KR100675266B1 - 디스크형 물체의 습식 처리방법 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 42
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 54
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 27
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical group O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 claims description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 11
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 10
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 10
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 8
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 7
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 5
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims description 5
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 4
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000009991 scouring Methods 0.000 claims description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 4
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 4
- WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N tungsten disilicide Chemical compound [Si]#[W]#[Si] WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910021342 tungsten silicide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- GDFCWFBWQUEQIJ-UHFFFAOYSA-N [B].[P] Chemical compound [B].[P] GDFCWFBWQUEQIJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 2
- ZQYZLRKRUCDMQI-UHFFFAOYSA-N boron strontium Chemical compound [Sr].[B] ZQYZLRKRUCDMQI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N lead zirconate titanate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Zr+4].[Pb+2] HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims description 2
- 150000004760 silicates Chemical class 0.000 claims description 2
- 238000003672 processing method Methods 0.000 claims 4
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 claims 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 claims 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 6
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 62
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 11
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 2
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 2
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GNFTZDOKVXKIBK-UHFFFAOYSA-N 3-(2-methoxyethoxy)benzohydrazide Chemical compound COCCOC1=CC=CC(C(=O)NN)=C1 GNFTZDOKVXKIBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001357 Galvanic etching Methods 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000284 resting effect Effects 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
- H01L21/67086—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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Abstract
본 발명은 적어도 디스크형 물체의 한정된 영역에서 하나의 제 1 액체 및 적어도 하나의 제 2 액체로 디스크형 물체를 처리하는 방법에 관한 것이다.
디스크형 물체 처리, 제 1 액체, 제 2 액체, 실리콘 웨이퍼
Description
본 발명은 디스크형 물체, 특히, 웨이퍼의 주 표면의 한정된(defined) 영역의 습식 처리 방법에 관한 것이다.
디스크형 물체, 특히, 웨이퍼의 엣지에 근접한 한정된 부위를 처리하는 이유에 대하여 이하에 좀더 상세히 설명한다.
실리콘 웨이퍼와 같은 웨이퍼에는, 예를 들어, 모든 측면 상에 실리콘 디옥사이드의 코팅이 제공될 수 있다. 후속 공정을 위하여(예를 들어, 금 층 또는 폴리실리콘(다결정 실리콘)의 층을 적용시키고자 하는 경우), 적어도 주 표면의 엣지 영역에 및 임의로는 또한 이의 외주면 영역 및/또는 제 2 주 표면의 영역에서 기존의 코팅으로부터 웨이퍼를 구제하는 것이 필요할 수 있다. 이러한 과정은 특히 건식 에칭법과 습식 에칭법으로 대별될 수 있는 에칭법에 의해 수행된다. 반도체 기판의 주 표면의 특정 영역으로부터 전기도금에 의해 이전에 피착된 금속(예를 들어, 구리)을 제거하는 것이 또한 바람직할 수 있다. 이 경우에, 이러한 영역은 엣지에 근접한 고리 모양의 부위 또는 정확하게는 구조물이 위치되는 주 표면의 영역(소자 쪽) 또는 구조물이 위치되지 않는 주 표면의 영역, 즉, 칩이 없는(chip- free) 영역일 수 있다.
엣지에 근접한 부위로부터 층을 제거하는 한 가지 이유는 다음과 같을 수 있다. 다수의 다양한 층이 상이한 공정에서 서로의 위에 적용된다. 이들 층은 또한 웨이퍼의 엣지 영역을 커버한다. 웨이퍼는 수송 중에 다소 단단한 곳과 엣지 영역에서 닿게 된다. 이에 따라 층의 분열이 일어날 수 있다. 따라서, 웨이퍼 표면을 오염시킬 수도 있는 입자가 생성된다.
본 발명은 층의 습식 에칭과 같이 액체로 디스크형 물체를 처리하는 것에 관한 것이다. 처리될 웨이퍼의 표면 부위를 처리액으로 습윤시키고 제거될 층 또는 불순물을 떼어 내거나 층을 이러한 표면 부위에 적용한다.
액체로 처리하는 동안, 디스크형 물체는 정지해 있거나, (예를 들어, 그의 자축을 중심으로) 회전할 수 있다.
따라서, 본 발명의 목적은 디스크형 물체의 표면상의 한정된 부위를 처리하는 가능성을 제공하는데 있다. 특히, (디스크형 물체의 외측 엣지로부터 측정하여) 2 mm를 넘는 엣지 영역을 처리하는 것도 가능하다. 이 경우에, 해당 영역이 밖으로 또는 안으로 원형 라인에 의해 제한되면, 이는 필요하지 않을 수 있다.
처리할 영역은 또한 다각형에 의해 제한될 수 있다. 디스크형 물체가 반도체 웨이퍼인 경우, 이러한 제한선은 칩이 위치되는 표면의 영역 ("소자 영역")에 해당할 수 있다. 따라서, 외측의 칩 없는 영역이 처리되어야 한다.
본 발명의 다른 목적은, 예를 들어, 한정된 엣지 영역에서 디스크형 물체로 부터 둘 이상의 층을 제거하기 위하여 두 종 또는 수 종의 서로 상이한 액체로 연속적으로 한정된 영역을 처리하는데 있다. 이러한 처리는 양 층이 동일한 에칭액에 의해 공격받지 않는 경우에 특히 문제가 될 수 있다. 다음의 예가 이러한 문제를 설명하는 데 이용된다. 층 A가 실리콘 웨이퍼의 벌크 실리콘 상에 직접 적용된다. 층 B가 층 A 위에 적용된다. 층 A는 실리콘 디옥사이드로 이루어지고, 즉 불화수소산에 의해 분명하게 공격되는 한 층이다. 층 B는 구리, 즉 강 산화제에 의해서만 공격되는 층이다. 한편, 강 산화제는 일반적으로 실리콘 디옥사이드를 공격하지 않는다. 다른 한편, 구리는 불화수소산에 의해 좀처럼 공격되지 않는다.
가장 일반적인 실시형태에서, 본 발명은 적어도 디스크형 물체의 일정 엣지 영역에서 제 1 액체와 적어도 하나의 제 2 액체로 디스크형 물체를 처리하는 방법을 제안하며, 여기에서 제 1 액체는 제 2 액체와 상이하다.
두 액체간의 차이는 성분들의 선택 또는 이들의 농도에 의해 부여될 수 있다.
여기에서 처리는, 예를 들어, 습식 에칭, 습식 클리닝 또는 전기 화학적 처리(갈바닉 에칭, 갈바닉 코팅 (전기도금))으로 이해된다. 표면은 또한, 외면 변형(산화)에 의한 습식 화학적 방식으로 처리될 수 있다.
처리 방법은 다음의 연속 단계를 포함한다:
- 디스크형 물체를 마스크에 접근시킨다. 이 때, 마스크까지의 거리 a1은 0 mm 이상이고 마스크는 디스크형 물체가 처리되는 영역에서 디스크형 물체와 중첩된다;
- 제 1 액체를 도포하여, 마스크와 디스크형 물체간의 영역에 유지시킨다;
- 마스크와 디스크형 물체간의 거리를 거리 a2로 증가시킨다;
- 디스크형 물체 상에 잔류하는 제 1 액체의 잔사를 제거한다;
- 마스크와 디스크형 물체간의 거리를 거리 b1으로 단축시킨다;
- 제 2 액체를 도포하여, 마스크와 디스크형 물체간의 영역에 유지시킨다;
- 마스크와 디스크형 물체간의 거리를 거리 b2로 증가시킨다;
- 디스크형 물체 상에 잔류하는 제 2 액체의 잔사를 제거한다.
마스크를 구비한 상기한 한정된 엣지 영역은 단일 액체로만 처리될 수 있는 반면에, 본 방법은 수 종의 상이한 액체로도 연속적으로 일정 엣지 영역을 처리할 수 있는 가능성을 제공한다. 이러한 방법은 상이한 액체가 상호 혼합되지 않는다는 부가적인 이점을 제공한다.
본 방법의 실시형태에서, 제 1 액체는 디스크형 물체로부터 제 1 층을 제거하고 제 2 액체는 커버되지 않은 표면을 처리한다. 제 2 액체는 커버되지 않은 표면을 에칭할 수 있다. 커버되지 않은 표면이 추가적인 제 2 층일 때, 제 2 액체는 제 2 층만이 얇아지거나 또한 제거되도록 커버되지 않은 표면을 에칭할 수 있다.
제 1 층과 제 2 층 모두는 상이한 재질의 하나 또는 수 개의 부분층으로 구성될 수 있으며, 부분층의 공통적인 일면은 이들이 동일 액체 (에칭 용액)로 에칭되거나 제거될 수 있다는 점이다. 반면에 이전에는 한 종의 에칭 시약으로 제거시킬 수 있는 층의 조합만을 에칭할 수 있었지만, 본 방법은 상이한 에칭 시약을 요하는 층의 조합도 일정 엣지 영역으로부터 제거할 수 있는 가능성을 제공한다.
본 방법의 유리한 실시형태에 따르면, 거리 a2 또는 b2는 거리 a1 또는 b1 크기의 적어도 1.5배이어야 한다. 따라서, 디스크형 물체와 마스크간의 모세관력에 의해 유지되는 액막이 파괴되는 방식으로 확률이 상당히 증가된다.
본 방법의 추가 실시형태에서는, 적어도 두 에칭액 중 적어도 하나가 마스크로부터 회피된 측면에 도포되어, 디스크형 물체의 외주측 상의 엣지 주변으로 유동한 다음 마스크와 디스크형 물체간의 영역으로 침투한다. 이러한 식으로 에칭액은 디스크형 물체의 전 엣지 상에 균일하게 분포될 수 있다.
따라서, 마스크로부터 회피되는 디스크형 물체의 측면 상의 적어도 한 층을 적어도 부분적으로 제거하는 것이 동시적으로 가능하다.
제거할 층의 물질의 적어도 하나는 하기 그룹으로 구성될 수 있다: 실리콘 디옥사이드(열적 산화물, TEOS (테트라에톡시실란)), 실리콘 나이트라이드, 티타늄, 티타늄 나이트라이드, 탄탈륨, 탄탈륨 나이트라이드, 코발트, 금, 은, 백금, 텅스텐, 텅스텐 실리사이드, 폴리실리콘, 구리, 알루미늄, 실리케이트 글라스 (불소화 실리케이트 글라스, 보론 실리케이트 글라스(BSG), 포스포러스 보론 실리케이트 글라스 (PBSG), 포스포러스 실리케이트 글라스 (PSG), 언도프(undoped) 실리케이트 글라스 (USG)), 보론 스트론튬 티타네이트 (BST), 납 지르코늄 티타네이트 (PZT).
물질의 적어도 하나는 티타늄, 티타늄 나이트라이드, 탄탈륨, 탄탈륨 나이트라이드, 코발트, 금, 은, 백금, 텅스텐, 텅스텐 실리사이드, 폴리실리콘, 구리 및 알루미늄으로 이루어진 그룹 중에서 선택될 수 있고, 또 다른 물질은 실리콘 나이 트라이드, 실리콘 디옥사이드 및 실리케이트 글라스로 이루어진 그룹 중에서 선택될 수 있다. 한 그룹은 바람직하게는 산화 에칭 시약으로 제거될 수 있는 물질을 함유한다. 다른 한 그룹은 불화수소산을 함유하는 에칭 시약으로 제거되는 물질을 함유한다.
유리한 방법에서, 디스크형 물체 상에 잔류하는 제 1 에칭 용액의 잔사의 제거는 제 1 에칭 용액의 잔류 잔사가 분출되는(thrown off) 방식으로 일어난다. 다른 양태에서, 디스크형 물체 상에 잔류하는 제 1 에칭 용액의 잔사의 제거는 액체로 세정함으로써 일어난다. 두 양태 모두 디스크형 물체의 표면상의 에칭 시약의 잔류 잔사에 의해 부식이 발생하는 것을 방지한다. 또한, 캐리어, 및 이와 함께 웨이퍼는 전체를 처리하는 동안 회전할 수 있다.
마스크와 디스크형 물체간 거리의 증감은 디스크형 물체의 승하강에 의해 일어날 수 있다. 결과적으로, 마스크는 고정된 방식으로 캐리어에 연결될 수 있다.
유리한 방법에서, 디스크형 물체의 승하강은 마스크와 대면하는 디스크형 물체의 표면이 가스 노즐을 통해, 즉 디스크형 물체의 표면상에 정상적으로 작용하는 가스 스트림의 속도 성분의 각각의 변화를 제공함으로써 블로잉되는 방식으로 일어난다. 이에 따라 캐리어와 대면하는 디스크형 물체의 표면을 건드릴 필요가 없다는 이점이 제공된다. 대신, 마스크로부터 좀더 원거리에 부유 상태로 있게 된다. 디스크형 물체의 표면상에 정상적으로 작용하는 가스 스트림의 속도 성분의 증가는 상이한 방식으로 일어날 수 있다. 디스크형 물체의 표면에 대해 경사지거나 수직인 방식으로 지향된 복수개의 가스 노즐의 가스 스트림은 증가되거나 심지어는 활 성화되기만 하거나, 또는 디스크형 물체의 표면에 대해 경사지게 지향된 복수개의 가스 노즐의 위치는 가스 노즐이 디스크형 물체의 표면 쪽으로 더 가파르게 지향되는 방식으로 변화된다.
본 방법의 실시형태에서는, 디스크형 물체는 에칭 처리 동안 원주측 상의 파지 요소에 의해 지탱된다. 디스크형 물체의 승하강은 디스크형 물체를 승하강하는 동안, 파지 요소가 물체와 접촉되지 않는 방식으로 촉진될 수 있다. 이를 위하여, 파지 요소(예를 들어, 보유 핀)가 일시적으로 개방될 수 있다.
도 1 내지 도 6은 본 발명에 따른 방법의 공정 단계들의 순서를 나타내는 도면이다.
도 7은 본 발명의 방법을 실시하기 위한 장치를 나타내는 도면이다.
도 8 및 도 9는 본 발명의 방법의 각기 다른 실시형태를 나타내는 도면이다.
본 발명의 방법을 실행하는 장치를 도 7을 참조로 이하에서 설명한다. 이 장치는 본체(4)와 링(2)으로 구성되는 캐리어(11)(척(chuck))로 이루어진다. 링은 본체에 이로부터 소정 거리에서 스페이서 바디(41)에 의해 체결된다. 웨이퍼와 대면하는 링의 표면은 평면이며, 즉 웨이퍼의 주 표면과 평행하다. 핀(3)(보유 핀)은 캐리어(14)의 회전축 A에 대해 방사상으로 바깥쪽을 향해 이동될 수 있고 외주측 상의 웨이퍼 W를 감쌀 수 있는 링(2)에 체결된다. 핀(3)은 작은 원통형 형태로 제공되며 이들의 축은 웨이퍼 표면에 수직이다. 가스 도관(44, 45)은 본체(4)에 통합되어 있으며 가스 노즐(46, 49) 안으로 개방되고 캐리어(11)와 대면하는 웨이 퍼의 표면 쪽으로 향한다. 노즐(46, 49)은 바깥쪽으로 비스듬한 방식으로 배치된다. 더 내측에 위치되는 노즐(49)은 더 외측에 위치되는 노즐(46)보다 덜 기울어진 방식으로 배치되며, 이는 더 외측에 위치되는 노즐(46)의 출현하는 가스 스트림 G1이 더 내측에 위치한 노즐의 출현하는 가스 스트림 G2보다 웨이퍼 표면상에 더 편평한 각도로 충돌함을 의미한다. 내측에 위치한 노즐(49)과 외측에 위치한 노즐(46) 양자 모두는 임의로는 복수개의 원형으로 배열된 노즐일 수 있거나 환상 노즐의 형상일 수 있다.
내측의 링(마스크)의 윤곽은 보통 원이다. 이러한 원은 에칭될 웨이퍼의 엣지 영역에 대하여 웨이퍼의 반경이 넓어야 하는 정도로 작은 반경을 포함한다. 소위 말하는 플랫(flat)을 포함하는 웨이퍼의 엣지를 에칭하고 플랫 영역내의 엣지 영역을 처리하고자 하면, 마스크의 윤곽도 그에 따라 선택되어야 한다. 방법이 수행될 때, 웨이퍼의 플랫이 링의 내측 윤곽의 플랫 지역에 놓이도록 하는 방식으로 웨이퍼가 척에 배치되도록 주의를 기울여야 한다. 웨이퍼가 처리 중에 링에 대해 꼬이는 것을 방지하기 위하여, 플랫 영역에서 웨이퍼와 닿는 파지 수단(보유 핀)이 제안된다. 이러한 파지 수단은 이동 또는 고정 배치로 제공될 수 있다.
도 7에 도시된 바와 같은 장치는 상당히 상이한 두 방식으로 동작될 수 있다. 첫 번째 동작 모드에서, 외측 가스 스트림 G1 및 내측 가스 스트림 G2는 상호 별도로 활성화/탈활될 수 있다. 제 1 가스 스트림 G1만이 활성화되면, 가스는 영역(47) 위로만 유동한다. 웨이퍼 W는 약간만 들어 올려지며, 따라서 마스크(2)와 웨이퍼 W 사이에 작은 모세관성 갭(15)이 생성된다. 예를 들어, 가스 스트림이 활 성화되지 않는 것도 가능하며, 결과적으로 웨이퍼는 마스크 (링) 상에서 휴지한다. 이러한 제 1 동작 상태에서 액체가 웨이퍼의 상부측에 도포되면, 갭(15) 내로 끌어 당겨지게 된다. 가스 스트림 G1에 더하여 또는 그 대신에 가스 스트림 G2가 활성화되면, 가스는 외부 노즐(46)의 외측 영역(47) 위로 뿐만 아니라 내외 노즐 사이의 영역(48) 위로도 유동한다. 상기 제 2 동작 상태의 결과로서, 점선으로 나타낸 바와 같이, 웨이퍼 W는 약간 들어올려진다. 웨이퍼 엣지는 핀(3)의 원통 표면을 따라 활주하며, 이를 위해 핀을 일시적으로 약간 개방하는 것이 필요할 수 있다. 웨이퍼를 약간 들어올리는 것만으로도 마스크와 웨이퍼 간의 갭(15)에 있는 액체가 더 이상 모세관력에 의해 지탱되지 않도록 보장하기에 충분하다. 가스 스트림에 의해 발생하는 액체가 이 영역으로부터 제거될 수 있으며, 즉 액적은 방사상 외향식으로 블로잉된다. 액체의 제거는 전체 캐리어(11)가, 그리고 이와 함께 웨이퍼가 회전하는 방식으로 지원될 수 있다. 또한, 액체 라인(28)을 통해 공급되는 스카우어링액(scouring liquid)은 본체(4)를 통해 캐리어와 대면하고 있는 웨이퍼 표면상으로 안내될 수 있으며, 그 결과 갭(15)안의 액체는 추가적으로 밀어내진다. 이러한 스카우어링 액 역시도 당연히 제거시킬 필요가 있으며, 이를 분출시킴으로써 수행된다.
두 번째 동작 모드에서는, 가스 스트림 G1 및 G2 모두가 함께 스위칭 된다. 제 1 동작 상태에서는 제 2 동작 상태에서보다 더 적은 양의 가스가 유동하며, 결과적으로 웨이퍼는 마스크(2)까지의 거리가 제 1 동작 상태에서보다 큰 제 2 동작 상태에서의 위치를 취하게 된다. 예를 들어, 제 1 동작 상태에서 웨이퍼 W에서 마 스크(2)까지의 거리는 0.3 mm이고, 제 2 동작 상태에서는 0.8 mm이다.
본 방법의 상이한 가능한 실시형태들이 도 8 및 도 9에 도시되어 있다.
도 8(a) 내지 도 8(d)는 처음에는 코어(60)(벌크 실리콘)(도 8(a)) 상에 층(62)이 적용된 웨이퍼(단면)의 가능한 처리 단계를 도시한다. 그 후, 층(62)을 엣지 영역 및 엣지에 근접한 웨이퍼의 하부측의 한정된 영역의 상부측에서 제거한다. 층(63)(도 8(b))은 잔류한다. 커버되지 않은 표면은 제 2 액체로 처리한다. 예를 들어, 클리닝 또는 에칭하거나(도 8(c)의 에칭 영역(64)) 새로운 층(67)을 적용한다(도 8(d)).
도 9(a) 내지 도 9(e)는 처음에 두 층(70, 72)이 코어(60)(도 9(a))에 적용된 웨이퍼(단면)의 가능한 처리 단계를 도시한다. 이어서, 제 1 층(72)을 엣지 영역 및 엣지에 근접한 바닥쪽의 한정된 영역의 상부측에서 제거한다. 이에 따라, 층(73)(도 9(b))은 잔류하고 층(70)은 커버되지 않는다. 이어서, 층(70)의 커버되지 않은 표면을 처리한다. 예를 들어, 클리닝 또는 에칭하거나 새로운 층(도시되지 않음)을 적용한다. 층(70)의 커버되지 않은 면이 에칭될 때, 이를 단순히 얇게 하거나(얇아진 영역(74), 도 9(e)) 또는 층(71)은 남긴 채, 처리 영역에서 완전히 제거시킬 수 있다(도 9(c)). 처리 영역에서 두 층(70, 72)을 제거한 후, 층(77)을 커버되지 않은 표면상에 적용할 수 있다(도 9(d)).
이하, 공정 단계의 가능한 순서를 위한 예를 도 1 내지 도 6을 참조하여 설명한다.
a) 웨이퍼 W를 0 내지 40 ℓ/min의 가스 부피 유량(G1+G2)으로 척에 배치하 며, 이에 따라 웨이퍼에서 마스크까지의 0 내지 0.3 mm의 거리가 생성된다. 이어서, 웨이퍼는 마스크 상에 놓이고 가스 쿠션 상에서 부유한다. 보유 핀(3)을 닫는다. 웨이퍼의 전방측(Wf, "소자측")은 척 또는 링(2)과 마주한다. 거리는 웨이퍼와 마스크 사이로 침투하는 에칭액이 웨이퍼와 마스크의 상호 중첩 영역보다 더 이상 침투하지 않도록 선택된다. 심지어 거리가 0 mm일 때 조차도, 에칭액은 웨이퍼와 마스크 사이의 영역에 침투하는데, 이는 마스크 및/또는 웨이퍼의 표면 조면성에 의해 발생된다.
b) 웨이퍼가 물린 척을 300 min-1의 속도로 회전시킨다. 웨이퍼의 후방측 "Wb 상에 제 1 에칭 시약을 도포한다. 에칭 시약은 웨이퍼의 엣지를 중심으로 이의 엣지에 대한 원심력 및 부분적으로는 웨이퍼의 전방측 Wf 상으로의 F2에 의해 유동한다(도 1). 에칭 매질의 대부분 F1은 분출된다. 웨이퍼와 마스크가 상호 중첩되는 한, 후방측, 웨이퍼 엣지 및 전방측 상의 제 1 에칭 시약에 의해 제거될 수 있는 모든 층은 즉, P 지점까지(영역 d) 제거된다. 웨이퍼의 전방측과 마스크 사이의 모세관성 영역(15)에는 에칭액의 일부가 잔류하게 된다(도 2).
c) 액체의 도포를 중단한다.
d) 가스 부피 유량을 100 내지 300 ℓ/min으로 증가시키며, 이에 따라 웨이퍼에서 마스크까지의 0.7 내지 1.4 mm의 거리 a2가 생성된다. 보유 핀을 일시적으로 개방시키는 것이 필요할 수 있다(도 3). 액적(6)으로 표시된 바와 같이, 마스크(2)와 웨이퍼 전방측간의 액막이 파괴된다.
e) 제 1 에칭액을 3000-1으로 분출시킨다. 따라서, 이 영역으로부터 웨이퍼 전방측과 마스크간의 모세관에 잔류하는 에칭액 부분이 제거된다.
f) 임의로, 에칭액의 잔사 제거를 개선하기 위해 스카우어링 액(예를 들어, 탈이온수)을 전방측 및/또는 후방측에 적용할 수 있다. 웨이퍼와 마스크간의 거리가 지나치게 크므로, 모세관력에 의해 그 사이에서 지탱되지 않으며 따라서 용이하게 분출될 수 있다. 이를 위해 필요한 거리 또는 각각의 가스 부피 유량은 경험적으로 측정될 수 있다.
g) 가스 부피 유량을 0 내지 40 ℓ/min으로 감소시키며, 이에 따라 마스크에 대한 웨이퍼의 0 내지 0.3 mm의 거리 b1이 생성된다. 웨이퍼가 내려가도록 보유 핀을 일시적으로 개봉하는 것이 필요할 수도 있다(도 4 및 도 5).
h) 단계 b) 내지 f)를 반복한다(도 4 내지 도 6). 제 1 에칭액 대신, 제 1 에칭액과는 상이한 제 2 에칭액을 사용한다.
i) 임의로는, 단계 g)를 반복한 다음 단계 b) 내지 f)를 반복한다. 제 2 에칭액 대신에, 제 2 에칭액과는 상이한 제 3 에칭액을 사용한다. 제 3 에칭액은 제 1 에칭액과 유사할 수 있다.
j) 물을 건조시킨다.
k) 보유 핀(3)을 개방하고 척으로부터 웨이퍼를 제거한다.
하기 두 실시예는 가능한 층 구조 (스택) 및 층이 제거될 수 있는 각각의 에칭 시약을 예시한다. 층의 순서는 층이 제거되는 순서에 따라 선택된다.
[실시예 1]
| 제거시킬 층의 물질 | 층의 두께 | 에칭 시약 | |
| 1 | P-TEOS(테트라에톡시실란의 플라즈마-지원 화학 증착(플라즈마 CVD))에 의해 적용된 실리콘 디옥사이드 | 600 nm | 34% 불화수소산의 함수 용액 |
| 2 | 플라즈마-지원 적용된 실리콘 나이트라이드(PE-SiN) | 250 nm | |
| 3 | 장벽층(티타늄 나이트라이드) | 3-5 nm | 2% 불화수소산과 66% 질산의 함수 용액 |
| 4 | 열적 실리콘 디옥사이드 | 100 nm | 10% 불화수소산의 함수 용액 |
[실시예 2]
| 제거시킬 층의 물질 | 층의 두께 | 에칭 시약 | |
| 1 | 구리 (PVD 층, 갈바닉 층) | 600 nm | 69% 질산 |
| 2 | 장벽층(티타늄 나이트라이드) | 3-5 nm | 2% 불화수소산과 66% 질산의 함수 용액 |
| 3 | 열적 실리콘 디옥사이드 | 100 nm | 10% 불화수소산의 함수 용액 |
Claims (15)
- 적어도 디스크형 물체의 한정된 엣지 영역에서 제 1 액체 및 이와 상이한 적어도 하나의 제 2 액체로 디스크형 물체를 처리하는 방법으로서,하기 연속 단계들,1.1 디스크형 물체를 마스크에 접근시키는 단계(여기에서, 마스크까지의 거리 a1는 0 mm 이상이고 마스크는 디스크형 물체가 처리되는 영역에서 디스크형 물체와 중첩된다);1.2 제 1 액체를 도포하여, 마스크와 디스크형 물체간의 영역에 유지시키는 단계;1.3 마스크와 디스크형 물체간의 거리를 거리 a2로 증가시키는 단계;1.4 디스크형 물체 상에 잔류하는 제 1 액체의 잔사를 제거하는 단계;1.5 마스크와 디스크형 물체간의 거리를 거리 b1으로 단축시키는 단계;1.6 제 2 액체를 도포하여, 마스크와 디스크형 물체간의 영역에 유지시키는 단계;1.7 마스크와 디스크형 물체간의 거리를 거리 b2로 증가시키는 단계; 및1.8 디스크형 물체 상에 잔류하는 제 2 액체의 잔사를 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 디스크형 물체 처리방법.
- 제 1 항에 있어서, 제 1 액체가 디스크형 물체로부터 제 1 층을 제거하고 제 2 액체는 커버되지 않은 표면을 처리하는 것을 특징으로 하는 디스크형 물체 처리방법.
- 제 2 항에 있어서, 제 2 액체가 커버되지 않은 표면을 에칭하는 것을 특징으로 하는 디스크형 물체 처리방법.
- 제 3 항에 있어서, 제 2 액체가 밑에 위치된 제 2 층이 제거되도록 하는 방식으로 커버되지 않은 표면을 에칭하는 것을 특징으로 하는 디스크형 물체 처리방법.
- 제 1 항에 있어서, 거리 a2 또는 b2가 거리 a1 또는 b1 크기의 적어도 1.5배인 것을 특징으로 하는 디스크형 물체 처리방법.
- 제 1 항에 있어서, 적어도 두 액체 중 적어도 하나가 마스크로부터 회피된 측면에 도포되어, 디스크형 물체의 외주 엣지 주변으로 유동한 다음 마스크와 디스크형 물체간의 영역으로 침투하는 것을 특징으로 하는 디스크형 물체 처리방법.
- 제 2 항에 있어서, 적어도 한 층이 마스크로부터 회피된 측면 상에서 적어도 부분적으로 제거되는 것을 특징으로 하는 디스크형 물체 처리방법.
- 제 2 항에 있어서, 층의 물질의 적어도 하나가 실리콘 디옥사이드 (열적 산화물, TEOS (테트라에톡시실란)), 실리콘 나이트라이드, 티타늄, 티타늄 나이트라이드, 탄탈륨, 탄탈륨 나이트라이드, 코발트, 금, 은, 백금, 텅스텐, 텅스텐 실리사이드, 폴리실리콘, 구리, 알루미늄, 실리케이트 글라스 (불소화 실리케이트 글라스, 보론 실리케이트 글라스(BSG), 포스포러스 보론 실리케이트 글라스 (PBSG), 포스포러스 실리케이트 글라스 (PSG), 언도프(undoped) 실리케이트 글라스 (USG)), 보론 스트론튬 티타네이트 (BST) 및 납 지르코늄 티타네이트 (PZT)를 포함하는 그룹으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 디스크형 물체 처리방법.
- 제 8 항에 있어서, 층의 물질의 적어도 하나가 티타늄, 티타늄 나이트라이드, 탄탈륨, 탄탈륨 나이트라이드, 코발트, 금, 은, 백금, 텅스텐, 텅스텐 실리사이드, 폴리실리콘(다결정 실리콘), 구리 및 알루미늄으로 이루어진 그룹 중에서 선택되고, 또다른 물질이 실리콘 나이트라이드, 실리콘 디옥사이드 및 실리케이트 글라스로 이루어진 그룹 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 디스크형 물체 처리방법.
- 제 1 항에 있어서, 디스크형 물체 상에 잔류하는 제 1 에칭 용액의 잔사의 제거가 제 1 에칭 용액의 잔류 잔사가 분출되는 방식으로 일어나는 것을 특징으로 하는 디스크형 물체 처리방법.
- 제 1 항에 있어서, 디스크형 물체 상에 잔류하는 제 1 에칭 용액의 잔사의 제거가 액체로 스카우어링함으로써 일어나는 것을 특징으로 하는 디스크형 물체 처리방법.
- 제 1 항에 있어서, 마스크와 디스크형 물체간의 거리 증감이 디스크형 물체의 승하강에 의해 일어나는 것을 특징으로 하는 디스크형 물체 처리방법.
- 제 1 항에 있어서, 디스크형 물체의 승하강이 마스크와 대면하는 디스크형 물체의 표면이 가스 노즐을 통해, 즉 디스크형 물체의 표면상에 정상적으로 작용하는 가스 스트림의 속도 성분에 대해 행해진 각각의 변화에 의해 유동되는 것을 특징으로 하는 디스크형 물체 처리방법.
- 제 1 항에 있어서, 디스크형 물체가 에칭 처리하는 동안 파지 요소에 의해 원주측 상에서 지탱되는 것을 특징으로 하는 디스크형 물체 처리방법.
- 제 14 항에 있어서, 파지 요소가 디스크형 물체의 승하강 동안 접촉되지 않는 것을 특징으로 하는 디스크형 물체 처리방법.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| ATA348/2002 | 2002-03-06 | ||
| AT0034802A AT411335B (de) | 2002-03-06 | 2002-03-06 | Verfahren zum nassbehandeln von scheibenförmigen gegenständen |
| PCT/EP2003/001568 WO2003075324A1 (en) | 2002-03-06 | 2003-02-17 | A method for the wet treatment of disk-like objects |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20040086442A KR20040086442A (ko) | 2004-10-08 |
| KR100675266B1 true KR100675266B1 (ko) | 2007-01-29 |
Family
ID=3672349
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020047013228A KR100675266B1 (ko) | 2002-03-06 | 2003-02-17 | 디스크형 물체의 습식 처리방법 |
Country Status (10)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7279116B2 (ko) |
| EP (1) | EP1483778B1 (ko) |
| JP (1) | JP4537714B2 (ko) |
| KR (1) | KR100675266B1 (ko) |
| CN (1) | CN100347810C (ko) |
| AT (2) | AT411335B (ko) |
| AU (1) | AU2003205771A1 (ko) |
| DE (1) | DE60336713D1 (ko) |
| TW (1) | TW587292B (ko) |
| WO (1) | WO2003075324A1 (ko) |
Families Citing this family (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1369904B1 (de) * | 2000-10-31 | 2009-01-21 | Sez Ag | Vorrichtung zur Flüssigkeitsbehandlung von scheibenförmigen Gegenständen |
| US7070661B2 (en) * | 2003-08-22 | 2006-07-04 | Axcelis Technologies, Inc. | Uniform gas cushion wafer support |
| DE20318462U1 (de) * | 2003-11-26 | 2004-03-11 | Infineon Technologies Ag | Anordnung elektronischer Halbleiterbauelemente auf einem Trägersystem zur Behandlung der Halbleiterbauelemente mit einem flüssigen Medium |
| US20070110895A1 (en) * | 2005-03-08 | 2007-05-17 | Jason Rye | Single side workpiece processing |
| US8082932B2 (en) * | 2004-03-12 | 2011-12-27 | Applied Materials, Inc. | Single side workpiece processing |
| US7938942B2 (en) * | 2004-03-12 | 2011-05-10 | Applied Materials, Inc. | Single side workpiece processing |
| US8104488B2 (en) * | 2006-02-22 | 2012-01-31 | Applied Materials, Inc. | Single side workpiece processing |
| JP4641964B2 (ja) * | 2006-03-30 | 2011-03-02 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
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| KR20110099108A (ko) * | 2008-11-19 | 2011-09-06 | 엠이엠씨 일렉트로닉 머티리얼즈, 인크. | 반도체 웨이퍼의 에지를 스트리핑하기 위한 방법 및 시스템 |
| JP5341939B2 (ja) * | 2011-03-31 | 2013-11-13 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板周縁処理装置および基板周縁処理方法 |
| JP5513432B2 (ja) * | 2011-03-31 | 2014-06-04 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板周縁処理装置及び基板周縁処理方法 |
| JP6303255B2 (ja) * | 2011-12-02 | 2018-04-04 | 株式会社リコー | 面発光レーザ素子及び原子発振器 |
| US8853054B2 (en) | 2012-03-06 | 2014-10-07 | Sunedison Semiconductor Limited | Method of manufacturing silicon-on-insulator wafers |
| CN105792998A (zh) * | 2013-12-03 | 2016-07-20 | 哈莫技术股份有限公司 | 保持设备、保持系统、控制方法和传送设备 |
| EP3078461A1 (en) * | 2013-12-03 | 2016-10-12 | Harmotec Co., Ltd. | Conveyance device |
| US10501839B2 (en) | 2018-04-11 | 2019-12-10 | General Electric Company | Methods of removing a ceramic coating from a substrate |
| US11926880B2 (en) | 2021-04-21 | 2024-03-12 | General Electric Company | Fabrication method for a component having magnetic and non-magnetic dual phases |
| US11661646B2 (en) | 2021-04-21 | 2023-05-30 | General Electric Comapny | Dual phase magnetic material component and method of its formation |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AT389959B (de) | 1987-11-09 | 1990-02-26 | Sez Semiconduct Equip Zubehoer | Vorrichtung zum aetzen von scheibenfoermigen gegenstaenden, insbesondere von siliziumscheiben |
| AT407312B (de) * | 1996-11-20 | 2001-02-26 | Sez Semiconduct Equip Zubehoer | Rotierbarer träger für kreisrunde, scheibenförmige gegenstände, insbesondere halbleiterwafer oder -substrate |
| EP1052682B1 (de) * | 1999-04-28 | 2002-01-09 | SEZ Semiconductor-Equipment Zubehör für die Halbleiterfertigung AG | Vorrichtung und Verfahren zur Flüssigkeitsbehandlung von scheibenförmigen Gegenständen |
| EP1369904B1 (de) | 2000-10-31 | 2009-01-21 | Sez Ag | Vorrichtung zur Flüssigkeitsbehandlung von scheibenförmigen Gegenständen |
-
2002
- 2002-03-06 AT AT0034802A patent/AT411335B/de not_active IP Right Cessation
-
2003
- 2003-02-12 TW TW092102882A patent/TW587292B/zh not_active IP Right Cessation
- 2003-02-17 EP EP03702646A patent/EP1483778B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-02-17 DE DE60336713T patent/DE60336713D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2003-02-17 CN CNB038051613A patent/CN100347810C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2003-02-17 JP JP2003573683A patent/JP4537714B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2003-02-17 AT AT03702646T patent/ATE505811T1/de not_active IP Right Cessation
- 2003-02-17 AU AU2003205771A patent/AU2003205771A1/en not_active Abandoned
- 2003-02-17 KR KR1020047013228A patent/KR100675266B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2003-02-17 US US10/506,473 patent/US7279116B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2003-02-17 WO PCT/EP2003/001568 patent/WO2003075324A1/en active Application Filing
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US7279116B2 (en) | 2007-10-09 |
| JP2005519466A (ja) | 2005-06-30 |
| US20050150867A1 (en) | 2005-07-14 |
| TW200304181A (en) | 2003-09-16 |
| DE60336713D1 (de) | 2011-05-26 |
| ATE505811T1 (de) | 2011-04-15 |
| CN1639842A (zh) | 2005-07-13 |
| KR20040086442A (ko) | 2004-10-08 |
| TW587292B (en) | 2004-05-11 |
| AU2003205771A1 (en) | 2003-09-16 |
| ATA3482002A (de) | 2003-05-15 |
| EP1483778A1 (en) | 2004-12-08 |
| CN100347810C (zh) | 2007-11-07 |
| JP4537714B2 (ja) | 2010-09-08 |
| EP1483778B1 (en) | 2011-04-13 |
| AT411335B (de) | 2003-12-29 |
| WO2003075324A1 (en) | 2003-09-12 |
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Legal Events
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