JP2005538570A - ガラス状材料からなる平面基板の構造化方法 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 196
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 119
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 89
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 99
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 claims abstract description 35
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 66
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 66
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 64
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 48
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 23
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 22
- 238000005496 tempering Methods 0.000 claims description 21
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 16
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 9
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims description 7
- 230000009467 reduction Effects 0.000 claims description 7
- 238000003801 milling Methods 0.000 claims description 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 claims description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 claims description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 3
- 238000005304 joining Methods 0.000 claims description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 3
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010432 diamond Substances 0.000 claims description 2
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 2
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 claims description 2
- 238000003672 processing method Methods 0.000 claims description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000003631 wet chemical etching Methods 0.000 claims description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 68
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 69
- 230000008569 process Effects 0.000 description 22
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 12
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 11
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 8
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 6
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 6
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 6
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 5
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 4
- RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N Acetaminophen Chemical compound CC(=O)NC1=CC=C(O)C=C1 RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 3
- 230000009969 flowable effect Effects 0.000 description 3
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 239000005297 pyrex Substances 0.000 description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 3
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000005352 borofloat Substances 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- -1 oxygen ions Chemical class 0.000 description 2
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 238000010923 batch production Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 239000012777 electrically insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000003487 electrochemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 238000009776 industrial production Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000011031 large-scale manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000010297 mechanical methods and process Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 description 1
- 238000006748 scratching Methods 0.000 description 1
- 230000002393 scratching effect Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 230000000638 stimulation Effects 0.000 description 1
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000002604 ultrasonography Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
- B81C1/00436—Shaping materials, i.e. techniques for structuring the substrate or the layers on the substrate
- B81C1/00555—Achieving a desired geometry, i.e. controlling etch rates, anisotropy or selectivity
- B81C1/00611—Processes for the planarisation of structures
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B19/00—Other methods of shaping glass
- C03B19/02—Other methods of shaping glass by casting molten glass, e.g. injection moulding
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B23/00—Re-forming shaped glass
- C03B23/02—Re-forming glass sheets
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C2201/00—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems
- B81C2201/01—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems in or on a substrate
- B81C2201/0101—Shaping material; Structuring the bulk substrate or layers on the substrate; Film patterning
- B81C2201/0118—Processes for the planarization of structures
- B81C2201/0126—Processes for the planarization of structures not provided for in B81C2201/0119 - B81C2201/0125
Abstract
Description
電気的な原因:たとえば、小容量性信号または高周波数信号の場合、信号損失を減少させるため、電気導通管路は、端部を介した接触よりも直列抵抗が低く、散乱容量が少なく、および誘導率が小さくなる。
これらの用途に適する構造は、図1fおよび図1gによる構造である。シリコンウェハ上の熱絶縁区域は、熱センサ、たとえば、サーモパイル、ボロメータ、および、焦電センサにおいて特に必要である。これらのタイプのセンサの場合、従来は、確実に熱絶縁するためにチップ中またはチップ上に膜構造を作製していた。しかし、安定性の故に、これらのセンサは大きい機械的応力を伴う用途には適していない。
この場合、図1fまたは図1gによる構造を使用することができる。可能な用途としては、たとえば、特殊形状の光コリメータまたは狭い開口を有するコリメータアレイの用途がある。
この場合も、図1fまたは図1gによる構造を使用することができる。具体的には、高周波受動部品(たとえば、誘導部品(inductivities))または高品質MEMS部品をガラス区域上に配置することができる。純シリコン基板上では、基板中の損失のため、高品質が実現できない。
Claims (39)
- ガラス状材料からなる平面基板の構造化方法であって、
半導体材料からなる半導体平面基板を準備するステップと、
減厚表面平面領域に対して盛上った表面領域を形成するために、前記半導体平面基板の少なくとも1つの表面領域の内部で前記半導体平面基板の厚を削減するステップと、
前記盛上った表面領域内部に陥凹部を配置するために局所的、機械的な材料除去により前記半導体平面基板の前記盛上った表面領域を構造化するステップと、
前記半導体平面基板の前記構造化表面に、前記ガラス状平面基板が前記減厚表面平面領域の少なくとも一部分を覆うような方法で前記ガラス状平面基板を接合するステップと、
前記接合した平面基板を、真空条件で行う第1焼き戻し段階で、前記減厚表面領域を覆う前記ガラス状平面基板が前記減厚表面領域と液密な接合を形成し、前記平面基板が真空条件下で液密なかたちで前記陥凹部を覆うような方法で焼き戻し、第2焼き戻し段階で、前記ガラス状材料の少なくとも一部分の区域が、前記半導体平面基板の前記構造化表面の前記陥凹部内に流れるような方法で焼き戻すステップという方法ステップの組合せを特徴とする方法。 - ガラス状材料からなる平面基板の構造化方法であって、
半導体材料からなる半導体平面基板を準備するステップと、
減厚表面平面領域に対して盛上った表面領域を形成するために、前記半導体平面基板の少なくとも1つの表面領域の内部で前記半導体平面基板の厚を削減するステップと、
前記盛上った表面領域内部に陥凹部を配置するために局所的、機械的な材料除去により前記半導体平面基板の前記盛上った表面領域を構造化するステップと、
前記構造化済みの盛上った表面領域上に構造的に共形に金属層を堆積させるステップと、
前記構造化済みの金属化表面に、前記ガラス状平面基板が前記減厚表面平面領域の少なくとも一部分を覆うような方法で前記ガラス状平面基板を接合するステップと、
前記接合した平面基板を、真空条件で行う第1焼き戻し段階で、前記減厚表面領域を覆う前記ガラス状平面基板が前記減厚表面領域と液密な接合を形成し、前記平面基板が真空条件下で液密なかたちで前記陥凹部を覆うような方法で焼き戻し、第2焼き戻し段階で、前記ガラス状材料の少なくとも一部分の区域が、前記半導体平面基板の前記構造化済みの金属化表面の前記陥凹部内に流れるような方法で焼き戻すステップという方法ステップの組合せを特徴とする方法。 - 前記厚削減が前記半導体平面基板の端部領域で実施される、請求項1または2のいずれかに記載の方法。
- 前記厚削減が、前記盛上った表面領域が境界区域によって制限され、前記減厚端部領域によって少なくとも部分的に囲まれるような方法で実施される、請求項3に記載の方法。
- 前記厚削減が、湿式化学エッチング法または機械的な材料処理方法を用いて実施される、請求項3または4のいずれかに記載の方法。
- 前記半導体平面基板の前記盛上った表面領域の前記構造化が、最大で前記減厚表面領域の平面まで延びる構造深さの陥凹部が、除去工具を用いて前記盛上った表面領域内部に加工されるような方法の局所的、機械的な材料除去手段によって行われる、請求項1ないし5のいずれか一項に記載の方法。
- 前記除去工具としてソーイング、研削、またはミリング工具が使用される、請求項1ないし6のいずれか一項に記載の方法。
- 前記除去工具が、材料の選択的除去のために、前記除去工具が前記表面領域中の前記減厚表面領域の表面の上を横方向に移動するような方法で前記半導体表面基板に対して移動される、請求項6または7のいずれか一項に記載の方法。
- 前記材料除去によって、前記盛上った表面領域内に直線的または曲線的に走る陥凹チャネルがもたらされる、請求項1ないし8のいずれか一項に記載の方法。
- 前記陥凹チャネルが、前記盛上った表面領域の表面に向かって開放され、前記盛上った表面領域の横方向の境界壁を貫通して突き出る、請求項9に記載の方法。
- 前記半導体平面基板への前記構造化平面基板の接合ステップが陽極接合または熱接合を用いて行われる、請求項1ないし10のいずれか一項に記載の方法。
- 前記第2焼き戻し段階の際に、前記半導体平面基板から離れて対峙している前記ガラス状基板の表面に作用する常圧条件または高圧条件が優勢になる、請求項1ないし11のいずれか一項に記載の方法。
- 前記焼き戻しステップが、前記ガラス状材料が前記陥凹部を完全に充填したとき前記半導体平面基板中の前記陥凹部内に前記ガラス状材料が流れるのを停止するような方法で温度および継続時間を制御することによって実施される、請求項1ないし12のいずれか一項に記載の方法。
- 前記焼き戻しステップの直後に、2次元的な材料除去が、前記ガラス状平面基板が前記半導体平面基板の前記構造化表面と面一で隣接する表面を持つような方法で実施される、請求項1ないし13のいずれか一項に記載の方法。
- 前記陥凹部内に流れる前記ガラス状材料の少なくとも一部分の区域が覆われなくなるまで、前記ガラス状平面基板に接合した表面に対峙する前記半導体平面基板の表面から半導体材料が除去され、前記一部分の区域は前記半導体平面基板の前記表面と面一である、請求項1ないし14のいずれか一項に記載の方法。
- 前記半導体材料が、前記ガラス状平面基板から分離される、請求項1および3ないし15のいずれか一項に記載の方法。
- 前記半導体平面基板からの前記ガラス状平面基板の前記分離が、前記半導体材料をエッチングして離す方法によって行われる、請求項16に記載の方法。
- 前記2枚の平面基板の分離が、前記2枚の平面基板間に分離層を設けることによって行われる、請求項16に記載の方法。
- 前記分離層が、前記2枚の平面基板を接合する前に構造を保持するかたちで前記半導体平面基板の構造化表面上に付けられ、熱および/または化学反応により破壊され、前記2枚の基板を分離可能な犠牲層として設計される、請求項18に記載の方法。
- 前記基板の融点未満の融点を有する金属層が前記分離層として使用される、請求項18または19のいずれかに記載の方法。
- 酸素および/または熱エネルギーを加えることで化学的に変化する酸化可能な層が、前記分離層として使用される、請求項18または19のいずれかに記載の方法。
- カーボン層、ダイアモンド層、ダイアモンド状層、またはSiCが、前記分離層として使用される、請求項18または19のいずれかに記載の方法。
- 前記2枚の平面基板を互いに分離した後で、前記平面基板を貫通する前記穿孔を保持するために前記ガラス状平面基板が機械仕上げされる、請求項16ないし22のいずれか一項に記載の方法。
- 前記穿孔が電気伝導材料で充填される、請求項23に記載の方法。
- 前記構造化済みの盛上った表面領域上に構造的に共形に前記金属層を堆積させる前に、前記半導体平面基板と前記金属層の間の反応を防ぐために、保護層が前記半導体平面基板上に堆積される、請求項2ないし15のいずれか一項に記載の方法。
- 前記構造化済みの金属化表面に前記ガラス状平面基板を接合する前に、前記金属化表面の区域の少なくとも一部分が除去される、請求項2ないし15または25のいずれか一項に記載の方法。
- 前記ガラス状材料および前記半導体材料がほとんど同じ熱膨張係数を有する、請求項1ないし26のいずれか一項に記載の方法。
- ガラス状材料からなる前記平面基板がホウケイ酸ガラスである、請求項1ないし27のいずれか一項に記載の方法。
- 前記半導体平面基板がシリコン基板である、請求項1ないし28のいずれか一項に記載の方法。
- 熱SiO2が前記保護層として堆積される、請求項25および29に記載の方法。
- 前記半導体平面基板の前記構造化が、マイクロメートルおよび/またはサブマイクロメートル領域の構造寸法の陥凹部をもたらす、請求項1ないし30のいずれか一項に記載の方法。
- 前記陥凹部のアスペクト比(高さまたは深さ:幅)が10:1である、請求項1ないし31のいずれか一項に記載の方法。
- 前記ガラス状平面基板が、電気伝導材料が内部に設けられた穿孔によって基板表面に垂直に貫通される、請求項1ないし32のいずれか一項に記載の方法に従って製造された、ガラス状平面基板。
- 前記電気伝導材料で充填された穿孔がアレイ状に構成される、請求項33に記載のガラス状平面基板。
- 微小電子部品または微小機械部品を製造するための、請求項33または34のいずれかに記載の前記ガラス状平面基板の使用。
- ガラス状材料で貫通された半導体平面基板を製造するための、請求項1ないし15、または、25ないし32のいずれか一項に記載の方法の使用。
- 前記半導体平面基板に、電気的および/または熱的絶縁の目的、あるいは光透過性の理由で少なくとも一部分が前記シリコンウェハを貫通するガラス状材料の区域が設けられた、請求項36に従って製造される半導体平面基板。
- 少なくとも一部分が前記シリコンウェハを貫通するガラス状材料の前記区域が少なくとも1つの半導体領域を囲み、金属層が少なくとも前記囲まれた半導体領域とガラス状材料の前記区域との間に設けられる、請求項36または請求項37のいずれかに記載の半導体平面基板。
- 前記囲まれた半導体領域が、それぞれが前記半導体領域を囲む前記金属層と接触している電極構造で両側をそれぞれ覆われた、請求項38に記載の半導体平面基板。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE2002141390 DE10241390B3 (de) | 2001-04-14 | 2002-09-06 | Verfahren zur Strukturierung eines aus glasartigem Material bestehenden Flächensubstrats, glasartiges Flächensubstrat und Verwendung des glasartigen Flächensubstrats |
PCT/EP2003/009328 WO2004030057A1 (de) | 2002-09-06 | 2003-08-22 | Verfahren zur strukturierung eines aus glasartigem material bestehenden flächensubstrats |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005538570A true JP2005538570A (ja) | 2005-12-15 |
JP4528124B2 JP4528124B2 (ja) | 2010-08-18 |
Family
ID=32038152
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004538829A Expired - Lifetime JP4528124B2 (ja) | 2002-09-06 | 2003-08-22 | 平面基板構造化方法、平面基板製造方法、部品を電気的に接触させる方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7259080B2 (ja) |
EP (1) | EP1535315B1 (ja) |
JP (1) | JP4528124B2 (ja) |
AT (1) | ATE489725T1 (ja) |
DE (1) | DE50313283D1 (ja) |
WO (1) | WO2004030057A1 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005317801A (ja) * | 2004-04-28 | 2005-11-10 | Japan Science & Technology Agency | 薄膜素子形成法 |
JP2006270098A (ja) * | 2005-03-24 | 2006-10-05 | Memsic Inc | 集積回路用ウエハレベルパッケージ |
JP2013508254A (ja) * | 2009-10-19 | 2013-03-07 | ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ ミシガン | ガラス基板に物質を埋め込む方法 |
KR101246714B1 (ko) | 2011-04-01 | 2013-03-25 | 한국에너지기술연구원 | 투과형 고압 마이크로 채널 반응장치 |
Families Citing this family (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2002073684A1 (de) * | 2001-03-14 | 2002-09-19 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren zur strukturierung eines aus glasartigen material bestehenden flächensubstrats |
US20070292127A1 (en) * | 2006-06-19 | 2007-12-20 | Jochen Kuhmann | Small form factor camera module with lens barrel and image sensor |
US7402905B2 (en) * | 2006-08-07 | 2008-07-22 | Honeywell International Inc. | Methods of fabrication of wafer-level vacuum packaged devices |
WO2008077821A2 (de) * | 2006-12-21 | 2008-07-03 | Continental Teves Ag & Co. Ohg | Verkapselungsmodul, verfahren zu dessen herstellung und verwendung |
DE102007002725A1 (de) * | 2007-01-18 | 2008-07-31 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Gehäuse für in mobilen Anwendungen eingesetzte mikromechanische und mikrooptische Bauelemente |
US8043891B2 (en) * | 2009-06-05 | 2011-10-25 | Shanghai Lexvu Opto Microelectronics Technology Co., Ltd. | Method of encapsulating a wafer level microdevice |
US8261428B2 (en) * | 2009-11-25 | 2012-09-11 | National Tsing Hua University | Method for assembling a 3-dimensional microelectrode structure |
US8207453B2 (en) * | 2009-12-17 | 2012-06-26 | Intel Corporation | Glass core substrate for integrated circuit devices and methods of making the same |
US9420707B2 (en) * | 2009-12-17 | 2016-08-16 | Intel Corporation | Substrate for integrated circuit devices including multi-layer glass core and methods of making the same |
EP2377809A1 (en) * | 2010-04-16 | 2011-10-19 | SensoNor Technologies AS | Method for Manufacturing a Hermetically Sealed Structure |
TW201246501A (en) * | 2011-01-27 | 2012-11-16 | Panasonic Corp | Substrate with though electrode and method for producing same |
DE102011110166A1 (de) * | 2011-08-12 | 2013-02-14 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren zum Strukturieren eines aus glasartigem Material bestehenden Flächensubstrats sowie optisches Bauelement |
US9045332B2 (en) | 2011-11-29 | 2015-06-02 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Thin back glass interconnect |
WO2013133827A1 (en) | 2012-03-07 | 2013-09-12 | Intel Corporation | Glass clad microelectronic substrate |
US9001520B2 (en) | 2012-09-24 | 2015-04-07 | Intel Corporation | Microelectronic structures having laminated or embedded glass routing structures for high density packaging |
US9615453B2 (en) | 2012-09-26 | 2017-04-04 | Ping-Jung Yang | Method for fabricating glass substrate package |
US10622310B2 (en) | 2012-09-26 | 2020-04-14 | Ping-Jung Yang | Method for fabricating glass substrate package |
SE537869C2 (sv) | 2012-11-01 | 2015-11-03 | Silex Microsystems Ab | Substratgenomgående vior |
EP3041783B1 (en) * | 2013-09-03 | 2018-04-11 | Cavendish Kinetics, Inc. | Method of forming planar sacrificial material in a mems device |
DE102014202220B3 (de) | 2013-12-03 | 2015-05-13 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren zur Herstellung eines Deckelsubstrats und gehäustes strahlungsemittierendes Bauelement |
DE112016003737T5 (de) * | 2015-08-18 | 2018-05-03 | Mitsubishi Electric Corporation | Halbleitervorrichtung |
CN106312460B (zh) * | 2016-09-27 | 2018-05-11 | 北京航天新风机械设备有限责任公司 | 平面度小于0.2mm的碳纤维镁基复合材料薄板加工方法 |
US10189700B2 (en) * | 2016-09-28 | 2019-01-29 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of Nasa | Integrated circuit (IC) chip with a self-contained fluid sensor and method of making the chip |
US11309177B2 (en) * | 2018-11-06 | 2022-04-19 | Stmicroelectronics S.R.L. | Apparatus and method for manufacturing a wafer |
IT201900015416A1 (it) | 2019-09-03 | 2021-03-03 | St Microelectronics Srl | Apparecchio per la crescita di una fetta di materiale semiconduttore, in particolare di carburo di silicio, e procedimento di fabbricazione associato |
CN110577186A (zh) * | 2019-09-12 | 2019-12-17 | 南通大学 | 一种mems红外探测器三维封装结构及其制作方法 |
KR20220166850A (ko) | 2020-06-28 | 2022-12-19 | 리서치 인스티튜트 오브 칭화 유니버시티 인 선전 | 미세구조를 갖는 원자레벨의 평활소자 및 그 제조방법 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06120633A (ja) * | 1992-10-02 | 1994-04-28 | Hitachi Ltd | セラミック配線基板 |
JP2000074768A (ja) * | 1998-08-31 | 2000-03-14 | Akebono Brake Ind Co Ltd | 静電容量型圧力センサ及びその製造方法 |
JP2001129800A (ja) * | 1999-11-04 | 2001-05-15 | Japan Science & Technology Corp | フィードスルー付き基板とその製造方法 |
JP2002043468A (ja) * | 2000-07-27 | 2002-02-08 | Fujitsu Ltd | 表裏導通基板及びその製造方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2241233A (en) * | 1990-02-21 | 1991-08-28 | Martin Harnett | Method of producing perforated glass |
FR2741357B1 (fr) * | 1995-11-22 | 1998-01-16 | Corning Inc | Procede de fabrication d'une plaquette de support d'un reseau bidimensionnel de micropuits, notamment pour essais ou cultures biologiques |
WO1999001893A2 (de) * | 1997-06-30 | 1999-01-14 | MAX-PLANCK-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V. | Verfahren zur herstellung von schichtartigen gebilden auf einem substrat, substrat sowie mittels des verfahrens hergestellte halbleiterbauelemente |
DE19956654B4 (de) | 1999-11-25 | 2005-04-21 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren zur Strukturierung von Oberflächen von mikromechanischen und/oder mikrooptischen Bauelementen und/oder Funktionselementen aus glasartigen Materialien |
WO2002073684A1 (de) * | 2001-03-14 | 2002-09-19 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren zur strukturierung eines aus glasartigen material bestehenden flächensubstrats |
-
2003
- 2003-08-22 DE DE50313283T patent/DE50313283D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2003-08-22 EP EP03775135A patent/EP1535315B1/de not_active Expired - Lifetime
- 2003-08-22 JP JP2004538829A patent/JP4528124B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2003-08-22 WO PCT/EP2003/009328 patent/WO2004030057A1/de active Application Filing
- 2003-08-22 US US10/526,962 patent/US7259080B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-08-22 AT AT03775135T patent/ATE489725T1/de active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06120633A (ja) * | 1992-10-02 | 1994-04-28 | Hitachi Ltd | セラミック配線基板 |
JP2000074768A (ja) * | 1998-08-31 | 2000-03-14 | Akebono Brake Ind Co Ltd | 静電容量型圧力センサ及びその製造方法 |
JP2001129800A (ja) * | 1999-11-04 | 2001-05-15 | Japan Science & Technology Corp | フィードスルー付き基板とその製造方法 |
JP2002043468A (ja) * | 2000-07-27 | 2002-02-08 | Fujitsu Ltd | 表裏導通基板及びその製造方法 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005317801A (ja) * | 2004-04-28 | 2005-11-10 | Japan Science & Technology Agency | 薄膜素子形成法 |
JP2006270098A (ja) * | 2005-03-24 | 2006-10-05 | Memsic Inc | 集積回路用ウエハレベルパッケージ |
JP2013508254A (ja) * | 2009-10-19 | 2013-03-07 | ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ ミシガン | ガラス基板に物質を埋め込む方法 |
KR101246714B1 (ko) | 2011-04-01 | 2013-03-25 | 한국에너지기술연구원 | 투과형 고압 마이크로 채널 반응장치 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7259080B2 (en) | 2007-08-21 |
EP1535315A1 (de) | 2005-06-01 |
WO2004030057A1 (de) | 2004-04-08 |
DE50313283D1 (de) | 2011-01-05 |
EP1535315B1 (de) | 2010-11-24 |
ATE489725T1 (de) | 2010-12-15 |
US20060110893A1 (en) | 2006-05-25 |
JP4528124B2 (ja) | 2010-08-18 |
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EXPY | Cancellation because of completion of term |