JP2005530352A - 向上した照明を有するガス放電紫外線波長計 - Google Patents
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- 238000005286 illumination Methods 0.000 title claims abstract description 10
- BJQHLKABXJIVAM-UHFFFAOYSA-N bis(2-ethylhexyl) phthalate Chemical compound CCCCC(CC)COC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCC(CC)CCCC BJQHLKABXJIVAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 56
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims abstract description 21
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 16
- 238000010926 purge Methods 0.000 claims description 22
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 claims description 11
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 8
- 238000004422 calculation algorithm Methods 0.000 claims description 8
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 claims description 7
- 230000009467 reduction Effects 0.000 claims description 6
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims 4
- VZPPHXVFMVZRTE-UHFFFAOYSA-N [Kr]F Chemical compound [Kr]F VZPPHXVFMVZRTE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 claims 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 8
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 abstract description 8
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 abstract description 8
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 abstract description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 32
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 16
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 12
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 5
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 5
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 4
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 4
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 4
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 3
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910004261 CaF 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001374 Invar Inorganic materials 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000233805 Phoenix Species 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 235000011194 food seasoning agent Nutrition 0.000 description 1
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 1
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical group [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000003908 quality control method Methods 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
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- G01J3/26—Generating the spectrum; Monochromators using multiple reflection, e.g. Fabry-Perot interferometer, variable interference filters
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- G01J1/42—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
- G01J1/4257—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors applied to monitoring the characteristics of a beam, e.g. laser beam, headlamp beam
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- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/42—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
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- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
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- H01S3/2251—ArF, i.e. argon fluoride is comprised for lasing around 193 nm
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Abstract
Description
本発明は、ガス放電レーザに関し、特に、高エネルギーの紫外線パルス・レーザビームを生成する高繰返し率のガス放電レーザのための波長計に関する。
ガス放電レーザは周知のものであり、レーザが1960年代に発明された直後から利用可能であった。2つの電極間の高圧放電が、ガスのゲイン媒体を励振する。ゲイン媒体を含む共鳴キャビティにより光の誘導増幅が可能になり、その後、光は、レーザビームの形態で該キャビティから取り出される。これらのガス放電レーザの多くは、パルスモードで作動される。
エキシマレーザは、ガス放電レーザの特定の形式であり、1970年代半ばからそのようなものとして知られてきた。集積回路リソグラフィに有用なエキシマレーザの説明は、「Compact Excimer Laser」という名称の、1991年6月11日に発行された米国特許第5,023,884号に記載されている。この特許は、本出願人に譲渡されており、ここに引用により本明細書に組み入れられる。特許‘884号に記載されたエキシマレーザは、高繰返し率のパルスレーザである。図1及び図2に、レーザ10の主要な要素が示される。(特許‘884号において、図1は図1に対応し、図2は図7に対応する。)放電は、約5/8インチだけ離間して配置された2つの長い(約23インチ)電極18及び20間に生じる。記載されたもののように、従来技術のレーザの繰返し率は、典型的には、毎秒約100パルスから2000パルスまでの範囲内にある。これらの高繰返し率のレーザには、通常、ガス循環システムが備えられる。上述のレーザにおいて、これは、約23のブレード48を有する長いかご形ファン46を用いて行われる。ファン・ブレード構造体は、電極18及び20よりわずかに長いものであり、十分な循環を提供するので、作動パルス速度において、電極間の放電により妨害されたガスが、パルス間で取り除かれる。図1のフィン付水冷式熱交換器58が、放電及びファンによって加えられた熱をレーザガスから除去するために用いられる。
集積回路リソグラフィのために用いられる場合、これらのエキシマレーザは、典型的には、「24時間体制の」製造ラインで作動され、よって、休止時間には費用がかかる。このため、部品の大部分が、通常数分以内で交換できるモジュールで構成されている。
リソグラフィのために用いられるエキシマレーザは、その出力ビームの帯域幅が、1ピコメートルの数分の1にまで減少されなければならない。この「線狭幅化」は、典型的には、レーザの共鳴キャビティの背部を形成する線狭幅化モジュール(「線狭幅化パッケージ」又は「LNP」と呼ばれる)において達成される。このLNPは、典型的には、プリズム、ミラー、及び格子を含む精密な光学素子から構成される。
集積回路リソグラフィのための光源として用いられる場合、レーザビームのパラメータ(すなわちパルスエネルギー、波長、及び帯域幅)は、典型的には、非常に厳しい規格内に制御される。このことは、パルスエネルギーのパルスごとのフィードバック制御、及び線狭幅化された出力ビームの波長の幾分遅いフィードバック制御を必要とする。格子及びエタロンを用いて、波長及び帯域幅測定を行い、光ダイオードアレイ上にスペクトル・パターンを生成する。パルス速度を2倍又はそれより大きくすることは、これらのフィードバック制御システムが一層速く動作することを必要とする。
集積回路の製造の増加に対処するために、従来技術の装置より高い平均パワーで作動するガス放電レーザ光源に対する必要性が存在する。平均パワーを増加させる1つの方法は、パルスエネルギーを5mJから10mJまでの範囲に維持しながら、パルス繰返し率を4000Hz及びそれより大きく増加させることである。別の方法は、パルスエネルギーを増加させることである。より高い繰返し率及び/又は増加したパルスエネルギーは、特に格子及びエタロンのような精密な光学装置に対して、これらのガス放電レーザの共鳴キャビティの内部及び下流に、熱及び放射問題の両方を生じさせる。
248nm、193nm、及び157nmのレーザビームのような高エネルギーの紫外線ビームが空気を通過する際に、フォトンが、空気中の原子及び分子を励振する。これらの励振された分子及び原子は、敏感な光学部品上のメッキをはがすか、又は光学被覆を劣化させることがある。この問題を最小にするための周知の技術は、ビーム経路を密閉し、窒素のようなパージガスでパージすることである。
特に193nm及び157nmレーザ用のビーム経路をパージする別の従来技術の理由は、空気から酸素及び他の吸収体を除去することである。酸素は、157nmの光の非常に強い吸収体であり、193nmの光の強い吸収体である。
必要とされるのは、これらの実質的に増加した平均パワーレベルで高品質の性能を可能にするための、これらのガス放電レーザの部品の改良である。
第1の好ましい実施形態
4KHz ArFリソグラフィ・レーザ
本発明の第1の好ましい実施形態が、図3に示される。これは、集積回路リソグラフィに有用な高繰返し率ArFエキシマレーザのレーザチャンバ及び光学部品の概略図である。このレーザシステムは、4000パルス毎秒の繰返し率で作動するように設計され、5mJの狭帯域パルスを生成する。(このシステムの基本的な部品は、10mJのパルスエネルギーを用いて4,000Hzで作動するように設計された片方のKrFエキシマレーザについても同じである。ArFレーザのレーザパルスは、約193nmの波長であり、KrFレーザパルスの波長は、約248nmである。)図3に示されるレーザシステムの主モジュールは、線狭幅化パッケージLNPモジュール3、レーザチャンバ・モジュール1、出力カプラ・モジュール5、波長計モジュール7、及びシャッタ・モジュール9である。
図3に示されるように、波長計モジュール7が、出力カプラ・モジュール5のすぐ下流にある。この図において、部品の一部は、波長計の高エネルギー強度部分の重要なパージ技術を2次元で示すために、実際とは異なる配向で示される。実際の好ましい実施形態において、波長計の部品の大部分は、ビーム経路と幾何学的に垂直なパターンで配置される。主レーザ出力ビームは、波長計を素通りし、該ビームのほんの一部が、波長計における解析のために部分反射ミラー170によって取り除かれる。波長計内のビームのこの解析された部分が、一般に、主レーザビーム28の軸線に垂直な平面を定める。
図5は、それらの実際の配向における、改良された波長計7Aの部品を示す。波長計は、波長の粗測定のための格子176と、波長と帯域幅の精密な測定のためのエタロン184とを含む。これらの装置の両方からのスペクトル線は、単一の光ダイオードアレイ180において監視される。波長計は、蒸気吸収セル198及び光ダイオード196を含む較正ユニット190(原子波長基準(atomic wavelength reference)としてAWRと呼ばれる)を含み、この較正ユニット190は、アレイ180からの光信号をセル198内の金属蒸気の周知の吸収スペクトルと比較することによって、該波長計の較正を可能にする。ArFレーザの場合は、この金属蒸気は、プラチナ蒸気である。図5の矢印は、波長計を通るビーム経路を示す。
新たに構成された光学部品による本発明は、リソグラフィ・レーザ光源の波長をモニタリングするために現在使用されている従来の最新式波長計と比較すると、エタロン・ユニット184の照明を28分の一まで減少させることを可能にする。この最新式の波長計の図が、図11に示され、米国特許出願番号第10/027,210号に詳細に記載されており、この特許を引用によりここに組み入れる。本発明によって提供される改良は、波長計の寿命を制限する部品がなくなることでエタロンの寿命を大きく延長するだけでなく、この改良により、実質的に該波長計の安定性及び他の性能特性も改良される。改良された構成が、図5に示される。図5に示される波長計の部品の大部分が、図11に示される波長計と同じであり、参照番号が同じである。
出力ビームが波長計を通過する時、図3及び図7に示されるように、レーザ出力ビームの一部が、ビームスプリッタ170によって出力ビームから取り除かれる。この部分は、出力ビームの約4.5パーセントである。この4.5パーセントの約半分が、ビームスプリッタの上流表面から反射され、約半分が下流表面から反射される。このように、ビームスプリッタ170によって波長計内に反射されたビームは、実際には、約3mmだけ空間的に互いからオフセットした2つの別箇のビームである。下流反射からのビームも、上流ビームから遅れずにオフセットされ、この時間差が、約1000周期すなわち193nmの光の波長を示す。
反射されたビームの約4%は、ディフューザ172Aによって拡散されるミラー171によって反射され、非常に高速の光ダイオード69を備えたエネルギー検出器172によって監視され、この光ダイオード69は、4,000パルス毎秒の速度で生じる個々のパルスのエネルギーを測定することができる。典型的なArFエキシマレーザのパルスエネルギーは約5mJであり、検出器69の出力は、特別なアルゴリズムを用いるコンピュータ・コントローラに送られ、該コンピュータ・コントローラは、レーザの充電電圧を調節し、個々のパルスのエネルギー及びパルスのバーストの総合エネルギーの変動を制御するために、格納されたパルスエネルギー・データに基づいて次のパルスのパルスエネルギーを正確に制御する。従来より、本出願人らは、この高速の光ダイオード69からの信号が、正確なエネルギー検出器に対して較正される際にドリフトする傾向があることに気付いた。本出願人らは、このドリフトの多くの原因を発見した。これらの原因は、可能な場合除去された。ドリフトの原因は、ビームスプリッタ170からの反射のばらつき、ビームスプリッタ171からの反射のばらつき、ディフューザ172Aの拡散特性のばらつき、光ダイオード69の回路素子の変化、及びエネルギー検出172の壁とのビームフォトンの相互作用を含んでいた。
光ダイオードアレイ180は、この実施形態においては、1024個の別箇の光ダイオード集積回路、それに関連するサンプル、及びホールド読出し回路からなる集積回路チップである。図6Aに示されるように、光ダイオードは、25.6mm(約1インチ)の全長にわたって25マイクロメートル間隔でおかれる。光ダイオードの各々は、長さ500マイクロメートルである。
このような光ダイオードアレイは、幾つかの供給源から入手可能である。好ましい供給業者は、Hamamatsu社である。好ましい実施形態において、本出願人らは、FIFOに基づき4×106ピクセル/秒までの速度で読み取ることができるモデルS3903−1024Qを使用しており、完全な1024ピクセル走査は、4,000Hzか又はそれ以上の速度で読み取ることができる。PDAは、2×106ピクセル/秒の動作用に設計されるが、本出願人らは、より高速ですなわち最大4×106ピクセル/秒で実行するためにオーバクロックさせることができることを見出した。4,000Hzより高いパルス速度においては、本出願人らは、同じPDAを使用するが、通常、各走査においてピクセルの一部(例えば、60%)だけが読み取られる。
ミラー171を通過するビームの約4%が、ビームスプリッタ173によって反射されて、スリット177を通してミラー174に反射され、ミラー175に反射されてミラー174に返され、エシェル格子176の上に反射される。ビームは、458.4mmの焦点距離を有するレンズ178によってコリメートされる。格子176から反射されてレンズ178の後ろに通過した光は、ミラー174から再び反射され、次いでミラー179から反射されて、1024ピクセルの線形光ダイオードアレイ180の左側の(ビームから見て)、図6Bの上側部分に示されるようなピクセル600からピクセル950までの領域に合焦される(ピクセル0−618は、精密波長測定及び帯域幅測定用に確保される)。光ダイオードアレイ上のビームの空間的位置は、出力ビームの相対的表示波長の粗測度である。例えば、図6Bに示されるように、約193.350pmの波長範囲の光が、ピクセル750とその近辺に合焦される。
波長計モジュール120の粗波長光学系は、光ダイオードアレイ180の左側に約0.25mm×3mmの長方形の像を生成する。10ないしは11の照明された光ダイオードが、受光した照明光の強さに比例して信号を生成し(図6Cに示されるように)、該信号が波長計コントローラ(図示せず)のプロセッサによって読み取られ、デジタル化される。この情報及び補間アルゴリズムを用いて、コントローラが像の中心位置を計算する。
この位置(ピクセル単位で測定された)は、2つの較正係数を用いて粗波長値に変換され、位置と波長との間に直線関係があるとみなされる。これらの較正係数は、後述するような原子波長基準源を参照することによって求められる。例えば、像位置と波長との間の関係は、以下のアルゴリズムとなり得る。
λ=(2.3pm/ピクセル)P+191,625pm
ここで、P=粗像中心位置である。
或いは、必要であれば、“+( )P2といった二次項を加えることによって、さらに精度を足すことができる。
図5に示されるようにミラー173を通過するビームの約95%が、レンズ181Aを通過し、ミラー181Bに反射し、レンズ181C、回折ディフューザ181D、及びレンズ181Eを通って、ビームスプリッタ181Fにあたる。ビームスプリッタ181Fにおいて、ビームが分割されるので、該ビームの90%がエタロン184に向けられ、該ビームの10パーセントが原子波長基準ユニット190に向けられる。レンズ181Eは、2つの位置、すなわちエタロン184への経路上の研磨ガラスディフューザ181Gの前面及びAWRユニット190への経路上の等距離181Pにおいて、回析ディフューザ181Dから拡散ビームを合焦させる。
ビームスプリッタ181Fによってエタロン184に向けられたビームの一部は、研磨ガラスディフューザ181Gを通過し、2度拡散させられたビームの一部は、スリット181Hを通過し、コリメータレンズ181J及び大きい開口181Kを通り、次いで接近して配置されたエタロンプレート67を通って、ミラー181Iによって反射され、次に、該ビームは、ミラー181M及び181Nから反射した後、レンズ181Lによって、図5Cに示されるように618ピクセルからなる光ダイオードアレイ180の15mmの長い部分に重なる1.5mm×20mmのスポット181W内に合焦される。
上述のように、ビームスプリッタ173は、該ビームスプリッタの両側からの別箇の反射のために、2つの平行する別箇の長方形ビームを生成する。上述のビームトレインにおいて、レンズ181A及びレンズ181Cは、共に縮小用望遠鏡を構成し、この縮小用望遠鏡は、約0.3mmだけ離間して配置された2つの長方形(0.2mm×1.8mm)に対して、約3mm(該長方形の中心から測定された)だけ離間して配置された約2mm×18mmの寸法を有する、約10倍の2つの長方形ビームの断面サイズを減少させる。これらの2つの長方形の「スポット」は、回折ディフューザ181Dによって拡散されるので、該回折ディフューザの出口面において、2つのビームの光線が完全に混合され、(ほとんど無作為に広がるフォトンと共に)ビーム軸線を有するゼロから約10度までの角度で拡散する。
レンズ181Eは、研磨ガラスディフューザ181Gを通してディフューザ181Dの出口面に像形成する。拡散ビームのほんの一部分が、研磨ガラスディフューザ181Gのすぐ下流のスリット181Hによって選択され、その選択された部分は、ミラー181Iによってエタロン・ユニット184内に向けられる。図5B1乃至図5B7は、ビームスプリッタ173とエタロン184との間の2つのビームの発生を定性的に示す。図5B1は、ミラー170によって分離されたビームの断面を示す。図5B2は、縮小用望遠鏡181A及び181Cによって減少された回折ディフューザ181Dの入口表面の断面上流を示す。図5B3は、ディフューザ181Dの出口面で区別がつかない2つの拡散ビームを示す。図5B4は、図5B5に示されるように、2つの合体された拡散ビームの重なり像を生成するために、合体されたビームを合焦するレンズ181Eを示し、図5B6は、重なりスリット181Hを示す。図5B7は、研磨ガラスディフューザ181G及びスリット181Hの側面図を示し、2つのビームの光のほんの一部分だけが実際にスリット181Hを通過する。
エタロン184の適切な機能は、非常に無作為に拡散される入射ビームによって決まる。しかしながら、ビーム軸線から約6度以内に配向されたビームだけが、エタロン・ユニットを横切ることができる。したがって、優れたエタロン設計は、相対的に均一で無作為の方向を有するが、全てが約6度以内に入る全ての部分のビームを、拡散ビームに提供する。上述の照明構成は、実質的に基準に適合するものである。さらに、紫外線放射は、繊細な光学系の長期にわたる劣化をもたらすので、紫外線強度を、良い結果を得るために必要な最小レベルまで減少させることも非常に望ましい。この構成は、この基準にも適合するものである。
レンズ181Lは、焦点距離458.4mmのレンズである。このレンズ181Lは、エタロン184の出力面を、精密な波長測定と帯域幅測定のために確保された光ダイオードアレイ180の一部に合焦させる。光は、干渉縞を生成し、この干渉縞は619個のピクセルによって検出され、これらのピクセルからの信号が高速プロセッサによって解析され、この好ましい実施形態において、4000パルス毎秒の速度で入ってくる各パルスについての波長と帯域幅を計算する。
上で説明されたように、この好ましい実施形態は、エタロン・ユニット184を通過する光を、波長と帯域幅の測定に必要とする光の量だけにまで最小化するように、注意深く設計される。本出願人らは、エタロンを通過する光の量が、図4Cに示される現在の最新式波長計と比較すると、28分の一まで減少されると推測した。このことは、約2000Hzから約4000Hzまでの繰返し率の増加にもかかわらず、より長い推定エタロン寿命及び実質的に優れた性能をもたらした。
この構成において、上述のように、エタロン184及びPDAアレイ180によって監視されている出力ビームが良好に発現することを保証するように、ビームスプリッタ170によって取り除かれたビームの両方をスリット181H上に結像させなければならないので、適切な位置合わせが重要である。精密な位置合わせ傾斜及び先端位置合わせを提供するために、ミラー181Bにボルトが設けられ、該ミラー181Bが外部の波長計7から作動できるようにする。さらに、スリット181Hのために、X及びYの方向にミクロン単位の位置合わせがなされる。図5Cの181Wで示されるように、レーザの操作者は、PDAアレイ180における干渉ビームの像が、おおよそ1024ピクセルPDAの左側においてピクセル1からピクセル618までと重なるまで、ミラー181B及び開口181Hの位置を調節する。
この好ましい実施形態は、エタロンの較正中に、基準ユニット190が、エタロン184と同じスペクトル情報をモニタリングすることを確実にするように構成される。このことは、2つの焦点でビームスプリッタ170からの2つのビームの分散像を合焦するレンズ181Eを有する、図5に示される構成を用いて達成され、該2つのビームの両方が、較正手続き中にレーザ波長がセル198内のプラチナ蒸気の1つ又はそれ以上のプラチナ吸収線にわたって走査する際、同等のディフューザで再度分散され、同時解析のために同様にコリメートされる。
分光器は、ほぼリアルタイムで波長と帯域幅を測定しなければならない。レーザの繰返し率は4,000Hzから6,000Hzまでとされるので、経済的でコンパクトな処理電子機器を用いて所望の性能を達成するためには、正確であるが計算の多いアルゴリズムを用いることが必要とされる。したがって、計算アルゴリズムは、好ましくは浮動小数点計算ではなく整数を用いるべきであり、数学的演算は、好ましくは計算効率の良いものにすべきである(平方根、サイン、ログなどを用いない)。
次に、この好ましい実施形態に用いられる好ましいアルゴリズムの具体的な詳細について説明する。図6Dは、図示のように5つのピークをもつ曲線であり、線形光ダイオードアレイ180によって測定されたときの典型的なエタロン縞信号を表す。中心ピークは、その他のものより高さが低く描かれている。エタロンに入る光の波長が異なれば、中心ピークは上下することになり、時にはゼロに向かう。この態様は、中心ピークを波長測定に不適当なものにする。その他のピークは、波長の変化に応じて中心ピークに向かってくるか又は離れていき、これらのピーク位置は、波長を求めるのに用いることができ、それらの幅は、レーザの帯域幅を測定するのに用いられる。図6Dに、それぞれデータ・ウィンドウと表記された2つの領域が示されている。データ・ウィンドウは、中心ピークに最も近い縞が解析に常に用いられるように配置される。
4,000Hzから6,000Hzまでの範囲の繰返し率における各パルスの帯域幅の非常に高速の計算に係る好ましい実施形態は、図12に定めされたハードウェアを使用する。このハードウェアは、アリゾナ州フェニックス所在のモトローラ社によって供給されたモデルMPC823のマイクロプロセッサ400と、カリフォルニア州サンノゼ所在のAltera社によって供給されたモデルEP6016QC240のプログラム可能論理デバイス402と、実行及びデータメモリバンク404と、テーブル形式の光ダイオードアレイ・データの一時的な保存用の超高速RAM406と、メモリバッファとして動作する第3の4×1024ピクセルRAMメモリバンク408と、アナログ・デジタル変換器410とを含む。
基本的な技術は、プログラム可能論理デバイス402を使用して、ピクセルデータが生成されたときに、PDAピクセルデータから縞データテーブルを連続的に生成することである。
論理デバイス402はまた、縞データの組のうちのどれが、対象となる縞データを表すのかを識別する。次いで、中心波長と帯域幅の計算が必要とされるときには、マイクロプロセッサが、対象となる識別されたピクセルからデータを単純にピックアップし、中心波長と帯域幅の必要とされる値を計算する。このプロセスは、マイクロプロセッサの計算時間を約10分の1まで減少させるものである。
1)2.5MHzで作動するように同期されたPDA180においては、PDA180は、プロセッサ400によって、4,000Hzの走査速度でピクセル1から600までのデータを集め、100Hzの速度でピクセル1から1028までを読み取るように方向付けられる。
2)PDA180によって生成されたアナログピクセル強度データが、アナログ・デジタル変換器410によってアナログ強度値からデジタル8ビット値(0から255まで)に変換され、デジタルデータが、光ダイオードアレイ180の各ピクセルにおける強度を表す8ビット値として、RAMバッファ408に一時的に保存される。
3)プログラム可能論理デバイス402は、縞を探すために、RAMバッファ408から送り出されたデータをほとんどリアルタイム基準で継続的に解析して、RAMメモリ406における全てのデータを保存し、各パルスの全ての縞を識別し、各パルスについての縞のテーブルを作成し、該テーブルをRAM406に保存し、更なる解析のために各パルスの2つの縞の組のベスト1を識別する。論理デバイス402が使用する技術は、以下のようなものである。
A)PLD402が、最小ピクセル強度値をトラックしながら、バッファ408から出てきた各ピクセル値を解析して強度閾値を超えたかどうかを判断する。閾値を超えた場合には、これは縞ピークがやってくるという兆候である。PLDは、閾値を超えた最初のピクセルを「立ち上がり」ピクセル数として識別し、「立ち上がり」ピクセル直前のピクセルの最小ピクセル値を保存する。このピクセルの強度値は、縞の「最小」として識別される。
B)次いで、PLD402は、後続するピクセル強度値を監視して、縞のピークを探す。これは、強度が閾値強度より低く降下するまで、最も高い強度値をトラックし続けることによってなされる。
C)閾値を下回る値をもつピクセルが見つかったときに、PLDは、それを「立下り」ピクセル数として識別し、その最大値を保存する。次いで、PLDは、立下がりピクセル数から立ち上がりピクセル数を引くことによって、縞の「幅」を計算する。
D)立ち上がりピクセル数、最大縞強度、最小縞強度、及び縞の幅の4つの値が、RAMメモリバンク406の縞区分の円テーブルに保存される。各パルス毎に15個までの縞を表すデータを保存することができるが、ほとんどのパルスは、2つのウィンドウに2から5までの縞しか生成しない。
E)PLD402はまた、各パルス毎に、各パルスの「最良な」2つの縞を識別するようにプログラムされる。これは、完全に0から199までのウィンドウの中にある最後の縞と、完全に400から599までのウィンドウの中にある最初の縞とを識別することによってなされる。
最大縞から最小縞を引き、その差を2で割り、その結果に最小縞を足すことによって、最大半値が求められる。2つの縞の各立ち上がり及び各立下りにおいては、2つのピクセルが、最大半値を最も近くで上回る値及び最も近くで下回る値を有する。次いで、マイクロプロセッサが、各場合において2つのピクセル値の間を外挿して、1/32ピクセルの精度をもって、図6Dに示すように端点D1及びD2を定める。これらの値から、円形縞の内径D1と外径D2が求められる。
精密波長計算は、粗波長測定値とD1及びD2の測定値を用いて行われる。
波長についての基本式は、
λ=(2*n*d/m)cos(R/F) (1)
ここで、
λは、波長、ピコメートルであり、
nは、エタロンの内部屈折率、約1.0003であり、
dは、エタロンの間隔、KrFレーザにおいては約1542umで、ArFレーザにおいては約934umであり、+/−1umに制御され、
mは、縞ピークにおける波長の整数のオーダーであり、約12440であり、
Rは、縞半径であり、130から280までのPDAピクセルであり、1ピクセルは25ミクロンであり、
fは、レンズからPDA平面までの焦点距離である。
cos項を展開し、無視できるほど小さい高次の項を捨てると、次式が得られる。
λ=(2*n*d/m)[1−(1/2)(R/f)2] (2)
直径D=2*Rの項で式を変形すると、次式が得られる。
λ=(2*n*d/m)[1−(1/8)(D/f)2] (3)
FRAC=[1−(1/8)(D/FD)2] (4)
本発明者らは、FRACを、最上位のビットの左側に小数点をもつ無符号の32ビット値として表す。FRACは、常に1よりほんの僅かに小さく、そのためこれには最大限の精度をとる。FRACは、Dが{560〜260}ピクセルの範囲のとき、[1−120E‐6]から[1−25E−6]までの範囲である。
FWL=FRAC*2ND/m (5)
算術的な取り扱いによるFRACの小数点のシフトによって、fm単位のFWLが得られる。式をシャッフルして、同様にfm単位であるCWLと名づけた既知の粗波長に代入することによって、mについて解く。
m=最も近い整数(FRAC*2ND/CWL) (6)
最も近い整数をとることは、最も近い精密波長が粗波長に到達するまで、古いスキームにおいてFSRを加えること又は引くことに等しい。式(4)、その次に式(6)、その後に式(5)を解くことによって、波長を計算する。本発明者らは、WLを内径及び外径について別々に計算する。この平均が線中心波長であり、その差が線幅である。
レーザの帯域幅は、(λ2−λ1)/2として計算される。真のレーザ帯域幅に加えられているエタロンピークの固有の幅を表すために、一定の補正ファクタが適用される。数学的には、逆重畳アルゴリズムは、測定された幅からエタロン固有の幅を取り除くためのフォーマリズムであるが、これはかなり計算が複雑となり、そのため一定の補正値、すなわち
が引かれ、これにより十分な正確さがもたらされる。
したがって、帯域幅は、次式で表される。
は、エタロン固有値と真のレーザ帯域幅との両方に依存する。典型的には、ここで説明する用途においては、0.1pmから1pmまでの範囲内にある。
上述のような各パルスのパルスエネルギーの測定に基づいて、後続するパルスのパルスエネルギーが、所望のパルスエネルギーと、同様に所望の指定のパルス数の総積分数を保つように制御され、全ては米国特許第6,005,879号の「Pulse Energy Control for Excimer Laser」に記載されており、該特許は引用によりここに組み入れられる。
波長の計測値と、引用によりここに組み入れられる米国特許第5,978,394号に記載される技術のような従来より知られている技術とを用いて、レーザ波長を、フィードバック構成で制御することができる。本発明者らは、波長を調整するための技術を開発し、この技術は、調整ミラーの非常に高速の動きをもたらすために、圧電駆動装置を用いるものである。これらの技術の幾つかは、2000年6月30日付けの「Bandwidth Control Technique for a Laser」という名称の米国特許出願番号第09/608,543号に記載されており、この特許出願は引用によりここに組み入れられる。図14A及び図14Bは、その特許出願から抜粋したものであり、この技術の主な要素を示す。圧電スタック80は、非常に高速のミラー調整に用いられ、より広い低速の調整は、レバーアーム84を作動させる従来のステッパモータ82によってもたらされる。圧電スタックは、レバーアームの支点の位置を調節する。
図8A、図8B及び図8Cは、酸素含有量が本出願人らの好ましい範囲内にあることを確実にする、エタロン・ユニットの組み立ての好ましい技術を示す。エタロン・ユニットの部品が、図9に示される。完全に組み立てられたエタロン・ユニットの断面が、図5の184で示される。このユニットの主要部品は、
取り付け基部60、
ハウジング62、
出口レンズ64、
取り付けシェル66、
開口68、
入口ウィンドウ70、
である。
エタロン自体は、各々が3つ接着スポットにより取り付けシェル66内に取り付けられている2つの溶融石英プレートからなり、該シェル66の各プレートのために該3つの接着スポットのうちの2つが示されている。これらのプレートは、Corning Glasxs社から入手可能なULEガラス又はShott Glass社から入手可能なZerodureガラスとすることができる低熱膨張スペーサと共に、非常に僅かな距離だけ互いから離間して保持される。プレート67は、図5のエタロン184の断面図に示されている。
好ましい実施形態においては、特定のN2パージ技術を用いて、波長計の高紫外線束部分、及び出力カプラ並びにチャンバ出力ウィンドウ・ブロックの特別なパージを提供する。この技術は、図7に示される。上で説明されたように、レーザ出力ビームは、部分反射ミラー170を横切り、該部分反射ミラー170は、出力ビームとしてビームのエネルギーの95%を通過させる。反射されたビームの約4%は、ミラー171から、パルスエネルギーを測定するエネルギー検出器172に反射される。(反射されたビームの他の部分は、61Aで示されるようにミラー171を通過し、波長計内の他のモニタに進む。)4,000Hzにおいて、この出力エネルギーの5%が多量のUV光を表すので、ビームのこの部分の経路内のガスが非常に清潔であり純粋であることを保証するように特別の配慮がとられた。これを行うために、波長計を修正して、ミラー170の上流側、ミラー171の上流側、及び検知器172のウィンドウの前部側の間の領域を、波長計の残りの部分からシールする。そして、62Aで示されるように、この領域との間に特別のパージ流が提供される。波長計の残りの部分は、最初にエネルギー検出器172をパージする、64Aで示される第2のパージ流によってパージされる。エネルギー検出器172からの排気は、波長計内に入り、高強度部分よりかなり弱い強度の紫外線束に曝される波長計の光学系の残りの部分をパージする。
パージ流62Aは、ミラー170、171、及び検出器172のウィンドウにおけるシールによって、波長計内に閉じ込められる。パージ流は、レーザ出力ビーム経路に沿ってこの領域を出ていき、ベロー領域66Aを通過し、出力カプラ・モジュール68Aに戻り、該出力カプラ・モジュール68Aをパージする。次いで、流れは、ベロー・ユニット70Aを通って、ウィンドウ・ブロック72A内に流れ、該ウィンドウ・ブロックの出口ポート及びベロー・ユニット70Aの出口ポートを通り抜け、管74Aを通ってN2パージ・モジュールに戻る。
ウィンドウ170の下流側が、シャッタ・モジュール5Kからのパージ流でパージされる。このパージ流は、図7に示されるようなモジュール17からのものであってもよく、或いは場合によっては、ウィンドウ76Aが取り除かれ、シャッタ・モジュールの出力は、パージされた顧客のビーム線とオープンに接続される。
Claims (15)
- 向上した照明を有する紫外線レーザ波長計であって、
A.各々がビームスプリッタの別箇の面から反射する2つの空間的に分離したビームを含むレーザビームの一部を紫外線レーザから取り出すためのビームスプリッタと、
B.回折ディフューザと、
C.前記2つの空間的に分離したビームのサイズを減少させ、該2つの減少したビームを、前記回折ディフューザを照らし、該回折ディフューザの出口面に合体された拡散ビームを生成するように指向させるための縮小用光学系と、
D.第2のディフューザと、
E.前記合体された拡散ビームの一部を第2のディフューザ上にイメージングし、前記第2のディフューザの出口面に第1の2度拡散させられた合体ビームを生成するためのイメージング光学系と、
F.前記第1の2度拡散させられた合体ビームによって照らされ、干渉縞を生成するように配置されたエタロンと、
G.縞検出器、及び前記エタロンからの出力ビームを前記縞検出器上に合焦させるための合焦光学系と、
H.前記縞検出器によって生成される縞情報に基づいた、前記レーザビームのスペクトル特性を計算するためのアルゴリズムを用いてプログラムされたプロセッサと、
を備えることを特徴とする紫外線レーザ波長計。 - 前記紫外線レーザの作動波長に近い既知の波長の吸収線を有する光吸収要素を含む較正ユニットをさらに備えることを特徴とする請求項1に記載の波長計。
- 前記第2のディフューザにほぼ匹敵する第3のディフューザをさらに備え、前記イメージング光学系が、前記合体された拡散ビームの一部を該第2のディフューザ及び前記第3のディフューザの両方の上に像形成するように構成され、該第3のディフューザが、出口面に第2の2度拡散させられた合体ビームを生成することを特徴とする請求項2に記載の波長計。
- A.前記光吸収要素を照らすように、前記第2の2度拡散させられた合体ビームを指向させるための指向光学系と、
B.前記光吸収要素を通過する前記第2の2度拡散させられたビームの一部を検知するための検出器と、
C.前記光吸収要素の前記吸収線にわたって前記レーザビームを調整するための波長調整手段と、
をさらに備え、
前記波長計は、前記2度拡散させられた合体ビームが前記吸収要素によって最大限に吸収される時にエタロン縞情報を記録し、前記エタロン縞情報を前記既知の吸収線に関連付けることによって較正されることを特徴とする請求項3に記載の波長計。 - 前記第2のディフューザと前記エタロンとの間に光学的に配置されたスリット開口をさらに備えることを特徴とする請求項1に記載の波長計。
- 前記縮小用光学系が、離間して配置された2つのレンズを備えることを特徴とする請求項1に記載の波長計。
- 前記イメージング光学系が、前記合体された拡散ビームを2つの部分に変換するためのビームスプリッタを備えることを特徴とする請求項3に記載の波長計。
- パルスエネルギー・モニタをさらに備えることを特徴とする請求項1に記載の波長計。
- 前記波長計の少なくとも一部をパージするためのパージ手段をさらに備えることを特徴とする請求項1に記載の波長計。
- 前記波長計が、フッ化アルゴン・エキシマレーザのスペクトル特性を監視するように構成されたことを特徴とする請求項1に記載の波長計。
- 前記波長計が、フッ化クリプトン・レーザのスペクトル特性を監視するように構成されたことを特徴とする請求項1に記載の波長計。
- 前記吸収要素がプラチナ蒸気を含むことを特徴とする請求項10に記載の波長計。
- 前記縞検出器が光ダイオードアレイを備えることを特徴とする請求項1に記載の波長計。
- 前記アレイの一部の上に波長の粗測定を行う縞を生成するように構成された格子をさらに備えることを特徴とする請求項13に記載の波長計。
- 前記プロセッサが、2000回毎秒より大きい速度で、前記スペクトル特性の計算を完了するように構成されたことを特徴とする請求項1に記載の波長計。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US10/173,190 US6750972B2 (en) | 2000-11-17 | 2002-06-14 | Gas discharge ultraviolet wavemeter with enhanced illumination |
US10/173,190 | 2002-06-14 | ||
PCT/US2003/015994 WO2003107494A2 (en) | 2002-06-14 | 2003-05-23 | Gas discharge ultraviolet wavemeter with enhanced illumination |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005530352A true JP2005530352A (ja) | 2005-10-06 |
JP4758644B2 JP4758644B2 (ja) | 2011-08-31 |
Family
ID=29733266
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004514191A Expired - Lifetime JP4758644B2 (ja) | 2002-06-14 | 2003-05-23 | 向上した照明を有するガス放電紫外線波長計 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6750972B2 (ja) |
EP (1) | EP1521942B1 (ja) |
JP (1) | JP4758644B2 (ja) |
KR (1) | KR100992413B1 (ja) |
AU (1) | AU2003237901A1 (ja) |
WO (1) | WO2003107494A2 (ja) |
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WO2003107494A3 (en) | 2004-06-17 |
AU2003237901A1 (en) | 2003-12-31 |
AU2003237901A8 (en) | 2003-12-31 |
US20030016363A1 (en) | 2003-01-23 |
KR100992413B1 (ko) | 2010-11-08 |
EP1521942A2 (en) | 2005-04-13 |
JP4758644B2 (ja) | 2011-08-31 |
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