JP2005514636A5 - - Google Patents

Claims (9)

1. 自然の同位体比から十分に変化させた相対比を有する酸素の複数の同位体を含み光学的性質を変化させた光導波路であって、光伝導コア領域を含み、前記コア領域の酸素の少なくとも２０モル％が酸素１８であって、前記コア領域は前記酸素１８の量の少なくとも５％の量の酸素１７を含むことを特徴とする光導波路。
2. 前記導波路は、光ファイバ導波路であることを特徴とする請求項１記載の導波路。
3. 前記酸素１７の量は、前記コアの酸素１８の量の少なくとも１０％であることを特徴とする請求項１又は２記載の導波路。
4. 前記導波路はラマンゲインファイバであって、追加の酸素１８を含まない同一のファイバと比較して、約９００μｍから１８００μｍの間の波長の光に関して少なくとも約５％だけ前記ファイバのラマンスペクトルが広げられる範囲内で前記同位体存在比が変化することを特徴とする請求項１乃至３のうちの１に記載の光導波路ファイバ。
5. 前記導波路は、酸素１８の高められた層及び高められていない層を交互に重ねたガラス層を含むことを特徴とする請求項１記載の光導波路ファイバ。
6. 前記光導波路は、ゲルマニウム及びリンからなるグループから選択されたドーパント原子を更に含むことを特徴とする請求項１乃至５のうちの１に記載の光導波路。
7. 化学気相蒸着法によってシリカベーススートプリフォームを形成するステップと、
   チャンバ内においてスートプリフォームを少なくとも２０パーセントの酸素１８を含む雰囲気に、前記シリカスート内の酸素１６の少なくとも一定量を酸素１８に置換するために必要な時間及び温度の間だけ曝すステップと、を含むシリカ導波路の製造方法。
8. 前記スートプリフォームを曝すステップは、前記スートプリフォームをＤ₂ ¹⁸Ｏ、Ｈ₂ ¹⁸Ｏ又はこれらを混合した混合物からなるグループから選択されるガスに曝すステップを含むことを特徴とする請求項７記載の方法。
9. 前記スートプリフォームを酸素１８に曝すステップは、約１０００℃よりも高い温度で前記スートプリフォームを曝すステップを含むことを特徴とする請求項７又は８記載の方法。