JP2005535753A - フォトレジストとして有用な縮合4員環状炭素を有する多環式基を有するフッ素化ポリマーおよび微細平版印刷のための方法 - Google Patents
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Abstract
Description
(a)エチレン性不飽和炭素原子に共有結合された少なくとも1個のフッ素原子を有するエチレン性不飽和化合物から誘導される少なくとも1個の反復単位と、
(b)構造
R1、R2、R3およびR4は、独立して、H、OR5、ハロゲン、ハロゲンまたはエーテル酸素で任意選択的に置換された1〜10個の炭素原子を有するアルキルまたはアルコキシ、Y、C(Rf)(Rf’)OR5、R6YまたはOR6Yであり、
Yは、COZまたはSO2Zであり、
R5は、水素または酸に不安定な保護基であり、
RfおよびRf’は、1〜10個の炭素原子を有する同じかまたは異なるフルオロアルキル基であるか、あるいは合一して(CF2)m(式中、mは2〜10)であり、
R6は、ハロゲンまたはエーテル酸素で任意選択的に置換された1〜20個の炭素原子を有するアルキレン基であり、
Zは、OH、ハロゲンまたはOR7であり、
R7は、1〜20個の炭素原子を有するアルキル基であるが、但し、R1、R2、R3およびR4の少なくとも1個が、OR5、Y、C(Rf)(Rf’)OR5、R6YまたはOR6Yであることを条件とし、そしてR1(またはR3)がOHである場合、R2(またはR4)がOHでもハロゲンでもないことを条件とする)
を有するエチレン性不飽和化合物から誘導される少なくとも1個の反復単位と
を含むことを特徴とするフッ素含有ポリマーを提供する。
(1)
(a)エチレン性不飽和炭素原子に共有結合された少なくとも1個のフッ素原子を有するエチレン性不飽和化合物から誘導される少なくとも1個の反復単位と、
(b)構造
R1、R2、R3およびR4は、独立して、H、OR5、ハロゲン、ハロゲンまたはエーテル酸素で任意選択的に置換された1〜10個の炭素原子を有するアルキルまたはアルコキシ、Y、C(Rf)(Rf’)OR5、R6YまたはOR6Yであり、
Yは、COZまたはSO2Zであり、
R5は、水素または酸に不安定な保護基であり、
RfおよびRf’は、1〜10個の炭素原子を有する同じかまたは異なるフルオロアルキル基であるか、あるいは合一して(CF2)m(式中、mは2〜10)であり、
R6は、ハロゲンまたはエーテル酸素で任意選択的に置換された1〜20個の炭素原子を有するアルキレン基であり、
Zは、OH、ハロゲンまたはOR7であり、
R7は、1〜20個の炭素原子を有するアルキル基であるが、但し、R1、R2、R3およびR4の少なくとも1個が、OR5、Y、C(Rf)(Rf’)OR5、R6YまたはOR6Yであることを条件とし、そしてR1(またはR3)がOHである場合、R2(またはR4)がOHでもハロゲンでもないことを条件とする)
を有するエチレン性不飽和化合物から誘導される少なくとも1個の反復単位と
を含むフッ素含有ポリマーおよび
(2)光活性成分
を含むフォトレジスト組成物を提供する。
(1)基材および
(2)
(a)(i)エチレン性不飽和炭素原子に共有結合された少なくとも1個のフッ素原子を有するエチレン性不飽和化合物から誘導される少なくとも1個の反復単位と、
(ii)構造
R1、R2、R3およびR4は、独立して、H、OR5、ハロゲン、ハロゲンまたはエーテル酸素で任意選択的に置換された1〜10個の炭素原子を有するアルキルまたはアルコキシ、Y、C(Rf)(Rf’)OR5、R6YまたはOR6Yであり、
Yは、COZまたはSO2Zであり、
R5は、水素または酸に不安定な保護基であり、
RfおよびRf’は、1〜10個の炭素原子を有する同じかまたは異なるフルオロアルキル基であるか、あるいは合一して(CF2)m(式中、mは2〜10)であり、
R6は、ハロゲンまたはエーテル酸素で任意選択的に置換された1〜20個の炭素原子を有するアルキレン基であり、
Zは、OH、ハロゲンまたはOR7であり、
R7は、1〜20個の炭素原子を有するアルキル基であるが、但し、R1、R2、R3およびR4の少なくとも1個が、OR5、Y、C(Rf)(Rf’)OR5、R6YまたはOR6Yであることを条件とし、そしてR1(またはR3)がOHである場合、R2(またはR4)がOHでもハロゲンでもないことを条件とする)
を有するエチレン性不飽和化合物から誘導される少なくとも1個の反復単位と
を含むフッ素含有ポリマーおよび
(c)光活性成分
を含むフォトレジスト組成物
を含む被覆された基材を提供する。
本発明のフッ素含有ポリマーまたはコポリマーは、エチレン性不飽和炭素原子に共有結合された少なくとも1個のフッ素原子を有するエチレン性不飽和化合物から誘導される少なくとも1個の反復単位および構造
R1、R2、R3およびR4は、独立して、H、OR5、ハロゲン、ハロゲンまたはエーテル酸素で任意選択的に置換された1〜10個の炭素原子を有するアルキルまたはアルコキシ、Y、C(Rf)(Rf’)OR5、R6YまたはOR6Yであり、
YはCOZまたはSO2Zであり、
R5は水素または酸に不安定な保護基であり、
RfおよびRf’は1〜10個の炭素原子を有する同じかまたは異なるフルオロアルキル基であるか、あるいは合一して(CF2)m(式中、mは2〜10)であり、
R6はハロゲンまたはエーテル酸素で任意選択的に置換された1〜20個の炭素原子を有するアルキレン基であり、
ZはOH、ハロゲンまたはOR7であり、
R7は1〜20個の炭素原子を有するアルキル基であるが、但し、R1、R2、R3およびR4の少なくとも1個がOR5、Y、C(Rf)(Rf’)OR5、R6YまたはOR6Yであることを条件とし、そしてR1(またはR3)がOHである場合、R2(またはR4)がOHでもハロゲンでもないことを条件とする)
を有するエチレン性不飽和化合物から誘導される少なくとも1個の反復単位を含む。
−C(Rf)(Rf’)OH
(式中、RfおよびRf’は1〜10個の炭素原子を有する同じかまたは異なるフルオロアルキル基であるか、あるいは合一して(CF2)m(式中、mは2〜10)である)を有するフルオロアルコール基を含有する少なくとも1種のエチレン性不飽和化合物から誘導することが可能である。「合一して」という言葉は、分離した別個のフッ素化アルキル基ではなく、それらが一緒に5員環に関して以下で例示するような環構造を形成することを意味する。
−XCH2C(Rf)(Rf’)OH
(式中、RfおよびRf’は上述した通りであり、Xは元素の周期律表(CAS版)の第VA族または第VIA族からの元素、例えば、酸素、硫黄、窒素およびリンである)を有するフルオロアルコール官能基を含有するモノマーを更に含んでもよい。酸素は好ましいX基である。
−C(Rf)(Rf’)O−CH2OCH2R8
を有する。この保護されたフルオロアルコールにおいて、RfおよびRf’は上述した通りであり、R8は水素あるいは1〜10個の炭素原子を有する直鎖または分枝のアルキル基である。保護された酸基中の保護基として有効であるアルファアルコキシアルキルエーテル基の例証的であるが非限定的な例はメトキシメチルエーテル(MOM)である。この特定の保護基を有する保護されたフルオロアルコールは、クロロメチルメチルエーテルとフルオロアルコールの反応によって得ることが可能である。
(PAC触媒による除去のための保護基)
(光活性成分(PAC))
本発明のフォトレジスト組成物は、現像プロセス中に化学線を露光すると酸または塩基のいずれかを生成させることができる少なくとも1種の光活性成分(PAC)を含有してもよい。化学線を露光すると酸が生成する場合、PACは光酸発生剤(PAG)と呼ぶ。化学線を露光すると塩基が生成する場合、PACは光塩基発生剤(PBG)と呼ぶ。
フォトレジスト組成物中で用いるために、フッ素含有コポリマーは、≦365nmの波長を有する紫外線を像様露光した後にレリーフ画像を作るためにフォトレジストを現像可能にするのに十分な官能基を含有するべきである。幾つかの好ましい実施形態において、十分な官能基は、上述したように酸基および/または保護された酸基から選択される。こうした酸基または保護された酸基は、≦365nmの波長を有する十分な紫外線を露光すると、未露光部分が塩基性溶液に不溶でありながら、露光されたフォトレジスト部分を塩基性溶液に可溶性にすることが見出された。
種々の溶解抑制剤を本発明において用いることが可能である。理想的には、遠および極UVレジスト(例えば193nmレジスト)のための溶解抑制剤(DI)は、所定のDI添加剤を含むレジスト組成物の溶解抑制、プラズマエッチング抵抗および粘着性挙動を含む多数の材料要求を満足させるように設計または選択されるべきである。幾つかの溶解抑制化合物はレジスト組成物中で可塑剤としても役立つ。
本発明のフォトレジストは、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、2−エトキシエチルアセテート、2−メトキシエチルアセテートおよびエチル3−エトキシプロピオネートなどのエーテルエステル;シクロヘキサノン、2−ヘプタノンおよびメチルエチルケトンなどのケトン;酢酸ブチル、乳酸エチル、乳酸メチルおよび酢酸エチルなどのエステル;プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテルおよび2−メトキシエチルエーテル(ジグリム)などのグリコールエーテル;トルエンおよびシクロベンゼンなどの非置換および置換芳香族炭化水素;ならびにCFC−113(1,1,2−トリクロロトリフルオロメタン、本願特許出願人)および1,2−ビス(1,1,2,2−テトラフルオロエトキシ)エタンなどのフッ素化溶媒を含む適する溶媒にフォトレジストの成分を溶解させることにより塗料組成物として調製される。高沸点溶媒は、キシレンなどの非置換または置換芳香族炭化水素;ベンジルエチルエーテルおよびジヘキシルエーテルなどのエーテル;ジエチレングリコールモノメチルエーテルおよびジエチレングリコールモノエチルエーテルなどのグリコールエーテル;アセトニルアセトンおよびイソホロンなどのケトン;1−オクタノール、1−ノナノールおよびベンジルアルコールなどのアルコール;酢酸ベンジル、安息香酸エチル、シュウ酸ジエチル、マレイン酸ジエチル、炭酸エチレンおよび炭酸プロピレンなどのエステル;ならびにγ−ブチロラクトンおよびδ−バレロラクトンなどのラクトンを含め、添加してもよい。あるいは、超臨界CO2は溶媒として有用である場合がある。これらの溶媒は、単独で、または2種以上の混合物で用いてもよい。典型的には、フォトレジストの固形物含有率は、フォトレジスト組成物の全重量の5〜50重量%の間で異なる。
本発明の組成物は任意の追加成分を含有することが可能である。添加できる追加成分の例には、塩基、界面活性剤、解像度向上剤、定着剤、残留物減少剤、塗布助剤、可塑剤およびTg(ガラス転移温度)調整剤が挙げられるが、それらに限定されない。
微細平版印刷について、フォトレジスト組成物は、半導体工業で典型的に用いられるマクロエレクトロニックウェハなどの適する基材に塗布される。例には、シリコンウェハおよびSiONウェハが挙げられるが、それらに限定されない。その後、溶媒は蒸発によって除去される。
本発明のフォトレジスト組成物は、電磁スペクトルの紫外線領域、特に≦365nmの波長において感光性である。本発明のフォトレジスト組成物の像様露光は、好ましくは、365nm、248nm、193nm、157nm以下の波長の、多くの異なるUV波長で行われるが、それらに限定されない。像様露光は好ましくは、248nm、193nm、157nm以下の波長の紫外線で行われ、より好ましくは、193nm、157nm以下の波長の紫外線で行われ、なおより好ましくは157nm以下の波長の紫外線で行われる。像様露光は、レーザまたは相当装置でディジタル的に、またはフォトマスクの使用で非ディジタル的に行うことが可能である。レーザーによるディジタル画像形成は好ましい。本発明の組成物のディジタル画像形成のために適するレーザ装置には、UV出力が193nmであるアルゴンフッ素エキシマレーザ、UV出力が248nmであるクリプトンフッ素化エキシマレーザおよび出力が157nmであるフッ素(F2)レーザが挙げられるが、それらに限定されない。上で論じたように、像様露光のためのより低い波長のUV線の使用がより高い解像度(下方解像度限界)に対応するので、より低い波長(例えば、193nmまたは157nm以下)の使用は、より高い波長(例えば、248nm以上)の使用より一般に好ましい。詳しくは、157nmでの画像形成は、この理由で193nmでの画像形成より好ましい。
本発明において用いられる基材は、例示的に、ケイ素、酸化ケイ素、酸窒化ケイ素および窒化ケイ素または半導体製造において用いられる他の種々の材料であることが可能である。好ましい実施形態において、基材は、マイクロエレクトロニックウェハの形を取ることが可能である。マイクロエレクトロニックウェハは、ケイ素、酸化ケイ素、酸窒化ケイ素および窒化ケイ素から作製することが可能である。
(TCN−(CO2t−Bu)の調製)
100mLのt−Buアクリレートと88gのクアドリシクランの混合物を90℃で96時間にわたり加熱することにより、TCN−(CO2t−Bu)を調製した。粗製品(159g)の蒸留は27g(14%)のTCN−(CO2t−Bu)を生じさせた。沸点79〜83℃/1.3mm。
(TCN−(F2)(F、CO2−t−Bu)の調製)
「フィッシャー/ポーター(Fisher/Porter)」ガラス圧力容器にクアドリシクラン(15.1g、163ミリモル)および攪拌棒を投入した。液体を−78℃に冷却し、容器を排気した。トリフルオロアクリロイルフルオリド(19g、150ミリモル)をガストラップ内で凝縮させ、真空下で容器に移送した。攪拌された内容物を放置してゆっくり暖めた。混合物を45℃で36時間にわたり加熱した。混合物を室温に冷却し、小体積の低沸点材料を真空下でトラップに移送した。粗付加体酸弗化物をエーテル(70mL)で処理し、サーモウェル、スターラーおよび添加口が装備された(N2下にある)三口フラスコにカニューラにより添加した。溶液を−20℃に冷却し、エーテル(130mL)/THF(40mL)中のカリウムt−ブトキシド(17.7g、150ミリモル)の溶液で分割して処理し、反応温度を添加中(40分)に−15℃で保持した。混合物を放置してゆっくり室温に暖めた。反応混合物を氷内で冷却し、その後、エーテル(400mL)と氷水(400mL)の混合物に添加した。水相のpHは約8であった。有機層をブラインで洗浄し、乾燥させ(Na2SO4、MgSO4)、取り除いた。クゲルロール(Kugelrohr)蒸留は、沸点50〜65℃の無色油35.6g(87%)を生じさせた。モノマー試料がより高沸点の残留物を含まないことを確実にするために、モノマー試料を再蒸留して、35.0gの材料を生じさせた。1H NMR(C6D6):5.73〜5.62(m、a=2.00)、3.35(bds、a=0.64)、2.81〜2.72(重なりm、a=1.72)、2.42〜2.28(m、a=1.01)、2.12〜2.06(m)および2.50〜1.99(重なりm、a=1.03)、1.69(d、ABパターンのアップフィールド部分、J=9.8Hz、a=0.63)、1.34(s、a=3.55、OC(CH3)3、副異性体)、1.28(s、OC(CH3)3、主異性体)および1.25(d、ABパターンのアップフィールド部分、主異性体、組み合わせa=6.92)、1.15(d、ABパターンのアップフィールド部分、副異性体、a=0.40)。19F NMR(C6D6)は二つのABパターンを示した。−101.86(ddd、J=5.4、14.2、216、a=35.5、副異性体)、−107.05(dddd、J=2.7、6.0、16.3、218、a=62.9、副異性体)、−119.00でアップフィールド分枝(J=2.7、217、a=63.3)、−120.8(m’sのd、J=3.8、216、a=36.3)、−160.67(m’sのd、J=2.2、26.7、a=59.9)、−186.76(m、a=34.1)。スペクトルは、立体異性付加体の約63/37混合物と一致した。GC/MSは2/1の比で2成分を示した。2成分は、非常に似た切断パターンを示し、所望のt−ブチルエステルと一致するm/e=274およびM−CH3イオンによるM+を示した。
(TCN−(C(O)OCH3,C(CF3)2OCH2OCH3)の調製)
29g(0.1モル)のCH2=CC(O)OCH3[C(CF3)2OCH2OCH3]と11mLのクアドリシクラン(純度80%、残りはノルボルナジエン)の混合物を90〜110℃で48時間にわたり還流させた。反応混合物の蒸留は14g(47%)のTCN−(C(O)OCH3,C(CF3)2OCH2OCH3)を生じさせた。沸点:120〜122℃/0.65mm。IR:1738(C=O)cm−1。
(TCN−(F−CO2t−Bu)の調製)
100mLの乾燥エーテル中の30gのCH2=CFC(O)F(35%のDMFを含有)(0.22モル)と35mLのクアドリシクランの混合物を100℃で16時間にわたり保持した。粗反応混合物を精留して、25g(純度80%、収率52%)のシクロ付加体を生じさせた。沸点57〜82℃/20mm。この材料を50mLの乾燥DMFに溶解させ、−20℃に冷却し、100mLの乾燥DMF中の13gの乾燥カリウムt−ブトキシドの溶液を−20〜−15℃で内部温度を維持する速度でゆっくり添加した。反応混合物を室温に暖め、一晩攪拌した。反応混合物を500mLの水で希釈し、CH2Cl2(1×100mLおよび1×50mL)で抽出した。組み合わせ有機層を500mLの水(3×150mL)中の50mLの塩酸の溶液で洗浄し、MgSO4上で乾燥させた。溶媒を真空下で除去し、残留物を蒸留して、沸点85〜94℃/0.55mmの8.9gの留分(TCN−(F−CO2t−Bu)純度80%、残りはDMF)および2種の異性体の混合物(比3:1)として11.5gのTCN−(F,CO2t−Bu)を生じさせた。沸点94〜96℃/0.55mmHg。19F NMR:−145.16(m)主、−170.54(m)副。
(TFE、NB−F−OHおよびTCN−(F)2(F,CO2t−Bu)ポリマーの合成)
200mLのステンレススチール圧力容器に36.5gのNB−F−OH、32.9gのTCN−(F)2(F,CO2t−Bu)、50mLの「ソルカン(Solkane)」(登録商標)365mfcおよび2.55gの「パーカドックス(Perkadox)」(登録商標)16N開始剤を投入した。容器を密閉し、ドライアイス中で冷却し、窒素でパージし、排気し、45.5gのTFEを投入した。その後、容器を50℃で18時間にわたり内容物と合わせて攪拌する一方で、内部圧力は363psiから336psiに低下した。容器を室温に冷却し、1気圧にベントした。追加の「ソルカン(Solkane)」(登録商標)365mfcを用いて容器内容物を除去して、リンスした。組み合わせた反応器溶液とリンス液を過剰のヘキサン(650mLのヘキサンへの30〜35mL部分)に添加した。沈殿物を濾過し、ヘキサンで洗浄し、数時間にわたり空気乾燥させ、その後、若干窒素パージしつつ88〜90℃で真空炉内で一晩乾燥させた。42.5gの白色ポリマーが単離された。GPC分析:Mn3500、Mw7200、Tg195℃(DSC)。分析検出:C46.10、H3.86、F39.14。19F NMR(δ、CDCl3)−77.6(NB−F−OHからの6F)、−95〜−125(TFEからの4FおよびTCN−(F)2(F,CO2−t−Bu)からの2F)、−160および−187(TCN−(F)2(F,CO2−t−Bu)からの1F)。
(TFE、NB−F−OHおよびTCN−(CO2t−Bu)ポリマーの合成)
200mLのステンレススチール圧力容器に46.4gのNB−F−OH、26.4gのTCN−(CO2t−Bu)、50mLの「ソルカン(Solkane)」(登録商標)365mfcおよび2.55gの「パーカドックス(Perkadox)」(登録商標)16N開始剤を投入した。容器を密閉し、ドライアイス中で冷却し、窒素でパージし、排気し、52gのTFEを投入した。その後、容器を50℃で18時間にわたり内容物と合わせて攪拌する一方で、内部圧力は383psiから363psiに低下した。容器を室温に冷却し、1気圧にベントした。追加の「ソルカン(Solkane)」(登録商標)365mfcを用いて容器内容物を除去して、リンスした。組み合わせた反応器溶液とリンス液を過剰のヘキサン(650mLのヘキサンへの30〜35mL部分)に添加した。沈殿物を濾過し、ヘキサンで洗浄し、数時間にわたり空気乾燥させ、その後、若干窒素パージしつつ88〜90℃で真空炉内で一晩乾燥させた。19.3gの白色ポリマーが単離された。GPC分析:Mn4900、Mw6700、Tg162℃(DSC)。分析検出:C51.52、H4.72、F32.53。
(TFEおよびTCN−(C(O)OCH3,C(CF3)2OCH2OCH3)ポリマーの合成)
75mLのステンレススチール圧力容器に13.8gのTCN−(CO(O)CH3,C(CF3)2OCH2OCH3)、25mLの「ソルカン(Solkane)」(登録商標)365mfcおよび0.32gの「パーカドックス(Perkadox)」(登録商標)16N開始剤を投入した。容器を密閉し、ドライアイス中で冷却し、窒素でパージし、排気し、6gのTFEを投入した。その後、容器を50℃で18時間にわたり内容物と合わせて攪拌する一方で、内部圧力は193psiから180psiに低下した。容器を室温に冷却し、1気圧にベントした。追加の「ソルカン(Solkane)」(登録商標)365mfcを用いて容器内容物を除去して、リンスした。組み合わせた反応器溶液とリンス液を過剰のヘキサン(650mLのヘキサンへの30〜35mL部分)に添加した。沈殿物を濾過し、ヘキサンで洗浄し、数時間にわたり空気乾燥させ、その後、若干窒素パージしつつ88〜90℃で真空炉内で一晩乾燥させた。1.3gの白色ポリマーが単離された。GPC分析:Mn3100、Mw5300、Tg155℃(DSC)。分析検出:C46.57、H3.96、F34.42。
(TFE、NB−F−OHおよびTCN−(F,CO2t−Bu)ポリマーの合成)
200mLのステンレススチール圧力容器に40.6gのNB−F−OH、21.7gのTCN−(F,CO2t−Bu)、50mLの「ソルカン(Solkane)」(登録商標)365mfcおよび2.23gの「パーカドックス(Perkadox)」(登録商標)16N開始剤を投入した。容器を密閉し、ドライアイス中で冷却し、窒素でパージし、排気し、45.5gのTFEを投入した。その後、容器を50℃で18時間にわたり内容物と合わせて攪拌する一方で、内部圧力は345psiから304psiに低下した。容器を室温に冷却し、1気圧にベントした。追加の「ソルカン(Solkane)」(登録商標)365mfcを用いて容器内容物を除去して、リンスした。組み合わせた反応器溶液とリンス液を過剰のヘキサン(650mLのヘキサンへの30〜35mL部分)に添加した。沈殿物を濾過し、ヘキサンで洗浄し、数時間にわたり空気乾燥させ、その後、若干窒素パージしつつ88〜90℃で真空炉内で一晩乾燥させた。23.6gの白色ポリマーが単離された。GPC分析:Mn4700、Mw10000、Tg171℃(DSC)。分析検出:C48.14、H4.34、F36.48。19F NMR(δ、CDCl3)−75.7(NB−F−OHからの6F)、−95〜−125(TFEからの4F)、−139〜−143および−166〜−169(TCN−(F,CO2t−Bu)からの1F)。
以下の溶液を調製し、磁気的に一晩攪拌した。
(TCN−(F)2(CF3、OH)の調製)
「フィッシャー/ポーター(Fisher/Porter)」ガラス圧力容器にクアドリシクラン(1.0g、10.9ミリモル)および1,1,3,3,3−ペンタフルオロ−2−プロペニルベンゾエート(2.52g、10ミリモル)を投入した。密封した容器を110℃で24時間、その後、120℃で9日にわたり加熱した。冷却した混合物をクゲルロール(kugelrohr)蒸留に供して、0.83gの出発1,1,3,3,3−ペンタフルオロ−2−プロペニルベンゾエートおよび沸点98〜100℃/0.05mmの1.63gの無色油を生じさせた。19F NMR(C6D6)は、−67.93(d、J=11.4、a=0.12)、−72.98(dd、J=16.9、1.6、a=0.13)、二つのABパターン、−99.0(J=214.7、および6.0Hz、14.7Hzの二重線カップリング、a=0.042)、−118.81(J=215、他の幾つかのカップリング、a=0.041)および−101.6(四重線の二重線に加えてJ=222、J=6.0、17.4、a=0.044)、−114.82(J=221、他のカップリングは解像されなかった。a=0.046)を示した。1H NMR(C6D6):8.10および8.02(m’s、a=2.00、オルトH’s)、7.06(m)および7.00〜6.92(m、組み合わせa=3.12)、ビニル一重線の2組、5.73、5.68、および5.62〜5.56(a=2.03)、3.16および3.14(重なりbd一重線、a=1.00、ブリッジヘンド)、2.75(bds、重なりm、a=0.95)、2.66(bds、a=0.52)、2.58〜2.47(重なりm’s、a=1.02)、2.27(m、a=0.54)、CH2ABパターンの2組、2.09、1.15(d、J=10.1Hz)、および1.72、1.00(d、J=9.7Hz)。1Hおよび19F NMRデータは、TCN−(F)2(CF3、OC(O)C6H5)、クアドリシクランと1,1,3,3,3−ペンタフルオロ−2−プロペニルベンゾエートのシクロ付加体と一致している。
(TCN−(CF3,C(CF3)2OH)の調製)
a)CH2=C(CH3)C(O)Clの調製
蒸留ヘッドが装着された丸底フラスコに入れたフタロイルジクロリド45gに、28gのCH2=C(CF3)C(O)OH(98%、米国フロリダ州アラチュアのシンクエスト・ラボラトリーズ(Synquest Laboratories(Alachua,FL)))を添加した。反応混合物を150℃に至るまで加熱し、製品を同時に蒸留し、製品を集め[28g(88%)の留分86〜100℃]、特に精製せずに次工程で用いた。
100mLの乾燥エーテル中の22gのクアドリシクランの溶液に28gのCH2=C(CH3)C(O)Clを10〜20℃で添加した(反応は発熱である)。反応混合物を12時間にわたり25〜35℃で維持した。その後、溶媒を真空下で除去し、残留物を減圧下で蒸留して、36g(71%)のシクロ付加体Aを生じさせた。
温度計、添加漏斗およびドライアイスコンデンサが装着された1Lフラスコに入れた65gの乾燥CsFと100mLの乾燥アセトニトリルの混合物に200mLの乾燥CH3CN中のAの溶液をゆっくり添加した。反応混合物を周囲温度で1時間攪拌し、+10℃に冷却し、その後、110gのトリフルオロメチルトリメチルシラン(シンクエスト・ラボラトリーズ(Synquest Laboratories))を10〜15℃でゆっくり添加した。反応混合物を周囲温度にもっていき、14時間にわたり攪拌した。400mLの10%塩酸を15〜20℃で反応混合物にゆっくり添加した(pH<1)。反応混合物をCH2Cl2(3×100mL)で抽出し、組み合わせ有機層をMgSO4上で乾燥させ、その後、溶媒を真空下で除去した。残留物を減圧下で蒸留して、TCN−(CF3,C(CF3)2OH)の沸点74〜75℃/0.75mmHgの30g(24%)の留分を生じさせた。NMRデータによると、製品は60:40の比の2異性体の混合物であった。19F NMR(CDCl3)主:−61.27(3F、m)、−68.73(3F、m)、−71.21(3F、m);副:−70.55(3F、m)、−71.35(3F、m)、−72.56(3F、m)。検出:C43.80、H3.20、F48.48。
(TCN−(F)2(F,C(CF3)2OH)の調製)
クアドリシクランとCF2=CFC(O)Fのシクロ付加体の調製
「フィッシャー/ポーター(Fisher/Porter)」ガラス圧力容器にクアドリシクラン(15.1g、163ミリモル)および攪拌棒を投入した。液体を−78℃に冷却し、容器を排気した。トリフルオロアクリロイルフルオリド(19g、150ミリモル)をガストラップ内で凝縮させ、真空下で容器に移送した。攪拌された内容物を放置してゆっくり暖め、その後、24時間にわたり45℃で維持した。混合物を室温に冷却し、小体積の低沸点材料を真空下で反応器からトラップに移送した。残りの反応塊は、NMR分析に基づいて>95%と推定された純度の特性分析されたシクロ付加体Bであった。19F(C6D5)+36.35(a=59.3、COF)、+29.22(a=33.9、COF)、−100.15(a=36.8)および−105.35(a=64.2)でABパターンの低フィールド部分、−118.6(主)および−119.25(副)でABパターンのアップフィールド部分、−165.87(a=50.9)および−188.0(a=31.1)でCF。
温度計、添加漏斗およびドライアイスコンデンサが装着された500mlフラスコに入れた35gの乾燥CsFと200mLの乾燥THFの混合物に50mLの乾燥THF中のBの溶液および49gのトリフルオロメチルトリメチルシラン(シンクエスト(Synquest))を10〜15℃でゆっくり添加した。反応混合物を周囲温度にもっていき、14時間にわたり攪拌した。500mLの10%塩酸を15〜20℃で反応混合物にゆっくり添加した(pH<1)。反応混合物をCH2Cl2(3×100mL)で抽出し、組み合わせ有機層を10%HClで2回洗浄し、MgSO4上で乾燥させ、その後、溶媒を真空下で除去した。残留物を減圧下で蒸留して、TCN−(F)2(F,C(CF3)2OH)の沸点46〜48℃/0.05mmHgの32g(60%)の留分を生じさせた。NMRデータによると、製品は65:35の比の2異性体の混合物であった。19F NMR(CDCl3)主:−73.38(3F、m)、−73.90(3F、m)、−102.82(1F、dm;217Hz)、−120.87(1F、dqd、217、16.4;6.6Hz)、−160.58(1F、m);副:−71.70(3F、m)、−72.56(3F、m)、−106.03(1F、dm;225.5Hz)、−117.53(1F、dd;225.5;9.8Hz)。検出:C41.43、H2.70。
(TCN−(F,C(CF3)2OH)の調製)
a)2−フルオロアクリロイルフルオリド(CH2=CFC(O)F)の調製
メカニカルスターラー、ドライアイスコンデンサおよび熱電対が装着された3Lフラスコに乾燥DMF(1.3L)、ヒドロキノン(6g)および亜鉛(130g)を入れた。ヨウ化ナトリウム(160g)をN2流れ下で攪拌しつつ一度にフラスコに添加した。反応混合物を室温で15分にわたり攪拌した(内部温度を29℃に上げた)。テトラフルオロオキセタン(130g)を35℃の温度で始めて反応混合物に滴下した。添加は1時間で完了した。内部温度を殆どの時間36〜42℃の間で保持したが、反応の終わりに約5分にわたり47℃に上げた。添加後に混合物を35〜25℃で3時間にわたり攪拌した。製品を減圧(約5mmHg)で蒸留し、直列のドライアイストラップおよび液体N2トラップ内で集めた。合計で79.5gの液体を得た。それはNMR分析に基づいて約65%の製品、30%DMFおよび5%の不純物を含有していた。計算収率:52%。
400mLのシャーカー管に100mLの乾燥エーテル中の79gのCH2=CFC(O)Fの冷たい溶液(30%のDMFおよび0.6gのヒドロキノンを含有していた)を投入し、その後、65gの冷たいクアドリシクラン(純度90%、10%のノルボルナジエンおよびMeOBu−t)を添加した。反応を16時間にわたり110℃で保持した。溶媒および揮発分を真空下で粗製品から除去して、純度70%の111gの粗シクロ付加体Cを生じさせた。残りはDMF(約15%)およびその他(15%)であった。2種の異性体が存在した。19F NMR−26.3(d、J=26Hz、1F)、−150.7(5重線、J=26Hz、1F):他の異性体−20.2(d、J=20Hz、1F)、−171.2(qq、J=19、7Hz、1F)ppm。特に精製せずに粗製品を反応(c)の次工程のために用いた。
ドライアイスコンデンサ、温度計、添加漏斗およびマグネチックスターラーが装着された500mLフラスコにドライボックス内の乾燥させたCsF(15g、0.1モル)およびCH3CN(150mL)を投入した。CH3CN(50mL)中の111gの粗シクロ付加体C(工程bからの約0.42モル)の溶液を5分にわたり添加した。反応混合物を周囲温度で15分にわたり攪拌し、その後、5℃に冷却した。120g(0.85モル)のトリフルオロメチルトリメチルシラン(シンクエスト(Synquest))を1時間40分にわたりゆっくり添加した。得られた混合物を25℃に至るまで2時間にわたり暖め、25℃で16時間にわたり攪拌した。反応混合物の液体をデカントし、固形物を50mLの乾燥CH3CNで洗浄した。組み合わせ有機部分を500mLの5%塩酸に添加した。得られた混合物を室温で45分にわたり攪拌した。混合物をCH2Cl2(3×200mL)で抽出した。組み合わせ抽出物をHCl(5%、4×150mL)で洗浄し、MgSO4上で乾燥させた。溶媒をロトベーパで除去して、155gの粗製品を残した。それを真空下で蒸留して、5gの留分1(沸点<42℃/0.05mmHg)および沸点51〜63℃/0.05mmHg(主として61〜61℃/0.05mmHg)の101.7gの留分2を生じさせた。留分1と留分2の両方は、TCN−(F,C(CF3)2OH)のトリメチルシリルエーテルを含有していた。それらをTHF(200mL)中のBu4NF(80g)で室温で一晩処理した。HCl(5%、300mL)を添加し、有機層を単離した。水層をエーテル(2×200mL)で抽出した。エーテル抽出物を有機層と組み合わせ、水(3×100mL)で洗浄し、Na2SO4上で乾燥させ、濃縮して、液体を生じさせた。液体の減圧蒸留は、沸点50〜55℃/0.05mmHgの77gのTCN−(F,C(CF3)2OH)を生じさせた。(オキセタンからアルコールへの)総合的収率は25%であった。製品は、1:1の比の2異性体の混合物であった。19F NMR−72.5(dm、J=147Hz、6F)、−171.8(m、1F):他の異性体−73.8(dm、J=363Hz、1F)、−145.6(m、1F)ppm。
(TFEおよびTCN−(F)2(CF3,OH)ポリマーの合成)
200mLのステンレススチール圧力容器に28.8gのTCN−(F)2(CF3,OH)、40mLの「ソルカン(Solkane)」(登録商標)365mfcおよび1.02gの「パーカドックス(Perkadox)」(登録商標)16N開始剤を投入した。容器を密閉し、ドライアイス中で冷却し、窒素でパージし、排気し、20gのTFEを投入した。その後、容器を50℃で18時間にわたり内容物と合わせて攪拌する一方で、内部圧力は220psiから199psiに低下した。容器を室温に冷却し、1気圧にベントした。追加の「ソルカン(Solkane)」(登録商標)365mfcを用いて容器内容物を除去して、リンスした。組み合わせた反応器溶液とリンス液を過剰のヘキサン(650mLのヘキサンへの30〜35mL部分)に添加した。沈殿物を濾過し、ヘキサンで洗浄し、数時間にわたり空気乾燥させ、その後、若干窒素パージしつつ88〜90℃で真空炉内で一晩乾燥させた。9.97gの白色ポリマーが単離された。GPC分析:Mn5300、Mw9300、Tg222℃(DSC)。19F NMR(δ、THF−d8)−73.5および−79.5(CF3)、−95〜−125(CF2)。
(TFEおよびTCN−(CF3,C(CF3)2OH)ポリマーの合成)
200mLのステンレススチール圧力容器に42.5gのTCN−(CF3,C(CF3)2OH)、50mLの「ソルカン(Solkane)」(登録商標)365mfcおよび1.08gの「パーカドックス(Perkadox)」(登録商標)16N開始剤を投入した。容器を密閉し、ドライアイス中で冷却し、窒素でパージし、排気し、22gのTFEを投入した。その後、容器を50℃で18時間にわたり内容物と合わせて攪拌する一方で、内部圧力は219psiから211psiに低下した。容器を室温に冷却し、1気圧にベントした。追加の「ソルカン(Solkane)」(登録商標)365mfcを用いて容器内容物を除去して、リンスした。組み合わせた反応器溶液とリンス液を過剰のヘキサン(650mLのヘキサンへの30〜35mL部分)に添加した。沈殿物を濾過し、ヘキサンで洗浄し、数時間にわたり空気乾燥させ、その後、若干窒素パージしつつ88〜90℃で真空炉内で一晩乾燥させた。9.7gの白色ポリマーが単離された。GPC分析:Mn4200、Mw6200、Tg209℃(DSC)。19F NMR(δ、THF−d8)−60.9および−67.8(CF3)、−75.5(C(CF3)2OH)、−95〜−125(CF2)。分析検出:C41.87、H2.95、F49.76。
(TFEおよびTCN−(F)2(F,C(CF3)2OH)ポリマーの合成)
200mLのステンレススチール圧力容器に37.4gのTCN−(F)2(F,C(CF3)2OH)、50mLの「ソルカン(Solkane)」(登録商標)365mfcおよび1.0gの「パーカドックス(Perkadox)」(登録商標)16N開始剤を投入した。容器を密閉し、ドライアイス中で冷却し、窒素でパージし、排気し、20gのTFEを投入した。その後、容器を50℃で18時間にわたり内容物と合わせて攪拌する一方で、内部圧力は208psiから181psiに低下した。容器を室温に冷却し、1気圧にベントした。追加の「ソルカン(Solkane)」(登録商標)365mfcを用いて容器内容物を除去して、リンスした。組み合わせた反応器溶液とリンス液を過剰のヘキサン(650mLのヘキサンへの30〜35mL部分)に添加した。沈殿物を濾過し、ヘキサンで洗浄し、数時間にわたり空気乾燥させ、その後、若干窒素パージしつつ88〜90℃で真空炉内で一晩乾燥させた。17.8gの白色ポリマーが単離された。GPC分析:Mn4800、Mw7400、Tg228℃(DSC)。19F NMR(δ、THF−d8)−156〜−160(CF)および−185(CF)、−70.6および−72.5(C(CF3)2OH)、−95〜−125(CF2)。分析検出:C39.57、H2.47、F53.05。
(TFEおよびTCN−(F),C(CF3)2OH)ポリマーの合成)
200mLのステンレススチール圧力容器に60.8gのTCN−(F),C(CF3)2OH)、50mLの「ソルカン(Solkane)」(登録商標)365mfcおよび1.59gの「パーカドックス(Perkadox)」(登録商標)16N開始剤を投入した。容器を密閉し、ドライアイス中で冷却し、窒素でパージし、排気し、30gのTFEを投入した。その後、容器を50℃で18時間にわたり内容物と合わせて攪拌する一方で、内部圧力は257psiから240psiに低下した。容器を室温に冷却し、1気圧にベントした。追加の「ソルカン(Solkane)」(登録商標)365mfcを用いて容器内容物を除去して、リンスした。組み合わせた反応器溶液とリンス液を過剰のヘキサン(650mLのヘキサンへの30〜35mL部分)に添加した。沈殿物を濾過し、ヘキサンで洗浄し、数時間にわたり空気乾燥させ、その後、若干窒素パージしつつ88〜90℃で真空炉内で一晩乾燥させた。16.5gの白色ポリマーが単離された。GPC分析:Mn4700、Mw9300、Tg205℃(DSC)。19F NMR(δ、THF−d8)−167.8、−168.9、−140.7および−143.8(環CF)、−71〜−76(C(CF3)2OH)、−95〜−125(CF2)。分析検出:C44.647、H3.13、F44.82。
Claims (45)
- (a)エチレン性不飽和炭素原子に共有結合された少なくとも1個のフッ素原子を有するエチレン性不飽和化合物から誘導される少なくとも1個の反復単位と、
(b)構造
R1、R2、R3およびR4は、独立して、H、OR5、ハロゲン、ハロゲンまたはエーテル酸素で任意選択的に置換された1〜10個の炭素原子を有するアルキルまたはアルコキシ、Y、C(Rf)(Rf’)OR5、R6YまたはOR6Yであり、
Yは、COZまたはSO2Zであり、
R5は、水素または酸に不安定な保護基であり、
RfおよびRf’は、1〜10個の炭素原子を有する同じかまたは異なるフルオロアルキル基であるか、あるいは合一して(CF2)m(式中、mは2〜10)であり、
R6は、ハロゲンまたはエーテル酸素で任意選択的に置換された1〜20個の炭素原子を有するアルキレン基であり、
Zは、OH、ハロゲンまたはOR7であり、
R7は、1〜20個の炭素原子を有するアルキル基であるが、但し、R1、R2、R3およびR4の少なくとも1個がY、OR5、C(Rf)(Rf’)OR5、R6YまたはOR6Yであることを条件とし、そしてR1(またはR3)がOHである場合、R2(またはR4)がOHでもハロゲンでもないことを条件とする)
を有するエチレン性不飽和化合物から誘導される少なくとも1個の反復単位と
から誘導される反復単位を含むことを特徴とするポリマー。 - 前記エチレン性不飽和炭素原子に共有結合された少なくとも1個のフッ素原子を有する少なくとも1種のエチレン性不飽和化合物が、2〜20個の炭素原子を含むフルオロオレフィンであることを特徴とする請求項1に記載のポリマー。
- 前記フルオロオレフィンが、テトラフルオロエチレン、ヘキサフルオロプロピレン、クロロトリフルオロエチレン、弗化ビニリデン、弗化ビニル、パーフルオロ−(2,2−ジメチル−1,3−ジオキソール)、パーフルオロ−(2−メチレン−4−メチル−1,3−ジオキソラン)、CF2=CFO(CF2)tCF=CF2(式中、tは1または2である)およびRf’’OCF=CF2(式中、Rf’’は1〜10個の炭素原子を有する飽和フルオロアルキル基である)よりなる群から選択されることを特徴とする請求項3に記載のポリマー。
- 前記フルオロオレフィンがテトラフルオロエチレンであることを特徴とする請求項4に記載のポリマー。
- フルオロアルコール基または保護されたフルオロアルコール基を含有する単位を更に含むことを特徴とする請求項1に記載のポリマー。
- 前記フルオロアルコール基または保護されたフルオロアルコール基が、構造
−C(Rf)(Rf’)OH
(式中、RfおよびRf’は、1〜10個の炭素原子を有する同じかまたは異なるフルオロアルキル基であるか、あるいは合一して(CF2)m(式中、mは2〜10)である)を有するフルオロアルコール基を含有する少なくとも1種のエチレン性不飽和化合物から誘導されることを特徴とする請求項6に記載のポリマー。 - RfおよびRf’がパーフルオロアルキル基であることを特徴とする請求項7に記載のポリマー。
- 構造
−XCH2C(Rf)(Rf’)OH
(式中、RfおよびRf’は、1〜10個の炭素原子を有する同じかまたは異なるフルオロアルキル基であるか、あるいは合一して(CF2)m(式中、mは2〜10)であり、Xは元素の周期律表の第VA族または第VIA族からの元素である)を有するフルオロアルコール基を含有する単位を更に含むことを特徴とする請求項1に記載のポリマー。 - Xが、酸素、硫黄、窒素およびリンよりなる群から選択されることを特徴とする請求項9に記載のポリマー。
- Xが酸素であることを特徴とする請求項10に記載のポリマー。
- 前記ヘテロ原子が、酸素、窒素、硫黄、ハロゲンおよびリン原子よりなる群から選択されることを特徴とする請求項13に記載のポリマー。
- 前記ヘテロ原子が酸素であり、前記ヘテロ原子置換C1〜C12アルキルがヒドロキシル基を更に含むことを特徴とする請求項14に記載のポリマー。
- 前記酸含有基または保護された酸含有基がカルボン酸含有モノマーから誘導されることを特徴とする請求項13に記載のポリマー。
- 前記酸含有基または保護された酸含有基が、t−ブチルアクリレート、2−メチル−2−アダマンチルアクリレート、2−メチル−2−ノルボルニルアクリレートおよびアクリル酸よりなる群から選択されるモノマーから誘導されることを特徴とする請求項13に記載のポリマー。
- 極性モノマーから誘導される少なくとも1つの基を更に含むことを特徴とする請求項1に記載のポリマー。
- (1)
(a)エチレン性不飽和炭素原子に共有結合された少なくとも1個のフッ素原子を有するエチレン性不飽和化合物から誘導される少なくとも1個の反復単位と、
(b)構造
R1、R2、R3およびR4は、独立して、H、OR5、ハロゲン、ハロゲンまたはエーテル酸素で任意選択的に置換された1〜10個の炭素原子を有するアルキルまたはアルコキシ、Y、C(Rf)(Rf’)OR5、R6YまたはOR6Yであり、
Yは、COZまたはSO2Zであり、
R5は、水素または酸に不安定な保護基であり、
RfおよびRf’は、1〜10個の炭素原子を有する同じかまたは異なるフルオロアルキル基であるか、あるいは合一して(CF2)m(式中、mは2〜10)であり、
R6は、ハロゲンまたはエーテル酸素で任意選択的に置換された1〜20個の炭素原子を有するアルキレン基であり、
Zは、OH、ハロゲンまたはOR7であり、
R7は、1〜20個の炭素原子を有するアルキル基であるが、但し、R1、R2、R3およびR4の少なくとも1個がOR5、Y、C(Rf)(Rf’)OR5、R6YまたはOR6Yであることを条件とし、そしてR1(またはR3)がOHである場合、R2(またはR4)がOHでもハロゲンでもないことを条件とする)
を有するエチレン性不飽和化合物から誘導される少なくとも1個の反復単位と
を含むフッ素含有ポリマーおよび
(2)光活性成分
を含むことを特徴とするフォトレジスト組成物。 - (a)が2〜20個の炭素原子を含むフルオロオレフィンであることを特徴とする請求項19に記載のフォトレジスト組成物。
- 前記フルオロオレフィンが、テトラフルオロエチレン、ヘキサフルオロプロピレン、クロロトリフルオロエチレン、弗化ビニリデン、弗化ビニル、パーフルオロ−(2,2−ジメチル−1,3−ジオキソール)、パーフルオロ−(2−メチレン−4−メチル−1,3−ジオキソラン)、CF2=CFO(CF2)tCF=CF2(式中、tは1または2である)およびRf’’OCF=CF2(式中、Rf’’は1〜10個の炭素原子を有する飽和フルオロアルキル基である)よりなる群から選択されることを特徴とする請求項21に記載のフォトレジスト組成物。
- 前記フルオロオレフィンがテトラフルオロエチレンであることを特徴とする請求項22に記載のフォトレジスト組成物。
- 前記フッ素含有ポリマーがフルオロアルコール基または保護されたフルオロアルコール基を含有する単位を更に含むことを特徴とする請求項19に記載のフォトレジスト組成物。
- 前記フルオロアルコール基または保護されたフルオロアルコール基が構造
−C(Rf)(Rf’)OH
(式中、RfおよびRf’は1〜10個の炭素原子を有する同じかまたは異なるフルオロアルキル基であるか、あるいは合一して(CF2)m(式中、mは2〜10)である)を有するフルオロアルコール基を含有する少なくとも1種のエチレン性不飽和化合物から誘導されることを特徴とする請求項24に記載のフォトレジスト組成物。 - RfおよびRf’はパーフルオロアルキル基であることを特徴とする請求項25に記載のフォトレジスト組成物。
- 前記フッ素含有ポリマーが、構造
−XCH2C(Rf)(Rf’)OH
(式中、RfおよびRf’は1〜10個の炭素原子を有する同じかまたは異なるフルオロアルキル基であるか、あるいは合一して(CF2)m(式中、mは2〜10)であり、Xは元素の周期律表の第VA族および第VIA族からの元素である)を有するフルオロアルコール基を更に含むことを特徴とする請求項19に記載のフォトレジスト組成物。 - Xが酸素、硫黄、窒素およびリンよりなる群から選択されることを特徴とする請求項27に記載のフォトレジスト組成物。
- Xが酸素であることを特徴とする請求項28に記載のフォトレジスト組成物。
- 前記ヘテロ原子が、酸素、窒素、硫黄、ハロゲンおよびリン原子よりなる群から選択されることを特徴とする請求項31に記載のフォトレジスト組成物。
- 前記ヘテロ原子が酸素であり、前記ヘテロ原子置換C1〜C12アルキルがヒドロキシル基を更に含むことを特徴とする請求項32に記載のフォトレジスト組成物。
- 前記酸含有基または保護された酸含有基がカルボン酸含有モノマーであることを特徴とする請求項31に記載のフォトレジスト組成物。
- 前記酸含有基または保護された酸含有基がt−ブチルアクリレート、2−メチル−2−アダマンチルアクリレート、2−メチル−2−ノルボルニルアクリレートおよびアクリル酸よりなる群から選択されることを特徴とする請求項34に記載のフォトレジスト組成物。
- 前記フッ素含有ポリマーが極性モノマーから誘導される少なくとも1つの基を更に含むことを特徴とする請求項19に記載のフォトレジスト組成物。
- 前記光活性成分が光酸発生剤であることを特徴とする請求項19に記載のフォトレジスト組成物。
- 溶解抑制剤を更に含むことを特徴とする請求項19に記載のフォトレジスト組成物。
- 溶媒を更に含むことを特徴とする請求項19に記載のフォトレジスト組成物。
- 前記溶媒がエーテルエステル、ケトン、エステル、グリコールエーテル、置換炭化水素、芳香族炭化水素、フッ素化溶媒および超臨界CO2よりなる群から選択されることを特徴とする請求項39に記載のフォトレジスト組成物。
- 塩基、界面活性剤、解像度向上剤、定着剤、残留物減少剤、塗布助剤、可塑剤およびTg(ガラス転移温度)調整剤よりなる群から選択される少なくとも1種の添加剤を更に含むことを特徴とする請求項19に記載のフォトレジスト組成物。
- (1)基材および
(2)
(a)(i)エチレン性不飽和炭素原子に共有結合された少なくとも1個のフッ素原子を有するエチレン性不飽和化合物から誘導される少なくとも1個の反復単位と、
(ii)構造
R1、R2、R3およびR4は、独立して、H、OR5、ハロゲン、ハロゲンまたはエーテル酸素で任意選択的に置換された1〜10個の炭素原子を有するアルキルまたはアルコキシ、Y、C(Rf)(Rf’)OR5、R6YまたはOR6Yであり、
YはCOZまたはSO2Zであり、
R5は、水素または酸に不安定な保護基であり、
RfおよびRf’は、1〜10個の炭素原子を有する同じかまたは異なるフルオロアルキル基であるか、あるいは合一して(CF2)m(式中、mは2〜10)であり、
R6は、ハロゲンまたはエーテル酸素で任意選択的に置換された1〜20個の炭素原子を有するアルキレン基であり、
Zは、OH、ハロゲンまたはOR7であり、
R7は、1〜20個の炭素原子を有するアルキル基であるが、但し、R1、R2、R3およびR4の少なくとも1個が、Y、OR5、C(Rf)(Rf’)OR5、R6YまたはOR6Yであることを条件とし、そしてR1(またはR3)がOHである場合、R2(またはR4)がOHでもハロゲンでもないことを条件とする)
を有するエチレン性不飽和化合物から誘導される少なくとも1個の反復単位と
から誘導される反復単位を含むフッ素含有ポリマーおよび
(b)光活性成分
を含むフォトレジスト組成物
を含むことを特徴とする被覆された基材。 - 前記基材がマイクロエレクトロニックウェハであることを特徴とする請求項42に記載の被覆された基材。
- 前記マイクロエレクトロニックウェハが、ケイ素、酸化ケイ素、酸窒化ケイ素および窒化ケイ素よりなる群から選択される材料を含むことを特徴とする請求項43に記載の被覆された基材。
- クアドラシクランとフルオロアルキルベンゾエート化合物の反応生成物。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007293192A (ja) * | 2006-04-27 | 2007-11-08 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 液浸露光用レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 |
JP2009166486A (ja) * | 2007-12-19 | 2009-07-30 | Asahi Kasei Corp | 光吸収性を有するモールド、該モールドを利用する感光性樹脂のパターン形成方法、及び印刷版の製造方法 |
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Families Citing this family (6)
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WO2006099380A2 (en) * | 2005-03-11 | 2006-09-21 | E.I. Dupont De Nemours And Company | Photoimageable, thermosettable fluorinated resists |
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EP3152620B1 (en) * | 2014-06-03 | 2018-08-01 | The Chemours Company FC, LLC | Passivation layer comprising a photocrosslinked fluoropolymer |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002525683A (ja) * | 1998-09-23 | 2002-08-13 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | ホトレジスト、ポリマーおよびマイクロリソグラフィの方法 |
JP2003252928A (ja) * | 2002-02-27 | 2003-09-10 | Nec Corp | フッ素含有アセタールまたはケタール構造を有する単量体、重合体、ならびに化学増幅型レジスト組成物 |
JP2004512396A (ja) * | 2000-10-18 | 2004-04-22 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | マイクロリソグラフィー用組成物 |
JP2005535709A (ja) * | 2002-08-09 | 2005-11-24 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | フォトレジストとして有用な縮合4員複素環を有する多環式基を有するフッ素化モノマー、フッ素化ポリマー、および微細平版印刷のための方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2928865A (en) * | 1957-03-25 | 1960-03-15 | Du Pont | Fluorinated tricyclononanes and tetracycloundecanes |
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US5229473A (en) * | 1989-07-07 | 1993-07-20 | Daikin Industries Ltd. | Fluorine-containing copolymer and method of preparing the same |
US6232417B1 (en) * | 1996-03-07 | 2001-05-15 | The B. F. Goodrich Company | Photoresist compositions comprising polycyclic polymers with acid labile pendant groups |
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EP1354245A2 (en) * | 2000-11-29 | 2003-10-22 | E. I. du Pont de Nemours and Company | Multilayer elements containing photoresist compositions and their use in microlithography |
EP1478977A2 (en) * | 2000-11-29 | 2004-11-24 | E. I. du Pont de Nemours and Company | Polymers blends and their use in photoresist compositions for microlithography |
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002525683A (ja) * | 1998-09-23 | 2002-08-13 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | ホトレジスト、ポリマーおよびマイクロリソグラフィの方法 |
JP2004512396A (ja) * | 2000-10-18 | 2004-04-22 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | マイクロリソグラフィー用組成物 |
JP2003252928A (ja) * | 2002-02-27 | 2003-09-10 | Nec Corp | フッ素含有アセタールまたはケタール構造を有する単量体、重合体、ならびに化学増幅型レジスト組成物 |
JP2005535709A (ja) * | 2002-08-09 | 2005-11-24 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | フォトレジストとして有用な縮合4員複素環を有する多環式基を有するフッ素化モノマー、フッ素化ポリマー、および微細平版印刷のための方法 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007293192A (ja) * | 2006-04-27 | 2007-11-08 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 液浸露光用レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 |
JP2009166486A (ja) * | 2007-12-19 | 2009-07-30 | Asahi Kasei Corp | 光吸収性を有するモールド、該モールドを利用する感光性樹脂のパターン形成方法、及び印刷版の製造方法 |
JP2010106118A (ja) * | 2008-10-29 | 2010-05-13 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 重合体及びフォトレジスト組成物 |
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