JP2006032927A5 - - Google Patents

Claims (11)

1. 半導体装置は、集積回路とアンテナとを有し、
   前記集積回路は、プラスチック基板上に固定されたトランジスタを有し、
   前記トランジスタは、金属酸化物を介してガラス基板上に形成され、前記金属酸化物の層内、又は前記金属酸化物の両面の境界で剥離された後に、前記プラスチック基板上に固定されており、
   前記トランジスタのチャネル形成領域は、島状に分離され、厚さが１０ｎｍ乃至２００ｎｍである多結晶半導体膜を有することを特徴とする半導体装置。
2. 半導体装置は、集積回路と受光素子とを有し、
   前記集積回路はプラスチック基板上に固定されたトランジスタを有し、
   前記トランジスタは、金属酸化物を介してガラス基板上に形成され、前記金属酸化物の層内、又は前記金属酸化物の両面の境界で剥離された後に、前記プラスチック基板上に固定されており、
   前記トランジスタのチャネル形成領域は、島状に分離され、厚さが１０ｎｍ乃至２００ｎｍである多結晶半導体膜を有することを特徴とする半導体装置。
3. 半導体装置は、集積回路とアンテナとを有し、
   前記集積回路は、プラスチック基板上に固定されたトランジスタを有し、
   前記トランジスタは、剥離層を介してガラス基板上に形成され、前記剥離層をエッチング除去することにより剥離された後に、前記プラスチック基板上に固定されており、
   前記トランジスタのチャネル形成領域は、島状に分離され、厚さが１０ｎｍ乃至２００ｎｍである多結晶半導体膜を有することを特徴とする半導体装置。
4. 半導体装置は、集積回路と受光素子とを有し、
   前記集積回路はプラスチック基板上に固定されたトランジスタを有し、
   前記トランジスタは、剥離層を介してガラス基板上に形成され、前記剥離層をエッチング除去することにより剥離された後に、前記プラスチック基板上に固定されており、
   前記トランジスタのチャネル形成領域は、島状に分離され、厚さが１０ｎｍ乃至２００ｎｍである多結晶半導体膜を有することを特徴とする半導体装置。
5. 請求項１乃至４のいずれか一において、
   前記集積回路は、演算処理手段を有し、
   前記演算処理手段は、整数演算ユニット、ロードストアユニット、分岐予測ユニット、浮動小数点演算ユニット、汎用レジスタ、１次データキャッシュ、データキャッシュコントローラ、命令キャッシュコントローラ、１次命令キャッシュ、バスインターフェース、及び２次キャッシュを有することを特徴とする半導体装置。
6. 請求項１乃至４のいずれか一において、
   前記集積回路は、演算処理手段を有し、
   前記演算処理手段は整数演算を行う整数演算ユニットと、浮動小数点演算を行う浮動小数点演算ユニットと、前記整数演算の結果及び前記浮動小数点演算の結果が格納される汎用レジスタと、外部メモリからの命令フェッチ、デコード、および１次命令キャッシュの制御を行う命令コントローラと、分岐予測を行う分岐予測ユニットと、外部バスと、１次データキャッシュと、ロードストアユニットと間のデータの流れを制御するデータキャッシュコントローラとを有することを特徴とする半導体装置。
7. 半導体装置が集積回路とアンテナとを有し、
   前記アンテナを用いてリーダ／ライターより電力又は信号を受け取る通信システムであって、
   前記集積回路はプラスチック基板上に固定されたトランジスタを有し、
   前記トランジスタは、金属酸化物を介してガラス基板上に形成され、前記金属酸化物の層内、又は前記金属酸化物の両面の境界で剥離された後に、前記プラスチック基板上に固定されており、
   前記トランジスタのチャネル形成領域は、島状に分離され、厚さが１０ｎｍ乃至２００ｎｍである多結晶半導体膜を有することを特徴とする通信システム。
8. 半導体装置が集積回路と受光素子とを有し、
   前記受光素子を用いてリーダ／ライターより電力又は信号を受け取る通信システムであって、
   前記集積回路はプラスチック基板上に固定されたトランジスタを有し、
   前記トランジスタは、金属酸化物を介してガラス基板上に形成され、前記金属酸化物の層内、又は前記金属酸化物の両面の境界で剥離された後に、前記プラスチック基板上に固定されており、
   前記トランジスタのチャネル形成領域は、島状に分離され、厚さが１０ｎｍ乃至２００ｎｍである多結晶半導体膜を有することを特徴とする通信システム。
9. 半導体装置が集積回路とアンテナとを有し、
   前記アンテナを用いてリーダ／ライターより電力又は信号を受け取る通信システムであって、
   前記集積回路はプラスチック基板上に固定されたトランジスタを有し、
   前記トランジスタは、剥離層を介してガラス基板上に形成され、前記剥離層をエッチング除去することにより剥離された後に、前記プラスチック基板上に固定されており、
   前記トランジスタのチャネル形成領域は、島状に分離され、厚さが１０ｎｍ乃至２００ｎｍである多結晶半導体膜を有することを特徴とする通信システム。
10. 半導体装置が集積回路と受光素子とを有し、
    前記受光素子を用いてリーダ／ライターより電力又は信号を受け取る通信システムであって、
    前記集積回路はプラスチック基板上に固定されたトランジスタを有し、
    前記トランジスタは、剥離層を介してガラス基板上に形成され、前記剥離層をエッチング除去することにより剥離された後に、前記プラスチック基板上に固定されており、
    前記トランジスタのチャネル形成領域は、島状に分離され、厚さが１０ｎｍ乃至２００ｎｍである多結晶半導体膜を有することを特徴とする通信システム。
11. 請求項７乃至１０のいずれか一において、
    前記リーダ／ライターに設けられた表示手段に、前記半導体装置の情報を表示することを特徴とする通信システム。