon wafer and irradiated with energy rays and then peeled off from the silicon wafer and the pressure sensitive adhesive layer 3 after energy ray curing, The peeling electrification voltage (hereinafter sometimes simply referred to as " peeling electrification voltage ") is preferably 0.6 kV or less, and particularly preferably 0.4 kV or less. When the peeling electrification voltage after the energy ray curing is in this range, the desired antistatic property can be obtained. Therefore, when the semiconductor processing sheet 1 according to the present embodiment is peeled from the adherend, the adherend is destroyed by peeling electrification Can be prevented.

또한, 여기에서 말하는 박리 대전압은, 반도체 가공용 시트를 폭 25㎜×길이 200㎜로 재단하여 점착제층을 실리콘 미러 웨이퍼의 경면(鏡面)에 첩합하고, 에너지선 조사에 의해 점착제층(3)을 경화시킨 후, 점착제층과 웨이퍼를 박리시켰을 때에 웨이퍼 표면에 발생하는 대전량이며, 측정 방법의 상세는 후술하는 실시예로 나타낸다.The peeling electrification voltage referred to herein was obtained by cutting the semiconductor processing sheet to a width of 25 mm and a length of 200 mm to adhere the pressure sensitive adhesive layer to the mirror surface of the silicon mirror wafer and irradiate the pressure sensitive adhesive layer (3) The amount of charge generated on the surface of the wafer when the pressure-sensitive adhesive layer and the wafer are peeled off after curing. The details of the measuring method are shown in the following examples.

(8-3) 점착력(8-3) Adhesion

본 실시형태에 따른 반도체 가공용 시트(1)는, 에너지선 조사 전의 점착력에 대한 에너지선 조사 후의 점착력의 비가 0.003∼0.3인 것이 바람직하고, 0.005∼0.1인 것이 보다 바람직하고, 0.008∼0.05인 것이 특히 바람직하다. 상기 점착력의 비가 상기 범위 내에 있으면, 에너지선 조사 전의 점착력과 에너지선 조사 후의 점착력과의 밸런스가 양호해져, 에너지선 조사 전의 충분한 점착력과 에너지선 조사 후의 적당한 점착력을 달성하기 쉬워진다.The sheet for semiconductor processing 1 according to the present embodiment preferably has a ratio of adhesive force after irradiation with energy rays to an adhesive force before irradiation with energy rays of 0.003 to 0.3, more preferably 0.005 to 0.1, particularly 0.008 to 0.05 desirable. When the ratio of the adhesive force is within the above range, the balance between the adhesive force before the irradiation with the energy ray and the adhesive force after the irradiation with the energy ray becomes good, and the sufficient adhesive force before irradiation with the energy ray and the appropriate adhesive force after irradiation with the energy ray can be easily achieved.

또한, 여기에서 말하는 점착력은, 실리콘 미러 웨이퍼를 피착체로 하고, 그 경면에 반도체 가공용 시트를 첩합하여, JIS Z0237:2009에 준한 180° 박리법에 의해 측정한 점착력(mN/25㎜)으로 한다. 또한, 에너지선 조사 후의 점착력은, 반도체 가공용 시트(1)를 피착체에 첩부한 뒤, 질소 분위기 하에서, 반도체 가공용 시트(1)의 기재(2)측으로부터 자외선 조사(조도 230mW/㎠, 광량 190mJ/㎠)한 후, 측정한 값으로 한다.The adhesive force referred to herein is the adhesive force (mN / 25 mm) measured by a 180 deg. Peeling method according to JIS Z0237: 2009, in which a silicon mirror wafer is used as an adherend and a semiconductor processing sheet is laminated on the mirror surface. The adhesive strength after irradiation with energy rays was measured by irradiating ultraviolet light (illuminance: 230 mW / cm 2, light quantity: 190 mJ / cm 2) from the base material 2 side of the semiconductor processing sheet 1 under the atmosphere of nitrogen after attaching the semiconductor processing sheet 1 to the adherend. / Cm < 2 >).

반도체 가공용 시트(1)의 에너지선 조사 전의 점착력은 2000∼20000mN/25㎜인 것이 바람직하고, 3000∼15000mN/25㎜인 것이 보다 바람직하고, 3500∼10000mN/25㎜인 것이 특히 바람직하다. 에너지선 조사 전의 점착력이 상기 범위 내에 있음으로써, 피착체의 처리 공정에 있어서 피착체를 확실히 고정할 수 있다.The adhesive strength of the semiconductor processing sheet 1 before energy ray irradiation is preferably 2000 to 20000 mN / 25 mm, more preferably 3000 to 15000 mN / 25 mm, and particularly preferably 3500 to 10000 mN / 25 mm. When the adhesive force before the energy ray irradiation is within the above range, the adherend can be firmly fixed in the process of the adherend.

한편, 반도체 가공용 시트(1)의 에너지선 조사 후의 점착력은 10∼500mN/25㎜인 것이 바람직하고, 30∼300mN/25㎜인 것이 보다 바람직하고, 50∼200mN/25㎜인 것이 특히 바람직하다. 에너지선 조사 후의 점착력이 상기 범위 내에 있음으로써, 박리시에 피착체를 반도체 가공용 시트(1)로부터 박리하기 쉽게 할 수 있으며, 또한, 박리시에 있어서의 점착제층(3)의 응집 파괴, 및 파티클에 의한 피착체의 오염을 억제할 수 있다.On the other hand, the adhesive strength of the semiconductor processing sheet 1 after irradiation with energy rays is preferably 10 to 500 mN / 25 mm, more preferably 30 to 300 mN / 25 mm, and particularly preferably 50 to 200 mN / 25 mm. When the adhesive force after irradiation with the energy ray is within the above range, the adherend can be easily peeled off from the semiconductor processing sheet 1 at the time of peeling, and the cohesive failure of the adhesive layer 3 during peeling, It is possible to suppress the contamination of the adherend by the adhesive.

본 실시형태에 있어서의 점착제층(3)은, 상술한 점착제 조성물로부터 형성됨으로써, 반도체 가공용 시트(1)의 에너지선 조사 전의 점착력, 에너지선 조사 후의 점착력 및 그들의 비를 상기 범위 내에 제어하기 쉽다.The pressure-sensitive adhesive layer (3) in the present embodiment is formed from the above-described pressure-sensitive adhesive composition, so that the adhesive strength of the semiconductor processing sheet (1) before irradiation with energy rays and the adhesion force after irradiation with energy rays are easily controlled within the above range.

(8-4) 박리 시트(8-4) Peeling sheet

본 실시형태에 따른 반도체 가공용 시트(1)는, 피착체에 점착제층(3)을 첩부하기까지 동안, 점착제층(3)을 보호하는 목적으로, 점착제층(3)의 기재(2)측의 면과 반대측의 면에, 박리 시트가 적층되어 있어도 된다. 박리 시트의 구성은 임의이며, 플라스틱 필름을 박리제 등에 의해 박리 처리한 것이 예시된다. 플라스틱 필름의 구체예로서는, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트 등의 폴리에스테르 필름, 및 폴리프로필렌이나 폴리에틸렌 등의 폴리올레핀 필름을 들 수 있다. 박리제로서는, 실리콘계, 불소계, 장쇄 알킬계 등을 사용할 수 있지만, 이들 중에서, 저렴하며 안정된 성능이 얻어지는 실리콘계가 바람직하다. 박리 시트의 두께에 대해서는 특별히 제한은 없지만, 통상 20∼250㎛ 정도이다.The semiconductor processing sheet 1 according to the present embodiment can be used for the purpose of protecting the pressure sensitive adhesive layer 3 while the pressure sensitive adhesive layer 3 is applied to the adherend, A peeling sheet may be laminated on the surface opposite to the surface. The constitution of the release sheet is arbitrary, and the plastic film is peeled off with a release agent or the like. Specific examples of the plastic film include polyester films such as polyethylene terephthalate, polybutylene terephthalate and polyethylene naphthalate, and polyolefin films such as polypropylene and polyethylene. As the releasing agent, a silicone type, a fluorine type, a long chain alkyl type and the like can be used, and among these, a silicone type which is inexpensive and can obtain a stable performance is preferable. The thickness of the release sheet is not particularly limited, but is usually about 20 to 250 mu m.

3. 반도체 가공용 시트의 제조 방법3. Manufacturing method of sheet for semiconductor processing

반도체 가공용 시트(1)의 제조 방법은, 상술한 점착제 조성물로부터 형성되는 점착제층(3)을 기재(2) 중 하나의 면에 적층할 수 있으면, 상세한 방법은 특별히 한정되지 않는다. 일례를 들면, 상술한 점착제 조성물, 및 소요에 따라 용매 또는 분산매를 더 함유하는 도공용 조성물을 조제하고, 기재(2) 중 하나의 면상에, 다이 코터, 커튼 코터, 스프레이 코터, 슬릿 코터, 나이프 코터 등에 의해 그 도공용 조성물을 도포하여 도막을 형성하고, 당해 도막을 건조시킴으로써, 점착제층(3)을 형성할 수 있다. 도공용 조성물은, 도포를 행하는 것이 가능하면 그 성상은 특별히 한정되지 않고, 점착제층(3)을 형성하기 위한 성분을 용질로서 함유할 경우도 있으면, 분산질로서 함유할 경우도 있다.The method for producing the sheet 1 for semiconductor processing is not particularly limited as long as the pressure-sensitive adhesive layer 3 formed from the above-described pressure-sensitive adhesive composition can be laminated on one surface of the substrate 2. [ For example, a coating composition containing the above-mentioned pressure-sensitive adhesive composition and, if necessary, a solvent or a dispersion medium may be prepared, and a coating composition such as a die coater, a curtain coater, a spray coater, a slit coater, The pressure-sensitive adhesive layer 3 can be formed by applying the coating composition by a coater or the like to form a coating film and drying the coating film. The coating composition is not particularly limited as far as it can be applied, and the component for forming the pressure-sensitive adhesive layer (3) may be contained as a solute or may be contained as a dispersion.

도공용 조성물이 가교제(D)를 함유할 경우에는, 상기 건조의 조건(온도, 시간 등)을 변화시킴으로써, 또는 가열 처리를 별도 마련함으로써, 도막 내의 아크릴계 중합체(A1) 또는 (A3)와 가교제(D)와의 가교 반응을 진행시켜, 점착제층(3) 내에 원하는 존재 밀도로 가교 구조를 형성시키면 된다. 이 가교 반응을 충분히 진행시키기 위해, 상기 방법 등에 의해 기재(2)에 점착제층(3)을 적층시킨 후, 얻어진 반도체 가공용 시트(1)를, 예를 들면 23℃, 상대 습도 50％의 환경에 몇 일간 정치(靜置)하는 것과 같은 양생을 통상 행한다.When the coating composition contains the crosslinking agent (D), the acrylic polymer (A1) or (A3) and the crosslinking agent (A3) in the coating film can be obtained by changing the conditions (temperature, D to proceed the crosslinking reaction to form a crosslinked structure in the pressure-sensitive adhesive layer 3 at a desired density. The pressure-sensitive adhesive layer 3 is laminated on the substrate 2 by the above-mentioned method or the like and then the obtained semiconductor processing sheet 1 is placed in an environment of, for example, 23 DEG C and a relative humidity of 50% Curing such as standing for several days is usually carried out.

반도체 가공용 시트(1)의 제조 방법의 다른 일례로서, 상술한 박리 시트의 박리면상에 도공용 조성물을 도포하여 도막을 형성하고, 이를 건조시켜 점착제층(3)과 박리 시트로 이루어지는 적층체를 형성하고, 이 적층체의 점착제층(3)에 있어서의 박리 시트측의 면과 반대측의 면을 기재(2)에 첩부하여, 반도체 가공용 시트(1)와 박리 시트의 적층체를 얻어도 된다. 이 적층체에 있어서의 박리 시트는 공정 재료로서 박리해도 되고, 반도체 웨이퍼 등의 피착체에 첩부하기까지 동안, 점착제층(3)을 보호하고 있어도 된다.As another example of the method for producing the sheet 1 for semiconductor processing, a coating composition is applied on the peeling surface of the release sheet described above to form a coating film, which is then dried to form a laminate composed of a pressure-sensitive adhesive layer 3 and a release sheet And the surface of the pressure sensitive adhesive layer 3 of the laminate opposite to the surface on the release sheet side is attached to the substrate 2 to obtain a laminate of the semiconductor processing sheet 1 and the release sheet. The release sheet in this laminate may be peeled off as a process material, or the pressure-sensitive adhesive layer 3 may be protected until it is attached to an adherend such as a semiconductor wafer.

4. 칩의 제조 방법4. Manufacturing Method of Chip

본 실시형태에 따른 반도체 가공용 시트(1)를 사용하여, 일례로서 반도체 웨이퍼로부터 칩을 제조하는 방법을 이하에 설명한다.A method of manufacturing a chip from a semiconductor wafer as an example using the semiconductor processing sheet 1 according to the present embodiment will be described below.

본 실시형태에 따른 반도체 가공용 시트(1)는, 사용에 있어서, 점착제층(3)측의 면(즉, 점착제층(3)의 기재(2)와 반대측의 면)을 반도체 웨이퍼에 첩부한다. 반도체 가공용 시트(1)의 점착제층(3)측의 면에 박리 시트가 적층되어 있을 경우에는, 그 박리 시트를 박리하여 점착제층(3)측의 면을 표출시켜, 반도체 웨이퍼의 점착면에 그 면을 첩부하면 된다. 반도체 가공용 시트(1)의 주연부는, 통상 그 부분에 마련된 점착제층(3)에 의해, 링 프레임이라 불리는 반송이나 장치에의 고정을 위한 환상의 지그에 첩부된다.The semiconductor processing sheet 1 according to the present embodiment sticks the surface of the pressure-sensitive adhesive layer 3 (that is, the surface of the pressure-sensitive adhesive layer 3 opposite to the substrate 2) to the semiconductor wafer in use. When the release sheet is laminated on the side of the pressure-sensitive adhesive layer 3 side of the semiconductor processing sheet 1, the release side is peeled off to expose the side of the pressure-sensitive adhesive layer 3, You can attach the face. The periphery of the semiconductor processing sheet 1 is usually affixed to an annular jig for conveyance, which is called a ring frame, or fixation to a device, by means of a pressure-sensitive adhesive layer 3 provided at that portion.

그 다음에, 다이싱 공정을 실시하여, 반도체 웨이퍼로부터 복수의 칩을 얻는다. 반도체 가공용 시트(1)의 점착제층(3)은, 이를 형성하는 점착제 조성물의 각성분의 함유량을 조정함으로써(예를 들면 점착제 조성물에 있어서의 에너지선 경화성 대전 방지 폴리머(C)의 함유량을 65질량％ 이하로 하는 등), 에너지선 조사 전에 있어서의 응집성이 높게 유지되어, 다이싱 공정에 있어서 바람직한 탄성을 갖는 것이 된다. 그 때문에 본 실시형태에 따른 반도체 가공용 시트(1)를 사용함으로써, 다이싱 공정 중의 진동의 영향이 억제되고, 치핑의 발생이 억제된다.Then, a dicing process is performed to obtain a plurality of chips from the semiconductor wafer. The pressure-sensitive adhesive layer 3 of the sheet for semiconductor processing 1 is prepared by adjusting the content of each component of the pressure-sensitive adhesive composition for forming the pressure-sensitive adhesive composition (for example, by adjusting the content of the energy ray-curable antistatic polymer (C) in the pressure- % Or the like), the cohesiveness before the irradiation with the energy ray is maintained to be high, and the elasticity is favorable in the dicing step. Therefore, by using the semiconductor processing sheet 1 according to the present embodiment, the influence of vibration during the dicing process is suppressed, and the occurrence of chipping is suppressed.

다이싱 공정 종료 후, 반도체 가공용 시트(1)의 기재(2)측으로부터 에너지선 조사를 행한다. 이에 따라, 점착제층(3)에 포함되는 에너지선 경화성 점착 성분(A), 에테르 결합 함유 에너지선 경화성 화합물(B) 및 에너지선 경화성 대전 방지 폴리머(C)가 갖는 에너지선 경화성기의 중합 반응이 진행되어 점착성이 저하하고, 칩의 픽업이 가능해진다.After completion of the dicing process, energy beam irradiation is performed from the base material 2 side of the semiconductor processing sheet 1. [ Thereby, the polymerization reaction of the energy ray-curable group contained in the pressure-sensitive adhesive component (A), the ether bond-containing energy ray-curable compound (B) and the energy ray-curable antistatic polymer (C) contained in the pressure- The stickiness is lowered and the chip can be picked up.

일례로서 에너지선 조사 후, 반도체 가공용 시트(1)상에 근접 배치되어 있는 복수의 칩을 픽업하기 쉽도록, 반도체 가공용 시트(1)를 평면 방향으로 신장하는 익스팬드 공정을 행한다. 이 신장의 정도는, 근접 배치된 칩이 가져야 할 간격, 기재(2)의 인장 강도 등을 고려하여 적의 설정하면 된다. 또한, 익스팬드 공정은, 에너지선 조사 전에 행해도 된다.As an example, after the energy ray irradiation, an expanding process is performed in which the semiconductor processing sheet 1 is stretched in the plane direction so that a plurality of chips arranged close to the semiconductor processing sheet 1 can be easily picked up. The degree of the elongation can be set appropriately in consideration of the interval that the adjacent chips should have, the tensile strength of the base material 2, and the like. The expanding step may be performed before the energy ray irradiation.

익스팬드 공정 후, 점착제층(3)상의 칩의 픽업을 행한다. 픽업은, 흡인 콜릿(collet) 등의 범용 수단에 의해 행하지만, 이때, 픽업하기 쉽게 하기 위해, 대상의 칩을 반도체 가공용 시트(1)의 기재(2)측으로부터 핀이나 니들 등으로 밀어올리는 것을 행하는 것이 바람직하다.After the expanding process, the chips on the pressure-sensitive adhesive layer 3 are picked up. The pick-up is carried out by a general means such as a suction collet. At this time, in order to facilitate picking up, the object chip is pushed up from the base material 2 side of the semiconductor processing sheet 1 to a pin or a needle .

본 실시형태에 따른 반도체 가공용 시트(1)에 있어서, 5㎜×5㎜로 다이싱하여 얻어진 칩을 밀어올림 핀으로 픽업할 때의 픽업에 요하는 힘(이하 「5㎜□ 픽업력」이라고 하는 경우가 있음)은, 2N 이하인 것이 바람직하고, 1.8N 이하인 것이 특히 바람직하다. 본 실시형태에 따른 반도체 가공용 시트(1)는, 점착제층(3)이 상술한 점착제 조성물로부터 형성됨으로써, 5㎜□ 픽업력을 상기 범위 내에 제어하기 쉽다. 또한, 5㎜□ 픽업력의 하한치는, 의도하지 않고 칩이 반도체 가공용 시트(1)로부터 박리해 버리는 것을 방지하는 관점에서, 0.5N 이상인 것이 바람직하고, 0.8N 이상인 것이 특히 바람직하다.In the semiconductor processing sheet 1 according to the present embodiment, the force required for picking up (hereinafter referred to as " 5 mm? Pick-up force ") when picking up a chip obtained by dicing 5 mm x 5 mm with a push- ) Is preferably 2 N or less, and particularly preferably 1.8 N or less. The sheet 1 for semiconductor processing according to the present embodiment can easily control the 5 mm? Pickup force within the above range by forming the pressure-sensitive adhesive layer 3 from the above-described pressure-sensitive adhesive composition. The lower limit value of 5 mm? Pick-up force is preferably 0.5 N or more, particularly preferably 0.8 N or more, from the viewpoint of preventing the chip from being peeled off from the semiconductor processing sheet 1 without intention.

여기에서, 본 명세서에 있어서의 5㎜□ 픽업력이란, 두께 100㎛의 실리콘 웨이퍼를 5㎜×5㎜로 다이싱하고, 에너지선 조사를 행한 후, 개편화된 칩을 픽업(밀어올림 핀: 1핀, 밀어올림 속도: 1㎜/초)할 때에, 픽업에 요한 힘(N)으로서 푸쉬 풀 게이지(AIKOH ENGINEERING사제, RX-1)에 의해 측정되는 값이며, 측정 방법의 상세는 후술하는 실시예로 나타낸다.Here, the 5 mm? Pick-up force in the present specification means a silicon wafer having a thickness of 100 占 퐉 diced to 5 mm 占 5 mm and irradiated with energy rays, and thereafter picked up chips (pick- 1), and a push-pull gauge (RX-1, manufactured by AIKOH ENGINEERING CO., LTD.) As a force N required for picking up at the time of pushing-up For example.

본 실시형태에 따른 반도체 가공용 시트(1)는, 점착제층(3)에 포함되는 에너지선 경화성 대전 방지 폴리머(C)가 염(양이온)을 가짐으로써, 픽업 등의 박리시에 있어서의 박리 대전의 발생이 방지되어, 회로나 칩 등을 파괴하지 않고 칩을 회수할 수 있다. 또한, 점착제층(3)에 포함되는 에너지선 경화성 대전 방지 폴리머(C)가 에너지선 경화성기를 가짐으로써, 칩에 대한 오염이 생기기 어렵다. 또한, 픽업된 칩은, 반송 공정 등 다음 공정으로 제공된다.The semiconductor processing sheet 1 according to the present embodiment is characterized in that the energy ray curable antistatic polymer (C) contained in the pressure sensitive adhesive layer (3) has a salt (cation) So that the chip can be recovered without destroying the circuit or the chip. In addition, since the energy ray-curable antistatic polymer (C) contained in the pressure-sensitive adhesive layer (3) has an energy ray-curable group, contamination of the chip is unlikely to occur. Further, the picked-up chip is provided in a next process such as a transport process.

이상 설명한 실시형태는, 본 발명의 이해를 용이하게 하기 위해 기재된 것이며, 본 발명을 한정하기 위해 기재된 것이 아니다. 따라서, 상기 실시형태에 개시된 각 요소는, 본 발명의 기술적 범위에 속하는 모든 설계 변경이나 균등물도 포함하는 취지이다.The embodiments described above are described for the purpose of facilitating understanding of the present invention and are not described for limiting the present invention. Therefore, each element disclosed in the above embodiment is intended to include all design modifications and equivalents falling within the technical scope of the present invention.

예를 들면 상기 반도체 가공용 시트(1)에 있어서의 기재(2)와 점착제층(3) 사이에는, 다른 층이 개재(介在)되어 있어도 된다.For example, another layer may intervene between the base material 2 and the pressure-sensitive adhesive layer 3 in the semiconductor processing sheet 1.

[실시예][Example]

이하, 실시예 등에 의해 본 발명을 더 구체적으로 설명하지만, 본 발명의 범위는 이들의 실시예 등에 한정되는 것이 아니다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Examples and the like, but the scope of the present invention is not limited to these Examples and the like.

〔실시예 1〕[Example 1]

(1) 아크릴계 중합체의 조제(1) Preparation of acrylic polymer

아크릴산n-부틸 85질량부 및 아크릴산2-히드록시에틸 15질량부를 공중합시켜, 아크릴계 중합체(A1)를 조제했다. 이 아크릴계 중합체(A1)의 분자량을 후술하는 방법으로 측정한 바, 중량 평균 분자량은 60만이었다. 얻어진 아크릴계 중합체(A1)는, 톨루엔과 아세트산에틸의 혼합 용매로 고형분 농도 34질량％로 희석했다.85 parts by mass of n-butyl acrylate and 15 parts by mass of 2-hydroxyethyl acrylate were copolymerized to prepare an acrylic polymer (A1). The molecular weight of the acrylic polymer (A1) was measured by a method described below, and the weight average molecular weight was 600,000. The obtained acrylic polymer (A1) was diluted with a mixed solvent of toluene and ethyl acetate to a solid content concentration of 34 mass%.

(2) 에너지선 경화성 대전 방지 폴리머(C)의 조제(2) Preparation of energy ray-curable antistatic polymer (C)

4급 암모늄염 모노머(C1)로서의 [2-(메타크릴로일옥시)에틸]트리메틸암모늄 비스(트리플루오로메틸설포닐)이미드, 반응성 관능기 함유 모노머(C2)로서의 메타크릴산, 그리고 중합성 모노머(C4)로서의 아크릴산2-에틸헥실 및 아크릴산2-히드록시에틸을, 몰비가 4급 암모늄염 모노머(C1):메타크릴산(C2):아크릴산2-에틸헥실(C4):아크릴산2-히드록시에틸(C4)＝0.027:0.015:0.052:0.011이 되도록 공중합했다. 얻어진 중합체에, 경화성기 함유 화합물(C5)로서의 메타크릴산글리시딜(상기 몰비로 환산하여 0.012)을 반응시켜, 에너지선 경화성 대전 방지 폴리머(C)(측쇄에 메타크릴로일기 및 4급 암모늄염을 가짐)를 얻었다. 이 에너지선 경화성 대전 방지 폴리머(C)의 분자량을 후술하는 방법으로 측정한 바, 중량 평균 분자량은 170,000이었다.(Methacryloyloxy) ethyl] trimethylammonium bis (trifluoromethylsulfonyl) imide as the quaternary ammonium salt monomer (C1), methacrylic acid as the reactive functional group-containing monomer (C2), and a polymerizable monomer (C1): methacrylic acid (C2): 2-ethylhexyl acrylate (C4): 2-ethylhexyl acrylate as C4 acrylate, 2-hydroxyethyl acrylate as C4, (C4) = 0.027: 0.015: 0.052: 0.011. The obtained polymer was reacted with glycidyl methacrylate (0.012 in terms of the molar ratio) as the curable group-containing compound (C5) to prepare an energy ray curable antistatic polymer (C) having a methacryloyl group and a quaternary ammonium salt Was obtained. The molecular weight of this energy ray-curable antistatic polymer (C) was measured by the method described below, and the weight average molecular weight was 170,000.

(3) 반도체 가공용 시트의 제작(3) Production of sheet for semiconductor processing

상기 공정(1)에서 얻어진 아크릴계 공중합체(A1) 100질량부(고형분 환산치; 이하 마찬가지로 표기), 에너지선 경화성 화합물(A2)로서의 6관능 우레탄아크릴레이트(중량 평균 분자량: 2000) 45질량부, 에테르 결합 함유 에너지선 경화성 화합물(B)로서의 테트라에틸렌글리콜디아크릴레이트 25질량부, 상기 공정(2)에서 얻어진 에너지선 경화성 대전 방지 폴리머(C) 16질량부, 광중합개시제로서의 1-히드록시시클로헥실페닐케톤(BASF사제, 이르가큐어 184) 3.0질량부, 및 가교제(D)로서의 톨릴렌디이소시아네이트 화합물(도요잉키사제, BHS-8515) 1.4질량부를 혼합하고, 충분히 교반하여, 메틸에틸케톤으로 희석함으로써, 점착제 조성물의 도포 용액을 얻었다., 45 parts by mass of hexafunctional urethane acrylate (weight average molecular weight: 2000) as the energy ray-curable compound (A2), 100 parts by mass of the acrylic copolymer (A1) obtained in the above step (1) , 25 parts by mass of tetraethylene glycol diacrylate as the ether bond-containing energy ray curable compound (B), 16 parts by mass of the energy ray-curable antistatic polymer (C) obtained in the above step (2), 1-hydroxycyclohexyl , 3.0 parts by mass of phenyl ketone (Irgacure 184, manufactured by BASF), and 1.4 parts by mass of a tolylene diisocyanate compound (BHS-8515, manufactured by Toyo Ink) as a crosslinking agent (D) were mixed and sufficiently stirred and diluted with methyl ethyl ketone To obtain a coating solution of the pressure-sensitive adhesive composition.

얻어진 점착제 조성물의 도포 용액을, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름의 편면을 실리콘계 박리제로 박리 처리한 박리 시트(린텍사제, SP-PET 381031, 두께: 38㎛)의 박리 처리면에, 나이프 코터로 도포한 뒤, 80℃에서 1분간 처리하여 점착제 조성물의 도막을 형성했다. 얻어진 도막의 건조 후의 두께는 10㎛였다. 그 다음에, 얻어진 도막과, 기재로서의 에틸렌-메타크릴산 공중합체(EMAA) 필름(두께: 80㎛)을 첩합함으로써, 점착제층에 있어서의 기재측의 면과는 반대측의 면에 박리 시트가 적층된 상태에서, 반도체 가공용 시트를 얻었다.The coating solution of the obtained pressure-sensitive adhesive composition was applied to a release treatment surface of a release sheet (SP-PET 381031, manufactured by LINTEC CORPORATION, thickness: 38 mu m) in which one side of the polyethylene terephthalate film was peeled off with a silicone-based release agent by a knife coater, And then treated at 80 DEG C for 1 minute to form a coating film of the pressure-sensitive adhesive composition. The thickness of the obtained coating film after drying was 10 占 퐉. Subsequently, the obtained coating film was laminated with an ethylene-methacrylic acid copolymer (EMAA) film (thickness: 80 mu m) as a substrate to form a release sheet on the surface opposite to the substrate side in the pressure- , A sheet for semiconductor processing was obtained.

〔실시예 2〕[Example 2]

4급 암모늄염 모노머(C1)로서의 [2-(메타크릴로일옥시)에틸]트리메틸암모늄 비스(트리플루오로메틸설포닐)이미드, 반응성 관능기 함유 모노머(C2)로서의 메타크릴산, 에테르 결합 함유 모노머(C3)로서의 메톡시폴리에틸렌글리콜아크릴레이트(에틸렌글리콜 단위의 반복수: 23), 그리고 중합성 모노머(C4)로서의 아크릴산2-에틸헥실 및 아크릴산2-히드록시에틸을, 4급 암모늄염 모노머(C1):메타크릴산(C2):에테르 결합 함유 모노머(C3):아크릴산2-에틸헥실(C4):아크릴산2-히드록시에틸(C4)＝0.027:0.015:0.037:0.011:0.011이 되도록 공중합했다. 얻어진 중합체에, 경화성기 함유 화합물(C5)로서의 메타크릴산글리시딜(상기 몰비로 환산하여 0.012)을 반응시켜, 에너지선 경화성 대전 방지 폴리머(C)(측쇄에 메타크릴로일기, 4급 암모늄염 및 에틸렌글리콜 단위를 가짐)를 얻었다. 이러한 에너지선 경화성 대전 방지 폴리머(C)의 분자량을 후술하는 방법으로 측정한 바, 중량 평균 분자량은 200,000이었다.(Methacryloyloxy) ethyl] trimethylammonium bis (trifluoromethylsulfonyl) imide as the quaternary ammonium salt monomer (C1), methacrylic acid as the reactive functional group-containing monomer (C2) Methoxypolyethylene glycol acrylate (repeating number of ethylene glycol unit: 23) as the polymerizable monomer (C3) and 2-ethylhexyl acrylate and 2-hydroxyethyl acrylate as the polymerizable monomer (C4) : Copolymer was copolymerized such that methacrylic acid (C2): ether bond-containing monomer (C3): 2-ethylhexyl acrylate (C4): 2-hydroxyethyl acrylate (C4) = 0.027: 0.015: 0.037: 0.011: 0.011. The obtained polymer was reacted with glycidyl methacrylate (0.012 in terms of the molar ratio) as the curable group-containing compound (C5) to prepare an energy ray curable antistatic polymer (C) having a methacryloyl group, a quaternary ammonium salt And ethylene glycol units). The molecular weight of this energy ray-curable antistatic polymer (C) was measured by a method described later, and the weight average molecular weight was 200,000.

실시예 1에서 얻어진 아크릴계 공중합체(A1) 100질량부, 에너지선 경화성 화합물(A2)로서의 6관능 우레탄아크릴레이트(중량 평균 분자량: 2000) 45질량부, 본 실시예에서 제조한 에너지선 경화성 대전 방지 폴리머(C) 16질량부, 광중합개시제로서의 1-히드록시시클로헥실페닐케톤(BASF사제, 이르가큐어 184) 3.0질량부, 및 가교제(D)로서의 톨릴렌디이소시아네이트 화합물(도요잉키사제, BHS-8515) 1.4질량부를 혼합하고, 충분히 교반하여, 메틸에틸케톤으로 희석함으로써, 점착제 조성물의 도포 용액을 얻었다. 얻어진 점착제 조성물의 도포 용액을 사용하여, 실시예 1과 마찬가지로 반도체 가공용 시트를 제조했다.100 parts by mass of the acrylic copolymer (A1) obtained in Example 1, 45 parts by mass of hexafunctional urethane acrylate (weight average molecular weight: 2000) as the energy ray curable compound (A2) , 3.0 parts by mass of 1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone (Irgacure 184, manufactured by BASF Corporation) as a photopolymerization initiator, and 16 parts by mass of a polymer (C) as a crosslinking agent and a tolylene diisocyanate compound (BHS-8515 ) Were mixed, sufficiently stirred, and diluted with methyl ethyl ketone to obtain a coating solution of the pressure-sensitive adhesive composition. A sheet for semiconductor processing was produced in the same manner as in Example 1, using the obtained coating solution of the pressure-sensitive adhesive composition.

〔실시예 3〕[Example 3]

아크릴산n-부틸 85질량부 및 아크릴산2-히드록시에틸 15질량부를 공중합시켜, 아크릴계 중합체를 조제했다. 이 아크릴계 중합체의 분자량을 후술하는 방법으로 측정한 바, 중량 평균 분자량은 50만이었다. 얻어진 아크릴계 중합체에, 아크릴산2-히드록시에틸의 80몰％가 되는 양의 아크릴산메타크릴로일옥시에틸을 반응시켜, 측쇄에 에너지선 경화성기가 도입된 아크릴계 중합체(A3)를 얻었다.85 parts by mass of n-butyl acrylate and 15 parts by mass of 2-hydroxyethyl acrylate were copolymerized to prepare an acrylic polymer. The molecular weight of this acrylic polymer was measured by a method described later, and the weight average molecular weight was 500,000. The obtained acrylic polymer was reacted with methacryloyloxyethyl acrylate in an amount of 80 mol% of 2-hydroxyethyl acrylate to obtain an acrylic polymer (A3) having an energy ray curable group introduced into its side chain.

얻어진 아크릴계 공중합체(A3) 100질량부, 에테르 결합 함유 에너지선 경화성 화합물(B)로서의 테트라에틸렌글리콜디아크릴레이트 25질량부, 실시예 1에서 얻어진 에너지선 경화성 대전 방지 폴리머(C) 16질량부, 광중합개시제로서의 1-히드록시시클로헥실페닐케톤(BASF사제, 이르가큐어 184) 3.0질량부, 및 가교제(D)로서의 톨릴렌디이소시아네이트 화합물(도요잉키사제, BHS-8515) 1.4질량부를 혼합하고, 충분히 교반하여, 메틸에틸케톤으로 희석함으로써, 점착제 조성물의 도포 용액을 얻었다. 얻어진 점착제 조성물의 도포 용액을 사용하여, 실시예 1과 마찬가지로 반도체 가공용 시트를 제조했다.100 parts by mass of the obtained acrylic copolymer (A3), 25 parts by mass of tetraethylene glycol diacrylate as the ether bond-containing energy ray curable compound (B), 16 parts by mass of the energy ray curable antistatic polymer (C) obtained in Example 1, , 3.0 parts by mass of 1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone (Irgacure 184, manufactured by BASF) as a photopolymerization initiator and 1.4 parts by mass of a tolylene diisocyanate compound (BHS-8515, manufactured by Toyo Ink) as a crosslinking agent (D) And the mixture was stirred and diluted with methyl ethyl ketone to obtain a coating solution of the pressure-sensitive adhesive composition. A sheet for semiconductor processing was produced in the same manner as in Example 1, using the obtained coating solution of the pressure-sensitive adhesive composition.

〔실시예 4〕[Example 4]

실시예 3에서 얻어진 아크릴계 공중합체(A3) 100질량부, 실시예 2에서 얻어진 에너지선 경화성 대전 방지 폴리머(C) 16질량부, 광중합개시제로서의 1-히드록시시클로헥실페닐케톤(BASF사제, 이르가큐어 184) 3.0질량부, 및 가교제(D)로서의 톨릴렌디이소시아네이트 화합물(도요잉키사제, BHS-8515) 1.4질량부를 혼합하고, 충분히 교반하여, 메틸에틸케톤으로 희석함으로써, 점착제 조성물의 도포 용액을 얻었다. 얻어진 점착제 조성물의 도포 용액을 사용하여, 실시예 1과 마찬가지로 반도체 가공용 시트를 제조했다.100 parts by weight of the acrylic copolymer (A3) obtained in Example 3, 16 parts by weight of the energy ray-curable antistatic polymer (C) obtained in Example 2, 1 part by weight of 1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone 3.0 parts by mass of a curing agent (Cure 184) and 1.4 parts by mass of a tolylene diisocyanate compound (BHS-8515, manufactured by Toyo Ink) as a crosslinking agent (D) were mixed and sufficiently stirred and diluted with methyl ethyl ketone to obtain a coating solution of a pressure- . A sheet for semiconductor processing was produced in the same manner as in Example 1, using the obtained coating solution of the pressure-sensitive adhesive composition.

〔비교예 1〕[Comparative Example 1]

실시예 1과 마찬가지로, 몰비가 4급 암모늄염 모노머(C1):메타크릴산(C2):아크릴산2-에틸헥실(C4):아크릴산2-히드록시에틸(C4)＝0.027:0.015:0.052:0.011이 되도록 공중합하고, 메타크릴산글리시딜을 반응시키지 않고, 대전 방지 폴리머(측쇄에 4급 암모늄염을 가짐)를 얻었다. 이 대전 방지 폴리머의 분자량을 후술하는 방법으로 측정한 바, 중량 평균 분자량은 190,000이었다.(C1): methacrylic acid (C2): 2-ethylhexyl acrylate (C4): 2-hydroxyethyl acrylate (C4) = 0.027: 0.015: 0.052: 0.011 in the same manner as in Example 1 To obtain an antistatic polymer (having a quaternary ammonium salt in its side chain) without reacting glycidyl methacrylate. The molecular weight of the antistatic polymer was measured by a method described later, and the weight average molecular weight was 190,000.

실시예 1에서 얻어진 아크릴계 공중합체(A1) 100질량부, 에너지선 경화성 화합물(A2)로서의 6관능 우레탄아크릴레이트(중량 평균 분자량: 2000) 45질량부, 본 비교예에서 제조한 대전 방지 폴리머 16질량부, 광중합개시제로서의 1-히드록시시클로헥실페닐케톤(BASF사제, 이르가큐어 184) 3.0질량부, 및 가교제(D)로서의 톨릴렌디이소시아네이트 화합물(도요잉키사제, BHS-8515) 1.4질량부를 혼합하고, 충분히 교반하여, 메틸에틸케톤으로 희석함으로써, 점착제 조성물의 도포 용액을 얻었다. 얻어진 점착제 조성물의 도포 용액을 사용하여, 실시예 1과 마찬가지로 반도체 가공용 시트를 제조했다.100 parts by mass of the acrylic copolymer (A1) obtained in Example 1, 45 parts by mass of hexafunctional urethane acrylate (weight average molecular weight: 2000) as the energy ray curable compound (A2), 16 parts by mass of the antistatic polymer prepared in this Comparative Example , 3.0 parts by mass of 1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone (Irgacure 184, manufactured by BASF) as a photopolymerization initiator and 1.4 parts by mass of a tolylene diisocyanate compound (BHS-8515, manufactured by Toyo Ink) as a crosslinking agent (D) , Sufficiently stirred, and diluted with methyl ethyl ketone to obtain a coating solution of the pressure-sensitive adhesive composition. A sheet for semiconductor processing was produced in the same manner as in Example 1, using the obtained coating solution of the pressure-sensitive adhesive composition.

〔참고예 1〕[Referential Example 1]

아크릴산n-부틸 25질량부, 아크릴산에톡시에톡시에틸(에틸렌옥사이드 단위를 2개 가짐) 65질량부, 및 아크릴산2-히드록시에틸 15질량부를 공중합시켜, 아크릴계 중합체(A1)를 조제했다. 이 아크릴계 중합체(A1)의 분자량을 후술하는 방법으로 측정한 바, 중량 평균 분자량은 50만이었다., 25 parts by mass of n-butyl acrylate, 65 parts by mass of ethoxyethoxyethyl acrylate (having two ethylene oxide units) and 15 parts by mass of 2-hydroxyethyl acrylate were copolymerized to prepare an acrylic polymer (A1). The molecular weight of the acrylic polymer (A1) was measured by a method described later, and the weight average molecular weight was 500,000.

본 참고예에서 얻어진 아크릴계 공중합체(A1) 100질량부, 에너지선 경화성 화합물(A2)로서의 6관능 우레탄아크릴레이트(중량 평균 분자량: 2000) 45질량부, 실시예 1에서 얻어진 에너지선 경화성 대전 방지 폴리머(C) 16질량부, 광중합개시제로서의 1-히드록시시클로헥실페닐케톤(BASF사제, 이르가큐어 184) 3.0질량부, 및 가교제(D)로서의 톨릴렌디이소시아네이트 화합물(도요잉키사제, BHS-8515) 1.4질량부를 혼합하고, 충분히 교반하여, 메틸에틸케톤으로 희석함으로써, 점착제 조성물의 도포 용액을 얻었다. 얻어진 점착제 조성물의 도포 용액을 사용하여, 실시예 1과 마찬가지로 반도체 가공용 시트를 제조했다.100 parts by mass of the acrylic copolymer (A1) obtained in this Reference Example, 45 parts by mass of hexafunctional urethane acrylate (weight average molecular weight: 2000) as the energy ray curable compound (A2), and the energy ray curable antistatic polymer , 3.0 parts by mass of 1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone (Irgacure 184, manufactured by BASF Corporation) as a photopolymerization initiator and 16 parts by mass of a tolylene diisocyanate compound (BHS-8515, manufactured by Toyo Ink) as a crosslinking agent (D) , And the mixture was sufficiently stirred and diluted with methyl ethyl ketone to obtain a coating solution of the pressure-sensitive adhesive composition. A sheet for semiconductor processing was produced in the same manner as in Example 1, using the obtained coating solution of the pressure-sensitive adhesive composition.

〔참고예 2〕[Referential Example 2]

상기 공정(3)에 있어서 테트라에틸렌글리콜디아크릴레이트를 사용하지 않았던 것 이외는, 실시예 1과 마찬가지로 반도체 가공용 시트를 제조했다.A sheet for semiconductor processing was produced in the same manner as in Example 1, except that tetraethylene glycol diacrylate was not used in the step (3).

여기에서, 상술한 아크릴계 공중합체(A1) 및 (A3)의 중량 평균 분자량(Mw)은, 겔투과 크로마토그래피(GPC)를 사용하여 측정(GPC 측정)한 표준 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량이며, 또한 에너지선 경화성 대전 방지 폴리머(C)의 중량 평균 분자량(Mw)은, GPC 측정한 표준 폴리메틸메타크릴레이트 환산의 중량 평균 분자량이다. 각각의 GPC 측정의 조건을 이하에 나타낸다.The weight average molecular weights (Mw) of the above-mentioned acrylic copolymers (A1) and (A3) are the weight average molecular weights in terms of standard polystyrene measured by gel permeation chromatography (GPC) The weight-average molecular weight (Mw) of the energy ray-curable antistatic polymer (C) is a weight average molecular weight in terms of standard polymethyl methacrylate measured by GPC. The conditions of each GPC measurement are shown below.

<아크릴계 공중합체(A1) 및 (A3)의 GPC 측정 조건><GPC measurement conditions of the acrylic copolymers (A1) and (A3)>

·칼럼: TS㎏elGMHXL(2개), TS㎏el2000HXL을 이 순으로 연결한 것Columns: TSGelGMHXL (two), TSGel2000HXL connected in this order

·용매: THFSolvent: THF

·측정 온도: 40℃· Measuring temperature: 40 ℃

·유속: 1ml/분· Flow rate: 1 ml / min

·검출기: 시차 굴절계· Detector: Differential refractometer

·표준 시료: 폴리스티렌· Standard sample: Polystyrene

<에너지선 경화성 대전 방지 폴리머(C)의 GPC 측정 조건><GPC measurement conditions of the energy ray-curable antistatic polymer (C)> [

·칼럼: Shodex HFIP-LG, HFIP-806M(2개)을 이 순으로 연결한 것Column: Shodex HFIP-LG and HFIP-806M (two) connected in this order

·용매: 헥사플루오로이소프로판올(5mM 트리플루오로아세트산나트륨 첨가)Solvent: Hexafluoroisopropanol (added with 5mM sodium trifluoroacetate)

·측정 온도: 40℃· Measuring temperature: 40 ℃

·유속: 0.5ml/분· Flow rate: 0.5 ml / min

·검출기: 시차 굴절계· Detector: Differential refractometer

·표준 시료: 폴리메틸메타크릴레이트· Standard sample: Polymethyl methacrylate

〔시험예 1〕(박리 대전압의 측정)[Test Example 1] (Measurement of Peeling Voltage)

실시예 및 비교예에서 제조한 반도체 가공용 시트를 폭 25㎜×길이 200㎜로 재단하고, 이를 샘플로 했다. 샘플로부터 박리 시트를 박리하고, 점착제층을 실리콘 웨이퍼의 경면에 첩합하여, 1㎏의 롤러를 1왕복시킴으로써 압착시켜 적층했다. 이를, 23℃, 50％ 상대 습도 하에서 20분 보관한 후, 샘플의 기재측으로부터 자외선(UV) 조사(조도: 230mW/㎠, 광량: 190mJ/㎠)를 행했다. 자외선 조사 후의 샘플과 실리콘 웨이퍼의 적층체로부터, 박리 속도 300㎜/min, 박리 각도 180°가 되도록 오토그래프(시마즈세이사쿠쇼사제)로 샘플을 박리했다. 이때에 발생한 웨이퍼 표면의 대전량을, 샘플 박리부로부터 1㎝의 위치에 고정되어 있는 대전압 측정기(PROSTAT사제, PFM-711A)로 측정했다. 결과를 표 1에 나타낸다.The semiconductor processing sheet prepared in Examples and Comparative Examples was cut to a width of 25 mm and a length of 200 mm, and this was used as a sample. The release sheet was peeled off from the sample, and the pressure-sensitive adhesive layer was bonded to the mirror surface of the silicon wafer, and the pressure roller was laminated by one reciprocating roller of 1 kg. The sample was stored for 20 minutes at 23 ° C and 50% relative humidity. Ultraviolet (UV) irradiation (illumination: 230 mW / cm 2, light quantity: 190 mJ / cm 2) was performed from the substrate side of the sample. The sample was peeled off from the laminate of the sample after the ultraviolet irradiation and the silicon wafer with an autograph (manufactured by Shimadzu Seisakusho) at a peeling speed of 300 mm / min and a peeling angle of 180 °. The charged amount of the surface of the wafer generated at this time was measured with a magneto-electric measuring device (PFM-711A, manufactured by PROSTAT Co., Ltd.) fixed at a position of 1 cm from the sample peeling portion. The results are shown in Table 1.

〔시험예 2〕(웨이퍼 오염성의 평가)[Test Example 2] (Evaluation of wafer staining property)

실시예 및 비교예에서 제조한 반도체 가공용 시트로부터 박리 시트를 박리하고, 점착제층을 실리콘 웨이퍼상에 첩합하여, 5㎏의 롤러를 1왕복시킴으로써 하중을 걸어 적층했다. 이를, 23℃, 50％ 상대 습도 하에서 24시간 정치한 뒤, 반도체 가공용 시트의 기재측으로부터 자외선(UV) 조사(조도: 230mW/㎠, 광량: 190mJ/㎠)를 행했다. 자외선 조사 후의 반도체 가공용 시트와 실리콘 웨이퍼의 적층체로부터, 박리 속도 300㎜/min, 박리 각도 180°로 반도체 가공용 시트를 박리한 뒤, 웨이퍼 표면 검사 장치(히타치엔지니어링사제, S6600)를 사용하여, 실리콘 웨이퍼상에 있어서의 최대경 0.27㎛ 이상의 잔사물(파티클)의 개수를 측정했다. 결과를 표 1에 나타낸다.The release sheet was peeled off from the semiconductor processing sheet prepared in Examples and Comparative Examples, the pressure-sensitive adhesive layer was laminated on the silicon wafer, and the 5 kg roller was reciprocated one time to load the layers. After standing at 23 占 폚 and 50% relative humidity for 24 hours, ultraviolet (UV) irradiation (illuminance: 230 mW / cm2, light quantity: 190 mJ / cm2) was performed from the substrate side of the semiconductor processing sheet. The sheet for semiconductor processing was peeled off from the laminate of the semiconductor processing sheet after the ultraviolet irradiation and the silicon wafer at a peeling speed of 300 mm / min and a peeling angle of 180 °, and then the silicon wafer was peeled off using a wafer surface inspection apparatus (S6600, Hitachi Engineering Co., Ltd.) The number of residues (particles) having a maximum diameter of 0.27 mu m or more on the wafer was measured. The results are shown in Table 1.

〔시험예 3〕(5㎜□ 픽업력의 평가)[Test Example 3] (Evaluation of pickup force of 5 mm)

실시예 및 비교예에서 제조한 반도체 가공용 시트로부터 박리 시트를 박리하고, 테이프 마운터(린텍사제, RAD2500m/8)를 사용하여, 표출한 점착제층에 6인치 실리콘 웨이퍼(두께: 100㎛) 및 다이싱용 링 프레임을 첩부했다. 계속해서, 링 프레임의 외경에 맞춰 반도체 가공용 시트를 재단한 후, 다이싱 장치(디스코사제: DFD-651)를 사용하여, 이하의 다이싱 조건으로 실리콘 웨이퍼측으로부터 절단하는 다이싱을 행하여, 5㎜×5㎜의 칩을 얻었다.A release sheet was peeled off from the sheet for semiconductor processing manufactured in Examples and Comparative Examples, and a 6-inch silicon wafer (thickness: 100 占 퐉) and a dicing die were laminated on the exposed pressure-sensitive adhesive layer using a tape mounter (RAD2500m / The ring frame was pasted. Subsequently, the semiconductor processing sheet was cut in accordance with the outer diameter of the ring frame, and then dicing was performed using a dicing machine (DFD-651 manufactured by DISCO Corporation) under the following dicing conditions to cut from the silicon wafer side, A chip of mm x 5 mm was obtained.

<다이싱 조건><Dicing Condition>

·웨이퍼의 두께: 100㎛Thickness of wafer: 100 탆

·다이싱 장치: 디스코사제 DFD-651Dicing device: DFD-651 manufactured by DISCO Corporation

·블레이드: 디스코사제 NBC-ZH2050 27HECCBlade: NBC-ZH2050 27HECC manufactured by DISCO Corporation

·블레이드 폭: 0.025∼0.030㎜Blade width: 0.025 to 0.030 mm

·인선출량(刃先出量): 0.640∼0.760㎜· Cut-out amount (blade tip amount): 0.640 to 0.760 mm

·블레이드 회전수: 30000rpm· Number of revolutions of blade: 30000 rpm

·절삭 속도: 50㎜/sec· Cutting speed: 50 mm / sec

·기재 노치 깊이: 20㎛· Base notch depth: 20 μm

·절삭수량: 1.0L/min· Cutting quantity: 1.0 L / min

·절삭수 온도: 20℃· Cutting temperature: 20 ℃

다이싱 후, 23℃, 50％ 상대 습도 하에서 24시간 정치하고, 그 후 자외선 조사 장치(린텍사제, RAD2000m/8)를 사용하여, 반도체 가공용 시트의 기재측으로부터 자외선(UV) 조사(조도: 230mW/㎠, 광량: 190mJ/㎠, 질소 퍼지: 있음(유량: 30L/분))를 행했다. 자외선 조사 후, 익스팬드 공정(익스팬드량: 5㎜ 인출)을 행하고, 하기 조건으로 칩의 픽업을 행했다. 이때, 픽업에 요한 힘(N)을 푸쉬 풀 게이지(AIKOH ENGINEERING사제, RX-1)에 의해 측정하고, 칩 20개에 대한 측정치의 평균치를 산출했다. 결과를 표 1에 나타낸다.After dicing, the substrate for semiconductor processing was irradiated with ultraviolet (UV) light (illuminance: 230 mW) from the substrate side of the sheet for semiconductor processing by using an ultraviolet irradiator (RAD2000m / 8, manufactured by LINTEC Co., Ltd.) / Cm 2, light quantity: 190 mJ / cm 2, nitrogen purge: present (flow rate: 30 L / min)). After exposing to ultraviolet rays, an expanding process (expanding amount: 5 mm) was carried out, and chips were picked up under the following conditions. At this time, the force N required for the pickup was measured by a push-pull gauge (RX-1, manufactured by AIKOH ENGINEERING CO., LTD.), And the average value of the measured values for 20 chips was calculated. The results are shown in Table 1.

<픽업 조건><Pick-up conditions>

·칩 사이즈: 5㎜×5㎜· Chip size: 5 mm × 5 mm

·핀수: 1핀· Number of pins: 1 pin

·밀어올림 속도: 1㎜/초Push-up speed: 1 mm / sec

[표 1][Table 1]

Figure pct00001
Figure pct00001

표 1로부터 명백한 바와 같이, 실시예의 반도체 가공용 시트는, 박리 대전압이 충분히 작아 대전 방지성이 우수하며, 또한 웨이퍼상의 파티클이 적어 오염이 억제되고 있었다. 또한, 실시예 1∼4는, 참고예 1에 비해 작은 픽업력으로 칩을 픽업할 수 있고, 또한 자외선 조사 전의 점착력이 컸다. 또한, 실시예 1∼4는, 참고예 2에 비해 박리 대전압이 작았다.As is apparent from Table 1, the semiconductor processing sheet of the Examples had a sufficiently small peeling electrification voltage, thus being excellent in antistatic property, and the contamination on the wafer was so small that the contamination was suppressed. Further, in Examples 1 to 4, the chips could be picked up with a small pickup force as compared with Reference Example 1, and the adhesive force before irradiation with ultraviolet rays was large. In Examples 1 to 4, the peeling electrification voltage was smaller than that in Reference Example 2. [

본 발명에 따른 반도체 가공용 시트는, 박리 대전이 문제가 될 수 있는 반도체 웨이퍼나 칩의 제조 공정에 있어서 특히 호적(好適)하게 사용된다.The semiconductor processing sheet according to the present invention is particularly favorably used in a semiconductor wafer or chip manufacturing process in which peeling electrification may be a problem.

1: 반도체 가공용 시트
2: 기재(基材)
3: 점착제층1: Semiconductor processing sheet
2: base material
3: Pressure-sensitive adhesive layer

Claims (11)

기재(基材)와, 상기 기재의 적어도 한쪽의 면측에 적층된 점착제층를 구비한 반도체 가공용 시트로서,
상기 점착제층은, 염 및 에너지선 경화성기를 갖는 폴리머와, 상기 폴리머와는 서로 다른 에너지선 경화성 점착 성분을 함유하는 점착제 조성물로부터 형성된 것이며,
상기 점착제 조성물은, 에테르 결합을 갖는 구성 단위 및 에너지선 경화성기를 갖는 화합물을 에너지선 경화성 점착 성분의 일 성분으로서 함유하거나, 또는, 상기 폴리머의 측쇄로서 에테르 결합을 갖는 구성 단위를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 가공용 시트.A semiconductor processing sheet comprising a base material and a pressure-sensitive adhesive layer laminated on at least one side of the base material,
The pressure-sensitive adhesive layer is formed from a pressure-sensitive adhesive composition containing a polymer having a salt and an energy ray-curable group and a polymer having a different energy ray-curable pressure-
Wherein the pressure-sensitive adhesive composition contains a structural unit having an ether bond and a compound having an energy ray-curable group as a component of an energy ray-curable pressure-sensitive adhesive component or a structural unit having an ether bond as a side chain of the polymer Sheet for semiconductor processing. 제1항에 있어서,
상기 에테르 결합을 갖는 구성 단위는, 알킬렌옥사이드 단위인 것을 특징으로 하는 반도체 가공용 시트.The method according to claim 1,
Wherein the structural unit having an ether bond is an alkylene oxide unit. 제2항에 있어서,
상기 알킬렌옥사이드 단위는 2∼40의 반복인 것을 특징으로 하는 반도체 가공용 시트.3. The method of claim 2,
Wherein the alkylene oxide unit is a repeating unit of 2-40. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 점착제 조성물에 있어서의 상기 폴리머의 함유량은 0.5∼65질량％인 것을 특징으로 하는 반도체 가공용 시트.4. The method according to any one of claims 1 to 3,
Wherein the content of the polymer in the pressure-sensitive adhesive composition is 0.5 to 65% by mass. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 폴리머의 중량 평균 분자량은 500∼20만인 것을 특징으로 하는 반도체 가공용 시트.5. The method according to any one of claims 1 to 4,
Wherein the polymer has a weight average molecular weight of 500 to 200,000. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 폴리머는, 상기 에너지선 경화성기로서 (메타)아크릴로일기를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 가공용 시트.6. The method according to any one of claims 1 to 5,
Wherein the polymer has a (meth) acryloyl group as the energy ray curable group. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 폴리머의 단위 질량당 상기 에너지선 경화성기의 함유량은 5×10-5∼2×10-3몰/g인 것을 특징으로 하는 반도체 가공용 시트.7. The method according to any one of claims 1 to 6,
Wherein the energy ray-curable group content per unit mass of the polymer is 5 x 10 &lt; -5 &gt; to 2 x 10 &lt; -3 &gt; mol / g. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 에너지선 경화성 점착 성분은, 에너지선 경화성을 갖지 않는 아크릴계 중합체 및 에너지선 경화성 화합물을 함유하는 것을 특징으로 하는 반도체 가공용 시트.8. The method according to any one of claims 1 to 7,
Wherein the energy radiation curable adhesive component contains an acrylic polymer having no energy ray curability and an energy ray curable compound. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 에너지선 경화성 점착 성분은, 측쇄에 에너지선 경화성기가 도입된 아크릴계 중합체를 함유하는 것을 특징으로 하는 반도체 가공용 시트.8. The method according to any one of claims 1 to 7,
Wherein the energy ray-curable pressure-sensitive adhesive component contains an acrylic polymer to which an energy ray-curable group is introduced into a side chain. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 에너지선 경화성 점착 성분은, 가교제를 함유하는 것을 특징으로 하는 반도체 가공용 시트.10. The method according to any one of claims 1 to 9,
Wherein the energy ray-curable adhesive component comprises a crosslinking agent. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 염은, 4급 암모늄염인 것을 특징으로 하는 반도체 가공용 시트.11. The method according to any one of claims 1 to 10,
Wherein the salt is a quaternary ammonium salt.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210111330A (en) * 2019-05-10 2021-09-10 쇼와덴코머티리얼즈가부시끼가이샤 Pick-up property evaluation method, dicing and die-bonding integrated film, dicing and die-bonding integrated film evaluation method and selection method, and semiconductor device manufacturing method
KR20210111867A (en) * 2019-05-10 2021-09-13 쇼와덴코머티리얼즈가부시끼가이샤 Pick-up property evaluation method, dicing and die-bonding integrated film, dicing and die-bonding integrated film evaluation method and selection method, and semiconductor device manufacturing method

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7159633B2 (en) * 2018-06-15 2022-10-25 昭和電工マテリアルズ株式会社 Dicing/die bonding integrated film and adhesive film used therefor
JPWO2021065070A1 (en) * 2019-10-04 2021-04-08

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011012195A (en) 2009-07-03 2011-01-20 Sanyo Chem Ind Ltd Antistatic pressure-sensitive adhesive
JP2014169457A (en) * 2004-06-01 2014-09-18 Nitto Denko Corp Tackifier composition, tacky sheet, and surface protective film
WO2015030186A1 (en) * 2013-08-30 2015-03-05 リンテック株式会社 Sheet for processing semiconductor

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4247956B2 (en) * 2001-07-04 2009-04-02 古河電気工業株式会社 Antistatic dicing tape
JP4518535B2 (en) * 2003-07-01 2010-08-04 日東電工株式会社 Dicing adhesive sheet, dicing adhesive sheet, semiconductor element manufacturing method, semiconductor element
EP2246404A1 (en) * 2004-03-08 2010-11-03 Nitto Denko Corporation Pressure-sensitive adhesive composition, pressure-sensitive adhesive sheets and surface protecting film
TWI388640B (en) * 2004-06-01 2013-03-11 Nitto Denko Corp Pressure-sensitive adhesive composition, pressure-sensitive adhesive sheet and surface protecting film
TWI434908B (en) * 2007-07-17 2014-04-21 Lintec Corp An adhesive composition, an adhesive layer, and an adhesive sheet
CN102015952B (en) * 2008-03-07 2014-04-16 3M创新有限公司 Antistatic block copolymer pressure sensitive adhesives and articles
TW201103885A (en) * 2009-07-22 2011-02-01 Daxon Technology Inc Antistatic ionic compound, oligomer thereof, copolymer thereof, and pressure-sensitive adhesive composition
JP5890405B2 (en) * 2011-05-19 2016-03-22 デンカ株式会社 Method for manufacturing adhesive sheet and electronic component
JP6181958B2 (en) * 2013-03-28 2017-08-16 日東電工株式会社 Antistatic adhesive sheet and optical film

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014169457A (en) * 2004-06-01 2014-09-18 Nitto Denko Corp Tackifier composition, tacky sheet, and surface protective film
JP2011012195A (en) 2009-07-03 2011-01-20 Sanyo Chem Ind Ltd Antistatic pressure-sensitive adhesive
WO2015030186A1 (en) * 2013-08-30 2015-03-05 リンテック株式会社 Sheet for processing semiconductor

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210111330A (en) * 2019-05-10 2021-09-10 쇼와덴코머티리얼즈가부시끼가이샤 Pick-up property evaluation method, dicing and die-bonding integrated film, dicing and die-bonding integrated film evaluation method and selection method, and semiconductor device manufacturing method
KR20210111867A (en) * 2019-05-10 2021-09-13 쇼와덴코머티리얼즈가부시끼가이샤 Pick-up property evaluation method, dicing and die-bonding integrated film, dicing and die-bonding integrated film evaluation method and selection method, and semiconductor device manufacturing method

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