JP2005514796A - 垂直キャビティ表面放射レーザに関する非対称分散ブラッグ反射器 - Google Patents
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Abstract
Description
なし
本発明はレーザミラー構造に関する。特に、垂直キャビティ表面放射レーザで使用するのに適したミラー構造に関する。
Claims (26)
- 分散ブラッグ反射器が、
2元系組成の第1のものを含み、第1の屈折率を有する、ドープされた第1の半導体層と、
2元系組成の第2のものを含み、前記第1の屈折率とは異なる第2の屈折率を有する、ドープされた第2の半導体層と、
前記第1の半導体層と前記第2の半導体層との間に挿入された第1の遷移領域と、を有し、前記第1の遷移領域が、複数の厚さと複数のドーピングレベルを備えた複数のドープされた第1の遷移半導体層を含む、
ことを特徴とする分散ブラッグ反射器。 - 前記第1の2元系組成を含むドープされた第3の半導体層と、
前記第2の半導体層と前記第3の半導体層との間に挿入された第2の遷移領域とを更に有し、前記第2の遷移領域が、複数の厚さと複数のドーピングレベルを備えた複数のドープされた第2の遷移半導体層を含み、前記第2の遷移領域が、前記第1の遷移領域とは異なることを特徴とする請求項1に記載の分散ブラッグ反射器。 - 前記第1の半導体層がAlAsを含むことを特徴とする、請求項1に記載の分散ブラッグ反射器。
- 前記第2の半導体層がGaAsを含み、前記ドープされた第1の遷移半導体層がAl,Ga及びAsを含むことを特徴とする請求項3に記載の分散ブラッグ反射器。
- レーザが、
ドープされた基板と、
前記基板に隣接した活性領域とを有し、前記活性領域が、印加された電流に応じて所定の波長で光を放射し、
前記活性領域と前記基板との間に、ドープされた第1の分散ブラッグ反射器ミラーとを有し、前記第1の分散ブラッグ反射器ミラーが、前記活性領域によって放射された光を前記活性領域の後ろに向かって反射し、
前記活性領域に隣接した、ドープされた第2の分散ブラッグ反射器ミラーとを有し、前記第2の分散ブラッグ反射器ミラーが、前記活性領域により放射された光を前記活性領域の後ろに向かって反射し、
前記第2の分散ブラッグ反射器が
ドープされた第1のミラー半導体層は、2元系組成の第1のものを含み、第1の屈折率を含み、
ドープされた第2のミラー半導体層が、前記第1の屈折率とは異なり、前記第2の屈折率を備え、
前記第1のミラー半導体層と前記第2のミラー半導体層との間に第1の遷移ミラー領域を含み、前記第1の遷移ミラー領域が、複数の厚さと複数のドーピングレベルを有する複数の、ドープされた第1の遷移ミラー半導体層を含む、
ことを特徴とするレーザ。 - 前記レーザ高出力が、前記基板に対して垂直に放射したことを特徴とする請求項5に記載のレーザ。
- 前記2元系組成の第1のものを含み、前記第1の屈折率を有する、ドープされた第3のミラー半導体層と、
前記第2のミラー半導体層と前記第3のミラー半導体層との間に第2の遷移ミラー領域とを含み、
前記第2の遷移ミラー領域が、複数の厚さと、複数のドーピングレベルとを備えた複数のドープされた第2の遷移ミラー半導体層を含み、前記第2の遷移ミラー領域が前記第1の遷移ミラー領域とは異なることを特徴とする請求項6に記載のレーザ。 - 前記所定の波長で前記活性領域によって放射された光が、前記第1の遷移ミラー領域で最小の電界を生成することを特徴とする請求項7に記載のレーザ。
- 前記第1の遷移ミラー半導体層が、前記第2の遷移ミラー半導体層よりも多くドープされたことを特徴とする請求項8に記載のレーザ。
- 前記第2の遷移ミラー領域が、前記第1の遷移ミラー領域とは異なることを特徴とする請求項8に記載のレーザ。
- 前記2元系組成の第1のものがAlAsであることを特徴とする請求項7に記載のレーザ。
- 前記2元系組成の第2のものがGaAsであることを特徴とする請求項11に記載のレーザ。
- 前記第1の遷移ミラー半導体層が、Al,Ga及びAsを含むことを特徴とする請求項12に記載のレーザ。
- 前記活性層が、少なくとも一つの量子井戸を含むことを特徴とする請求項5に記載のレーザ。
- 前記第2の分散ブラッグ反射器ミラーがp型ドープされていることを特徴とする請求項5に記載のレーザ。
- 前記第2の分散ブラッグ反射器ミラーが、レーザ内の電流を制限するための絶縁領域を含むことを特徴とする請求項5に記載のレーザ。
- 前記第2の分散ブラッグ反射器ミラーと前記活性領域との間にスペーサを更に含むことを特徴とする請求項5に記載のレーザ。
- 前記第1の分散ブラッグ反射器ミラーが、
前記2元系組成の第1のものを含むn型ドープされた第1の底部ミラー半導体層と、
前記2元系組成の第2のものを含むn型ドープされた第2の底部ミラー半導体層と、
前記第1の底部ミラー半導体層と前記第2の底部ミラー半導体層との間に第1の遷移底部ミラー領域とを含み、
前記第1の遷移底部ミラー領域が、複数のn型ミラー半導体層を含み、複数の厚さ及び複数のドーピングレベルを有する、ことを特徴とする請求項5に記載のレーザ。 - 垂直キャビティ表面放射レーザが、
n型ドープ基板と、
前記基板に隣接した活性領域とを有し、前記活性領域が、印加されat電流に応じて所定の波長の光を放射し、
前記活性領域によって放射された光を前記活性領域の後ろの方に向かって反射させるn型ドープ底部分散ブラッグ反射器ミラーとを有し、
前記頂部分散ブラッグ反射器ミラーが、
AlAsを含む、ドープされた第1のミラー半導体層と、
GaAsを含む、ドープされた第1のミラー半導体層と、
前記第1のミラー半導体層と前記第2のミラー半導体層との間に第1の遷移領域とを含み、前記第1の遷移ミラー領域が、複数の厚さ、複数のドーピングレベル、及び複数の塑性を備えた複数のドープされたAlxGa1-xAs層を含む、ことを特徴とする垂直キャビティ表面放射レーザ。 - 前記第1の遷移ミラー領域が、0%と85%の間のAl組成を有するAlxGa1-xAs層を有することを特徴とする請求項19に記載の垂直キャビティ表面放射レーザ。
- 前記複数のドープされた第1の遷移半導体層の各々が、互いに異なる厚さと異なるドーピングレベルを有することを特徴とする請求項1に記載の分散ブラッグ反射器。
- 前記複数のドープされた第2の遷移半導体層の各々が、互いに異なる厚さと異なるドーピングレベルを有することを特徴とする請求項2に記載の分散ブラッグ反射器。
- 前記複数のドープされた第1の遷移半導体層の各々が、互いに異なる厚さと異なるドーピングレベルを有することを特徴とする請求項5に記載のレーザ。
- 前記複数のドープされた第2の遷移半導体層の各々が、互いに異なる厚さと異なるドーピングレベルを有することを特徴とする請求項7に記載のレーザ。
- 前記複数のn型ドープされたミラー半導体層の各々が、互いに異なる厚さと異なるドーピングレベルを有することを特徴とする請求項18に記載のレーザ。
- 前記複数のドープされたAlxGa1-xAs層の各々が、互いに異なる厚さ、異なるドーピングレベル、及び異なる組成を有することを特徴とする請求項19に記載のレーザ。
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