JP2003264168A

JP2003264168A - 基板周縁処理装置および基板周縁処理方法

Info

Publication number: JP2003264168A
Application number: JP2002065669A
Authority: JP
Inventors: Kenichi Yokouchi; 健一横内; Takeshi Okumura; 剛奥村
Original assignee: Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2002-03-11
Filing date: 2002-03-11
Publication date: 2003-09-19
Anticipated expiration: 2022-03-11
Also published as: JP3727602B2

Abstract

(57)【要約】【課題】薬液の消費量を抑制することができ、かつ、基
板の周縁部に対する処理を選択的に行うことができる基
板周縁処理装置および基板周縁処理方法を提供する。【解決手段】スピンチャック１に保持されたウエハＷの
周縁部に向けて、蒸気・ガス供給ノズル６が配置されて
いる。この蒸気・ガス供給ノズル６に、ふっ酸蒸気発生
容器７からふっ酸蒸気が供給され、オゾンガス供給源２
０からオゾンガスが供給される。スピンチャック１が回
転している状態で、ウエハＷの周縁部にオゾンガスおよ
びふっ酸蒸気を導くことにより、気相エッチングによっ
て、ウエハＷの周縁部の不要物を除去できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、半導体ウエハ、
液晶表示装置用ガラス基板およびＰＤＰ（プラズマディ
スプレイパネル）用ガラス基板、光ディスク用基板、磁
気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板ならびにフォ
トマスク用基板などの各種の被処理基板の周縁部に対し
てエッチング液等の処理液による処理を施すための基板
周縁処理装置および基板周縁処理方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置の製造工程においては、半導
体ウエハ（以下、単に「ウエハ」という。）の表面およ
び周端面（場合によってはさらに裏面）の全域に銅薄膜
などの金属薄膜を形成した後、この金属薄膜の不要部分
をエッチング除去する処理が行われる場合がある。たと
えば、配線形成のための銅薄膜は、ウエハの表面の素子
形成領域に形成されていればよいから、ウエハの表面の
周縁部（たとえば、ウエハの周端から幅５mm程度の部
分）、裏面および周端面に形成された銅薄膜は不要とな
る。そればかりでなく、周縁部、裏面および周端面の銅
または銅イオンは、基板処理装置に備えられた基板搬送
ロボットのハンドを汚染し、さらにこの汚染が当該ハン
ドによって保持される別の基板へと転移するという問題
を引き起こす。

【０００３】同様の理由から、基板周縁に形成された金
属膜以外の膜（酸化膜や窒化膜など）を薄くエッチング
することによって、その表面の金属汚染物（金属イオン
を含む）を除去するための処理が行われることがある。
ウエハの周縁部および周端部の薄膜を選択的にエッチン
グするための基板周縁処理装置は、たとえば、ウエハを
水平に保持して回転するスピンチャックと、このスピン
チャックに保持されて回転されているウエハの周縁部に
向けてエッチング液を供給するエッチング液供給ノズル
と、ウエハの回転中心に向けて純水を供給する純水ノズ
ルとを含む。

【０００４】この構成によって、ウエハの中央領域（デ
バイス形成領域）を純水で覆いながらウエハの周縁部に
エッチング処理を施すことができるので、ウエハの中央
領域に損傷を与えることなく、ウエハの周縁部に対する
選択的なエッチング処理を行うことができる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記のような
構成では、エッチング液と純水とがウエハ上で混合する
から、エッチング液を回収して再利用することができな
い。そのため、エッチング液を使い捨てにせざるを得
ず、装置のランニングコストが高くなり、結果として、
ウエハ処理コストが高くなる。そこで、この発明の目的
は、薬液の消費量を抑制することができ、かつ、基板の
周縁部に対する処理を選択的に行うことができる基板周
縁処理装置および基板周縁処理方法を提供することであ
る。

【０００６】

【課題を解決するための手段および発明の効果】上記の
目的を達成するための請求項１記載の発明は、基板
（Ｗ）の周縁部の不要物を除去するための基板周縁処理
装置であって、基板を保持する基板保持機構（１）と、
上記基板の周縁部に薬液を含む蒸気またはケミカルガス
を含む蒸気を供給する蒸気供給ノズル（６）と、基板の
外周に沿って上記蒸気供給ノズルからの蒸気が供給され
るように、上記基板保持機構で保持された基板と上記蒸
気供給ノズルとを相対的に移動させる相対移動機構
（３）とを含むことを特徴とする基板周縁処理装置であ
る。なお、括弧内の英数字は後述の実施形態における対
応構成要素等を表す。以下、この項において同じ。

【０００７】この構成によれば、薬液を含む蒸気または
ケミカルガスを含む蒸気を用いた気相エッチング処理に
よって、基板の周縁部の不要物を選択的に除去すること
ができる。すなわち、基板の周縁部に薬液を含む蒸気ま
たはケミカルガスを含む蒸気を蒸気供給ノズルから供給
するとともに、基板と蒸気供給ノズルとを相対的に移動
させることによって、基板の周縁部の全域に対して、気
相エッチング処理を行える。

【０００８】気相エッチング処理における薬液またはケ
ミカルガスの消費量は、薬液を基板表面に吐出する従来
からの処理における薬液消費量に比較して格段に少な
い。これにより、基板周縁処理装置のランニングコスト
を低減することができ、それに応じて、デバイス製品の
コストを低減できる。請求項２記載の発明は、基板
（Ｗ）の周縁部の不要物を除去するための基板周縁処理
装置であって、基板を保持する基板保持機構（１）と、
上記基板の周縁部にケミカルガスを供給するガス供給ノ
ズル（６１）と、上記基板の周縁部の上記ガス供給ノズ
ルによるケミカルガスの供給位置の近傍に水分を含む蒸
気を供給する水蒸気供給ノズル（６２）と、上記基板の
外周に沿って上記ガス供給ノズルからのケミカルガスお
よび上記水蒸気供給ノズルからの蒸気が供給されるよう
に、上記基板保持機構で保持された基板と上記ガス供給
ノズルおよび上記水蒸気供給ノズルとを相対的に移動さ
せる相対移動機構（３）とを含むことを特徴とする基板
周縁処理装置である。

【０００９】この構成によれば、基板の周縁部には、ガ
ス供給ノズルからケミカルガスが供給され、水蒸気供給
ノズルから水分を含む蒸気が供給される。したがって、
基板の周縁部では、ケミカルガスと水分との関与の下
に、不要物を除去するための気相エッチング処理が進行
することになる。なお、ケミカルガスと水分とが関与し
て初めて、言い換えれば、ケミカルガスと水分とが接触
しあって初めて、不要物に対するエッチング性を有する
ため、ケミカルガス単独、あるいは水分単独では不要物
に対するエッチング性を持つことはない。

【００１０】このようにして、請求項１の発明と同様の
効果を達成できる。なお、ガス供給ノズルと水蒸気供給
ノズルとは、共通の１つのノズルで兼用してもよい。請
求項３記載の発明は、基板（Ｗ）の周縁部の不要物を除
去するための基板周縁処理装置であって、基板を保持す
る基板保持機構（１）と、上記基板の周縁部にケミカル
ガスを供給するガス供給ノズル（５１）と、上記基板の
中央領域に水分を含む蒸気を供給する水蒸気供給ノズル
（５２）と、基板の外周に沿って上記ガス供給ノズルか
らのケミカルガスが供給されるように、上記基板保持機
構で保持された基板と上記ガス供給ノズルとを相対的に
移動させる相対移動機構（３）とを含むことを特徴とす
る基板周縁処理装置である。

【００１１】この構成では、ガス供給ノズルから基板の
周縁部に向けてケミカルガスが供給されるとともに、水
蒸気供給ノズルからは、基板の中央領域に向けて水分を
含む蒸気が供給される。この水分を含む蒸気は、基板の
中央領域から周縁部へと向かうことになる。そのため、
基板の周縁部においては、ケミカルガスと水分を含む蒸
気との関与の下に、不要物を除去するための気相エッチ
ング処理が進行することになる。

【００１２】このようにして、請求項１の発明と同様の
効果を達成できる。また、基板の中央領域から基板の周
縁部に向けて、水分を含む蒸気の気流が生じるので、基
板の中央領域にケミカルガスが入り込むことがない。し
たがって、基板の中央領域を誤ってエッチングしてしま
うことなく、基板の周縁部のみに対して、選択的にエッ
チング処理を施すことができる。請求項４記載の発明
は、基板（Ｗ）の周縁部の不要物を除去するための基板
周縁処理装置であって、基板を保持する基板保持機構
（１）と、上記基板の周縁部に水分を含む蒸気を供給す
る水蒸気供給ノズル（５１）と、上記基板の中央領域に
ケミカルガスを供給するガス供給ノズル（５２）と、基
板の外周に沿って上記水蒸気供給ノズルからの蒸気が供
給されるように、上記基板保持機構で保持された基板と
上記水蒸気供給ノズルとを相対的に移動させる相対移動
機構（３）とを含むことを特徴とする基板周縁処理装置
である。

【００１３】この構成では、水蒸気供給ノズルから基板
の周縁部に向けて水分を含む蒸気が供給されるととも
に、ガス供給ノズルからは、基板の中央領域に向けてケ
ミカルガスが供給される。このケミカルガスは、基板の
中央領域から周縁部へと向かうことになる。そのため、
基板の周縁部においては、水分を含む蒸気とケミカルガ
スとの関与の下に、不要物を除去するための気相エッチ
ング処理が進行することになる。

【００１４】このようにして、請求項１の発明と同様の
効果を達成できる。また、基板の中央領域から基板の周
縁部に向けて、ケミカルガスの気流が生じるので、基板
の中央領域に水分を含む蒸気が到達することがない。し
たがって、基板の中央領域を誤ってエッチングしてしま
うことなく、基板の周縁部のみに対して、選択的にエッ
チング処理を施すことができる。請求項５記載の発明
は、上記基板保持機構に保持された基板の中央領域に不
活性ガスを供給する不活性ガス供給手段（１９）をさら
に含むことを特徴とする請求項１または２記載の基板周
縁処理装置である。

【００１５】この構成によれば、基板の中央領域から周
縁領域に向かう不活性ガスの気流を生じさせることがで
きるから、基板の中央領域に、薬液を含む蒸気、または
ケミカルガスおよび水分が導かれることがない。したが
って、基板の周縁部のみに対して、良好な選択性でエッ
チング処理を施すことができる。請求項６記載の発明
は、上記基板保持機構に保持された基板表面の近傍に位
置し、処理中の基板の中央領域を覆う遮断板（５）をさ
らに含むことを特徴とする請求項１ないし５のいずれか
に記載の基板周縁処理装置である。

【００１６】この構成によれば、基板の中央領域上の空
間を遮断板によって制限することができるので、中央領
域に、薬液を含む蒸気、またはケミカルガスおよび水分
が導かれることを確実に防止できる。これにより、基板
の周縁部に対するエッチング処理の選択性を高めること
ができる。請求項７記載の発明は、基板の裏面全域に薬
液を含む蒸気またはケミカルガスを含む蒸気を供給する
裏面蒸気供給ノズル（１０１）をさらに含むことを特徴
とする請求項１ないし６のいずれかに記載の基板周縁処
理装置である。

【００１７】この構成によれば、基板の裏面全域に対し
て、不要物を除去するための気相エッチング処理を施す
ことができる。この基板の裏面に対する処理を基板表面
の周縁部に対する処理と並行して行えば、基板処理時間
を短縮でき、生産性を向上できる。請求項８記載の発明
は、上記基板保持機構に保持された基板の少なくとも周
縁部を加熱する加熱手段（４，４Ａ，４Ｂ）をさらに含
むことを特徴とする請求項１ないし７のいずれかに記載
の基板周縁処理装置である。

【００１８】気相エッチング処理では、エッチングレー
トの温度依存性が極めて高く、かつ、物質の種類毎に、
エッチングレートの温度依存性が著しく異なる。したが
って、基板の少なくとも周縁部を加熱することによっ
て、所望のエッチング処理をより確実に行って、不要物
を基板の周縁部から選択的に除去できる。すなわち、基
板の少なくとも周縁部を加熱して所望の温度に制御する
ことで、基板の周縁部の不要物に対する最適なエッチン
グレートを得ることができ、該不要物のみを選択的にエ
ッチング除去することができる。

【００１９】気相エッチング反応は、基板の周縁部にお
いてのみ生じるから、加熱手段による加熱は基板の全域
に及んでも差し支えない。請求項９記載の発明は、上記
基板保持機構に保持された基板の周縁部にオゾンガスを
供給するオゾン供給手段（６，６１，５１）をさらに含
むことを特徴とする請求項１ないし８のいずれかに記載
の基板周縁処理装置である。この構成によれば、オゾン
ガスの供給によって基板の表層部を酸化することがで
き、これにより生成された基板表層の酸化物を、薬液を
含む蒸気またはケミカルガスおよび水分の関与の下に、
エッチング処理することで、基板周縁部の不要物をさら
に良好に除去することができる。

【００２０】この発明は、たとえば、基板の周縁のシリ
コン（シリコンウエハまたはポリシリコン膜）をエッチ
ングする場合にとくに有効である。オゾンガスの供給
は、基板周縁部に対する薬液を含む蒸気、ケミカルガス
を含む蒸気、ケミカルガスまたは水蒸気の供給と並行し
て行われてもよい。すなわち、気相エッチング処理と並
行してオゾンガスの供給を行ってもよい。また、オゾン
ガスの供給による酸化処理の後に、薬液を含む蒸気の供
給などによる気相エッチング処理を行うこととしてもよ
いし、酸化処理および気相エッチング処理を、交互に繰
り返し複数回行うようにしてもよい。

【００２１】請求項１０記載の発明は、基板（Ｗ）の周
縁部の不要物を除去するための基板周縁処理方法であっ
て、薬液を含む蒸気またはケミカルガスを含む蒸気を供
給する蒸気供給ノズル（６）から基板の周縁部に蒸気を
供給する蒸気供給工程と、基板の外周に沿って上記蒸気
供給ノズルからの蒸気が供給されるように、上記基板と
上記蒸気供給ノズルとを相対的に移動させる相対移動工
程とを含むことを特徴とする基板周縁処理方法である。

【００２２】この発明によって、請求項１記載の発明と
同様な効果を達成できる。請求項１１記載の発明は、基
板（Ｗ）の周縁部の不要物を除去するための基板周縁処
理方法であって、ケミカルガスを供給するガス供給ノズ
ル（６１）から、基板の周縁部にケミカルガスを供給す
るケミカルガス供給工程と、水分を含む蒸気を供給する
水蒸気供給ノズル（６２）から、上記基板の周縁部の上
記ガス供給ノズルによるケミカルガスの供給位置の近傍
に蒸気を供給する蒸気供給工程と、上記基板の外周に沿
って上記ガス供給ノズルからのケミカルガスおよび上記
水蒸気供給ノズルからの蒸気が供給されるように、上記
基板と上記ガス供給ノズルおよび上記水蒸気供給ノズル
とを相対的に移動させる相対移動工程とを含むことを特
徴とする基板周縁処理方法である。

【００２３】この発明によって、請求項２記載の発明と
同様な効果を達成できる。請求項１２記載の発明は、基
板（Ｗ）の周縁部の不要物を除去するための基板周縁処
理方法であって、ケミカルガスを供給するガス供給ノズ
ル（５１）から基板の周縁部にケミカルガスを供給する
ケミカルガス供給工程と、水分を含む蒸気を供給する水
蒸気供給ノズル（５２）から、上記基板の中央領域に蒸
気を供給する蒸気供給工程と、基板の外周に沿って上記
ガス供給ノズルからのケミカルガスが供給されるよう
に、上記基板と上記ガス供給ノズルとを相対的に移動さ
せる相対移動工程とを含むことを特徴とする基板周縁処
理方法である。

【００２４】この発明によって、請求項３記載の発明と
同様な効果を達成できる。請求項１３記載の発明は、基
板（Ｗ）の周縁部の不要物を除去するための基板周縁処
理方法であって、水分を含む蒸気を供給する水蒸気供給
ノズル（５１）から基板の周縁部に蒸気を供給する蒸気
供給工程と、ケミカルガスを供給するガス供給ノズル
（５２）から、上記基板の中央領域にケミカルガスを供
給するケミカルガス供給工程と、基板の外周に沿って上
記水蒸気供給ノズルからの蒸気が供給されるように、上
記基板と上記水蒸気供給ノズルとを相対的に移動させる
相対移動工程とを含むことを特徴とする基板周縁処理方
法である。

【００２５】この発明によって、請求項４記載の発明と
同様な効果を達成できる。上記薬液は、ふっ酸、硝酸、
酢酸、塩酸および硫酸などの酸を含む薬液であってもよ
い。また、上記薬液はアンモニア等のアルカリを含む薬
液であってもよい。さらに、上記薬液は、これらの酸ま
たはアルカリに、過酸化水素水やオゾン等の酸化剤、ま
たはメタノール等の有機溶剤を加えた混合液であっても
よい。なお、薬液を含む蒸気とは、薬液そのものの蒸気
（薬液蒸気）であってもよいし、この薬液蒸気を不活性
ガスなどのキャリアガス中に混合させたものであっても
よい。

【００２６】また、上記ケミカルガスは、無水ふっ酸ガ
ス、アンモニアガス、塩化水素ガス、二酸化窒素ガス、
およびＳＯ₃ガスのうちのいずれか１つを含むガス、あ
るいはこれらのうちの２以上のガスの混合ガスであって
もよい。なお、ケミカルガスを含む蒸気とは、ケミカル
ガスと水蒸気とが混合されたものであってもよいし、ケ
ミカルガスとメタノールなどの有機溶剤の蒸気とが混合
されたものであってもよく、また、これらをさらに不活
性ガスなどのキャリアガス中に混合させたものであって
もよい。

【００２７】たとえば、酸化膜の気相エッチングには、
ふっ酸（ふっ酸蒸気、または無水ふっ酸ガスおよび水
分）を用いればよい。また、シリコンの気相エッチング
には、酸化性ガスとしてのオゾンガスによる表面酸化処
理と、ふっ酸（ふっ酸蒸気、または無水ふっ酸ガスおよ
び水分）による気相エッチング処理とを併用すればよ
い。また、酸化性ガスとして無水ふっ酸ガスを用い、酸
性エッチング溶液として硝酸溶液を用いて、この硝酸溶
液の蒸気による気相エッチングを行うようにしてもよ
い。

【００２８】銅などの金属の気相エッチングには、酸化
性ガス（オゾンまたは過酸化水素）による酸化処理と、
酸（塩酸、ふっ酸、硫酸）を含む蒸気による気相エッチ
ング処理とを併用すればよい。窒化膜の気相エッチング
には、ふっ酸（ふっ酸蒸気、または無水ふっ酸ガスおよ
び水分）による気相エッチングを適用すればよい。一
方、基板とノズルとの相対位置を変化させる相対移動機
構は、静止状態のノズルに対して基板を移動（たとえば
回転）させるものであってもよいし、基板を静止させて
おく一方で、ノズルを基板の外周に沿って移動させるも
のであってもよく、基板およびノズルの両方を移動させ
るものであってもよい。たとえば、半導体ウエハに代表
される円形基板を処理するときには、ノズルを静止させ
ておく一方で、円形基板の中心を通り基板に直交する軸
を中心に該基板を回転させることが好ましい。これに対
して、液晶表示装置用ガラス基板に代表される角形基板
を処理するときには、基板を静止させておく一方でノズ
ルを基板の外周辺に沿って直線移動させるか、基板およ
びノズルの両方を移動させる構成をとることが好まし
い。

【００２９】

【発明の実施の形態】以下では、この発明の実施の形態
を、添付図面を参照して詳細に説明する。図１は、この
発明の第１の実施形態に係る基板周縁処理装置の構成を
説明するための系統図である。この装置は、ウエハＷの
表面の周縁部（たとえば、ウエハ端面から所定幅（たと
えば、５ｍｍ程度の幅）の帯状領域）から不要物を除去
するための装置である。「不要物」とは、たとえば、ウ
エハＷの表面に配線用等の金属薄膜（たとえば銅薄膜）
を形成した場合におけるウエハＷの周縁部の当該金属薄
膜や、銅等の金属イオンである。これらは、その後のプ
ロセスを実行する基板処理装置において、基板搬送ロボ
ットのハンドを汚染し、さらのこの汚染が他のウエハＷ
へと転移していくことにより、製品歩留まりを悪化させ
たり、ウエハＷ上に作り込まれるデバイスの特性に悪影
響を及ぼすおそれがある。

【００３０】この基板周縁処理装置は、ウエハＷをほぼ
水平に保持して鉛直軸線まわりに回転するスピンチャッ
ク１と、鉛直方向に沿って配置され、上端にスピンチャ
ック１が固定された回転軸２と、この回転軸２を回転駆
動する回転駆動機構３とを備えている。スピンチャック
１は、たとえば、ウエハＷの裏面を真空吸着するもので
あり、その周縁部には、ウエハＷの周縁部を所定温度に
加熱するためのヒータ４が、ウエハＷの外形（ほぼ円
形）に沿ったリング状に内蔵されている。ヒータ４は、
電熱線ヒータであってもよいし、ランプヒータであって
もよい。

【００３１】スピンチャック１の上方には、スピンチャ
ック１に保持されたウエハＷの中央領域（周縁部を除く
内方の領域）を覆うための遮断板５が配置されている。
この遮断板５は、たとえば、図示しない昇降機構によっ
て、鉛直方向に沿って昇降されるようになっており、ウ
エハＷの周縁部を処理するときには、スピンチャック１
に保持されたウエハＷの表面に近接した処理位置（図１
に示す位置）に配置されるようになっている。さらに遮
断板回転機構を設けて、スピンチャック１と同方向に遮
断板５を回転させるようにしてもよい。

【００３２】遮断板５の側方には、スピンチャック１に
保持されたウエハＷの周縁部に向けて薬液を含む蒸気お
よびオゾンガス（Ｏ₃）を吐出する蒸気・ガス供給ノズ
ル６が設けられている。この蒸気・ガス供給ノズル６に
は、ふっ酸蒸気発生容器７で発生したふっ酸蒸気が、窒
素ガス供給源１０からの窒素ガス（Ｎ₂）、およびオゾ
ンガス供給源２０からのオゾンガスと混合されて、供給
されるようになっている。

【００３３】より具体的には、蒸気・ガス供給ノズル６
には、蒸気・ガス供給路８が結合されている。この蒸気
・ガス供給路８には、ふっ酸蒸気発生容器７から、薬液
蒸気としてのふっ酸蒸気がふっ酸蒸気供給バルブ９を介
して供給され、窒素ガス供給源１０から、キャリアガス
としての窒素ガスが流量制御装置（ＭＦＣ）１１および
窒素ガス供給バルブ１２を介して供給され、オゾンガス
供給源２０から、酸化性ガスとしてのオゾンガスが流量
制御装置２１およびオゾンガス供給バルブ２２を介して
供給されるようになっている。

【００３４】ふっ酸蒸気発生容器７には、窒素ガス供給
源１０からの窒素ガスが、流量制御装置１３および窒素
ガス供給バルブ１４を介して供給されるようになってい
る。ふっ酸蒸気発生容器７内に貯留されるふっ酸水溶液
は、いわゆる擬似共弗組成となる濃度（たとえば、１気
圧、室温（２０℃）のもとで、約３９．６％）に調製さ
れている。この擬似共弗組成のふっ酸水溶液は、水とふ
っ化水素との蒸発速度が等しく、そのため、ふっ酸蒸気
供給バルブ９および蒸気・ガス供給路８ならびに蒸気・
ガス供給ノズル６を介してウエハＷの周縁部にふっ酸蒸
気が導かれることによってふっ酸蒸気発生容器７内のふ
っ酸水溶液が減少したとしても、蒸気・ガス供給路８に
導かれるふっ酸蒸気の濃度は不変に保持される。

【００３５】一方、遮断板５の中央下面には、スピンチ
ャック１に保持されたウエハＷの中央領域に不活性ガス
としての窒素ガスを供給する窒素ガス供給ノズル１９が
設けられている。この窒素ガス供給ノズル１９には、窒
素ガス供給源１０からの窒素ガスが、流量制御装置１５
および窒素ガス供給バルブ１６を介して供給されるよう
になっている。ウエハＷの周縁部に対してエッチング処
理を行うときには、回転駆動機構３によってスピンチャ
ック１を回転させるとともに、ヒータ４に通電してウエ
ハＷの周縁部を所定温度（たとえば、５０℃〜１６０
℃。この実施形態では、約６０℃）に加熱する。この状
態で、ふっ酸蒸気供給バルブ９、窒素ガス供給バルブ１
２，１４，１６、およびオゾンガス供給バルブ２２が開
かれる。これにより、ウエハＷの周縁部には、蒸気・ガ
ス供給ノズル６から、ふっ酸蒸気、オゾンガスおよびキ
ャリアガスとしての窒素ガスが供給されるとともに、ウ
エハＷの中央領域には、窒素ガスが供給される。これに
より、ウエハＷの周縁部の表層部は、オゾンガスによる
酸化作用によって酸化され、こうして生成された酸化物
がふっ酸蒸気の働きによってエッチングされることにな
る。

【００３６】ウエハＷの中央領域には、窒素ガス供給ノ
ズル１９から窒素ガスが供給されていて、ウエハＷの中
央領域からその周縁部に向かう気流が生じているので、
蒸気・ガス供給ノズル６から供給されるふっ酸蒸気等は
ウエハＷの中央領域には達せず、ウエハＷの周縁部にの
み供給される。したがって、ウエハＷの中央領域に対し
てエッチング処理が進行することはない。また、ウエハ
Ｗがスピンチャック１とともに回転することによって、
蒸気・ガス供給ノズル６は、ウエハＷに対して、その外
周に沿って相対移動することになるため、ウエハＷの周
縁部に対して、その全周にわたって均一なエッチング処
理を施すことができる。

【００３７】このように、この実施形態によれば、ウエ
ハＷの周縁部に対して、良好な選択性で気相エッチング
処理を施し、これにより、ウエハＷの周縁部の不要物を
除去することができる。気相エッチング処理における薬
液（ふっ酸）の消費量は、薬液をウエハＷの表面に吐出
するエッチング処理に比較して格段に少ないので、プロ
セスコストを著しく低減することができ、それに応じ
て、デバイス製品の製造コストを削減できる。

【００３８】なお、オゾンガスを蒸気・ガス供給ノズル
６に供給する代わりに、窒素ガス供給ノズル１９に供給
し、ウエハＷの中央部からオゾンガスを供給することと
してもよい。図２は、この発明の第２の実施形態に係る
基板周縁処理装置の構成を説明するための系統図であ
る。この図２において、上述の図１に示された各部に対
応する部分には、図１の場合と同一の参照符号を付して
示す。

【００３９】この実施形態では、遮断板５の側方におい
て、スピンチャック１に保持されたウエハＷの周縁部に
対向する位置には、ケミカルガスとしての無水ふっ酸
（ＨＦ）ガスおよびオゾンガスを供給するガス供給ノズ
ル６１と、水蒸気を供給する蒸気供給ノズル６２とが設
けられている。ガス供給ノズル６１および水蒸気供給ノ
ズル６２は、ウエハＷ上のほぼ同じ位置に向けて無水ふ
っ酸ガスおよびオゾンガス、ならびに水蒸気をそれぞれ
供給するようになっていて、ウエハＷの表面では、無水
ふっ酸ガス、オゾンガスおよび水分の関与の下に、ウエ
ハＷの周縁部に対する気相エッチング処理が進行する。

【００４０】より具体的には、ガス供給ノズル６１に
は、無水ふっ酸ガス供給源３０からの無水ふっ酸ガスが
流量制御装置３１および無水ふっ酸ガス供給バルブ３２
を介して供給され、オゾンガス供給源２０からのオゾン
ガスが流量制御装置２１およびオゾンガス供給バルブ２
２を介して供給され、さらに、窒素ガス供給源１０から
の窒素ガスが、キャリアガスとして、流量制御装置１１
および窒素ガス供給バルブ１２を介して供給されてい
る。

【００４１】また、蒸気供給ノズル６２には、水蒸気供
給源４０からの水蒸気が流量制御装置４１および水蒸気
供給バルブ４２を介して供給され、さらに、キャリアガ
スとしての窒素ガスが、窒素ガス供給源１０から流量制
御装置１３および窒素ガス供給バルブ１４を介して供給
されている。遮断板５の中央部において下方に開口した
窒素ガス供給ノズル１９には、第１の実施形態の場合と
同じく、窒素ガス供給源１０から、不活性ガスとしての
窒素ガスが、流量制御装置１５および窒素ガス供給バル
ブ１６を介して供給されている。

【００４２】ウエハＷの周縁部に対してエッチング処理
を行うときには、回転駆動機構３によってスピンチャッ
ク１を回転させるとともに、ヒータ４に通電してウエハ
Ｗの周縁部を所定温度（たとえば、５０℃〜１６０℃。
この実施形態では、約６０℃）に加熱する。この状態
で、無水ふっ酸ガス供給バルブ３２、オゾンガス供給バ
ルブ２２、水蒸気供給バルブ４２、および窒素ガス供給
バルブ１２，１４，１６が開かれる。これにより、ウエ
ハＷの周縁部には、ガス供給ノズル６１から、無水ふっ
酸ガス、オゾンガスおよび窒素ガス（キャリアガス）の
混合ガスが供給されるとともに、蒸気供給ノズル６２か
ら水蒸気および窒素ガス（キャリアガス）の混合ガスが
供給される。その一方で、ウエハＷの中央領域には、窒
素ガスが供給される。

【００４３】これにより、ウエハＷの周縁部の表層部
は、オゾンガスによる酸化作用によって酸化され、こう
して生成された酸化物が、無水ふっ酸ガスおよび水蒸気
が関与する気相エッチング処理によってエッチング除去
されることになる。第１の実施形態の場合と同様に、ウ
エハＷの中央領域には、窒素ガス供給ノズル１９から窒
素ガスが供給されていて、ウエハＷの中央領域からその
周縁部に向かう気流が生じているので、ガス供給ノズル
６１からの無水ふっ酸ガス等および蒸気供給ノズル６２
からの水蒸気等は、ウエハＷの中央領域には到達せず、
ウエハＷの周縁部にのみ供給される。したがって、ウエ
ハＷの中央領域に対してエッチング処理が進行すること
はない。また、ウエハＷがスピンチャック１とともに回
転することによって、ガス供給ノズル６１および蒸気供
給ノズル６２は、ウエハＷに対して、その外形に沿って
相対移動することになるから、ウエハＷの周縁部に対し
て、その全周にわたって均一なエッチング処理を施すこ
とができる。

【００４４】その他、第１の実施形態の場合と同様な効
果を奏することができる。なお、オゾンガスは、ガス供
給ノズル６１から供給する代わりに、水蒸気とともに蒸
気供給ノズル６２から供給してもよいし、窒素ガスとと
もに窒素ガス供給ノズル１９から供給するようにしても
よい。また、ガス供給ノズル６１と蒸気供給ノズル６２
とを１つのノズルで兼用することとしてもよい。

【００４５】図３は、この発明の第３の実施形態に係る
基板周縁処理装置の構成を説明するための系統図であ
る。この図３において、上述の図２に示された各部に対
応する部分には、図２の場合と同一の参照符号を付して
示す。この実施形態では、遮断板５の中央部には、スピ
ンチャック１に保持されたウエハＷの表面（上面）の中
央に向かって下方に開口した中央部ノズル５２が設けら
れている。この中央部ノズル５２には、水蒸気供給源４
０からの水蒸気が流量制御装置４１および水蒸気供給バ
ルブ４２を介して供給されるようになっているととも
に、キャリアガスとしての窒素ガスが、窒素ガス供給源
１０から流量制御装置１５および窒素ガス供給バルブ１
６を介して供給されるようになっている。

【００４６】また、遮断板５の側方には、第２の実施形
態におけるガス供給ノズル６１と同様な周縁部ノズル５
１が配置されていて、この周縁部ノズル５１には、無水
ふっ酸ガス供給源３０からの無水ふっ酸ガス、オゾンガ
ス供給源２０からのオゾンガスおよび窒素ガス供給源１
０からの窒素ガスを供給できるようになっている。ウエ
ハＷの周縁部に対してエッチング処理を行うときには、
回転駆動機構３によってスピンチャック１を回転させる
とともに、ヒータ４に通電してウエハＷの周縁部を所定
温度（たとえば、５０℃〜１６０℃。この実施形態で
は、約６０℃）に加熱する。この状態で、無水ふっ酸ガ
ス供給バルブ３２、オゾンガス供給バルブ２２、水蒸気
供給バルブ４２、および窒素ガス供給バルブ１２，１６
が開かれる。これにより、ウエハＷの周縁部には、周縁
部ノズル５１から、無水ふっ酸ガス、オゾンガスおよび
窒素ガス（キャリアガス）の混合ガスが供給される。そ
の一方で、ウエハＷの中央部には、中央部ノズル５２か
ら水蒸気および窒素ガス（キャリアガス）の混合ガスが
供給される。

【００４７】ウエハＷの中央部に供給された水蒸気およ
び窒素ガスの混合ガスは、ウエハＷの中央から周縁部に
向かう気流を形成して、ウエハＷの周縁部へと導かれ
る。その結果、ウエハＷの表面の周縁部では、無水ふっ
酸ガスおよび水蒸気が関与する気相エッチング処理が進
行することになる。すなわち、ウエハＷの周縁部の表層
部が、オゾンガスによる酸化作用によって酸化され、こ
うして生成された酸化物が、無水ふっ酸ガスおよび水蒸
気が関与する気相エッチング処理によってエッチング除
去されることになる。

【００４８】ウエハＷの中央領域には、水蒸気が導かれ
ているものの、ウエハＷの中央部から周縁部に向かう気
流のために、周縁部ノズル５１から吐出される無水ふっ
酸ガスは、ウエハＷの中央領域に到達することができ
ず、ウエハＷの周縁部にのみ供給される。したがって、
ウエハＷの中央領域に対してエッチング処理が進行する
ことはない。また、ウエハＷがスピンチャック１ととも
に回転することによって、周縁部ノズル５１は、ウエハ
Ｗに対して、その外形に沿って相対移動することになる
から、ウエハＷの周縁部に対して、その全周にわたって
均一なエッチング処理を施すことができる。

【００４９】その他、第２の実施形態の場合と同様な効
果を奏することができる。なお、オゾンガスは、周縁部
ノズル５１から供給する代わりに、水蒸気とともに中央
部ノズル５２から供給することとしてもよい。図４は、
この発明の第４の実施形態に係る基板周縁処理装置の構
成を説明するための系統図である。この図４において、
上述の図３に示された各部に対応する部分には、図３の
場合と同一の参照符号を付して示す。

【００５０】この実施形態では、周縁部ノズル５１か
ら、水蒸気およびオゾンガスを吐出するとともに、中央
部ノズル５２から、無水ふっ酸ガスを吐出するようにな
っている。具体的には、周縁部ノズル５１には、水蒸気
供給源４０からの水蒸気が流量制御装置４１および水蒸
気供給バルブ４２を介して供給されており、オゾンガス
供給源２０からのオゾンガスが流量制御装置２１および
オゾンガス供給バルブ２２を介して供給されており、さ
らに、キャリアガスとしての窒素ガスが、窒素ガス供給
源１０から、流量制御装置１１および窒素ガス供給バル
ブ１２を介して供給されている。

【００５１】また、中央部ノズル５２には、無水ふっ酸
ガス供給源３０からの無水ふっ酸ガスが流量制御装置３
１および無水ふっ酸ガス供給バルブ３２を介して供給さ
れており、キャリアガスとしての窒素ガスが、窒素ガス
供給源１０から流量制御装置１５および窒素ガス供給バ
ルブ１６を介して供給されている。ウエハＷの周縁部に
対してエッチング処理を行うときには、回転駆動機構３
によってスピンチャック１を回転させるとともに、ヒー
タ４に通電してウエハＷの周縁部を所定温度（たとえ
ば、５０℃〜１６０℃。この実施形態では、約６０℃）
に加熱する。この状態で、無水ふっ酸ガス供給バルブ３
２、オゾンガス供給バルブ２２、水蒸気供給バルブ４
２、および窒素ガス供給バルブ１２，１６が開かれる。
これにより、ウエハＷの周縁部には、周縁部ノズル５１
から、水蒸気、オゾンガスおよび窒素ガス（キャリアガ
ス）の混合ガスが供給される。その一方で、ウエハＷの
中央部には、中央部ノズル５２から無水ふっ酸ガスおよ
び窒素ガス（キャリアガス）の混合ガスが供給される。

【００５２】ウエハＷの中央部に供給された無水ふっ酸
ガスおよび窒素ガスの混合ガスは、ウエハＷの中央から
周縁部に向かう気流を形成して、ウエハＷの周縁部へと
導かれる。その結果、ウエハＷの表面の周縁部では、無
水ふっ酸ガスおよび水蒸気が関与する気相エッチング処
理が進行することになる。すなわち、ウエハＷの周縁部
の表層部が、オゾンガスによる酸化作用によって酸化さ
れ、こうして生成された酸化物が、無水ふっ酸ガスおよ
び水蒸気が関与する気相エッチング処理によってエッチ
ング除去されることになる。

【００５３】ウエハＷの中央領域には、無水ふっ酸ガス
が導かれているものの、ウエハＷの中央部から周縁部に
向かう気流のために、周縁部ノズル５１から吐出される
水蒸気は、ウエハＷの中央領域に到達することができ
ず、ウエハＷの周縁部にのみ供給される。したがって、
ウエハＷの中央領域には、水分が存在しないので、エッ
チング処理が進行することはない。また、ウエハＷがス
ピンチャック１とともに回転することによって、周縁部
ノズル５１は、ウエハＷに対して、その外形に沿って相
対移動することになるから、ウエハＷの周縁部に対し
て、その全周にわたって均一なエッチング処理を施すこ
とができる。

【００５４】その他、第２の実施形態の場合と同様な効
果を奏することができる。なお、オゾンガスは、周縁部
ノズル５１から供給するのではなく、中央部ノズル５２
から無水ふっ酸ガスとともに供給することとしてもよ
い。図５は、遮断板に周縁部ノズルおよび中央部ノズル
を一体化した構成例を示す図解的な断面図である。図５
(a)の構成例では、遮断板５はウエハＷとほぼ同じサイ
ズの円板状に形成されていて、中央部に中央部ノズル５
２が開口されているとともに、周縁部には周縁部ノズル
５１が、周方向に沿って間隔を開けて複数個配列して開
口されている。より具体的には、遮断板５は、肉厚に形
成されていて、その内部には、ガスや蒸気を流通させる
ための流通路５３が形成されている。この流通路５３
が、複数の周縁部ノズル５１と連通している。

【００５５】遮断板５の下面（ウエハＷに対向する面）
には、ウエハＷの表面から後退した凹所５５が中央領域
に形成されている。これにより、遮断板５は、その周縁
部のみがウエハＷの周縁部に近接するようになってい
て、凹所５５から遮断板５の周囲に向かう気流が確実に
形成されるようになっている。一方、図５(b)の構成例
では、凹所５５を覆うようにパンチングプレート状のシ
ャワーヘッド部５６が設けられている。これにより、ウ
エハＷの中央領域に向けて均一にガスまたは蒸気を供給
できるから、ウエハＷの外方に向かう気流をより確実に
形成できる。

【００５６】なお、この図５に示された構成は、上述の
第３および第４の実施形態に適用できる他、第１の実施
形態（図１）にも適用できる。すなわち、周縁部ノズル
５１を蒸気・ガス供給ノズルとして使用し、中央部ノズ
ル５２を窒素ガス供給ノズル１９として用いればよい。
さらに、図５に示された構成は、第２の実施形態（図
２）にも適用可能である。この場合には、周縁部ノズル
５１を、ガス供給ノズル６１および蒸気供給ノズル６２
として兼用するとともに、中央部ノズル５２を窒素ガス
供給ノズル１９として用いればよい。

【００５７】図６は、この発明の第５の実施形態に係る
基板周縁処理装置の構成を説明するための系統図であ
る。この図６において、上述の図４に示された各部に対
応する部分には、図４の場合と同一の参照符号を付して
示す。この基板周縁処理装置は、ウエハＷ表面の周縁部
に対してエッチング処理を施すことができるとともに、
ウエハＷの裏面全域に対しても同様なエッチング処理を
施すことができるようになっている。

【００５８】すなわち、ウエハＷを保持して回転させる
ためのスピンチャック１００は、ウエハＷの裏面に蒸気
またはガスを供給するための蒸気・ガス供給ノズル１０
１と、ウエハＷの裏面の周縁部を支持し、ウエハＷの裏
面に蒸気・ガスが流通する空間を確保する支持ピン１０
２とを備えている。蒸気・ガス供給ノズル１０１には、
無水ふっ酸ガス供給源３０からの無水ふっ酸ガスが流量
制御装置３３および無水ふっ酸ガス供給バルブ３４を介
して供給され、水蒸気供給源４０からの水蒸気が流量制
御装置４３および水蒸気供給バルブ４４を介して供給さ
れ、キャリアガスとしての窒素ガスが、窒素ガス供給源
１０から流量制御装置１７および窒素ガス供給バルブ１
８を介して供給されるようになっている。

【００５９】ウエハＷの表面の周縁部に対向する位置に
は、ウエハＷの周縁部を所定温度（たとえば、５０℃〜
１６０℃。この実施形態では、約６０℃）に加熱するた
めのヒータ４Ａ（たとえば、ランプヒータ）が配置され
ている。また、ウエハＷの裏面のほぼ全域を加熱するた
めに、スピンチャック１００には、ヒータ４Ｂが内蔵さ
れている。ウエハＷの表面の周縁部および裏面に対して
同時にエッチング処理を行うときには、回転駆動機構３
によってスピンチャック１を回転させるとともに、ヒー
タ４Ａ，４Ｂに通電してウエハＷの周縁部を所定温度に
加熱する。この状態で、無水ふっ酸ガス供給バルブ３
２，３４、オゾンガス供給バルブ２２、水蒸気供給バル
ブ４２，４４、および窒素ガス供給バルブ１２，１６，
１８が開かれる。

【００６０】これにより、ウエハＷの周縁部には、周縁
部ノズル５１から、水蒸気、オゾンガスおよび窒素ガス
（キャリアガス）の混合ガスが供給される。その一方
で、ウエハＷの中央部には、中央部ノズル５２から無水
ふっ酸ガスおよび窒素ガス（キャリアガス）の混合ガス
が供給される。ウエハＷの中央部に供給された無水ふっ
酸ガスおよび窒素ガスの混合ガスは、ウエハＷの中央か
ら周縁部に向かう気流を形成して、ウエハＷの周縁部へ
と導かれる。

【００６１】その結果、ウエハＷの表面の周縁部では、
無水ふっ酸ガスおよび水蒸気が関与する気相エッチング
処理が進行することになる。すなわち、ウエハＷの周縁
部の表層部が、オゾンガスによる酸化作用によって酸化
され、こうして生成された酸化物が、無水ふっ酸ガスお
よび水蒸気が関与する気相エッチング処理によってエッ
チング除去されることになる。ウエハＷの中央領域に
は、無水ふっ酸ガスが導かれているものの、ウエハＷの
中央部から周縁部に向かう気流のために、周縁部ノズル
５１から吐出される水蒸気は、ウエハＷの中央領域に到
達することができず、ウエハＷの周縁部にのみ供給され
る。したがって、ウエハＷの中央領域には、水分が存在
しないので、エッチング処理が進行することはない。

【００６２】また、ウエハＷがスピンチャック１ととも
に回転することによって、周縁部ノズル５１は、ウエハ
Ｗに対して、その外形に沿って相対移動することになる
から、ウエハＷの周縁部に対して、その全周にわたって
均一なエッチング処理を施すことができる。一方、ウエ
ハＷの裏面には、蒸気・ガス供給ノズル１０１から、無
水ふっ酸ガスおよび水蒸気が供給される。これによっ
て、ウエハＷの裏面の全域において、気相エッチング処
理が進行し、金属イオン等の不純物が除去されることに
なる。

【００６３】なお、ウエハＷの表面側を処理する構成と
して、第１、第２および第３の実施形態（図１，図２，
図３）と同様な構成を適用してもよい。第１の実施形態
と同様な構成を適用する場合には、ウエハＷの裏面側の
ノズル１０１には、ふっ酸蒸気を供給することとすれば
よい。また、ウエハの裏面側のノズル１０１に対して、
オゾンガスを併せて供給するようにしてもよい。

【００６４】図７は、図６に示された基板周縁処理装置
の具体的な構成例を説明するための図解的な断面図であ
る。遮断板５は、図５(b)の構成と同様になっていて、
周縁部ノズル５１および中央部ノズル５２が一体化され
た構成となっている。一方、スピンチャック１００側に
は、回転中心部においてウエハＷの裏面中央に対向する
ように開口した蒸気・ガス供給ノズル１０１が形成され
ていて、この蒸気・ガス供給ノズル１０１とウエハＷの
裏面との間に、パンチングプレート状のシャワーヘッド
部１０３が配置されている。

【００６５】スピンチャック１００の周囲は、回転軸２
に沿って鉛直方向に伸縮するベローズ１１０によって包
囲されていて、このベローズ１１０の上端のフランジ部
１１１は、遮断板５の周縁部の下面に密接できるように
なっている。これにより、ベローズ１１０の内部に、密
閉された処理室が形成されるようになっている。この処
理室内の雰囲気は、適当な排気設備によって排気される
ようになっている。以上、この発明の５つの実施形態に
ついて説明したが、この発明は他の形態で実施すること
もできる。たとえば、気相エッチング処理後のウエハＷ
を別のチャンバに搬送して、このウエハＷに対して物理
洗浄工程をさらに施してもよい。この場合、物理洗浄工
程は、スクラブブラシによってウエハＷの表面をブラシ
洗浄する工程であってもよいし、純水等の液体の作用に
よって基板表面の洗浄を行う液洗浄工程（たとえば水洗
工程）であってもよいし、超音波ノズルから超音波振動
が付与された純水をウエハＷの表面に供給する超音波洗
浄工程であってもよいし、二流体ノズル等から純水の微
小液滴をウエハＷの表面に噴霧する工程（ソフトスプレ
ー工程）であってもよい。このような物理洗浄工程を追
加することによって、気相エッチング処理後にウエハＷ
の不要物を完全に除去できる。

【００６６】また、上述の実施形態では、ふっ酸を用い
た気相エッチング処理について説明したが、気相エッチ
ング処理のために使用される薬液は、ふっ酸のほかに
も、硝酸、酢酸、塩酸、硫酸などの酸を含む薬液であっ
てもよい。また、気相エッチング処理のために使用され
る薬液は、アンモニア等のアルカリを含む薬液であって
もよい。さらに、これらの酸またはアルカリに、過酸化
水素水、オゾン等の酸化剤、またはメタノール等の有機
溶剤を加えた混合液であってもよい。

【００６７】また、上述の実施形態では、ケミカルガス
として無水ふっ酸を例にとったが、ケミカルガスとして
は、無水ふっ酸ガス、アンモニアガス、塩化水素ガス、
二酸化窒素ガス、およびＳＯ₃ガスのうちのいずれか１
つを含むガス、あるいはこれらのうちの２以上のガスの
混合ガスであってもよい。なお、ケミカルガスを含む蒸
気とは、ケミカルガスと水蒸気とが混合されたものであ
ってもよいし、ケミカルガスとメタノールなどの有機溶
剤の蒸気とが混合されたものであってもよく、また、こ
れらをさらに不活性ガスなどのキャリアガス中に混合さ
せたものであってもよい。

【００６８】また、上記の実施形態では、ウエハＷの温
度の調整をヒータを用いて行うこととしたが、たとえ
ば、ウエハＷに供給される窒素ガス、蒸気、およびケミ
カルガスのうちの少なくともいずれか１つの温度を調整
することによって、ウエハＷの温度調整を行うこともで
きる。その他、「課題を解決するための手段」の項で説
明したような変形が可能であり、さらに、特許請求の範
囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すこと
が可能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の第１の実施形態に係る基板周縁処理
装置の構成を説明するための系統図である。

【図２】この発明の第２の実施形態に係る基板周縁処理
装置の構成を説明するための系統図である。

【図３】この発明の第３の実施形態に係る基板周縁処理
装置の構成を説明するための系統図である。

【図４】この発明の第４の実施形態に係る基板周縁処理
装置の構成を説明するための系統図である。

【図５】遮断板に周縁部ノズルおよび中央部ノズルを一
体化した構成例を示す図解的な断面図である。

【図６】この発明の第５の実施形態に係る基板周縁処理
装置の構成を説明するための系統図である。

【図７】図６に示された基板周縁処理装置の具体的な構
成例を説明するための図解的な断面図である。

【符号の説明】

１スピンチャック３回転駆動機構４ヒータ４Ａヒータ４Ｂヒータ５遮断板６蒸気・ガス供給ノズル７ふっ酸蒸気発生容器８蒸気・ガス供給路９ふっ酸蒸気供給バルブ１０窒素ガス供給源１１流量制御装置１２窒素ガス供給バルブ１３流量制御装置１４窒素ガス供給バルブ１５流量制御装置１６窒素ガス供給バルブ１７流量制御装置１８窒素ガス供給バルブ１９窒素ガス供給ノズル２０オゾンガス供給源２１流量制御装置２２オゾンガス供給バルブ３０無水ふっ酸ガス供給源３１流量制御装置３２無水ふっ酸ガス供給バルブ３３流量制御装置３４無水ふっ酸ガス供給バルブ４０水蒸気供給源４１流量制御装置４２水蒸気供給バルブ４３流量制御装置４４水蒸気供給バルブ５１周縁部ノズル５２中央部ノズル５３流通路５６シャワーヘッド部６１ガス供給ノズル６２蒸気供給ノズル６２水蒸気供給ノズル１００スピンチャック１０１ノズル１０１蒸気・ガス供給ノズル１０２支持ピン１０３シャワーヘッド部１１０ベローズＷウエハ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者奥村剛京都府京都市上京区堀川通寺之内上る４丁目天神北町１番地の１大日本スクリーン製造株式会社内Ｆターム(参考） 5F043 AA07 AA21 AA31 AA37 DD30

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板の周縁部の不要物を除去するための基
板周縁処理装置であって、基板を保持する基板保持機構と、上記基板の周縁部に薬液を含む蒸気またはケミカルガス
を含む蒸気を供給する蒸気供給ノズルと、基板の外周に沿って上記蒸気供給ノズルからの蒸気が供
給されるように、上記基板保持機構で保持された基板と
上記蒸気供給ノズルとを相対的に移動させる相対移動機
構とを含むことを特徴とする基板周縁処理装置。
【請求項２】基板の周縁部の不要物を除去するための基
板周縁処理装置であって、基板を保持する基板保持機構と、上記基板の周縁部にケミカルガスを供給するガス供給ノ
ズルと、上記基板の周縁部の上記ガス供給ノズルによるケミカル
ガスの供給位置の近傍に水分を含む蒸気を供給する水蒸
気供給ノズルと、上記基板の外周に沿って上記ガス供給ノズルからのケミ
カルガスおよび上記水蒸気供給ノズルからの蒸気が供給
されるように、上記基板保持機構で保持された基板と上
記ガス供給ノズルおよび上記水蒸気供給ノズルとを相対
的に移動させる相対移動機構とを含むことを特徴とする
基板周縁処理装置。
【請求項３】基板の周縁部の不要物を除去するための基
板周縁処理装置であって、基板を保持する基板保持機構と、上記基板の周縁部にケミカルガスを供給するガス供給ノ
ズルと、上記基板の中央領域に水分を含む蒸気を供給する水蒸気
供給ノズルと、基板の外周に沿って上記ガス供給ノズルからのケミカル
ガスが供給されるように、上記基板保持機構で保持され
た基板と上記ガス供給ノズルとを相対的に移動させる相
対移動機構とを含むことを特徴とする基板周縁処理装
置。
【請求項４】基板の周縁部の不要物を除去するための基
板周縁処理装置であって、基板を保持する基板保持機構と、上記基板の周縁部に水分を含む蒸気を供給する水蒸気供
給ノズルと、上記基板の中央領域にケミカルガスを供給するガス供給
ノズルと、基板の外周に沿って上記水蒸気供給ノズルからの蒸気が
供給されるように、上記基板保持機構で保持された基板
と上記水蒸気供給ノズルとを相対的に移動させる相対移
動機構とを含むことを特徴とする基板周縁処理装置。
【請求項５】上記基板保持機構に保持された基板の中央
領域に不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段をさら
に含むことを特徴とする請求項１または２記載の基板周
縁処理装置。
【請求項６】上記基板保持機構に保持された基板表面の
近傍に位置し、処理中の基板の中央領域を覆う遮断板を
さらに含むことを特徴とする請求項１ないし５のいずれ
かに記載の基板周縁処理装置。
【請求項７】基板の裏面全域に薬液を含む蒸気またはケ
ミカルガスを含む蒸気を供給する裏面蒸気供給ノズルを
さらに含むことを特徴とする請求項１ないし６のいずれ
かに記載の基板周縁処理装置。
【請求項８】上記基板保持機構に保持された基板の少な
くとも周縁部を加熱する加熱手段をさらに含むことを特
徴とする請求項１ないし７のいずれかに記載の基板周縁
処理装置。
【請求項９】上記基板保持機構に保持された基板の周縁
部にオゾンガスを供給するオゾン供給手段をさらに含む
ことを特徴とする請求項１ないし８のいずれかに記載の
基板周縁処理装置。
【請求項１０】基板の周縁部の不要物を除去するための
基板周縁処理方法であって、薬液を含む蒸気またはケミカルガスを含む蒸気を供給す
る蒸気供給ノズルから基板の周縁部に蒸気を供給する蒸
気供給工程と、基板の外周に沿って上記蒸気供給ノズルからの蒸気が供
給されるように、上記基板と上記蒸気供給ノズルとを相
対的に移動させる相対移動工程とを含むことを特徴とす
る基板周縁処理方法。
【請求項１１】基板の周縁部の不要物を除去するための
基板周縁処理方法であって、ケミカルガスを供給するガス供給ノズルから、基板の周
縁部にケミカルガスを供給するケミカルガス供給工程
と、水分を含む蒸気を供給する水蒸気供給ノズルから、上記
基板の周縁部の上記ガス供給ノズルによるケミカルガス
の供給位置の近傍に蒸気を供給する蒸気供給工程と、上記基板の外周に沿って上記ガス供給ノズルからのケミ
カルガスおよび上記水蒸気供給ノズルからの蒸気が供給
されるように、上記基板と上記ガス供給ノズルおよび上
記水蒸気供給ノズルとを相対的に移動させる相対移動工
程とを含むことを特徴とする基板周縁処理方法。
【請求項１２】基板の周縁部の不要物を除去するための
基板周縁処理方法であって、ケミカルガスを供給するガス供給ノズルから基板の周縁
部にケミカルガスを供給するケミカルガス供給工程と、水分を含む蒸気を供給する水蒸気供給ノズルから、上記
基板の中央領域に蒸気を供給する蒸気供給工程と、基板の外周に沿って上記ガス供給ノズルからのケミカル
ガスが供給されるように、上記基板と上記ガス供給ノズ
ルとを相対的に移動させる相対移動工程とを含むことを
特徴とする基板周縁処理方法。
【請求項１３】基板の周縁部の不要物を除去するための
基板周縁処理方法であって、水分を含む蒸気を供給する水蒸気供給ノズルから基板の
周縁部に蒸気を供給する蒸気供給工程と、ケミカルガスを供給するガス供給ノズルから、上記基板
の中央領域にケミカルガスを供給するケミカルガス供給
工程と、基板の外周に沿って上記水蒸気供給ノズルからの蒸気が
供給されるように、上記基板と上記水蒸気供給ノズルと
を相対的に移動させる相対移動工程とを含むことを特徴
とする基板周縁処理方法。