JP2005535753A - フォトレジストとして有用な縮合4員環状炭素を有する多環式基を有するフッ素化ポリマーおよび微細平版印刷のための方法 - Google Patents

フォトレジストとして有用な縮合4員環状炭素を有する多環式基を有するフッ素化ポリマーおよび微細平版印刷のための方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2005535753A
JP2005535753A JP2004527971A JP2004527971A JP2005535753A JP 2005535753 A JP2005535753 A JP 2005535753A JP 2004527971 A JP2004527971 A JP 2004527971A JP 2004527971 A JP2004527971 A JP 2004527971A JP 2005535753 A JP2005535753 A JP 2005535753A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
group
carbon atoms
polymer
photoresist composition
acid
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2004527971A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4610335B2 (ja
JP2005535753A5 (ja
Inventor
イー. フェイリング アンドリュー
エル. シャット ザ サード フランク
アレキサンドロビッチ ペトロフ ブャチェスラフ
エドムント スマート ブルース
ブラウン ファーナム ウィリアム
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
EIDP Inc
Original Assignee
EI Du Pont de Nemours and Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by EI Du Pont de Nemours and Co filed Critical EI Du Pont de Nemours and Co
Publication of JP2005535753A publication Critical patent/JP2005535753A/ja
Publication of JP2005535753A5 publication Critical patent/JP2005535753A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4610335B2 publication Critical patent/JP4610335B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08FMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F14/00Homopolymers and copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a halogen
    • C08F14/18Monomers containing fluorine
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08FMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F214/00Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a halogen
    • C08F214/18Monomers containing fluorine
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08FMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F214/00Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a halogen
    • C08F214/18Monomers containing fluorine
    • C08F214/26Tetrafluoroethene
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08FMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F220/00Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride ester, amide, imide or nitrile thereof
    • C08F220/02Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms; Derivatives thereof
    • C08F220/10Esters
    • C08F220/22Esters containing halogen
    • C08F220/24Esters containing halogen containing perhaloalkyl radicals
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08FMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F232/00Copolymers of cyclic compounds containing no unsaturated aliphatic radicals in a side chain, and having one or more carbon-to-carbon double bonds in a carbocyclic ring system
    • C08F232/08Copolymers of cyclic compounds containing no unsaturated aliphatic radicals in a side chain, and having one or more carbon-to-carbon double bonds in a carbocyclic ring system having condensed rings
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/0046Photosensitive materials with perfluoro compounds, e.g. for dry lithography
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/038Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
    • G03F7/0382Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable the macromolecular compound being present in a chemically amplified negative photoresist composition
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/039Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • G03F7/0392Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
    • G03F7/0395Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition the macromolecular compound having a backbone with alicyclic moieties
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S430/00Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
    • Y10S430/1053Imaging affecting physical property or radiation sensitive material, or producing nonplanar or printing surface - process, composition, or product: radiation sensitive composition or product or process of making binder containing
    • Y10S430/1055Radiation sensitive composition or product or process of making
    • Y10S430/106Binder containing
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S430/00Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
    • Y10S430/1053Imaging affecting physical property or radiation sensitive material, or producing nonplanar or printing surface - process, composition, or product: radiation sensitive composition or product or process of making binder containing
    • Y10S430/1055Radiation sensitive composition or product or process of making
    • Y10S430/106Binder containing
    • Y10S430/108Polyolefin or halogen containing
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S430/00Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
    • Y10S430/1053Imaging affecting physical property or radiation sensitive material, or producing nonplanar or printing surface - process, composition, or product: radiation sensitive composition or product or process of making binder containing
    • Y10S430/1055Radiation sensitive composition or product or process of making
    • Y10S430/106Binder containing
    • Y10S430/111Polymer of unsaturated acid or ester

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Polymerisation Methods In General (AREA)
  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)

Abstract

本発明は、少なくとも1種のフッ素化オレフィン、縮合4員環状炭素を有する少なくとも1種の多環式エチレン性不飽和モノマーおよび任意選択的に他の成分を含む新規のフッ素含有ポリマーを提供する。本ポリマーは、半導体素子の製造における画像形成のための光画像形成組成物および特にフォトレジスト組成物(ポジティブワーキングおよび/またはネガティブワーキング)のために有用である。本ポリマーは、レジストおよび潜在的に多くの他の用途において基樹脂として有用である(特に短波長、例えば157nmで)高UV透過性を有するフォトレジスト組成物中で特に有用である。

Description

本発明は、少なくとも1種のフッ素化オレフィン、縮合4員環状炭素を有する少なくとも1種の多環式エチレン性不飽和モノマーおよび任意選択的に他の成分を含むフッ素含有ポリマーに関する。本ポリマーは、半導体素子の製造における画像形成のための光画像形成組成物および特にフォトレジスト組成物(ポジティブワーキングおよび/またはネガティブワーキング)のために有用である。本ポリマーは、レジストおよび潜在的に多くの他の用途において基樹脂として有用である(特に短波長、例えば157nmで)高UV透過性を有するフォトレジスト組成物中で特に有用である。
193nm以下の波長、特に157nmで用いるためのレジスト組成物であって、短波長で高透過性のみでなく、良好なプラズマエッチング抵抗および接着剤特性を含む重要な他の特性も有するレジスト組成物が決定的に必要とされている。
第1の態様において、本発明は、
(a)エチレン性不飽和炭素原子に共有結合された少なくとも1個のフッ素原子を有するエチレン性不飽和化合物から誘導される少なくとも1個の反復単位と、
(b)構造
Figure 2005535753
(式中、nは0、1または2であり、
、R、RおよびRは、独立して、H、OR、ハロゲン、ハロゲンまたはエーテル酸素で任意選択的に置換された1〜10個の炭素原子を有するアルキルまたはアルコキシ、Y、C(R)(R’)OR、RYまたはORYであり、
Yは、COZまたはSOZであり、
は、水素または酸に不安定な保護基であり、
およびR’は、1〜10個の炭素原子を有する同じかまたは異なるフルオロアルキル基であるか、あるいは合一して(CF(式中、mは2〜10)であり、
は、ハロゲンまたはエーテル酸素で任意選択的に置換された1〜20個の炭素原子を有するアルキレン基であり、
Zは、OH、ハロゲンまたはORであり、
は、1〜20個の炭素原子を有するアルキル基であるが、但し、R、R、RおよびRの少なくとも1個が、OR、Y、C(R)(R’)OR、RYまたはORYであることを条件とし、そしてR(またはR)がOHである場合、R(またはR)がOHでもハロゲンでもないことを条件とする)
を有するエチレン性不飽和化合物から誘導される少なくとも1個の反復単位と
を含むことを特徴とするフッ素含有ポリマーを提供する。
第2の態様において、本発明は、
(1)
(a)エチレン性不飽和炭素原子に共有結合された少なくとも1個のフッ素原子を有するエチレン性不飽和化合物から誘導される少なくとも1個の反復単位と、
(b)構造
Figure 2005535753
(式中、nは0、1または2であり、
、R、RおよびRは、独立して、H、OR、ハロゲン、ハロゲンまたはエーテル酸素で任意選択的に置換された1〜10個の炭素原子を有するアルキルまたはアルコキシ、Y、C(R)(R’)OR、RYまたはORYであり、
Yは、COZまたはSOZであり、
は、水素または酸に不安定な保護基であり、
およびR’は、1〜10個の炭素原子を有する同じかまたは異なるフルオロアルキル基であるか、あるいは合一して(CF(式中、mは2〜10)であり、
は、ハロゲンまたはエーテル酸素で任意選択的に置換された1〜20個の炭素原子を有するアルキレン基であり、
Zは、OH、ハロゲンまたはORであり、
は、1〜20個の炭素原子を有するアルキル基であるが、但し、R、R、RおよびRの少なくとも1個が、OR、Y、C(R)(R’)OR、RYまたはORYであることを条件とし、そしてR(またはR)がOHである場合、R(またはR)がOHでもハロゲンでもないことを条件とする)
を有するエチレン性不飽和化合物から誘導される少なくとも1個の反復単位と
を含むフッ素含有ポリマーおよび
(2)光活性成分
を含むフォトレジスト組成物を提供する。
第3の態様において、本発明は、
(1)基材および
(2)
(a)(i)エチレン性不飽和炭素原子に共有結合された少なくとも1個のフッ素原子を有するエチレン性不飽和化合物から誘導される少なくとも1個の反復単位と、
(ii)構造
Figure 2005535753
(式中、nは0、1または2であり、
、R、RおよびRは、独立して、H、OR、ハロゲン、ハロゲンまたはエーテル酸素で任意選択的に置換された1〜10個の炭素原子を有するアルキルまたはアルコキシ、Y、C(R)(R’)OR、RYまたはORYであり、
Yは、COZまたはSOZであり、
は、水素または酸に不安定な保護基であり、
およびR’は、1〜10個の炭素原子を有する同じかまたは異なるフルオロアルキル基であるか、あるいは合一して(CF(式中、mは2〜10)であり、
は、ハロゲンまたはエーテル酸素で任意選択的に置換された1〜20個の炭素原子を有するアルキレン基であり、
Zは、OH、ハロゲンまたはORであり、
は、1〜20個の炭素原子を有するアルキル基であるが、但し、R、R、RおよびRの少なくとも1個が、OR、Y、C(R)(R’)OR、RYまたはORYであることを条件とし、そしてR(またはR)がOHである場合、R(またはR)がOHでもハロゲンでもないことを条件とする)
を有するエチレン性不飽和化合物から誘導される少なくとも1個の反復単位と
を含むフッ素含有ポリマーおよび
(c)光活性成分
を含むフォトレジスト組成物
を含む被覆された基材を提供する。
(フッ素化(コ)ポリマー)
本発明のフッ素含有ポリマーまたはコポリマーは、エチレン性不飽和炭素原子に共有結合された少なくとも1個のフッ素原子を有するエチレン性不飽和化合物から誘導される少なくとも1個の反復単位および構造
Figure 2005535753
(式中、nは0、1または2であり、
、R、RおよびRは、独立して、H、OR、ハロゲン、ハロゲンまたはエーテル酸素で任意選択的に置換された1〜10個の炭素原子を有するアルキルまたはアルコキシ、Y、C(R)(R’)OR、RYまたはORYであり、
YはCOZまたはSOZであり、
は水素または酸に不安定な保護基であり、
およびR’は1〜10個の炭素原子を有する同じかまたは異なるフルオロアルキル基であるか、あるいは合一して(CF(式中、mは2〜10)であり、
はハロゲンまたはエーテル酸素で任意選択的に置換された1〜20個の炭素原子を有するアルキレン基であり、
ZはOH、ハロゲンまたはORであり、
は1〜20個の炭素原子を有するアルキル基であるが、但し、R、R、RおよびRの少なくとも1個がOR、Y、C(R)(R’)OR、RYまたはORYであることを条件とし、そしてR(またはR)がOHである場合、R(またはR)がOHでもハロゲンでもないことを条件とする)
を有するエチレン性不飽和化合物から誘導される少なくとも1個の反復単位を含む。
構造(I)および本発明の範囲内の代表的なモノマーの例証的であるが非限定的な幾つかの例を以下で提示する。
Figure 2005535753
式中、R12は、第三級カチオンを形成できるか、または第三級カチオンに転位できる1〜20個の炭素原子を有するアルキル基、より典型的には、4〜20個の炭素原子を有するアルキル基、最も典型的にはt−ブチルである。
構造(I)(n=0)の化合物は、構造(II)の不飽和化合物と以下の式で示し実施例により例示されたようなクアドリシクラン(テトラシクロ[2.2.1.02,63,5]ヘプタン)の付加環化反応によって調製してもよい。
Figure 2005535753
反応は、ジエチルエーテルなどの不活性溶媒の存在しない状態で、または存在下で約0℃〜200約、より典型的には約30℃〜約150℃の範囲の温度で行ってもよい。1種または複数種の試薬または溶媒の沸点または沸点より上で行われる反応に関して、密閉反応器は、典型的には、揮発性成分の損失を避けるために用いられる。技術上知られているように、より高いn値(すなわち、n=1または2)の構造(I)の化合物はn=0である構造(I)の化合物とシクロペンタジエンとの反応によって調製してもよい。構造(I)の化合物は、中間体(Rはベンゾエート基である)から形成してもよい。こうした中間体は、クアドラシクランとフルオロアルキルベンゾエートの反応生成物であることが可能であり、その特定の例は1,1,3,3,3ペンタフルオロ−2−プロピベンゾエートである。典型的には、芳香族中間体が形成される時、芳香族基は重合の前に加水分解によって除去される。
フッ素含有コポリマーもエチレン性不飽和炭素に結合された少なくとも1個のフッ素原子を含有する少なくとも1種のエチレン性不飽和化合物から誘導される反復単位を含む。フルオロオレフィンは2〜20個の炭素原子を含む。代表的なフルオロオレフィンには、テトラフルオロエチレン、ヘキサフルオロプロピレン、クロロトリフルオロエチレン、弗化ビニリデン、弗化ビニル、パーフルオロ−(2,2−ジメチル−1,3−ジオキソール)、パーフルオロ−(2−メチレン−4−メチル−1,3−ジオキソラン)、CF=CFO(CFCF=CF(式中、tは1または2である)およびR’’OCF=CF(式中、R’’は1〜10個の炭素原子を有する飽和フルオロアルキル基である)が挙げられるが、それらに限定されない。好ましいコモノマーはテトラフルオロエチレンである。
本発明のコポリマーは追加の1種または複数種のコモノマーを更に含んでもよい。例えば、本発明のコポリマーはフルオロアルコール基も含んでよい。フルオロアルコール基は、構造
−C(R)(R’)OH
(式中、RおよびR’は1〜10個の炭素原子を有する同じかまたは異なるフルオロアルキル基であるか、あるいは合一して(CF(式中、mは2〜10)である)を有するフルオロアルコール基を含有する少なくとも1種のエチレン性不飽和化合物から誘導することが可能である。「合一して」という言葉は、分離した別個のフッ素化アルキル基ではなく、それらが一緒に5員環に関して以下で例示するような環構造を形成することを意味する。
Figure 2005535753
およびR’は、ヒドロキシルプロトンが水酸化ナトリウム水溶液または水酸化テトラアルキルアンモニウム溶液などの塩基性媒体中で実質的に除去されるように、フルオロアルコール官能基のヒドロキシル(−OH)に酸性度を付与するのに十分なフッ素化度が存在しなければならないこと除き、本発明により制限なしに部分フッ素化アルキル基であることが可能である。本発明による好ましい場合、ヒドロキシル基が5<pKa<11のpKA値を有するようにフルオロアルコール官能基のフッ素化アルキル基中に十分なフッ素置換が存在する。好ましくは、RおよびR’は独立して1〜5個の炭素原子を有するパーフルオロアルキル基であり、最も好ましくは、RおよびR’は両方ともトリフルオロメチル(CF)である。
本発明のフッ素化ポリマー、フォトレジストおよびプロセスは、構造
−XCHC(R)(R’)OH
(式中、RおよびR’は上述した通りであり、Xは元素の周期律表(CAS版)の第VA族または第VIA族からの元素、例えば、酸素、硫黄、窒素およびリンである)を有するフルオロアルコール官能基を含有するモノマーを更に含んでもよい。酸素は好ましいX基である。
本発明の範囲内のフルオロアルコール官能基を含有する代表的なコモノマーの例証的であるが非限定的な幾つかの例を以下で提示する。
Figure 2005535753
コポリマーは、以下の構造単位の少なくとも1個の酸含有基または保護された酸含有基を更に含むことが可能である。
Figure 2005535753
式中、EはHまたはC〜C12アルキルであり、EはCO、SOEまたは他の酸性基であり、EおよびEは独立してH、非置換C〜C12アルキルおよびヘテロ原子置換C〜C12アルキルの群から選択される。適するヘテロ原子は、酸素、窒素、硫黄、ハロゲンおよびリン原子である。ヘテロ原子が酸素である時、置換基は、2−ヒドロキシエチルアクリレート中のようなヒドロキシル基または2−メトキシエチルアクリレート中のようなエーテル基であってもよい。ヘテロ原子がNである時、置換基は2−シアノエチルアクリレート中のようなシアノ基であってもよい。アルキル基は、1〜12個の炭素原子、好ましくは1〜8個の炭素原子を含有することが可能である。特にフォトレジスト組成物中の結合剤として、使用中の水性処理性(水性現像)のために好ましい酸含有ポリマーはカルボン酸含有コポリマーである。カルボン酸基のレベルは、典型的には水性アルカリ現像剤における良好な現像のために必要とされる量を最適化することにより所定のフォトレジスト組成物について決定される。追加のモノマーはアクリレートであってもよい。t−ブチルアクリレートなどの第三級アルキルアクリレート、2−メチル−2−アダマンチルアクリレートおよび2−メチル−2−ノルボルニルアクリレートは、上述したように画像形成のための酸感受性官能基を提供しうる。アクリル酸、メチルアクリレート、エチルアクリレート、プロピルアクリレート、2−ヒドロキシエチルアクリレート、2−メトキシエチルアクリレート、2−シアノエチルアクリレート、グリシジルアクリレートおよび2,2,2−トリフルオロエチルアクリレートなどの他のアクリレートは、特にフォトレジスト組成物中で用いられる時、ポリマーの粘着性または溶解度を修正するために用いてもよい。一実施形態において、t−ブチルアクリレートは酸に不安定なt−ブチルエステル基を提供するためにポリマーに組み込んでもよい。
酢酸ビニルなどの極性モノマーも水性現像を助けるため、またはポリマー特性を修正するためにコポリマーに組み込んでよい。
ポリマーのフルオロアルコール基および/または他の酸基は、フッ素化アルコール基および/または他の酸基(すなわち、保護された基)をこの保護された形態にある間に酸性度を示さないように保護する保護基を含有することが可能である。一つの例証的例として、t−ブチル基はt−ブチルエステル中の保護基であり、この保護基は遊離酸を保護する。脱保護(保護された酸の遊離酸への転化)を受ける際、エステルは対応する酸に転化される。
アルファアルコキシアルキルエーテル基は、フォトレジスト組成物中で高度の透過性を維持するためにフルオロアルコール基のための好ましい保護基である。結果としての保護されたフルオロアルコール基は構造
−C(R)(R’)O−CHOCH
を有する。この保護されたフルオロアルコールにおいて、RおよびR’は上述した通りであり、Rは水素あるいは1〜10個の炭素原子を有する直鎖または分枝のアルキル基である。保護された酸基中の保護基として有効であるアルファアルコキシアルキルエーテル基の例証的であるが非限定的な例はメトキシメチルエーテル(MOM)である。この特定の保護基を有する保護されたフルオロアルコールは、クロロメチルメチルエーテルとフルオロアルコールの反応によって得ることが可能である。
本発明のフルオロアルコール官能基(保護されている、または未保護)は、単独で用いることが可能であるか、あるいはカルボン酸官能基(未保護)またはカルボン酸官能基のt−ブチルエステル(保護されている)などの1個または複数の他の酸基と組み合わせて用いることが可能である。
本発明において、しばしばであるが常にとは限らず、保護された基を有する成分はポリマーに組み込まれた保護された酸基を有する反復単位である。しばしば、保護された酸基は、本発明のコポリマーを形成するために重合される1種または複数種のコモノマー中に存在する。あるいは、本発明において、コポリマーは、酸含有コモノマーとの共重合によって形成することが可能であり、それから後で、得られた酸含有コポリマー中の酸官能基は、適切な手段によって保護された酸基を有する誘導体に部分的または全体的に転化することが可能である。
本発明のフッ素含有コポリマーを重合するために好ましいプロセスはラジカル付加重合である。ジ−(4−t−ブチルシクロヘキシル)ペルオキシ−ジカーボネートなどの適するいかなる重合開始剤も適切な条件下で用いることが可能である。重合圧力は、約50〜約10,000psig、好ましくは約200〜約1,000psigの範囲であることが可能である。重合温度は、約30℃〜約120℃、好ましくは約40℃〜約80℃の範囲であることが可能である。適する溶媒には、1,1,2−トリクロロフルオロエタン、および1,1,1,3,3−ペンタフルオロブタンなどの非クロロフルオロカーボン溶媒が挙げられる。重合プロセスは、半バッチ合成によって更に強化される。半バッチ合成において、モノマー混合物の一部は反応容器に入れ、その後、分割的または連続的に、残りのモノマーおよび開始剤は重合プロセス全体を通して容器に添加される。
(フォトレジストの現像)
(PAC触媒による除去のための保護基)
(光活性成分(PAC))
本発明のフォトレジスト組成物は、現像プロセス中に化学線を露光すると酸または塩基のいずれかを生成させることができる少なくとも1種の光活性成分(PAC)を含有してもよい。化学線を露光すると酸が生成する場合、PACは光酸発生剤(PAG)と呼ぶ。化学線を露光すると塩基が生成する場合、PACは光塩基発生剤(PBG)と呼ぶ。
本発明のために適する光酸発生剤には、1)スルホニウム塩(構造III)、2)ヨードニウム塩(構造IV)および3)構造Vなどのヒドロキサム酸エステルが挙げられるが、それらに限定されない。
Figure 2005535753
構造III〜IVにおいて、R〜R11は独立して置換または非置換C〜C20アリールあるいは置換または非置換C〜C40アルキルアリールまたはアラルキルである。代表的なアリール基には、フェニル、ナフチルおよびアントラセニルが挙げられるが、それらに限定されない。適するヘテロ原子置換基には、1個または複数の酸素、窒素、ハロゲンまたは硫黄原子が挙げられるが、それらに限定されない。ヘテロ原子が酸素である時、置換基はヒドロキシル(−OH)またはC〜C20アルキルオキシ(例えばC1021O)を含有してもよい。構造III〜IV中のアニオンQには、SbF (ヘキサフルオロアンチモネート)、CFSO (トリフルオロメチルスルホネート=トリフレート)およびCSO (パーフルオロブチルスルホネート)が挙げられるが、それらに限定されない。
(現像のための官能基)
フォトレジスト組成物中で用いるために、フッ素含有コポリマーは、≦365nmの波長を有する紫外線を像様露光した後にレリーフ画像を作るためにフォトレジストを現像可能にするのに十分な官能基を含有するべきである。幾つかの好ましい実施形態において、十分な官能基は、上述したように酸基および/または保護された酸基から選択される。こうした酸基または保護された酸基は、≦365nmの波長を有する十分な紫外線を露光すると、未露光部分が塩基性溶液に不溶でありながら、露光されたフォトレジスト部分を塩基性溶液に可溶性にすることが見出された。
現像のために、フッ素含有コポリマー内の1個または複数の基は、光活性化合物(PAC)、親水性の酸基または塩基の基から光分解で発生する酸または塩基の触媒作用によって生じることができる保護された酸基を有する1種または複数種の成分を含有するべきである。
所定の保護された酸基は、像様露光すると光酸が生成する時、酸が保護された酸基の脱保護および水性条件下での現像のために必要である親水性酸基の生成に触媒作用を及ぼすように酸に不安定であることに基づいて通常選択される基である。更に、フッ素含有コポリマーも保護されていない酸官能基を含有してよい。
塩基性現像剤の例には、水酸化ナトリウム溶液、水酸化カリウム溶液および水酸化アンモニウム溶液が挙げられるが、それらに限定されない。典型的には、塩基性現像剤は、0.262N水酸化テトラメチルアンモニウム(現像は通常≦120秒にわたり25℃で)または1重量%炭酸ナトリウム(現像は通常≦2分にわたり30℃の温度で)を含有する全くの水溶液などの水性アルカリ液である。
処理可能な水性フォトレジストが被覆されるか、または基材に塗布され、UV線を像様露光される時、フォトレジスト組成物の現像は、フォトレジスト(または他の光画像形成可能な塗料組成物)を水性アルカリ現像剤中で処理可能にするのに十分な酸基(例えばカルボン酸基)および/または露光すると少なくとも部分的に脱保護される保護された酸基を結合剤が含有することを必要とする場合がある。
本発明の一実施形態において、1個または複数の保護された酸基を有するコポリマーは、光発生済み酸にさらされると親水性基としてカルボン酸を生じさせる。こうした保護された酸基には、A)第三カチオンを形成できるか、または第三カチオンに転位できるエステル、B)ラクトンのエステル、C)アセタールエステル、D)β−環式ケトンエステル、E)α−環式エーテルエステルおよびF)MEEMA(メトキシエトキシエチルメタクリレート)ならびに非キメラ支援のゆえに容易に加水分解できる他のエステルが挙げられるが、それらに限定されない。カテゴリーA)の特定の幾つかの例は、t−ブチルエステル、2−メチル−2−アダマンチルエステルおよびイソボルニルエステルである。カテゴリーB)の特定の幾つかの例は、γ−ブチロラクトン−3−イル、γ−ブチロラクトン−2−イル、マバロンラクトン、3−メチル−γ−ブチロラクトン−3−イル、3−テトラヒドロフラニルおよび3−オキソシクロヘキシルである。カテゴリーC)の特定の幾つかの例は、2−テトラヒドロピラニル、2−テトラヒドロフラニルおよび2,3−プロピレンカーボネート−1−イルである。カテゴリーC)の追加の例には、例えば、エトキシエチルビニルエーテル、メトキシエトキシエチルビニルエーテルおよびアセトキシエトキシエチルビニルエーテルなどのビニルエーテルの付加からの種々のエステルが挙げられる。
典型的な酸基は、実施例により例示されたようにヘキサフルオロイソプロパノール含有モノマーの使用によって組み込んでもよいヘキサフルオロイソプロパノール基である。ヘキサフルオロイソプロパノール基の一部または全部は、例えば、酸に不安定なアルコキシメチルエーテルまたはt−ブチルカーボネートとして保護してもよい。
光発生済み酸基または塩基にさらされると親水性基としてアルコールを生じさせる保護された酸基を有する成分の例には、t−ブトキシカルボニル(t−BOC)、t−ブチルエーテルおよび3−シクロヘキセニルエーテルが挙げられるが、それらに限定されない。
ネガティブワーキングフォトレジスト層の場合、フォトレジスト層は、UV線に露光されない部分において現像中に除去されるが、超臨界流体または有機溶媒のいずれかを用いて現像中に露光された部分においては実質的に侵されない。
(溶解抑制剤および添加剤)
種々の溶解抑制剤を本発明において用いることが可能である。理想的には、遠および極UVレジスト(例えば193nmレジスト)のための溶解抑制剤(DI)は、所定のDI添加剤を含むレジスト組成物の溶解抑制、プラズマエッチング抵抗および粘着性挙動を含む多数の材料要求を満足させるように設計または選択されるべきである。幾つかの溶解抑制化合物はレジスト組成物中で可塑剤としても役立つ。
様々な胆汁酸塩エステル(すなわちコール酸エステル)は、本発明の組成物中のDIとして特に有用である。胆汁酸塩エステルは深UVレジストのための有効な溶解抑制剤であることが知られ、1983年のレイヒマニス(Reichmanis)らによる研究により始まった(レイヒマニス(E.Reichmanis)ら、「2−ニトロベンジルエステル深UVレジストの感光性に及ぼす置換基の影響(The Effect of Substituents on the Photosensitivity of 2−Nitrobenzyl Ester Deep UV Resists)」、J.Electrochem.Soc.1983年、130,1433−1437)。胆汁酸塩エステルは、天然源からの入手可能性、脂環式炭素含有率を含む幾つかの理由ならびに特に電磁気の深UV領域および真空UV領域内でのそれらの透過性のためにDIとして特に魅力的な選択である。更に、胆汁酸塩エステルは、ヒドロキシル置換および官能化に応じて広範囲の疎水性または親水性の適合性を有するように設計できることからも魅力的なDIの選択である。
本発明のための適する添加剤および/または溶解抑制剤である代表的な胆汁酸および胆汁酸誘導体には、コール酸、デオキシコール酸、リトコール酸、t−ブチルデオキシコラート、t−ブチルリトコラートおよびt−ブチル−3−α−アセチルリトコラートが挙げられるが、それらに限定されない。
本発明は、溶解抑制剤として胆汁酸エステルおよび関連化合物の使用に限定されない。種々のジアゾナフトキノン(DNQ)およびジアゾクマリン(DC)などの溶解抑制剤の他のタイプは幾つかの用途で本発明において用いることが可能である。ジアゾナフトキノンおよびジアゾクマリンは、より高いUV波長(例えば、365nmおよび恐らく248nm)で画像形成のために設計されたレジスト組成物中で一般に適する。これらの溶解抑制剤は、193nm以下の波長でのUV線による画像形成のために設計されたレジスト組成物中で一般に好ましくない。これらの化合物がこのUV領域内で強く吸収し、これらの低UV波長で大部分の用途のために通常十分に透過でないからである。
(溶媒)
本発明のフォトレジストは、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、2−エトキシエチルアセテート、2−メトキシエチルアセテートおよびエチル3−エトキシプロピオネートなどのエーテルエステル;シクロヘキサノン、2−ヘプタノンおよびメチルエチルケトンなどのケトン;酢酸ブチル、乳酸エチル、乳酸メチルおよび酢酸エチルなどのエステル;プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテルおよび2−メトキシエチルエーテル(ジグリム)などのグリコールエーテル;トルエンおよびシクロベンゼンなどの非置換および置換芳香族炭化水素;ならびにCFC−113(1,1,2−トリクロロトリフルオロメタン、本願特許出願人)および1,2−ビス(1,1,2,2−テトラフルオロエトキシ)エタンなどのフッ素化溶媒を含む適する溶媒にフォトレジストの成分を溶解させることにより塗料組成物として調製される。高沸点溶媒は、キシレンなどの非置換または置換芳香族炭化水素;ベンジルエチルエーテルおよびジヘキシルエーテルなどのエーテル;ジエチレングリコールモノメチルエーテルおよびジエチレングリコールモノエチルエーテルなどのグリコールエーテル;アセトニルアセトンおよびイソホロンなどのケトン;1−オクタノール、1−ノナノールおよびベンジルアルコールなどのアルコール;酢酸ベンジル、安息香酸エチル、シュウ酸ジエチル、マレイン酸ジエチル、炭酸エチレンおよび炭酸プロピレンなどのエステル;ならびにγ−ブチロラクトンおよびδ−バレロラクトンなどのラクトンを含め、添加してもよい。あるいは、超臨界COは溶媒として有用である場合がある。これらの溶媒は、単独で、または2種以上の混合物で用いてもよい。典型的には、フォトレジストの固形物含有率は、フォトレジスト組成物の全重量の5〜50重量%の間で異なる。
(他の成分)
本発明の組成物は任意の追加成分を含有することが可能である。添加できる追加成分の例には、塩基、界面活性剤、解像度向上剤、定着剤、残留物減少剤、塗布助剤、可塑剤およびTg(ガラス転移温度)調整剤が挙げられるが、それらに限定されない。
(プロセス工程)
微細平版印刷について、フォトレジスト組成物は、半導体工業で典型的に用いられるマクロエレクトロニックウェハなどの適する基材に塗布される。例には、シリコンウェハおよびSiONウェハが挙げられるが、それらに限定されない。その後、溶媒は蒸発によって除去される。
(像様露光)
本発明のフォトレジスト組成物は、電磁スペクトルの紫外線領域、特に≦365nmの波長において感光性である。本発明のフォトレジスト組成物の像様露光は、好ましくは、365nm、248nm、193nm、157nm以下の波長の、多くの異なるUV波長で行われるが、それらに限定されない。像様露光は好ましくは、248nm、193nm、157nm以下の波長の紫外線で行われ、より好ましくは、193nm、157nm以下の波長の紫外線で行われ、なおより好ましくは157nm以下の波長の紫外線で行われる。像様露光は、レーザまたは相当装置でディジタル的に、またはフォトマスクの使用で非ディジタル的に行うことが可能である。レーザーによるディジタル画像形成は好ましい。本発明の組成物のディジタル画像形成のために適するレーザ装置には、UV出力が193nmであるアルゴンフッ素エキシマレーザ、UV出力が248nmであるクリプトンフッ素化エキシマレーザおよび出力が157nmであるフッ素(F2)レーザが挙げられるが、それらに限定されない。上で論じたように、像様露光のためのより低い波長のUV線の使用がより高い解像度(下方解像度限界)に対応するので、より低い波長(例えば、193nmまたは157nm以下)の使用は、より高い波長(例えば、248nm以上)の使用より一般に好ましい。詳しくは、157nmでの画像形成は、この理由で193nmでの画像形成より好ましい。
本フォトレジストは、365nm(Iライン)、248nm(KrFレーザ)および特に193nm(ArFレーザ)および157nm(F2レーザ)微細平版印刷のために有用である。これらのフォトレジストは、サブマイクロメートル範囲の機構サイズの画像形成を見込む際に重要である。
(基材)
本発明において用いられる基材は、例示的に、ケイ素、酸化ケイ素、酸窒化ケイ素および窒化ケイ素または半導体製造において用いられる他の種々の材料であることが可能である。好ましい実施形態において、基材は、マイクロエレクトロニックウェハの形を取ることが可能である。マイクロエレクトロニックウェハは、ケイ素、酸化ケイ素、酸窒化ケイ素および窒化ケイ素から作製することが可能である。
Figure 2005535753
Figure 2005535753
Figure 2005535753
Figure 2005535753
特に明記がない限り、すべての温度は℃であり、すべての質量測定はグラムであり、すべての百分率は、成分モノマー反復単位のモル%として表現されるポリマー組成を除き重量%である。
ガラス転移温度(Tg)は、20℃/分の加熱速度を用いるDSC(示差走査熱分析)によって決定し、データは第2熱から報告している。用いたDSC装置は、デラウェア州ウィルミントンのTAインストルメンツ(TA Instruments(Wilmington,DE))によって製造されたモデルDSC2910である。
157nm画像形成感度の評価は、157nm動作のために構成された「ラムダ・フィジク・コンペックス(Lambda−Physik Compex)」102エキシマレーザを用いて行うことが可能である。真空紫外線透過率測定は、D光源が装備された「マクファーソン(McPherson)」分光計を用いて行う。試料はCaF基材上で幾つかの厚さで回転被覆し、透過率への基材の寄与はスペクトル分割によって近似的に除去される。
より詳しくは、ポリマーのためのすべての吸収係数測定は以下に記載した手順を用いて行うことが可能である。
1.最初に、ブリューワー・シー(Brewer Cee)(ミズーリ州ローラ(Rolla,MO))の「スピンコータ/ホットプレート(Spincoater/Hotplate)」モデル100CBで試料をシリコンウェハ上に回転被覆する。
a)2〜4個のシリコンウェハを異なる速度(例えば、2000、3000、4000、6000rpm)で回転させて、異なるフィルム厚さを得る。その後、被覆されたウェハを120℃で30分にわたり焼成する。その後、乾燥させたフィルムの厚さをガエトナー・サイエンティフィック(Gaertner Scientific)(イリノイ州シカゴ(Chicago,IL))のL116A楕円偏光計(400〜1200オングストローム範囲)で測定する。その後、2つの回転速度をこのデータから選択して、分光計測定のためにCaF基材を回転させる。
b)2つのCaF基材(直径1インチ×厚さ0.80インチ)を選択し、632重水素源、658光電子増倍器および「ケイスレー(Keithley)」485ピコアンメータを用いる「マクファーソン(McPherson)」(マサチューセッツ州ケムスフォード(Chemsford,MA))分光計で各々を標準データファイルとして走らせる。
c)シリコンウェハデータa)から二つの速度を選択して(例えば、2000rpmと4000rpm)、CaF標準基材上で試料材料を回転させて、所望のフィルム厚さ達成する。その後、各々を120℃で30分にわたり焼成し、試料スペクトルを「マクファーソン(McPherson)」分光計で集める。その後、試料ファイルを標準CaFファイルによって分割する。
d)その後、得られた吸光率ファイルをフィルム厚さについて調節して(CaF上の試料フィルムをCaFブランクで除す)、吸光率/ミクロン(abs/mic)を与え、それはGRAMS386ソフトウェアおよび「カレイダグラフ(KALEIDAGRAPH)ソフトウェアを用いて行う。
「クリアリング線量」という用語は、所定のフォトレジストフィルムが露光後に現像されるのを可能にする最小露光エネルギー密度(例えば、mJ/cmの単位)を示す。
(実施例1)
(TCN−(CO2t−Bu)の調製)
100mLのt−Buアクリレートと88gのクアドリシクランの混合物を90℃で96時間にわたり加熱することにより、TCN−(CO2t−Bu)を調製した。粗製品(159g)の蒸留は27g(14%)のTCN−(CO2t−Bu)を生じさせた。沸点79〜83℃/1.3mm。
(実施例2)
(TCN−(F2)(F、CO2−t−Bu)の調製)
「フィッシャー/ポーター(Fisher/Porter)」ガラス圧力容器にクアドリシクラン(15.1g、163ミリモル)および攪拌棒を投入した。液体を−78℃に冷却し、容器を排気した。トリフルオロアクリロイルフルオリド(19g、150ミリモル)をガストラップ内で凝縮させ、真空下で容器に移送した。攪拌された内容物を放置してゆっくり暖めた。混合物を45℃で36時間にわたり加熱した。混合物を室温に冷却し、小体積の低沸点材料を真空下でトラップに移送した。粗付加体酸弗化物をエーテル(70mL)で処理し、サーモウェル、スターラーおよび添加口が装備された(N下にある)三口フラスコにカニューラにより添加した。溶液を−20℃に冷却し、エーテル(130mL)/THF(40mL)中のカリウムt−ブトキシド(17.7g、150ミリモル)の溶液で分割して処理し、反応温度を添加中(40分)に−15℃で保持した。混合物を放置してゆっくり室温に暖めた。反応混合物を氷内で冷却し、その後、エーテル(400mL)と氷水(400mL)の混合物に添加した。水相のpHは約8であった。有機層をブラインで洗浄し、乾燥させ(NaSO、MgSO)、取り除いた。クゲルロール(Kugelrohr)蒸留は、沸点50〜65℃の無色油35.6g(87%)を生じさせた。モノマー試料がより高沸点の残留物を含まないことを確実にするために、モノマー試料を再蒸留して、35.0gの材料を生じさせた。H NMR(C):5.73〜5.62(m、a=2.00)、3.35(bds、a=0.64)、2.81〜2.72(重なりm、a=1.72)、2.42〜2.28(m、a=1.01)、2.12〜2.06(m)および2.50〜1.99(重なりm、a=1.03)、1.69(d、ABパターンのアップフィールド部分、J=9.8Hz、a=0.63)、1.34(s、a=3.55、OC(CH、副異性体)、1.28(s、OC(CH、主異性体)および1.25(d、ABパターンのアップフィールド部分、主異性体、組み合わせa=6.92)、1.15(d、ABパターンのアップフィールド部分、副異性体、a=0.40)。19F NMR(C)は二つのABパターンを示した。−101.86(ddd、J=5.4、14.2、216、a=35.5、副異性体)、−107.05(dddd、J=2.7、6.0、16.3、218、a=62.9、副異性体)、−119.00でアップフィールド分枝(J=2.7、217、a=63.3)、−120.8(m’sのd、J=3.8、216、a=36.3)、−160.67(m’sのd、J=2.2、26.7、a=59.9)、−186.76(m、a=34.1)。スペクトルは、立体異性付加体の約63/37混合物と一致した。GC/MSは2/1の比で2成分を示した。2成分は、非常に似た切断パターンを示し、所望のt−ブチルエステルと一致するm/e=274およびM−CHイオンによるMを示した。
(実施例3)
(TCN−(C(O)OCH3,C(CF3)2OCH2OCH3)の調製)
29g(0.1モル)のCH2=CC(O)OCH[C(CFOCHOCH]と11mLのクアドリシクラン(純度80%、残りはノルボルナジエン)の混合物を90〜110℃で48時間にわたり還流させた。反応混合物の蒸留は14g(47%)のTCN−(C(O)OCH3,C(CF3)2OCH2OCH3)を生じさせた。沸点:120〜122℃/0.65mm。IR:1738(C=O)cm−1
(実施例4)
(TCN−(F−CO2t−Bu)の調製)
100mLの乾燥エーテル中の30gのCH2=CFC(O)F(35%のDMFを含有)(0.22モル)と35mLのクアドリシクランの混合物を100℃で16時間にわたり保持した。粗反応混合物を精留して、25g(純度80%、収率52%)のシクロ付加体を生じさせた。沸点57〜82℃/20mm。この材料を50mLの乾燥DMFに溶解させ、−20℃に冷却し、100mLの乾燥DMF中の13gの乾燥カリウムt−ブトキシドの溶液を−20〜−15℃で内部温度を維持する速度でゆっくり添加した。反応混合物を室温に暖め、一晩攪拌した。反応混合物を500mLの水で希釈し、CHCl(1×100mLおよび1×50mL)で抽出した。組み合わせ有機層を500mLの水(3×150mL)中の50mLの塩酸の溶液で洗浄し、MgSO上で乾燥させた。溶媒を真空下で除去し、残留物を蒸留して、沸点85〜94℃/0.55mmの8.9gの留分(TCN−(F−CO2t−Bu)純度80%、残りはDMF)および2種の異性体の混合物(比3:1)として11.5gのTCN−(F,CO2t−Bu)を生じさせた。沸点94〜96℃/0.55mmHg。19F NMR:−145.16(m)主、−170.54(m)副。
(実施例5)
(TFE、NB−F−OHおよびTCN−(F)2(F,CO2t−Bu)ポリマーの合成)
200mLのステンレススチール圧力容器に36.5gのNB−F−OH、32.9gのTCN−(F)2(F,CO2t−Bu)、50mLの「ソルカン(Solkane)」(登録商標)365mfcおよび2.55gの「パーカドックス(Perkadox)」(登録商標)16N開始剤を投入した。容器を密閉し、ドライアイス中で冷却し、窒素でパージし、排気し、45.5gのTFEを投入した。その後、容器を50℃で18時間にわたり内容物と合わせて攪拌する一方で、内部圧力は363psiから336psiに低下した。容器を室温に冷却し、1気圧にベントした。追加の「ソルカン(Solkane)」(登録商標)365mfcを用いて容器内容物を除去して、リンスした。組み合わせた反応器溶液とリンス液を過剰のヘキサン(650mLのヘキサンへの30〜35mL部分)に添加した。沈殿物を濾過し、ヘキサンで洗浄し、数時間にわたり空気乾燥させ、その後、若干窒素パージしつつ88〜90℃で真空炉内で一晩乾燥させた。42.5gの白色ポリマーが単離された。GPC分析:M3500、M7200、T195℃(DSC)。分析検出:C46.10、H3.86、F39.14。19F NMR(δ、CDCl)−77.6(NB−F−OHからの6F)、−95〜−125(TFEからの4FおよびTCN−(F)2(F,CO2−t−Bu)からの2F)、−160および−187(TCN−(F)2(F,CO2−t−Bu)からの1F)。
(実施例6)
(TFE、NB−F−OHおよびTCN−(CO2t−Bu)ポリマーの合成)
200mLのステンレススチール圧力容器に46.4gのNB−F−OH、26.4gのTCN−(CO2t−Bu)、50mLの「ソルカン(Solkane)」(登録商標)365mfcおよび2.55gの「パーカドックス(Perkadox)」(登録商標)16N開始剤を投入した。容器を密閉し、ドライアイス中で冷却し、窒素でパージし、排気し、52gのTFEを投入した。その後、容器を50℃で18時間にわたり内容物と合わせて攪拌する一方で、内部圧力は383psiから363psiに低下した。容器を室温に冷却し、1気圧にベントした。追加の「ソルカン(Solkane)」(登録商標)365mfcを用いて容器内容物を除去して、リンスした。組み合わせた反応器溶液とリンス液を過剰のヘキサン(650mLのヘキサンへの30〜35mL部分)に添加した。沈殿物を濾過し、ヘキサンで洗浄し、数時間にわたり空気乾燥させ、その後、若干窒素パージしつつ88〜90℃で真空炉内で一晩乾燥させた。19.3gの白色ポリマーが単離された。GPC分析:M4900、M6700、T162℃(DSC)。分析検出:C51.52、H4.72、F32.53。
(実施例7)
(TFEおよびTCN−(C(O)OCH3,C(CF3)2OCH2OCH3)ポリマーの合成)
75mLのステンレススチール圧力容器に13.8gのTCN−(CO(O)CH3,C(CF3)2OCH2OCH3)、25mLの「ソルカン(Solkane)」(登録商標)365mfcおよび0.32gの「パーカドックス(Perkadox)」(登録商標)16N開始剤を投入した。容器を密閉し、ドライアイス中で冷却し、窒素でパージし、排気し、6gのTFEを投入した。その後、容器を50℃で18時間にわたり内容物と合わせて攪拌する一方で、内部圧力は193psiから180psiに低下した。容器を室温に冷却し、1気圧にベントした。追加の「ソルカン(Solkane)」(登録商標)365mfcを用いて容器内容物を除去して、リンスした。組み合わせた反応器溶液とリンス液を過剰のヘキサン(650mLのヘキサンへの30〜35mL部分)に添加した。沈殿物を濾過し、ヘキサンで洗浄し、数時間にわたり空気乾燥させ、その後、若干窒素パージしつつ88〜90℃で真空炉内で一晩乾燥させた。1.3gの白色ポリマーが単離された。GPC分析:M3100、M5300、T155℃(DSC)。分析検出:C46.57、H3.96、F34.42。
(実施例8)
(TFE、NB−F−OHおよびTCN−(F,CO2t−Bu)ポリマーの合成)
200mLのステンレススチール圧力容器に40.6gのNB−F−OH、21.7gのTCN−(F,CO2t−Bu)、50mLの「ソルカン(Solkane)」(登録商標)365mfcおよび2.23gの「パーカドックス(Perkadox)」(登録商標)16N開始剤を投入した。容器を密閉し、ドライアイス中で冷却し、窒素でパージし、排気し、45.5gのTFEを投入した。その後、容器を50℃で18時間にわたり内容物と合わせて攪拌する一方で、内部圧力は345psiから304psiに低下した。容器を室温に冷却し、1気圧にベントした。追加の「ソルカン(Solkane)」(登録商標)365mfcを用いて容器内容物を除去して、リンスした。組み合わせた反応器溶液とリンス液を過剰のヘキサン(650mLのヘキサンへの30〜35mL部分)に添加した。沈殿物を濾過し、ヘキサンで洗浄し、数時間にわたり空気乾燥させ、その後、若干窒素パージしつつ88〜90℃で真空炉内で一晩乾燥させた。23.6gの白色ポリマーが単離された。GPC分析:M4700、M10000、T171℃(DSC)。分析検出:C48.14、H4.34、F36.48。19F NMR(δ、CDCl)−75.7(NB−F−OHからの6F)、−95〜−125(TFEからの4F)、−139〜−143および−166〜−169(TCN−(F,COt−Bu)からの1F)。
(実施例9)
以下の溶液を調製し、磁気的に一晩攪拌した。
Figure 2005535753
ブリューワー・サイエンス(Brewer Science Inc.)モデル100CBコンビネーションスピンコータ/ホットプレートを用いて回転被覆を直径4インチのタイプ「P」<100>配向シリコンウェハ上で行った。リソウ・テク・ジャパン(Litho Tech Japan Co.)のレジスト現像分析装置(モデル790)で現像を行った。
6mLのヘキサメチルジシラザン(HMDS)プライマーを沈着させ、5000rpmで10秒にわたり回転させることによりウェハを作製した。その後、0.45μmPTFEシリンジフィルタを通して濾過した後の上の溶液約2〜3mLを沈着させ、2500rpmで60秒にわたり回転させ、150℃で60秒にわたり焼成した。
248nmでエネルギーの約30%を通す248nm干渉フィルタを通して「オリエル(ORIEL)」モデル82421ソーラーシミュレーター(1000ワット)からの広帯域UV線を通すことにより得られた光に被覆されたウェハを露光することにより248nm画像形成を達成した。露光時間は30秒であり、45mJ/cmの非減衰線量を提供した。異なる中性光学密度の18位置を有するマスクを用いることにより、多様な露光線量を生じさせた。露光後、露光されたウェハを125℃で60秒にわたり焼成した。
水酸化テトラメチルアンモニウム(TMAH)水溶液(「シプレイ(Shipley)」LDD−26W、0.26N溶液)中で60秒にわたりウェハを現像し、ポジティブ画像をもたらした。
(実施例10)
(TCN−(F)2(CF3、OH)の調製)
「フィッシャー/ポーター(Fisher/Porter)」ガラス圧力容器にクアドリシクラン(1.0g、10.9ミリモル)および1,1,3,3,3−ペンタフルオロ−2−プロペニルベンゾエート(2.52g、10ミリモル)を投入した。密封した容器を110℃で24時間、その後、120℃で9日にわたり加熱した。冷却した混合物をクゲルロール(kugelrohr)蒸留に供して、0.83gの出発1,1,3,3,3−ペンタフルオロ−2−プロペニルベンゾエートおよび沸点98〜100℃/0.05mmの1.63gの無色油を生じさせた。19F NMR(C)は、−67.93(d、J=11.4、a=0.12)、−72.98(dd、J=16.9、1.6、a=0.13)、二つのABパターン、−99.0(J=214.7、および6.0Hz、14.7Hzの二重線カップリング、a=0.042)、−118.81(J=215、他の幾つかのカップリング、a=0.041)および−101.6(四重線の二重線に加えてJ=222、J=6.0、17.4、a=0.044)、−114.82(J=221、他のカップリングは解像されなかった。a=0.046)を示した。H NMR(C):8.10および8.02(m’s、a=2.00、オルトH’s)、7.06(m)および7.00〜6.92(m、組み合わせa=3.12)、ビニル一重線の2組、5.73、5.68、および5.62〜5.56(a=2.03)、3.16および3.14(重なりbd一重線、a=1.00、ブリッジヘンド)、2.75(bds、重なりm、a=0.95)、2.66(bds、a=0.52)、2.58〜2.47(重なりm’s、a=1.02)、2.27(m、a=0.54)、CHABパターンの2組、2.09、1.15(d、J=10.1Hz)、および1.72、1.00(d、J=9.7Hz)。Hおよび19F NMRデータは、TCN−(F)2(CF3、OC(O)C)、クアドリシクランと1,1,3,3,3−ペンタフルオロ−2−プロペニルベンゾエートのシクロ付加体と一致している。
上述したよう得られたTCN−(F)2(CF3、OC(O)C)の蒸留した試料(1.63g、4.71ミリモル)をメタノール(15mL)および水(10mL)中の水酸化カリウム(0.80g、12ミリモル)の溶液に添加した。混合物を室温で4.5時間にわたり迅速に攪拌した。メタノールの大部分を減圧下で除去した。水(15mL)を添加し、塩酸の添加によってpHを約7.0に調節した。生成物を塩化メチレン(2×20mL)で抽出し、抽出物を乾燥させ取り除いて、1.07gの殆ど無色の油を生じさせた。19F NMR(C):−74.02(d、J=7.1Hz、a=2.77)、−79.25(dd、J=2.0、14.7)、ABパターンの2組、−103.05(ddd、J=6.5、13.7、213、a=0.93)、−105.34(dddq、J=218、15、5.4、15、a=1.02)、−119.19(d、J=217.5、a=1.01)、−123.07(m’sのd、J=213、a=0.93)。H NMR(C):5.67(dd、J=3.3、5.8)および5.54(J=3.3、5.8、異性体Aに関するビニル一重線)、5.62(二次オーダーABパターン、組み合わせビニル一重線領域=2.00)、2.80(bds、a=0.49)、2.69(m)および2.67(s、組み合わせa=1.51)、2.46(bds、a=0.50)、2.28(m、a=0.50)、2.16(m、a=0.55)、2.02〜1.96(重なりm、a=1.02)、1.93(bds、a=0.51)、1.81(d、J=10、a=0.53)、1.71(重なりd’s、J約7.2、a=0.48)、1.11(d、J約10)および1.08(d、J約10、組み合わせa=1.02)。TCN−(F)2(CF3、OH)のエクソ環形状を含有する2異性体のほぼ50/50混合物と一致。
標記モノマーの第2の調製において、「フィッシャー/ポーター(Fisher/Porter)」ガラス圧力容器にクアドリシクラン(18.0g、195ミリモル)および1,1,3,3,3−ペンタフルオロ−2−プロペニルベンゾエート(32.86g、130.3ミリモル)を投入した。密封した容器を125℃で144時間にわたり加熱した。反応混合物を冷却し、残留Cを減圧下で除去した。クゲルロール(kugelrohr)蒸留は、沸点23〜60℃/0.05mmの13.5gの低沸点液(1,1,3,3,3−ペンタフルオロ−2−プロペニルベンゾエートの初期投入量の41%)および沸点92〜97℃/0.03mmの27.3gの無色油(理論の60.9%)を生じさせた。19FおよびH NMRスペクトルは上述した通りであり、TCN−(F)2(CF3、OC(O)C)に一致した。
上述したよう得られたTCN−(F)2(CF3、OC(O)C)の蒸留した試料(27.3g、79.1ミリモル)をメタノール(250mL)および水(167mL)中の水酸化カリウム(13.35g、203ミリモル)の溶液に添加した。混合物を室温で4.5時間にわたり迅速に攪拌した。メタノールの大部分を減圧下で除去した。水(150mL)を添加し、塩酸の添加によってpHを約7.0に調節した。生成物を塩化メチレン(3×150mL)で抽出し、抽出物を乾燥させ取り除いて、20.7gの殆ど無色の油を生じさせた。クゲルロール(kugelrohr)蒸留は、沸点35〜38℃/0.05mmの19.6g(約100%)の無色油を生じさせた。上述したように記録された19F NMRおよびH NMRは、TCN−(F)2(CF3,OH)のエクソ環形状を含有する2異性体のほぼ50/50混合物に一致した。
(実施例11)
(TCN−(CF3,C(CF3)2OH)の調製)
a)CH=C(CH)C(O)Clの調製
蒸留ヘッドが装着された丸底フラスコに入れたフタロイルジクロリド45gに、28gのCH=C(CF)C(O)OH(98%、米国フロリダ州アラチュアのシンクエスト・ラボラトリーズ(Synquest Laboratories(Alachua,FL)))を添加した。反応混合物を150℃に至るまで加熱し、製品を同時に蒸留し、製品を集め[28g(88%)の留分86〜100℃]、特に精製せずに次工程で用いた。
b)CH=C(CF)C(O)Clとクアドリシクランの反応
100mLの乾燥エーテル中の22gのクアドリシクランの溶液に28gのCH=C(CH)C(O)Clを10〜20℃で添加した(反応は発熱である)。反応混合物を12時間にわたり25〜35℃で維持した。その後、溶媒を真空下で除去し、残留物を減圧下で蒸留して、36g(71%)のシクロ付加体Aを生じさせた。
Figure 2005535753
沸点102〜108℃/15mmHg。検出:C52.25、H3.89、F22.49。
c)TCN−(CF3,C(CF3)2OH)の調製
温度計、添加漏斗およびドライアイスコンデンサが装着された1Lフラスコに入れた65gの乾燥CsFと100mLの乾燥アセトニトリルの混合物に200mLの乾燥CHCN中のAの溶液をゆっくり添加した。反応混合物を周囲温度で1時間攪拌し、+10℃に冷却し、その後、110gのトリフルオロメチルトリメチルシラン(シンクエスト・ラボラトリーズ(Synquest Laboratories))を10〜15℃でゆっくり添加した。反応混合物を周囲温度にもっていき、14時間にわたり攪拌した。400mLの10%塩酸を15〜20℃で反応混合物にゆっくり添加した(pH<1)。反応混合物をCHCl(3×100mL)で抽出し、組み合わせ有機層をMgSO上で乾燥させ、その後、溶媒を真空下で除去した。残留物を減圧下で蒸留して、TCN−(CF3,C(CF3)2OH)の沸点74〜75℃/0.75mmHgの30g(24%)の留分を生じさせた。NMRデータによると、製品は60:40の比の2異性体の混合物であった。19F NMR(CDCl)主:−61.27(3F、m)、−68.73(3F、m)、−71.21(3F、m);副:−70.55(3F、m)、−71.35(3F、m)、−72.56(3F、m)。検出:C43.80、H3.20、F48.48。
(実施例12)
(TCN−(F)2(F,C(CF3)2OH)の調製)
クアドリシクランとCF=CFC(O)Fのシクロ付加体の調製
「フィッシャー/ポーター(Fisher/Porter)」ガラス圧力容器にクアドリシクラン(15.1g、163ミリモル)および攪拌棒を投入した。液体を−78℃に冷却し、容器を排気した。トリフルオロアクリロイルフルオリド(19g、150ミリモル)をガストラップ内で凝縮させ、真空下で容器に移送した。攪拌された内容物を放置してゆっくり暖め、その後、24時間にわたり45℃で維持した。混合物を室温に冷却し、小体積の低沸点材料を真空下で反応器からトラップに移送した。残りの反応塊は、NMR分析に基づいて>95%と推定された純度の特性分析されたシクロ付加体Bであった。19F(C)+36.35(a=59.3、COF)、+29.22(a=33.9、COF)、−100.15(a=36.8)および−105.35(a=64.2)でABパターンの低フィールド部分、−118.6(主)および−119.25(副)でABパターンのアップフィールド部分、−165.87(a=50.9)および−188.0(a=31.1)でCF。
Figure 2005535753
b)TCN−(F)2(F,C(CF3)2OH)の調製
温度計、添加漏斗およびドライアイスコンデンサが装着された500mlフラスコに入れた35gの乾燥CsFと200mLの乾燥THFの混合物に50mLの乾燥THF中のBの溶液および49gのトリフルオロメチルトリメチルシラン(シンクエスト(Synquest))を10〜15℃でゆっくり添加した。反応混合物を周囲温度にもっていき、14時間にわたり攪拌した。500mLの10%塩酸を15〜20℃で反応混合物にゆっくり添加した(pH<1)。反応混合物をCHCl(3×100mL)で抽出し、組み合わせ有機層を10%HClで2回洗浄し、MgSO上で乾燥させ、その後、溶媒を真空下で除去した。残留物を減圧下で蒸留して、TCN−(F)2(F,C(CF3)2OH)の沸点46〜48℃/0.05mmHgの32g(60%)の留分を生じさせた。NMRデータによると、製品は65:35の比の2異性体の混合物であった。19F NMR(CDCl)主:−73.38(3F、m)、−73.90(3F、m)、−102.82(1F、dm;217Hz)、−120.87(1F、dqd、217、16.4;6.6Hz)、−160.58(1F、m);副:−71.70(3F、m)、−72.56(3F、m)、−106.03(1F、dm;225.5Hz)、−117.53(1F、dd;225.5;9.8Hz)。検出:C41.43、H2.70。
(実施例13)
(TCN−(F,C(CF3)2OH)の調製)
a)2−フルオロアクリロイルフルオリド(CH=CFC(O)F)の調製
メカニカルスターラー、ドライアイスコンデンサおよび熱電対が装着された3Lフラスコに乾燥DMF(1.3L)、ヒドロキノン(6g)および亜鉛(130g)を入れた。ヨウ化ナトリウム(160g)をN流れ下で攪拌しつつ一度にフラスコに添加した。反応混合物を室温で15分にわたり攪拌した(内部温度を29℃に上げた)。テトラフルオロオキセタン(130g)を35℃の温度で始めて反応混合物に滴下した。添加は1時間で完了した。内部温度を殆どの時間36〜42℃の間で保持したが、反応の終わりに約5分にわたり47℃に上げた。添加後に混合物を35〜25℃で3時間にわたり攪拌した。製品を減圧(約5mmHg)で蒸留し、直列のドライアイストラップおよび液体Nトラップ内で集めた。合計で79.5gの液体を得た。それはNMR分析に基づいて約65%の製品、30%DMFおよび5%の不純物を含有していた。計算収率:52%。
b)クアドリシクランとCH=CFC(O)Fのシクロ付加体の調製
400mLのシャーカー管に100mLの乾燥エーテル中の79gのCH=CFC(O)Fの冷たい溶液(30%のDMFおよび0.6gのヒドロキノンを含有していた)を投入し、その後、65gの冷たいクアドリシクラン(純度90%、10%のノルボルナジエンおよびMeOBu−t)を添加した。反応を16時間にわたり110℃で保持した。溶媒および揮発分を真空下で粗製品から除去して、純度70%の111gの粗シクロ付加体Cを生じさせた。残りはDMF(約15%)およびその他(15%)であった。2種の異性体が存在した。19F NMR−26.3(d、J=26Hz、1F)、−150.7(5重線、J=26Hz、1F):他の異性体−20.2(d、J=20Hz、1F)、−171.2(qq、J=19、7Hz、1F)ppm。特に精製せずに粗製品を反応(c)の次工程のために用いた。
Figure 2005535753
c)TCN−(F,C(CF3)2OH)の調製
ドライアイスコンデンサ、温度計、添加漏斗およびマグネチックスターラーが装着された500mLフラスコにドライボックス内の乾燥させたCsF(15g、0.1モル)およびCHCN(150mL)を投入した。CHCN(50mL)中の111gの粗シクロ付加体C(工程bからの約0.42モル)の溶液を5分にわたり添加した。反応混合物を周囲温度で15分にわたり攪拌し、その後、5℃に冷却した。120g(0.85モル)のトリフルオロメチルトリメチルシラン(シンクエスト(Synquest))を1時間40分にわたりゆっくり添加した。得られた混合物を25℃に至るまで2時間にわたり暖め、25℃で16時間にわたり攪拌した。反応混合物の液体をデカントし、固形物を50mLの乾燥CHCNで洗浄した。組み合わせ有機部分を500mLの5%塩酸に添加した。得られた混合物を室温で45分にわたり攪拌した。混合物をCHCl(3×200mL)で抽出した。組み合わせ抽出物をHCl(5%、4×150mL)で洗浄し、MgSO上で乾燥させた。溶媒をロトベーパで除去して、155gの粗製品を残した。それを真空下で蒸留して、5gの留分1(沸点<42℃/0.05mmHg)および沸点51〜63℃/0.05mmHg(主として61〜61℃/0.05mmHg)の101.7gの留分2を生じさせた。留分1と留分2の両方は、TCN−(F,C(CF3)2OH)のトリメチルシリルエーテルを含有していた。それらをTHF(200mL)中のBuNF(80g)で室温で一晩処理した。HCl(5%、300mL)を添加し、有機層を単離した。水層をエーテル(2×200mL)で抽出した。エーテル抽出物を有機層と組み合わせ、水(3×100mL)で洗浄し、NaSO上で乾燥させ、濃縮して、液体を生じさせた。液体の減圧蒸留は、沸点50〜55℃/0.05mmHgの77gのTCN−(F,C(CF3)2OH)を生じさせた。(オキセタンからアルコールへの)総合的収率は25%であった。製品は、1:1の比の2異性体の混合物であった。19F NMR−72.5(dm、J=147Hz、6F)、−171.8(m、1F):他の異性体−73.8(dm、J=363Hz、1F)、−145.6(m、1F)ppm。
(実施例14)
(TFEおよびTCN−(F)2(CF3,OH)ポリマーの合成)
200mLのステンレススチール圧力容器に28.8gのTCN−(F)2(CF3,OH)、40mLの「ソルカン(Solkane)」(登録商標)365mfcおよび1.02gの「パーカドックス(Perkadox)」(登録商標)16N開始剤を投入した。容器を密閉し、ドライアイス中で冷却し、窒素でパージし、排気し、20gのTFEを投入した。その後、容器を50℃で18時間にわたり内容物と合わせて攪拌する一方で、内部圧力は220psiから199psiに低下した。容器を室温に冷却し、1気圧にベントした。追加の「ソルカン(Solkane)」(登録商標)365mfcを用いて容器内容物を除去して、リンスした。組み合わせた反応器溶液とリンス液を過剰のヘキサン(650mLのヘキサンへの30〜35mL部分)に添加した。沈殿物を濾過し、ヘキサンで洗浄し、数時間にわたり空気乾燥させ、その後、若干窒素パージしつつ88〜90℃で真空炉内で一晩乾燥させた。9.97gの白色ポリマーが単離された。GPC分析:M5300、M9300、T222℃(DSC)。19F NMR(δ、THF−d8)−73.5および−79.5(CF)、−95〜−125(CF)。
(実施例15)
(TFEおよびTCN−(CF3,C(CF3)2OH)ポリマーの合成)
200mLのステンレススチール圧力容器に42.5gのTCN−(CF3,C(CF3)2OH)、50mLの「ソルカン(Solkane)」(登録商標)365mfcおよび1.08gの「パーカドックス(Perkadox)」(登録商標)16N開始剤を投入した。容器を密閉し、ドライアイス中で冷却し、窒素でパージし、排気し、22gのTFEを投入した。その後、容器を50℃で18時間にわたり内容物と合わせて攪拌する一方で、内部圧力は219psiから211psiに低下した。容器を室温に冷却し、1気圧にベントした。追加の「ソルカン(Solkane)」(登録商標)365mfcを用いて容器内容物を除去して、リンスした。組み合わせた反応器溶液とリンス液を過剰のヘキサン(650mLのヘキサンへの30〜35mL部分)に添加した。沈殿物を濾過し、ヘキサンで洗浄し、数時間にわたり空気乾燥させ、その後、若干窒素パージしつつ88〜90℃で真空炉内で一晩乾燥させた。9.7gの白色ポリマーが単離された。GPC分析:Mn4200、Mw6200、Tg209℃(DSC)。19F NMR(δ、THF−d8)−60.9および−67.8(CF)、−75.5(C(CFOH)、−95〜−125(CF)。分析検出:C41.87、H2.95、F49.76。
(実施例16)
(TFEおよびTCN−(F)2(F,C(CF3)2OH)ポリマーの合成)
200mLのステンレススチール圧力容器に37.4gのTCN−(F)2(F,C(CF3)2OH)、50mLの「ソルカン(Solkane)」(登録商標)365mfcおよび1.0gの「パーカドックス(Perkadox)」(登録商標)16N開始剤を投入した。容器を密閉し、ドライアイス中で冷却し、窒素でパージし、排気し、20gのTFEを投入した。その後、容器を50℃で18時間にわたり内容物と合わせて攪拌する一方で、内部圧力は208psiから181psiに低下した。容器を室温に冷却し、1気圧にベントした。追加の「ソルカン(Solkane)」(登録商標)365mfcを用いて容器内容物を除去して、リンスした。組み合わせた反応器溶液とリンス液を過剰のヘキサン(650mLのヘキサンへの30〜35mL部分)に添加した。沈殿物を濾過し、ヘキサンで洗浄し、数時間にわたり空気乾燥させ、その後、若干窒素パージしつつ88〜90℃で真空炉内で一晩乾燥させた。17.8gの白色ポリマーが単離された。GPC分析:Mn4800、Mw7400、Tg228℃(DSC)。19F NMR(δ、THF−d8)−156〜−160(CF)および−185(CF)、−70.6および−72.5(C(CFOH)、−95〜−125(CF)。分析検出:C39.57、H2.47、F53.05。
(実施例17)
(TFEおよびTCN−(F),C(CF3)2OH)ポリマーの合成)
200mLのステンレススチール圧力容器に60.8gのTCN−(F),C(CF3)2OH)、50mLの「ソルカン(Solkane)」(登録商標)365mfcおよび1.59gの「パーカドックス(Perkadox)」(登録商標)16N開始剤を投入した。容器を密閉し、ドライアイス中で冷却し、窒素でパージし、排気し、30gのTFEを投入した。その後、容器を50℃で18時間にわたり内容物と合わせて攪拌する一方で、内部圧力は257psiから240psiに低下した。容器を室温に冷却し、1気圧にベントした。追加の「ソルカン(Solkane)」(登録商標)365mfcを用いて容器内容物を除去して、リンスした。組み合わせた反応器溶液とリンス液を過剰のヘキサン(650mLのヘキサンへの30〜35mL部分)に添加した。沈殿物を濾過し、ヘキサンで洗浄し、数時間にわたり空気乾燥させ、その後、若干窒素パージしつつ88〜90℃で真空炉内で一晩乾燥させた。16.5gの白色ポリマーが単離された。GPC分析:M4700、M9300、T205℃(DSC)。19F NMR(δ、THF−d8)−167.8、−168.9、−140.7および−143.8(環CF)、−71〜−76(C(CF3)2OH)、−95〜−125(CF)。分析検出:C44.647、H3.13、F44.82。

Claims (45)

  1. (a)エチレン性不飽和炭素原子に共有結合された少なくとも1個のフッ素原子を有するエチレン性不飽和化合物から誘導される少なくとも1個の反復単位と、
    (b)構造
    Figure 2005535753
    (式中、nは、0、1または2であり、
    、R、RおよびRは、独立して、H、OR、ハロゲン、ハロゲンまたはエーテル酸素で任意選択的に置換された1〜10個の炭素原子を有するアルキルまたはアルコキシ、Y、C(R)(R’)OR、RYまたはORYであり、
    Yは、COZまたはSOZであり、
    は、水素または酸に不安定な保護基であり、
    およびR’は、1〜10個の炭素原子を有する同じかまたは異なるフルオロアルキル基であるか、あるいは合一して(CF(式中、mは2〜10)であり、
    は、ハロゲンまたはエーテル酸素で任意選択的に置換された1〜20個の炭素原子を有するアルキレン基であり、
    Zは、OH、ハロゲンまたはORであり、
    は、1〜20個の炭素原子を有するアルキル基であるが、但し、R、R、RおよびRの少なくとも1個がY、OR、C(R)(R’)OR、RYまたはORYであることを条件とし、そしてR(またはR)がOHである場合、R(またはR)がOHでもハロゲンでもないことを条件とする)
    を有するエチレン性不飽和化合物から誘導される少なくとも1個の反復単位と
    から誘導される反復単位を含むことを特徴とするポリマー。
  2. 構造(I)を有する前記化合物が、
    Figure 2005535753
    (式中、R12は1〜20個の炭素原子を有するアルキル基である)
    よりなる群から選択されることを特徴とする請求項1に記載のポリマー。
  3. 前記エチレン性不飽和炭素原子に共有結合された少なくとも1個のフッ素原子を有する少なくとも1種のエチレン性不飽和化合物が、2〜20個の炭素原子を含むフルオロオレフィンであることを特徴とする請求項1に記載のポリマー。
  4. 前記フルオロオレフィンが、テトラフルオロエチレン、ヘキサフルオロプロピレン、クロロトリフルオロエチレン、弗化ビニリデン、弗化ビニル、パーフルオロ−(2,2−ジメチル−1,3−ジオキソール)、パーフルオロ−(2−メチレン−4−メチル−1,3−ジオキソラン)、CF=CFO(CFCF=CF(式中、tは1または2である)およびR’’OCF=CF(式中、R’’は1〜10個の炭素原子を有する飽和フルオロアルキル基である)よりなる群から選択されることを特徴とする請求項3に記載のポリマー。
  5. 前記フルオロオレフィンがテトラフルオロエチレンであることを特徴とする請求項4に記載のポリマー。
  6. フルオロアルコール基または保護されたフルオロアルコール基を含有する単位を更に含むことを特徴とする請求項1に記載のポリマー。
  7. 前記フルオロアルコール基または保護されたフルオロアルコール基が、構造
    −C(R)(R’)OH
    (式中、RおよびR’は、1〜10個の炭素原子を有する同じかまたは異なるフルオロアルキル基であるか、あるいは合一して(CF(式中、mは2〜10)である)を有するフルオロアルコール基を含有する少なくとも1種のエチレン性不飽和化合物から誘導されることを特徴とする請求項6に記載のポリマー。
  8. およびR’がパーフルオロアルキル基であることを特徴とする請求項7に記載のポリマー。
  9. 構造
    −XCHC(R)(R’)OH
    (式中、RおよびR’は、1〜10個の炭素原子を有する同じかまたは異なるフルオロアルキル基であるか、あるいは合一して(CF(式中、mは2〜10)であり、Xは元素の周期律表の第VA族または第VIA族からの元素である)を有するフルオロアルコール基を含有する単位を更に含むことを特徴とする請求項1に記載のポリマー。
  10. Xが、酸素、硫黄、窒素およびリンよりなる群から選択されることを特徴とする請求項9に記載のポリマー。
  11. Xが酸素であることを特徴とする請求項10に記載のポリマー。
  12. フルオロアルコール基または前記保護されたフルオロアルコール基が、
    Figure 2005535753
    よりなる群から選択されるモノマーから誘導されることを特徴とする請求項7に記載のポリマー。
  13. 構造単位
    Figure 2005535753
    (式中、EはHまたはC〜C12アルキルであり、EはCO、SOEまたは他の酸性基であり、EおよびEは独立してH、非置換C〜C12アルキルおよびヘテロ原子置換C〜C12アルキルの群から選択される)
    の少なくとも1種の酸含有基または保護された酸含有基を更に含むことを特徴とする請求項1に記載のポリマー。
  14. 前記ヘテロ原子が、酸素、窒素、硫黄、ハロゲンおよびリン原子よりなる群から選択されることを特徴とする請求項13に記載のポリマー。
  15. 前記ヘテロ原子が酸素であり、前記ヘテロ原子置換C〜C12アルキルがヒドロキシル基を更に含むことを特徴とする請求項14に記載のポリマー。
  16. 前記酸含有基または保護された酸含有基がカルボン酸含有モノマーから誘導されることを特徴とする請求項13に記載のポリマー。
  17. 前記酸含有基または保護された酸含有基が、t−ブチルアクリレート、2−メチル−2−アダマンチルアクリレート、2−メチル−2−ノルボルニルアクリレートおよびアクリル酸よりなる群から選択されるモノマーから誘導されることを特徴とする請求項13に記載のポリマー。
  18. 極性モノマーから誘導される少なくとも1つの基を更に含むことを特徴とする請求項1に記載のポリマー。
  19. (1)
    (a)エチレン性不飽和炭素原子に共有結合された少なくとも1個のフッ素原子を有するエチレン性不飽和化合物から誘導される少なくとも1個の反復単位と、
    (b)構造
    Figure 2005535753
    (式中、nは、0、1または2であり、
    、R、RおよびRは、独立して、H、OR、ハロゲン、ハロゲンまたはエーテル酸素で任意選択的に置換された1〜10個の炭素原子を有するアルキルまたはアルコキシ、Y、C(R)(R’)OR、RYまたはORYであり、
    Yは、COZまたはSOZであり、
    は、水素または酸に不安定な保護基であり、
    およびR’は、1〜10個の炭素原子を有する同じかまたは異なるフルオロアルキル基であるか、あるいは合一して(CF(式中、mは2〜10)であり、
    は、ハロゲンまたはエーテル酸素で任意選択的に置換された1〜20個の炭素原子を有するアルキレン基であり、
    Zは、OH、ハロゲンまたはORであり、
    は、1〜20個の炭素原子を有するアルキル基であるが、但し、R、R、RおよびRの少なくとも1個がOR、Y、C(R)(R’)OR、RYまたはORYであることを条件とし、そしてR(またはR)がOHである場合、R(またはR)がOHでもハロゲンでもないことを条件とする)
    を有するエチレン性不飽和化合物から誘導される少なくとも1個の反復単位と
    を含むフッ素含有ポリマーおよび
    (2)光活性成分
    を含むことを特徴とするフォトレジスト組成物。
  20. 前記フッ素含有ポリマー中の構造(I)を有するモノマーが、
    Figure 2005535753
    (式中、R12は1〜20個の炭素原子を有するアルキル基である)
    よりなる群から選択されることを特徴とする請求項19に記載のフォトレジスト組成物。
  21. (a)が2〜20個の炭素原子を含むフルオロオレフィンであることを特徴とする請求項19に記載のフォトレジスト組成物。
  22. 前記フルオロオレフィンが、テトラフルオロエチレン、ヘキサフルオロプロピレン、クロロトリフルオロエチレン、弗化ビニリデン、弗化ビニル、パーフルオロ−(2,2−ジメチル−1,3−ジオキソール)、パーフルオロ−(2−メチレン−4−メチル−1,3−ジオキソラン)、CF=CFO(CFCF=CF(式中、tは1または2である)およびR’’OCF=CF(式中、R’’は1〜10個の炭素原子を有する飽和フルオロアルキル基である)よりなる群から選択されることを特徴とする請求項21に記載のフォトレジスト組成物。
  23. 前記フルオロオレフィンがテトラフルオロエチレンであることを特徴とする請求項22に記載のフォトレジスト組成物。
  24. 前記フッ素含有ポリマーがフルオロアルコール基または保護されたフルオロアルコール基を含有する単位を更に含むことを特徴とする請求項19に記載のフォトレジスト組成物。
  25. 前記フルオロアルコール基または保護されたフルオロアルコール基が構造
    −C(R)(R’)OH
    (式中、RおよびR’は1〜10個の炭素原子を有する同じかまたは異なるフルオロアルキル基であるか、あるいは合一して(CF(式中、mは2〜10)である)を有するフルオロアルコール基を含有する少なくとも1種のエチレン性不飽和化合物から誘導されることを特徴とする請求項24に記載のフォトレジスト組成物。
  26. およびR’はパーフルオロアルキル基であることを特徴とする請求項25に記載のフォトレジスト組成物。
  27. 前記フッ素含有ポリマーが、構造
    −XCHC(R)(R’)OH
    (式中、RおよびR’は1〜10個の炭素原子を有する同じかまたは異なるフルオロアルキル基であるか、あるいは合一して(CF(式中、mは2〜10)であり、Xは元素の周期律表の第VA族および第VIA族からの元素である)を有するフルオロアルコール基を更に含むことを特徴とする請求項19に記載のフォトレジスト組成物。
  28. Xが酸素、硫黄、窒素およびリンよりなる群から選択されることを特徴とする請求項27に記載のフォトレジスト組成物。
  29. Xが酸素であることを特徴とする請求項28に記載のフォトレジスト組成物。
  30. 前記フルオロアルコール官能基または保護されたフルオロアルコール基を含有するモノマーが、
    Figure 2005535753
    よりなる群から選択されることを特徴とする請求項25に記載のフォトレジスト組成物。
  31. 前記フッ素含有ポリマーが、構造単位
    Figure 2005535753
    (式中、EはHまたはC〜C12アルキルであり、EはCO、SOEまたは他の酸性基であり、EおよびEは独立してH、非置換C〜C12アルキルおよびヘテロ原子置換C〜C12アルキルの群から選択される)
    の少なくとも1種の酸含有基または保護された酸含有基を更に含むことを特徴とする請求項19に記載のフォトレジスト組成物。
  32. 前記ヘテロ原子が、酸素、窒素、硫黄、ハロゲンおよびリン原子よりなる群から選択されることを特徴とする請求項31に記載のフォトレジスト組成物。
  33. 前記ヘテロ原子が酸素であり、前記ヘテロ原子置換C〜C12アルキルがヒドロキシル基を更に含むことを特徴とする請求項32に記載のフォトレジスト組成物。
  34. 前記酸含有基または保護された酸含有基がカルボン酸含有モノマーであることを特徴とする請求項31に記載のフォトレジスト組成物。
  35. 前記酸含有基または保護された酸含有基がt−ブチルアクリレート、2−メチル−2−アダマンチルアクリレート、2−メチル−2−ノルボルニルアクリレートおよびアクリル酸よりなる群から選択されることを特徴とする請求項34に記載のフォトレジスト組成物。
  36. 前記フッ素含有ポリマーが極性モノマーから誘導される少なくとも1つの基を更に含むことを特徴とする請求項19に記載のフォトレジスト組成物。
  37. 前記光活性成分が光酸発生剤であることを特徴とする請求項19に記載のフォトレジスト組成物。
  38. 溶解抑制剤を更に含むことを特徴とする請求項19に記載のフォトレジスト組成物。
  39. 溶媒を更に含むことを特徴とする請求項19に記載のフォトレジスト組成物。
  40. 前記溶媒がエーテルエステル、ケトン、エステル、グリコールエーテル、置換炭化水素、芳香族炭化水素、フッ素化溶媒および超臨界COよりなる群から選択されることを特徴とする請求項39に記載のフォトレジスト組成物。
  41. 塩基、界面活性剤、解像度向上剤、定着剤、残留物減少剤、塗布助剤、可塑剤およびTg(ガラス転移温度)調整剤よりなる群から選択される少なくとも1種の添加剤を更に含むことを特徴とする請求項19に記載のフォトレジスト組成物。
  42. (1)基材および
    (2)
    (a)(i)エチレン性不飽和炭素原子に共有結合された少なくとも1個のフッ素原子を有するエチレン性不飽和化合物から誘導される少なくとも1個の反復単位と、
    (ii)構造
    Figure 2005535753
    (式中、nは0、1または2であり、
    、R、RおよびRは、独立して、H、OR、ハロゲン、ハロゲンまたはエーテル酸素で任意選択的に置換された1〜10個の炭素原子を有するアルキルまたはアルコキシ、Y、C(R)(R’)OR、RYまたはORYであり、
    YはCOZまたはSOZであり、
    は、水素または酸に不安定な保護基であり、
    およびR’は、1〜10個の炭素原子を有する同じかまたは異なるフルオロアルキル基であるか、あるいは合一して(CF(式中、mは2〜10)であり、
    は、ハロゲンまたはエーテル酸素で任意選択的に置換された1〜20個の炭素原子を有するアルキレン基であり、
    Zは、OH、ハロゲンまたはORであり、
    は、1〜20個の炭素原子を有するアルキル基であるが、但し、R、R、RおよびRの少なくとも1個が、Y、OR、C(R)(R’)OR、RYまたはORYであることを条件とし、そしてR(またはR)がOHである場合、R(またはR)がOHでもハロゲンでもないことを条件とする)
    を有するエチレン性不飽和化合物から誘導される少なくとも1個の反復単位と
    から誘導される反復単位を含むフッ素含有ポリマーおよび
    (b)光活性成分
    を含むフォトレジスト組成物
    を含むことを特徴とする被覆された基材。
  43. 前記基材がマイクロエレクトロニックウェハであることを特徴とする請求項42に記載の被覆された基材。
  44. 前記マイクロエレクトロニックウェハが、ケイ素、酸化ケイ素、酸窒化ケイ素および窒化ケイ素よりなる群から選択される材料を含むことを特徴とする請求項43に記載の被覆された基材。
  45. クアドラシクランとフルオロアルキルベンゾエート化合物の反応生成物。
JP2004527971A 2002-08-09 2003-08-08 フォトレジストとして有用な縮合4員環状炭素を有する多環式基を有するフッ素化ポリマーおよび微細平版印刷のための方法 Expired - Fee Related JP4610335B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US40235002P 2002-08-09 2002-08-09
US44050403P 2003-01-16 2003-01-16
PCT/US2003/025022 WO2004014964A2 (en) 2002-08-09 2003-08-08 PHOTORESISTS, FLUORINATED POLYMERS AND PROCESSES FOR 157 nm MICROLITHOGRAPHY

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2005535753A true JP2005535753A (ja) 2005-11-24
JP2005535753A5 JP2005535753A5 (ja) 2006-09-28
JP4610335B2 JP4610335B2 (ja) 2011-01-12

Family

ID=31720593

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004527971A Expired - Fee Related JP4610335B2 (ja) 2002-08-09 2003-08-08 フォトレジストとして有用な縮合4員環状炭素を有する多環式基を有するフッ素化ポリマーおよび微細平版印刷のための方法

Country Status (10)

Country Link
US (1) US7264914B2 (ja)
EP (1) EP1546221B1 (ja)
JP (1) JP4610335B2 (ja)
KR (1) KR20050069979A (ja)
CN (1) CN1675264A (ja)
AT (1) ATE460436T1 (ja)
AU (1) AU2003259727A1 (ja)
DE (1) DE60331667D1 (ja)
TW (1) TW200418883A (ja)
WO (1) WO2004014964A2 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007293192A (ja) * 2006-04-27 2007-11-08 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 液浸露光用レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
JP2009166486A (ja) * 2007-12-19 2009-07-30 Asahi Kasei Corp 光吸収性を有するモールド、該モールドを利用する感光性樹脂のパターン形成方法、及び印刷版の製造方法
JP2010106118A (ja) * 2008-10-29 2010-05-13 Sumitomo Chemical Co Ltd 重合体及びフォトレジスト組成物

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7470499B2 (en) * 2003-03-06 2008-12-30 Nec Corporation Alicyclic unsaturated compound, polymer, chemically amplified resist composition and method for forming pattern using said composition
EP1505439A3 (en) * 2003-07-24 2005-04-20 Fuji Photo Film Co., Ltd. Positive photosensitive composition and method of forming resist pattern
WO2006099380A2 (en) * 2005-03-11 2006-09-21 E.I. Dupont De Nemours And Company Photoimageable, thermosettable fluorinated resists
JP5449909B2 (ja) * 2008-08-04 2014-03-19 東京応化工業株式会社 ポジ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法
US9447007B2 (en) * 2010-12-21 2016-09-20 Solvay Specialty Polymers Italy S.P.A. Process for producing fluorinated organic compounds
EP3152620B1 (en) * 2014-06-03 2018-08-01 The Chemours Company FC, LLC Passivation layer comprising a photocrosslinked fluoropolymer

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002525683A (ja) * 1998-09-23 2002-08-13 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー ホトレジスト、ポリマーおよびマイクロリソグラフィの方法
JP2003252928A (ja) * 2002-02-27 2003-09-10 Nec Corp フッ素含有アセタールまたはケタール構造を有する単量体、重合体、ならびに化学増幅型レジスト組成物
JP2004512396A (ja) * 2000-10-18 2004-04-22 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー マイクロリソグラフィー用組成物
JP2005535709A (ja) * 2002-08-09 2005-11-24 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー フォトレジストとして有用な縮合4員複素環を有する多環式基を有するフッ素化モノマー、フッ素化ポリマー、および微細平版印刷のための方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2928865A (en) * 1957-03-25 1960-03-15 Du Pont Fluorinated tricyclononanes and tetracycloundecanes
EP0437619B1 (en) * 1989-07-07 1995-08-30 Daikin Industries, Limited Fluorinated copolymer and method of producing the same
US5229473A (en) * 1989-07-07 1993-07-20 Daikin Industries Ltd. Fluorine-containing copolymer and method of preparing the same
US6232417B1 (en) * 1996-03-07 2001-05-15 The B. F. Goodrich Company Photoresist compositions comprising polycyclic polymers with acid labile pendant groups
WO2002031596A1 (en) 2000-10-12 2002-04-18 University Of North Carolina At Chapel Hill Co2-processes photoresists, polymers, and photoactive compounds for microlithography
EP1354245A2 (en) * 2000-11-29 2003-10-22 E. I. du Pont de Nemours and Company Multilayer elements containing photoresist compositions and their use in microlithography
EP1478977A2 (en) * 2000-11-29 2004-11-24 E. I. du Pont de Nemours and Company Polymers blends and their use in photoresist compositions for microlithography
EP1383812B1 (en) * 2001-03-30 2006-05-31 E. I. du Pont de Nemours and Company Polycyclic fluorine-containing polymers and photoresists for microlithography
EP1246013A3 (en) * 2001-03-30 2003-11-19 E.I. Du Pont De Nemours And Company Photoresists, polymers and processes for microlithography

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002525683A (ja) * 1998-09-23 2002-08-13 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー ホトレジスト、ポリマーおよびマイクロリソグラフィの方法
JP2004512396A (ja) * 2000-10-18 2004-04-22 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー マイクロリソグラフィー用組成物
JP2003252928A (ja) * 2002-02-27 2003-09-10 Nec Corp フッ素含有アセタールまたはケタール構造を有する単量体、重合体、ならびに化学増幅型レジスト組成物
JP2005535709A (ja) * 2002-08-09 2005-11-24 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー フォトレジストとして有用な縮合4員複素環を有する多環式基を有するフッ素化モノマー、フッ素化ポリマー、および微細平版印刷のための方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007293192A (ja) * 2006-04-27 2007-11-08 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 液浸露光用レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
JP2009166486A (ja) * 2007-12-19 2009-07-30 Asahi Kasei Corp 光吸収性を有するモールド、該モールドを利用する感光性樹脂のパターン形成方法、及び印刷版の製造方法
JP2010106118A (ja) * 2008-10-29 2010-05-13 Sumitomo Chemical Co Ltd 重合体及びフォトレジスト組成物

Also Published As

Publication number Publication date
AU2003259727A1 (en) 2004-02-25
US7264914B2 (en) 2007-09-04
AU2003259727A8 (en) 2004-02-25
US20050277052A1 (en) 2005-12-15
TW200418883A (en) 2004-10-01
EP1546221A4 (en) 2008-06-18
WO2004014964A2 (en) 2004-02-19
WO2004014964A3 (en) 2004-03-18
EP1546221A2 (en) 2005-06-29
EP1546221B1 (en) 2010-03-10
ATE460436T1 (de) 2010-03-15
JP4610335B2 (ja) 2011-01-12
DE60331667D1 (de) 2010-04-22
CN1675264A (zh) 2005-09-28
KR20050069979A (ko) 2005-07-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4402304B2 (ja) フッ素化ポリマー、フォトレジストおよびミクロリソグラフィーのための方法
JP2009161770A (ja) フッ素含有コポリマー、ホトレジスト、及び基板上にホトレジスト画像を作製する方法
JP4610335B2 (ja) フォトレジストとして有用な縮合4員環状炭素を有する多環式基を有するフッ素化ポリマーおよび微細平版印刷のための方法
EP1383812A1 (en) Polycyclic fluorine-containing polymers and photoresists for microlithography
JP4261303B2 (ja) 水酸化され、光酸で切断可能な基を有するフォトレジスト
US7326796B2 (en) Fluorinated monomers, fluorinated polymers having polycyclic groups with fused 4-membered heterocyclic rings, useful as photoresists, and processes for microlithography
US7507522B2 (en) Photoresists comprising polymers derived from fluoroalcohol-substituted polycyclic monomers
JP4578971B2 (ja) フォトレジストとして有用なフッ素化ポリマーおよび微細平版印刷のための方法
US7408011B2 (en) Photoresists, fluoropolymers and processes for 157 nm microlithography
US7019092B2 (en) Fluorinated copolymers for microlithography

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20060808

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20060808

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20090525

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090529

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20090828

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20090904

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090929

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20100910

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20101012

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131022

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees