JP2005519466A - デイスク状対象物を湿式処置する方法 - Google Patents
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Abstract
Description
・該デイスク状対象物はマスクの近くに持って来られ、該マスクまでの距離a1は0mmに等しいかそれより大きく、該マスクは該デイスク状対象物が処置されるべき領域内では該デイスク状対象物と重なり合い、
・該第1液体を、該第1液体が該マスクと該デイスク状対象物の間の領域内に保持されるよう、適用し、
・該マスクと該デイスク状対象物の間の距離を距離a2まで増加し、
・該デイスク状対象物上に残る該第1液体の残分(residues)を除去し、
・該マスクと該デイスク状対象物の間の距離を距離b1まで減少させ、
・該第2液体を、該第2液体が該マスクと該デイスク状対象物の間の該領域内に保持されるよう、適用し、
・該マスクと該デイスク状対象物の間の距離を距離b2まで増加し、
・該デイスク状対象物上に残る該第2液体の残分を除去する。
a)ウエーハが0−40リットル/minのガス容積流量(gas volume flow rate)(G1+G2)を有するチャック上に置かれ、かくしてウエーハのマスクまでの0−0.3mmの距離a1を生じる。該ウエーハは今は該マスク上に休止し、ガスクッション(gas cushion)上に浮遊する。保持用ピン3が閉じられる。該ウエーハの前側(front side){Wf、”デバイス側(device side)”}は該チャック又はリング2に面する。その距離は、該ウエーハと該マスクの間に浸透するエッチング液体がウエーハとマスクの相互重なりより先には何等浸透しない様に選ばれる。該距離が0mmの時でも該エッチング液体はウエーハとマスクの間の領域に浸透し、それは該マスク及び/又は該ウエーハの表面粗さ(surface roughness)によりもたらされる。
b)該ウエーハを有する該チャックは300rpmの速度で回転させられる。該ウエーハの後ろ側(rear side)Wbへの第1エッチング剤の適用。該エッチング剤は遠心力により該ウエーハのエッジまで、そのエッジの付近、そして部分的にF2として該ウエーハの前側Wf上まで流れるF2(図1)。該エッチング媒体の大部分F1は落とされる。該後ろ側、該ウエーハエッジ、そして該ウエーハとマスクが相互に重なり合う限りでの該前側、上で該第1エッチング剤で除去され得る全ての層は、すなわち点Pまで(領域d)、除去される。該エッチング液体の1部は該ウエーハの該前側と該マスクの間の毛管状領域15内に残る(図2)。
c)該液体の適用は停止される。
d)該ガス容積流量は100−300リットル/minまで増加され、かくして該ウエーハの該マスクまでの0.7−1.4mmの距離a2を生じる。該保持用ピンを短時間開くことが必要である(図3)。マスク2と該ウエーハの該前側の間の液体膜は、液滴6で図解される様に、破壊される。
e)第1エッチング液体は3000rpmで落とされる。該ウエーハの前側と該マスクの間の毛管内に残る該エッチング液体の部分はかくしてこの領域から除去される。
f)オプションとして、該エッチング液体の残分の除去を改良するために洗い流し用液体{例えば、脱イオン水(de−ionized water)}が該前及び/又は後ろ側上に適用され得る。該ウエーハと該マスクの間の距離が余り大きいので、それは毛管力によって間に保持されることはなく、従って容易に落とされ得る。この目的に必要な距離又はそれぞれのガス容積流量は実験的に決定出来る。
g)該ガス容積流れは0−40リットル/minまで減じられ、かくして該ウエーハの該マスクまでの0−0.3mmの距離b1を生じる。該ウエーハが降下するように該保持用ピンを短時間開く必要がある(図4と5)
h)過程b)−f)の繰り返し(図4−6)。第1エッチング液体の代わりに、該第1のものと異なる第2エッチング液体が使用される。
i)オプションとして、過程g)の繰り返し及び続く過程b)−f)の繰り返し。該第2エッチング液体の代わりに該第2エッチング液体と異なる第3エッチング液体が使用される。第3エッチング液体は該第1エッチング液体と同様とすることが出来る。
j)水の乾燥。
k)該保持用ピンを開くこと及び該チャックからの該ウエーハの除去。
Claims (15)
- 第1液体と、少なくとも1つの第2液体と、を用いて少なくともデイスク状対象物の規定されたエッジ領域内でデイスク状対象物を処置するための方法であって、該第1液体が該第2液体と異なり、該方法が下記の連続する過程、すなわち、
1.1該デイスク状対象物をマスクの近くへ持って来る過程であるが、該マスクまでの距離a1が0mmに等しいか又はそれより大きく、該マスクは該デイスク状対象物が処置されるべき該領域内で該デイスク状対象物と重なり合っている該過程と、
1.2該第1液体を、該第1液体が該マスクと該デイスク状対象物の間の該領域内に保持されるよう、適用する過程と、
1.3該マスクと該デイスク状対象物の間の該距離を距離a2まで増大する過程と、
1.4該デイスク状対象物上に残る第1液体の残分を除去する過程と、
1.5該マスクと該デイスク状対象物の間の該距離を距離b1まで減じる過程と、
1.6該第2液体を、該第2液体が該マスクと該デイスク状対象物の間の該領域内に保持されるよう、適用する過程と、
1.7該マスクと該デイスク状対象物の間の該距離を距離b2まで増大する過程と、
1.8該デイスク状対象物上に残る該第2液体の残分を除去する過程とからなることを特徴とする該方法。 - 該第1液体が該デイスク状対象物から第1層を除去し、該第2液体がそのカバーされない表面を処置することを特徴とする請求項1の方法。
- 該第2液体が該カバーされない表面をエッチングすることを特徴とする請求項2の方法。
- 該第2液体が該カバーされない表面を、下にある第2層が除去されるように、エッチングすることを特徴とする請求項3の方法。
- 該距離a2又はb2が該距離a1又はb1の少なくとも1.5倍の大きさであることを特徴とする請求項1の方法。
- 該少なくとも2つの液体の少なくとも1つが該マスクから逸れた側部に適用され、該デイスク状対象物の周辺のエッジ付近に流れ、次いで該マスクと該デイスク状対象物の間の該領域に浸透することを特徴とする請求項1の方法。
- 少なくとも1層が少なくとも部分的に該マスクから逸れた側部上で除去されることを特徴とする請求項2の方法。
- 1層の材料の少なくとも1つが、二酸化ケイ素{熱酸化物、TEOS(オルトケイ酸エチル)}、窒化ケイ素、チタン、窒化チタン、タンタル、窒化タンタル、コバルト、金、銀、白金、タングステン、ケイ化タングステン、ポリシリコン、銅、アルミニウム、ケイ酸塩ガラス{フッ化ケイ酸塩ガラス、ホウ素ケイ酸塩ガラス(BSG)、リンホウ素ケイ酸塩ガラス(PBSG)、リンケイ酸塩ガラス(PSG)、アンドープドケイ酸塩ガラス(USG)}、チタン酸ホウ素ストロンチウム(BST)、チタン酸鉛ジルコニウム(PZT)、を含むグループから成ることを特徴とする請求項2の方法。
- 1層の材料の少なくとも1つがチタン、窒化チタン、タンタル、窒化タンタル、コバルト、金、銀、白金、タングステン、ケイ化タングステン、ポリシリコン(多結晶質シリコン)、銅、アルミニウム、から成るグループのものであり、そしてもう1つの材料は窒化ケイ素、二酸化ケイ素、ケイ酸塩ガラスのグループからであることを特徴とする請求項8の方法。
- 該デイスク状対象物上に残る該第1エッチング溶液の残分を除去する該過程が該第1エッチング溶液の該残る残分が追い出される仕方で起こることを特徴とする請求項1の方法。
- 該デイスク状対象物上に残る該第1エッチング溶液の残分を除去する過程が液体で洗い流すことにより起こることを特徴とする請求項1の方法。
- 該マスクと該デイスク状対象物の間の該距離を増加する又は減じる過程が該デイスク状対象物を持ち上げる又は降下させる過程により起こることを特徴とする請求項1の方法。
- 該デイスク状対象物を該持ち上げる又は降下させる過程が、該マスクに面する該デイスク状対象物の表面がガスノズル経由の流れに抗する仕方で、すなわち該デイスク状対象物の該表面に垂直に作用する該ガス流れの速度成分に対し行われるそれぞれの変化により、起こることを特徴とする請求項1の方法。
- 該デイスク状対象物がエッチング処置中把持要素により該周辺の側部上で保持されることを特徴とする請求項1の方法。
- 該把持要素が該デイスク状対象物を持ち上げる及び降下させる間接触しないことを特徴とする請求項14の方法。
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