JP2006022239A - エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 (A)結晶性エポキシ樹脂、(B)ビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂、(C)トリアリールホスホニオフェノラート、及び(D)全エポキシ樹脂組成物中に対し85〜95重量%の無機充填剤を必須成分とすることを特徴とするエリア実装型半導体封止用エポキシ樹脂組成物、及び基板の片面に半導体素子が搭載されこの半導体素子が搭載された基板面側の実質的に片面のみが前記エポキシ樹脂組成物を用いて封止されてなることを特徴とする半導体装置。
Description
[1](A)結晶性エポキシ樹脂、(B)一般式(1)で表されるフェノール樹脂、(C)一般式(2)で表される硬化促進剤、及び(D)無機充填剤を必須成分とし、(D)成分を全エポキシ樹脂組成物中に対し85〜95重量%含むことを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物、
[3] 基板の片面に半導体素子が搭載され、この半導体素子が搭載された基板面側の実質的に片面のみの封止に用いるものであって、(A)結晶性エポキシ樹脂、(B)一般式(1)で表されるフェノール樹脂、(C)一般式(2)で表される硬化促進剤、及び(D)無機充填剤を必須成分とし、(D)成分を全エポキシ樹脂組成物中に対し85〜95重量%含むことを特徴とするエリア実装型半導体封止用エポキシ樹脂組成物、
である。
以下、各成分について詳細に説明する。
本発明で用いられる結晶性エポキシ樹脂としては、ハイドロキノンのグリシジルエーテル化物、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、一般式(3)で示されるビフェニル型エポキシ樹脂、一般式(4)で示されるスチルベン型エポキシ樹脂等が挙げられる。
また、一般式(4)のスチルベン型エポキシ樹脂の内では、作業性、実用性のバランスの取れた5−ターシャリブチル−4,4’−ジグリシジル−2,3’,5’−トリメチルスチルベン、あるいは4,4’−ジグリシジル−3,3’,5,5’−テトラメチルスチルベン及びこの両者の溶融混合物等が好ましい。
一般式(1)のR1、R2は水素又は炭素数4以下のアルキル基、aは0〜4の整数、bは0〜4の整数、cは0〜3の整数、nは平均値で0〜10の数であるが、これらの内では硬化性の点から式(5)の樹脂等が好ましい。nが上記上限値を越えると樹脂の粘度が増大し、成形時の樹脂組成物の流動性が劣り、より一層の低吸湿化、低そり化のための無機充填材の高充填化が不可能となるので好ましくない。
本発明に用いられる全エポキシ樹脂のエポキシ基数と全フェノール樹脂のフェノール性水酸基数の当量比としては、好ましくは0.5〜2であり、特に0.7〜1.5がより好ましい。上記範囲を外れると、耐湿性、硬化性などが低下する恐れがあるので好ましくない。
本発明に用いるエポキシ樹脂組成物は、(A)〜(D)成分、その他の添加剤等をミキサーを用いて常温混合し、ロール、ニーダー等の押出機等の混練機で溶融混練し、冷却後粉砕して得られる。
本発明のエポキシ樹脂組成物を用いて、半導体素子等の電子部品を封止し、半導体装置を製造するには、トランスファーモールド、コンプレッションモールド、インジェクションモールド等の従来からの成形方法で硬化成形すればよい。特に本発明のエポキシ樹脂組成物は、エリア実装型半導体装置用に最適である。
実施例1
エポキシ樹脂1:ビフェニル型エポキシ樹脂(ジャパンエポキシレジン(株)製、YX4000K、融点105℃、エポキシ当量185) 4.8重量部
フェノール樹脂1:ビフェニレン骨格を有するフェノ−ルアラルキル樹脂(明和化成(株)製、MEH−7851SS、軟化点65℃、水酸基当量203) 5.2重量部
γ−グリシジルプロピルトリメトキシシラン 0.3重量部
カルナバワックス 0.3重量部
カーボンブラック 0.3重量部
を、常温においてミキサーで混合し、70〜120℃で2本ロールにより混練し、冷却後粉砕してエポキシ樹脂組成物を得た。得られたエポキシ樹脂組成物を以下の方法で評価した。結果を表1に示す。
スパイラルフロー:EMMI−1−66に準じたスパイラルフロー測定用の金型を用いて、金型温度175℃、注入圧力6.9MPa、硬化時間120秒で測定した。単位はcm。
表1及び表2の配合に従い、実施例1と同様にしてエポキシ樹脂組成物を製造し、実施例1と同様にして評価した。評価結果を表1及び表2に示す。実施例1以外で用いた成分について、以下に示す。
エポキシ樹脂2:オルソクレゾ−ルノボラック型エポキシ樹脂(軟化点55℃、エポキシ当量196)
フェノール樹脂3:フェノールアラルキル樹脂(三井化学(株)製、XLC−LL、軟化点75℃、水酸基当量175)
トリフェニルホスフィン
Claims (4)
- 請求項1記載のエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してなることを特徴とする半導体装置。
- 基板の片面に半導体素子が搭載され、この半導体素子が搭載された基板面側の実質的に片面のみの封止に用いるものであって、(A)結晶性エポキシ樹脂、(B)一般式(1)で表されるフェノール樹脂、(C)一般式(2)で表される硬化促進剤、及び(D)無機充填剤を必須成分とし、(D)成分を全エポキシ樹脂組成物中に対し85〜95重量%含むことを特徴とするエリア実装型半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
- 基板の片面に半導体素子が搭載され、この半導体素子が搭載された基板面側の実質的に片面のみが請求項3記載のエポキシ樹脂組成物を用いて封止されていることを特徴とするエリア実装型半導体装置。
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