JP2005536792A - 改良された撮像表面を有するtft検出装置 - Google Patents
改良された撮像表面を有するtft検出装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005536792A JP2005536792A JP2004529900A JP2004529900A JP2005536792A JP 2005536792 A JP2005536792 A JP 2005536792A JP 2004529900 A JP2004529900 A JP 2004529900A JP 2004529900 A JP2004529900 A JP 2004529900A JP 2005536792 A JP2005536792 A JP 2005536792A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- detection device
- light
- switch
- transistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000001514 detection method Methods 0.000 title claims abstract description 97
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 43
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 32
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims abstract description 7
- 230000004044 response Effects 0.000 claims abstract description 6
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 claims description 24
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 8
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 5
- 239000000835 fiber Substances 0.000 claims description 3
- 230000023077 detection of light stimulus Effects 0.000 claims 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 111
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 17
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000013095 identification testing Methods 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. phototransistors
- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H01L31/112—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by field-effect operation, e.g. junction field-effect phototransistor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06V—IMAGE OR VIDEO RECOGNITION OR UNDERSTANDING
- G06V40/00—Recognition of biometric, human-related or animal-related patterns in image or video data
- G06V40/10—Human or animal bodies, e.g. vehicle occupants or pedestrians; Body parts, e.g. hands
- G06V40/12—Fingerprints or palmprints
- G06V40/13—Sensors therefor
- G06V40/1306—Sensors therefor non-optical, e.g. ultrasonic or capacitive sensing
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06V—IMAGE OR VIDEO RECOGNITION OR UNDERSTANDING
- G06V40/00—Recognition of biometric, human-related or animal-related patterns in image or video data
- G06V40/10—Human or animal bodies, e.g. vehicle occupants or pedestrians; Body parts, e.g. hands
- G06V40/12—Fingerprints or palmprints
- G06V40/13—Sensors therefor
- G06V40/1318—Sensors therefor using electro-optical elements or layers, e.g. electroluminescent sensing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14678—Contact-type imagers
Abstract
所定の光量の検出に応答して電気を伝導する感光層を有する光検出トランジスタと、光検出トランジスタに相互接続され、かつ光検出トランジスタによる光検出に応答するスイッチ113とを有する、画像取込検出装置100が開示される。ガラス基板111は、光検出トランジスタおよびスイッチの両方の上に層状に重ねられる。ガラス基板は、耐久性および平滑表面を提供し、ガラス基板上に、撮像されるべきパターン化された対象物が置かれる。
Description
(関連出願の相互参照)
本出願は、2002年8月21日出願の米国仮特許出願第60/405,604号の優先権を主張する。
本出願は、2002年8月21日出願の米国仮特許出願第60/405,604号の優先権を主張する。
本発明は、一般に、指紋などのパターン化された対象物の撮像に関する。さらに詳細には、本発明は、薄膜トランジスタを含むパターン化された対象物取込検出装置(patterned object capture sensor)に関する。
当業者には知られているように、指紋認証は、コンピュータ、アクセス管理システム、銀行業務システムなどのシステムへのアクセス権限を承認するための技術の一種である。指紋認証システムは、一般に、2つの方式に分類される。すなわち、レンズおよびプリズムを利用する光方式システムと、半導体または薄膜トランジスタ(TFT)を利用しレンズを使用しない、非光方式システムの2つに分類される。TFT指紋取込装置は、a−Si:Hの光電感度を利用する一種の接触型画像検出装置であり、比較的薄い構造体であるために高い光電感度を有する。
図1は、指紋取込検出装置の構造を示す。図1は、従来の指紋取込検出装置の単位セルを示す垂直断面図である。図1は、識別検査を実現する装置およびソフトウェアとともに使用される、指紋を撮像するのに利用できる、従来の薄膜トランジスタ(TFT)画像獲得検出装置を示している。このような画像獲得装置は、本明細書にその全体を参照して組み込まれる、2001年12月10日出願の同時係属の米国特許出願第10/014,290号において開示される。図1は、従来の指紋取込検出装置の単位セルを示す断面図である。指紋取込検出装置10においては、光検知ユニット12およびスイッチィングユニット13は、透明基板11に水平方向に配置される。透明基板の下で、バックライト(図示せず)が、指紋取込検出装置10を透過する光を上方に照射する。光検知ユニット12のソース電極12−S、およびスイッチングユニット13のドレイン電極13−Dは、第1の電極14を介して相互に電気的に接続される。光検知ユニット12のゲート電極12−Gは、第2の電極15に接続される。
前述の構造においては、アモルファスシリコン(a−Si:H)などの感光層12−Pは、光検知ユニット12のドレイン電極12−Dとソース電極12−Sとの間に形成される。このとき、所定量より多い光が受光されると、ドレイン電極12−Dおよびソース電極12−Sに電流が流れる。図2は、検出装置10が、どのように作用して指紋20の隆起22を取込むかを示す。透明基板の下のバックライトから発生する光24は、指紋パターンで反射され、光検知ユニット12の感光層12−Pで受光されて、光検知ユニット12内を流れる電流を発生させる。図1を再度参照すると、ドレイン電極12−Dからソース電極12−Sにわたる上部表面は、光遮断層13−shで覆われており、このため外部光は、スイッチングユニット13で受光できない。好ましくは、絶縁層17は、第1の電極14の上に形成され、パッシベーション層18は、絶縁層17の上に形成される。保護層18は、シリコン−窒化物(SiNx)から形成でき、取込検出装置10残り部分に電気的および物理的な保護を提供する。当業者には理解されるように、取込検出装置10などの取込検出装置のアレイを形成することにより、指紋全体を撮像することができる。
ただし、取込検出装置10に関しては、パッシベーション層18は、検出装置10の度重なる繰返し使用に耐えるほど十分な耐久性は無いことがある。さらに、パッシベーション層18の表面を比較的平滑にするのは困難である。さらに、パッシベーション層18の表面の不規則性は、検出装置10が獲得する指紋画像にひずみを生じる可能性がある。
本発明による画像取込検出装置は、その上に撮像される対象物が置かれるガラス層を有する。背景技術の部分で述べたパッシベーション層と異なり、ガラス層は、かなりの耐久性を備えるのに十分なだけの厚さで形成でき、従来技術のパッシベーション層に比べてより平滑にできる。したがって、本発明による画像取込検出装置は、所定の光量の検出に応答して電気を伝導する感光層を含む光検出トランンジスタと、光検出トランジスタに相互接続され、かつ光検出トランジスタによる光検出に応答するスイッチとを含む。ガラス基板は、光検出トランジスタおよびスイッチの両方の上に層状に重ねられる。ガラス基板は、撮像されるべきパターン化された対象物が置かれる表面を形成する。
本発明の別の態様においては、ガラス基板は、光ファイバストランドを含み、ガラス基板をより厚くでき、それによって、好適に耐久性を増す。
図3は、本発明による画像取込検出装置を示す。取込検出装置100は、SiNxで形成されることができるパッシベーション層118を有する。パッシベーション層118の上面には、第1の電極115を含む蓄積キャパシタ層が形成される。好ましくはこの蓄積キャパシタ層は、導電性の透明なインジウム酸化錫(ITO)で形成される。第1の電極115の上面には、絶縁層117が、好ましくはSiNxで形成される。絶縁層117の上には、第2の電極114が、好ましくは酸化錫で形成される。第1の電極115、絶縁層117、および第2の電極114は、一体となって蓄積キャパシタを形成する。第2の電極114上には、SiNxで形成できる別の絶縁層116が形成される。ガラス層111の1つの層は、絶縁層116上に置かれる。撮像される指紋は、本明細書では撮像表面と称するガラス層111上に置かれる。
好ましくは薄膜トランジスタである光検知ユニット112、および好ましくは同じく薄膜トランジスタであるスイッチィングユニット113は、パッシベーション層118上に水平方向に配置される。パッシベーション層118の下では、バックライト120が、指紋取込検出装置100を透過する光を上方に照射する。図3に示すように、バックライト120は、パッシベーション層118の下側の露出面から分離されている。ただし、バックライト120は、パッシベーション層118の下側面に接触させて置くことも考えられる。バックライト120は、LEDまたは当技術分野で知られている他のどのような種類の光源であってもよい。光検知ユニット112のソース電極112−S、およびスイッチングユニット113のドレイン電極113−Dは、第2の電極114を介して電気的に接続される。光検知ユニット112のゲート電極112−Gは、第1の電極115に接続される。さらに、第1の光遮断層113−shが、スイッチングユニット113の絶縁層117とパッシベーション層118との間に置かれる。以下に詳細に述べるように、第1の光遮断層113−shは、バックライト120からの光を遮断して、光がスイッチングユニット113に達するのを防止する。さらに、第2の光遮断層122が、スイッチングユニット113のガラス層111と絶縁層116との間に置かれ、ガラス層111を透過する光またはガラス層111から反射する光から、スイッチングユニット113を遮断する。
前述の構造においては、アモルファスシリコン(a−Si:H)などの感光層112−Pは、光検知ユニット112のドレイン電極112−Dとソース電極112−Sとの間に形成される。当技術分野では知られているように、感光層112−Pは、感光層112−Pの層の表面に入射する所定の光の量に応答して電気を伝導することを可能にする。このように、所定量より多い光が、感光層112−Pの表面で受光されると、ドレイン電極112−Dとソース電極112−Sを通り電流が流れる。
図4aおよび図4bは、前述の検出装置100の動作を示す。図4aは、ガラス層111に接して置かれた指紋130を示す。図4bは、図4aの一部の詳細図であり、検出装置100のガラス層111に接して置かれた指紋130aの単一隆起を示す。パッシベーション層118の下のバックライト120から発生する光150は、指紋の隆起130aで反射され、光検知ユニット112の感光層112−Pで受光され、この結果、光検知ユニット112に流れる電気が発生する。光検知ユニット112のゲート電極112−Gは、光源120から放射される直接光150を遮断して、光が、検知ユニット112の下側面を通りこの光検知ユニットに達するのを防止するのに役立つ。さらに前述のように、ドレイン電極113−Dからソース電極113−Sへのスイッチングユニット113の部分は、光遮断層113−shで覆われており、このため外部光は、スイッチングユニット113で受光できない。
光検知ユニット112の感光層112−Pにより電流が流れることを可能にされると、この電流は、電極114を通過して、スイッチングユニット113のドレイン電極113−Dに流れ込む。これによりスイッチングユニット113が作動され、その結果、指紋隆起の部分が、指紋検出装置アレイ(図示せず)の検出装置100位置の上にあることを示す。指紋の谷が検出装置100位置の上にある場合、バックライト120からの入射光は、隆起が検出装置100位置の上にある場合に比べて著しく少ない程度で、検出装置100に戻る方向に反射される。したがって、感光層112−Pは、スイッチングユニット113を作動するだけの電流を流し始めるのに十分な光量を受光しない。このように、画像取込検出装置100などの画像取込検出装置のアレイを利用して、このようなアレイの撮像表面に置かれた指紋の隆起および谷の輪郭を決定できる。
前述のように、比較的耐久性に優れたガラス表面は、取込検出装置100の撮像表面として用いられる。このように比較的高い程度の保護は、取込検出装置100の残り部分に提供される。さらに、ガラス撮像表面は、比較的平滑であるため、取り込む画像にひずみを比較的ほとんど発生させない。さらに、本発明による取込検出装置の表面への追加のコーティングは、必要としない。
再度図3を参照すると、取込検出装置100を作製する方法において、蒸着、スパッタリング、または任意の別の方法によって、第2の光遮断層122が最初にガラス層111上に置かれる。好ましくは、ガラス層111は、約5μmから10μmであるが、これより厚いかまたは薄くてもよい。好ましくは、光遮断層122は、アルミニウムなどの金属で形成されるが、任意の適切な光遮断材料で形成してもよい。次に、絶縁層116が、ガラス層111および第2の光遮断層122の上面に形成される。前述のように、好ましくは、絶縁層116はSiNxで形成される。次に、感光層112−Pが、絶縁層116の上に形成される。前述のように、感光層112−Pは、好ましくはa−Si:Hで形成される。次に、光検知ユニット112のソース電極112−D、第2の電極114、およびスイッチングユニット113のドレイン電極113−Dが、絶縁層116の上に形成される。好ましくは、ソース電極112−D、第2の電極114、およびドレイン電極113−Dは、それぞれITOで形成されるが、任意の別の適切な導体で形成することもできる。次に、絶縁層117が形成され、この絶縁層117上に第1の電極115が形成される。好ましくは、絶縁層117はSiNxで形成され、また好ましくは、第1の電極115はITOで形成されるが、任意の適切な導体で形成することもできる。次に、光検知ユニット112のゲート電極112−Gおよび光遮断層113−shが、形成される。好ましくは、ゲート電極112−Gおよび光遮断層113−shは、それぞれITOで形成されるが、任意の適切な材料で形成することもできる。光遮断層113−shは、必ずしもゲート電極112−Gと同一材料で形成する必要はない。次に、SiNxで形成するのが望ましいパッシベーション層18が、第1の電極115、ゲート電極112−G、および光遮断層113−shの上に形成される。前述のように、バックライト120は、パッシベーション層118の下側の露出面に取り付けられるか、または知られている方法で別個に支持される。
図5は、本発明による画像取込検出装置の第2の実施形態を示す。画像取込検出装置200は、取込検出装置100とほぼ同一構造を有するが、異なる点は、導電性ITO層230が、ガラス層211の下に置かれ、SiNxで形成されることができる絶縁層232が、ITO層230の下に置かれる点である。ITO層230は導電性であるため、ガラス層211上に蓄積される静電荷は、知られている方法でITO層をグラウンドに接続することにより放電できる。これは、取込検出装置200へのダメージを防止するのに有利である。画像取込検出装置200は、画像取込検出装置100とほぼ同一方法で作製できるが、異なる点は、ITO層230がガラス層211の上に形成され、絶縁層232が、ITO層230に上に形成された後に、絶縁層232上に光遮断層222が形成される点である。
図6は、本発明による画像取込検出装置の第3の実施形態を示す。画像取込検出装置300は、画像取込検出装置100とほぼ同一の構造である。詳細には、取込検出装置300は、光検知ユニット112とほぼ同一の光検知ユニット312と、スイッチングユニット113とほぼ同一で、絶縁層316とパッシベーション層318との間に形成されるスイッチングユニット313とを含む。ただし、絶縁層316の上で、取込検出装置300が、基板層330の表面に垂直な方向に延びる、複数の光ファイバストランド330aを有する基板層330を含む。好ましくは、基板層330を形成する光ファイバストランド330aの直径は、約4μmから8μmであり、さらに好ましくは、約6μmであるが、これ以上またはこれ以下の直径を使用することもできる。基板層330は、ガラス光ファイバストランド330a、またはポリマーを含む他のほぼ透明な材料の光ファイバストランドで形成できる。基板層330を形成するのに利用できる光ファイバシートは、当技術分野で知られており、例えば、マサチューセッツ州サウスブリッジのスコットファイバオプティック社(Schott Fiber Optics of Southbridge MA)から入手できる。
動作においては、図6に示されるように、撮像される指紋隆起322を含む指紋320は、光ファイバ層330の露出表面上に置かれる。取込検出装置100のバックライト120とほぼ同一にできるバックライト320からの入射光は、光ファイバ層330内に入り、矢印340に示すように光ファイバ層330を直接透過するか、または矢印342に示すように光ファイバストランド330aの側面からの内部全反射(TIR)を受けることにより、光ファイバ層330を透過する。いずれにせよ、バックライト320からの入射光が、指紋隆起322を照射する場合、入射光は、散乱して光ファイバ層330を通り直接戻るか、矢印344に示すように、TIRを受けて戻り、光検知ユニット312の感光層312−Pに達する。指紋隆起322から散乱された光は、内部全反射を受けることにより、光ファイバ層330を透過できるため、光ファイバ層330は、取込検出装置300の性能を低下させることなく、ガラス層111などのガラス層より相対的に厚くできる。したがって、好ましくは、光ファイバ層は、0.8mmから1.0mmであるが、これより厚くてもまたは薄くてもよい。前述のように、光ファイバ層は比較的厚くできるため、光ファイバ層330などの光ファイバ層は、画像取込検出装置300などの画像取込検出装置に対して、比較的より良好な保護を提供できる。画像取込検出装置300は、画像取込検出装置100とほぼ同一方法で作製できるが、異なる点は、ガラス層111の代わりに光ファイバ層330が使用される点である。ガラス取込検出装置200のガラス層211を、光ファイバ層330などの光ファイバ層に交換することも考えられる。
Claims (19)
- 画像取込検出装置であって、
所定の光量の検出に応答して電気を伝導する感光層を含む光検出トランジスタと、
光検出トランジスタに相互接続され、かつ光検出トランジスタによる光の検出に応答するスイッチと、
光検出トランジスタおよびスイッチの上に層状に重ねられるガラス基板とを含み、ガラス基板上に、撮像されるべきパターン化された対象物が置かれる、画像取込検出装置。 - 光検出トランジスタおよびスイッチを相互接続するキャパシタをさらに含む、請求項1に記載の装置。
- スイッチがトランジスタスイッチである、請求項2に記載の装置。
- 感光層の第1の表面が露光される光量を減少させる第1の光遮断層を含む、請求項3に記載の装置。
- ガラス基板が、光ファイバ層の表面に垂直に形成される光ファイバストランドを有する光ファイバ層を含み、該光ファイバ層の上に、撮像されるべき対象物が置かれる、請求項4に記載の装置。
- 撮像されるべき対象物が指紋である、請求項5に記載の装置。
- バックライトを含み、該バックライトは、光検出トランジスタおよびスイッチがガラス基板とバックライトとの間に配置されるように配置される、請求項6に記載の装置。
- 導電層および絶縁層を有し、導電層および絶縁層の両方が、ガラス基板と光検知トランジスタとの間にあるように、導電層がガラス基板上に形成され、かつ絶縁層が導電層の上に形成される、請求項4に記載の装置。
- 撮像されるべき対象物が指紋である、請求項7に記載の装置。
- パターン化された対象物を撮像する方法であって、
画像取込検出装置を設けることを含み、該画像取込検出装置が、
所定の光量の検出に応答して電気を伝導する感光層を含む光検出トランジスタと、
光検出トランジスタに相互接続され、かつ光検出トランジスタによる光の検出に応答するスイッチと、
光検出トランジスタおよびスイッチの上に層状に重ねられるガラス基板とを有し、パターン化された対象物を撮像する方法がさらに、
撮像されるべき対象物をガラス基板上に置くことを含む、方法。 - 撮像されるべき対象物をガラス基板上に置くことが、撮像されるべき指紋をガラス基板上に置くことを含む、請求項10に記載の方法。
- 画像取込検出装置を設けることが、光ファイバストランドを含むガラス基板を有する画像取込検出装置を設けることを含む、請求項11に記載の方法。
- 画像取込検出装置を設けることが、ガラス基板上に形成される導電層および導電層の上に形成される絶縁層とを有する、画像取込検出装置を設けることを含む、請求項11に記載の方法。
- 画像取込検出装置であって、
所定の光量の検出に応答して電気を伝導する感光層を含む光検出トランジスタと、
光検出トランジスタに相互接続され、かつ光検出トランジスタによる光の検出に応答するスイッチと、
光検出トランジスタおよびスイッチの上に層状に重ねられる基板とを含み、基板上に、撮像されるべきパターン化された対象物が置かれ、基板が、光ファイバストランドを有する、画像取込検出装置。 - 光検出トランジスタおよびスイッチを相互接続するキャパシタをさらに含む、請求項14に記載の装置。
- スイッチがトランジスタスイッチである、請求項15に記載の装置。
- 感光層の第1の表面が露光される光量を減少させる第1の光遮断層を有する、請求項16に記載の装置。
- 光ファイバストランドが基板の表面に垂直方向に形成される、請求項17に記載の装置。
- 撮像されるべき対象物が指紋である、請求項18に記載の装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US40560402P | 2002-08-21 | 2002-08-21 | |
PCT/US2003/026428 WO2004019382A2 (en) | 2002-08-21 | 2003-08-21 | Tft sensor having improved imaging surface |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005536792A true JP2005536792A (ja) | 2005-12-02 |
Family
ID=31946904
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004529900A Pending JP2005536792A (ja) | 2002-08-21 | 2003-08-21 | 改良された撮像表面を有するtft検出装置 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20050157914A1 (ja) |
JP (1) | JP2005536792A (ja) |
KR (1) | KR20050038024A (ja) |
CN (1) | CN100341022C (ja) |
AU (1) | AU2003265621A1 (ja) |
HK (1) | HK1075727A1 (ja) |
TW (1) | TW200415523A (ja) |
WO (1) | WO2004019382A2 (ja) |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100432490B1 (ko) | 2001-09-17 | 2004-05-22 | (주)니트 젠 | 광학식 지문취득 장치 |
KR100722570B1 (ko) | 2004-03-26 | 2007-05-28 | 가시오게산키 가부시키가이샤 | 화상판독장치, 화상판독장치를 구비한 화상판독시스템 |
US20060102974A1 (en) * | 2004-11-12 | 2006-05-18 | Chen Neng C | Contact image capturing structure |
CN101285975B (zh) * | 2008-06-06 | 2010-06-23 | 友达光电股份有限公司 | 光感测单元及具此光感测单元的像素结构与液晶显示面板 |
CN104408434B (zh) * | 2014-12-03 | 2018-07-03 | 南昌欧菲生物识别技术有限公司 | 指纹感测装置以及电子设备 |
CN105809098A (zh) * | 2014-12-31 | 2016-07-27 | 上海箩箕技术有限公司 | 移动终端 |
CN105989350B (zh) * | 2015-03-05 | 2019-11-22 | 上海箩箕技术有限公司 | 像素单元、结构、结构阵列、读出电路及控制方法 |
US9934418B2 (en) | 2015-12-03 | 2018-04-03 | Synaptics Incorporated | Display integrated optical fingerprint sensor with angle limiting reflector |
US10176355B2 (en) * | 2015-12-03 | 2019-01-08 | Synaptics Incorporated | Optical sensor for integration in a display |
US10169630B2 (en) | 2015-12-03 | 2019-01-01 | Synaptics Incorporated | Optical sensor for integration over a display backplane |
KR20170112359A (ko) * | 2016-03-31 | 2017-10-12 | 주식회사 뷰웍스 | 티에프티 패널 타입 지문 인식 센서 |
CN105807521A (zh) * | 2016-05-24 | 2016-07-27 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板、显示面板和显示装置 |
CN106023330A (zh) * | 2016-05-27 | 2016-10-12 | 赵敏 | 新型打卡机 |
CN109148540B (zh) * | 2018-08-30 | 2021-04-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled显示面板及显示装置 |
Family Cites Families (105)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US53228A (en) * | 1866-03-13 | Self and alexandeb p | ||
US163601A (en) * | 1875-05-25 | Improvement in game and other boards | ||
US27188A (en) * | 1860-02-14 | Improvement in plows | ||
US3383657A (en) * | 1965-05-28 | 1968-05-14 | Ibm | Personnel security system having personally carried card with fingerprint identification |
US4003656A (en) * | 1973-05-10 | 1977-01-18 | Stephen Richard Leventhal | Fingerprint scanning device |
US3864042A (en) * | 1973-05-10 | 1975-02-04 | Stephen Richard Leventhal | Fingerprint scanning system |
US3873970A (en) * | 1973-07-25 | 1975-03-25 | Sperry Rand Corp | Fingerprint identification apparatus |
US3865488A (en) * | 1973-11-30 | 1975-02-11 | Rca Corp | Fingerprint display system utilizing a stored fingerprint |
US3882462A (en) * | 1974-01-30 | 1975-05-06 | Sperry Rand Corp | Fingerprint recognition apparatus using non-coherent optical processing |
US3947128A (en) * | 1974-04-19 | 1976-03-30 | Zvi Weinberger | Pattern comparison |
US4025898A (en) * | 1975-04-28 | 1977-05-24 | Lew Shaw | Recording representations of disrupted space patterns |
US4135147A (en) * | 1976-09-10 | 1979-01-16 | Rockwell International Corporation | Minutiae pattern matcher |
US4138057A (en) * | 1977-07-08 | 1979-02-06 | Atalla Technovations | Card, system and method for securing user identification data |
US4140272A (en) * | 1977-08-15 | 1979-02-20 | Atalla Technovations | Optical card, system and method for securing personal identification data |
US4322163A (en) * | 1977-10-25 | 1982-03-30 | Fingermatrix Inc. | Finger identification |
CA1087735A (en) * | 1978-07-28 | 1980-10-14 | Szymon Szwarcbier | Process and apparatus for positive identification of customers |
US4246568A (en) * | 1978-12-08 | 1981-01-20 | Peterson Vernon L | Apparatus and method of personal identification by fingerprint comparison |
US4258994A (en) * | 1979-08-03 | 1981-03-31 | Task Harry L | High contrast optical fingerprint recorder |
US4428670A (en) * | 1980-08-11 | 1984-01-31 | Siemens Corporation | Fingerprint sensing device for deriving an electric signal |
US4385831A (en) * | 1980-09-22 | 1983-05-31 | Siemens Corporation | Device for investigation of a finger relief |
US4835376A (en) * | 1981-02-27 | 1989-05-30 | Drexler Technology Corporation | Laser read/write system for personal information card |
US4745268A (en) * | 1981-02-27 | 1988-05-17 | Drexler Technology Corporation | Personal information card system |
SE425704B (sv) * | 1981-03-18 | 1982-10-25 | Loefberg Bo | Databerare |
US4429413A (en) * | 1981-07-30 | 1984-01-31 | Siemens Corporation | Fingerprint sensor |
US4569080A (en) * | 1982-07-09 | 1986-02-04 | Fingermatrix, Inc. | Fingerprint image refinement |
US4832485A (en) * | 1982-09-03 | 1989-05-23 | Commonwealth Technology, Inc. | Image enhancer |
US4577345A (en) * | 1984-04-05 | 1986-03-18 | Igor Abramov | Fingerprint sensor |
EP0171939B1 (en) * | 1984-07-18 | 1990-04-18 | Nec Corporation | Image input device |
US4728186A (en) * | 1985-03-03 | 1988-03-01 | Fujitsu Limited | Uneven-surface data detection apparatus |
US4668995A (en) * | 1985-04-12 | 1987-05-26 | International Business Machines Corporation | System for reproducing mixed images |
US4636622A (en) * | 1985-05-06 | 1987-01-13 | Clark Clement P | Card user identification system |
US4729128A (en) * | 1985-06-10 | 1988-03-01 | Grimes Marvin G | Personal identification card system |
ATE64484T1 (de) * | 1986-05-06 | 1991-06-15 | Siemens Ag | Anordnung und verfahren zur ermittelung der berechtigung von personen durch ueberpruefen ihrer fingerabdruecke. |
JPS6316659A (ja) * | 1986-07-09 | 1988-01-23 | Fuji Photo Film Co Ltd | 固体撮像装置 |
JPH01145785A (ja) * | 1987-08-21 | 1989-06-07 | Nec Corp | 表面形状計測方法および装置 |
US4932776A (en) * | 1987-11-05 | 1990-06-12 | Fingerprint Technology, Inc. | Fingerprint acquisition system |
FI893028A (fi) * | 1988-06-23 | 1989-12-24 | Fujitsu Ltd | Anordning foer avkaenning av data fraon en ojaemn yta. |
US4925300A (en) * | 1988-08-02 | 1990-05-15 | Rachlin Daniel J | Optical fingerprint imaging device |
US5200634A (en) * | 1988-09-30 | 1993-04-06 | Hitachi, Ltd. | Thin film phototransistor and photosensor array using the same |
CA2003131C (en) * | 1988-11-25 | 1998-06-23 | Seigo Igaki | Biological object detection apparatus |
US5193855A (en) * | 1989-01-25 | 1993-03-16 | Shamos Morris H | Patient and healthcare provider identification system |
US4983415A (en) * | 1989-07-21 | 1991-01-08 | Identicator Corporation | Method of making permanent images on recording surface having a thermosensitive color-developing layer thereon |
US5095194A (en) * | 1989-10-12 | 1992-03-10 | Joseph Barbanell | Holographic credit card with automatical authentication and verification |
KR930005570B1 (ko) * | 1989-11-13 | 1993-06-23 | 주식회사 금성사 | 홀로그램(hologram)을 이용한 지문인식장치 |
US5177802A (en) * | 1990-03-07 | 1993-01-05 | Sharp Kabushiki Kaisha | Fingerprint input apparatus |
US5103486A (en) * | 1990-04-19 | 1992-04-07 | Grippi Victor J | Fingerprint/signature synthesis |
KR920007329B1 (ko) * | 1990-05-30 | 1992-08-31 | 금성사 주식회사 | 지문인식기용 광학장치 |
US5187748A (en) * | 1990-07-21 | 1993-02-16 | Goldstar, Inc. | Optical apparatus for fingerprint identification system |
US5177353A (en) * | 1990-07-31 | 1993-01-05 | Retrievex, Inc. | Finger surface image enhancement having liquid layer on finger touching surface of the plate |
JP2547022Y2 (ja) * | 1990-10-12 | 1997-09-03 | 株式会社アドバンテスト | Ic試験装置 |
KR930001001Y1 (ko) * | 1990-11-17 | 1993-03-02 | 주식회사 금성사 | 지문 인식장치 |
US5619586A (en) * | 1990-12-20 | 1997-04-08 | Thorn Emi Plc | Method and apparatus for producing a directly viewable image of a fingerprint |
FI93583C (fi) * | 1991-09-18 | 1995-04-25 | Janesko Oy | Prisma |
US5729334A (en) * | 1992-03-10 | 1998-03-17 | Van Ruyven; Lodewijk Johan | Fraud-proof identification system |
US5280527A (en) * | 1992-04-14 | 1994-01-18 | Kamahira Safe Co., Inc. | Biometric token for authorizing access to a host system |
US5400662A (en) * | 1992-04-17 | 1995-03-28 | Enix Corporation | Matrix type surface pressure distribution detecting element |
US5214699A (en) * | 1992-06-09 | 1993-05-25 | Audio Digital Imaging Inc. | System for decoding and displaying personalized indentification stored on memory storage device |
EP0593386A3 (en) * | 1992-10-16 | 1996-07-31 | Ibm | Method and apparatus for accessing touch screen desktop objects via fingerprint recognition |
US5559504A (en) * | 1993-01-08 | 1996-09-24 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Surface shape sensor, identification device using this sensor, and protected system using this device |
DE4310390C2 (de) * | 1993-03-30 | 1995-03-16 | Topping Best Ltd | Ultraschallabbildungsvorrichtung zur Erfassung und/oder Identifikation von Oberflächenstrukturen und oberflächennahen Strukturen |
JP2759309B2 (ja) * | 1993-04-21 | 1998-05-28 | 株式会社松村エレクトロニクス | 指紋照合方法 |
DE4421243A1 (de) * | 1993-06-21 | 1994-12-22 | Asahi Optical Co Ltd | Einrichtung zur Eingabe eines Fingerabdrucks |
US5420937A (en) * | 1993-09-01 | 1995-05-30 | The Phoenix Group, Inc. | Fingerprint information extraction by twin tracker border line analysis |
US5416573A (en) * | 1993-09-10 | 1995-05-16 | Indentix Incorporated | Apparatus for producing fingerprint images which are substantially free of artifacts attributable to moisture on the finger being imaged |
US5485312A (en) * | 1993-09-14 | 1996-01-16 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Optical pattern recognition system and method for verifying the authenticity of a person, product or thing |
JP2557795B2 (ja) * | 1993-10-08 | 1996-11-27 | 株式会社エニックス | アクティブマトリクス型面圧入力パネル |
JP2557796B2 (ja) * | 1993-10-19 | 1996-11-27 | 株式会社エニックス | 圧電型面圧入力パネル |
GB9323489D0 (en) * | 1993-11-08 | 1994-01-05 | Ncr Int Inc | Self-service business system |
US5623552A (en) * | 1994-01-21 | 1997-04-22 | Cardguard International, Inc. | Self-authenticating identification card with fingerprint identification |
JP3012138B2 (ja) * | 1994-02-04 | 2000-02-21 | 富士通株式会社 | 凹凸面読み取り装置 |
US5598474A (en) * | 1994-03-29 | 1997-01-28 | Neldon P Johnson | Process for encrypting a fingerprint onto an I.D. card |
US5509083A (en) * | 1994-06-15 | 1996-04-16 | Nooral S. Abtahi | Method and apparatus for confirming the identity of an individual presenting an identification card |
US5435608A (en) * | 1994-06-17 | 1995-07-25 | General Electric Company | Radiation imager with common passivation dielectric for gate electrode and photosensor |
US5737420A (en) * | 1994-09-07 | 1998-04-07 | Mytec Technologies Inc. | Method for secure data transmission between remote stations |
US5712912A (en) * | 1995-07-28 | 1998-01-27 | Mytec Technologies Inc. | Method and apparatus for securely handling a personal identification number or cryptographic key using biometric techniques |
US5732148A (en) * | 1994-09-16 | 1998-03-24 | Keagy; John Martin | Apparatus and method for electronically acquiring fingerprint images with low cost removable platen and separate imaging device |
US5596454A (en) * | 1994-10-28 | 1997-01-21 | The National Registry, Inc. | Uneven surface image transfer apparatus |
US5513272A (en) * | 1994-12-05 | 1996-04-30 | Wizards, Llc | System for verifying use of a credit/identification card including recording of physical attributes of unauthorized users |
US5625448A (en) * | 1995-03-16 | 1997-04-29 | Printrak International, Inc. | Fingerprint imaging |
US5629764A (en) * | 1995-07-07 | 1997-05-13 | Advanced Precision Technology, Inc. | Prism fingerprint sensor using a holographic optical element |
US5740276A (en) * | 1995-07-27 | 1998-04-14 | Mytec Technologies Inc. | Holographic method for encrypting and decrypting information using a fingerprint |
US5708497A (en) * | 1995-08-15 | 1998-01-13 | Nec Corporation | Fingerprint image input apparatus and method of producing the same |
CA2156236C (en) * | 1995-08-16 | 1999-07-20 | Stephen J. Borza | Biometrically secured control system for preventing the unauthorized use of a vehicle |
HU214533B (hu) * | 1995-10-06 | 1998-03-30 | Dermo Corporation Ltd. | Detektor ujj élő jellegének felismerésére |
US5603179A (en) * | 1995-10-11 | 1997-02-18 | Adams; Heiko B. | Safety trigger |
US5907627A (en) * | 1995-11-06 | 1999-05-25 | Dew Engineering And Development Limited | Contact imaging device |
US5721583A (en) * | 1995-11-27 | 1998-02-24 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Interactive television system for implementing electronic polling or providing user-requested services based on identification of users or of remote control apparatuses which are employed by respective users to communicate with the system |
US5956415A (en) * | 1996-01-26 | 1999-09-21 | Harris Corporation | Enhanced security fingerprint sensor package and related methods |
US5859420A (en) * | 1996-02-12 | 1999-01-12 | Dew Engineering And Development Limited | Optical imaging device |
US5875025A (en) * | 1996-07-15 | 1999-02-23 | Hamamatsu Photonics K.K. | Image input apparatus |
US5736734A (en) * | 1996-08-12 | 1998-04-07 | Fingermatrix, Inc. | Liquid platen fingerprint image enhancement |
US5737071A (en) * | 1996-08-16 | 1998-04-07 | Identicator Corporation | Method and apparatus for enhancing live-scan fingerprint reader images |
US5869822A (en) * | 1996-10-04 | 1999-02-09 | Meadows, Ii; Dexter L. | Automated fingerprint identification system |
US5737439A (en) * | 1996-10-29 | 1998-04-07 | Smarttouch, Llc. | Anti-fraud biometric scanner that accurately detects blood flow |
US6185319B1 (en) * | 1996-12-06 | 2001-02-06 | Yamatake Honeywell Co., Ltd. | Fingerprint input apparatus |
US6044128A (en) * | 1997-02-04 | 2000-03-28 | Kabushiki Kaisha Toshiba | X-ray imaging apparatus and X-ray imaging analysis apparatus |
JPH10289304A (ja) * | 1997-02-12 | 1998-10-27 | Nec Corp | 指紋画像入力装置 |
US5895936A (en) * | 1997-07-09 | 1999-04-20 | Direct Radiography Co. | Image capture device using a secondary electrode |
US6025599A (en) * | 1997-12-09 | 2000-02-15 | Direct Radiography Corp. | Image capture element |
US5879454A (en) * | 1998-07-15 | 1999-03-09 | Aetex Biometric Corporation | Finger-moistening means for fingerprint recognizing apparatus |
JP2000047189A (ja) * | 1998-07-28 | 2000-02-18 | Sharp Corp | 液晶表示素子 |
US6381347B1 (en) * | 1998-11-12 | 2002-04-30 | Secugen | High contrast, low distortion optical acquistion system for image capturing |
KR100341462B1 (ko) * | 1999-12-18 | 2002-06-21 | 안준영 | 지문인식기가 내장된 정보단말기 |
JP2002013993A (ja) * | 2000-04-25 | 2002-01-18 | Sony Corp | アクティブマトリクス回路及びその駆動方法と面圧力分布検出装置 |
KR100383920B1 (ko) * | 2000-09-01 | 2003-05-14 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 박막트랜지스터형 광센서 |
-
2003
- 2003-08-21 WO PCT/US2003/026428 patent/WO2004019382A2/en active Application Filing
- 2003-08-21 CN CNB038197715A patent/CN100341022C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2003-08-21 US US10/646,655 patent/US20050157914A1/en not_active Abandoned
- 2003-08-21 JP JP2004529900A patent/JP2005536792A/ja active Pending
- 2003-08-21 KR KR1020057002955A patent/KR20050038024A/ko not_active Application Discontinuation
- 2003-08-21 TW TW092123034A patent/TW200415523A/zh unknown
- 2003-08-21 AU AU2003265621A patent/AU2003265621A1/en not_active Abandoned
-
2005
- 2005-11-10 HK HK05110056A patent/HK1075727A1/xx not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1675651A (zh) | 2005-09-28 |
KR20050038024A (ko) | 2005-04-25 |
TW200415523A (en) | 2004-08-16 |
AU2003265621A8 (en) | 2004-03-11 |
WO2004019382A3 (en) | 2004-06-17 |
WO2004019382A8 (en) | 2004-05-06 |
US20050157914A1 (en) | 2005-07-21 |
WO2004019382A2 (en) | 2004-03-04 |
AU2003265621A1 (en) | 2004-03-11 |
CN100341022C (zh) | 2007-10-03 |
WO2004019382A9 (en) | 2004-08-05 |
HK1075727A1 (en) | 2005-12-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9536129B2 (en) | Fingerprint sensors | |
CN107103307B (zh) | 触控面板和显示装置 | |
CN105095872B (zh) | 一种基板及其制备方法、指纹识别传感器、指纹识别装置 | |
US8649001B2 (en) | Substrate for fingerprint contact | |
JP2005536792A (ja) | 改良された撮像表面を有するtft検出装置 | |
KR101981730B1 (ko) | 비-이미징 접촉 센서들에 대한 주변광 조명 | |
KR100436376B1 (ko) | 접촉발광소자와 tft 지문입력기를 이용한 슬림형지문인식장치 | |
KR102406943B1 (ko) | 광학 이미지 센서 및 그를 구비한 표시장치 | |
WO2020172876A1 (zh) | 光学图像采集单元、光学图像采集系统和电子设备 | |
KR102515292B1 (ko) | 박막 평판형 광학 이미지 센서 및 광학 이미지 센서 내장형 평판 표시장치 | |
KR20180115235A (ko) | 신체 부분의 임프린트를 캡처하는 장치 | |
US20020054394A1 (en) | Reading apparatus for reading fingerprint | |
CN204808361U (zh) | 一种基板、指纹识别传感器、指纹识别装置 | |
JP2007117397A (ja) | 生体センサー | |
CN111414830A (zh) | 指纹检测装置、触控面板和电子设备 | |
JP4479024B2 (ja) | 撮像装置 | |
WO2002061667A1 (en) | Thin film transistor type fingerprint acquisition device whose light sensing part has light shield layer thereon | |
KR20180122509A (ko) | 광학식 이미지 인식 센서를 구비한 평판 표시장치 | |
WO2019218752A1 (zh) | 纹路识别组件及其制备方法、显示装置 | |
KR100605032B1 (ko) | 지문 인식 장치 및 그 제조 방법 | |
JP2005319294A (ja) | 指紋入力装置 | |
KR101396452B1 (ko) | 광학식 지문센서 | |
US11676417B2 (en) | Method of detecting spoof fingerprints using an optical fingerprint sensor and polarization | |
KR20220079018A (ko) | 센서 및 이를 포함하는 센서 장치 | |
KR200352637Y1 (ko) | 박막 트랜지스터형 이미지 센서를 이용한 지문인식장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060811 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090714 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20100202 |