JP2006013011A - 被処理基板の熱処理方法及びその装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】安価に、かつ真空状態と同じ程度の状況を作り出して被処理基板の熱処理を行うことができる被処理基板の熱処理方法及びその装置を得ること。
【解決手段】本発明の熱処理装置1は、セル2、窒素ガス源7、フローメータ8、分岐管9、各部を連結するチューブ10とから構成されている。セル2は被処理面のアモルファスシリコン層21の表面積よりも遙かに少ない面積の開口部4を備えた円筒状のセル本体3と、その開口部4の外周全周に形成された所定の幅のつば5と、セル本体3の上方に形成された2本のガス注入口6a、6bとからなる。窒素ガス源7からフローメータ8、分岐管9、2本のガス注入口6a、6bを通じて窒素ガスをセル本体3内に注入し、その上方からアモルファスシリコン層21を加熱しながらその層21上を走査し、ポリシリコン層に変質させている。
【選択図】図1
【解決手段】本発明の熱処理装置1は、セル2、窒素ガス源7、フローメータ8、分岐管9、各部を連結するチューブ10とから構成されている。セル2は被処理面のアモルファスシリコン層21の表面積よりも遙かに少ない面積の開口部4を備えた円筒状のセル本体3と、その開口部4の外周全周に形成された所定の幅のつば5と、セル本体3の上方に形成された2本のガス注入口6a、6bとからなる。窒素ガス源7からフローメータ8、分岐管9、2本のガス注入口6a、6bを通じて窒素ガスをセル本体3内に注入し、その上方からアモルファスシリコン層21を加熱しながらその層21上を走査し、ポリシリコン層に変質させている。
【選択図】図1
Description
本発明は、大判の被処理基板の被処理表面全面を所定の順序にしたがって走査しながら局所的に加熱し、前記被処理基板の被処理表面を熱処理できる被処理基板の熱処理方法及びその装置に関するものである。
液晶パネルの製造工程においては、ガラス基板の表面にケミカルベーパディポジション(CVD)を用いてアモルファスシリコンを成膜し、このアモルファスシリコン膜をアニールしてポリシリコン膜に処理するアニール工程がある。
従来技術のアニール工程では、大型のチャンバーを用いた不活性ガスアニール装置が用いられている。このアニール装置では、ガラス基板を処理する構成部分を密閉構造としたチャンバーを設け、このチャンバーの内部を真空ポンプなどを用いて真空状態にする方式のものが一般的であった。
しかし、この真空チャンバー方式を採用したアニール装置の場合、真空チャンバー、真空ポンプ、揮発ガスを出さない材料の選定などと、限定された製品群の中から構成部品を選定する必要があった。
そして、この真空チャンバー内で使用する部品は、通常の大気中で使用するものに比べて高価なものであり、1システムとしての構成を考える上では、簡易的な実験装置、基本プロセス開発装置などには不向きなものであった。
このような既成槻念に囚われず、通常のアニール装置の開発の延長上で設計、製作を容易にできるものはこれまで存在しなかった。
本発明は、これらの課題を解決しようとするものであって、安価に、かつ真空状態と同じ程度の状況を作り出して被処理基板の熱処理を行うことができる被処理基板の熱処理方法及びその装置を得ることを目的とする。
それ故、本発明の被処理基板の熱処理方法は、被処理基板の被処理表面に開口したセルをその被処理表面から僅かな間隙を開けて対面させ、そのセル内の酸素濃度を調整しながら、前記被処理基板の被処理表面全面を所定の順序にしたがって走査しながら局所的に加熱し、前記被処理基板の被処理表面を熱処理することを特徴とする。
前記酸素濃度の調整は前記セル内に不活性ガスを導入して調整することが望ましく、特に、不活性ガスとしては窒素ガスを用いることが望ましい。
また、前記被処理表面はアモルファスシリコン層であり、熱処理することによりポリシリコン層に変化させることを特徴とする。
そして本発明の熱処理装置は、被処理基板を水平に保持する支持装置と、前記被処理基板の被処理表面の面積よりも遙かに少ない面積の開口部を備えた中空状のセル本体の該開口部の外周全周に所定の幅のつばが形成され、そして前記セル本体の上方に少なくとも1本の不活性ガス注入口が形成されている構造のセルと、そのセルが前記被処理面の全面を所定の順序にしたがって走査するように、前記セルと前記支持装置とを相対的に移動させる移動装置とを備えている。特に、前記中空状のセル本体の形状が円筒形であることが望ましい。
従って、本発明の被処理基板の熱処理方法及びその装置によれば、被処理基板の被処理面にセルの開口部を対向させ、窒素ガスを噴出させることによりセル本体内の酸素濃度を調整しながら従来技術の熱処理方法と同様な被処理表面に対する熱処理を行うことができる。
本発明の被処理基板の熱処理方法及びその装置によれば、
1.開発コストを削減できる
2.開発期間を短縮できる
3.被処理基板上に付着している塵埃、不純物を除去できる
4.エネルギーコストを大幅に削減できる
5.スループットが比較的高い
6.空気中での化学変化を低減でき、酸化対策が採りやすい
など、数々の優れた効果が得られる。
1.開発コストを削減できる
2.開発期間を短縮できる
3.被処理基板上に付着している塵埃、不純物を除去できる
4.エネルギーコストを大幅に削減できる
5.スループットが比較的高い
6.空気中での化学変化を低減でき、酸化対策が採りやすい
など、数々の優れた効果が得られる。
本発明は被処理基板であるガラス基板の表面にCVDで成膜されている被処理表面のアモルファスシリコン層をアニールし、ポリシリコン層に変化させる用途として開発され、その熱処理装置は、ガラス基板の表面のアモルファスシリコン層の面積よりも遙かに少ない面積の開口部を備えた中空状のセルを中心にして前記アニール処理が行われる。セルは円筒状のセル本体からなり、その開口部の外周全周に所定の幅のつばが形成され、そして前記セル本体の上方の対称的な位置に2本の不活性ガス注入口が形成されている。
そして本発明の被処理基板の熱処理方法は、このような構造のセルを使って前記アモルファスシリコン層に前記アニール処理を施そうとするものであり、そのアニール処理を施す場合には、処理しようとするアモルファスシリコン層が成膜されている前記ガラス基板をXYテーブル上に載置、固定し、そのアモルファスシリコン層の表面に前記セルの開口部が1〜2mm程度の間隙を開けて対向するように配設し、前記2本のガス注入口から不活性ガスである窒素ガスをセル本体内に注入して前記開口部からアモルファスシリコン層面に窒素ガスを噴出させ、この噴出する窒素ガスと前記セル本体のつばとでキャビテーション現象を起こして、前記セル本体内の圧力を外側より高く保って酸素濃度を調整し、そして前記XYテーブルを所定の順序にしたがって移動させ、前記セルで前記アモルファスシリコン層面を全面走査しながら、そのセルの上方から、例えば、レーザを照射して、アモルファスシリコン層を局所的に加熱し、ポリシリコン層に変質させる方法を採っている。
以下、図を用いて、本発明の被処理基板の熱処理方法及びその装置を説明する。
図1は本発明の一実施例の熱処理装置の構成及びその熱処理装置を用いて被処理基板の熱処理方法を説明するための概念図であり、図2は図1に示した熱処理装置の主構成要素であるセルを示していて、同図Aはその上面図、同図Bはその側面図、同図Cは同図AのA−A線上における断面図である。
先ず、図1を参照しながら、本発明の一実施例の熱処理装置を説明する。
図1において、符号11は水平面が出されたXYテーブルを指す。このXYテーブル11の上面水平面には、被処理基板であるガラス基板20が載置されている。ガラス基板20の表面にはCVDなどの成膜手段を用いて被処理面であるアモルファスシリコン層21が成膜されている。
符号1は本発明の一実施例の熱処理装置を指す。この熱処理装置1は、主構成要素であるセル2と、窒素ガス源7と、フローメータ8と、必要に応じて設けられた分岐管9と、各部を連結するチューブ10と、支持装置であるXYテーブル11とを備えている。
セル2は、図2に示したように、前記アモルファスシリコン層21の表面の面積よりも遙かに少ない面積の開口部4を備えた円筒状のセル本体3と、その開口部4の外周全周に所定の幅のつば5が形成され、そしてセル本体3の上方に少なくとも1本の、この実施例の場合は、2本のガス注入口6a、6bが形成されている。つば5はセル本体3内で窒素ガスの置換が促進されるように、外部の空気が入り難くする目的で設けられている。
窒素ガス源7とフローメータ8とはチューブ10aで連結されており、フローメータ8と分岐管9とはチューブ10bで連結されており、分岐管9とセル本体3の2本のガス注入口6a、6bとはそれぞれチューブ10c、10dで連絡されていて、窒素ガス源7からの窒素ガスはフローメータ8、分岐管9を通じて2本のガス注入口6a、6bから等分量づつ注入されるように構成されている。
XYテーブル11の駆動機構は図示を省略した。
セル本体3の上方には、図示していないが、矢印Hで示したように、レーザーのような加熱手段が配設されている。
次に、この熱処理装置1を用いた本発明の被処理基板の熱処理方法を図1を参照しながら説明する。
先ず、前記のように、XYテーブル11の上面水平面に、アモルファスシリコン層21が成膜されたガラス基板20を載置し、固定する。
次に、その被処理面であるアモルファスシリコン層21の表面上の所定の位置に、その表面から1〜2mm程度間隙を開けて開口部4を対向させた状態でセル本体3を配設する。
そして窒素ガス源7からフローメータ8、分岐管9、ガス注入口6a、6bを通じて等しい分量の窒素ガスをセル本体3内に注入し、被処理面であるアモルファスシリコン層21の表面から窒素ガスを噴出させ、そしてXYテーブル11を所定の順序にしたがって移動させ、載置されているアモルファスシリコン層21の表面全面を走査しながらセル本体3の上方から矢印Hで示すレーザーを照射して局所的に加熱する。このような熱処理方法をアモルファスシリコン層21の全面で行うことにより、そのアモルファスシリコン層21はアニール処理され、それをポリシリコン層に変質させることができる。
熱処理装置1を前記のように構成したことにより、アモルファスシリコン層21の極一部分を局所的に加熱でき、そして前記噴出する窒素ガスと前記セル本体のつばとでキャビテーション現象を起こして、前記セル本体内の圧力を外側より高く保ってセル本体3内の酸素濃度を大幅に低減、調整でき(窒素ガス置換率99.99%)、それも短時間に調整することができる。
前記のようにセル本体3内の窒素ガス置換率を99.99%までに置換できることは、セル本体3の開口部4につば5を形成したことに要因がある。それはセル本体3内から噴出する窒素ガスがつば5部分を通過するときに、そのつば5部分で圧力が急激に低下し、これによってセル本体3の内部側の圧力が高く、セル本体3の外部側の圧力が低くなる状態を作り出す。当然、セル本体3の内部側の圧力が高いことから外部からの空気の進入を防ぐことができる。従って、セル本体3内部の窒素ガス置換効率を高め、従来技術における真空チャンバーを用いた熱処理環境に類似した環境、即ち、窒素ガス置換率99.99%を作り出すことができ、同等の基板特性を得ることが可能となる。
この熱処理装置1の最大のメリットは、ガラス基板20上のアモルファスシリコン層21の表面とセル2との間隙、窒素ガス流量、セル本体3の形状、窒素ガス吹付け位置などを変えることで、容易に酸素速度を調整できる点である。
また、この熱処理方法は、セル2とXYテーブル11とを相対的に走行駆動させることができる駆動構成にすることによって、被処理面全面を熱処理することが可能となり、安価な上、従来技術の真空チャンバーと同等な効果を得ることができる。
更にまた、窒素ガスを効率的に吹付けることによつて被処理面に付着している塵埃なども除去する効果が得られ、簡素な構造で効率的な熱処理装置が得られる。
一例として各種寸法などを挙げれば、セル2内径寸法が34mm、その外形寸法が38mm、高さが29mmであり、ガス注入口6a、6bの中心位置は開口部4の下端から25.5mmの上方位置で、かつ円筒の中心から14mm偏った位置に設けられており、ガス注入口6a、6bの内径は4mmである。ガス注入口6a、6bからセル本体3に注入する窒素ガスの流量は1.5m3 /secである。熱処理中はセル2のつば5の下面は被処理面から1〜2mm浮上させている。
液晶パネルの製造工程において、ガラス基板の表面にケミカルベーパディポジションによって成膜されたアモルファスシリコン膜のアニール工程や、半導体製造工程における擬似真空の形成に利用可能である。
1…本発明の一実施例の熱処理装置、2…セル、3…セル本体、4…セル本体3の開口部、5…つば、6a,6b…ガス注入口、7…窒素ガス源、8…フローメータ、9…分岐管、10a,10b,10c,10d…チューブ、11…XYテーブル、20…被処理基板であるガラス基板、21…被処理面であるアモルファスシリコン層、H…レーザー
Claims (6)
- 被処理基板の被処理表面に開口したセルを該被処理表面から僅かな間隙を開けて対面させ、該セル内の酸素濃度を調整しながら、前記被処理基板の被処理表面全面を所定の順序にしたがって走査しながら局所的に加熱し、前記被処理基板の被処理表面を熱処理することを特徴とする被処理基板の熱処理方法。
- 前記セル内に不活性ガスを導入して前記酸素濃度を調整することを特徴とする請求項1に記載の被処理基板の熱処理方法。
- 前記不活性ガスが窒素ガスであることを特徴とする請求項2に記載の被処理基板の熱処理方法。
- 前記被処理表面がアモルファスシリコン層であり、熱処理することによりポリシリコン層に変質させることを特徴とする請求項1に記載の被処理基板の熱処理方法。
- 被処理基板を水平に保持する支持装置と、
前記被処理基板の被処理表面の面積よりも遙かに少ない面積の開口部を備えた中空状のセル本体の該開口部の外周全周に所定の幅のつばが形成され、そして前記セル本体の上方に少なくとも1本の不活性ガス注入口が形成されている構造のセルと、
該セルが前記被処理面の全面を所定の順序にしたがって走査するように、前記セルと前記支持装置とを相対的に移動させる移動装置と
を備えた熱処理装置。 - 前記中空状のセル本体の形状が円筒形であることを特徴とする請求項5に記載の熱処理装置。
Priority Applications (1)
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JP2004185660A JP2006013011A (ja) | 2004-06-23 | 2004-06-23 | 被処理基板の熱処理方法及びその装置 |
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Publications (1)
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JP2004185660A Pending JP2006013011A (ja) | 2004-06-23 | 2004-06-23 | 被処理基板の熱処理方法及びその装置 |
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