JP2005514796A5 - - Google Patents

Claims (16)

1. 分散ブラッグ反射器が、
   ２元系組成の第１のものを含み、第１の屈折率を有する、ドープされた第１の半導体層と、
   ２元系組成の第２のものを含み、前記第１の屈折率とは異なる第２の屈折率を有する、ドープされた第２の半導体層と、
   前記第１の半導体層と前記第２の半導体層との間に挿入された第１の遷移領域と、を有し、前記第１の遷移領域が、複数の厚さと複数のドーピングレベルを備えた複数のドープされた第１の遷移半導体層を含む、
   ことを特徴とする分散ブラッグ反射器。
2. 前記第１の２元系組成を含むドープされた第３の半導体層と、
   前記第２の半導体層と前記第３の半導体層との間に挿入された第２の遷移領域とを更に有し、前記第２の遷移領域が、複数の厚さと複数のドーピングレベルを備えた複数のドープされた第２の遷移半導体層を含み、前記第２の遷移領域が、前記第１の遷移領域とは異なることを特徴とする請求項１に記載の分散ブラッグ反射器。
3. 前記第１の半導体層がＡｌＡｓを含むことを特徴とする、請求項１に記載の分散ブラッグ反射器。
4. 前記第２の半導体層がＧａＡｓを含み、前記ドープされた第１の遷移半導体層がＡｌ，Ｇａ及びＡｓを含むことを特徴とする請求項３に記載の分散ブラッグ反射器。
5. レーザが、
   ドープされた基板と、
   前記基板に隣接した活性領域とを有し、前記活性領域が、印加された電流に応じて所定の波長で光を放射し、
   前記活性領域と前記基板との間に、ドープされた第１の分散ブラッグ反射器ミラーとを有し、前記第１の分散ブラッグ反射器ミラーが、前記活性領域によって放射された光を前記活性領域の後ろに向かって反射し、
   前記活性領域に隣接した、ドープされた第２の分散ブラッグ反射器ミラーとを有し、前記第２の分散ブラッグ反射器ミラーが、前記活性領域により放射された光を前記活性領域の後ろに向かって反射し、
   前記第２の分散ブラッグ反射器が
   ドープされた第１のミラー半導体層は、２元系組成の第１のものを含み、第１の屈折率を含み、
   ドープされた第２のミラー半導体層が、前記第１の屈折率とは異なり、前記第２の屈折率を備え、
   前記第１のミラー半導体層と前記第２のミラー半導体層との間に第１の遷移ミラー領域を含み、前記第１の遷移ミラー領域が、複数の厚さと複数のドーピングレベルを有する複数の、ドープされた第１の遷移ミラー半導体層を含む、
   ことを特徴とするレーザ。
6. 前記レーザ高出力が、前記基板に対して垂直に放射したことを特徴とする請求項５に記載のレーザ。
7. 前記２元系組成の第１のものを含み、前記第１の屈折率を有する、ドープされた第３のミラー半導体層と、
   前記第２のミラー半導体層と前記第３のミラー半導体層との間に第２の遷移ミラー領域とを含み、
   前記第２の遷移ミラー領域が、複数の厚さと、複数のドーピングレベルとを備えた複数のドープされた第２の遷移ミラー半導体層を含み、前記第２の遷移ミラー領域が前記第１の遷移ミラー領域とは異なることを特徴とする請求項６に記載のレーザ。
8. 前記所定の波長で前記活性領域によって放射された光が、前記第１の遷移ミラー領域で最小の電界を生成することを特徴とする請求項７に記載のレーザ。
9. 前記第１の遷移ミラー半導体層が、前記第２の遷移ミラー半導体層よりも多くドープされたことを特徴とする請求項８に記載のレーザ。
10. 前記第２の遷移ミラー領域が、前記第１の遷移ミラー領域とは異なることを特徴とする請求項８に記載のレーザ。
11. 前記２元系組成の第１のものがＡｌＡｓであることを特徴とする請求項７に記載のレーザ。
12. 前記２元系組成の第２のものがＧａＡｓであることを特徴とする請求項１１に記載のレーザ。
13. 前記第１の遷移ミラー半導体層が、Ａｌ，Ｇａ及びＡｓを含むことを特徴とする請求項１２に記載のレーザ。
14. 前記活性層が、少なくとも一つの量子井戸を含むことを特徴とする請求項５に記載のレーザ。
15. 前記第２の分散ブラッグ反射器ミラーがｐ型ドープされていることを特徴とする請求項５に記載のレーザ。
16. 前記第２の分散ブラッグ反射器ミラーが、レーザ内の電流を制限するための絶縁領域を含むことを特徴とする請求項５に記載のレーザ。