JP2005525704A - 光半導体素子のミラー型表面の不動態化方法 - Google Patents
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Abstract
Description
(a)一定の出力パワーを維持するための、動作電流の連続した上昇(ミラー面の普通の劣化)、及び
(b)突然の構成要素の故障を引き起こす、ミラー面の突然の破壊(破滅的な光学的損傷,catastrophic optical damage:COD)。
11 GaAs(001)基板
12A 第1クラッド層
13A 第1導波管層
14 量子井戸構造
13B 第2導波管層
12B 第2クラッド層
15 P+−GaAsコンタクト層
16 メサ
17 絶縁層
18 p−コンタクト
19 n−コンタクト
Claims (10)
- 空気にさらされた後に光半導体要素のミラー面を不動態化する方法であって、
前記半導体要素は、気体の、反応性の、かつ低エネルギーの媒体を用いて高真空下で加熱及び洗浄され、
不浸透性の、絶縁性又は低導電性の、光透過性の保護層が、インサイチュに堆積され、該保護層は、前記ミラー面の材料に対して、及び真性酸化物の残りの要素に対して、不活性であることを特徴とする方法。 - 請求項1記載の方法において、
前記反応性の媒体として、2eVよりも小さい運動エネルギーを有するガスを用いることを特徴とする方法。 - 請求項2記載の方法において、
活性の媒体として、原子状水素を用いることを特徴とする方法。 - 請求項2記載の方法において、
活性の媒体として、励起状態の分子状水素を用いることを特徴とする方法。 - 請求項1から4のいずれか一項に記載の方法において、
反射率を調整するために、少なくとも一つの付加的な層を堆積することを特徴とする方法。 - 請求項1から5のいずれか一項に記載の方法において、
ZnSe,Gd2O3,Si,及びBeTeから選択された材料を含む保護層を用いることを特徴とする方法。 - 請求項1から6のいずれか一項に記載の方法において、
前記保護層を蒸発させることを特徴とする方法。 - 請求項1から7のいずれか一項に記載の方法において、
洗浄のために前記半導体要素を350℃と420℃との間の温度に加熱することを特徴とする方法。 - 請求項1から8のいずれか一項に記載の方法において、
洗浄のために1×10−8から1×10−7ミリバールの間の範囲の圧力を有する高真空に前記半導体要素を導入することを特徴とする方法。 - 請求項1から9のいずれか一項に記載の方法において、
前記不動態化の結果の後、前記反射率を調整するために一つ又は複数の層を適用し、該層は、Al2O3,TiO2,SiO2,Ta2O5,及びSiから選択された材料を含むことを特徴とする方法。
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