JP2001320131A5 - - Google Patents
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【特許請求の範囲】
【請求項１】 相互に異なる波長のレーザ光を発光する端面出射型の複数個の半導体レーザ素子を同じ基板上に備える多波長半導体レーザ素子アレイにおいて、
複数個の半導体レーザ素子のうちのいずれかの半導体レーザ素子（以下、第１の半導体レーザ素子と言う）の出射端面での反射率が、前記第１の半導体レーザ素子の発光波長より長い波長のレーザ光を発光させる半導体レーザ素子（以下、第２の半導体レーザ素子と言う）の出射端面での反射率より低いことを特徴とする多波長半導体レーザ素子アレイ。
【請求項２】 前記第１の半導体レーザ素子及び前記第２の半導体レーザ素子の出射端面に成膜された反射膜の膜厚は、双方とも同じ膜厚であって、かつ前記第１の半導体レーザ素子の出射端面での反射率が前記第２の半導体レーザ素子の出射端面での反射率より低くなるような膜厚に設定されていることを特徴とする請求項１に記載の多波長半導体レーザ素子アレイ。
【請求項３】 前記反射膜は、蒸着法により成膜されていることを特徴とする請求項２に記載の多波長半導体レーザ素子アレイ。
【請求項４】 ２波長半導体レーザ素子アレイであって、
前記第１の半導体レーザ素子が、ＡｌＧａＩｎＰ系の４元化合物半導体からなる半導体レーザ素子、前記第２の半導体レーザ素子がＡｌＧａＡｓ系の３元化合物半導体からなる半導体レーザ素子であることを特徴とする請求項１に記載の多波長半導体レーザ素子アレイ。
に記載の多波長半導体レーザ素子アレイ。
【請求項５】 前記第１の半導体レーザ素子及び前記第２の半導体レーザ素子の出射端面の反射膜が、酸化アルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）を蒸着させてなる反射膜であることを特徴とする請求項３に記載の多波長半導体レーザ素子アレイ。
【請求項６】 相互に異なる波長のレーザ光を発光する端面出射型の複数個の半導体レーザ素子を同じ基板上に備える多波長半導体レーザ素子アレイの作製方法であって、前記多波長半導体レーザ素子アレイの出射端面上に反射膜を成膜するに際して、
前記第１の半導体レーザ素子及び前記第２の半導体レーザ素子の出射端面の反射膜の膜厚を、双方とも同じ膜厚であって、かつ前記第１の半導体レーザ素子の出射端面での反射率が前記第２の半導体レーザ素子の出射端面での反射率より低くなるような膜厚に設定するステップと、
設定された膜厚になるように前記多波長半導体レーザ素子アレイの出射端面に反射膜材料を蒸着させて反射膜を成膜するステップと
を有することを特徴とする多波長半導体レーザ素子アレイの作製方法。
【請求項１】 相互に異なる波長のレーザ光を発光する端面出射型の複数個の半導体レーザ素子を同じ基板上に備える多波長半導体レーザ素子アレイにおいて、
複数個の半導体レーザ素子のうちのいずれかの半導体レーザ素子（以下、第１の半導体レーザ素子と言う）の出射端面での反射率が、前記第１の半導体レーザ素子の発光波長より長い波長のレーザ光を発光させる半導体レーザ素子（以下、第２の半導体レーザ素子と言う）の出射端面での反射率より低いことを特徴とする多波長半導体レーザ素子アレイ。
【請求項２】 前記第１の半導体レーザ素子及び前記第２の半導体レーザ素子の出射端面に成膜された反射膜の膜厚は、双方とも同じ膜厚であって、かつ前記第１の半導体レーザ素子の出射端面での反射率が前記第２の半導体レーザ素子の出射端面での反射率より低くなるような膜厚に設定されていることを特徴とする請求項１に記載の多波長半導体レーザ素子アレイ。
【請求項３】 前記反射膜は、蒸着法により成膜されていることを特徴とする請求項２に記載の多波長半導体レーザ素子アレイ。
【請求項４】 ２波長半導体レーザ素子アレイであって、
前記第１の半導体レーザ素子が、ＡｌＧａＩｎＰ系の４元化合物半導体からなる半導体レーザ素子、前記第２の半導体レーザ素子がＡｌＧａＡｓ系の３元化合物半導体からなる半導体レーザ素子であることを特徴とする請求項１に記載の多波長半導体レーザ素子アレイ。
に記載の多波長半導体レーザ素子アレイ。
【請求項５】 前記第１の半導体レーザ素子及び前記第２の半導体レーザ素子の出射端面の反射膜が、酸化アルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）を蒸着させてなる反射膜であることを特徴とする請求項３に記載の多波長半導体レーザ素子アレイ。
【請求項６】 相互に異なる波長のレーザ光を発光する端面出射型の複数個の半導体レーザ素子を同じ基板上に備える多波長半導体レーザ素子アレイの作製方法であって、前記多波長半導体レーザ素子アレイの出射端面上に反射膜を成膜するに際して、
前記第１の半導体レーザ素子及び前記第２の半導体レーザ素子の出射端面の反射膜の膜厚を、双方とも同じ膜厚であって、かつ前記第１の半導体レーザ素子の出射端面での反射率が前記第２の半導体レーザ素子の出射端面での反射率より低くなるような膜厚に設定するステップと、
設定された膜厚になるように前記多波長半導体レーザ素子アレイの出射端面に反射膜材料を蒸着させて反射膜を成膜するステップと
を有することを特徴とする多波長半導体レーザ素子アレイの作製方法。
これでは、７８０ｎｍ帯半導体レーザ素子及び６５０ｎｍ帯半導体レーザ素子の双方を同じ光出力で動作させることが難しい。
そこで、本発明は、キンクが発生する光出力レベル及びＣＯＤが発生する光出力レベルがほぼ同じようにした多波長半導体レーザ素子アレイおよびその作製方法を提供することである。
そこで、本発明は、キンクが発生する光出力レベル及びＣＯＤが発生する光出力レベルがほぼ同じようにした多波長半導体レーザ素子アレイおよびその作製方法を提供することである。
本発明の好適な実施態様では、第１の半導体レーザ素子及び第２の半導体レーザ素子の出射端面に成膜された反射膜の膜厚は、双方とも同じ膜厚であって、かつ第１の半導体レーザ素子の出射端面での反射率が第２の半導体レーザ素子の出射端面での反射率より低くなるような膜厚に設定されている。
本発明で、反射膜の種類、組成には制約はない。例えば、第１の半導体レーザ素子及び第２の半導体レーザ素子が、それぞれ、ＡｌＧａＩｎＰ系の４元化合物半導体からなる半導体レーザ素子、及び、ＡｌＧａＡｓ系の３元化合物半導体からなる半導体レーザ素子であるときには、出射端面の反射膜には、酸化アルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）の蒸着膜を採用する。
本発明で、反射膜の種類、組成には制約はない。例えば、第１の半導体レーザ素子及び第２の半導体レーザ素子が、それぞれ、ＡｌＧａＩｎＰ系の４元化合物半導体からなる半導体レーザ素子、及び、ＡｌＧａＡｓ系の３元化合物半導体からなる半導体レーザ素子であるときには、出射端面の反射膜には、酸化アルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）の蒸着膜を採用する。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000132628A JP2001320131A (ja) | 2000-03-01 | 2000-05-01 | 多波長半導体レーザ素子アレイ及びその作製方法 |
| US09/795,383 US6522678B2 (en) | 2000-03-01 | 2001-02-28 | Multiple wavelength semiconductor laser device array and production method |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000-56223 | 2000-03-01 | ||
| JP2000056223 | 2000-03-01 | ||
| JP2000132628A JP2001320131A (ja) | 2000-03-01 | 2000-05-01 | 多波長半導体レーザ素子アレイ及びその作製方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001320131A JP2001320131A (ja) | 2001-11-16 |
| JP2001320131A5 true JP2001320131A5 (ja) | 2007-01-25 |
Family
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000132628A Pending JP2001320131A (ja) | 2000-03-01 | 2000-05-01 | 多波長半導体レーザ素子アレイ及びその作製方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6522678B2 (ja) |
| JP (1) | JP2001320131A (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000011417A (ja) * | 1998-06-26 | 2000-01-14 | Toshiba Corp | 半導体レーザアレイ及びその製造方法、光集積ユニット、光ピックアップ並びに光ディスク駆動装置 |
| JP4564736B2 (ja) * | 2003-11-04 | 2010-10-20 | シャープ株式会社 | 半導体レーザ素子の測定方法および測定装置 |
| JP2006310413A (ja) * | 2005-04-26 | 2006-11-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザ装置 |
| JP2009224480A (ja) * | 2008-03-14 | 2009-10-01 | Panasonic Corp | ２波長半導体レーザ装置 |
| DE102016103358A1 (de) * | 2016-02-25 | 2017-08-31 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Laserbarren mit gräben |
| JP7371522B2 (ja) * | 2020-02-19 | 2023-10-31 | ウシオ電機株式会社 | 半導体レーザ装置 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0361399A3 (en) * | 1988-09-28 | 1990-07-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Semmiconductor laser array including lasers with reflecting means having different wavelength selection properties |
| JPH05102613A (ja) * | 1991-10-09 | 1993-04-23 | Fuji Xerox Co Ltd | 多波長半導体レーザ装置 |
| US5434874A (en) * | 1993-10-08 | 1995-07-18 | Hewlett-Packard Company | Method and apparatus for optimizing output characteristics of a tunable external cavity laser |
| JPH11186656A (ja) * | 1997-12-22 | 1999-07-09 | Victor Co Of Japan Ltd | 半導体レーザ素子用反射膜及びその製造方法 |
| JP2000011417A (ja) * | 1998-06-26 | 2000-01-14 | Toshiba Corp | 半導体レーザアレイ及びその製造方法、光集積ユニット、光ピックアップ並びに光ディスク駆動装置 |
| JP3642711B2 (ja) * | 2000-02-17 | 2005-04-27 | シャープ株式会社 | 半導体レーザ素子 |
-
2000
- 2000-05-01 JP JP2000132628A patent/JP2001320131A/ja active Pending
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2001
- 2001-02-28 US US09/795,383 patent/US6522678B2/en not_active Expired - Lifetime
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